JP5949777B2 - Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスク（以下、本明細書において、「ＥＵＶＬ用反射型マスク」ともいう。）の製造に用いられるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法、およびＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法に関する。
なお、本発明でいうＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光である。

従来から、光リソグラフィ技術においては、ウェハ上に微細な回路パターンを転写して集積回路を製造するための露光装置が広く利用されている。集積回路の高集積化および高機能化に伴い、集積回路の微細化が進み、露光装置には深い焦点深度で高解像度の回路パターンをウェハ面上に結像させることが求められ、露光光源の短波長化が進められている。露光光源は、従来のｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）やＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）から進んでＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が用いられ始めている。また、さらに回路パターンの線幅が７０ｎｍ以下となる次世代の集積回路に対応するため、ＡｒＦエキシマレーザを用いた液浸露光技術や二重露光技術が有力視されているが、これも線幅が４５ｎｍ世代までしかカバーできないと見られている。

このような流れにあって、露光光源としてＥＵＶ光（極端紫外光）のうち代表的には波長１３ｎｍの光を用いたリソグラフィ技術が、回路パターンの線幅が３２ｎｍよりも短い波長を用いる次世代の露光技術にわたって適用可能と見られ注目されている。ＥＵＶリソグラフィ（以下、本明細書では「ＥＵＶＬ」とも略する。）の像形成原理は、投影光学系を用いてマスクパターンを転写する点では、従来のフォトリソグラフィと同じである。しかし、ＥＵＶ光のエネルギー領域では光を透過する材料がないために、屈折光学系は使用できず、光学系はすべて反射光学系となる。

反射光学系に用いられるＥＵＶＬ用反射型マスクは、（１）基材、（２）基材上に形成された反射多層膜、（３）反射多層膜上に形成された吸収体層、から基本的に構成される。反射多層膜としては、Ｍｏ層と、Ｓｉ層と、を交互に積層させたＭｏ／Ｓｉ反射多層膜が検討され、吸収体層には、成膜材料として、ＴａやＣｒが検討されている。基材としては、ＥＵＶ光線照射の下においても歪みが生じないよう線熱膨張係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ；ＣＴＥ）の小さい材料が必要とされる。線熱膨張係数（ＣＴＥ）の小さい材料としては、ＴｉＯ₂を含有するシリカガラス（以下、本明細書では、ＴｉＯ₂−ＳｉＯ₂ガラスと記す。）が、石英ガラスよりも小さい線熱膨張係数を有する超低熱膨張材料として知られ、ガラス中のＴｉＯ₂含有量によって線熱膨張係数を制御できるために、線熱膨張係数（ＣＴＥ）が０に近いゼロ膨張ガラスが得られることから、ＥＵＶＬ光学部材の基材への使用が検討されている。

半導体製造等に使用される光リソグラフィに使用する露光装置は、マスクの温度変化による寸法変化を防ぐ目的から、１８〜２５℃の室温付近の所定の温度を中心値として、その中心値からの変動やマスク内の温度分布が±０．２以下、より好ましくは±０．１℃以下になるように、厳密に温度制御が行われているのが一般的である。従来の屈折光学系を用いた光リソグラフィの場合、そのマスクは透過型であり、マスク基板の露光光の透過率は９０％以上と高く、光リソグラフィの実施時、すなわち、ＡｒＦエキシマレーザなどの露光光がマスクに照射された場合でも、マスクの温度は上昇することなく前記温度に制御可能である。

しかしながら、ＥＵＶＬの場合、たとえ露光装置や同装置内にセットされたＥＵＶＬ用反射型マスクの温度を、上述した屈折光学系を用いた光リソグラフィ用露光装置と同様に、室温付近の温度にて厳密に制御していたとしても、高エネルギーのＥＵＶ光線がＥＵＶＬ用反射型マスクに照射されると、ＥＵＶＬ用反射型マスクの温度が上昇する。
現状のＥＵＶＬ用反射型マスクでは、ＥＵＶ光線を照射した際の光線反射率（すなわち、ＥＵＶ光線反射率）は高々６７％であり、残りのＥＵＶ光線はＥＵＶＬ用反射型マスクに吸収され、その一部は熱エネルギーとなり、ＥＵＶＬ用反射型マスクの温度を上昇させる。

