JP6011373B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、板状の半導体チップの一部を樹脂で封止し、残部を樹脂より露出させてなる半導体装置を製造する半導体装置の製造方法に関する。

この種の一般的な半導体装置は、板状をなす半導体チップと、半導体チップの一部である第１の部位を封止する樹脂と、を有し、半導体チップの残部である第２の部位は樹脂より露出した構成を備えている。そして、このような半導体装置は、樹脂成型用の金型を用い、第２の部位に金型を密着させて樹脂成形することにより製造される。

このような構成においては、半導体チップは、第１の部位にて樹脂により片持ち支持されており、たとえば、樹脂より露出する第２の部位にセンシング部等を有するものとされる。そのため、金型成形時に、半導体チップの第２の部位のうち素子形成面となる両板面に対して樹脂バリが付着すると、チップ特性への影響が大きい。

そこで、従来では、露出部である半導体チップの第２の部位において両板面の周辺部に、緩衝材を配置し、金型と半導体チップとの間を緩衝材でブロックすることにより、当該両板面への樹脂の流入を防ぎ、樹脂バリの発生を防止する方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。

特許第２７８４２８６号公報

しかしながら、上記従来の半導体装置においては、半導体チップの第２の部位が露出しているため、半導体装置のシステム等への組み付け時や使用時に、当該第２の部位と周囲部材とが干渉したり、当該第２の部位に異物が衝突したりする可能性がある。そうすると、半導体チップに対して機械的損傷が発生する懸念がある。

これに対して、半導体チップの周囲に保護壁を形成することが考えられるが、この場合、保護壁となる筐体等の追加部品が別途必要となり、コストアップ等の問題が生じる。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体チップの一部を樹脂で封止してなる半導体装置において、当該樹脂によって、半導体チップの部分露出と当該露出部の保護とを適切に両立させることを目的とする。

本発明は、半導体チップを部分的に封止する樹脂の一部を、半導体チップの露出部を保護する保護壁として構成することに着目し、鋭意検討した結果、創出されたものである。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、表裏の関係にある両板面（１１、１２）および当該両板面を連結する側面（１３〜１６）を有する板状をなす半導体チップ（１０）と、半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、半導体チップの残部である第２の部位（２）は樹脂より露出しており、当該樹脂の一部が、第２の部位における半導体チップの側面（１４〜１６）に隙間（２２）を有して対向するように第１の部位側から第２の部位側に延長された対向壁（２４〜２６）として構成されている半導体装置の製造方法であって、さらに以下の工程を有するものとしている。

すなわち、本製造方法では、半導体チップを用意する用意工程と、樹脂の成形用の金型（１００）を用い、第２の部位のうち半導体チップの両板面に金型を介して樹脂材料よりなるフィルム（１０３）を密着させた状態で、金型に樹脂を充填することにより、第２の部位における半導体チップの両板面は樹脂より露出させつつ、第２の部位における半導体チップの側面と第１の部位とを樹脂で封止する樹脂封止工程と、第２の部位における半導体チップの側面に位置する樹脂に対してレーザ（Ｌ）を照射して、当該側面と当該樹脂との間に隙間を形成するように、当該樹脂の一部を除去することにより、当該樹脂の残部を対向壁として形成する樹脂除去工程と、を備えることを特徴としている。

それによれば、半導体チップの第２の部位では素子形成面となる両板面が露出した構成となる。また、半導体チップの第１の部位を封止する樹脂の一部が、第２の部位における側面回りまで延長されて対向壁を構成し、この対向壁により半導体チップの周囲部分が保護される。そのため、本発明によれば、半導体チップを封止する樹脂によって、半導体チップの部分露出と当該露出部の保護とを適切に両立させることができる。

ここで、請求項２に記載の発明のように、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、樹脂除去工程では、第２の部位における半導体チップの側面と樹脂との境界部分にレーザを照射することにより、当該側面が隙間にて露出するように、樹脂の除去を行うようにしてもよい。それによれば、半導体チップの第２の部位では、両板面および側面が露出した構成を実現できる。

また、請求項３に記載の発明のように、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、樹脂除去工程では、第２の部位における半導体チップの側面と樹脂との境界部分にレーザが照射されないように、当該境界部分よりも外側にレーザを照射して隙間を形成することにより、当該側面を被覆する樹脂を残し、当該残された樹脂（２０ａ）と対向壁とが隙間を介して対向する構成を形成するようにしてもよい。このように、第２の部位における側面に樹脂を残すことによって、当該側面が露出せずに封止された構成としてもよい。

さらに、この請求項３に記載の半導体装置の製造方法においては、請求項４に記載の発明のように、用意工程では、半導体チップとして、第２の部位における半導体チップの側面に残された樹脂による応力を緩和するための溝（１７）が当該チップの周辺部に形成されたものを、用意するようにしてもよい。このように、チップ側面に樹脂を残す場合には、当該残された樹脂により半導体チップに発生する応力の影響を緩和するために、溝を設けると好ましい。

また、請求項５に記載の発明のように、請求項１〜４に記載の半導体装置の製造方法において、樹脂除去工程では、レーザとして、半導体チップを透過するとともに、樹脂よりも半導体チップの方が当該レーザの吸収率が小さくなる波長のものを照射するようにすれば、レーザによる半導体チップのダメージ軽減に望ましい。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の概略平面図である。 図１Ａ中の一点鎖線ＩＢ−ＩＢに沿った概略断面図である。 第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における用意工程を示す概略平面図である。 図２Ａ中の一点鎖線ＩＩＢ−ＩＩＢに沿った概略断面図である。 第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における樹脂封止工程を示す概略断面図である。 図３に続く樹脂封止工程を示す概略断面図である。 図４に続く樹脂封止工程を示す概略断面図である。 上記樹脂封止工程後の形成物を示す概略平面図である 図６Ａ中の一点鎖線ＶＩＢ−ＶＩＢに沿った概略断面図である。 第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における樹脂除去工程を示す概略平面図である。 図７に示される樹脂除去工程におけるレーザの照射方法を示す概略断面図である。 図８Ａに続くレーザの照射方法を示す概略断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の製造方法における樹脂除去工程を示す概略平面図である。 図９に示される樹脂除去工程におけるレーザの照射方法を示す概略断面図である。 図１０Ａに続くレーザの照射方法を示す概略断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の概略平面図である。 図１１Ａ中の一点鎖線ＸＩＢ−ＸＩＢに沿った概略断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る半導体装置Ｓ１について、図１Ａ、図１Ｂを参照して述べる。本実施形態の半導体装置Ｓ１は、大きくは、板状をなす半導体チップ１０と、半導体チップ１０の一部を封止する樹脂２０と、を備えて構成されている。

半導体チップ１０は、通常の半導体プロセスなどにより形成されたシリコン半導体などよりなり、表裏の関係にある両板面１１、１２および当該両板面１１、１２を連結する側面１３〜１６を有する板状をなす。この半導体チップ１０には、図示しないが、不純物を拡散させてなる拡散配線や、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２等の無機物質などよりなる膜等が形成されている。

ここでは、半導体チップ１０は典型的な矩形板状をなしているが、具体的には一端１０ａから他端１０ｂへ（図１Ａ、１Ｂの右から左へ）延びる長方形板状をなすものである。この半導体チップ１０における各面については、一方の板面１１を表面１１とし、他方の板面１２を裏面１２とし、表裏両板面１１、１２の端部を連結する４個の面１３、１４、１５、１６を側面１３、１４、１５、１６としている。

ここで、本半導体チップ１０における側面１３〜１６とは、一端１０ａ側の端面１３、他端１０ｂ側の端面１４、および当該両端１０ａ、１０ｂ間に延びる（ここではチップ長手方向に延びる）２個の側面１５、１６である。そして、半導体チップ１０においては、典型的には表裏両板面１１、１２が、回路やセンシング部等の素子が形成される素子形成面とされる。

