JP6025759B2 - Peeling system - Google Patents

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Description

本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離システムに関する。
The present invention relates to laminated substrate to a release system comprising a release equipment for peeling the substrate to be processed supported substrate.

近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。   In recent years, for example, in semiconductor device manufacturing processes, semiconductor wafers (hereinafter referred to as “wafers”) have become larger in diameter. Further, in a specific process such as mounting, it is required to make the wafer thinner. For example, if a thin wafer with a large diameter is transported or polished as it is, the wafer may be warped or cracked. For this reason, for example, in order to reinforce the wafer, the wafer is attached to, for example, a wafer that is a support substrate or a glass substrate. Then, after a predetermined process such as a wafer polishing process is performed in a state where the wafer and the support substrate are bonded in this way, the wafer and the support substrate are peeled off.

かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている（特許文献１）。   The wafer and the support substrate are peeled off using, for example, a peeling device. The peeling apparatus includes, for example, a first holder that holds a wafer, a second holder that holds a support substrate, and a nozzle that ejects liquid between the wafer and the support substrate. In this peeling apparatus, the liquid is applied between the wafer bonded from the nozzle and the support substrate with an injection pressure larger than the bonding strength between the wafer and the support substrate, preferably at least twice as large as the bonding strength. The wafer and the support substrate are peeled off by spraying (Patent Document 1).

特開平９−１６７７２４号公報JP-A-9-167724

しかしながら、特許文献１に記載の剥離装置を用いた場合、大きい噴射圧で液体を噴射するので、ウェハ又は支持基板が損傷を被るおそれがあった。特に、ウェハは薄型化しているので損傷を受け易い。   However, when the peeling apparatus described in Patent Document 1 is used, since the liquid is ejected with a large ejection pressure, the wafer or the support substrate may be damaged. In particular, since the wafer is thin, it is easily damaged.

また、例えば接着剤を介してウェハと支持基板が接合されている場合、ウェハと支持基板の接合強度が大きいため、非常に大きい噴射圧の液体が必要となり、ウェハと支持基板を剥離するのに多大な時間を要する。   In addition, for example, when the wafer and the support substrate are bonded via an adhesive, the bonding strength between the wafer and the support substrate is high, so a liquid with a very large spray pressure is required, and the wafer and the support substrate are peeled off. It takes a lot of time.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことを目的とする。   This invention is made | formed in view of this point, and it aims at performing the peeling process of a to-be-processed substrate and a support substrate appropriately and efficiently.

前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離システムであって、前記剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有し、前記剥離装置は、被処理基板を保持する第１の保持部と、支持基板を保持する第２の保持部と、前記第２の保持部に保持された支持基板が、その外周部から中心部に向けて前記第１の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離し、その後、支持基板の外周部が鉛直方向に撓んだ状態で支持基板が被処理基板から剥離するように、前記第２の保持部の外周部を保持して鉛直方向に移動させる移動機構と、を有することを特徴としている。 In order to achieve the above object, the present invention provides a peeling system including a peeling device for peeling a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive to the substrate to be processed and the support substrate, A peeling processing station comprising: a peeling device; a first cleaning device that cleans the substrate to be processed peeled by the peeling device; and a second cleaning device that cleans the support substrate peeled by the peeling device; The substrate to be processed, the support substrate, or the polymerization substrate between the separation processing station and the carry-in / out station, and a loading / unloading station for loading / unloading the substrate to be processed, the support substrate or the polymerization substrate with respect to the separation processing station The peeling device is held by the first holding unit that holds the substrate to be processed, the second holding unit that holds the support substrate, and the second holding unit. Support group But toward the center from the outer peripheral portion continuously peeled off from the target substrate held by said first holding portion, then, the outer peripheral portion of the supporting substrate is the supporting substrate in a state flexed vertically And a moving mechanism for holding the outer peripheral portion of the second holding portion and moving it in the vertical direction so as to be peeled off from the substrate to be processed .

本発明の剥離装置によれば、第１の保持部で被処理基板を保持すると共に第２の保持部で支持基板を保持し、第２の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離することができる。このように外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離するので、被処理基板と支持基板を小さい荷重で容易に剥離することができる。このため、被処理基板が損傷を受けることなく、被処理基板と支持基板を適切且つ均一に剥離することができる。さらに、従来よりも剥離処理に要する時間を短縮することもできる。したがって、本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。   According to the peeling apparatus of the present invention, the substrate to be processed is held by the first holding unit, the support substrate is held by the second holding unit, the outer peripheral part of the second holding unit is moved in the vertical direction, The supporting substrate can be continuously peeled from the substrate to be processed from the portion toward the central portion. As described above, since the support substrate is continuously peeled from the substrate to be processed from the outer peripheral portion toward the center portion, the substrate to be processed and the support substrate can be easily peeled with a small load. For this reason, a to-be-processed substrate and a support substrate can be peeled appropriately and uniformly, without being damaged to a to-be-processed substrate. Furthermore, the time required for the peeling treatment can be shortened as compared with the conventional case. Therefore, according to the present invention, it is possible to appropriately and efficiently perform the separation process between the substrate to be processed and the support substrate.

前記移動機構は、前記第２の保持部の外周部を円環状に鉛直方向に移動させ、当該第２の保持部に保持された支持基板を、その外周部から中心部に向けて前記第１の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離させてもよい。   The moving mechanism moves the outer peripheral portion of the second holding portion in an annular shape in the vertical direction, and moves the support substrate held by the second holding portion from the outer peripheral portion toward the central portion. Alternatively, the substrate may be continuously peeled from the substrate to be processed held by the holding unit.

前記第１の保持部は前記第２の保持部の上方に配置され、前記移動機構は前記第２の保持部の外周部を鉛直下方に移動させてもよい。   The first holding unit may be disposed above the second holding unit, and the moving mechanism may move the outer periphery of the second holding unit vertically downward.

前記剥離装置は、前記第１の保持部を回転させる回転機構を有していてもよい。   The peeling apparatus may include a rotation mechanism that rotates the first holding unit.

前記移動機構は、前記第２の保持部を保持し、且つ前記第２の保持部の外周部のみを鉛直方向に移動させる第１の移動部と、前記第１の移動部を保持し、且つ前記第１の移動部と前記第２の保持部を鉛直方向に移動させる第２の移動部と、を有していてもよい。   The moving mechanism holds the first holding unit, holds the second holding unit and moves only the outer peripheral part of the second holding unit in the vertical direction, and holds the first moving unit, and You may have the 2nd moving part which moves the 1st moving part and the 2nd holding part in the perpendicular direction.

前記第１の移動部は、前記第２の保持部の外周部を鉛直方向に移動させる複数のシリンダと、前記複数のシリンダによって前記第２の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第２の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第２の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有していてもよい。   The first moving unit includes a plurality of cylinders that move the outer peripheral part of the second holding unit in the vertical direction, and the outer peripheral part of the second holding unit moves in the vertical direction by the plurality of cylinders. And a support column that supports the central portion of the second holding portion so that the vertical position of the central portion of the second holding portion does not change.

前記第１の移動部は、前記第２の保持部を保持し、鉛直方向に伸縮自在のベローズと、前記ベローズの内部に設けられ、前記ベローズが収縮して前記第２の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第２の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第２の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有していてもよい。   The first moving unit holds the second holding unit, and is provided in a bellows that is extendable in the vertical direction and inside the bellows, and the bellows contracts and an outer peripheral portion of the second holding unit And a support column that supports the central portion of the second holding portion so that the vertical position of the central portion of the second holding portion does not change when moving in the vertical direction. Good.

重合基板はダイシングフレームに装着されていてもよい。   The superposition | polymerization board | substrate may be mounted | worn with the dicing frame.

前記剥離システムは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有していてもよい。   The peeling system includes an interface station that transports a substrate to be processed between the peeling processing station and a post-processing station that performs predetermined post-processing on the substrate to be processed that has been peeled off at the peeling processing station. Also good.

参考例は、剥離装置を用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、前記剥離装置は、被処理基板を保持する第１の保持部と、支持基板を保持する第２の保持部と、前記第２の保持部に保持された支持基板が、その外周部から中心部に向けて前記第１の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離するように、前記第２の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、且つ前記第２の保持部全体を鉛直方向に移動させる移動機構と、を有し、前記剥離方法は、前記第１の保持部で被処理基板を保持すると共に前記第２の保持部で支持基板を保持し、前記第２の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離する第１の工程と、その後、第２の保持部全体を鉛直方向に移動させ、被処理基板と支持基板を剥離する第２の工程と、を有することを特徴としている。
 The reference example is a peeling method in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive using a peeling device, and the peeling device peels the substrate to be processed and the support substrate. A first holding unit that holds the support substrate, a second holding unit that holds the support substrate, and the support substrate held by the second holding unit, the first holding unit from the outer periphery toward the center. A moving mechanism for moving the outer peripheral portion of the second holding portion in the vertical direction and moving the entire second holding portion in the vertical direction so that the substrate is continuously peeled from the substrate to be processed. In the peeling method, the substrate to be processed is held by the first holding unit, the support substrate is held by the second holding unit, and the outer peripheral portion of the second holding unit is set in the vertical direction. Move and peel the support substrate continuously from the substrate to be processed from the outer periphery toward the center A first step, then move the entire second holding portion in the vertical direction, it is characterized by having a second step of peeling the substrate to be processed supported substrate.

