JP6256955B2 - タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法 - Google Patents
タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6256955B2 JP6256955B2 JP2016001506A JP2016001506A JP6256955B2 JP 6256955 B2 JP6256955 B2 JP 6256955B2 JP 2016001506 A JP2016001506 A JP 2016001506A JP 2016001506 A JP2016001506 A JP 2016001506A JP 6256955 B2 JP6256955 B2 JP 6256955B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- lithium tantalate
- crystal substrate
- tantalate single
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
実施例1では、先ず、チョクラルスキー法によりタンタル酸リチウム単結晶を成長させ、得られたインゴットにポーリング処理を施して単分域化した後、これをスライスして複数枚の基板(原料基板)を得た。また、通常のタンタル酸リチウム単結晶基板を1050℃の水素ガスに曝し、多分域化した基板も準備した。
実施例2では、先ず、チョクラルスキー法により重量比率で鉄元素が100ppm含有されるようにタンタル酸リチウム単結晶を成長させ、得られたインゴットにポーリング処理を施した後、これをスライスして複数枚の基板を得た。
実施例3では、先ず、チョクラルスキー法により重量比率で鉄元素が100ppm含有されるようにタンタル酸リチウム単結晶を成長させ、得られたインゴットにポーリング処理を施して単分域化した後、これをスライスして複数枚の基板(原料基板)を得た。また、通常のタンタル酸リチウム単結晶基板を1050℃の水素ガスに曝し、多分域化した基板も準備した。
比較例1では、先ず、チョクラルスキー法によりタンタル酸リチウム単結晶を成長させ、得られたインゴットにポーリング処理を施して単分域化した後、これをスライスして複数枚の基板(原料基板)を得た。
比較例2では、先ず、チョクラルスキー法によりタンタル酸リチウム単結晶を成長させ、得られたインゴットにポーリング処理を施した後、これをスライスして複数枚の基板を得た。
比較例3では、先ず、チョクラルスキー法により重量比率で鉄元素が100ppm含有されるようにタンタル酸リチウム単結晶を成長させ、得られたインゴットにポーリング処理を施した後、スライスして複数枚の基板を得た。
比較例4では、先ず、チョクラルスキー法により重量比率で鉄元素が100ppm含有されるようにタンタル酸リチウム単結晶を成長させ、得られたインゴットにポーリング処理を施した後、スライスして複数枚の基板を得た。また、通常のタンタル酸リチウム単結晶基板を1050℃の水素ガスに曝し、多分域化した基板も準備した。
Claims (7)
- 体積抵抗率が1×1010Ω・cm以上、1×1012Ω・cm未満であるタンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法であって、体積抵抗率が1×1012Ω・cm以上で、かつ単分域構造のタンタル酸リチウム単結晶基板を、常圧下、水素雰囲気中において、400℃以上、キュリー温度以下の温度で熱処理する第一の工程と、該第一の工程で処理されたタンタル酸リチウム単結晶基板を、炭酸リチウムと共に、常圧下、水素又は窒素雰囲気中において、400℃以上、キュリー温度以下であって、炭酸リチウムが部分的に分解して一酸化炭素を生成する675℃(948K)以下の温度で熱処理する第二の工程と、を含むことを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法。
- 前記第一の工程では、前記体積抵抗率が1×1012Ω・cm以上で、かつ単分域構造のタンタル酸リチウム単結晶基板を、還元性ガス雰囲気中でキュリー温度以上の温度で熱処理された多分域構造のタンタル酸リチウム単結晶基板に接触させて前記熱処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のタンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法。
- 前記第二の工程では、窒素雰囲気中において前記熱処理を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載のタンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法。
- 前記第二の工程では、前記第一の工程で処理されたタンタル酸リチウム単結晶基板を、炭酸リチウム粉末中に埋め込むことを特徴とする請求項1から3の何れかに記載のタンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法。
- 前記タンタル酸リチウム単結晶基板は、添加元素として鉄を含むことを特徴とする請求項1から4の何れかに記載のタンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法。
- 前記鉄の含有量は、50ppm〜200ppmであることを特徴とする請求項5に記載のタンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法。
- 前記体積抵抗率が1×1010Ω・cm以上、1×1012Ω・cm未満であるタンタル酸リチウム単結晶基板は、波長365nmにおける光透過率が30%以下で、波長485nmにおける光透過率が50%以上であることを特徴とする請求項5又は6に記載のタンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016001506A JP6256955B2 (ja) | 2016-01-07 | 2016-01-07 | タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法 |
CN201710003835.6A CN106948005B (zh) | 2016-01-07 | 2017-01-04 | 钽酸锂单晶基板的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016001506A JP6256955B2 (ja) | 2016-01-07 | 2016-01-07 | タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017122024A JP2017122024A (ja) | 2017-07-13 |
JP6256955B2 true JP6256955B2 (ja) | 2018-01-10 |
Family
ID=59306488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016001506A Active JP6256955B2 (ja) | 2016-01-07 | 2016-01-07 | タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6256955B2 (ja) |
CN (1) | CN106948005B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6238478B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2017-11-29 | 信越化学工業株式会社 | タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法 |
