JP5952059B2 - Substrate processing apparatus and substrate holding method - Google Patents
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Description
開示の実施形態は、基板処理装置および基板保持方法に関する。 Embodiments disclosed herein relate to a substrate processing apparatus and a substrate holding method.
従来、シリコンウェハや化合物半導体ウェハ等の基板の保持を行う基板保持装置が知られている。かかる基板保持装置としては、たとえば、ベルヌーイの原理を利用して基板を非接触状態で吸着保持するベルヌーイチャックがある（特許文献１参照）。 Conventionally, a substrate holding apparatus that holds a substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer is known. As such a substrate holding device, for example, there is a Bernoulli chuck that holds and holds a substrate in a non-contact state using Bernoulli's principle (see Patent Document 1).
しかしながら、上述した基板保持装置は、反りのある基板を保持することが容易ではないという問題があった。これは、基板に反りがあると、基板の反った部分が基板保持装置の保持面と接触するおそれがあるためである。 However, the substrate holding apparatus described above has a problem that it is not easy to hold a warped substrate. This is because if the substrate is warped, the warped portion of the substrate may come into contact with the holding surface of the substrate holding device.
実施形態の一態様は、反りのある基板を適切に保持することのできる基板処理装置および基板保持方法を提供することを目的とする。 An object of one embodiment is to provide a substrate processing apparatus and a substrate holding method capable of appropriately holding a warped substrate.
実施形態の一態様に係る基板処理装置は、第１基板保持装置と、第２基板保持装置とを備える。第１基板保持装置は、吸着保持部と、流体噴出部とを有する。吸着保持部は、流体を噴出して基板との間に負圧を発生させることによって基板を非接触状態で吸着保持する。流体噴出部は、吸着保持部よりも基板の外周部側に設けられ、基板の外周部に対して流体を噴出する。第２基板保持装置は、基板を吸引保持可能に設けられる。また、第１基板保持装置は、第２基板保持装置に基板が載置されている場合に、流体噴出部から流体を噴出させつつ基板へ接近し、第２基板保持装置は、接近する第１基板保持装置の吸着保持部が基板を吸着保持する位置に到達して基板を吸着保持するまでの間、基板を吸引保持する。 A substrate processing apparatus according to an aspect of an embodiment includes a first substrate holding device and a second substrate holding device. The first substrate holding device that Yusuke a suction holding portion, and a fluid ejection portion. The suction holding unit sucks and holds the substrate in a non-contact state by ejecting a fluid and generating a negative pressure with the substrate. The fluid ejection part is provided closer to the outer peripheral part of the substrate than the suction holding part, and ejects fluid to the outer peripheral part of the substrate. The second substrate holding device is provided so that the substrate can be sucked and held. The first substrate holding device approaches the substrate while ejecting fluid from the fluid ejection portion when the substrate is placed on the second substrate holding device, and the second substrate holding device approaches the first The substrate is sucked and held until the suction holding unit of the substrate holding device reaches the position where the substrate is sucked and held and holds the substrate by suction.
実施形態の一態様によれば、反りのある基板を適切に保持することができる。 According to one aspect of the embodiment, a warped substrate can be appropriately held.
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板保持装置および基板保持方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態では、重合基板の剥離を行う剥離システムに対して本願の開示する基板保持装置を適用する場合の例について説明するが、本願の開示する基板保持装置は、剥離システム以外にも適用可能である。 Hereinafter, embodiments of a substrate holding device and a substrate holding method disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, although embodiment shown below demonstrates the example in the case of applying the board | substrate holding apparatus which this application discloses with respect to the peeling system which peels a superposition | polymerization board | substrate, the board | substrate holding apparatus which this application discloses is other than a peeling system It is also applicable to.
（第１の実施形態）
＜１．剥離システム＞
まず、第１の実施形態に係る剥離システムの構成について、図１および図２を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図であり、図２は、重合基板、被処理基板および支持基板の模式側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
(First embodiment)
<1. Peeling system>
First, the configuration of the peeling system according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of a peeling system according to the first embodiment, and FIG. 2 is a schematic side view of a polymerization substrate, a substrate to be processed, and a support substrate. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.
図１に示す第１の実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔを、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離するシステムである（図２参照）。 The peeling system 1 according to the first embodiment shown in FIG. 1 peels a superposed substrate T in which a substrate to be processed W and a support substrate S are bonded with an adhesive G into a substrate to be processed W and a support substrate S. System (see FIG. 2).
図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。 As shown in FIG. 2, among the plate surfaces of the substrate to be processed W, the plate surface on the side bonded to the support substrate S via the adhesive G is referred to as “bonding surface Wj”, and is opposite to the bonding surface Wj. This plate surface is referred to as “non-bonding surface Wn”. In addition, among the plate surfaces of the support substrate S, the plate surface on the side bonded to the substrate W to be processed via the adhesive G is referred to as “bonding surface Sj”, and the plate surface on the opposite side to the bonding surface Sj is referred to as “ This is referred to as “non-joint surface Sn”.
被処理基板Ｗは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、たとえば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化されている。一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、たとえば、化合物半導体ウェハまたはガラス基板などを用いることができる。 The substrate W to be processed is a substrate in which a plurality of electronic circuits are formed on a semiconductor substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, and the plate surface on the side where the electronic circuits are formed is used as a bonding surface Wj. Further, the target substrate W is thinned by polishing the non-joint surface Wn, for example. On the other hand, the support substrate S is a substrate having substantially the same diameter as the substrate W to be processed, and supports the substrate W to be processed. As the support substrate S, for example, a compound semiconductor wafer or a glass substrate can be used in addition to a silicon wafer.
剥離システム１は、図１に示すように、搬入出ステーション１０と、第１搬送領域２０と、剥離処理ステーション３０と、第２搬送領域４０と、制御装置５０とを備える。搬入出ステーション１０および剥離処理ステーション３０は第１搬送領域２０を介してＹ軸方向に並べて配置される。また、搬入出ステーション１０、第１搬送領域２０および剥離処理ステーション３０のＸ軸負方向側には、第２搬送領域４０が配置される。
As shown in FIG. 1, the peeling system 1 includes a carry-in /
剥離システム１では、搬入出ステーション１０へ搬入された重合基板Ｔが第１搬送領域２０を介して剥離処理ステーション３０へ搬送され、剥離処理ステーション３０において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離される。剥離後の被処理基板Ｗは第２搬送領域４０を介して後処理ステーションＭへ搬送され、剥離後の支持基板Ｓは第１搬送領域２０を介して搬入出ステーション１０へ搬送される。なお、剥離システム１では、不良となった被処理基板Ｗを第１搬送領域２０を介して搬入出ステーション１０へ搬送することもできる。
In the peeling system 1, the superposed substrate T carried into the carry-in / out
搬入出ステーション１０では、複数の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗ、複数の支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓおよび複数の重合基板Ｔが収容されるカセットＣｔが剥離システム１の外部との間で搬入出される。かかる搬入出ステーション１０には、カセット載置台１１が設けられており、このカセット載置台１１に、カセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔのそれぞれが載置される複数のカセット載置板１２ａ〜１２ｃが設けられる。なお、カセットＣｗには、たとえば、不良品として剥離処理ステーション３０から搬送されてきた被処理基板Ｗが収容される。
In the carry-in / out
第１搬送領域２０では、搬入出ステーション１０および剥離処理ステーション３０間における被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送が行われる。第１搬送領域２０には、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行う第１搬送装置２１が設置される。
In the
第１搬送装置２１は、水平方向への移動、鉛直方向への移動および鉛直軸を中心とする旋回が可能な搬送アーム２２と、この搬送アーム２２の先端に取り付けられたフォーク２３とを備える搬送ロボットである。かかる第１搬送装置２１は、フォーク２３を用いて基板を保持するとともに、フォーク２３によって保持された基板を搬送アーム２２によって所望の場所まで搬送する。
The
剥離処理ステーション３０では、重合基板Ｔの剥離、剥離後の被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの洗浄等が行われる。この剥離処理ステーション３０には、剥離装置３１、受渡室３２、第１洗浄装置３３および第２洗浄装置３４が、Ｘ軸正方向に、第１洗浄装置３３、受渡室３２、剥離装置３１、第２洗浄装置３４の順で並べて配置される。
In the
剥離装置３１では、第１搬送装置２１によって搬送された重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理が行われる。
In the
受渡室３２には、剥離装置３１によって重合基板Ｔから剥離された被処理基板Ｗを第１洗浄装置３３へ搬送する第２搬送装置１１０が設置される。第２搬送装置１１０は、ベルヌーイチャックであり、被処理基板Ｗを非接触状態で保持して第１洗浄装置３３へ搬送する。
The
ベルヌーイチャックは、保持面に設けられた噴出口（後述する吸着保持部）から被処理基板Ｗの板面へ向けて気体を噴射させ、保持面と被処理基板Ｗの板面との間隔に応じて気体の流速が変化することに伴う負圧の変化を利用して被処理基板Ｗを非接触状態で保持する。 The Bernoulli chuck injects gas from a jet port (a suction holding unit described later) provided on the holding surface toward the plate surface of the substrate to be processed W, and according to the interval between the holding surface and the plate surface of the substrate to be processed W. Then, the substrate W to be processed is held in a non-contact state by utilizing the change in the negative pressure accompanying the change in the gas flow velocity.
第１洗浄装置３３は、第２搬送装置１１０によって搬送された被処理基板Ｗの洗浄を行う。第１洗浄装置３３は、被処理基板Ｗを吸着保持しながら回転するスピンチャック２１０を備える。第１洗浄装置３３は、スピンチャック２１０を用いて被処理基板Ｗを回転させながら、被処理基板Ｗに対して洗浄液を吹き付けることによって被処理基板Ｗを洗浄する。なお、第１洗浄装置３３の構成については、図５を用いて説明する。
The
第１洗浄装置３３によって洗浄された被処理基板Ｗは、第２搬送領域４０を介して後処理ステーションＭへ搬送され、後処理ステーションＭにおいて所定の後処理が施される。なお、所定の後処理とは、たとえば被処理基板Ｗをマウントする処理や、被処理基板Ｗをチップ毎にダイシングする処理などである。
The to-be-processed substrate W cleaned by the
第２洗浄装置３４は、剥離装置３１において重合基板Ｔから剥離された支持基板Ｓの洗浄を行う。第２洗浄装置３４によって洗浄された支持基板Ｓは、第１搬送装置２１によって搬入出ステーション１０へ搬送される。
The
第２搬送領域４０は、剥離処理ステーション３０と後処理ステーションＭとの間に設けられる。第２搬送領域４０には、Ｘ軸方向に延在する搬送路４１上を移動可能な第３搬送装置１２０が設置され、この第３搬送装置１２０によって剥離処理ステーション３０および後処理ステーションＭ間における被処理基板Ｗの搬送が行われる。第３搬送装置１２０は、第２搬送装置１１０と同様、ベルヌーイの原理を利用して被処理基板Ｗを非接触状態で搬送する。かかる第３搬送装置１２０の構成については、図３等を用いて説明する。
The
また、第２搬送領域４０には、第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４が、Ｘ軸負方向に、第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４の順で並べて配置される。これら第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４は、たとえば第１洗浄装置３３と同様の構成の洗浄装置であり、スピンチャック２１０と同様のスピンチャック２２０，２３０をそれぞれ備える。被処理基板Ｗは、これら第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４によって洗浄されたうえで、後処理ステーションＭへ受け渡される。
Further, in the
さらに、第２搬送領域４０には、剥離システム１と後処理ステーションＭとの間で被処理基板Ｗの受け渡しを行うための受渡部４５が配置される。受渡部４５は、被処理基板Ｗを吸着保持するポーラスチャック２４０を備える。被処理基板Ｗは、第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４によって洗浄された後、第３搬送装置１２０によってポーラスチャック２４０上に載置され、ポーラスチャック２４０によって吸着保持される。
Furthermore, a
なお、ポーラスチャック２４０は、スピンチャック２１０，２２０，２３０と異なり回転機能を有しておらず、また、被処理基板Ｗの洗浄を行うものではないためスピンチャック２１０と比較して径が大きい。
Unlike the spin chucks 210, 220, and 230, the porous chuck 240 does not have a rotating function and does not clean the substrate W to be processed, and therefore has a larger diameter than the
制御装置５０は、剥離システム１の動作を制御する装置であり、たとえば搬送制御部５１を備える。搬送制御部５１は、第２搬送装置１１０および第３搬送装置１２０による重合基板Ｔや被処理基板Ｗ等の基板の搬送を制御する処理部である。
The
なお、制御装置５０は、たとえばコンピュータであり、図示しない記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置５０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体として、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
The
被処理基板Ｗの厚さは、たとえば３５〜１００μｍと薄く、反りが生じ易い。被処理基板Ｗが反っていると、第２搬送装置１１０や第３搬送装置１２０などの基板保持装置と、スピンチャック２１０，２２０，２３０やポーラスチャック２４０などの基板保持装置との間での被処理基板Ｗの受け渡しが困難となるおそれがある。
The thickness of the substrate W to be processed is as thin as 35 to 100 μm, for example, and is likely to warp. If the substrate to be processed W is warped, the substrate to be processed between the substrate holding device such as the
たとえば、スピンチャック上に載置された被処理基板をベルヌーイチャックを用いて受け取る場合、被処理基板が反っていると被処理基板の反った部分がベルヌーイチャックと接触するおそれがある。 For example, when a substrate to be processed placed on a spin chuck is received using a Bernoulli chuck, if the substrate to be processed is warped, the warped portion of the substrate to be processed may come into contact with the Bernoulli chuck.
