JP5954519B2 - 電子部品及び電子部品の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 229
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 229
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 215
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 105
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 94
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 29
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 29
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
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Description
以下、図面を参照して、本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置100について説明する。
なお、本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置100の構造は、上記において説明したものに限られない。以下において、変形例に係る半導体装置101について、図面を参照しながら説明する。
以下、図面を参照して、本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置100の製造方法について説明する。
以下、変形例に係る半導体装置101の製造方法について説明する。
以下、図面を参照して、本実施形態に係る電子部品に適用される配線基板200について説明する。
以下、図面を参照して、本実施形態に係る電子部品に適用される配線基板200の製造方法について説明する。
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る電子部品300の製造方法について説明する。
以下において、「1.1 半導体装置」の(変形例)の項で説明した半導体装置101を適用した電子部品300の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る電子部品300について説明する。なお、本実施の形態に係る電子部品300は、半導体装置100と配線基板200とを含む。半導体装置100と配線基板200は上述されているため、その詳細は省略する。
Claims (13)
- 第1基板と、
前記第1基板の第1の面に位置する電極と、
前記第1基板の前記第1の面に形成される第1樹脂突起と、
前記第1基板の前記第1の面に形成される第2樹脂突起と、
前記電極と接続し、前記第1樹脂突起の少なくとも一部を覆う第1の部分と、前記第2樹脂突起の少なくとも一部を覆う第2の部分と、を有する第1配線と、
第2基板と、
前記第2基板の第2の面に位置する第2配線と、
前記第2基板の前記第2配線と接する突起電極であって、前記第1の部分および前記第2の部分と接する前記突起電極と、
を含み、
前記第1の部分および前記第2の部分は、前記第2配線と接し、
前記第1樹脂突起及び前記第2樹脂突起は、前記第1配線が形成されない部分において凹部が形成されている、電子部品。 - 請求項1において、
前記第1樹脂突起と前記第2樹脂突起とは、間隔を有して形成されている、電子部品。 - 請求項1または2において、
前記突起電極の材質の展性は、前記第2配線の材質の展性よりも高い、電子部品。 - 請求項1から3のいずれか一項において、
前記突起電極の材質の導電率は、前記第2配線の材質の導電率よりも高い、電子部品。 - 請求項1から4のいずれか1項において、
前記第2配線は、酸化インジウムスズを含み、前記突起電極は、金または銅を含む、電子部品。 - 請求項1、請求項3から請求項5のいずれか1項において、
前記第1樹脂突起と前記第2樹脂突起とは連続し、一体的に形成されている、電子部品。 - 第1の面に電極が位置している第1基板を準備する工程と、
前記第1基板の前記第1の面に第1樹脂突起を形成する工程と、
前記第1基板の前記第1の面に第2樹脂突起を形成する工程と、
前記電極と接続し、前記第1樹脂突起の少なくとも一部を覆う第1の部分と、前記第2樹脂突起の少なくとも一部を覆う第2の部分と、を有する第1配線を形成する工程と、
第2の面に位置する第2配線と、前記第2配線と接する突起電極と、を有する第2基板を準備する工程と、
前記突起電極が前記第1の部分および前記第2の部分と接するように、かつ、前記第1の部分および前記第2の部分が前記第2配線と接するように、前記第1基板と前記第2基板とを接続する工程と、
を含み、
前記第1樹脂突起及び前記第2樹脂突起を形成する工程は、前記第1配線が形成されない部分において凹部を形成することを含む、電子部品の製造方法。 - 請求項7において、
前記第1樹脂突起と前記第2樹脂突起とは、間隔を有して形成される、電子部品の製造方法。 - 請求項7において、
前記第1樹脂突起と前記第2樹脂突起とは、連続して一体的に形成される、電子部品の製造方法。 - 請求項7から請求項9のいずれか1項において、
前記第1基板と前記第2基板とを接続する工程の前では、前記突起電極の形状は、錐状である、電子部品の製造方法。 - 請求項7から請求項10のいずれか1項において、
前記第1基板と前記第2基板とを接続する工程は、前記第1基板および前記第2基板を位置合わせする工程を含み、
前記位置合わせする工程は、前記第1の部分と前記第2の部分との間の領域と、前記突起電極と、が対向するように前記第1基板および前記第2基板を位置合わせする、電子部品の製造方法。 - 請求項7から請求項11のいずれか1項において、
前記第1基板と前記第2基板とを接続する工程後の前記第1樹脂突起および前記第2樹脂突起の形状は、前記第1基板と前記第2基板とを接続する工程前の前記第1樹脂突起および前記第2樹脂突起の形状と異なる、電子部品の製造方法。 - 請求項7から請求項12のいずれか1項において、
前記第1基板と前記第2基板とを接続する工程後の前記突起電極の形状は、前記第1基板と前記第2基板とを接続する工程前の前記突起電極の形状と異なる、電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011056620A JP5954519B2 (ja) | 2011-03-15 | 2011-03-15 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011056620A JP5954519B2 (ja) | 2011-03-15 | 2011-03-15 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012195358A JP2012195358A (ja) | 2012-10-11 |
JP5954519B2 true JP5954519B2 (ja) | 2016-07-20 |
Family
ID=47087005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011056620A Expired - Fee Related JP5954519B2 (ja) | 2011-03-15 | 2011-03-15 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5954519B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5393697A (en) * | 1994-05-06 | 1995-02-28 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump structure and methods of fabrication |
JP2008159992A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Seiko Epson Corp | 検査治具、検査装置、電子部品の検査方法、及び、電子部品の製造方法 |
JP4924831B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2012-04-25 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及び電子デバイス |
JP5604873B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2014-10-15 | 日本電気株式会社 | 電子装置の製造方法 |
JP4645635B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品 |
-
2011
- 2011-03-15 JP JP2011056620A patent/JP5954519B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012195358A (ja) | 2012-10-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |