JP5954125B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
各単位ブロックは、基板に対して処理液を供給する液処理モジュールと、基板に紫外線を照射するための紫外線照射モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えている基板処理装置において、
前記紫外線照射モジュールの光源の照度を検出する照度検出部と、
前記複数の単位ブロックのうちの一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値以下になったときに、当該一の単位ブロックへの基板の受け渡しを止めると共に、後続の基板を他の単位ブロックに受け渡すように前記受け渡し機構を制御し、また前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、照射時間を前記照度検出値に応じた長さに調整して照射を行うように前記紫外線照射モジュールを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。
各単位ブロックは、基板に対して処理液を供給する液処理モジュールと、基板に紫外線を照射するための紫外線照射モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えている基板処理装置において、
前記紫外線照射モジュールの光源の照度を検出する工程と、
前記複数の単位ブロックのうちの一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値以下になったときに、当該一の単位ブロックへの基板の受け渡しを止めると共に、後続の基板を他の単位ブロックに受け渡すように前記受け渡し機構を制御する工程と、
前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、照射時間を前記照度検出値に応じた長さに調整して照射を行う工程と、
前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対する照射を終了した後、当該一の単位ブロックにおける紫外線照射モジュールの光源を交換する工程と、を含むことを特徴とする。
各単位ブロックは、基板に対して処理液を供給する液処理モジュールと、基板に紫外線を照射するための紫外線照射モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えている基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実行するようにステップ群が組み込まれていることを特徴とする。
本発明に係る基板処理装置及びその方法に係る第1の実施の形態について説明する。先ず図1〜図3を参照しながら基板処理装置(塗布、現像装置)の全体の概要について説明しておく。この装置は、キャリアブロックS1と、処理ブロックS2と、インターフェイスブロックS3と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックS3にはさらに露光ステーションS4が接続されている。以降の説明ではブロックS1〜S3の配列方向を前後方向とする。
また単位ブロックB1あるいはB2にて反射防止膜の形成を終えたウエハWは、例えば受け渡しモジュールTRS1あるいはTRS2を介して、受け渡しアーム30により単位ブロックB3に対応する受け渡しモジュールTRS3と単位ブロックB4に対応する受け渡しモジュールTRS4との間で交互に振り分け搬送されることになる。
更に受け渡しモジュールTRSは1つのモジュールで構成されるものに限らず、複数のモジュールで構成されていてもよい。
更にまた露光を終えたウエハWは、インターフェイスブロックS3の受け渡しアームにより、タワーT2の受け渡しモジュールTRSを介して単位ブロックB5、B6に対して交互に搬入されることになる。
基台40は図4において手前側が搬送領域R3に臨むように配置されており、鎖線で示すウエハWの位置が搬送アームA3により回転台41との間で受け渡しが行われる受け渡し位置であり、点線で示す奥側のウエハWの位置が処理位置である。
プログラム52は、搬送スケジュール54を参照して移載機構13、受け渡しアーム30、各搬送アームA1〜A6、インターフェイスブロックS3内のインターフェイスアーム3A〜3Cなどに制御信号を出力するためのプログラム、処理レシピ56を参照しながら各モジュールを制御するためのプログラム、単位ブロックB1〜B6の例えば処理モジュールに不具合が発生したときに、ウエハWの搬送をどのように行うか、その処理モジュールに対してどのような対応をとるかといったステップを備えたプログラムなど、基板処理装置を運転するために必要なプログラムが含まれる。
なお、搬送スケジュール54、処理レシピ56及びプログラム52は、メモリに格納されているが、図5では便宜上、それらを格納しているメモリ部分を省略して示している。
単位ブロックB3、B4に搬入されたウエハWは、既述のように処理され、そして周縁露光モジュール4にて通常の露光処理が行われる(ステップS3)。
前記特殊モードでは、照度が低くなった露光部42が属する単位ブロックを異常単位ブロックと便宜上呼ぶとすると、異常単位ブロックへのウエハWの搬入を停止すると共に、当該異常単位ブロックに搬入される予定であったウエハWに対しては、単位ブロックB3、B4のうちの正常な単位ブロックに搬入する(図8)。このようなウエハWの搬送の変更は、制御部100内の前記搬送スケジュール54を書き換えることにより行われる。