そこで、第１の実施形態に係る剥離システム１では、第２搬送装置１１０および第３搬送装置１２０に対して、被処理基板Ｗの反りを矯正するための流体噴出部を設けることとした。
Therefore, in the peeling system 1 according to the first embodiment, the fluid ejection unit for correcting the warp of the substrate W to be processed is provided for the
以下では、本願の開示する基板保持装置の一例である第３搬送装置１２０の具体的な構成および動作について説明する。なお、基板保持装置の他の一例である第２搬送装置１１０は、第３搬送装置１２０と同一構成であるため、第２搬送装置１１０の構成および動作については説明を省略する。
Below, the specific structure and operation | movement of the 3rd conveying
＜２．第３搬送装置の構成＞
まず、第３搬送装置１２０の構成について図３および図４を参照して説明する。図３は、第３搬送装置１２０の模式側面図であり、図４は、第３搬送装置１２０の模式斜視図である。
<2. Configuration of third transfer device>
First, the structure of the 3rd conveying
図３に示すように、第３搬送装置１２０は、本体部１２１と、吸着保持部１２２と、流体噴出部１２３と、係止部１２４とを備える。本体部１２１は、被処理基板Ｗと略同径を有する円板状の部材である（図４参照）。
As shown in FIG. 3, the
吸着保持部１２２は、ベルヌーイの原理を利用して被処理基板Ｗを非接触で吸着保持する部材である。かかる吸着保持部１２２は、本体部１２１に対して複数設けられる。具体的には、図４に示すように、吸着保持部１２２は、本体部１２１の主面に対して円周状に、かつ、内周側と外周側の二重に配置される。また、各吸着保持部１２２は、互いに所定の間隔を空けて配置される。
The
各吸着保持部１２２は、送気管１３１を介して送気装置１３２と接続され、送気装置１３２から送気管１３３を介して送気される気体を噴出する。
Each
具体的には、各吸着保持部１２２は、本体部１２１と対向する被処理基板Ｗへ近づくに連れて口径が漸次大きくなる形状を有しており、気体は、かかる被処理基板Ｗの板面に沿って噴出されることとなる。この結果、被処理基板Ｗの板面に負圧が生じ、この負圧が被処理基板Ｗの板面と第３搬送装置１２０の保持面との間隔に応じて変化することで、被処理基板Ｗは、非接触状態で保持された状態となる。
Specifically, each
流体噴出部１２３は、被処理基板Ｗの外周部に対して気体を噴出する部材である。各流体噴出部１２３は、送気管１３３を介して送気装置１３４と接続され、送気装置１３４から送気管１３３を介して送気される気体を被処理基板Ｗの外周部へ向けて噴出する。第３搬送装置１２０は、かかる流体噴出部１２３から噴出される気体を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正しつつ、吸着保持部１２２を用いて被処理基板Ｗの吸着保持を行う。
The
また、図４に示すように、流体噴出部１２３は、本体部１２１の主面のうち吸着保持部１２２よりも外周部側の領域に対し、吸着保持部１２２と同心円状に並べて複数設けられる。流体噴出部１２３をこのように配置することで、円板状の被処理基板Ｗの外周部に生じる反りを効果的に矯正することができる。
As shown in FIG. 4, a plurality of
また、各流体噴出部１２３は、外周側に配置される各吸着保持部１２２の略中間位置にそれぞれ設けられる。このように、流体噴出部１２３を吸着保持部１２２からできるだけ離して配置することで、流体噴出部１２３から噴出される気体と流体噴出部１２３から噴出される気体との干渉を防止することができる。
Moreover, each
係止部１２４は、本体部１２１の主面と直交する向きに突出する部材であり、本体部１２１の外周に対して所定の間隔を空けて複数設けられる。これらの係止部１２４によって、被処理基板Ｗは、本体部１２１からの脱落等が防止される。
The locking
なお、本体部１２１に対して設けられる吸着保持部１２２、流体噴出部１２３および係止部１２４の個数および配置は、図４に示したものに限定されない。
In addition, the number and arrangement of the
また、第３搬送装置１２０は、移動機構１４０を備える。移動機構１４０は、第１アーム１４１と、第２アーム１４２と、基部１４３とを備える。第１アーム１４１は、水平方向に延在し、先端部において本体部１２１を支持する。第２アーム１４２は、鉛直方向に延在し、先端部において第１アーム１４１の基端部を支持する。
In addition, the
基部１４３は、搬送路４１（図１参照）に固定され、第２アーム１４２を支持する。基部１４３には、モータ等の駆動機構が設けられており、かかる駆動機構によって第２アーム１４２は鉛直方向に昇降する。
The
なお、第２搬送装置１１０が備える移動機構の基部は、たとえば、受渡室３２の床面に固定される。
In addition, the base part of the moving mechanism with which the 2nd conveying
＜３．第１洗浄装置の構成＞
次に、スピンチャック２１０を備える第１洗浄装置３３の構成について図５を用いて説明する。図５は、第１洗浄装置３３の模式側面図である。
<3. Configuration of first cleaning device>
Next, the structure of the 1st washing | cleaning
図５に示すように、第１洗浄装置３３は、内部を密閉可能な処理容器３３１を有している。処理容器３３１の側面には、被処理基板Ｗの搬入出口（図示せず）が形成され、かかる搬入出口には、図示しない開閉シャッタが設けられる。
As shown in FIG. 5, the 1st washing | cleaning
処理容器３３１内の中央部には、被処理基板Ｗを吸着保持して回転させるスピンチャック２１０が設けられる。スピンチャック２１０は、円板状の本体部２１１と、本体部２１１の上面側に設けられた吸着保持部２１２とを備える。
A
吸着保持部２１２は、たとえば炭化ケイ素などのセラミック素材で形成される多孔質体を含んで構成される。スピンチャック２１０は、本体部２１１の上面に載置された被処理基板Ｗを吸着保持部２１２が有する多孔質体を介して吸引することにより、かかる被処理基板Ｗを吸着保持する。
The
スピンチャック２１０の下方には、支柱２１３が設けられる。支柱２１３は、下端部が基部２１４によって支持されるとともに、上端部においてスピンチャック２１０を支持する。基部２１４は、たとえば処理容器３３１の床面に固定される。
A
基部２１４には、支柱２１３を回転させるモータ等の駆動部（図示せず）が設けられる。かかる駆動部によって支柱２１３が回転すると、かかる回転に伴ってスピンチャック２１０が回転することとなる。また、図示しない駆動部には、シリンダ等の昇降駆動源が設けられており、かかる昇降駆動源によって支柱２１３およびスピンチャック２１０を昇降させることができる。
The
また、スピンチャック２１０の周囲には、被処理基板Ｗから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ３３３が設けられる。カップ３３３の下面には、回収した液体を排出する排出管３３４と、カップ３３３内の雰囲気を真空引きして排気する排気管３３５が接続される。
Further, around the
また、第１洗浄装置３３は、被処理基板Ｗに対して有機溶剤等の洗浄液を供給する洗浄液ノズル６８を備える。洗浄液ノズル６８は、処理容器３３１内に設けられた図示しないレールに沿って、カップ３３３外の待機部６９からカップ３３３内の被処理基板Ｗの中心位置まで移動可能である。また、洗浄液ノズル６８は、図示しない昇降機構によって被処理基板Ｗまでの高さが調節される。
The
洗浄液ノズル６８は、たとえば２流体ノズルであり、洗浄液を供給するための供給管６１および窒素等の不活性ガスを供給するための供給管６４とそれぞれ接続している。供給管６１には、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源６２が、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群６３を介して接続される。また、供給管６４には、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源６５が、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群６６を介して接続される。
The cleaning
洗浄液ノズル６８へ供給された洗浄液および不活性ガスは、洗浄液ノズル６８内で混合され、洗浄液ノズル６８から被処理基板Ｗへ供給される。第１洗浄装置３３は、スピンチャック２１０を回転させつつ、被処理基板Ｗに対して洗浄液等を供給することで、被処理基板Ｗを洗浄する。
The cleaning liquid and the inert gas supplied to the cleaning
かかる第１洗浄装置３３では、洗浄液等が被処理基板Ｗの表面だけでなく裏面へも供給されるように、スピンチャック２１０の本体部２１１の径が、被処理基板Ｗの径よりも小さく形成されている。したがって、被処理基板Ｗは、スピンチャック２１０よりも外側、具体的には、吸着保持部２１２よりも外側の部分が吸着保持されないこととなる。被処理基板Ｗの反りは、このような状況において発生し易い。
In the
なお、第３洗浄装置４３が備えるスピンチャック２２０および第４洗浄装置４４が備えるスピンチャック２３０は、第１洗浄装置３３が備えるスピンチャック２１０と同様の構成であり、説明を省略する。
Note that the
＜４．第３搬送装置による吸着保持動作＞
次に、第３搬送装置１２０による被処理基板Ｗの吸着保持動作について、図６Ａ〜図６Ｃを参照して説明する。図６Ａ〜図６Ｃは、第３搬送装置１２０による吸着保持動作の説明図である。
<4. Adsorption holding operation by the third transport device>
Next, the suction holding operation of the substrate W to be processed by the
なお、第３搬送装置１２０による吸着保持動作は、制御装置５０が備える搬送制御部５１によって制御される。また、図６Ａ〜図６Ｃでは、一例として、第３搬送装置１２０が、第１洗浄装置３３のスピンチャック２１０から被処理基板Ｗを受け取る場合の例について説明する。
The suction holding operation by the
