JP2007281233A - 半導体センサ装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】保護キャップ2における凹部2aの周囲2bとなる位置をテーパ状とする。これにより、保護キャップ2に対して力が加えられ、その力によって接着剤3が押し出されるときに、テーパ状とされた周囲2bの傾斜により、接着剤3が凹部2aの内側ではなく外側に向かって押し出される。したがって、接着剤3が凹部2aの外側に押し出されることによってセンサ構造体1aに浸入することが防止でき、センサ構造体1aがスティッキングしてしまうことを防ぐことが可能となる。
【選択図】図2
Description
図1に、本発明の第1実施形態にかかる半導体加速度センサの断面構成を示す。この半導体加速度センサは、センサチップ1が樹脂モールドされた構造になっている。
保護キャップ2を構成するためのポリイミド基材20を用意する。このとき、後工程でのダイシングカットを容易にするため、例えば、ポリイミド基材20として厚みが50〜150μmのものを用意すると好ましい。
ポリイミド基材20に対してマスク材21を配置する。そして、ポリイミド基材20のうち保護キャップ2における凹部2aとなる部分以外の領域において、マスク材21を開口させたのち、マスク材21で覆った状態でポリイミド基材20に対して等方性のウェットエッチングを行う。これにより、ポリイミド基材20のうちマスク材21が開口している部分に凹部20aが形成される。このとき、等方性のウェットエッチングを行っているため、凹部20aのうちマスク材21の開口端部に位置する部分、つまり保護キャップ2における凹部2aの周囲2bに相当する位置がテーパ状となる。
続いて、マスク材21を除去した後、新たに図示しないマスク材を配置する。そして、ポリイミド基材20のうち保護キャップ2における凹部2aとなる部分において、マスク材を開口させたのち、マスク材21で覆った状態でポリイミド基材20に対して異方性のエッチングを行う。これにより、ポリイミド基材20に対して凹部20bが形成される。これは、後述する図3(e)の工程においてセンサチップ1を構成する半導体ウェハ10に対して保護キャップ2を構成するポリイミド基材20を貼り合わせたときに、センサ構造体1aがポリイミド基材20と接触しないようにするためである。
次に、センサ構造体1aおよびアルミ(Al)のパッド1bが形成された半導体ウェハ10を用意する。センサ構造体1aおよびパッド1bの形成方法に関しては、周知であるため、ここでは省略する。
ポリイミド基材20の表面のうち凹部20b以外の部分に接着剤3を塗布したのち、センサチップ1を構成する半導体ウェハ10に接着剤3を介してポリイミド基材20を接合する。
コンタクトホール20cによって露出されたパッド1bなどを基準にして、半導体ウェハ10に形成されたスクライブパターンに沿ってダイシングカットを行う。図7に、ダイシングブレード8を用いてダイシングカットを行っている状態を示す。このようなダイシングカットにより、切断部9においてポリイミド基材20および半導体ウェハ10がチップ単位に分割され、保護キャップ2およびセンサチップ1が構成される。
図8は、本発明の第2実施形態にかかる加速度センサにおけるセンサチップ1と保護キャップ2との接続箇所の部分拡大図である。本実施形態の加速度センサの基本構造は、第1実施形態と同様であり、保護キャップ2の構造のみが異なっているため、その異なった部分についてのみ説明する。
図9は、本発明の第3実施形態にかかる加速度センサにおけるセンサチップ1と保護キャップ2との接続箇所の部分拡大図である。本実施形態の加速度センサの基本構造は、第1実施形態と同様であり、保護キャップ2の構造のみが異なっているため、その異なった部分についてのみ説明する。
上記第1実施形態では、保護キャップ2に形成された凹部2aの周囲2bの全体をテーパ状としている。また、第2実施形態では、保護キャップ2に形成された凹部2aの周囲2bの全体を円弧形状としている。しかしながら、これらは単なる一例であり、必ずしも2aの周囲全体をテーパ状もしくは円弧形状にする必要はない。
Claims (8)
- 半導体にて構成されたセンサ構造体(1a)を有するセンサチップ(1)と、
前記センサ構造体(1a)と対応する位置に凹部(2a)が形成され、該凹部(2a)の周囲(2b)に接着剤(3)を塗布することで、該接着剤(3)を介して、前記センサチップ(1)に対して固定されるように構成された、前記センサ構造体(1a)を覆うための保護キャップ(2)と、を備え、
前記保護キャップ(2)における前記凹部(2a)の周囲(2b)は、前記凹部(2a)の内枠面(2c)の先端位置の方が外枠面(2d)よりも突き出し、前記内枠面(2c)の前記先端位置が前記センサチップ(1)に隣接ように構成されていることを特徴とする半導体センサ装置。 - 前記保護キャップ(2)における前記凹部(2a)の前記周囲(2b)は、テーパ状とされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体センサ装置。
- 前記保護キャップ(2)における前記凹部(2a)の前記周囲(2b)は、全体がテーパ状とされていることを特徴とする請求項2に記載の半導体センサ装置。
- 前記保護キャップ(2)における前記凹部(2a)の前記周囲(2b)は、円弧形状とされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体センサ装置。
- 前記保護キャップ(2)における前記凹部(2a)の前記周囲(2b)は、前記凹部(2a)の前記内枠面(2c)の先端位置と前記外枠面(2d)の先端位置とを結ぶように円弧形状とされていることを特徴とする請求項4に記載の半導体センサ装置。
- 前記保護キャップ(2)における前記凹部(2a)の前記周囲(2b)は、段付き形状とされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体センサ装置。
- 半導体にて構成されたセンサ構造体(1a)を有するセンサチップ(1)と、
前記センサ構造体(1a)と対応する位置に凹部(2a)が形成され、該凹部(2a)の周囲(2b)に接着剤(3)を塗布することで、該接着剤(3)を介して、前記センサチップ(1)に対して固定されるように構成された、前記センサ構造体(1a)を覆うための保護キャップ(2)と、を備えてなる半導体センサ装置の製造方法であって、
保護用基材(20)を用意し、該保護用基材(20)のうち前記凹部(2a)の形成予定位置をマスク材(21)で覆った状態で等方性エッチングを行うことにより、前記凹部(2a)の周囲(2b)をテーパ状もしくは円弧状とする工程と、
前記マスク材(21)を除去したのち、前記保護用基材(20)のうち前記凹部(2a)の形成予定位置が開口するマスク材で覆った状態でエッチングを行うことにより、前記凹部(2a)を形成する工程と、
前記センサ構造体(1a)が形成された半導体ウェハ(10)を用意する工程と、
前記保護用基材(20)のうち前記凹部(2a)の前記周囲(2b)に対して接着剤(3)を塗布する工程と、
前記センサ構造体(1a)と前記凹部(2a)が一致するように、前記接着剤(3)を介して前記保護用基材(20)を前記半導体ウェハ(10)に対して固定する工程と、
前記半導体ウェハ(10)および前記保護用基材(20)をチップ単位に分割することにより、前記センサチップ(1)および前記保護キャップ(2)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする半導体センサ装置の製造方法。 - 半導体にて構成されたセンサ構造体(1a)を有するセンサチップ(1)と、
