JP6011420B2 - 縦型熱処理装置の運転方法、縦型熱処理装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
周囲に加熱部が設けられた縦型の反応容器内にクリーニング用のガスを供給して当該反応容器内をクリーニングするクリーニング工程と、
前記クリーニング工程の後、前記第1のガスノズルから第1のガスを前記反応容器内に供給する段階と、前記第2のガスノズルから第2のガスを前記反応容器内に供給すると共に第2のガスをプラズマ化する段階と、を交互に複数回行うことにより反応容器内に薄膜を形成するプリコート工程と、
前記クリーニング工程の後、ダミー用の半導体基板または導電性基板が保持された基板保持具を前記反応容器内に搬入し、前記第1のガスを反応容器内に供給する段階を行わずに、前記第2のガスノズルから第2のガスを前記反応容器内に供給すると共に第2のガスをプラズマ化する段階を行う除電工程と、
前記プリコート工程及び除電工程を行った後、複数の製品用の半導体基板が保持された基板保持具を前記反応容器内に搬入する工程と、
続いて、前記第1のガスノズルから第1のガスを前記反応容器内に供給する段階と、前記第2のガスノズルから第2のガスを前記反応容器内に供給すると共に第2のガスをプラズマ化する段階と、を交互に複数回行うことにより反応容器内に薄膜を形成する成膜工程と、を含み、
前記プリコート工程の後に前記除電工程を行う場合には、
当該プリコート工程は前記ダミー用の半導体基板または導電性基板が保持された基板保持具が前記反応容器内に搬入されていない状態で行われ、前記プリコート工程の後、前記除電工程における前記基板保持具の前記反応容器内への搬入を行うために当該反応容器を開放する工程を含むことを特徴とする縦型熱処理装置の運転方法。
W1 ダミーウエハ
1 反応容器
2 マニホールド
10 縦型熱処理装置
33 クリーニングガス供給管
51 第1の原料ガスノズル
52 第2の原料ガスノズル
70 プラズマ発生部
73 プラズマ電極
Claims (9)
- 原料ガスである第1のガスを供給するための第1のガスノズルと、第1のガスの分子と反応して反応生成物を生成する反応ガスである第2のガスを供給するための第2のガスノズルと、を備えた縦型熱処理装置を運転する方法において、
周囲に加熱部が設けられた縦型の反応容器内にクリーニング用のガスを供給して当該反応容器内をクリーニングするクリーニング工程と、
前記クリーニング工程の後、前記第1のガスノズルから第1のガスを前記反応容器内に供給する段階と、前記第2のガスノズルから第2のガスを前記反応容器内に供給すると共に第2のガスをプラズマ化する段階と、を交互に複数回行うことにより反応容器内に薄膜を形成するプリコート工程と、
前記クリーニング工程の後、ダミー用の半導体基板または導電性基板が保持された基板保持具を前記反応容器内に搬入し、前記第1のガスを反応容器内に供給する段階を行わずに、前記第2のガスノズルから第2のガスを前記反応容器内に供給すると共に第2のガスをプラズマ化する段階を行う除電工程と、
前記プリコート工程及び除電工程を行った後、複数の製品用の半導体基板が保持された基板保持具を前記反応容器内に搬入する工程と、
続いて、前記第1のガスノズルから第1のガスを前記反応容器内に供給する段階と、前記第2のガスノズルから第2のガスを前記反応容器内に供給すると共に第2のガスをプラズマ化する段階と、を交互に複数回行うことにより反応容器内に薄膜を形成する成膜工程と、を含み、
前記プリコート工程の後に前記除電工程を行う場合には、
当該プリコート工程は前記ダミー用の半導体基板または導電性基板が保持された基板保持具が前記反応容器内に搬入されていない状態で行われ、前記プリコート工程の後、前記除電工程における前記基板保持具の前記反応容器内への搬入を行うために当該反応容器を開放する工程を含むことを特徴とする縦型熱処理装置の運転方法。 - 前記ダミー用の半導体基板または導電性基板が反応容器内に搬入された状態で行われる、第2のガスをプラズマ化する段階は、プラズマ発生用電極から電界を間欠的に発生させることにより行われることを特徴とする請求項1記載の縦型熱処理装置の運転方法。
- 前記除電工程は、前記プリコート工程の後に行われることを特徴とする請求項1または2記載の縦型熱処理装置の運転方法。
- 第1のガスはシラン系のガスであり、第2のガスはアンモニアガスであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の縦型熱処理装置の運転方法。
- 周囲に加熱部が設けられた縦型の反応容器と、原料ガスである第1のガスを前記反応容器内に供給するための第1のガスノズルと、第1のガスの分子と反応して反応生成物を生成する反応ガスである第2のガスを前記反応容器内に供給するための第2のガスノズルと、前記反応容器内にクリーニング用のガスを供給するためのクリーニングガス供給部と、を備えた縦型熱処理装置において、
前記反応容器内に前記クリーニング用のガスを供給して反応容器内をクリーニングするクリーニング工程と、
前記クリーニング工程の後、前記第1のガスノズルから第1のガスを前記反応容器内に供給する段階と、前記第2のガスノズルから第2のガスを前記反応容器内に供給すると共に第2のガスをプラズマ化する段階と、を交互に複数回行うことにより反応容器内に薄膜を形成するプリコート工程と、
前記クリーニング工程の後、ダミー用の半導体基板または導電性基板が保持された基板保持具が前記反応容器内に搬入された状態で、前記第1のガスを反応容器内に供給する段階を行わずに、前記第2のガスノズルから第2のガスを前記反応容器内に供給すると共に第2のガスをプラズマ化する段階を行う除電工程と、
前記プリコート工程及び除電工程を行った後、複数の製品用の半導体基板が保持された基板保持具が前記反応容器内に搬入された状態で、第1のガスを前記反応容器内に供給する段階と、第2のガスを前記反応容器内に供給すると共に第2のガスをプラズマ化する段階と、を交互に複数回行うことにより反応容器内に薄膜を形成する成膜工程と、
を行うように制御信号を出力する制御部を備え、
前記プリコート工程の後に前記除電工程を行う場合には、
当該プリコート工程は前記ダミー用の半導体基板または導電性基板が保持された基板保持具が前記反応容器内に搬入されていない状態で行われ、
前記制御部は、
前記プリコート工程の後、前記除電工程における前記基板保持具の前記反応容器内への搬入を行うために当該反応容器を開放するように制御信号を出力することを特徴とする縦型熱処理装置。 - プラズマ発生用電極を備え、
前記制御部は、前記第2のガスをプラズマ化する段階を行うために前記プラズマ発生用電極から電界を間欠的に発生させるように制御信号を出力することを特徴とする請求項5記載の縦型熱処理装置。 - 前記除電工程が前記プリコート工程の後に行われるように、前記制御部により制御信号が出力されることを特徴とする請求項5または6記載の縦型熱処理装置。
- 第1のガスはシラン系のガスであり、第2のガスはアンモニアガスであることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか一項に記載の縦型熱処理装置。
- 周囲に加熱部が設けられた縦型の反応容器内に、複数の基板が保持された基板保持具を搬入して熱処理を行う縦型熱処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の縦型熱処理装置の運転方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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