本実施形態の半導体チップ１０は、たとえば検出部としての図示しないセンシング部を有するセンサチップとして構成される。具体的には、当該センシング部としてダイアフラムを有する圧力センサや熱式流量センサ、または当該センシング部として可動部を有する加速度センサや角速度センサ等のセンサチップが挙げられる。このような場合、当該センシング部は、半導体チップ１０の他端１０ｂ側における半導体チップ１０の表面１１に設けられている。

そして、半導体チップ１０は、当該センシング部を露出させるように半導体チップ１０の他端１０ｂ側を露出させた状態で、一端１０ａ側の残部が樹脂２０で封止されている。この樹脂２０は、エポキシ樹脂などのモールド樹脂であり、後述するように金型を用いたトランスファーモールド法により成形されたものである。

ここで、半導体チップ１０における樹脂２０で封止されている部位１すなわち被封止部を第１の部位１とし、樹脂２０より露出している部位すなわち露出部を第２の部位２とする。そして、第１の部位１は、半導体チップ１０の一端１０ａ側に位置し、第２の部位２は、第１の部位１に隣接し第１の部位１よりも他端１０ｂ側に位置する。ここで、上記センシング部は第２の部位２に位置し、樹脂２０より露出している。

そして、本実施形態では、当該第２の部位２における半導体チップ１０の表裏両板面１１、１２および全ての側面（ここでは３個の側面）１４、１５、１６、つまり半導体チップ１０における第２の部位２の全ての外面１１、１２、１４〜１６は、樹脂２０で封止されずに露出している。

このように、本実施形態では、上記センシング部を含む第２の部位２の全外面を樹脂２０より露出させることで、樹脂２０による応力から上記センシング部を解放して精度の良い検出を可能としている。

また、半導体チップ１０は、第１の部位１にて基板３０に固定され支持されている。ここでは、半導体チップ１０の裏面１２と基板３０とを対向させた状態で、半導体チップ１０の第１の部位１と基板３０とが接着剤４０を介して接着されている。この接着剤４０は、たとえエポキシ樹脂等よりなる。

また、この基板３０としては、Ｃｕや４２アロイなどの導電性に優れた金属よりなるリードフレームやプリント基板、セラミック基板、フレキシブル基板などの配線基板などが挙げられる。ここでは、基板３０はリードフレームよりなり、半導体チップ１０の第１の部位１とともに、樹脂２０で封止されている。

また、図示しないが、半導体チップ１０と基板３０とは、樹脂２０の内部にてワイヤボンディングなどにより電気的に接続されている。さらに、基板３０の一部は外部端子３１として構成され、この基板３０の外部端子３１は樹脂２０より露出して外部と電気的に接続されるようになっている。ここでは、外部端子３１は、半導体チップ１０と反対側にて樹脂２０より突出している。

そして、図１Ａ、図１Ｂに示されるように、本実施形態の半導体装置Ｓ１においては、第２の部位２における半導体チップ１０の全ての側面１４〜１６に対して、隙間２２を有して対向する対向壁２４、２５、２６が設けられている。

具体的には、第２の部位２において半導体チップ１０の他端１０ｂ側の端面１４に対向する対向壁２４と、両端１０ａ、１０ｂ間に延びる２個の側面１５、１６に対向する対向壁２５、２６とが設けられている。

そして、これら対向壁２４〜２６は、第１の部位１を封止する樹脂２０が、第１の部位１側から第２の部位２側に延長された部位として形成されている。ここでは、各対向壁２４〜２６は、第１の部位１を封止する樹脂２０ととともに一体となっており、第２の部位２を取り囲む矩形枠状に形成されている。

このように、対向壁２４〜２６が、これに対向する半導体チップ１０の各側面１４〜１６を覆うことで、半導体チップ１０の第２の部位２の周囲を保護するため、半導体チップ１０に対する周囲部材の干渉防止や異物の衝突防止が期待できる。また、対向壁２４〜２６は半導体チップ１０とは離間しているため、樹脂２０による応力が半導体チップ１０に発生しにくくなる。