図６Ａに示すように、被処理基板Ｗは、スピンチャック２１０上で凹状に反っているものとする。すなわち、被処理基板Ｗは、外周部がスピンチャック２１０の吸着保持部２１２から離れる方向に反っているものとする。
As shown in FIG. 6A, the substrate W to be processed is warped in a concave shape on the
第３搬送装置１２０は、図６Ｂに示すように、流体噴出部１２３から気体をＺ軸負方向（鉛直下向き）に噴出させながら、スピンチャック２１０上の被処理基板Ｗへ向けて降下する。
As shown in FIG. 6B, the
本体部１２１は、被処理基板Ｗとほぼ同径であり、流体噴出部１２３は、本体部１２１の外周部近傍に設けられる。このため、流体噴出部１２３から噴出される気体は、被処理基板Ｗの外周部に当たることとなる。この結果、被処理基板Ｗの外周部が鉛直下向きに押し下げられ、被処理基板Ｗの反りが矯正される。なお、流体噴出部１２３によって反りが矯正されることで、被処理基板Ｗは、スピンチャック２１０の吸着保持部２１２全面で吸着保持されるようになる。
The
このようにして、第３搬送装置１２０は、流体噴出部１２３を被処理基板Ｗの反りを矯正しながら、吸着保持部１２２が被処理基板Ｗの吸着保持を行う位置（以下、「受渡位置」と記載する）まで降下する。
In this way, the
そして、第３搬送装置１２０は、被処理基板Ｗの受渡位置に到達すると、吸着保持部１２２を用いて被処理基板Ｗを非接触状態で吸着保持する。これにより、被処理基板Ｗは、スピンチャック２１０から第３搬送装置１２０へ受け渡される（図６Ｃ参照）。スピンチャック２１０による吸着保持は、第３搬送装置１２０が被処理基板Ｗを吸着保持した後に解除される。
When the
このように、第３搬送装置１２０は、流体噴出部１２３を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正しつつ、吸着保持部１２２を用いて被処理基板Ｗの吸着保持を行う。このため、吸着保持部１２２を用いて被処理基板Ｗの吸着保持を行う際に、被処理基板Ｗの反った部分が第３搬送装置１２０と接触して損傷したり、被処理基板Ｗが適切に吸着されなかったりする事態を防ぐことができる。したがって、第１の実施形態に係る剥離システム１によれば、反りのある被処理基板Ｗの受け渡しおよび保持を適切に行うことができる。
As described above, the
なお、被処理基板Ｗが凸状に反っている場合、すなわち、被処理基板Ｗが図６Ａとは逆方向に反っている場合には、スピンチャック２１０の上面が被処理基板Ｗによって覆われて略密閉状態となる。この結果、被処理基板Ｗは、スピンチャック２１０によって吸着され、反りが矯正されることとなる。このように、被処理基板Ｗが凸状に反っている場合には、第３搬送装置１２０の流体噴出部１２３を用いずとも、被処理基板Ｗの保持や受け渡しを比較的容易に行うことができる。
When the substrate to be processed W is warped in a convex shape, that is, when the substrate to be processed W is warped in the opposite direction to FIG. 6A, the upper surface of the
次に、搬送制御部５１が実行する流量制御処理の処理手順について図７を用いて説明する。図７は、流量制御処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図７には、流体噴出部１２３から気体を噴出させる処理を開始してから、第３搬送装置１２０によって被処理基板Ｗが吸着保持されるまでの処理手順を示している。
Next, a processing procedure of the flow rate control process executed by the
図７に示すように、搬送制御部５１は、まず、流体噴出部１２３のみから気体を噴出させる（ステップＳ１０１）。ステップＳ１０１の実行タイミング、すなわち、流体噴出部１２３から気体を噴出させるタイミングとしては、たとえば、第３搬送装置１２０がスピンチャック２１０へ向けて降下を開始したときである。
As shown in FIG. 7, the
つづいて、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０の吸着保持部１２２が受渡位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ１０２）。そして、搬送制御部５１は、受渡位置に到達したと判定すると（ステップＳ１０２，Ｙｅｓ）、吸着保持部１２２からの気体噴出を開始し（ステップＳ１０３）、その直後、流体噴出部１２３からの気体噴出を停止する（ステップＳ１０４）。
Subsequently, the
なお、被処理基板Ｗは薄いため、かかる被処理基板Ｗの反りを矯正するための力は、比較的小さくてよい。このため、流体噴出部１２３から噴出される気体の流量は、吸着保持部１２２から噴出される気体の流量よりも少なく設定される。
In addition, since the to-be-processed substrate W is thin, the force for correcting the curvature of this to-be-processed substrate W may be comparatively small. For this reason, the flow rate of the gas ejected from the
つづいて、搬送制御部５１は、吸着保持部１２２が被処理基板Ｗを吸着保持した後、スピンチャック２１０をオフして（ステップＳ１０５）、流量制御処理を終了する。なお、ステップＳ１０２において第３搬送装置１２０が受渡位置に到達していない場合（ステップＳ１０２，Ｎｏ）、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０が受渡位置に到達するまで、ステップＳ１０２の判定処理を繰り返す。
Subsequently, after the
上述してきたように、第１の実施形態に係る第３搬送装置１２０は、吸着保持部１２２と、流体噴出部１２３とを備える。吸着保持部１２２は、気体を噴出して被処理基板Ｗとの間に負圧を発生させることによって被処理基板Ｗを非接触状態で吸着保持する。そして、流体噴出部１２３は、吸着保持部１２２よりも被処理基板Ｗの外周部側に設けられ、被処理基板Ｗの外周部に対して流体を噴出する。
As described above, the
したがって、第１の実施形態に係る第３搬送装置１２０によれば、仮に、被処理基板Ｗが反っていたとしても、流体噴出部１２３によって被処理基板Ｗの反りを矯正することができるため、反りのある被処理基板Ｗの受け渡しおよび保持を容易に行うことができる。
Therefore, according to the
なお、ここでは、吸着保持部１２２からの気体噴出を開始した後、流体噴出部１２３からの気体噴出を停止することとしたが、吸着保持部１２２によって被処理基板Ｗを吸着保持させた後も、流体噴出部１２３からの気体噴出を継続させてもよい。これにより、第３搬送装置１２０による被処理基板Ｗの搬送中においても被処理基板Ｗの反りが流体噴出部１２３によって矯正され続けるため、被処理基板Ｗと第３搬送装置１２０との接触等をより確実に防止することができる。
Here, after the gas ejection from the
ところで、流体噴出部１２３から噴出される気体の流量は、可変であってもよい。そこで、流体噴出部１２３から噴出される気体の流量を被処理基板Ｗの反り具合に応じて変更する場合の例について図８Ａおよび図８Ｂを用いて説明する。図８Ａは、剥離システム１の他の構成を示す図である。また、図８Ｂは、被処理基板Ｗの反りと流体噴出部１２３から噴出される気体の流量との関係を示す図である。
By the way, the flow rate of the gas ejected from the
図８Ａに示すように、剥離システム１は、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラなどの撮像装置１５０をさらに備える。撮像装置１５０は、たとえば、第１洗浄装置３３の処理容器３３１内に配置され、スピンチャック２１０によって吸着保持された被処理基板Ｗを撮像する。撮像装置１５０によって撮像された被処理基板Ｗの画像データは、図示しない通信線を介して搬送制御部５１へ入力される。
As shown in FIG. 8A, the peeling system 1 further includes an
なお、撮像装置１５０は、たとえばカップ３３３（図５参照）の内部へ配置してもよいし、カップ３３３の外部へ配置してもよい。撮像装置１５０をカップ３３３の内部へ配置する場合には、防水性を有する撮像装置を用いることが好ましい。
Note that the
搬送制御部５１は、撮像装置１５０から取得した被処理基板Ｗの画像データに基づいて、被処理基板Ｗの反り具合を判定し、判定結果に応じて流体噴出部１２３から噴出される気体の流量を変更する。具体的には、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合が大きいほど、流体噴出部１２３の流量を多くする。
The
たとえば、図８Ｂに示すように、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「大」、「中」、「小」の３段階で判定する。そして、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「大」と判定した場合には、流体噴出部１２３の流量を「多」に設定し、被処理基板Ｗの反り具合を「中」と判定した場合には、流体噴出部１２３の流量を「多」よりも少ない「中」に設定する。また、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「小」と判定した場合には、流体噴出部１２３の流量を「中」よりも少ない「少」に設定する。
For example, as illustrated in FIG. 8B, the
このように、第３搬送装置１２０は、被処理基板Ｗの反りが大きいほど流体噴出部１２３の流量を多くすることで、被処理基板Ｗの反りをより適切な流量で矯正することができる。
Thus, the
また、第３搬送装置１２０は、流体噴出部１２３の流量だけでなく、流体噴出部１２３の作動タイミング、すなわち、流体噴出部１２３から気体を噴出させるタイミングを被処理基板Ｗの反り具合に応じて変更してもよい。かかる点について図８Ｃを用いて説明する。図８Ｃは、被処理基板Ｗの反りと流体噴出部１２３の作動タイミングとの関係を示す図である。
Moreover, the 3rd conveying