前記第１の工程において、前記第２の保持部の外周部を円環状に鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離してもよい。   In the first step, the outer peripheral portion of the second holding portion may be moved annularly in the vertical direction, and the support substrate may be continuously peeled from the substrate to be processed from the outer peripheral portion toward the central portion.

前記第１の保持部は前記第２の保持部の上方に配置され、前記第１の工程と前記第２の工程において、前記第２の保持部の外周部を鉛直下方に移動させてもよい。   The first holding part may be disposed above the second holding part, and the outer peripheral part of the second holding part may be moved vertically downward in the first step and the second step. .

前記剥離装置は、前記第１の保持部を回転させる回転機構を有し、前記第１の工程において、前記第１の保持部の回転を開始した後、前記第２の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離してもよい。   The peeling apparatus includes a rotation mechanism that rotates the first holding unit. In the first step, after the rotation of the first holding unit is started, the outer peripheral portion of the second holding unit is moved. The support substrate may be continuously peeled from the substrate to be processed by moving the substrate in the vertical direction from the outer periphery toward the center.

重合基板はダイシングフレームに装着されていてもよい。   The superposition | polymerization board | substrate may be mounted | worn with the dicing frame.

参考例によれば、前記剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
According to the reference example , in order to cause the peeling method to be executed by the peeling device, a program that operates on a computer of a control unit that controls the peeling device is provided.

参考例によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。 According to the reference example , a readable computer storage medium storing the program is provided.

本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the peeling process of a to-be-processed substrate and a support substrate can be performed appropriately and efficiently.

本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the peeling system concerning this Embodiment. 被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。It is a side view of a to-be-processed wafer and a support wafer. 剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a peeling apparatus. 第１の鉛直移動部の平面図である。It is a top view of the 1st vertical movement part. 第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a 1st washing | cleaning apparatus. 第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a 1st washing | cleaning apparatus. 第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a 2nd washing | cleaning apparatus. 第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a 2nd conveying apparatus. 剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the main processes of peeling processing. 第１の保持部と第２の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the superposition | polymerization wafer was hold | maintained with the 1st holding | maintenance part and the 2nd holding | maintenance part. 第１の鉛直移動部によって第２の保持部外周部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a 2nd holding | maintenance part outer peripheral part is moved vertically downward by a 1st vertical movement part. 第２の鉛直移動部によって第２の保持部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a 2nd holding | maintenance part is moved vertically downward by a 2nd vertical movement part. 被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the to-be-processed wafer and the support wafer were peeled. 第１の保持部からベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a to-be-processed wafer is delivered from a 1st holding | maintenance part to Bernoulli chuck. ベルヌーイチャックからポーラスチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a to-be-processed wafer is delivered from a Bernoulli chuck to a porous chuck | zipper. 他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the peeling apparatus concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる第１の鉛直移動部によって第２の保持部外周部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the 2nd holding | maintenance part outer peripheral part is moved to the perpendicular downward direction by the 1st vertical movement part concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the peeling apparatus concerning other embodiment. ダイシングフレームに装着された重合ウェハの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the superposition | polymerization wafer with which the dicing frame was mounted | worn. ダイシングフレームに装着された重合ウェハ（支持ウェハ）の平面図である。It is a top view of the superposition | polymerization wafer (support wafer) with which the dicing frame was mounted | worn.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of a peeling system 1 according to the present embodiment.

剥離システム１では、図２に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、当該接合面ＳＪと反対側の面を「非接合面ＳＮ」という。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。 In the peeling system 1, as shown in FIG. 2, a superposed wafer T as a superposed substrate in which a target wafer W as a target substrate and a support wafer S as a support substrate are bonded with an adhesive G is used as a target wafer W. And the support wafer S is peeled off. Hereinafter, in the processing target wafer W, a surface bonded to the support wafer S via the adhesive G is referred to as “bonding surface W J ”, and a surface opposite to the bonding surface W J is referred to as “non-bonding surface W N ”. That's it. Similarly, in the support wafer S, a surface bonded to the processing target wafer W via the adhesive G is referred to as “bonding surface S J ”, and a surface opposite to the bonding surface S J is referred to as “non-bonding surface S N”. " Note that wafer W is a wafer as a product, a plurality of electronic circuits are formed, for example, joint surface W J. The wafer W is, for example, non-bonding surface W N is polished, thin (e.g., thickness of 50 [mu] m) it is. The support wafer S is a wafer having the same diameter as the wafer W to be processed and supporting the wafer W to be processed. In this embodiment, the case where a wafer is used as the support substrate will be described, but another substrate such as a glass substrate may be used.

剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション３と、剥離処理ステーション３に隣接する後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。 As shown in FIG. 1, the peeling system 1 includes cassettes C W , C S , and C T that can accommodate, for example, a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T, respectively. A loading / unloading station 2 for loading / unloading, a peeling processing station 3 including various processing apparatuses for performing predetermined processing on the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T, and a post-processing adjacent to the peeling processing station 3 The interface station 5 that transfers the wafer W to be processed to and from the station 4 is integrally connected.

搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間には、ウェハ搬送領域６が形成されている。また、インターフェイスステーション５は、搬入出ステーション２、剥離処理ステーション３及びウェハ搬送領域６のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置されている。   The carry-in / out station 2 and the peeling processing station 3 are arranged side by side in the X direction (vertical direction in FIG. 1). A wafer transfer region 6 is formed between the carry-in / out station 2 and the peeling processing station 3. Further, the interface station 5 is arranged on the Y direction negative direction side (left direction side in FIG. 1) of the carry-in / out station 2, the peeling processing station 3, and the wafer transfer region 6.

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。 The loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10. A plurality of, for example, three cassette mounting plates 11 are provided on the cassette mounting table 10. The cassette mounting plates 11 are arranged in a line in the Y direction (left and right direction in FIG. 1). These cassette mounting plates 11, cassettes C W to the outside of the peeling system 1, C S, when loading and unloading the C T, a cassette C W, C S, can be placed on C T . Thus, the carry-in / out station 2 is configured to be capable of holding a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T. The number of cassette mounting plates 11 is not limited to the present embodiment, and can be arbitrarily determined. Further, the plurality of superposed wafers T carried into the carry-in / out station 2 are inspected in advance, and the superposed wafer T including the normal target wafer W and the superposed wafer T including the defective target wafer W; Has been determined.

ウェハ搬送領域６には、第１の搬送装置２０が配置されている。第１の搬送装置２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１の搬送装置２０は、ウェハ搬送領域６内を移動し、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。   A first transfer device 20 is disposed in the wafer transfer region 6. The first transfer device 20 includes a transfer arm that can move around, for example, a vertical direction, a horizontal direction (Y direction, X direction), and a vertical axis. The first transfer device 20 moves in the wafer transfer region 6 and can transfer the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T between the carry-in / out station 2 and the separation processing station 3.

剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、第２の搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように剥離処理ステーション３には、第１の洗浄装置３１、第２の搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。   The peeling processing station 3 includes a peeling device 30 that peels the superposed wafer T into the processing target wafer W and the supporting wafer S. A first cleaning device 31 that cleans the wafer to be processed W that has been peeled off is disposed on the negative side in the Y direction of the peeling device 30 (left side in FIG. 1). A second transfer device 32 is provided between the peeling device 30 and the first cleaning device 31. Further, a second cleaning device 33 for cleaning the peeled support wafer S is arranged on the positive side in the Y direction of the peeling device 30 (right side in FIG. 1). As described above, the first cleaning device 31, the second transport device 32, the peeling device 30, and the second cleaning device 33 are arranged in this order from the interface station 5 side in the peeling processing station 3.

インターフェイスステーション５には、Ｘ方向に延伸する搬送路４０上を移動自在な第３の搬送装置４１が設けられている。第３の搬送装置４１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、剥離処理ステーション３と後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷを搬送できる。   The interface station 5 is provided with a third transport device 41 that is movable on a transport path 40 extending in the X direction. The third transfer device 41 is also movable in the vertical direction and the vertical axis (θ direction), and can transfer the wafer W to be processed between the separation processing station 3 and the post-processing station 4.

なお、後処理ステーション４では、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上の電子回路の電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。   In the post-processing station 4, predetermined post-processing is performed on the processing target wafer W peeled off at the peeling processing station 3. As predetermined post-processing, for example, processing for mounting the processing target wafer W, processing for inspecting electrical characteristics of electronic circuits on the processing target wafer W, processing for dicing the processing target wafer W for each chip, and the like are performed. .

次に、上述した剥離装置３０の構成について説明する。剥離装置３０は、図３に示すように内部を密閉可能な処理容器１００を有している。処理容器１００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。   Next, the structure of the peeling apparatus 30 mentioned above is demonstrated. As shown in FIG. 3, the peeling apparatus 30 includes a processing container 100 that can seal the inside. A loading / unloading port (not shown) for the processing target wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T is formed on the side surface of the processing container 100, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.

