JP5966959B2 - 半導体検査方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体検査装置を示す断面図である。図2は、本発明の実施の形態1に係る半導体検査装置のステージを拡大した平面図である。図3は、本発明の実施の形態1に係る半導体検査装置の一部を拡大した側面図である。
図4は、本発明の実施の形態2に係る半導体検査装置を示す断面図である。半導体ウェハ2の設置面の近くの側面に、内部に繋がる複数の貫通孔34が設けられている。チャックステージ3の内部において、チャックステージ3の設置面の裏面側に対向して冷却部35が設けられている。冷却部35は送風ファン又は乾燥空気吹き付けであるがこれらに限られない。なお、実施の形態1と同様にヒータ4及び温度センサ5は存在するが、ここでは図示を省略している。
Claims (7)
- 半導体ウェハ内に形成された複数の半導体装置の電気的特性を検査する検査工程と、
前記検査工程で不良と判定された前記半導体装置にインクを塗布するマーキング工程と、
前記インクを加熱して乾燥させるインク硬化工程とを備え、
前記検査工程、前記マーキング工程、及び前記インク硬化工程を同一のステージの設置面上で行い、
前記ステージ内部のヒータにより前記半導体ウェハを加熱して前記検査工程を実施し、かつ前記ヒータにより前記半導体ウェハを加熱して前記インクを乾燥させることを特徴とする半導体検査方法。 - 前記ヒータは複数のヒータを有し、前記複数のヒータを個別に制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体検査方法。
- 半導体ウェハ内に形成された複数の半導体装置の電気的特性を検査する検査工程と、
前記検査工程で不良と判定された前記半導体装置にインクを塗布するマーキング工程と、
前記インクを加熱して乾燥させるインク硬化工程とを備え、
前記検査工程、前記マーキング工程、及び前記インク硬化工程を同一のステージの設置面上で行い、
前記検査工程と前記インク硬化工程の少なくとも一方において、前記ステージ内に設けた冷却部を用いて前記ステージの設置面の温度を制御することを特徴とする半導体検査方法。 - 前記インク硬化工程において、前記半導体ウェハに接触しない非接触加熱部により前記半導体ウェハを全体的又は局所的に加熱することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体検査方法。
- 前記インク硬化工程において、前記ステージの設置面の温度を温度センサによりモニタしながら制御することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体検査方法。
- 前記検査工程の前にロード部を用いて前記半導体ウェハを前記ステージ上に載せる際に、前記ロード部に設けたヒータにより前記半導体ウェハを予備加熱する工程を更に備えることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の半導体検査方法。
- 前記インク硬化工程の後にアンロード部を用いて前記半導体ウェハを前記ステージから取り出す際に、前記アンロード部に設けたヒータにより前記半導体ウェハの急冷却を防ぐ工程を更に備えることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体検査方法。
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