図８Ｃに示すように、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合が大きいほど、流体噴出部１２３を作動させるタイミングを早くする。具体的には、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「大」と判定した場合には、流体噴出部１２３の作動タイミングを「早」に設定し、被処理基板Ｗの反り具合を「中」と判定した場合には、流体噴出部１２３の作動タイミングを「早」よりも遅い「中」に設定する。また、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「小」と判定した場合には、流体噴出部１２３の作動タイミングを「中」よりも遅い「遅」に設定する。
As illustrated in FIG. 8C, the
被処理基板Ｗの反りが大きいほど、被処理基板Ｗの外周部がより高い位置に位置することとなり、被処理基板Ｗと第３搬送装置１２０との干渉タイミングが早くなる。このため、第３搬送装置１２０は、被処理基板Ｗの反りが大きいほど流体噴出部１２３の作動タイミングを早めることで、第３搬送装置１２０と被処理基板Ｗとの接触を確実に防止することができる。
As the warpage of the substrate to be processed W increases, the outer peripheral portion of the substrate to be processed W is positioned at a higher position, and the interference timing between the substrate to be processed W and the
また、上述した第１の実施形態では、流体噴出部１２３から噴出される気体の向きを鉛直下向きとしたが、流体噴出部１２３から噴出される気体の向きは、鉛直下向きに限定されない。
Moreover, in 1st Embodiment mentioned above, although the direction of the gas ejected from the
そこで、以下では、流体噴出部１２３から噴出される気体の向きを鉛直下向き以外の向きとする場合の変形例について図９Ａを用いて説明する。図９Ａは、第３搬送装置の他の構成例を示す図である。
Therefore, in the following, a modification example in which the direction of the gas ejected from the
図９Ａに示すように、第３搬送装置１２０ａが備える流体噴出部１２３ａは、被処理基板Ｗの反りに基づいてあらかじめ決定された角度θで取り付けられており、かかる角度θで被処理基板Ｗへ向けて気体を噴出する。これにより、気体を鉛直下向きに向けて噴出する場合と比較して、より少ない流量で効果的に被処理基板Ｗの反りを矯正することができる。
As shown in FIG. 9A, the
また、流体噴出部１２３の角度を変更可能に構成し、被処理基板Ｗの反り具合に応じて流体噴出部１２３から噴出される気体の角度を調整してもよい。かかる点について図９Ｂおよび図９Ｃを用いて説明する。図９Ｂは、第３搬送装置の他の構成例を示す図であり、図９Ｃは、被処理基板Ｗの反りと流体噴出部から噴出される気体の角度との関係を示す図である。
Further, the angle of the
図９Ｂに示すように、第３搬送装置１２０ｂが備える流体噴出部１２３ｂは、たとえば本体部１２１ｂに内蔵されたモータ等の駆動部によって気体の噴出角度を変更することができる。また、第１洗浄装置３３には、図８Ａに示す撮像装置１５０と同様の撮像装置１５０ｂが設けられる。
As shown in FIG. 9B, the
搬送制御部５１は、撮像装置１５０ｂから取得した被処理基板Ｗの画像データに基づいて、被処理基板Ｗの反り具合を判定し、判定結果に応じて流体噴出部１２３ｂによる気体の噴出角度θを変更する。具体的には、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合が大きいほど、噴出角度θを大きくする。ここで、噴出角度θは、流体噴出部１２３ｂが本体部１２１ｂの外周部を向くほど大きくなり、中央部を向くほど小さくなるものとする。
The
たとえば、図９Ｃに示すように、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「大」と判定した場合には、噴出角度θを「大」に設定し、被処理基板Ｗの反り具合を「中」と判定した場合には、噴出角度θを「大」よりも小さい「中」に設定する。また、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「小」と判定した場合には、噴出角度θを「中」よりも小さい「小」に設定する。
For example, as shown in FIG. 9C, when the
このように、第３搬送装置１２０ｂは、被処理基板Ｗの反りが大きいほど流体噴出部１２３ｂから噴出される気体の角度を被処理基板Ｗの外周部へ向けて大きくしてもよい。これにより、被処理基板Ｗの外周部に対して流体噴出部１２３ｂから噴出される気体をより効果的に当てることができる。
As described above, the
また、第３搬送装置は、鉛直下向きに取り付けられた第１流体噴出部と、被処理基板Ｗの反りに基づいてあらかじめ決定された角度θで取り付けられた第２流体噴出部とを備える構成であってもよい。第１流体噴出部と第２流体噴出部とはそれぞれ送気管を介して異なる送気装置に接続される。 In addition, the third transport device includes a first fluid ejection unit that is attached vertically downward, and a second fluid ejection unit that is attached at an angle θ determined in advance based on the warp of the substrate W to be processed. There may be. The first fluid ejection part and the second fluid ejection part are each connected to different air supply devices via an air supply pipe.
そして、搬送制御部５１は、撮像装置から取得した被処理基板Ｗの画像データに基づいて被処理基板Ｗの反り具合を判定し、判定結果に応じて、第１流体噴出部および第２流体噴出部のうち使用する流体噴出部を切り替えてもよい。
And the
たとえば、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「小」と判定した場合には、使用する流体噴出部を第１流体噴出部に切り替え、被処理基板Ｗの反り具合を「大」と判定した場合には、使用する流体噴出部を第２流体噴出部に切り替える。このようにすることで、図９Ｂに示すように、気体の噴出角度を変更する機構を本体部に設けることなく、被処理基板Ｗの反りに応じた噴出角度で気体を噴出させることができる。
For example, when it is determined that the degree of warping of the substrate W to be processed is “small”, the
なお、被処理基板Ｗの反り具合の判定方法は、撮像装置１５０，１５０ｂによって撮像された画像データを用いる方法に限定されない。たとえば、測距センサや超音波センサを用いて被処理基板Ｗまでの距離を測定し、かかる距離に応じて被処理基板Ｗの反り具合を判定してもよい。
Note that the method for determining the warpage of the substrate W to be processed is not limited to the method using image data captured by the
（第２の実施形態）
ところで、上述してきた第１の実施形態では、第３搬送装置に対して流体噴出部を設け、かかる流体噴出部を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正する場合の例について説明した。しかし、被処理基板Ｗの反りを矯正する方法は、上記の例に限ったものではなく、たとえば、第３搬送装置の吸着保持部を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正してもよい。
(Second Embodiment)
By the way, in 1st Embodiment mentioned above, the fluid ejection part was provided with respect to the 3rd conveying apparatus, and the example in the case of correct | amending the curvature of the to-be-processed substrate W using this fluid ejection part was demonstrated. However, the method of correcting the warp of the substrate to be processed W is not limited to the above example, and for example, the warp of the substrate to be processed W may be corrected using the suction holding unit of the third transfer device.
以下では、吸着保持部を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正する場合の例について説明する。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Below, the example in the case of correct | amending the curvature of the to-be-processed substrate W using an adsorption | suction holding | maintenance part is demonstrated. In the following description, parts that are the same as those already described are given the same reference numerals as those already described, and redundant descriptions are omitted.