処理容器１００の底面には、当該処理容器１００の内部の雰囲気を吸引する吸気口１０１が形成されている。吸気口１０１には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置１０２に連通する吸気管１０３が接続されている。   An intake port 101 that sucks the atmosphere inside the processing container 100 is formed on the bottom surface of the processing container 100. An intake pipe 103 communicating with a negative pressure generator 102 such as a vacuum pump is connected to the intake port 101.

処理容器１００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第２の保持部１１１とが設けられている。第１の保持部１１０は、第２の保持部１１１の上方に設けられ、第２の保持部１１１と対向するように配置されている。すなわち、処理容器１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。   Inside the processing container 100, a first holding unit 110 that holds the wafer W to be processed by suction on the lower surface and a second holding unit 111 that places and holds the support wafer S on the upper surface are provided. . The first holding unit 110 is provided above the second holding unit 111 and is disposed so as to face the second holding unit 111. That is, in the inside of the processing container 100, the peeling process is performed on the superposed wafer T in a state where the processing target wafer W is arranged on the upper side and the supporting wafer S is arranged on the lower side.

第１の保持部１１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部１１０は、平板状の本体部１２０を有している。本体部１２０の下面側には、多孔質体１２１が設けられている。多孔質体１２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、多孔質体１２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。 For example, a porous chuck is used for the first holding unit 110. The first holding part 110 has a plate-like main body part 120. A porous body 121 is provided on the lower surface side of the main body 120. The porous body 121 has, for example, substantially the same diameter as the wafer to be processed W, and is in contact with the non-joint surface W N of the wafer to be processed W. For example, silicon carbide is used as the porous body 121.

また、本体部１２０の内部であって多孔質体１２１の上方には吸引空間１２２が形成されている。吸引空間１２２は、例えば多孔質体１２１を覆うように形成されている。吸引空間１２２には、吸引管１２３が接続されている。吸引管１２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管１２３から吸引空間１２２と多孔質体１２１を介して被処理ウェハの非接合面ＷＮが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部１１０に吸着保持される。 A suction space 122 is formed inside the main body 120 and above the porous body 121. The suction space 122 is formed so as to cover the porous body 121, for example. A suction tube 123 is connected to the suction space 122. The suction pipe 123 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump. Then, the non-joint surface W N of the processing target wafer is sucked from the suction pipe 123 through the suction space 122 and the porous body 121, and the processing target wafer W is sucked and held by the first holding unit 110.

また、本体部１２０の内部であって吸引空間１２２の上方には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４が設けられている。加熱機構１２４には、例えばヒータが用いられる。   A heating mechanism 124 that heats the wafer W to be processed is provided inside the main body 120 and above the suction space 122. For the heating mechanism 124, for example, a heater is used.

第１の保持部１１０の上面には、当該第１の保持部１１０を支持する支持板１３０が設けられている。支持板１３０は、処理容器１００の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板１３０を省略し、第１の保持部１１０は処理容器１００の天井面に当接して支持されてもよい。   A support plate 130 that supports the first holding unit 110 is provided on the upper surface of the first holding unit 110. The support plate 130 is supported on the ceiling surface of the processing container 100. Note that the support plate 130 of the present embodiment may be omitted, and the first holding unit 110 may be supported in contact with the ceiling surface of the processing container 100.

第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管１４０が設けられている。吸引管１４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。なお、第２の保持部１１１は、弾性体である例えばアルミニウムが用いられる。   A suction tube 140 for sucking and holding the support wafer S is provided inside the second holding unit 111. The suction tube 140 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump. The second holding unit 111 is made of an elastic material such as aluminum.

また、第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１が設けられている。加熱機構１４１には、例えばアルミニウムからなるヒータが用いられる。   A heating mechanism 141 for heating the support wafer S is provided inside the second holding unit 111. For the heating mechanism 141, for example, a heater made of aluminum is used.

第２の保持部１１１の下方には、第２の保持部１１１及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１５０が設けられている。移動機構１５０は、第２の保持部１１１を保持し、且つ第２の保持部１１１の外周部のみを鉛直方向に移動させる第１の移動部としての第１の鉛直移動部１５１と、第１の鉛直移動部１５１を保持し、且つ第１の鉛直移動部１５１と第２の保持部１１１を鉛直方向に移動させる第２の移動部としての第２の鉛直移動部１５２と、第１の鉛直移動部１５１、第２の鉛直移動部１５２及び第２の保持部１１１を水平方向に移動させる水平移動部１５３とを有している。第１の鉛直移動部１５１、第２の鉛直移動部１５２、水平移動部１５３は、鉛直方向に上からこの順で配置されている。   Below the second holding unit 111, a moving mechanism 150 that moves the second holding unit 111 and the supporting wafer S in the vertical direction and the horizontal direction is provided. The moving mechanism 150 includes a first vertical moving unit 151 as a first moving unit that holds the second holding unit 111 and moves only the outer peripheral portion of the second holding unit 111 in the vertical direction. A second vertical moving unit 152 as a second moving unit that holds the vertical moving unit 151 and moves the first vertical moving unit 151 and the second holding unit 111 in the vertical direction; A moving unit 151, a second vertical moving unit 152, and a horizontal moving unit 153 that moves the second holding unit 111 in the horizontal direction are provided. The first vertical movement unit 151, the second vertical movement unit 152, and the horizontal movement unit 153 are arranged in this order from the top in the vertical direction.

第１の鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１の外周部を円環状に鉛直方向に移動させる複数、例えば６つのシリンダ１６０と、第２の保持部１１１の中央部を支持する支持柱１６１と、シリンダ１６０と支持柱１６１を支持する支持板１６２とを有している。図４に示すように６つのシリンダ１６０は、支持板１６２と同一円周上に等間隔に配置されている。また、これらシリンダ１６０は、第２の保持部１１１の外周部に対応する位置に配置されている。支持柱１６１は、支持板１６２の中央部であって、第２の保持部１１１の中央部に対応する位置に配置されている。すなわち、シリンダ１６０によって第２の保持部１１１の外周部が鉛直下方に移動する際、当該第２の保持部１１１の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、支持柱１６１が配置されている。   The first vertical moving portion 151 is a support column that supports a plurality of, for example, six cylinders 160 that move the outer peripheral portion of the second holding portion 111 in an annular shape in the vertical direction and the central portion of the second holding portion 111. 161, and a support plate 162 that supports the cylinder 160 and the support column 161. As shown in FIG. 4, the six cylinders 160 are arranged at equal intervals on the same circumference as the support plate 162. The cylinders 160 are arranged at positions corresponding to the outer peripheral portion of the second holding part 111. The support column 161 is disposed at a position corresponding to the center portion of the second holding portion 111 in the center portion of the support plate 162. That is, when the outer peripheral portion of the second holding portion 111 is moved vertically downward by the cylinder 160, the support column 161 is arranged so that the vertical position of the central portion of the second holding portion 111 does not change. Yes.

第２の鉛直移動部１５２は、図３に示すように支持板１６２を昇降させる駆動部１７０と、支持板１６２を支持する支持部材１７１とを有している。駆動部１７０は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１７１は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１６２と水平移動部１５３との間に例えば３箇所に設けられている。   As shown in FIG. 3, the second vertical moving unit 152 includes a drive unit 170 that moves the support plate 162 up and down, and a support member 171 that supports the support plate 162. The drive unit 170 includes, for example, a ball screw (not shown) and a motor (not shown) that rotates the ball screw. Further, the support member 171 is configured to be extendable in the vertical direction, and is provided at, for example, three locations between the support plate 162 and the horizontal movement unit 153.

水平移動部１５３は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有し、第１の鉛直移動部１５１、第２の鉛直移動部１５２及び第２の保持部１１１を水平方向に移動させることができる。   The horizontal moving unit 153 includes, for example, a ball screw (not shown) and a motor (not shown) that rotates the ball screw, and includes a first vertical moving unit 151, a second vertical moving unit 152, and a second vertical moving unit 153. The holding part 111 can be moved in the horizontal direction.

なお、第２の保持部１１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部１１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部１１１の上面から突出可能になっている。   In addition, below the 2nd holding | maintenance part 111, the raising / lowering pin (not shown) for supporting and raising / lowering the superposition | polymerization wafer T or the support wafer S from the downward direction is provided. The elevating pin is inserted through a through hole (not shown) formed in the second holding part 111 and can protrude from the upper surface of the second holding part 111.

次に、上述した第１の洗浄装置３１の構成について説明する。第１の洗浄装置３１は、図５に示すように内部を密閉可能な処理容器１８０を有している。処理容器１８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。   Next, the configuration of the first cleaning device 31 described above will be described. As shown in FIG. 5, the first cleaning device 31 has a processing container 180 that can be sealed inside. A loading / unloading port (not shown) for the processing target wafer W is formed on the side surface of the processing container 180, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.

処理容器１８０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるポーラスチャック１９０が設けられている。ポーラスチャック１９０は、平板状の本体部１９１と、本体部１９１の上面側に設けられた多孔質体１９２とを有している。多孔質体１９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、多孔質体１９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。多孔質体１９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管から多孔質体１９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０上に吸着保持できる。 A porous chuck 190 that holds and rotates the wafer W to be processed is provided at the center of the processing container 180. The porous chuck 190 has a flat plate-shaped main body 191 and a porous body 192 provided on the upper surface side of the main body 191. The porous body 192 has, for example, substantially the same diameter as the wafer W to be processed, and is in contact with the non-joint surface W N of the wafer W to be processed. For example, silicon carbide is used as the porous body 192. A suction tube (not shown) is connected to the porous body 192, and the non-bonded surface W N of the wafer to be processed W is sucked from the suction tube through the porous body 192, thereby It can be sucked and held on the porous chuck 190.

ポーラスチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９３が設けられている。ポーラスチャック１９０は、チャック駆動部１９３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１９３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック１９０は昇降自在になっている。   Below the porous chuck 190, for example, a chuck driving unit 193 provided with a motor or the like is provided. The porous chuck 190 can be rotated at a predetermined speed by the chuck driving unit 193. Further, the chuck driving unit 193 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, for example, and the porous chuck 190 is movable up and down.

ポーラスチャック１９０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１９４が設けられている。カップ１９４の下面には、回収した液体を排出する排出管１９５と、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９６が接続されている。   Around the porous chuck 190, there is provided a cup 194 that receives and collects the liquid scattered or dropped from the wafer W to be processed. Connected to the lower surface of the cup 194 are a discharge pipe 195 for discharging the collected liquid and an exhaust pipe 196 for evacuating and exhausting the atmosphere in the cup 194.

図６に示すようにカップ１９４のＸ方向負方向（図６中の下方向）側には、Ｙ方向（図６中の左右方向）に沿って延伸するレール２００が形成されている。レール２００は、例えばカップ１９４のＹ方向負方向（図６中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図６中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２００には、アーム２０１が取り付けられている。   As shown in FIG. 6, a rail 200 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 6) is formed on the side of the cup 194 in the negative X direction (downward direction in FIG. 6). The rail 200 is formed, for example, from the outside of the cup 194 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 6) side to the outside of the Y direction positive direction (right direction in FIG. 6) side. An arm 201 is attached to the rail 200.

アーム２０１には、図５及び図６に示すように被処理ウェハＷに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル２０３が支持されている。アーム２０１は、図６に示すノズル駆動部２０４により、レール２００上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル２０３は、カップ１９４のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２０５からカップ１９４内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２０１は、ノズル駆動部２０４によって昇降自在であり、洗浄液ノズル２０３の高さを調節できる。   As shown in FIGS. 5 and 6, the arm 201 supports a cleaning liquid nozzle 203 that supplies a cleaning liquid, for example, an organic solvent, to the wafer W to be processed. The arm 201 is movable on the rail 200 by a nozzle driving unit 204 shown in FIG. As a result, the cleaning liquid nozzle 203 can move from the standby unit 205 installed on the outer side of the cup 194 on the positive side in the Y direction to above the center of the wafer W to be processed in the cup 194, and further on the wafer W to be processed. Can be moved in the radial direction of the wafer W to be processed. The arm 201 can be moved up and down by a nozzle driving unit 204 and the height of the cleaning liquid nozzle 203 can be adjusted.

洗浄液ノズル２０３には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル２０３には、図５に示すように当該洗浄液ノズル２０３に洗浄液を供給する供給管２１０が接続されている。供給管２１０は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１１に連通している。供給管２１０には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１２が設けられている。また、洗浄液ノズル２０３には、当該洗浄液ノズル２０３に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管２１３が接続されている。供給管２１３は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源２１４に連通している。供給管２１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル２０３内で混合され、当該洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。   For example, a two-fluid nozzle is used as the cleaning liquid nozzle 203. As shown in FIG. 5, a supply pipe 210 that supplies the cleaning liquid to the cleaning liquid nozzle 203 is connected to the cleaning liquid nozzle 203. The supply pipe 210 communicates with a cleaning liquid supply source 211 that stores the cleaning liquid therein. The supply pipe 210 is provided with a supply device group 212 including a valve for controlling the flow of the cleaning liquid, a flow rate adjusting unit, and the like. A supply pipe 213 for supplying an inert gas, for example, nitrogen gas, to the cleaning liquid nozzle 203 is connected to the cleaning liquid nozzle 203. The supply pipe 213 communicates with a gas supply source 214 that stores an inert gas therein. The supply pipe 213 is provided with a supply device group 215 including a valve for controlling the flow of the inert gas, a flow rate adjusting unit, and the like. The cleaning liquid and the inert gas are mixed in the cleaning liquid nozzle 203 and supplied from the cleaning liquid nozzle 203 to the wafer W to be processed. In the following, a mixture of a cleaning liquid and an inert gas may be simply referred to as “cleaning liquid”.

なお、ポーラスチャック１９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、ポーラスチャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック１９０との間で被処理ウェハＷの受け渡しが行われる。   In addition, below the porous chuck 190, lifting pins (not shown) for supporting and lifting the wafer to be processed W from below may be provided. In such a case, the elevating pins can pass through a through hole (not shown) formed in the porous chuck 190 and protrude from the upper surface of the porous chuck 190. Then, instead of raising and lowering the porous chuck 190, the raising and lowering pins are raised and lowered, and the wafer W to be processed is transferred to and from the porous chuck 190.

また、第２の洗浄装置３３の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成とほぼ同様である。第２の洗浄装置３３には、図７に示すように第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に代えて、スピンチャック２２０が設けられる。スピンチャック２２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック２２０上に吸着保持できる。第２の洗浄装置３３のその他の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。   The configuration of the second cleaning device 33 is substantially the same as the configuration of the first cleaning device 31 described above. As shown in FIG. 7, the second cleaning device 33 is provided with a spin chuck 220 instead of the porous chuck 190 of the first cleaning device 31. The spin chuck 220 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking, for example, the support wafer S is provided on the upper surface. The support wafer S can be sucked and held on the spin chuck 220 by suction from the suction port. Since the other structure of the 2nd washing | cleaning apparatus 33 is the same as that of the structure of the 1st washing | cleaning apparatus 31 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

なお、第２の洗浄装置３３において、スピンチャック２２０の下方には、支持ウェハＳの裏面、すなわち非接合面ＳＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハＳの非接合面ＳＮと支持ウェハＳの外周部が洗浄される。 In the second cleaning device 33, a back rinse nozzle (not shown) for injecting the cleaning liquid toward the back surface of the support wafer S, that is, the non-bonding surface SN is provided below the spin chuck 220. Also good. The non-bonding surface SN of the support wafer S and the outer peripheral portion of the support wafer S are cleaned by the cleaning liquid sprayed from the back rinse nozzle.

次に、上述した第２の搬送装置３２の構成について説明する。第２の搬送装置３２は、図８に示すように被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３０を有している。ベルヌーイチャック２３０は、空気を噴出することにより被処理ウェハＷを浮遊させ、非接触の状態で被処理ウェハＷを吸引懸垂し保持することができる。ベルヌーイチャック２３０は、支持アーム２３１に支持されている。支持アーム２３１は、第１の駆動部２３２に支持されている。この第１の駆動部２３２により、支持アーム２３１は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２３２の下方には、第２の駆動部２３３が設けられている。この第２の駆動部２３３により、第１の駆動部２３２は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。   Next, the configuration of the second transport device 32 described above will be described. The second transfer device 32 has a Bernoulli chuck 230 that holds the wafer W to be processed as shown in FIG. The Bernoulli chuck 230 can suspend and hold the wafer W to be processed in a non-contact state by suspending the wafer W to be processed by ejecting air. Bernoulli chuck 230 is supported by support arm 231. The support arm 231 is supported by the first drive unit 232. The first drive unit 232 allows the support arm 231 to rotate around the horizontal axis and extend and contract in the horizontal direction. A second driving unit 233 is provided below the first driving unit 232. By the second drive unit 233, the first drive unit 232 can rotate around the vertical axis and can move up and down in the vertical direction.

なお、第３の搬送装置４１は、上述した第２の搬送装置３２と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、第３の搬送装置４１の第２の駆動部２３３は、図１に示した搬送路４０に取り付けられ、第３の搬送装置４１は搬送路４０上を移動可能になっている。   In addition, since the 3rd conveying apparatus 41 has the structure similar to the 2nd conveying apparatus 32 mentioned above, description is abbreviate | omitted. However, the second drive unit 233 of the third transport device 41 is attached to the transport path 40 shown in FIG. 1, and the third transport device 41 is movable on the transport path 40.

以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものであってもよい。   The peeling system 1 is provided with a controller 300 as shown in FIG. The control unit 300 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling processing of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T in the peeling system 1. The program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and transport apparatuses to realize a peeling process described later in the peeling system 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a memory card. May have been installed in the control unit 300 from the storage medium H.

次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図９は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。   Next, the peeling process method of the to-be-processed wafer W and the support wafer S performed using the peeling system 1 comprised as mentioned above is demonstrated. FIG. 9 is a flowchart showing an example of main steps of the peeling process.

先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。第１の搬送装置２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離処理ステーション３の剥離装置３０に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。 First, a cassette C T accommodating a plurality of bonded wafer T, an empty cassette C W, and an empty cassette C S is placed on the predetermined cassette mounting plate 11 of the carry-out station 2. The superposed wafer T in the cassette CT is taken out by the first transfer device 20 and transferred to the peeling device 30 of the peeling processing station 3. At this time, the superposed wafer T is transported in a state where the processing target wafer W is disposed on the upper side and the support wafer S is disposed on the lower side.

剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、第２の保持部１１１に吸着保持される。その後、図１０に示すように移動機構１５０の第２の鉛直移動部１５２により第２の保持部１１１を上昇させて、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部１１０に被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持され、第２の保持部１１１に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。 The overlapped wafer T carried into the peeling apparatus 30 is sucked and held by the second holding unit 111. After that, as shown in FIG. 10, the second holding unit 111 is raised by the second vertical moving unit 152 of the moving mechanism 150, and the overlapped wafer T is sandwiched between the first holding unit 110 and the second holding unit 111. Hold on. At this time, the non-bonding surface W N of the wafer W is held by suction on the first holding portion 110, the non-bonding surface S N of the support wafer S is held by suction to the second holding portion 111.

その後、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。そうすると、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。   Thereafter, the superposed wafer T is heated to a predetermined temperature, for example, 200 ° C. by the heating mechanisms 124 and 141. As a result, the adhesive G in the superposed wafer T is softened.

続いて、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図１１に示すように移動機構１５０の第１の鉛直移動部１５１によって第２の保持部１１１の外周部のみを円環状に鉛直下方に移動させる。すなわち、シリンダ１６０によって第２の保持部１１１の外周部が鉛直下方に移動する際、第２の保持部１１１の中央部が支持柱１６１に支持され、当該第２の保持部１１１の中央部の鉛直方向の位置が変化しない。   Subsequently, while the superposed wafer T is heated by the heating mechanisms 124 and 141 and the softened state of the adhesive G is maintained, the second holding unit is moved by the first vertical moving unit 151 of the moving mechanism 150 as shown in FIG. Only the outer periphery of 111 is moved vertically downward in an annular shape. That is, when the outer peripheral part of the second holding part 111 moves vertically downward by the cylinder 160, the central part of the second holding part 111 is supported by the support pillar 161, and the central part of the second holding part 111 is The vertical position does not change.

かかる場合、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離される。ここで、上述したように被処理ウェハＷの接合面ＷＪには電子回路が形成されているため、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを一度に剥離しようとすると、接合面ＷＪ、ＳＪに多大な荷重がかかり、接合面ＷＪ上の電子回路が損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態では、外周部から中心部に向けて支持ウェハＳが被処理ウェハＷから連続的に剥離されるので、接合面ＷＪ、ＳＪに大きな荷重がかからない。したがって、電子回路の損傷を抑制することができる。 In such a case, the support wafer S held by the second holding unit 111 is continuously peeled from the wafer W to be processed held by the first holding unit 110 from the outer periphery toward the center. Since the electronic circuit is formed on the bonding surface W J of wafer W as described above, an attempt to peel the support wafer S and wafer W at a time, joint surface W J, S J it takes a great load, the electronic circuitry on the bonding surface W J is likely to suffer damage. In this respect, in this embodiment, since the support wafer S is continuously peeled from the processing target wafer W from the outer peripheral portion toward the central portion, a large load is not applied to the bonding surfaces W J and S J. Therefore, damage to the electronic circuit can be suppressed.

その後、被処理ウェハＷの中心部と支持ウェハＳの中心部のみが接着した状態で、図１２に示すように第２の鉛直移動部１５２によって第２の保持部１１１全体を鉛直下方に移動させる。そして、支持ウェハＳの外周部が鉛直下方に撓んだ状態で、支持ウェハＳが被処理ウェハＷから剥離される。その後、図１３に示すように第１の鉛直移動部１５１によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳの外周部が鉛直上方に移動され、当該第２の保持部１１１と支持ウェハＳが平坦化される。こうして、第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される（図９の工程Ａ１）。   Thereafter, in a state where only the center portion of the wafer W to be processed and the center portion of the support wafer S are bonded, the second holding portion 111 is moved vertically downward by the second vertical moving portion 152 as shown in FIG. . Then, the support wafer S is peeled from the wafer W to be processed in a state where the outer peripheral portion of the support wafer S is bent vertically downward. Thereafter, as shown in FIG. 13, the outer periphery of the second holding unit 111 and the support wafer S is moved vertically upward by the first vertical moving unit 151, and the second holding unit 111 and the support wafer S are flattened. Is done. In this way, the wafer W to be processed held by the first holding unit 110 and the support wafer S held by the second holding unit 111 are separated (step A1 in FIG. 9).

その後、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３２によって第１の洗浄装置３１に搬送される。ここで、第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。   Thereafter, the wafer W to be processed peeled off by the peeling device 30 is transferred to the first cleaning device 31 by the second transfer device 32. Here, a transfer method of the wafer W to be processed by the second transfer device 32 will be described.

図１４に示すように支持アーム２３１を伸長させて、ベルヌーイチャック２３０を第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、ベルヌーイチャック２３０を上昇させ、第１の保持部１１０における吸引管１２３からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部１１０からベルヌーイチャック２３０に被処理ウェハＷが受け渡される。このとき、被処理ウェハＷの接合面ＷＪがベルヌーイチャック２３０に保持されるが、ベルヌーイチャック２３０は非接触の状態で被処理ウェハＷが保持されるため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上の電子回路が損傷を被ることはない。 As shown in FIG. 14, the support arm 231 is extended, and the Bernoulli chuck 230 is disposed below the processing target wafer W held by the first holding unit 110. Thereafter, the Bernoulli chuck 230 is raised, and the suction of the wafer W to be processed from the suction tube 123 in the first holding unit 110 is stopped. Then, the processing target wafer W is delivered from the first holding unit 110 to the Bernoulli chuck 230. At this time, the bonding surface W J of wafer W is held by the Bernoulli chuck 230, since the Bernoulli chuck 230 of the wafer W is held in a non-contact state, the bonding surface W J of wafer W The upper electronic circuit is not damaged.

次に図１５に示すように、支持アーム２３１を回動させてベルヌーイチャック２３０を第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック２３０を反転させて被処理ウェハＷを下方に向ける。このとき、ポーラスチャック１９０をカップ１９４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック２３０からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。   Next, as shown in FIG. 15, the support arm 231 is rotated to move the Bernoulli chuck 230 above the porous chuck 190 of the first cleaning device 31, and the Bernoulli chuck 230 is inverted to move the wafer W to be processed. Turn downward. At this time, the porous chuck 190 is raised above the cup 194 and kept waiting. Thereafter, the wafer W to be processed is delivered from the Bernoulli chuck 230 to the porous chuck 190 and held by suction.

このようにポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、ポーラスチャック１９０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム２０１によって待機部２０５の洗浄液ノズル２０３を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック１９０によって被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される（図９の工程Ａ２）。 When the wafer to be processed W is sucked and held on the porous chuck 190 in this way, the porous chuck 190 is lowered to a predetermined position. Subsequently, the arm 201 moves the cleaning liquid nozzle 203 of the standby unit 205 to above the center of the wafer W to be processed. Thereafter, while rotating the wafer W by the porous chuck 190, and supplies the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 203 to the bonding surface W J of wafer W. Supplied cleaning liquid is diffused over the entire surface of the bonding surface W J of wafer W by the centrifugal force, the bonding surface W J of the wafer W is cleaned (step A2 in FIG. 9).

ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。   Here, as described above, the plurality of superposed wafers T carried into the carry-in / out station 2 have been inspected in advance, and the superposed wafer T including the normal target wafer W and the defective target wafer W are arranged. The superposed wafer T is discriminated.

正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、第３の搬送装置４１によって後処理ステーション４に搬送される。なお、この第３の搬送装置４１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。その後、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図９の工程Ａ３）。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。 Normal wafer W which has been peeled from the normal bonded wafer T, after bonding surface W J in step A2 is cleaned, it is conveyed by the third conveying device 41 to the post-processing station 4. Note that the transfer of the wafer W to be processed by the third transfer device 41 is substantially the same as the transfer of the wafer W to be processed by the second transfer device 32 described above, and thus the description thereof is omitted. Thereafter, predetermined post-processing is performed on the wafer W to be processed in the post-processing station 4 (step A3 in FIG. 9). Thus, the processing target wafer W is commercialized.

一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図９の工程Ａ４）。 On the other hand, wafer W with a peel defects from bonded wafer T including a defect, after bonding surface W J is washed in step A2, is conveyed to the station 2 loading and unloading by the first transfer device 20. Thereafter, the processing target wafer W having a defect is unloaded from the loading / unloading station 2 and collected (step A4 in FIG. 9).

被処理ウェハＷに上述した工程Ａ２〜Ａ４が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面ＳＪが洗浄される（図９の工程Ａ５）。なお、第２の洗浄装置３３における支持ウェハＳの洗浄は、上述した第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄と同様であるので説明を省略する。 While the above-described steps A <b> 2 to A <b> 4 are performed on the wafer W to be processed, the support wafer S peeled by the peeling device 30 is transferred to the second cleaning device 33 by the first transfer device 20. Then, in the second cleaning device 33, bonding surface S J of the support wafer S is cleaned (step A5 in FIG. 9). Note that the cleaning of the support wafer S in the second cleaning device 33 is the same as the cleaning of the wafer W to be processed in the first cleaning device 31 described above, and thus the description thereof is omitted.

