JP2001013201A - Ｉｃデバイスの試験方法及び試験装置 - Google Patents
Ｉｃデバイスの試験方法及び試験装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数のＩＣデバイスに温度的負荷を与えて、
これらＩＣデバイスの電気的特性を試験する試験方法及
び試験装置において、複数のＩＣデバイス全てに対する
温度的負荷を均一なものとすることによって、試験結果
の信頼性を向上させる。 【解決手段】 本発明のテストハンドラは、多数のＩＣ
デバイス５が載置された搬送トレイ７が搬入されＩＣデ
バイス５の試験が実施されるチャンバ部１と、待機状態
にあるＩＣデバイス５を予め所定の温度に加熱又は冷却
するプリヒート部２と、ＩＣデバイス５の電気的特性を
計測する際に用いられるコンタクトプッシャ基台３及び
複数のＤＵＴ６とを備えている概略構成される。コンタ
クトプッシャ３１には、その下部に、個々のＩＣデバイ
ス５をそれぞれ加熱又は冷却するＩＣ接触型熱源１５
と、これらＩＣデバイス５それぞれの温度を計測するＩ
Ｃ個別温度センサ１６とが設けられている。
これらＩＣデバイスの電気的特性を試験する試験方法及
び試験装置において、複数のＩＣデバイス全てに対する
温度的負荷を均一なものとすることによって、試験結果
の信頼性を向上させる。 【解決手段】 本発明のテストハンドラは、多数のＩＣ
デバイス５が載置された搬送トレイ７が搬入されＩＣデ
バイス５の試験が実施されるチャンバ部１と、待機状態
にあるＩＣデバイス５を予め所定の温度に加熱又は冷却
するプリヒート部２と、ＩＣデバイス５の電気的特性を
計測する際に用いられるコンタクトプッシャ基台３及び
複数のＤＵＴ６とを備えている概略構成される。コンタ
クトプッシャ３１には、その下部に、個々のＩＣデバイ
ス５をそれぞれ加熱又は冷却するＩＣ接触型熱源１５
と、これらＩＣデバイス５それぞれの温度を計測するＩ
Ｃ個別温度センサ１６とが設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣデバイスに温
度的負荷を与えてＩＣデバイスの電気的特性を試験する
テストハンドラに関する。
度的負荷を与えてＩＣデバイスの電気的特性を試験する
テストハンドラに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣデバイスの電気的特性の試験
を行うための試験装置としては、ＩＣハンドラがある。
このＩＣデバイスの電気的特性試験は、常温状態だけで
はなく高温状態及び低温状態の下においても行われる。
図７（ａ）は、従来のテストハンドラを示す概略構成図
である。
を行うための試験装置としては、ＩＣハンドラがある。
このＩＣデバイスの電気的特性試験は、常温状態だけで
はなく高温状態及び低温状態の下においても行われる。
図７（ａ）は、従来のテストハンドラを示す概略構成図
である。
【０００３】同図に示すように、従来のテストハンドラ
は、ＩＣデバイス５の試験が実施されるチャンバ部１
と、待機状態にあるＩＣデバイス５を予め所定の温度に
加熱又は冷却するプリヒート部２と、ＩＣデバイス５の
電気的特性を計測する際に用いられる多数のコンタクト
プッシャ３１を備えたコンタクトプッシャ基台３と、複
数のＤＵＴ６とから概略構成される。
は、ＩＣデバイス５の試験が実施されるチャンバ部１
と、待機状態にあるＩＣデバイス５を予め所定の温度に
加熱又は冷却するプリヒート部２と、ＩＣデバイス５の
電気的特性を計測する際に用いられる多数のコンタクト
プッシャ３１を備えたコンタクトプッシャ基台３と、複
数のＤＵＴ６とから概略構成される。
【０００４】前記チャンバ部１内には、チャンバ部１内
の雰囲気温度を測定する温度センサ４と、クーラ９及び
ヒータ１０によって生成される温風又は冷風を噴出する
ノズル８とが設けられている。クーラ９及びヒータ１０
は、温度センサー４による検出結果に基づいて、温度制
御コントローラ１１によって制御される。
の雰囲気温度を測定する温度センサ４と、クーラ９及び
ヒータ１０によって生成される温風又は冷風を噴出する
ノズル８とが設けられている。クーラ９及びヒータ１０
は、温度センサー４による検出結果に基づいて、温度制
御コントローラ１１によって制御される。
【０００５】そして、このような従来のテストハンドラ
においては、設定した温度条件に基づいて、温度制御コ
ントローラ１１が、温度センサ４で測定したチャンバ部
１内の雰囲気温度をモニタしながら、ヒータ９、クーラ
１０の制御を行い、ノズル８から温風や冷風をチャンバ
部１内に吹き出させ、設定された温度条件が満たされよ
うに温度制御を行う。
においては、設定した温度条件に基づいて、温度制御コ
ントローラ１１が、温度センサ４で測定したチャンバ部
１内の雰囲気温度をモニタしながら、ヒータ９、クーラ
１０の制御を行い、ノズル８から温風や冷風をチャンバ
部１内に吹き出させ、設定された温度条件が満たされよ
うに温度制御を行う。
【０００６】例えば、高温電気特性試験を行う場合、温
度設定を高温８５℃と設定し、温度制御コントローラ１
１が、チャンバ部１内の雰囲気温度をセンサ４により測
定しながら、ヒータ９の制御を行い、温風をノズル８か
ら吹き出させる。このとき温度制御コントローラ１１
は、事前に設定された温度条件である設定温度に対する
温度範囲、例えば、８５℃±３℃にチャンバ部１内の雰
囲気温度が維持されるように温度制御を行う。
度設定を高温８５℃と設定し、温度制御コントローラ１
１が、チャンバ部１内の雰囲気温度をセンサ４により測
定しながら、ヒータ９の制御を行い、温風をノズル８か
ら吹き出させる。このとき温度制御コントローラ１１
は、事前に設定された温度条件である設定温度に対する
温度範囲、例えば、８５℃±３℃にチャンバ部１内の雰
囲気温度が維持されるように温度制御を行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のテストハンドラでは、温度制御をチャンバ部１