またキャリアCからウエハWの払い出しを停止するのではなく、キャリアC内のウエハWはすべて払い出し処理を行い。次のキャリアCからの払い出しを停止してもよい。
上述の実施の形態は、本発明を塗布、現像装置に適用したものであるが、本発明は塗布、現像装置に限らず他の基板処理装置に適用してもよい。具体例としては、ドライエッチング等の後に行われるウエット式の洗浄装置を挙げることができる。この洗浄装置は、例えば基板を洗浄液で洗浄する複数の枚葉式の洗浄モジュールと紫外線照射モジュール(以下「UV照射モジュール」という)と、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えた単位ブロックを複数段例えば2段積層した構成とすることができる。
前記洗浄モジュールは、カップ体内に配置されたスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板の中心に洗浄液を吐出するノズルと、を備え、スピンチャックを回転させて洗浄液を基板表面全体に広げて当該表面を洗浄するように構成されている。洗浄モジュールの処理としては、薬液による洗浄、続く純水による洗浄、その後の乾燥プロセス(スピン乾燥)などを挙げることができる。
図13は、基板処理装置である洗浄装置の外観を示しており、洗浄液のボトルなどを収納するケミカルブロック90の上に洗浄用の単位ブロックB11、B12が2段積層されている。
ここでUV照射モジュールの具体例について図14、図15を参照しながら説明する。UV照射モジュールは、矩形の基台70の上に、ウエハWを水平に保持して鉛直軸周りに回転させると共に、基台70の手前側の受け渡し位置と、奥側の処理位置とをガイドレール72に沿って移動可能な回転台71が設けられる。ウエハWの処理位置の上方には、紫外線照射部73が、基台70の幅方向に伸びるように設けられている。紫外線照射部73には、光源である紫外線ランプ(以下「UVランプ」という)74が設けられており、処理位置のウエハWに対して、ウエハWの中心を通りウエハWを横断する帯状の紫外線を照射する。ウエハWの通過領域の下方側であって、UVランプの真下には、当該UVランプ74からの光照度を検出する照度検出部75が設けられている。照度検出部は、例えばガイドレール72の左右に各一つ設けられる。ウエハWの通過領域と照度検出部75との間には、当該照度検出部75に対するUVランプ74からの光を受光あるいは遮光するためのシャッタ76が配置されている。
本発明はこのような場合にも適用できるが、絶縁膜であるシリコン酸化膜の前駆体を含む薬液を基板に塗布して絶縁膜を形成し、その後この絶縁膜をUV照射モジュールにてUVを照射することで絶縁膜を改質するというプロセスを実施する基板処理装置についても適用することができる。この場合には、単位ブロックは、例えば絶縁膜である塗布膜を形成するモジュール、基板を加熱板の上に載せて加熱する加熱モジュール及びUV照射モジュールが配置されることになる。
9 ランプ
26 加熱モジュール
30 受け渡しアーム
41、71 回転台
42 露光部
45 ランプハウス
73 紫外線照射部
74 UVランプ
60、75 照度検出部
100 制御部
B1〜B6 単位ブロック
S2 処理ブロック
W ウエハW
Claims (13)
- 互いに同一の一連の処理を行うための複数の単位ブロックに、キャリアから払い出された同一ロット内の基板を受け渡し機構により振り分けるように構成され、
各単位ブロックは、基板に対して処理液を供給する液処理モジュールと、基板に紫外線を照射するための紫外線照射モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えている基板処理装置において、
前記紫外線照射モジュールの光源の照度を検出する照度検出部と、
前記複数の単位ブロックのうちの一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値以下になったときに、当該一の単位ブロックへの基板の受け渡しを止めると共に、後続の基板を他の単位ブロックに受け渡すように前記受け渡し機構を制御し、また前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、照射時間を前記照度検出値に応じた長さに調整して照射を行うように前記紫外線照射モジュールを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御部は、紫外線照射モジュールの光源の使用時間を監視し、一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値よりも高い値であり、かつ一の単位ブロックにおける紫外線照射モジュールの光源の使用時間が設定時間に達したときに、当該一の単位ブロックへの基板の受け渡しを止めると共に、後続の基板を他の単位ブロックに受け渡すように前記受け渡し機構を制御し、また前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、前記光源の使用時間が設定時間に達する前までの照射時間で照射を行うように前記紫外線照射モジュールを制御するように構成されていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値以下になったときに、他の全ての単位ブロックが使用できないときには、キャリアからの基板の払い出し、あるいは払い出し途中のキャリアの基板をすべて払い出した後の、続くキャリアからの基板の払い出しを止めると共に、キャリアから払い出された基板については前記一の単位ブロックに搬入して、照射時間を前記照度検出値に応じた長さに調整して照射を行うように前記紫外線照射モジュールを制御することを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、使用できなかった他の少なくとも一つの単位ブロックが使用可能となった後は、キャリアからの基板の払い出しを再開するように制御することを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
