JP5981841B2 - 磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法 - Google Patents
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Description
アルミニウム基板に形成したSiO2膜の膜厚が薄いと、硬度が高くても耐疵付性が不十分であり、磁気記録媒体に欠陥が生じ易くなる。一方、所定の成膜時の基板温度域で膜厚6.0μm以上のSiO2膜を形成すると磁気記録媒体表面が製造時や使用時に衝撃を受けても、疵や窪みなどの物理的欠陥を抑制できる程度の十分な耐疵付性を付与できる。したがってSiO2膜の膜厚は6.0μm以上とする必要があり、好ましくは9.0μm以上、より好ましくは10.0μm以上である。一方、耐疵付性の観点から膜厚の上限は特に限定されないが、SiO2膜の膜厚が厚くなりすぎると後記するように熱膨張に起因する引張応力に対する耐力が低下するため、好ましくは15.0μm以下である。
アルミニウム基板の温度が150℃よりも低い温度でSiO2膜を成膜した場合、基板の加熱温度が300℃に達する前にSiO2膜に亀裂等が生じる場合があるため、NiPめっきの耐熱温度である300℃を超える耐熱性を付与することができない。一方、成膜時のアルミニウム基板の温度が370℃を超えるとアルミニウム基板自体の強度(引張強度)や0.2%耐力が低下してしまうため、磁気記録媒体に要求される基板特性が不良となる。特に基板温度が370℃を超えるとアルミニウム基板の強度は室温下の強度の1/4以下まで低下してしまい、成膜中や成膜後の冷却過程でアルミニウム基板が変形したり、基板表面に凹凸が発生したりする。その結果、室温まで冷却してもSiO2膜に十分な圧縮力を作用させられなくなる場合がある。そのため、再度加熱すると成膜温度よりも低い温度からSiO2膜に引張力が発生してしまい、所望の高温耐熱性が得られないことがある。
SiO2膜の硬度は特に限定されないが、物理的衝撃などに対するアルミニウム基板の耐久性を向上させる観点からは硬度は高い方が望ましい。また耐疵付性を向上させるには十分な硬度を確保した上で膜厚を厚くすることが望ましい。SiO2膜の硬度は、好ましくは4.0GPa以上、より好ましくは7.0GPa以上である。
更に本発明のSiO2膜は気相成膜法で成膜されたものである。気相成膜法は膜厚を制御し易く、また均一で緻密な成膜が容易であるため望ましい。気相成膜法とは、スパッタ法、蒸着法などの物理的気相法(PVD)やプラズマCVDなどの化学的気相法(CVD)である。これらの中でも6μm以上の所望の膜厚の成膜が容易であることから化学的気相法が好ましい。更に化学的気相法としては、特にプラズマCVD法がより好ましい。プラズマCVD法は成膜速度の制御がし易いため、所望とする膜厚のSiO2膜の成膜方法として好適であり、しかも均一で緻密な成膜が容易であるため、SiO2膜の表面平滑性を所定の範囲に調整しやすいため望ましい。
本発明では、150℃〜370℃に加熱したアルミニウム基板に対して、気相成膜法により6.0μm以上のSiO2膜を成膜すればよい。
上記成膜後のSiO2膜は、その表面粗度が、例えば、JIS B0601(2001年)で規定される中心線平均粗さRaで好ましくは0.5nm以下、より好ましくは0.3nm以下であることが好ましい。
本発明のSiO2膜が成膜されたアルミニウム基板は、磁気記録媒体として好適に用いることができる。特に耐熱性を向上させた本発明のSiO2膜が成膜されたアルミニウム基板は、磁性膜形成時の基板温度の制約緩和に寄与するものである。本発明のSiO2膜が成膜されたアルミニウム基板を用いて磁気記録媒体を製造するにあたっては、該アルミニウム基板のSiO2膜表面に、公知の条件で磁気記録膜などを形成し、必要に応じて、更に保護膜や潤滑膜を形成して、磁気記録媒体を製造することができる。
実験1では、SiO2膜の成膜温度とSiO2膜の特性との関係を調べた。
キャリアガス:モノシランと窒素の混合気体と亜酸化窒素
ガス比:SiH4/N2=1/9 流量:80sccm、N2O 流量:56sccm
圧力:133Pa
RFパワー:150W
得られた各試験材の表面性状を室温下で調べた。各試験材のSiO2膜に亀裂や基板との剥離が生じていないか目視で確認した。その結果、亀裂や剥離が生じている試験材はなく、全ての試験材の表面性状は良好であった。
各試験材のSiO2膜の膜厚はnanometrics社製nanospec/AFTmodel5100を用いて測定した。
各試験材のSiO2膜の硬度をナノインデンテーション法によって測定した。具体的にはナノインデンター(Agilent Technology社製Nano Indenter XP/DCM)を用いて測定した。測定は、励起振動数:45Hz、励起振動振幅:2nm、歪速度:0.05/秒、押込み深さ:2000nmで行った。
耐熱性を評価するため、予め熱電対を取り付けた基板を用いて、加熱炉の設定温度と基板温度との相関を調べ、それに従って加熱炉の温度を設定した。表1に示す耐熱評価温度(加熱時の基板温度)に対応する温度に加熱した加熱炉内に試験材を挿入し、30分間、保持した後、試験材を炉外に取り出して室温(25℃)になるまで放冷した。
○:SiO2膜に亀裂や剥離が認められなかった
○注1:SiO2膜に亀裂や剥離が認められなかったが、耐熱温度が300℃未満の例
×注2:アルミニウム基板に変形が発生した
×:SiO2膜に亀裂や剥離が認められた
10g、または50gの荷重を加えたスタイラスの先端部(半径0.1mmのダイヤモンド球)を試験材表面(皮膜成膜面側)に接触させて摺動させた。摺動速度は一定速度(5mm/秒)、摺動距離は15mmとした。摺動後、試験材表面の摺動痕の深さを非接触式光学粗さ計で測定し、下記基準で評価した。
△:荷重10gではNiPめっきと同等以下であるが50gではNiPめっきよりも疵が深くなる
×:荷重10gでもNiPめっきより疵が深くなる
−:十分な耐熱性が得られなかったため(耐熱性評価「×」)、耐疵付性については評価しなかった。
実験2ではSiO2膜と耐疵付性の関係について調べた。
10g、または50gの荷重を加えたスタイラスの先端部(半径0.1mmのダイヤモンド球)を試験材表面(皮膜成膜面側)に接触させて摺動させた。摺動速度は一定速度(5mm/秒)、摺動距離は15mmとした。摺動後、試験材表面の摺動痕の深さを非接触式光学粗さ計で測定した。結果を図2に示す。
実験3では、SiO2膜研磨の有無が、アルミニウム合金基板の表面に成膜したSiO2膜の表面粗度(中心線平均粗さRa)に及ぼす影響を調べた。
Claims (2)
- アルミニウム基板を150℃〜370℃に加熱して、気相成膜法により厚さ6.0μm以上のSiO 2 膜を成膜することを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法。
- 前記気相成膜法は、プラズマCVD法である請求項1に記載のアルミニウム基板の製造方法。
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