内の雰囲気温度を基準として行うものであるため、ＩＣ
デバイス５個々の温度を十分に管理・制御することがで
きず、試験対象となるＩＣデバイス５のチャンバ部１内
における位置によって温度負荷にバラツキが生じるとい
う問題があった。
た従来のテストハンドラでは、温度制御をチャンバ部１
内の雰囲気温度を基準として行うものであるため、ＩＣ
デバイス５個々の温度を十分に管理・制御することがで
きず、試験対象となるＩＣデバイス５のチャンバ部１内
における位置によって温度負荷にバラツキが生じるとい
う問題があった。
【０００８】詳述すると、図７（ｂ）に示すように、ノ
ズル８の吹出口に近い、つまり温風又は冷風が直接当た
るＩＣデバイス群Ａは、高温時には温度が高くなりす
ぎ、低温時には低くなりすぎる傾向がある。一方、ノズ
ル８の吹出口から離れた、つまり温風又は冷風が直接当
たらない後方のＩＣデバイス群Ｃは、高温時には温度が
低くなり、低温時に温度が高くなる傾向がある。
ズル８の吹出口に近い、つまり温風又は冷風が直接当た
るＩＣデバイス群Ａは、高温時には温度が高くなりす
ぎ、低温時には低くなりすぎる傾向がある。一方、ノズ
ル８の吹出口から離れた、つまり温風又は冷風が直接当
たらない後方のＩＣデバイス群Ｃは、高温時には温度が
低くなり、低温時に温度が高くなる傾向がある。
【０００９】具体的には、図８（ａ）に示すように、高
温（８５℃）設定時に、ノズル８付近のＩＣデバイス群
Ａは、８８℃となり、中央付近のＩＣデバイス群Ｂは８
５℃となり、ノズル８から離れた後方のＩＣデバイス群
Ｃは８２℃となるなど、ノズルからの距離に応じてＩＣ
デバイス個々の温度にバラツキが生じる。
温（８５℃）設定時に、ノズル８付近のＩＣデバイス群
Ａは、８８℃となり、中央付近のＩＣデバイス群Ｂは８
５℃となり、ノズル８から離れた後方のＩＣデバイス群
Ｃは８２℃となるなど、ノズルからの距離に応じてＩＣ
デバイス個々の温度にバラツキが生じる。
【００１０】さらに、ＩＣデバイスの電気的特性試験に
おいては、ＩＣデバイス５に通電するため、これによっ
てＩＣデバイス５自身が発熱する。具体的には、図８
（ｂ）に示すように、テスト時間が経過するにつれてＩ
Ｃデバイス５自身の温度が△ｔ℃だけ上昇する。
おいては、ＩＣデバイス５に通電するため、これによっ
てＩＣデバイス５自身が発熱する。具体的には、図８
（ｂ）に示すように、テスト時間が経過するにつれてＩ
Ｃデバイス５自身の温度が△ｔ℃だけ上昇する。
【００１１】ところが、従来のテストハンドラでは、チ
ャンバ部１内において、ＩＣデバイス５をテストする部
分と、温度制御をモニタする温度センサ４の位置とが離
れているため、テスト中のＩＣデバイス５自身の発熱に
ついて十分に管理することができず、高温試験にあって
はＩＣデバイス自身の発熱によって温度的負荷が過剰と
なったり、逆に、低温試験にあってはＩＣデバイス５自
身の発熱によって、温度的負荷が緩和されてしまう場合
がある。しかも、ＩＣデバイス５自身の発熱量は、ＩＣ
デバイス毎に個体差があるため、ＤＵＴ６間における温
度条件のバラツキが増大する可能性がある。
ャンバ部１内において、ＩＣデバイス５をテストする部
分と、温度制御をモニタする温度センサ４の位置とが離
れているため、テスト中のＩＣデバイス５自身の発熱に
ついて十分に管理することができず、高温試験にあって
はＩＣデバイス自身の発熱によって温度的負荷が過剰と
なったり、逆に、低温試験にあってはＩＣデバイス５自
身の発熱によって、温度的負荷が緩和されてしまう場合
がある。しかも、ＩＣデバイス５自身の発熱量は、ＩＣ
デバイス毎に個体差があるため、ＤＵＴ６間における温
度条件のバラツキが増大する可能性がある。
【００１２】従って、これらの結果、従来のテストハン
ドラでは、ＩＣデバイスの電気的特性試験の信頼性が低
下するという惧れがあった。例えば、ノズル８からの距
離やＩＣデバイス５自身の発熱等によって、温度が高く
なっているＤＵＴ６では、ＩＣデバイス５に過剰に温度
的負荷を与える状態となるため、本来良品であるＩＣデ
バイス５を過度の温度的負荷の影響により不良品と誤判
断することとなり、一方、温度が十分に高くなっていな
いＤＵＴ６では、ＩＣデバイス５に必要な温度的負荷が
緩和された状態となるため、本来不良品であるＩＣデバ
イスを良品と誤判断されてしまう惧れがある。
ドラでは、ＩＣデバイスの電気的特性試験の信頼性が低
下するという惧れがあった。例えば、ノズル８からの距
離やＩＣデバイス５自身の発熱等によって、温度が高く
なっているＤＵＴ６では、ＩＣデバイス５に過剰に温度
的負荷を与える状態となるため、本来良品であるＩＣデ
バイス５を過度の温度的負荷の影響により不良品と誤判
断することとなり、一方、温度が十分に高くなっていな
いＤＵＴ６では、ＩＣデバイス５に必要な温度的負荷が
緩和された状態となるため、本来不良品であるＩＣデバ
イスを良品と誤判断されてしまう惧れがある。
【００１３】そこで、本発明は上記事情に鑑みて成され
たものであり、複数のＩＣデバイスに温度的負荷を与え
て、これらＩＣデバイスの電気的特性を試験する試験方
法及び試験装置において、複数のＩＣデバイス全てに対
する温度的負荷を均一なものとすることによって、試験
結果の信頼性を向上させることのできるＩＣデバイスの
試験方法及び試験装置を提供することを課題とする。
たものであり、複数のＩＣデバイスに温度的負荷を与え
て、これらＩＣデバイスの電気的特性を試験する試験方
法及び試験装置において、複数のＩＣデバイス全てに対
する温度的負荷を均一なものとすることによって、試験
結果の信頼性を向上させることのできるＩＣデバイスの
試験方法及び試験装置を提供することを課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、複数のＩＣデバイスに温度的負荷を与え
て該ＩＣデバイスの電気的特性を試験するＩＣデバイス
の試験方法において、前記複数のＩＣデバイス個々の温