前記センサ構造体(1a)と対応する位置に凹部(2a)が形成され、該凹部(2a)の周囲(2b)に接着剤(3)を塗布することで、該接着剤(3)を介して、前記センサチップ(1)に対して固定されるように構成された、前記センサ構造体(1a)を覆うための保護キャップ(2)と、を備えてなる半導体センサ装置の製造方法であって、
保護用基材(20)を用意し、該保護用基材(20)のうち前記凹部(2a)の形成予定位置から一定幅分空けた領域を除去することにより、前記凹部(2a)の周囲(2b)を段付き形状とする工程と、
前記マスク材(21)を除去したのち、前記保護用基材(20)のうち前記凹部(2a)の形成予定位置が開口するマスク材で覆った状態でエッチングを行うことにより、前記凹部(2a)を形成する工程と、
前記センサ構造体(1a)が形成された半導体ウェハ(10)を用意する工程と、
前記保護用基材(20)のうち前記凹部(2a)の前記周囲(2b)に対して接着剤(3)を塗布する工程と、
前記センサ構造体(1a)と前記凹部(2a)が一致するように、前記接着剤(3)を介して前記保護用基材(20)を前記半導体ウェハ(10)に対して固定する工程と、
前記半導体ウェハ(10)および前記保護用基材(20)をチップ単位に分割することにより、前記センサチップ(1)および前記保護キャップ(2)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする半導体センサ装置の製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012128210A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | 株式会社大真空 | 電子部品パッケージ、電子部品、及び電子部品パッケージの製造方法 |
JP2012195617A (ja) * | 2012-07-12 | 2012-10-11 | Sharp Corp | 電子素子および電子情報機器 |
JP2013064698A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-04-11 | Denso Corp | 力学量センサの製造方法 |
JP2014086644A (ja) * | 2012-10-25 | 2014-05-12 | Kyocera Corp | 電子部品を内蔵する筐体の防水構造 |
JP2014150333A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Kyocera Corp | 圧電部品 |
JP2014225837A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 水晶デバイス |
CN111033736A (zh) * | 2017-09-05 | 2020-04-17 | 三菱电机株式会社 | 功率模块及其制造方法及电力变换装置 |
JP7492879B2 (ja) | 2020-07-30 | 2024-05-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0216758A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-19 | Nec Corp | 半導体装置用キャップ |
JPH03114247A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Nec Yamagata Ltd | パッケージ型半導体装置 |
JPH0714934A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-17 | Toshiba Lighting & Technol Corp | キャップ封止型電子部品およびその製造方法 |
JP2000031349A (ja) * | 1998-03-17 | 2000-01-28 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2006
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0216758A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-19 | Nec Corp | 半導体装置用キャップ |
JPH03114247A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Nec Yamagata Ltd | パッケージ型半導体装置 |
JPH0714934A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-17 | Toshiba Lighting & Technol Corp | キャップ封止型電子部品およびその製造方法 |
JP2000031349A (ja) * | 1998-03-17 | 2000-01-28 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012128210A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | 株式会社大真空 | 電子部品パッケージ、電子部品、及び電子部品パッケージの製造方法 |
CN103392229A (zh) * | 2011-03-18 | 2013-11-13 | 株式会社大真空 | 电子器件封装体、电子器件、及电子器件封装体的制造方法 |
US8975517B2 (en) | 2011-03-18 | 2015-03-10 | Daishinku Corporation | Electronic component package, electronic component, and electronic component package manufacturing method |
JP2013064698A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-04-11 | Denso Corp | 力学量センサの製造方法 |
JP2012195617A (ja) * | 2012-07-12 | 2012-10-11 | Sharp Corp | 電子素子および電子情報機器 |
JP2014086644A (ja) * | 2012-10-25 | 2014-05-12 | Kyocera Corp | 電子部品を内蔵する筐体の防水構造 |
JP2014150333A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Kyocera Corp | 圧電部品 |
JP2014225837A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 水晶デバイス |
CN111033736A (zh) * | 2017-09-05 | 2020-04-17 | 三菱电机株式会社 | 功率模块及其制造方法及电力变换装置 |
JP7492879B2 (ja) | 2020-07-30 | 2024-05-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
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