JP5998844B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Trench Isolation)絶縁膜を用いることができる。STI絶縁膜は、半導体基板10の素子分離領域に溝を形成する。溝の中に酸化シリコン等の絶縁膜を埋め込むことにより形成できる。素子分離絶縁膜11は、LOCOS(Local
Oxidation of Silicon)法を用い形成した絶縁膜でもよい。
Mechanical Polishing)法を用い平坦化する。これにより、半導体基板10の上面から層間絶縁膜12bの上面までの高さは約700nmとなる。
Thermal Anneal)法を用い、酸素雰囲気、基板温度が642℃および熱処理時間が60秒の条件で熱処理する。これにより、この後成膜する下部電極14のPtの配向性が向上する。
Organic Chemical vapor Deposition)法を用いて形成してもよい。MOCVD法を用い強誘電体膜16を形成する場合は、結晶化のための熱処理は行なわなくてもよい。
Organic Chemical vapor Deposition)法を用いて形成してもよい。MOCVD法を用い強誘電体膜22を形成する場合は、結晶化のための熱処理は行なわなくてもよい。
(付記1)半導体基板の上方に形成された第1下部電極および第2下部電極と、前記第1下部電極および前記第2下部電極上に形成された第1強誘電体膜と、前記第1下部電極上に第1開口を備え前記第2下部電極上に第2開口を備えるように前記第1強誘電体膜上に形成されたストッパ層と、前記第1開口内の前記第1強誘電体膜上に形成された第1上部電極と、前記第2開口内の前記第1強誘電体膜上に形成され、前記第1開口内に形成されていない第2強誘電体膜と、前記第2強誘電体膜上に形成された第2上部電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。
(付記2)前記第1上部電極は、前記第1強誘電体膜上に形成された第3強誘電体膜を含むことを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記3)前記第1下部電極、前記第1強誘電体膜および前記第1上部電極を含む第1キャパシタを具備することを特徴とする付記1または2記載の半導体装置。
(付記4)前記第2下部電極、前記第1強誘電体膜、前記第2強誘電体膜および前記第2上部電極を含む第2キャパシタを具備することを特徴とする付記1から3のいずれか一項記載の半導体装置。
(付記5)前記第1上部電極の端部は、前記ストッパ層上に位置することを特徴とする付記1から4のいずれか一項記載の半導体装置。
(付記6)前記第2強誘電体膜の端部は、前記ストッパ層上に位置することを特徴とする付記1から5のいずれか一項記載の半導体装置。
(付記7)前記第1強誘電体膜および前記第2強誘電体膜は、PZTを含むことを特徴とする付記1から6のいずれか一項記載の半導体装置。
(付記8)半導体基板の上方に下部電極を形成し、前記下部電極上に第1強誘電体膜を形成し、前記第1強誘電体膜上にストッパ層を形成し、前記ストッパ層に第1開口を形成し、前記ストッパ層上に導電膜を形成し、前記導電膜が前記第1開口内に残存するように前記導電膜を前記ストッパ層まで選択的に除去することにより第1上部電極を形成し、前記ストッパ層に第2開口を形成し、前記第1強誘電体膜上に第2強誘電体膜を形成し、前記第2強誘電体膜が前記第2開口内に残存するように、前記第2誘電体膜を前記ストッパ層まで選択的に除去し、前記第2強誘電体膜上に第2上部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記9)前記第2強誘電体膜が前記第1上部電極を覆うように形成し、前記第2強誘電体膜を前記ストッパ層まで選択的に除去する際に、前記第1上部電極を覆う前記第2強誘電体膜を除去することを特徴とする付記8記載の半導体装置の製造方法。
(付記10)前記下部電極、前記第1強誘電体膜および前記第1上部電極をから第1キャパシタが形成されることを特徴とする付記8または9記載の半導体装置の製造方法。
(付記11)前記下部電極、前記第1強誘電体膜、前記第2強誘電体膜および前記第2上部電極から第2キャパシタが形成されることを特徴とする付記8から10のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
14 下部電極
16、20a、22 強誘電体膜
18 ストッパ層
20、24 上部電極
32、34 開口
21、22、23 強誘電体膜
Claims (6)
- 半導体基板の上方に形成された第1下部電極および第2下部電極と、
前記第1下部電極および前記第2下部電極上に形成された第1強誘電体膜と、
前記第1下部電極上に第1開口を備え前記第2下部電極上に第2開口を備えるように前記第1強誘電体膜上に形成されたストッパ層と、
前記第1開口内の前記第1強誘電体膜上に形成された第1上部電極と、
前記第2開口内の前記第1強誘電体膜上に形成され、前記第1開口内に形成されていない第2強誘電体膜と、
前記第2強誘電体膜上に形成された第2上部電極と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1上部電極は、前記第1強誘電体膜上に形成された第3強誘電体膜を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1下部電極、前記第1強誘電体膜および前記第1上部電極を含む第1キャパシタを具備することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記第2下部電極、前記第1強誘電体膜、前記第2強誘電体膜および前記第2上部電極を含む第2キャパシタを具備することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の半導体装置。
- 半導体基板の上方に下部電極を形成し、
前記下部電極上に第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上にストッパ層を形成し、
前記ストッパ層に第1開口を形成し、
前記ストッパ層上に導電膜を形成し、前記導電膜が前記第1開口内に残存するように前記導電膜を前記ストッパ層まで選択的に除去することにより第1上部電極を形成し、
前記ストッパ層に第2開口を形成し、
前記第1強誘電体膜上に第2強誘電体膜を形成し、前記第2強誘電体膜上に第2上部電極を形成し、前記第2上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜が前記第2開口内に残存するように、前記第2強誘電体膜を前記ストッパ層まで選択的に除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2強誘電体膜が前記第1上部電極を覆うように形成し、
前記第2強誘電体膜を前記ストッパ層まで選択的に除去する際に、前記第1上部電極を覆う前記第2強誘電体膜を除去することを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
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