まず、第２の実施形態に係る第３搬送装置の構成について図１０を用いて説明する。図１０は、第２の実施形態に係る第３搬送装置の模式側面図である。 First, the structure of the 3rd conveying apparatus which concerns on 2nd Embodiment is demonstrated using FIG. FIG. 10 is a schematic side view of the third transport device according to the second embodiment.
図１０に示すように、第２の実施形態に係る第３搬送装置１２０ｃは、流体噴出部１２３（図３参照）を備えておらず、本体部１２１には吸着保持部１２２ｃおよび係止部１２４が設けられる。各吸着保持部１２２ｃは、送気管１３１ｃを介して送気装置１３２ｃと接続される。
As shown in FIG. 10, the
ここで、送気管１３１ｃには、送気装置１３２ｃから供給される気体の流量を調整するためのバルブ１３５が設けられており、制御装置５０の搬送制御部５１によってかかるバルブ１３５の開閉が制御される。搬送制御部５１は、かかるバルブ１３５の開閉を制御することによって、各吸着保持部１２２ｃから噴出される気体の流量を調整する。
Here, the
次に、第２の実施形態に係る第３搬送装置１２０ｃによる吸着保持動作について図１１を用いて説明する。図１１は、第２の実施形態に係る流量制御処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図１１には、吸着保持部１２２ｃからの気体噴出を開始してから、第３搬送装置１２０ｃによって被処理基板Ｗが吸着保持されるまでの処理手順を示している。
Next, the suction holding operation by the
図１１に示すように、搬送制御部５１は、まず、吸着保持部１２２ｃの流量を「反り矯正用流量」に調節する（ステップＳ２０１）。「反り矯正用流量」とは、被処理基板Ｗの反りを矯正するための流量であり、吸着保持部１２２ｃが被処理基板Ｗを吸着保持するために必要な流量である「吸着用流量」よりも少ない流量である。
As shown in FIG. 11, the
このように、第３搬送装置１２０ｃが受渡位置に到達する前から、吸着保持部１２２ｃから気体を噴出させておくことで、吸着保持部１２２ｃから噴出される気体によって被処理基板Ｗの反りを矯正することができる。なお、吸着保持部１２２ｃから噴出させる気体の流量を「吸着用流量」よりも少ない「反り矯正用流量」とすることで、第３搬送装置１２０ｃが、受渡位置よりも手前で被処理基板Ｗを吸着保持してしまう事態を防止することができる。
Thus, by warping the gas from the
つづいて、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０ｃの吸着保持部１２２ｃが受渡位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ２０２）。そして、搬送制御部５１は、受渡位置に到達したと判定すると（ステップＳ２０２，Ｙｅｓ）、吸着保持部１２２ｃの流量を「反り矯正用流量」よりも多い「吸着用流量」に調整する（ステップＳ２０３）。これにより、被処理基板Ｗは、第３搬送装置１２０ｃによって非接触で吸着保持される。
Subsequently, the
ステップＳ２０３の処理を終えると、搬送制御部５１は、流量制御処理を終了する。なお、ステップＳ２０２において第３搬送装置１２０ｃが受渡位置に到達していない場合（ステップＳ２０２，Ｎｏ）、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０ｃが受渡位置に到達するまで、ステップＳ２０２の判定処理を繰り返す。
When the process of step S203 is completed, the
上述してきたように、第２の実施形態では、吸着保持部１２２ｃが、気体を噴出して被処理基板Ｗとの間に負圧を発生させることによって被処理基板Ｗを非接触状態で吸着保持する。そして、搬送制御部５１が、吸着保持部１２２ｃが被処理基板Ｗの吸着保持を行う位置に到達するまでの間、被処理基板Ｗとの間で負圧を発生させる流量である吸着用流量（第１流量）よりも少ない反り矯正用流量（第２流量）の気体を吸着保持部１２２ｃから噴出させる流量制御処理を行うこととした。
As described above, in the second embodiment, the
したがって、第２の実施形態によれば、流体噴出部１２３のような専用部材をあらたに付加することなく、既存の部材を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正することができる。
Therefore, according to the second embodiment, the warpage of the substrate W to be processed can be corrected using an existing member without newly adding a dedicated member such as the
（第３の実施形態）
上述した第２の実施形態では、各吸着保持部１２２ｃの流量制御を一律に行う場合の例について説明したが、吸着保持部１２２ｃを複数のエリアで分割し、このエリアごとに流量制御を行うこととしてもよい。
(Third embodiment)
In the second embodiment described above, an example in which the flow rate control of each
以下では、吸着保持部の流量制御をエリアごとに行う場合の例について説明する。図１２Ａは、第３の実施形態に係る第３搬送装置の模式平面図であり、図１２Ｂは、吸着保持部と送気装置との接続関係を示す模式図である。 Below, the example in the case of performing flow control of an adsorption holding part for every area is explained. FIG. 12A is a schematic plan view of a third transport device according to the third embodiment, and FIG. 12B is a schematic diagram showing a connection relationship between the suction holding unit and the air feeding device.
図１２Ａに示すように、第３搬送装置１２０ｄが備える吸着保持部１２２ｄは、第１吸着保持部１２２ｄ＿１と第２吸着保持部１２２ｄ＿２とを備える。
As illustrated in FIG. 12A, the
第１吸着保持部１２２ｄ＿１は、吸着保持部１２２ｄのうち、本体部１２１ｄの中央部に円周状に並べて設けられる吸着保持部であり、第２吸着保持部１２２ｄ＿２は、第１吸着保持部１２２ｄ＿１よりも外周側に円周状に並べて設けられる吸着保持部である。
The first suction holding unit 122d_1 is a suction holding unit that is arranged in a circle at the center of the
図１２Ｂに示すように、第１吸着保持部１２２ｄ＿１は、送気管１３１ｄ＿１を介して第１送気装置１３２ｄ＿１に接続され、第２吸着保持部１２２ｄ＿２は、送気管１３１ｄ＿２を介して第２送気装置１３２ｄ＿２に接続される。また、送気管１３１ｄ＿１には、第１送気装置１３２ｄ＿１から供給される気体の流量を調整するためのバルブ１３５ｄ＿１が設けられ、送気管１３１ｄ＿２には、第２送気装置１３２ｄ＿２から供給される気体の流量を調整するためのバルブ１３５ｄ＿２が設けられる。これらバルブ１３５ｄ＿１，１３５ｄ＿２は、搬送制御部５１によって開閉が制御される。
As shown in FIG. 12B, the first adsorption holding unit 122d_1 is connected to the first air supply device 132d_1 via the air supply tube 131d_1, and the second adsorption holding unit 122d_2 is connected to the second air supply device via the air supply tube 131d_2. 132d_2. In addition, the air supply pipe 131d_1 is provided with a valve 135d_1 for adjusting the flow rate of the gas supplied from the first air supply apparatus 132d_1, and the air supply pipe 131d_2 is provided with the gas supplied from the second air supply apparatus 132d_2. A valve 135d_2 for adjusting the flow rate is provided. The valves 135d_1 and 135d_2 are controlled to be opened and closed by the
なお、ここでは、第３搬送装置１２０ｄが、第１吸着保持部１２２ｄ＿１として４個の吸着保持部、第２吸着保持部１２２ｄ＿２として１７個の吸着保持部を備える場合の例について示すが、第１吸着保持部１２２ｄ＿１および第２吸着保持部１２２ｄ＿２の個数は、図示のものに限定されない。
Here, an example in which the
次に、第３搬送装置１２０ｄによる吸着保持動作について図１３を用いて説明する。図１３は、第３の実施形態に係る流量制御処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図１３には、吸着保持部１２２ｄからの気体噴出を開始してから、第３搬送装置１２０ｄによって被処理基板Ｗが吸着保持されるまでの処理手順を示している。