度を検出し、これら複数のＩＣデバイスに対する温度負
荷が全て均一となるように該ＩＣデバイス個々の温度を
制御するものである。
めに本発明は、複数のＩＣデバイスに温度的負荷を与え
て該ＩＣデバイスの電気的特性を試験するＩＣデバイス
の試験方法において、前記複数のＩＣデバイス個々の温
度を検出し、これら複数のＩＣデバイスに対する温度負
荷が全て均一となるように該ＩＣデバイス個々の温度を
制御するものである。
【００１５】また、他の発明は、複数のＩＣデバイスに
温度的負荷を与えて該ＩＣデバイスの電気的特性を試験
するＩＣデバイスの試験装置において、前記複数のＩＣ
デバイスのそれぞれに対応して設けられ、該複数のＩＣ
デバイス個々の温度を検出する複数の温度検出手段と、
前記複数のＩＣデバイスのそれぞれに対応して設けら
れ、該複数のＩＣデバイス個々の温度を制御する複数の
温度制御手段とを備えたものである。
温度的負荷を与えて該ＩＣデバイスの電気的特性を試験
するＩＣデバイスの試験装置において、前記複数のＩＣ
デバイスのそれぞれに対応して設けられ、該複数のＩＣ
デバイス個々の温度を検出する複数の温度検出手段と、
前記複数のＩＣデバイスのそれぞれに対応して設けら
れ、該複数のＩＣデバイス個々の温度を制御する複数の
温度制御手段とを備えたものである。
【００１６】上記発明によれば、複数のＩＣデバイスに
温度的負荷を与えてＩＣデバイスの電気的特性を試験す
る際に、複数のＩＣデバイスそれぞれの温度を個別に検
出し、この検出結果に応じて複数のＩＣデバイス個々の
温度を制御することができるため、ＩＣデバイスの位置
や、ＩＣデバイス自身の発熱に起因する温度的負荷のバ
ラツキが発生するのを防止することができる。この結
果、上記発明によれば、複数のＩＣデバイスについて一
括して行う電気的特性試験における温度的条件を、これ
ら複数のＩＣデバイスについて均一なものとすることが
でき、試験結果の信頼性を向上させることができる。
温度的負荷を与えてＩＣデバイスの電気的特性を試験す
る際に、複数のＩＣデバイスそれぞれの温度を個別に検
出し、この検出結果に応じて複数のＩＣデバイス個々の
温度を制御することができるため、ＩＣデバイスの位置
や、ＩＣデバイス自身の発熱に起因する温度的負荷のバ
ラツキが発生するのを防止することができる。この結
果、上記発明によれば、複数のＩＣデバイスについて一
括して行う電気的特性試験における温度的条件を、これ
ら複数のＩＣデバイスについて均一なものとすることが
でき、試験結果の信頼性を向上させることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】（テストハンドラの全体構成）以
下、この発明に係るＩＣデバイスの試験方法及び試験装
置の実施形態について説明する。図１は、本実施形態に
係るテストハンドラを示す概略構成図である。
下、この発明に係るＩＣデバイスの試験方法及び試験装
置の実施形態について説明する。図１は、本実施形態に
係るテストハンドラを示す概略構成図である。
【００１８】同図に示すように、本実施形態に係るテス
トハンドラは、多数のＩＣデバイス５が載置された搬送
トレイ７が搬入されＩＣデバイス５の試験が実施される
チャンバ部１と、待機状態にあるＩＣデバイス５を予め
所定の温度に加熱又は冷却するプリヒート部２と、ＩＣ
デバイス５の電気的特性を計測する際に用いられるコン
タクトプッシャ基台３及び複数のＤＵＴ６とを備えてい
る。
トハンドラは、多数のＩＣデバイス５が載置された搬送
トレイ７が搬入されＩＣデバイス５の試験が実施される
チャンバ部１と、待機状態にあるＩＣデバイス５を予め
所定の温度に加熱又は冷却するプリヒート部２と、ＩＣ
デバイス５の電気的特性を計測する際に用いられるコン
タクトプッシャ基台３及び複数のＤＵＴ６とを備えてい
る。
【００１９】前記チャンバ部１内には、チャンバ部１内
の雰囲気温度を測定する温度センサ４と、クーラ９及び
ヒータ１０によって生成される温風又は冷風を噴出する
ノズル８とが設けられている。かかるクーラ９及びヒー
タ１０は、チャンバ部１内の雰囲気温度を制御するもの
であり、温度センサー４による検出結果に基づき、温度
制御コントローラ１１によって制御される。
の雰囲気温度を測定する温度センサ４と、クーラ９及び
ヒータ１０によって生成される温風又は冷風を噴出する
ノズル８とが設けられている。かかるクーラ９及びヒー
タ１０は、チャンバ部１内の雰囲気温度を制御するもの
であり、温度センサー４による検出結果に基づき、温度
制御コントローラ１１によって制御される。
【００２０】前記コンタクトプッシャ基台３には、搬入
された搬送トレイ７上に配置されたＩＣデバイス５をＤ
ＵＴ６上に押しつけるためのコンタクトプッシャ３１が
多数設けられている。詳述すると、ＤＵＴ６の各上面に
は、これに載置されるＩＣデバイス５のコンタクト部が
当接されるソケット部が設けられており、ＩＣデバイス
５は、各ＤＵＴ６の上面に一致するように搬送トレイ７
上に配置されている。各コンタクトプッシャ３１は、各
ＤＵＴ６の上方に位置するようにコンタクトプッシャ基
台３の下部に取り付けられている。
された搬送トレイ７上に配置されたＩＣデバイス５をＤ
ＵＴ６上に押しつけるためのコンタクトプッシャ３１が
多数設けられている。詳述すると、ＤＵＴ６の各上面に
は、これに載置されるＩＣデバイス５のコンタクト部が
当接されるソケット部が設けられており、ＩＣデバイス
５は、各ＤＵＴ６の上面に一致するように搬送トレイ７
上に配置されている。各コンタクトプッシャ３１は、各
ＤＵＴ６の上方に位置するようにコンタクトプッシャ基
台３の下部に取り付けられている。
【００２１】そして、このコンタクトプッシャ基台３
は、試験の際、下方に下降され、下部に設けられた各コ
ンタクトプッシャ３１が、各ＤＵＴ６上面に載置された
ＩＣデバイス５のコンタクト部をＤＵＴ６のソケットに
押しつけるように構成されている。
は、試験の際、下方に下降され、下部に設けられた各コ
ンタクトプッシャ３１が、各ＤＵＴ６上面に載置された
ＩＣデバイス５のコンタクト部をＤＵＴ６のソケットに
押しつけるように構成されている。
【００２２】（コンタクトプッシャの構成）かかるコン
タクトプッシャ３１の構成について詳述する。図２は、
本実施形態に係るコンタクトプッシャ３１の構成及び機
能を示す説明図である。
タクトプッシャ３１の構成について詳述する。図２は、
本実施形態に係るコンタクトプッシャ３１の構成及び機
能を示す説明図である。
【００２３】同図に示すように、各コンタクトプッシャ
３１は、個々のＩＣデバイス５をそれぞれ加熱又は冷却
するＩＣ個別温度制御手段としてのＩＣ接触型熱源１５
と、これらＩＣデバイス５それぞれの温度を計測するＩ
Ｃ個別温度センサ１６とが設けられているとともに、そ
の下端部には、ＩＣデバイス５のコンタクト部５ａをＤ
ＵＴ６上面のソケット部６ａに押しつけるためのプッシ
ュ部３１ａが設けられている。
３１は、個々のＩＣデバイス５をそれぞれ加熱又は冷却
するＩＣ個別温度制御手段としてのＩＣ接触型熱源１５
と、これらＩＣデバイス５それぞれの温度を計測するＩ
Ｃ個別温度センサ１６とが設けられているとともに、そ
の下端部には、ＩＣデバイス５のコンタクト部５ａをＤ
ＵＴ６上面のソケット部６ａに押しつけるためのプッシ
ュ部３１ａが設けられている。
【００２４】ＩＣ接触型熱源１５は、本実施形態では、
その内部にＩＣ個別ヒータ１３と、ＩＣ個別クーラ１４
によって冷却された冷媒１７が流通される配管１８とを
備えているとともに、その下端面には、ＩＣデバイス５
に直接接触されてＩＣ個別ヒータ１３又はＩＣ個別クー
ラ１４によって発生された熱を伝達する接触面１５ａを
備えている。この接触面１５ａには、ＩＣ個別温度セン
サ１６が、ＩＣデバイス５の表面に接触可能に設けられ
ている。
その内部にＩＣ個別ヒータ１３と、ＩＣ個別クーラ１４
によって冷却された冷媒１７が流通される配管１８とを
備えているとともに、その下端面には、ＩＣデバイス５
に直接接触されてＩＣ個別ヒータ１３又はＩＣ個別クー
ラ１４によって発生された熱を伝達する接触面１５ａを
備えている。この接触面１５ａには、ＩＣ個別温度セン
サ１６が、ＩＣデバイス５の表面に接触可能に設けられ
ている。
【００２５】そして、これらＩＣ個別ヒータ１３及びＩ
Ｃ個別クーラ１４は、ＩＣ個別温度センサ１６からの測
定結果に基づいてＩＣ個別温度制御コントローラ１２に
よって制御される。
Ｃ個別クーラ１４は、ＩＣ個別温度センサ１６からの測
定結果に基づいてＩＣ個別温度制御コントローラ１２に
よって制御される。
【００２６】（テストハンドラの動作）このような構成
からなるテストハンドラの動作について、以下に述べ
る。先ず、試験対象となる複数のＩＣデバイス５は、搬
送トレイ７上に配列載置され、プレヒート部２内に格納
され、待機状態となる。この間、プレヒート部２内にお
いてＩＣデバイス５は、予め加熱若しくは冷却されて所
定温度に保たれる。
からなるテストハンドラの動作について、以下に述べ
る。先ず、試験対象となる複数のＩＣデバイス５は、搬
送トレイ７上に配列載置され、プレヒート部２内に格納
され、待機状態となる。この間、プレヒート部２内にお
いてＩＣデバイス５は、予め加熱若しくは冷却されて所
定温度に保たれる。
【００２７】そして、ＩＣデバイス５は、搬送トレイ７
に載置された状態で、チャンバ部１内に搬入され、各Ｄ
ＵＴ５に対応するように配置される。その後、各ＩＣデ
バイス５は、コンタクトプッシャ基台３が下降されるこ
とによって、各コンタクトプッシャ３１でＤＵＴ５の上
面に押しつけられる。
に載置された状態で、チャンバ部１内に搬入され、各Ｄ
ＵＴ５に対応するように配置される。その後、各ＩＣデ
バイス５は、コンタクトプッシャ基台３が下降されるこ
とによって、各コンタクトプッシャ３１でＤＵＴ５の上
面に押しつけられる。
【００２８】次いで、温度制御コントローラ１１からの
制御信号に基づいて、クーラ９若しくはヒータ１０が動
作を開始し、ノズル８を介してチャンバ部１内に冷風又
は温風が送り込まれる。このとき、温度制御コントロー
ラ１１は、温度センサ４による検出結果に基づいて、ク
ーラ９又はヒータ１０の動作を制御し、チャンバ１内の
雰囲気温度を所定の設定温度に維持する。
制御信号に基づいて、クーラ９若しくはヒータ１０が動
作を開始し、ノズル８を介してチャンバ部１内に冷風又
は温風が送り込まれる。このとき、温度制御コントロー
ラ１１は、温度センサ４による検出結果に基づいて、ク
ーラ９又はヒータ１０の動作を制御し、チャンバ１内の
雰囲気温度を所定の設定温度に維持する。
【００２９】この際、ＩＣ個別温度制御コントローラ１
２は、各ＩＣ個別温度センサ１６からの検出結果に基づ
いて、各ＩＣデバイス５のそれぞれの温度を監視し、バ
ラツキがあるようであれば各ＩＣ個別ヒータ１３又はＩ
Ｃ個別クーラ１４を動作させて全てのＩＣデバイス５に
対する温度的負荷を均一にする。
２は、各ＩＣ個別温度センサ１６からの検出結果に基づ
いて、各ＩＣデバイス５のそれぞれの温度を監視し、バ
ラツキがあるようであれば各ＩＣ個別ヒータ１３又はＩ
Ｃ個別クーラ１４を動作させて全てのＩＣデバイス５に
対する温度的負荷を均一にする。
【００３０】具体的には、低温制御時においては、ＩＣ
個別温度センサ１６の情報に基づいて、ＩＣデバイスが
目標の温度に達するまで、ＩＣ個別クーラを制御するこ
とによって、ＩＣ接触型熱源１５内の配管１８に放出さ
れる冷却媒体１７の量を調節し、接触面１５ａを介して
ＩＣデバイス５個々に対し冷却を行う。
個別温度センサ１６の情報に基づいて、ＩＣデバイスが
目標の温度に達するまで、ＩＣ個別クーラを制御するこ
とによって、ＩＣ接触型熱源１５内の配管１８に放出さ
れる冷却媒体１７の量を調節し、接触面１５ａを介して
ＩＣデバイス５個々に対し冷却を行う。
【００３１】一方、高温制御時は、ＩＣ個別温度センサ
１６の情報に基づいて、ＩＣデバイス５が目標の温度に
達するまで、ＩＣ個別ヒータ１３を制御して、ＩＣ接触
型熱源１５の温度を調節し、接触面１５ａを介してＩＣ
デバイス５個々に対し加熱を行う。
１６の情報に基づいて、ＩＣデバイス５が目標の温度に
達するまで、ＩＣ個別ヒータ１３を制御して、ＩＣ接触
型熱源１５の温度を調節し、接触面１５ａを介してＩＣ
デバイス５個々に対し加熱を行う。
【００３２】そして、チャンバ部１内の雰囲気温度が所
定値に達し、且つ全てのＩＣデバイス５の温度が均一に
なった時点でＤＵＴ６からＩＣデバイス５に対し通電を
開始し、ＩＣデバイス５の電気的特性の試験を開始す
る。なお、試験中においても、チャンバ部１内の雰囲気
温度、及びＩＣデバイス５個々の温度を監視し、チャン
バ部１内の雰囲気温度、及び各ＩＣデバイス５に対する
温度負荷を管理する。
定値に達し、且つ全てのＩＣデバイス５の温度が均一に
なった時点でＤＵＴ６からＩＣデバイス５に対し通電を
開始し、ＩＣデバイス５の電気的特性の試験を開始す
る。なお、試験中においても、チャンバ部１内の雰囲気
温度、及びＩＣデバイス５個々の温度を監視し、チャン
バ部１内の雰囲気温度、及び各ＩＣデバイス５に対する
温度負荷を管理する。
【００３３】（温度制御）次いで、上述したＩＣデバイ
ス５の温度制御について詳述する。図３は、ノズルから
の距離と各ＩＣデバイス５の温度の分布との関係を示す
ものである。同図において、実線はＩＣ接触型熱源１５
の温度制御曲線を示し、■は個別制御前のＩＣデバイス
５の温度を示し、◆は制御後のＩＣデバイス５の温度を
示すものである。
ス５の温度制御について詳述する。図３は、ノズルから
の距離と各ＩＣデバイス５の温度の分布との関係を示す
ものである。同図において、実線はＩＣ接触型熱源１５
の温度制御曲線を示し、■は個別制御前のＩＣデバイス
５の温度を示し、◆は制御後のＩＣデバイス５の温度を
示すものである。
【００３４】同図に示すように、高温試験の場合に目標
設定温度を８５℃としたとき、ＩＣ個別温度制御を行う
前にあっては、ノズル８に近い箇所のＩＣデバイス５は
８８℃を示し、ノズル８から遠ざかるにつれて温度が下
がり、ノズル８から最も遠いＩＣデバイス５は８２℃を
示している。
設定温度を８５℃としたとき、ＩＣ個別温度制御を行う
前にあっては、ノズル８に近い箇所のＩＣデバイス５は
８８℃を示し、ノズル８から遠ざかるにつれて温度が下
がり、ノズル８から最も遠いＩＣデバイス５は８２℃を
示している。
【００３５】そこで、本実施形態では、各ＩＣ接触型熱
源１５の温度とＩＣデバイス５の温度との平均が目標設
定温度となるように、各ＩＣ接触型熱源１５の温度を制
御する。具体的には、ノズル８に近い箇所のＩＣ接触型
熱源１５については８２℃程度にし、ノズル８から遠ざ
かるにつれて徐々にその温度を高めていき、ノズル８か
ら最も遠いＩＣ接触型熱源１５については８８℃程度に
する。これによって、各ＩＣデバイス５全ての温度を目
標設定温度である８５℃とすることができる。
源１５の温度とＩＣデバイス５の温度との平均が目標設
定温度となるように、各ＩＣ接触型熱源１５の温度を制
御する。具体的には、ノズル８に近い箇所のＩＣ接触型
熱源１５については８２℃程度にし、ノズル８から遠ざ
かるにつれて徐々にその温度を高めていき、ノズル８か
ら最も遠いＩＣ接触型熱源１５については８８℃程度に
する。これによって、各ＩＣデバイス５全ての温度を目
標設定温度である８５℃とすることができる。
【００３６】一方、同図に示すように、低温制御の場合
に目標設定温度を−１０℃としたとき、ＩＣ個別制御を
行う前にあっては、ノズル８に近い箇所のＩＣデバイス
５は−１２℃を示し、ノズル８から遠ざかるにつれて温
度が上がり、ノズル８から最も遠いＩＣデバイス５は−
７℃を示している。
に目標設定温度を−１０℃としたとき、ＩＣ個別制御を
行う前にあっては、ノズル８に近い箇所のＩＣデバイス
５は−１２℃を示し、ノズル８から遠ざかるにつれて温
度が上がり、ノズル８から最も遠いＩＣデバイス５は−
７℃を示している。
【００３７】そこで、本実施形態では、上述した高温制
御との場合と同様に、各ＩＣ接触型熱源１５の温度とＩ
Ｃデバイス５の温度との平均が目標設定温度となるよう
に、各ＩＣ接触型熱源１５の温度を制御する。具体的に
は、ノズル８に近い箇所のＩＣ接触型熱源１５について
は−７℃程度にし、ノズル８から遠ざかるにつれて徐々
にその温度を低めていき、ノズル８から最も遠いＩＣ接
触型熱源１５については−１２℃程度にする。これによ
って、各ＩＣデバイス５全ての温度を目標設定温度であ
る−１０℃とすることができる。
御との場合と同様に、各ＩＣ接触型熱源１５の温度とＩ
Ｃデバイス５の温度との平均が目標設定温度となるよう
に、各ＩＣ接触型熱源１５の温度を制御する。具体的に
は、ノズル８に近い箇所のＩＣ接触型熱源１５について
は−７℃程度にし、ノズル８から遠ざかるにつれて徐々
にその温度を低めていき、ノズル８から最も遠いＩＣ接
触型熱源１５については−１２℃程度にする。これによ
って、各ＩＣデバイス５全ての温度を目標設定温度であ
る−１０℃とすることができる。
【００３８】また、本実施形態では、併せて各ＩＣデバ
イス５自身の発熱による温度変化にも対応させて各ＩＣ
接触型熱源１５を制御する。図４は、ＩＣデバイス５自
身の発熱による温度とテスト時間の経過との関係を示す
グラフである。
イス５自身の発熱による温度変化にも対応させて各ＩＣ
接触型熱源１５を制御する。図４は、ＩＣデバイス５自
身の発熱による温度とテスト時間の経過との関係を示す
グラフである。
【００３９】同図に示すように、試験の際にＩＣデバイ
ス５に対して通電することによって、各ＩＣデバイス５
は発熱し、その温度が時間とともに上昇する。そのた
め、本実施形態では、各ＩＣ接触型熱源１５の温度とＩ
Ｃデバイス５の温度との平均が目標設定温度となるよう
に、ＩＣデバイス５の発熱に追従させて各ＩＣ接触型熱
源１５の温度を制御する。
ス５に対して通電することによって、各ＩＣデバイス５
は発熱し、その温度が時間とともに上昇する。そのた
