JP5998562B2 - 半導体装置の製造方法及び監視装置 - Google Patents
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Description
ただし、nは1以上の整数である。
ただし、nは1以上の整数である。
ただし、nは1以上の整数である。
ただし、nは1以上の整数である。
まず始めに対象信号である生産装置からの状態監視信号の定常状態である基準波形を記憶し、この基準波形を判定の基準とする。基準波形は、生産目的に応じて適宜取得してもよいが、例えば生産装置の状態が変わるとき、メンテナンスの直後に取得してもよい。
次に、監視装置8は開始信号待ちの状態から取得開始信号(図1のa)を受信する(図5のS11、図6の1参照)。取得開始信号を受信した時が状態監視信号(図1のb)を監視装置8の入力アンプ1が取得するための基準時となる。
また、本実施の形態では、ワンチップマイコンでも実現可能であり、小型、低消費電力に優れ、安価であることから、量産性に有利である。
図8(B)は、上述した方法で基準波形を取得し、監視・判定を行った結果、異常判定された一例を示す図である。取得データ値線が下限許容値線の下限から外れ、上限許容値線の上限から外れており、生産装置の状態が異常と判定される。
図9(B)は、上述した方法で基準波形を取得し、監視・判定を行った結果、異常判定された一例を示す図である。取得データ値線が上限許容値線の上限から外れており、生産装置の状態が異常と判定される。
Claims (12)
- 監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記工程は、
前記半導体製造装置のメンテナンスの直後を含む第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の状態監視基準値データを前記監視装置が取得する第1工程と、
前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第1許容値を加算してn個の上限許容値データを前記監視装置が取得する第2工程と、
前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第2許容値を減算してn個の下限許容値データを前記監視装置が取得する第3工程と、
前記n個の上限許容値データ及び前記n個の下限許容値データを用いて前記半導体製造装置の前記第1稼働時より後の第2稼動時の状態監視を前記監視装置によって行う第4工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
ただし、nは1以上の整数である。 - 請求項1において、
前記第4工程は、
前記半導体製造装置の第2稼動時における前記基準時からn個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを前記監視装置が取得し、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記上限許容値データと比較し、前記上限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第1エラーデータとしてカウントし、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記下限許容値データと比較し、前記下限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第2エラーデータとしてカウントし、前記第1及び第2エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、前記監視装置が前記半導体製造装置の状態異常として判定することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 監視装置によって半導体製造装置の状態を監視する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記工程は、
前記半導体製造装置のメンテナンスの直後を含む第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の上限許容値データ、及び前記n個の時間それぞれに対応するn個の下限許容値データを前記監視装置が取得し、
前記半導体製造装置の前記第1稼働時より後の第2稼動時における前記基準時からn個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを前記監視装置が取得し、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記上限許容値データと比較し、前記上限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第1エラーデータとしてカウントし、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記下限許容値データと比較し、前記下限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第2エラーデータとしてカウントし、前記第1及び第2エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、前記監視装置が前記半導体製造装置の状態異常として判定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
ただし、nは1以上の整数である。 - 請求項3において、
前記監視装置が前記n個の上限許容値データ及び前記n個の下限許容値データを取得することは、
前記半導体製造装置の第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の状態監視基準値データを前記監視装置が取得する第1工程と、
前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第1許容値を加算してn個の上限許容値データを前記監視装置が取得する第2工程と、
前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第2許容値を減算してn個の下限許容値データを前記監視装置が取得する第3工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1、2及び4のいずれか一項において、
前記第1工程は、
前記半導体製造装置の第1稼動時における前記基準時からn個の時間それぞれに出力されたn個の状態監視信号データを前記監視装置が取得するA工程と、
前記A工程をm回繰り返すことによって前記n個の状態監視信号データそれぞれを前記監視装置がm個取得するB工程と、
前記B工程によって前記m個取得した前記n個の状態監視信号データそれぞれの平均値を演算することにより前記n個の状態監視基準値データを前記監視装置が取得するC工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
ただし、mは2以上の整数である。 - 請求項1、2、4及び5のいずれか一項において、
前記n個の時間それぞれに対応する前記第1許容値及び前記n個の時間それぞれに対応する前記第2許容値の少なくとも一方が一定値であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2乃至4のいずれか一項において、
前記状態異常として判定した後に、前記監視装置が異常判定信号を前記半導体製造装置へ出力する、または前記監視装置が異常を表示することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体製造装置の状態を監視する監視装置において、
前記半導体製造装置のメンテナンスの直後を含む第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の状態監視基準値データを取得する第1手段と、
前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第1許容値を加算してn個の上限許容値データを取得する第2手段と、
前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第2許容値を減算してn個の下限許容値データを取得する第3手段と、
前記n個の上限許容値データ及び前記n個の下限許容値データを用いて前記半導体製造装置の前記第1稼働時より後の第2稼動時の状態監視を行う第4手段と、
を具備することを特徴とする監視装置。
ただし、nは1以上の整数である。 - 請求項8において、
前記第4手段は、
前記半導体製造装置の第2稼動時における前記基準時からn個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを取得し、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記上限許容値データと比較し、前記上限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第1エラーデータとしてカウントし、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記下限許容値データと比較し、前記下限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第2エラーデータとしてカウントし、前記第1及び第2エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、前記半導体製造装置の状態異常として判定することを特徴とする監視装置。 - 半導体製造装置の状態を監視する監視装置において、
前記半導体製造装置のメンテナンスの直後を含む第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の上限許容値データ、及び前記n個の時間それぞれに対応するn個の下限許容値データを取得する手段と、
前記半導体製造装置の前記第1稼働時より後の第2稼動時における前記基準時からn個の時間それぞれに出力された状態監視信号データを取得し、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記上限許容値データと比較し、前記上限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第1エラーデータとしてカウントし、前記状態監視信号データを取得した順に前記n個の時間それぞれに対応する前記下限許容値データと比較し、前記下限許容値データの許容範囲外である前記状態監視信号データを第2エラーデータとしてカウントし、前記第1及び第2エラーデータの合計数が一定数を超えた時に、前記半導体製造装置の状態異常として判定する手段と、
を具備することを特徴とする監視装置。
ただし、nは1以上の整数である。 - 請求項10において、
前記n個の上限許容値データ及び前記n個の下限許容値データを取得する手段は、
前記半導体製造装置の第1稼動時における基準時からn個の時間それぞれに対応するn個の状態監視基準値データを取得する第1手段と、
前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第1許容値を加算してn個の上限許容値データを取得する第2手段と、
前記n個の状態監視基準値データそれぞれに、前記n個の時間それぞれに対応する第2許容値を減算してn個の下限許容値データを取得する第3手段を具備することを特徴とする監視装置。 - 請求項8、9及び11のいずれか一項において、
前記第1手段は、
前記半導体製造装置の第1稼動時における前記基準時からn個の時間それぞれに出力されたn個の状態監視信号データを取得するA手段と、
前記A手段をm回繰り返すことによって前記n個の状態監視信号データそれぞれをm個取得するB手段と、
前記B手段によって前記m個取得した前記n個の状態監視信号データそれぞれの平均値を演算することにより前記n個の状態監視基準値データを取得するC手段を有することを特徴とする監視装置。
ただし、mは2以上の整数である。
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