Next, the suction holding operation by the
図１３に示すように、搬送制御部５１は、まず、第１吸着保持部１２２ｄ＿１をオフとしつつ、第２吸着保持部１２２ｄ＿２から「反り矯正用流量」で気体を噴出させる（ステップＳ３０１）。これにより、第２吸着保持部１２２ｄ＿２から噴出される気体によって、被処理基板Ｗの反りが矯正されることとなる。
As illustrated in FIG. 13, the
このように、第３の実施形態では、第２吸着保持部１２２ｄ＿２が「反り矯正用流量」で気体を噴出している間、第１吸着保持部１２２ｄ＿１の流量をゼロとする。すなわち、本体部１２１ｄの中央部に配置される第１吸着保持部１２２ｄ＿１は、被処理基板Ｗの反りの矯正には直接的には寄与し難い。このため、第３の実施形態では、かかる第１吸着保持部１２２ｄ＿１の流量を「反り矯正用流量」よりも少なくすることで、第１吸着保持部１２２ｄ＿１による気体の無駄な噴出を防止することができる。
Thus, in the third embodiment, the flow rate of the first suction holding unit 122d_1 is set to zero while the second suction holding unit 122d_2 is ejecting the gas at the “warp correction flow rate”. That is, the first suction holding unit 122d_1 disposed at the center of the
つづいて、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０ｄが受渡位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ３０２）。そして、搬送制御部５１は、受渡位置に到達したと判定すると（ステップＳ３０２，Ｙｅｓ）、第１吸着保持部１２２ｄ＿１および第２吸着保持部１２２ｄ＿２から「吸着用流量」で気体を噴出させる（ステップＳ３０３）。これにより、被処理基板Ｗは、第３搬送装置１２０ｄによって非接触で吸着保持される。
Subsequently, the
ステップＳ３０３の処理を終えると、搬送制御部５１は、流量制御処理を終了する。なお、ステップＳ３０２において第３搬送装置１２０ｄが受渡位置に到達していない場合（ステップＳ３０２，Ｎｏ）、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０ｄが受渡位置に到達するまで、ステップＳ３０２の判定処理を繰り返す。
When the process of step S303 is completed, the
上述してきたように、第３の実施形態では、吸着保持部１２２ｄが、円周状に並べて設けられる複数の第１吸着保持部１２２ｄ＿１と、第１吸着保持部１２２ｄ＿１よりも外周側において円周状に並べて設けられる複数の第２吸着保持部１２２ｄ＿２とを備える。そして、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０ｄが受渡位置に到達するまでの間、第２吸着保持部１２２ｄ＿２から「反り矯正用流量」で気体を噴出させることとした。これにより、第１吸着保持部１２２ｄ＿１からの気体の無駄な噴出を防止することができる。
As described above, in the third embodiment, the
また、搬送制御部５１は、吸着保持部１２２ｄが受渡位置に到達するまでの間、第１吸着保持部１２２ｄ＿１の流量を「反り矯正用流量」よりも少ない流量（第３流量）とすることで、第１吸着保持部１２２ｄ＿１による気体の無駄な噴出を防止することができる。なお、ここでは、第３流量がゼロである場合の例を示したが、第３流量は、「反り矯正用流量」よりも少ない量であればゼロ以外であってもよい。
Further, the
（第４の実施形態）
上述した第１の実施形態では、流体噴出部を用いて被処理基板の反りを矯正する場合の例を、第２の実施形態および第３の実施形態では、吸着保持部を用いて被処理基板の反りを矯正する場合の例を、それぞれ示した。しかし、これに限ったものではなく、第３搬送装置は、流体噴出部および吸着保持部の双方を用いて被処理基板の反りの矯正を行ってもよい。以下では、かかる場合の例について図１４を用いて説明する。図１４は、第４の実施形態に係る第３搬送装置による吸着保持動作の説明図である。
(Fourth embodiment)
In the first embodiment described above, an example in which the warp of the substrate to be processed is corrected using the fluid ejection portion, and in the second embodiment and the third embodiment, the substrate to be processed is used using the suction holding portion. An example of correcting the warpage was shown. However, the present invention is not limited to this, and the third transport device may correct the warpage of the substrate to be processed using both the fluid ejection unit and the suction holding unit. Hereinafter, an example of such a case will be described with reference to FIG. FIG. 14 is an explanatory diagram of the suction holding operation by the third transport device according to the fourth embodiment.
なお、図１４では、便宜上、吸着保持部１２２ｅのうち、本体部１２１ｅの略中央部に位置する４つの吸着保持部を第１吸着保持部１２２ｅ＿１とし、第１吸着保持部１２２ｅ＿１の両側にそれぞれ位置する３つの吸着保持部を第２吸着保持部１２２ｅ＿２とする。これら第１吸着保持部１２２ｅ＿１および第２吸着保持部１２２ｅ＿２の配置は、第３の実施形態に係る第１吸着保持部１２２ｄ＿１および第２吸着保持部１２２ｄ＿２と同様である（図１２Ａ参照）。
In FIG. 14, for the sake of convenience, among the
図１４に示すように、第４の実施形態に係る第３搬送装置１２０ｅは、本体部１２１ｅの主面のうち、第２吸着保持部１２２ｅ＿２よりも外周側の領域に流体噴出部１２３ｅを備える。流体噴出部１２３ｅは、第１の実施形態に係る流体噴出部１２３と同様、吸着保持部１２２ｅと同心円状に並べて複数設けられる。
As shown in FIG. 14, the
第３搬送装置１２０ｅは、受渡位置に到達するまでの間、第１吸着保持部１２２ｅ＿１の流量をゼロとしつつ、流体噴出部１２３ｅおよび第２吸着保持部１２２ｅ＿２から気体を噴出させる。このとき、搬送制御部５１は、第２吸着保持部１２２ｅ＿２の流量を、第３の実施形態と同様、「反り矯正用流量」に調整する。流体噴出部１２３ｅおよび第２吸着保持部１２２ｅ＿２から噴出される気体により、被処理基板Ｗの反りは矯正される。
The
このように、第４の実施形態では、流体噴出部１２３ｅおよび第２吸着保持部１２２ｅ＿２を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正する。これにより、被処理基板Ｗの外周部を含む広い範囲に対して気体を当てることができるため、被処理基板Ｗの反りを確実かつ安定して矯正することができる。
Thus, in the fourth embodiment, the warpage of the substrate W to be processed is corrected using the
また、流体噴出部１２３ｅは、第１の実施形態に係る流体噴出部１２３と同様、外周側に配置される第２吸着保持部１２２ｅ＿２のうち隣接する２つの第２吸着保持部１２２ｅ＿２の略中間位置にそれぞれ設けられる。流体噴出部１２３ｅをかかる位置に配置することで、吸着保持部１２２ｅおよび流体噴出部１２３ｅは、被処理基板Ｗの外周部の全周に亘って気体を満遍なく当てることができる。
Moreover, the
なお、上述してきた各実施形態では、第３搬送装置１２０，１２０ａ〜１２０ｅが、第１洗浄装置３３との間で被処理基板Ｗの受け渡しを行う場合の例について説明した。しかし、これに限らず、第３搬送装置１２０，１２０ａ〜１２０ｅは、第３洗浄装置４３、第４洗浄装置４４および受渡部４５との間においても同様の吸着保持動作を行う。また、第３搬送装置１２０，１２０ａ〜１２０ｅに限らず、第２搬送装置１１０も、第３搬送装置１２０，１２０ａ〜１２０ｅと同様の吸着保持動作を剥離装置３１や第１洗浄装置３３等との間で行う。
In each of the embodiments described above, an example in which the
また、上述してきた各実施形態では、吸着保持部や流体噴出部から噴出される流体が気体である場合の例について説明したが、吸着保持部や流体噴出部は、気体に代えて水または各種処理液等を噴出することとしてもよい。 Moreover, although each embodiment mentioned above demonstrated the example in case the fluid ejected from an adsorption | suction holding | maintenance part or a fluid ejection part is gas, an adsorption | suction holding | maintenance part and a fluid ejection part replace water with water or various It is good also as ejecting a process liquid etc.