JP7131378B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2022-09-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 単結晶ウエハの製造方法 |
CN114836836B (zh) * | 2022-06-23 | 2023-07-14 | 济南大学 | 一种铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2862742B2 (ja) * | 1993-01-14 | 1999-03-03 | 日本碍子株式会社 | 酸化物単結晶の製造方法 |
JPH1135393A (ja) * | 1997-05-19 | 1999-02-09 | Hitachi Metals Ltd | ストイキオメトリ組成タンタル酸リチウム単結晶、その製造方法及び光素子 |
EP1600531B1 (en) * | 2003-03-06 | 2015-04-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Process for producing lithium tantalate crystal |
JP2005119907A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
JP4301564B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2009-07-22 | 株式会社山寿セラミックス | 圧電性酸化物単結晶の帯電抑制処理方法、および帯電抑制処理装置 |
JP4924818B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2012-04-25 | 住友金属鉱山株式会社 | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
JP5133279B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2013-01-30 | 信越化学工業株式会社 | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 |
CN101608342B (zh) * | 2009-07-27 | 2012-04-25 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种处理铌酸锂或钽酸锂晶片的方法 |
JP6327089B2 (ja) * | 2014-09-29 | 2018-05-23 | 住友金属鉱山株式会社 | 充填装置 |
-
2016
- 2016-01-07 JP JP2016001506A patent/JP6256955B2/ja active Active
-
2017
- 2017-01-04 CN CN201710003835.6A patent/CN106948005B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106948005B (zh) | 2022-02-25 |
CN106948005A (zh) | 2017-07-14 |
JP2017122024A (ja) | 2017-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3938147B2 (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
JP6324297B2 (ja) | 圧電性酸化物単結晶基板及びその作製方法 | |
JP6256955B2 (ja) | タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法 | |
JP4220997B2 (ja) | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 | |
JP2011135245A (ja) | 弾性波デバイスとこれを用いた電子機器、及び弾性波デバイスの製造方法 | |
JP6238478B2 (ja) | タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法 | |
JP2005119908A (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
JP2019156655A (ja) | タンタル酸リチウム基板の製造方法 | |
JP4995847B2 (ja) | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 | |
JP4937178B2 (ja) | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 | |
JP6174061B2 (ja) | 圧電性酸化物単結晶基板の製造方法 | |
JP6598378B2 (ja) | タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法 | |
JP2005119907A (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
JP6296507B2 (ja) | リチウム化合物からなる圧電性酸化物単結晶基板の製造方法 | |
JP4924818B2 (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
JP4596149B2 (ja) | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 | |
JP6493151B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法 | |
JP2004328712A (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
KR102684492B1 (ko) | 탄탈산리튬 단결정 후처리 방법 및 이를 이용한 탄탈산리튬 단결정 기판 제조방법 | |
JP6721948B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶基板とその製造方法 | |
JP2006321683A (ja) | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 | |
JP6001261B2 (ja) | 圧電基板の製造方法 | |
JP2007176715A (ja) | タンタル酸リチウム基板の製造方法 | |
EP3312315A1 (en) | Lithium niobate single crystal substrate and method for producing same | |
JP2006314123A (ja) | 厚みすべり振動子用水晶板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170816 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20170816 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170901 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170926 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6256955 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |