JP5955203B2 - 光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置 - Google Patents
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Description
この光伝導素子を構成する光伝導基板は、半導体基板の一部を除去して開口部を設けることにより、照射した励起光により発生した励起キャリアおよびテラヘルツ電磁波が半導体基板に吸収されることを防止することができるようになっている。
また、Al x Ga 1−x Asにおいてxの値を0.5以上1以下、言い換えれば、Gaに対するAlの組成比(Al/Ga)を1以上とすることで、キャリア移動防止層のバンドギャップが2.0eV以上となる。これにより、半導体層において励起されたキャリアの最も高い準位が2.0eV未満であれば、励起キャリアが伝導帯準位に遷移してしまうことを確実に防止することができる。
Claims (4)
- 基板上に積層され、前記基板のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有するキャリア移動防止層と、
前記キャリア移動防止層上に積層され、前記基板のバンドギャップ以上のバンドギャップであって前記キャリア移動防止層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有する半導体層と、を備え、
前記キャリア移動防止層は、AlxGa1−xAs(0.5≦x≦1)をエピタキシャル成長させてなる層であり、
前記半導体層は、GaAsを低温でエピタキシャル成長させてなる層であることを特徴とする光伝導基板。 - 前記基板と前記キャリア移動防止層との間にバッファ層を、更に備えていることを特徴とする請求項1に記載の光伝導基板。
- 前記基板は、SiまたはGeにより形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光伝導基板。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載の光伝導基板と、
前記半導体層上に形成されたアンテナと、を備えていることを特徴とする電磁波発生検出装置。
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