め、本実施形態では、各ＩＣ接触型熱源１５の温度とＩ
Ｃデバイス５の温度との平均が目標設定温度となるよう
に、ＩＣデバイス５の発熱に追従させて各ＩＣ接触型熱
源１５の温度を制御する。
【００４０】このようにＩＣデバイス５一つ一つについ
て、個別の温度制御を行うことにより、ＩＣデバイス５
間の温度のバラツキに対して、ＩＣデバイス個々の温度
を補正することができ、チャンバ部１内のＩＣデバイス
５全ての温度を均一にすることができる。また、ＩＣデ
バイス５自身が発熱しても、ＩＣ接触型熱源１５によっ
て、各ＩＣデバイス５の温度が一定に保つことができ
る。
て、個別の温度制御を行うことにより、ＩＣデバイス５
間の温度のバラツキに対して、ＩＣデバイス個々の温度
を補正することができ、チャンバ部１内のＩＣデバイス
５全ての温度を均一にすることができる。また、ＩＣデ
バイス５自身が発熱しても、ＩＣ接触型熱源１５によっ
て、各ＩＣデバイス５の温度が一定に保つことができ
る。
【００４１】特に、本実施形態では、直接ＩＣデバイス
５に接触する接触面１５ａを介して、ＩＣ個別ヒータ１
３又はＩＣ個別クーラ１４からの熱を伝達するため、確
実にＩＣデバイス５の温度を制御することができる。ま
た、ＩＣ個別温度センサ１６も、ＩＣデバイス５の表面
に直接接触されるものであるため、ＩＣデバイス５の温
度を確実に検出することができる。さらに、接触面１５
ａ及びＩＣ個別温度センサ１６は、従来有効利用されて
いなかったコンタクトプッシャ３１の下面に設けられる
ものであるため、ＩＣ個別温度制御を行う手段を追加す
るために特別なスペースを必要としない。
５に接触する接触面１５ａを介して、ＩＣ個別ヒータ１
３又はＩＣ個別クーラ１４からの熱を伝達するため、確
実にＩＣデバイス５の温度を制御することができる。ま
た、ＩＣ個別温度センサ１６も、ＩＣデバイス５の表面
に直接接触されるものであるため、ＩＣデバイス５の温
度を確実に検出することができる。さらに、接触面１５
ａ及びＩＣ個別温度センサ１６は、従来有効利用されて
いなかったコンタクトプッシャ３１の下面に設けられる
ものであるため、ＩＣ個別温度制御を行う手段を追加す
るために特別なスペースを必要としない。
【００４２】（変更例１）なお、上述したＩＣ個別温度
制御手段については、上述した実施形態に限定されず、
以下のような変更を加えることができる。図５は、本変
更例に係るＩＣ個別温度制御手段を示す概略構成図であ
る。
制御手段については、上述した実施形態に限定されず、
以下のような変更を加えることができる。図５は、本変
更例に係るＩＣ個別温度制御手段を示す概略構成図であ
る。
【００４３】同図に示すように、本変更例１では、コン
タクトプッシャ３１内に上下に連通しＩＣデバイス５に
対して開口するダクト部３１ｂを設け、このダクト部３
１ｂ内にノズル部１９を設ける。このノズル部１９は、
ＩＣ個別ヒータ及びＩＣ個別クーラ１４に通じており、
これらＩＣ個別ヒータ又はＩＣ個別クーラ１４から供給
される温風又は冷風を必要の応じて噴出させる。
タクトプッシャ３１内に上下に連通しＩＣデバイス５に
対して開口するダクト部３１ｂを設け、このダクト部３
１ｂ内にノズル部１９を設ける。このノズル部１９は、
ＩＣ個別ヒータ及びＩＣ個別クーラ１４に通じており、
これらＩＣ個別ヒータ又はＩＣ個別クーラ１４から供給
される温風又は冷風を必要の応じて噴出させる。
【００４４】具体的には、低温制御時は、ＩＣ個別温度
センサ１６からの情報に基づいて、対象となるＩＣデバ
イス５が目標の温度に達するまで、ＩＣ個別クーラ１４
からの冷風の温度及び流量を調節する。一方、高温制御
時は、ＩＣ個別温度センサ１６からの情報に基づいて、
ＩＣデバイス５が目標の温度に達するまで、ＩＣ個別ヒ
ータ１３からの温風の温度及び流量を調節する。
センサ１６からの情報に基づいて、対象となるＩＣデバ
イス５が目標の温度に達するまで、ＩＣ個別クーラ１４
からの冷風の温度及び流量を調節する。一方、高温制御
時は、ＩＣ個別温度センサ１６からの情報に基づいて、
ＩＣデバイス５が目標の温度に達するまで、ＩＣ個別ヒ
ータ１３からの温風の温度及び流量を調節する。
【００４５】なお、この変更例１に係るＩＣ個別温度制
御手段においても、ノズル部１９及びＩＣ個別温度セン
サ１６を、従来有効利用されていなかったコンタクトプ
ッシャ３１の下面に設けるものであるため、ＩＣ個別温
度制御を行う手段を追加するために特別なスペースを必
要としない。
御手段においても、ノズル部１９及びＩＣ個別温度セン
サ１６を、従来有効利用されていなかったコンタクトプ
ッシャ３１の下面に設けるものであるため、ＩＣ個別温
度制御を行う手段を追加するために特別なスペースを必
要としない。
【００４６】（変更例２）また、上述したＩＣ個別温度
制御手段については、以下のような変更を加えることが
できる。図６は、本変更例に係るＩＣ個別温度制御手段
を示す概略構成図である。
制御手段については、以下のような変更を加えることが
できる。図６は、本変更例に係るＩＣ個別温度制御手段
を示す概略構成図である。
【００４７】同図に示すように、本変更例に係るＩＣ個
別温度制御手段は、上述したＩＣ個別クーラ１４及び冷
媒１７を循環させる配管１８に代えて、冷却時の熱源と
して、ペルチェ素子２０を内蔵していることを特徴とす
る。なお、高温制御時におけるＩＣ接触型熱源１５とし
ては、上述した実施形態と同様、熱を発生させるＩＣ個
別ヒータ１３が内蔵されている。
別温度制御手段は、上述したＩＣ個別クーラ１４及び冷
媒１７を循環させる配管１８に代えて、冷却時の熱源と
して、ペルチェ素子２０を内蔵していることを特徴とす
る。なお、高温制御時におけるＩＣ接触型熱源１５とし
ては、上述した実施形態と同様、熱を発生させるＩＣ個
別ヒータ１３が内蔵されている。
【００４８】そして、本変更例に係るＩＣ個別温度制御
手段では、低温制御時においては、ＩＣ個別温度センサ
１６からの情報に基づいて、ＩＣデバイス５が目標の温
度に達するまで、ペルチェ素子２０に対して電圧を印加