その後、接合面ＳＪが洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図９の工程Ａ６）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。 Thereafter, the support wafer S which joint surface S J is cleaned is conveyed to station 2 loading and unloading by the first transfer device 20. Thereafter, the support wafer S is unloaded from the loading / unloading station 2 and collected (step A6 in FIG. 9). In this way, a series of separation processing of the processing target wafer W and the supporting wafer S is completed.

以上の実施の形態の剥離装置３０によれば、第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとを加熱しながら、第２の保持部１１１の外周部を鉛直下方に移動させ、外周部から中心部に向けて支持ウェハＳを被処理ウェハＷから連続的に剥離することができる。このように加熱することで被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの間の接着剤Ｇを軟化させることができ、しかも外周部から中心部に向けて支持ウェハＳを被処理ウェハＷから連続的に剥離するので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを小さい荷重で容易に剥離することができる。このため、被処理ウェハＷ上の電子回路が損傷を受けることなく、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切に剥離することができる。さらに、従来よりも剥離処理に要する時間を短縮することもできる。したがって、本実施の形態によれば、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。   According to the peeling apparatus 30 of the above embodiment, while heating the wafer W to be processed held by the first holding unit 110 and the support wafer S held by the second holding unit 111, the second The support wafer S can be continuously peeled from the wafer W to be processed by moving the outer periphery of the holding unit 111 vertically downward and moving from the outer periphery to the center. By heating in this way, the adhesive G between the wafer to be processed W and the support wafer S can be softened, and the support wafer S is continuously removed from the wafer to be processed W from the outer periphery toward the center. Since it peels, the to-be-processed wafer W and the support wafer S can be easily peeled with a small load. For this reason, the to-be-processed wafer W and the support wafer S can be peeled appropriately, without the electronic circuit on the to-be-processed wafer W being damaged. Furthermore, the time required for the peeling treatment can be shortened as compared with the conventional case. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to appropriately and efficiently perform the separation process between the processing target wafer W and the supporting wafer S.

また、移動機構１５０は第１の鉛直移動部１５１と第２の鉛直移動部１５２を有しているので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理を段階的に行うことができる。すなわち、第１の鉛直移動部１５１によって外周部から中心部に向けて支持ウェハＳを被処理ウェハＷから連続的に剥離した後、第２の鉛直移動部１５２によって被処理ウェハＷと支持ウェハＳを完全に剥離することができる。このように段階的に剥離処理を行うことで、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを均一に剥離することができる。しかも、第１の鉛直移動部１５１は第２の保持部１１１の外周部を円環状に鉛直下方に移動させるので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをより均一に剥離することができる。   In addition, since the moving mechanism 150 includes the first vertical moving unit 151 and the second vertical moving unit 152, the separation process of the processing target wafer W and the supporting wafer S can be performed in stages. That is, after the support wafer S is continuously peeled from the wafer W to be processed from the outer periphery toward the center by the first vertical movement unit 151, the wafer W and the support wafer S are processed by the second vertical movement unit 152. Can be completely peeled off. By performing the peeling process stepwise in this way, the wafer W to be processed and the support wafer S can be uniformly peeled. In addition, since the first vertical movement unit 151 moves the outer peripheral portion of the second holding unit 111 in a ring shape vertically downward, the wafer to be processed W and the support wafer S can be more evenly separated.

以上の実施の形態の剥離システム１によれば、剥離装置３０において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置３１において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置３３において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム１内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置３０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。   According to the peeling system 1 of the above embodiment, after the superposed wafer T is peeled off from the processing target wafer W and the support wafer S in the peeling device 30, the peeled processing target wafer W is peeled off in the first cleaning device 31. In addition to cleaning, the second cleaning device 33 can clean the peeled support wafer S. As described above, according to the present embodiment, a series of stripping processes from the stripping of the processing target wafer W and the supporting wafer S to the cleaning of the processing target wafer W and the cleaning of the supporting wafer S can be efficiently performed in one stripping system 1. Can be done well. Further, in the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33, the cleaning of the processing target wafer W and the cleaning of the support wafer S can be performed in parallel. Furthermore, while the wafer to be processed W and the support wafer S are peeled by the peeling apparatus 30, the other wafer to be processed W and the support wafer S can be processed by the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33. . Therefore, the wafer W to be processed and the support wafer S can be efficiently peeled, and the throughput of the peeling process can be improved.

また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。   Further, in this series of processes, the process from the separation of the wafer to be processed W and the support wafer S to the post-processing of the wafer to be processed W can be performed, so that the throughput of the wafer processing can be further improved.

以上の実施の形態の剥離装置３０において、第１の鉛直駆動部１５１は、第２の保持部１１１を保持し、且つ第２の保持部１１１の外周部のみを鉛直方向に移動させる構成であればよく、種々の構成を取り得る。例えば第１の鉛直駆動部１５１のシリンダ１６０と支持柱１６１に代えて、図１６に示すように第１の鉛直駆動部３１０は、ベローズ３１１と支持柱３１２を有していてもよい。   In the peeling apparatus 30 of the above embodiment, the first vertical drive unit 151 may be configured to hold the second holding unit 111 and move only the outer peripheral portion of the second holding unit 111 in the vertical direction. What is necessary is just to take various structures. For example, instead of the cylinder 160 and the support column 161 of the first vertical drive unit 151, the first vertical drive unit 310 may have a bellows 311 and a support column 312 as shown in FIG.

ベローズ３１１は、鉛直方向に伸縮自在の例えばステンレス製のベローズにより構成されている。ベローズ３１１は、その上面において第２の保持部１１１を保持すると共に、その下面が支持板１６２に支持されている。ベローズ３１１には、当該ベローズの内部に流体、例えば圧縮空気を供給する流体供給管３１３が接続されている。流体供給管３１３は、流体供給源（図示せず）に接続されている。そして、ベローズ３１１に流体供給管３１３から流体を供給することで、ベローズ３１１が伸長するようになっている。   The bellows 311 is made of, for example, a stainless steel bellows that can expand and contract in the vertical direction. The bellows 311 holds the second holding portion 111 on its upper surface, and its lower surface is supported by the support plate 162. A fluid supply pipe 313 for supplying a fluid, for example, compressed air, is connected to the bellows 311. The fluid supply pipe 313 is connected to a fluid supply source (not shown). The bellows 311 is extended by supplying fluid from the fluid supply pipe 313 to the bellows 311.

支持柱３１２は、ベローズ３１１の内部に設けられている。また、支持柱３１２は、第２の保持部１１１の中央部を支持している。   The support column 312 is provided inside the bellows 311. The support pillar 312 supports the central portion of the second holding part 111.

なお、剥離装置３０のその他の構成は、上記実施の形態の剥離装置３０の構成と同様であるので説明を省略する。   In addition, since the other structure of the peeling apparatus 30 is the same as that of the structure of the peeling apparatus 30 of the said embodiment, description is abbreviate | omitted.

かかる場合、図１７に示すように第１の鉛直移動部３１０によって第２の保持部１１１の外周部のみを円環状に鉛直下方が移動する。すなわち、ベローズ３１１によって第２の保持部１１１の外周部が鉛直下方に移動する際、第２の保持部１１１の中央部が支持柱３１２に支持され、当該第２の保持部１１１の中央部の鉛直方向の位置が変化しない。そうすると、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離される。したがって、本実施の形態においても、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切且つ均一に剥離することができる。   In such a case, as shown in FIG. 17, the first vertically moving unit 310 moves only the outer periphery of the second holding unit 111 in an annular shape in the vertically downward direction. That is, when the outer peripheral part of the second holding part 111 moves vertically downward by the bellows 311, the central part of the second holding part 111 is supported by the support pillar 312, and the central part of the second holding part 111 is The vertical position does not change. Then, the support wafer S held by the second holding unit 111 is continuously peeled from the processing target wafer W held by the first holding unit 110 from the outer peripheral part toward the center part. Therefore, also in the present embodiment, the processing target wafer W and the supporting wafer S can be appropriately and uniformly separated.

以上の実施の形態の剥離装置３０は、図１８に示すように第１の保持部１１０を回転させる回転機構３２０を有していてもよい。回転機構３２０は、第１の保持部１１０と支持板１３０との間に設けられている。また、回転機構３２０は、第１の保持部１１０を回転させるためのモータ（図示せず）を有している。   The peeling apparatus 30 of the above embodiment may have a rotating mechanism 320 that rotates the first holding unit 110 as shown in FIG. The rotation mechanism 320 is provided between the first holding unit 110 and the support plate 130. Further, the rotation mechanism 320 has a motor (not shown) for rotating the first holding unit 110.

かかる場合、上述した工程Ａ１において、重合ウェハＴを第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で保持した後、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴを加熱して重合ウェハＴ中の接着剤Ｇを軟化させると共に、回転機構３２０によって第１の保持部１１０を回転させる。このときの第１の保持部１１０の回転速度は、例えば１ｍｍ／秒〜１０ｍｍ／秒である。その後、第２の保持部１１１の外周部を鉛直下方に移動させて、外周部から中心部に向けて支持ウェハＳを被処理ウェハＷから連続的に剥離した後、第２の保持部１１１全体を鉛直下方に移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する。なお、この被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離方法は、上記実施の形態で説明した方法と同様であるので説明を省略する。   In such a case, in the above-described step A1, after the overlapped wafer T is held by the first holding unit 110 and the second holding unit 111, the overlapped wafer T is heated by the heating mechanisms 124 and 141 to adhere to the overlapped wafer T. The agent G is softened and the first holding unit 110 is rotated by the rotation mechanism 320. The rotation speed of the first holding unit 110 at this time is, for example, 1 mm / second to 10 mm / second. Thereafter, the outer peripheral portion of the second holding unit 111 is moved vertically downward to continuously peel the support wafer S from the processing target wafer W from the outer peripheral portion toward the central portion, and then the second holding unit 111 as a whole. Is moved vertically downward to separate the wafer W to be processed and the support wafer S from each other. In addition, since the peeling method of this to-be-processed wafer W and the support wafer S is the same as the method demonstrated in the said embodiment, description is abbreviate | omitted.