ここで、対向壁２４〜２６の厚さは特に限定しないが、図１Ａ、図１Ｂに示されるように、半導体チップ１０の厚さよりも厚くすることで、半導体チップ１０の第２の部位２における各側面１４〜１６の全体に、対向壁２４〜２６が正対することが望ましい。それにより、上記した周囲部材の干渉防止や異物の衝突防止の効果が、より確実に発揮されやすくなる。もちろん、対向壁２４〜２６の厚さは半導体チップ１０よりも薄いものであってもよい。

なお、このような半導体装置Ｓ１においては、たとえば半導体チップ１０を、気体流れの流量検出を行うものとし、対向壁２４〜２６は、その気体流れの整流板として構成されたものにできる。もちろん、本半導体装置Ｓ１は、このような流量センサに限定するものではなく、上記したような圧力センサや加速度センサ等であってもよい。

次に、本実施形態の半導体装置Ｓ１の製造方法について、図２〜図８を参照して述べる。まず、用意工程では、半導体プロセスにより形成された半導体チップ１０を用意する。そして、基板３０に半導体チップ１０を接着剤４０により固定し、必要に応じて、ワイヤボンディング等により基板３０と半導体チップ１０とを電気的に接続する。こうして用意工程が終了するが、ここまでの形成物の状態が図２Ａ、図２Ｂに示される。

次に、図３〜５、６Ａ、６Ｂに示される樹脂封止工程を行う。この工程は、樹脂２０の成形用の金型１００を用いたトランスファーモールド法により行い、半導体チップ１０の第１の部位１および基板３０を、樹脂２０で封止する。

ここでは、金型１００は、典型的なもので、図３〜５に示されるように、脱着可能な上型１０１と下型１０２と備えている。そして、これら上下型１０１、１０２を離脱可能に合致させることにより、当該上下型１０１、１０２の間に、樹脂２０の外形に対応する空間形状を有するキャビティ１０４を形成する。

具体的には、金型１００の内面は、半導体チップ１０の第２の部位２における表裏両板面１１、１２に対応する位置に突起１０５を有している。そして、用意された上記形成物を金型１００に設置したときには、突起１０５が当該第２の部位２の表裏両板面１１、１２に接触して樹脂２０が付着しない状態とされる。

ただし、この金型１００のキャビティ１０４は、図６Ａ、６Ｂに示される樹脂封止工程後の形成物に見られるように、半導体チップ１０の第２の部位２の側面１４〜１６と対向壁２４〜２６との間の隙間２２が樹脂２０で埋められている樹脂２０の形状に対応したものである。つまり、このキャビティ１０４は、当該第２の部位２の表裏両板面１１、１２は露出させつつ側面１４〜１６は封止する樹脂２０の外形に対応している。

そして、この金型１００の内面すなわちキャビティ１０４の内面には、ポリイミドやＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレンの略称）等の樹脂よりなるフィルム１０３が貼り付けられ、固定されている。このフィルム１０３の固定は、たとえば金型１００に図示しない孔を設け、その孔を介した吸引力による吸着等の方法により行う。

そして、図３、図４に示されるように、金型１００に半導体チップ１０および基板３０を設置し、上下型１０１、１０２を合致させる。これにより、半導体チップ１０の第２の部位２のうち半導体チップ１０の表裏両板面１１、１２に金型１００を介してフィルム１０３を密着させた状態とする。このフィルム１０３により、半導体チップ１０と金型１００との密着性を確保でき、また、半導体チップ１０へのダメージが緩和される。

そして、樹脂封止工程では、この状態で、金型１００に樹脂２０を充填する。それにより、第２の部位２における半導体チップ１０の表裏両板面１１、１２は樹脂２０より露出させつつ、第２の部位２における半導体チップの側面１４〜１６と第１の部位１とが樹脂２０で封止される。

具体的には、金型１００のキャビティ１０４内にて、樹脂２０は、半導体チップ１０の第１の部位１および基板３０を封止しつつ、半導体チップ１０の第２の部位２における側面１４〜１６に回り込み、これら側面１４〜１６を封止する。このとき、第２の部位２の表裏両板面１１、１２は、上記突起１０５によってフィルム１０３が密着しているので、樹脂２０は付着しない。