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。 Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Thus, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments shown and described above. Accordingly, various modifications can be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.
Ｔ 重合基板
Ｗ 被処理基板
Ｓ 支持基板
Ｇ 接着剤
１ 剥離システム
３０ 剥離処理ステーション
３１ 剥離装置
３２ 受渡室
１１０ 第２搬送装置
３３ 第１洗浄装置
２１０ スピンチャック
４０ 第２搬送領域
１２０ 第３搬送装置
１２１ 本体部
１２２ 吸着保持部
１２３ 流体噴出部
１２４ 係止部
５０ 制御装置
５１ 搬送制御部
T Superposed substrate W Substrate S Support substrate G Adhesive 1
Claims (8)
前記吸着保持部よりも前記基板の外周部側に設けられ、前記基板の外周部に対して流体を噴出する流体噴出部と
を有する第１基板保持装置と、
前記基板を吸引保持可能に設けられた第２基板保持装置と
を備え、
前記第１基板保持装置は、
前記第２基板保持装置に前記基板が載置されている場合に、前記流体噴出部から前記流体を噴出させつつ前記基板へ接近し、
前記第２基板保持装置は、
接近する前記第１基板保持装置の前記吸着保持部が前記基板を吸着保持する位置に到達して前記基板を吸着保持するまでの間、前記基板を吸引保持すること
を特徴とする基板処理装置。 An adsorption holding unit for adsorbing and holding the substrate in a non-contact state by generating a negative pressure between the substrate by ejecting a fluid; and
A first substrate holding device having a fluid ejection portion provided on the outer peripheral portion side of the substrate with respect to the suction holding portion and ejecting fluid to the outer peripheral portion of the substrate;
A second substrate holding device provided to suck and hold the substrate;
With
The first substrate holding device includes:
When the substrate is placed on the second substrate holding device, the fluid is ejected from the fluid ejecting portion and approaches the substrate,
The second substrate holding device includes:
The substrate processing apparatus , wherein the substrate is sucked and held until the suction holding portion of the approaching first substrate holding device reaches the position where the substrate is sucked and held and holds the substrate by suction .
前記吸着保持部よりも少ない流量で前記流体を噴出すること
を特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 The fluid ejection part is
The substrate processing apparatus according to claim 1, characterized in that for ejecting the fluid with less flow than before Symbol suction holder.
前記吸着保持部の口径よりも小さいこと
を特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。 The diameter of the fluid ejection part is
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is smaller than a diameter of the suction holding unit.
円周状に並べて複数設けられ、
前記流体噴出部は、
前記吸着保持部の外周側において前記吸着保持部と同心円状に並べて複数設けられること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The suction holding unit is
A plurality are arranged in a circle,
The fluid ejection part is
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of concentric circular arrangements are provided on the outer peripheral side of the suction holding unit.
前記基板の反りに基づいて決定される角度で前記流体を噴出すること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The fluid ejection part is
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the fluid is ejected at an angle determined based on warpage of the substrate.
を有する第１基板保持装置と、
前記基板を吸引保持可能に設けられた第２基板保持装置と
を備え、
前記吸着保持部は、
円周状に並べて設けられる複数の第１吸着保持部と、
前記第１吸着保持部の外周側において前記第１吸着保持部と同心円状に並べて設けられる複数の第２吸着保持部と
を有し、
前記第１基板保持装置は、
前記第２基板保持装置に前記基板が載置されている場合に、前記非接触状態で前記基板を吸着保持する流量である第１流量よりも少ない第２流量で前記第２吸着保持部から前記流体を噴出させつつ前記基板へ接近し、
前記第２基板保持装置は、
接近する前記第１基板保持装置の前記吸着保持部が前記基板を吸着保持する位置に到達して前記基板を吸着保持するまでの間、前記基板を吸引保持すること
を特徴とする基板処理装置。 A first substrate holding device having a suction holding unit that sucks and holds the substrate in a non-contact state by ejecting a fluid and generating a negative pressure between the substrate and the substrate ;
A second substrate holding device provided to suck and hold the substrate;
With
The suction holding unit is
A plurality of first suction holders arranged side by side in a circumferential shape;
And a second suction holding section on the outer peripheral side of the plurality provided side by side in the first suction holding portion and concentric of the first suction holding portion,
The first substrate holding device includes:
When the substrate is placed on the second substrate holding device, the second suction holding unit is moved from the second suction holding unit with a second flow rate that is smaller than the first flow rate that is the flow rate for sucking and holding the substrate in the non-contact state. Approaching the substrate while ejecting fluid,
The second substrate holding device includes:
Until the suction holding portion of the first substrate held device for attracting and holding the substrate to reach a position for attracting and holding the substrate to approach, the substrate processing apparatus, characterized that you sucking and holding the substrate .
前記第２基板保持装置に前記基板が載置されている場合に、前記流体噴出部から前記流体を噴出させつつ前記第１基板保持装置を前記基板へ接近させるとともに、接近する前記第１基板保持装置の前記吸着保持部が前記基板を吸着保持する位置に到達して前記基板を吸着保持するまでの間、前記第２基板保持装置に前記基板を吸引保持させることによって、前記基板の反りを矯正する矯正工程と、
前記矯正工程によって反りが矯正された状態の前記基板を前記吸着保持部によって吸着保持する吸着保持工程と
を含むことを特徴とする基板保持方法。 A suction holding unit that sucks and holds the substrate in a non-contact state by generating a negative pressure between the substrate by ejecting a fluid, and provided on the outer peripheral side of the substrate with respect to the suction holding unit ; A substrate holding method using a substrate processing apparatus comprising: a first substrate holding device having a fluid ejection portion that ejects fluid to an outer peripheral portion of the substrate; and a second substrate holding device provided so as to be capable of sucking and holding the substrate. Because
When the substrate is placed on the second substrate holding device, the first substrate holding device approaches the substrate and brings the first substrate holding device closer to the substrate while ejecting the fluid from the fluid ejection portion. The second substrate holding device sucks and holds the substrate until the suction holding portion of the apparatus reaches the position where the substrate is sucked and held and the substrate is sucked and held, thereby correcting the warpage of the substrate. Straightening process,
A suction holding step of sucking and holding the substrate in a state in which the warp has been corrected by the correction step by the suction holding unit.
前記第２基板保持装置に前記基板が載置されている場合に、前記非接触状態で前記基板を吸着保持する流量である第１流量よりも少ない第２流量で前記第２吸着保持部から前記流体を噴出させつつ前記第１基板保持装置を前記基板へ接近させるとともに、接近する前記第１基板保持装置の前記吸着保持部が前記基板を吸着保持する位置に到達して前記基板を吸着保持するまでの間、前記第２基板保持装置に前記基板を吸引保持させることによって、前記基板の反りを矯正する矯正工程と、
前記矯正工程によって反りが矯正された状態の前記基板を前記吸着保持部によって吸着保持する吸着保持工程と
を含むことを特徴とする基板保持方法。 A plurality of first suction holding portions arranged in a circumferential manner as suction holding portions for sucking and holding the substrate in a non-contact state by ejecting a fluid and generating a negative pressure with the substrate; 1 and the first substrate holding device that having a second suction holding section on the outer peripheral side of the plurality provided side by side in the first suction holding portion and the concentric suction holder, provided the substrate can suck and hold A substrate holding method using a substrate processing apparatus comprising a second substrate holding apparatus,
When the substrate is placed on the second substrate holding device, the second suction holding unit is moved from the second suction holding unit with a second flow rate that is smaller than the first flow rate that is the flow rate for sucking and holding the substrate in the non-contact state. The first substrate holding device is brought closer to the substrate while ejecting fluid, and the suction holding portion of the approaching first substrate holding device reaches the position where the substrate is sucked and held to suck and hold the substrate. Until the second substrate holding device sucks and holds the substrate, thereby correcting the warp of the substrate,
A suction holding step of sucking and holding the substrate in a state in which the warp has been corrected by the correction step by the suction holding unit .
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