- 前記液処理モジュールは、処理液を塗布して塗布膜を形成するモジュールであり、
単位ブロックは、塗布膜が形成された基板を加熱処理する加熱モジュールを備え、
紫外線照射モジュールは、加熱処理を行った基板の周縁部を露光するための周縁露光モジュールであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記液処理モジュールは洗浄液を供給して洗浄を行う洗浄処理モジュールであり、
紫外線照射モジュールは、洗浄前もしくは洗浄後の基板に紫外線を照射する紫外線照射モジュールであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 互いに同一の一連の処理を行うための複数の単位ブロックに、キャリアから払い出された同一ロット内の基板を受け渡し機構により振り分けるように構成され、
各単位ブロックは、基板に対して処理液を供給する液処理モジュールと、基板に紫外線を照射するための紫外線照射モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えている基板処理装置において、
前記紫外線照射モジュールの光源の照度を検出する工程と、
前記複数の単位ブロックのうちの一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値以下になったときに、当該一の単位ブロックへの基板の受け渡しを止めると共に、後続の基板を他の単位ブロックに受け渡すように前記受け渡し機構を制御する工程と、
前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、照射時間を前記照度検出値に応じた長さに調整して照射を行う工程と、
前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対する照射を終了した後、当該一の単位ブロックにおける紫外線照射モジュールの光源を交換する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 紫外線照射モジュールの光源の使用時間を監視する工程を更に含み、
一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値よりも高い値であり、かつ一の単位ブロックにおける紫外線照射モジュールの光源の使用時間が設定時間に達したときには、当該一の単位ブロックへの基板の受け渡しを止めると共に、後続の基板を他の単位ブロックに受け渡すように前記受け渡し機構を制御し、また前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、前記光源の使用時間が設定時間に達する前までの照射時間で照射を行うことを特徴とする請求項7記載の基板処理方法。 - 一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値以下になったときに、他の全ての単位ブロックが使用できないときには、キャリアからの基板の払い出し、あるいは払い出し途中のキャリアの基板をすべて払い出した後の、続くキャリアからの基板の払い出しを止めると共に、キャリアから払い出された基板については前記一の単位ブロックに搬入して、照射時間を前記照度検出値に応じた長さに調整して照射を行うことを特徴とする請求項7または8記載の基板処理方法。
- 使用できなかった他の少なくとも一つの単位ブロックの紫外線照射モジュールについて光源の交換作業が終了して使用可能となった後は、キャリアからの基板の払い出しを再開することを特徴とする請求項9記載の基板処理方法。
- 前記液処理モジュールは、処理液を塗布して塗布膜を形成するモジュールであり、
単位ブロックは、塗布膜が形成された基板を加熱処理する加熱モジュールを備え、
紫外線照射モジュールは、加熱処理を行った基板の周縁部を露光するための周縁露光モジュールであることを特徴とする請求項7ないし10のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記液処理モジュールは洗浄液を供給して洗浄を行う洗浄処理モジュールであり、
紫外線照射モジュールは、洗浄前もしくは洗浄後の基板に紫外線を照射する紫外線照射モジュールであることを特徴とする請求項7ないし10のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 互いに同一の一連の処理を行うための複数の単位ブロックに、キャリアから払い出された同一ロット内の基板を受け渡し機構により振り分けるように構成され、
各単位ブロックは、基板に対して処理液を供給する液処理モジュールと、基板に紫外線を照射するための紫外線照射モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えている基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項7ないし12のいずれか一項に記載された基板処理方法を実行するようにステップ群が組み込まれていることを特徴とする記憶媒体。
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