この樹脂２０による封止後は、図５に示されるように、上下型１０１、１０２を離脱させて金型１００から形成物を取り出す。こうして、図６Ａ、図６Ｂに示されるように、第２の部位２における表裏両板面１１、１２が露出しつつ、第２の部位２における全側面１４〜１６、第１の部位１および基板３０が樹脂２０で封止されてなる形成物ができあがる。ここまでが本実施形態の樹脂封止工程である。

次に、図７、８Ａ、８Ｂに示される樹脂除去工程を行う。この工程では、第２の部位２における半導体チップ１０の側面１４〜１６に位置する樹脂２０に対してレーザＬを照射して、当該樹脂２０の一部を除去する。それにより、当該側面１４〜１６と当該樹脂２０との間に上記隙間２２を形成するとともに、当該樹脂２０の残部を上記対向壁２４〜２６として形成する。

図７では、レーザＬの照射スポットを円形の破線で示している。レーザＬは、第２の部位２における側面１４〜１６に沿って図７中の矢印に示されるように、スキャンしながら照射していく。

本実施形態の樹脂除去工程では、図７、８Ａ、８Ｂに示されるように、半導体チップ１０の表面１１側から、第２の部位２における半導体チップ１０の側面１４〜１６と樹脂２０との境界部分にレーザＬを照射する。

これにより、当該境界部分近傍の樹脂２０がレーザＬによって除去され、当該側面１４〜１６が隙間２２にて露出する。そして、除去後において、樹脂２０の残部は、この露出する当該側面１４〜１６に対して隙間２２を有して対向する対向壁２４〜２６となる。

こうして、樹脂除去工程が終了し、上記図１Ａ、１Ｂに示される本実施形態の半導体装置Ｓ１ができあがる。なお、このような樹脂除去工程を行う際、半導体チップ１０の裏面１２側からレーザＬの照射を行ってもよいことは明らかである。

本製造方法に用いるレーザＬとしては、樹脂２０を焼失させて除去できるものであればよい。また、レーザＬとしては、望ましくは、半導体チップ１０を透過するとともに半導体チップ１０における吸収率が樹脂２０における吸収率よりも小さい波長のものを選定して用いるのがよい。これは、レーザＬが半導体チップ１０に照射されたときに、半導体チップ１０のダメージを軽減できるためである。

具体的にレーザＬとしては、ＣＯ_２（波長：約１０μｍ）、ＥｒＹＡＧ（波長：約３μｍ）、ＨｏＹＡＧ（波長：約１．５μｍ）、およびファイバーレーザなど、波長が１μｍを超えるレーザが採用される。一方で、このレーザＬに合わせて、用意工程では、半導体チップ１０として、レーザＬを透過し且つ樹脂２０よりもレーザＬの吸収率が低く且つレーザＬで溶融しない材料よりなるものを用意する。

本実施形態の半導体チップ１０は、上述のように、半導体プロセスにより製造されるが、シリコン半導体よりなる本体部と、これに形成された拡散配線や、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２等の無機物質膜等とを備えてなる。このような半導体チップ１０は上記レーザＬに対応した特性を有する。

具体的には、半導体チップ１０を構成する上記シリコン半導体、拡散配線および無機物質のレーザ吸収波長帯は１ｕｍ以下にあり、それよりも長い波長帯においては、半導体チップ１０は、レーザＬのエネルギーを吸収せずほぼ透過する。一方で、樹脂２０は長波長帯にも吸収ピークが存在し（たとえば−ＯＨ基の振動波長≒３ｕｍ、ＳＨ基の振動波長≒４ｕｍ、エポキシ３員環の振動は長≒８ｕｍなど）、広い領域においてレーザＬの吸収が可能である。

したがって、長波長（１ｕｍ超）かつ樹脂２０を除去することのできるレベルの低パワー密度（たとえば数十ｍＪ）のレーザＬを、半導体チップ１０近傍の樹脂２０に照射することにより、半導体チップ１０の機能損傷がなく、周囲の樹脂２０を選択的に除去することができる。