して冷却させ、接触面１５ａを介して、対象となるＩＣ
デバイス５それぞれの温度を調節する。一方、高温制御
時は、ＩＣ個別温度センサ１６からの情報に基づいて、
ＩＣデバイス５が目標の温度に達するまで、ＩＣ個別ヒ
ータ１３の発熱量を調節し、接触面１５ａを介してＩＣ
デバイス５それぞれの温度を調節する。
手段では、低温制御時においては、ＩＣ個別温度センサ
１６からの情報に基づいて、ＩＣデバイス５が目標の温
度に達するまで、ペルチェ素子２０に対して電圧を印加
して冷却させ、接触面１５ａを介して、対象となるＩＣ
デバイス５それぞれの温度を調節する。一方、高温制御
時は、ＩＣ個別温度センサ１６からの情報に基づいて、
ＩＣデバイス５が目標の温度に達するまで、ＩＣ個別ヒ
ータ１３の発熱量を調節し、接触面１５ａを介してＩＣ
デバイス５それぞれの温度を調節する。
【００４９】このような変更例２に係るＩＣ個別温度制
御手段によれば、ＩＣ個別クーラ１４及び配管１８に代
えてペルチェ素子２０を用いるため、ＩＣ個別温度制御
手段の構造を簡略化することができる。また、この変更
例２に係るＩＣ個別温度制御手段においても、接触面１
５ａ及びＩＣ個別温度センサ１６を、従来有効利用され
ていなかったコンタクトプッシャ３１の下面に設けるも
のであるため、ＩＣ個別温度制御を行う手段を追加する
ために特別なスペースを必要としない。
御手段によれば、ＩＣ個別クーラ１４及び配管１８に代
えてペルチェ素子２０を用いるため、ＩＣ個別温度制御
手段の構造を簡略化することができる。また、この変更
例２に係るＩＣ個別温度制御手段においても、接触面１
５ａ及びＩＣ個別温度センサ１６を、従来有効利用され
ていなかったコンタクトプッシャ３１の下面に設けるも
のであるため、ＩＣ個別温度制御を行う手段を追加する
ために特別なスペースを必要としない。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＩＣデバ
イスの試験方法及び試験装置によれば、複数のＩＣデバ
イスに温度的負荷を与えて、これらＩＣデバイスの電気
的特性を試験する試験方法及び試験装置において、複数
のＩＣデバイス全てに対する温度的負荷を均一なものと
することによって、試験結果の信頼性を向上させること
ができる。
イスの試験方法及び試験装置によれば、複数のＩＣデバ
イスに温度的負荷を与えて、これらＩＣデバイスの電気
的特性を試験する試験方法及び試験装置において、複数
のＩＣデバイス全てに対する温度的負荷を均一なものと
することによって、試験結果の信頼性を向上させること
ができる。
【図１】本発明の実施形態に係るテストハンドラの全体
構成を示す概略図である。
構成を示す概略図である。
【図２】本発明の実施形態におけるＩＣ個別温度制御手
段を示す概略図である。
段を示す概略図である。
【図３】本発明の実施形態におけるＩＣ個別温度制御手
段による温度制御を示すものであり、ＩＣデバイスのノ
ズルからの距離とＩＣデバイスの温度の分布との関係を
示すグラフである。
段による温度制御を示すものであり、ＩＣデバイスのノ
ズルからの距離とＩＣデバイスの温度の分布との関係を
示すグラフである。
【図４】本発明の実施形態におけるＩＣ個別温度制御手
段による温度制御を示すものであり、ＩＣデバイス自身
の発熱と、テスト時間との関係を示すグラフである。
段による温度制御を示すものであり、ＩＣデバイス自身
の発熱と、テスト時間との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の実施形態におけるＩＣ個別温度制御手
段の変更例１を示す概略図である。
段の変更例１を示す概略図である。
【図６】本発明の実施形態におけるＩＣ個別温度制御手
段の変更例２を示す概略図である。
段の変更例２を示す概略図である。
【図７】従来のテストハンドラを説明するものであり、
（ａ）は全体構成を示す概略図であり、（ｂ）はＩＣデ
バイスの配置状態を示す上面図である。
（ａ）は全体構成を示す概略図であり、（ｂ）はＩＣデ
バイスの配置状態を示す上面図である。
【図８】従来の温度制御を示すものであり、（ａ）は、
ＩＣデバイスのノズルからの距離とＩＣデバイスの温度
の分布との関係を示すグラフであり、（ｂ）は、ＩＣデ
バイス自身の発熱と、テスト時間との関係を示すグラフ
である。
ＩＣデバイスのノズルからの距離とＩＣデバイスの温度
の分布との関係を示すグラフであり、（ｂ）は、ＩＣデ
バイス自身の発熱と、テスト時間との関係を示すグラフ
である。
１…チャンバ部、２…プリヒート部、３…コンタクトプ
ッシャ基台 ４…温度センサ、５…ＩＣデバイス、６…ＤＵＴ、７…
搬送トレイ ８…ノズル、９…クーラ、１０…ヒータ、１１…温度制
御コントローラ １２…ＩＣ個別温度制御コントローラ、１３…ＩＣ個別
ヒータ １４…ＩＣ個別クーラ、１５…ＩＣ接触型熱源、１６…
ＩＣ個別温度センサ １７…冷却媒体、１８…配管、１９…ノズル部、２０…
ペルチェ素子 ３１…コンタクトプッシャ
ッシャ基台 ４…温度センサ、５…ＩＣデバイス、６…ＤＵＴ、７…
搬送トレイ ８…ノズル、９…クーラ、１０…ヒータ、１１…温度制
御コントローラ １２…ＩＣ個別温度制御コントローラ、１３…ＩＣ個別
ヒータ １４…ＩＣ個別クーラ、１５…ＩＣ接触型熱源、１６…
ＩＣ個別温度センサ １７…冷却媒体、１８…配管、１９…ノズル部、２０…
ペルチェ素子 ３１…コンタクトプッシャ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤木 靖夫 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AC03 AD02 AD03 AD04 AG11 AH05
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のＩＣデバイスに温度的負荷を与え
て該ＩＣデバイスの電気的特性を試験するＩＣデバイス
の試験方法において、 前記複数のＩＣデバイス個々の温度を検出し、これら複
数のＩＣデバイスに対する温度負荷が全て均一となるよ
うに、該ＩＣデバイス個々の温度を制御することを特徴
とするＩＣデバイスの試験方法。 - 【請求項２】 複数のＩＣデバイスに温度的負荷を与え
て該ＩＣデバイスの電気的特性を試験するＩＣデバイス
の試験装置において、 前記複数のＩＣデバイスのそれぞれに対応して設けら
れ、該複数のＩＣデバイス個々の温度を検出する複数の
温度検出手段と、 前記複数のＩＣデバイスのそれぞれに対応して設けら
れ、該複数のＩＣデバイス個々の温度を制御する複数の
温度制御手段とを備えたことを特徴とするＩＣデバイス
の試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11183989A JP2001013201A (ja) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | Ｉｃデバイスの試験方法及び試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11183989A JP2001013201A (ja) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | Ｉｃデバイスの試験方法及び試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001013201A true JP2001013201A (ja) | 2001-01-19 |
Family
ID=16145378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11183989A Withdrawn JP2001013201A (ja) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | Ｉｃデバイスの試験方法及び試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001013201A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020078718A (ko) * | 2001-04-10 | 2002-10-19 | 아주시스템 주식회사 | 반도체 소자 검사용 테스트 핸들러의 콘텍터 모듈 |
| KR100482371B1 (ko) * | 2002-10-28 | 2005-04-14 | 삼성전자주식회사 | 집적소자 테스트 시스템 및 그 방법 |
| KR100502053B1 (ko) * | 2002-10-23 | 2005-07-18 | 미래산업 주식회사 | 모듈 램 핸들러용 냉각장치 |
| WO2008054186A1 (en) * | 2006-11-03 | 2008-05-08 | Jt Corporation | Test handler for semiconductor device |
| KR100865155B1 (ko) | 2007-03-21 | 2008-10-24 | 주식회사 아이티엔티 | 반도체 디바이스 핸들러 시스템 |
| JP2009115456A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-05-28 | Advantest Corp | ハンドラ、テストトレイおよびメモリ装置 |
| JP2009145151A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Syswave Corp | 温度制御方式 |
| JP2012517591A (ja) * | 2009-02-10 | 2012-08-02 | クウォリタウ・インコーポレーテッド | 改良温度制御を備えた電気／信頼性試験のための統合されたユニット |
| US20140354312A1 (en) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | Richtek Technology Corporation | Test handler, test carrier and test method thereof |
| WO2023084613A1 (ja) * | 2021-11-09 | 2023-05-19 | 株式会社アドバンテスト | 温度調整システム及び電子部品試験装置 |
-
1999
- 1999-06-29 JP JP11183989A patent/JP2001013201A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020078718A (ko) * | 2001-04-10 | 2002-10-19 | 아주시스템 주식회사 | 반도체 소자 검사용 테스트 핸들러의 콘텍터 모듈 |
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| US20140354312A1 (en) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | Richtek Technology Corporation | Test handler, test carrier and test method thereof |
| TWI484200B (zh) * | 2013-05-28 | 2015-05-11 | Richtek Technology Corp | 測試操作機與測試載具以及相關測試方法 |
| WO2023084613A1 (ja) * | 2021-11-09 | 2023-05-19 | 株式会社アドバンテスト | 温度調整システム及び電子部品試験装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060905 |