本実施の形態によれば、第１の保持部１１０を回転させているので、接着剤Ｇによる被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの平衡状態を崩すことができる。そうすると、その後第２の保持部１１１の外周部を円滑に移動させることができ、支持ウェハＳの外周部を被処理ウェハＷから円滑に剥離することができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理をより効率よく行うことができる。   According to the present embodiment, since the first holding unit 110 is rotated, the equilibrium state between the wafer W to be processed and the support wafer S by the adhesive G can be broken. If it does so, the outer peripheral part of the 2nd holding | maintenance part 111 can be moved smoothly after that, and the outer peripheral part of the support wafer S can be peeled from the to-be-processed wafer W smoothly. Therefore, the separation process between the wafer W to be processed and the support wafer S can be performed more efficiently.

なお、上記実施の形態では、回転機構３２０は第１の保持部１１０を回転させていたが、回転機構３２０に代えて、第２の保持部１１１を回転させる回転機構を設けてもよい。   In the above embodiment, the rotation mechanism 320 rotates the first holding unit 110. However, instead of the rotation mechanism 320, a rotation mechanism that rotates the second holding unit 111 may be provided.

以上の実施の形態では、移動機構１５０の第１の鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１の外周部を円環状に鉛直方向に移動させていたが、第２の保持部１１１の外周部の一端部側を鉛直方向に移動させてもよい。そして、外周部の一端部から他端部に向けて支持ウェハＳを被処理ウェハＷから剥離してもよい。かかる場合でも、被処理ウェハＷと支持ウェハＳは連続的に剥離されるので、当該被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切且つ均一に剥離することができる。   In the above embodiment, the first vertical moving portion 151 of the moving mechanism 150 has moved the outer peripheral portion of the second holding portion 111 in an annular shape in the vertical direction, but the outer periphery of the second holding portion 111 is The one end side of the part may be moved in the vertical direction. And you may peel the support wafer S from the to-be-processed wafer W toward the other end part from the one end part of an outer peripheral part. Even in such a case, the wafer to be processed W and the support wafer S are continuously peeled off, so that the wafer to be processed W and the support wafer S can be peeled appropriately and uniformly.

なお、以上の実施の形態では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。かかる場合、移動機構１５０は第２の保持部１１１を鉛直上方に移動させてもよい。   In the above embodiment, the wafer to be processed W and the support wafer S are separated in a state where the wafer to be processed W is arranged on the upper side and the support wafer S is arranged on the lower side. The vertical arrangement of the wafer W and the support wafer S may be reversed. In such a case, the moving mechanism 150 may move the second holding unit 111 vertically upward.

以上の実施の形態の第２の搬送装置３２において、ベルヌーイチャック２３０の表面には、洗浄液を供給するための複数の供給口（図示せず）が形成されていてもよい。かかる場合、ベルヌーイチャック２３０から第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷを受け渡す際、ベルヌーイチャック２３０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給して当該接合面ＷＪを洗浄すると共に、ベルヌーイチャック２３０自体も洗浄することができる。そうすると、その後の第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、ベルヌーイチャック２３０も洗浄できるので、次の被処理ウェハＷを適切に搬送することができる。 In the second transport device 32 of the above embodiment, a plurality of supply ports (not shown) for supplying the cleaning liquid may be formed on the surface of the Bernoulli chuck 230. In such a case, when passing wafer W to porous chuck 190 of the first cleaning device 31 from the Bernoulli chuck 230, the bonding surface W by supplying a cleaning liquid to the bonding surface W J of wafer W from the Bernoulli chuck 230 In addition to cleaning J , the Bernoulli chuck 230 itself can also be cleaned. If it does so, the cleaning time of the to-be-processed wafer W in the 1st cleaning apparatus 31 after that can be shortened, and the throughput of peeling processing can further be improved. Moreover, since the Bernoulli chuck 230 can also be cleaned, the next wafer to be processed W can be appropriately transferred.

以上の実施の形態では、第３の搬送装置４１はベルヌーイチャック２３０を有していたが、このベルヌーイチャック２３０に代えて、ポーラスチャック（図示せず）を有していてもよい。かかる場合でも、ポーラスチャックによって薄型化した被処理ウェハＷを適切に吸着保持することができる。   In the above embodiment, the third transport device 41 includes the Bernoulli chuck 230. However, instead of the Bernoulli chuck 230, the third transport device 41 may include a porous chuck (not shown). Even in such a case, the wafer W to be processed thinned by the porous chuck can be appropriately sucked and held.

以上の実施の形態では、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３の洗浄液ノズル２０３には２流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル２０３の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル２０３として、洗浄液を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば８０℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。   In the above embodiment, the two-fluid nozzle is used as the cleaning liquid nozzle 203 of the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33. However, the configuration of the cleaning liquid nozzle 203 is not limited to this embodiment. Various nozzles can be used. For example, as the cleaning liquid nozzle 203, a nozzle body in which a nozzle for supplying a cleaning liquid and a nozzle for supplying an inert gas are integrated, a spray nozzle, a jet nozzle, a megasonic nozzle, or the like may be used. In order to improve the throughput of the cleaning process, for example, a cleaning liquid heated to 80 ° C. may be supplied.

また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、洗浄液ノズル２０３に加えて、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル２０３からの洗浄液によって被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳを洗浄した後、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳ上の洗浄液をＩＰＡに置換する。そうすると、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの接合面ＷＪ、ＳＪがより確実に洗浄される。 Further, in the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33, in addition to the cleaning liquid nozzle 203, a nozzle for supplying IPA (isopropyl alcohol) may be provided. In this case, after cleaning the processing target wafer W or the support wafer S with the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 203, the cleaning liquid on the processing target wafer W or the support wafer S is replaced with IPA. Then, the bonding surfaces W J and S J of the processing target wafer W or the support wafer S are more reliably cleaned.

以上の実施の形態の剥離システム１において、剥離装置３０で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。   In the peeling system 1 of the above embodiment, a temperature adjusting device (not shown) for cooling the processing target wafer W heated by the peeling device 30 to a predetermined temperature may be provided. In such a case, the temperature of the wafer W to be processed is adjusted to an appropriate temperature, so that subsequent processing can be performed more smoothly.

次に、別の実施の形態を説明する。なお、前述の実施の形態と同じ部分は説明を省略する。この実施の形態では、前述の重合ウェハＴではなく、図１９に示すように、重合ウェハＴの破損を防止するための保護部材、例えばダイシングフレーム３５０を重合ウェハＴに装着した状態で、本剥離システム１にて同様の処理を行う。なお、図１９は、ダイシングフレーム３５０に装着された重合ウェハＴの縦断面図である。図２０は、図１９に示したダイシングフレーム３５０と重合ウェハＴを下方から見た平面図である。ダイシングフレーム３５０は、円環状の板材である。図１９に示すように、ダイシングフレーム３５０の上面に、粘着面を下にして粘着テープ３５１を貼り付ける。そして、この粘着面に重合ウェハＴの非接合面ＷＮを接合する。このように、ダイシングフレーム３５０を接合した状態で本発明を実施することにより、本剥離システム１内で被処理ウェハＷが破損することを防止できる。なお、本実施の形態において、ダイシングフレーム３５０は円環状の構成を有していたが、ダイシングフレーム３５０の外周部は例えば略矩形状等の種々の形状を取り得る。 Next, another embodiment will be described. The description of the same parts as those of the above-described embodiment is omitted. In this embodiment, instead of the above-described superposed wafer T, as shown in FIG. 19, the peeling is performed in a state where a protective member for preventing damage of the superposed wafer T, for example, a dicing frame 350 is mounted on the superposed wafer T. The system 1 performs the same processing. FIG. 19 is a longitudinal sectional view of the superposed wafer T mounted on the dicing frame 350. FIG. 20 is a plan view of the dicing frame 350 and the superposed wafer T shown in FIG. 19 as viewed from below. The dicing frame 350 is an annular plate material. As shown in FIG. 19, an adhesive tape 351 is attached to the upper surface of the dicing frame 350 with the adhesive surface facing down. Then, the non-bonding surface W N of the superposed wafer T is bonded to this adhesive surface. Thus, by carrying out the present invention with the dicing frame 350 bonded, it is possible to prevent the wafer W to be processed from being damaged in the peeling system 1. In the present embodiment, the dicing frame 350 has an annular configuration, but the outer peripheral portion of the dicing frame 350 can take various shapes such as a substantially rectangular shape.