このように、本実施形態によれば、半導体チップ１０の露出部である第２の部位２では、素子形成面となる表裏両板面１１、１２が露出した構成となる。また、半導体チップ１０の第１の部位１を封止する樹脂２０の一部が、第２の部位２における側面１４〜１６回りまで延長されて対向壁２４〜２６を構成し、この対向壁２４〜２６により半導体チップ１０の周囲が保護される。

そのため、本実施形態によれば、半導体チップ１０の露出部２を保護するための追加部材を用いることなく、半導体チップ１０を封止する樹脂２０によって、半導体チップ１０の部分露出と当該露出部２の保護とを適切に両立させることができる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について、図９、１０Ａ、１０Ｂ、１１Ａ、１１Ｂを参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べる。本実施形態では、樹脂除去工程における樹脂２０の除去部分および半導体チップ１０の構成について、変形を行ったものである。

本実施形態の半導体装置は、図１１Ａ、１１Ｂに示されるように、第２の部位２における半導体チップ１０の側面１４〜１６に樹脂２０の一部２０ａを残すことで、当該側面１４〜１６を樹脂２０ａで封止したものとしている。そして、この側面１４〜１６に残された樹脂２０ａと対向壁２４〜２６とが隙間２２を介して対向する構成とされている。

さらに、本実施形態では、半導体チップ１０には、第２の部位２における半導体チップ１０の側面１４〜１６に残された樹脂２０ａによる応力を緩和するための溝１７が、当該チップの周辺部に形成されている。

ここで、溝１７は、第２の部位２における半導体チップ１０の表面１１の周辺部に設けられている。具体的には、第２の部位２における半導体チップ１０の表面１１のうち上記センシング部等の素子形成領域と当該表面１１の外郭との間に、溝１７を設けている。この溝１７は、エッチング等により設けられる。また、溝１７は、１つの連続したものでもよいし、断続的に形成されたものでもよい。

また、この溝１７は、半導体チップ１０の表面１１のうち第２の部位２の周辺部に設けられていればよいが、さらに、第１の部位１までも延長して設けられていてもよい。また、溝１７は、半導体チップ１０の表面１１ではなく、裏面１２に設けられていてもよいし、表裏両板面１１、１２に設けられていてもよい。

このような本実施形態の半導体装置は、上記第１実施形態の製造方法において、用意工程および樹脂除去工程を一部変更することにより製造される。まず、用意工程では、半導体チップ１０として、第２の部位２における半導体チップ１０の周辺部に溝１７が形成されたものを、用意する。

そして、上記同様、半導体チップ１０を基板３０に固定し、金型１００による樹脂封止工程を行う。これにより、第２の部位２における表裏両板面１１、１２が露出しつつ、第２の部位２における全側面１４〜１６、第１の部位１および基板３０が樹脂２０で封止されてなる形成物を形成する。

その後、本実施形態では、樹脂除去工程において、図９、１０Ａ、１０Ｂに示されるように、第２の部位２における半導体チップ１０の全側面１４〜１６と樹脂２０との境界部分にレーザＬが照射されないように、当該境界部分よりも外側にレーザＬを照射して隙間２２を形成する。

これにより、当該側面１４〜１６を被覆する樹脂２０を残し、当該残された樹脂２０ａと対向壁２４〜２６とが隙間２２を介して対向する構成を形成するようにする。ここまでが本実施形態の樹脂除去工程であり、この樹脂除去工程の終了に伴い、図１１Ａ、１１Ｂに示される本実施形態の半導体装置ができあがる。なお、本実施形態の樹脂除去工程においても、半導体チップ１０の裏面１２側からレーザＬの照射を行ってもよいことは明らかである。

ところで、本実施形態によれば、半導体チップ１０の第２の部位２における側面１４〜１６に樹脂２０ａが残されることで、当該側面１４〜１６が露出せずに封止されるため、当該側面１４〜１６の保護という点で好ましい。そして、当該残された樹脂２０ａによる半導体チップ１０への発生応力の影響を、溝１７によって緩和することができる。

（他の実施形態）
なお、上記第２実施形態において、半導体チップ１０に発生する応力の影響が問題ない等の場合には、半導体チップ１０における上記溝１７は省略された構成であってもよい。

また、半導体チップ１０としては、シリコン半導体よりなるもの以外にも、たとえばＳｉＣやゲルマニウム半導体などよりなるものでもよい。この場合も、半導体チップ１０と樹脂２０とレーザＬとの関係については、上記同様に設定できることはいうまでもない。

また、半導体チップ１０の形状は上記した矩形板状に限らず、その他の多角形板状、円形板状等でもよい。半導体チップ１０の外郭形状がどのようなものであっても、チップ外郭に沿ってレーザ光Ｌをスキャンさせ、チップ周囲の樹脂２０を除去することによって、対向壁２４〜２６を形成することが可能である。

また、半導体チップ１０としては、樹脂２０の除去により一部もしくは全体が露出するものであればよいが、半導体チップ１０の一部が露出する場合、その露出部位は上記センシング部を含むものでなくてもよく、たとえばパワー素子等が形成された発熱部であってその発熱部を放熱させる等の目的で露出していてもよい。

また、樹脂２０内部にて基板３０には、半導体チップ１０以外の他の電子素子や回路チップなどが搭載されていてもよい。そのような場合には、半導体チップ１０とこれら他の電子素子や回路チップとが、さらに樹脂２０の内部にてワイヤボンディング等により接続されていてもよい。また、半導体チップ１０が樹脂２０で片持ち支持されるならば、基板３０は省略された構成であってもよい。

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。

１ 第１の部位
２ 第２の部位
１０ 半導体チップ
１１ 半導体チップの表面
１２ 半導体チップの裏面
１３〜１６ 半導体チップの側面
２０ 樹脂
２２ 隙間
２４〜２６ 対向壁
１００ 金型
１０３ フィルム
Ｌ レーザ

Claims (5)

1. 表裏の関係にある両板面（１１、１２）および当該両板面を連結する側面（１３〜１６）を有する板状をなす半導体チップ（１０）と、
   前記半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、
   前記半導体チップの残部である第２の部位（２）は前記樹脂より露出しており、
   前記樹脂の一部が、前記第２の部位における前記半導体チップの側面（１４〜１６）に隙間（２２）を有して対向するように前記第１の部位側から前記第２の部位側に延長された対向壁（２４〜２６）として構成されている半導体装置の製造方法であって、
   前記半導体チップを用意する用意工程と、
   前記樹脂の成形用の金型（１００）を用い、前記第２の部位のうち前記半導体チップの両板面に前記金型を介して樹脂材料よりなるフィルム（１０３）を密着させた状態で、前記金型に前記樹脂を充填することにより、
   前記第２の部位における前記半導体チップの両板面は前記樹脂より露出させつつ、前記第２の部位における前記半導体チップの側面と前記第１の部位とを前記樹脂で封止する樹脂封止工程と、
   前記第２の部位における前記半導体チップの側面に位置する前記樹脂に対してレーザ（Ｌ）を照射して、当該側面と当該樹脂との間に前記隙間を形成するように、当該樹脂の一部を除去することにより、当該樹脂の残部を前記対向壁として形成する樹脂除去工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記樹脂除去工程では、前記第２の部位における前記半導体チップの側面と前記樹脂との境界部分に前記レーザを照射することにより、当該側面が前記隙間にて露出するように、前記樹脂の除去を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記樹脂除去工程では、前記第２の部位における前記半導体チップの側面と前記樹脂との境界部分に前記レーザが照射されないように、当該境界部分よりも外側に前記レーザを照射して前記隙間を形成することにより、当該側面を被覆する前記樹脂を残し、
   当該残された樹脂（２０ａ）と前記対向壁とが前記隙間を介して対向する構成を形成するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記用意工程では、前記半導体チップとして、前記第２の部位における前記半導体チップの側面に残された前記樹脂による応力を緩和するための溝（１７）が当該チップの周辺部に形成されたものを、用意することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記樹脂除去工程では、前記レーザとして、前記半導体チップを透過するとともに、前記樹脂よりも前記半導体チップの方が当該レーザの吸収率が小さくなる波長のものを照射することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。

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