なお、この場合、重合ウェハＴとダイシングフレーム３５０をあらかじめ接合したものをカセットＣＴに収容し、そのカセットＣＴをカセット載置板１１に載置すればよい。または、図示しない外部装置と本剥離システム１とを接続し、外部装置にて重合ウェハＴとダイシングフレーム３５０とを接合した後、本剥離システム１で処理を行えばよい。または、本剥離システム１内に重合ウェハＴとダイシングフレーム３５０とを接合する処理部を設けてもよい。 In this case, a material obtained by previously bonding the bonded wafer T and the dicing frame 350 is accommodated in the cassette C T, the cassette C T may be placed on the cassette mounting plate 11. Alternatively, an external device (not shown) may be connected to the peeling system 1, and after the superposed wafer T and the dicing frame 350 are bonded by the external device, the processing may be performed by the peeling system 1. Or you may provide the process part which joins the superposition | polymerization wafer T and the dicing frame 350 in this peeling system 1. FIG.

そして、剥離装置３０で処理を行うと、支持ウェハＳが剥離され、被処理ウェハＷとダイシングフレーム３５０が接合された状態となる。そして、本剥離システム１での処理終了まで、被処理ウェハＷとダイシングフレーム３５０を接合したままで処理するのがよい。そして、被処理ウェハＷとダイシングフレーム３５０を接合したままカセットＣＷに収納する。このようにすれば、被処理ウェハＷの破損を防止することができる。そして、本剥離システム１で処理が終わってから、図示しない外部装置で被処理ウェハＷとダイシングフレーム３５０の分離作業を行えばよい。 When the processing is performed by the peeling device 30, the support wafer S is peeled off, and the wafer to be processed W and the dicing frame 350 are joined. And it is good to process with the to-be-processed wafer W and the dicing frame 350 joined, until the process by this peeling system 1 is complete | finished. Then, the wafer to be processed W and the dicing frame 350 are stored in the cassette CW while being bonded. In this way, damage to the wafer W to be processed can be prevented. Then, after the processing by the peeling system 1 is finished, the work to be processed W and the dicing frame 350 may be separated by an external device (not shown).

また、以上の実施の形態では、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。   In the above embodiment, the case where the wafer W to be processed is post-processed and commercialized in the post-processing station 4 has been described. However, in the present invention, for example, the wafer to be processed used in the three-dimensional integration technology is used as a support wafer. It can also be applied to the case where it is peeled off. The three-dimensional integration technology is a technology that meets the recent demand for higher integration of semiconductor devices. Instead of arranging a plurality of highly integrated semiconductor devices in a horizontal plane, This is a technique of three-dimensional lamination. Also in this three-dimensional integration technique, it is required to reduce the thickness of wafers to be processed, and the wafers to be processed are bonded to a support wafer to perform a predetermined process.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。 The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.
The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

１ 剥離システム
２ 搬入出ステーション
３ 剥離処理ステーション
４ 後処理ステーション
５ インターフェイスステーション
６ ウェハ搬送領域
２０ 第１の搬送装置
３０ 剥離装置
３１ 第１の洗浄装置
３２ 第２の搬送装置
３３ 第２の洗浄装置
４１ 第３の搬送装置
１１０ 第１の保持部
１１１ 第２の保持部
１２４ 加熱機構
１４１ 加熱機構
１５０ 移動機構
１５１ 第１の鉛直移動部
１５２ 第２の鉛直移動部
１５３ 水平移動部
１６０ シリンダ
１６１ 支持柱
１６２ 支持板
１７０ 駆動部
１７１ 支持部材
３００ 制御部
３１０ 第１の鉛直移動部
３１１ ベローズ
３１２ 支持柱
３１３ 流体供給管
３２０ 回転機構
Ｇ 接着剤
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Peeling system 2 Carry-in / out station 3 Peeling processing station 4 Post-processing station 5 Interface station 6 Wafer conveyance area | region 20 1st conveyance apparatus 30 Peeling apparatus 31 1st washing | cleaning apparatus 32 2nd conveyance apparatus 33 2nd cleaning apparatus 41 Third transport device 110 First holding unit 111 Second holding unit 124 Heating mechanism 141 Heating mechanism 150 Moving mechanism 151 First vertical moving unit 152 Second vertical moving unit 153 Horizontal moving unit 160 Cylinder 161 Support column 162 Support plate 170 Drive unit 171 Support member 300 Control unit 310 First vertical movement unit 311 Bellows 312 Support column 313 Fluid supply pipe 320 Rotating mechanism G Adhesive S Support wafer T Superposition wafer W Processed wafer

Claims (9)

被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離システムであって、
前記剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有し、
前記剥離装置は、
被処理基板を保持する第１の保持部と、
支持基板を保持する第２の保持部と、
前記第２の保持部に保持された支持基板が、その外周部から中心部に向けて前記第１の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離し、その後、支持基板の外周部が鉛直方向に撓んだ状態で支持基板が被処理基板から剥離するように、前記第２の保持部の外周部を保持して鉛直方向に移動させる移動機構と、を有することを特徴とする、剥離システム。
A peeling system including a peeling device that peels a substrate to be processed and a supporting substrate bonded with an adhesive to a substrate to be processed and a supporting substrate,
A peeling processing station comprising: the peeling device; a first cleaning device that cleans the substrate to be processed peeled by the peeling device; and a second cleaning device that cleans the support substrate peeled by the peeling device. When,
A loading / unloading station for loading / unloading a substrate to be processed, a support substrate or a superposed substrate with respect to the peeling processing station
Between the peeling processing station and the carry-in / out station, a transport device that transports a substrate to be processed, a support substrate, or a superposed substrate,
The peeling device is
A first holding unit for holding a substrate to be processed;
A second holding unit for holding the support substrate;
The support substrate held by the second holding unit is continuously peeled from the substrate to be processed held by the first holding unit from the outer periphery toward the center , and then the outer periphery of the support substrate. And a moving mechanism for holding the outer peripheral portion of the second holding portion and moving it in the vertical direction so that the support substrate is peeled off from the substrate to be processed in a state where the substrate is bent in the vertical direction. , Peeling system.
前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有することを特徴とする、請求項１に記載の剥離システム。 An interface station that transports a substrate to be processed is provided between the peeling processing station and a post-processing station that performs predetermined post-processing on the substrate to be processed that has been peeled off at the peeling processing station. The peeling system according to 1 . 前記移動機構は、前記第２の保持部の外周部を円環状に鉛直方向に移動させ、当該第２の保持部に保持された支持基板を、その外周部から中心部に向けて前記第１の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の剥離システム。 The moving mechanism moves the outer peripheral portion of the second holding portion in an annular shape in the vertical direction, and moves the support substrate held by the second holding portion from the outer peripheral portion toward the central portion. The peeling system according to claim 1 , wherein the peeling system continuously peels from the substrate to be processed held by the holding portion. 前記第１の保持部は前記第２の保持部の上方に配置され、
前記移動機構は前記第２の保持部の外周部を鉛直下方に移動させることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の剥離システム。 The first holding part is disposed above the second holding part,
The peeling system according to any one of claims 1 to 3, wherein the moving mechanism moves an outer peripheral portion of the second holding portion vertically downward. 前記第１の保持部を回転させる回転機構を有することを特徴とする、請求項４に記載の剥離システム。 The peeling system according to claim 4 , further comprising a rotation mechanism that rotates the first holding unit. 前記移動機構は、
前記第２の保持部を保持し、且つ前記第２の保持部の外周部のみを鉛直方向に移動させる第１の移動部と、
前記第１の移動部を保持し、且つ前記第１の移動部と前記第２の保持部を鉛直方向に移動させる第２の移動部と、を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の剥離システム。 The moving mechanism is
A first moving unit that holds the second holding unit and moves only an outer peripheral portion of the second holding unit in a vertical direction;
The first mobile unit holds, and characterized by having a, a second moving unit for moving the second holding portion and the first moving portion in the vertical direction, according to claim 1 to 5 The peeling system as described in any one of. 前記第１の移動部は、
前記第２の保持部の外周部を鉛直方向に移動させる複数のシリンダと、
前記複数のシリンダによって前記第２の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第２の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第２の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有することを特徴とする、請求項６に記載の剥離システム。 The first moving unit includes:
A plurality of cylinders for moving the outer peripheral portion of the second holding portion in the vertical direction;
When the outer peripheral part of the second holding part moves in the vertical direction by the plurality of cylinders, the center of the second holding part is not changed so that the vertical position of the central part of the second holding part does not change. The peeling system according to claim 6 , further comprising a support column that supports the portion. 前記第１の移動部は、
前記第２の保持部を保持し、鉛直方向に伸縮自在のベローズと、
前記ベローズの内部に設けられ、前記ベローズが収縮して前記第２の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第２の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第２の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有することを特徴とする、請求項６に記載の剥離システム。 The first moving unit includes:
A bellows that holds the second holding portion and is vertically extendable;
Provided inside the bellows, when the bellows contracts and the outer peripheral portion of the second holding portion moves in the vertical direction, the vertical position of the central portion of the second holding portion does not change. The peeling system according to claim 6 , further comprising a support column that supports a central portion of the second holding portion. 重合基板はダイシングフレームに装着されていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の剥離システム。
The polymerization substrate is characterized by being mounted on a dicing frame, peeling system according to any one of claims 1-8.
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