ＥＵＶＬ実施時において、ＥＵＶＬ用反射型マスクは、静電チャック機構や機械的チャック機構といった保持手段によって、該ＥＵＶＬ用反射型マスクの基体を保持するが、発塵性の問題から、静電チャック機構による吸着保持が好ましく用いられる。
このような保持手段に冷却機構を持たせることで、ＥＵＶＬ用反射型マスクの基体を冷却し、ＥＵＶＬ用反射型マスクの温度上昇の抑制が検討されている。一例を挙げると、静電チャック機構の内部に液体や気体を流通させて、ＥＵＶＬ用反射型マスクの基体の冷却が検討されている。
しかしながら、このような方法でＥＵＶＬ用反射型マスクの基体を冷却した場合、ＥＵＶＬ用反射型マスクの露光面側（すなわち、ＥＵＶ光線が照射される面側）は、温度が上昇するのに対して、該ＥＵＶＬ用反射型マスクのチャック面側（すなわち、ＥＵＶＬ用反射型マスクの基体の静電チャック機構で保持される面側）は、温度の上昇が抑制されるため、該ＥＵＶＬ用反射型マスクの厚さ方向に温度勾配が生じる。

ＥＵＶＬ実施時において、ＥＵＶＬ用反射型マスクに温度変化や温度分布が生じると、該ＥＵＶＬ用反射型マスクが伸縮し、露光パターンに位置ずれを生じるおそれがある。
このような問題を解決するため、特許文献１では、チタニアおよびシリカを含有する低膨張性ガラス基板であって、使用温度において、１ｐｐｂ／℃／℃未満の平均熱膨張率勾配を有する熱膨張特性を備える低膨張性ガラス基板が提案されている。

日本特表２０１１−５０５３１８号公報

特許文献１に記載の低膨張性ガラス基板の場合、ＥＵＶＬ実施時における露光パターンに位置ずれの防止を意図していることから、ＥＵＶＬ実施時におけるＥＵＶＬ用反射型マスクの露光面の温度で、線熱膨張係数が０に近くなるように、ガラス基板を選択することになる。
したがって、ＥＵＶＬ実施時には、ガラス基板の露光面側は線熱膨張係数が０に近い状態となるが、ガラス基板のチャック面側は露光面とは温度差があるため、線熱膨張係数が０に近い状態とはならず、ガラス基板に歪みが生じ、ＥＵＶＬ用反射型マスクが静電チャック機構といった保持手段から脱離するおそれがあることが明らかになった。
これまで、ＥＵＶＬ実施時における露光パターンの位置ずれ防止に着目していたため、ＥＵＶＬ用反射型マスクの露光面での歪み（たとえば、伸縮）を防止する観点で、ガラス基板の露光面側での歪み防止については、従来から検討されているが、ガラス基板のチャック面側での歪みについては全く検討されていなかった。

本発明は、上記した従来技術における問題点を解決するため、ＥＵＶＬ実施時におけるガラス基板の厚さ方向における温度差による、ガラス基板のチャック面側での歪み、および、それによる保持手段からのガラス基板の脱離を解消できる、ＥＵＶＬ用反射型マスクの製造に用いられるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法、およびＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するため、本発明は、ＥＵＶ光が照射される側となる第１の表面と、当該第1の表面の反対側の面となる第２の表面とを有するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクのガラス基板において、該ガラス基板の第１の表面にＥＵＶ光線を反射する反射層およびＥＵＶ光線を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成され、また該ガラス基板の第２の面に導電膜が形成されたＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法であって、
下記式により求まるＥＵＶリソグラフィ実施時と同一条件におけるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの第２の表面側の平坦度をＺ_EUVL（ｎｍ）とするとき、該Ｚ_EUVLの絶対値が６００ｎｍ以下となるように、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの第２の表面側の初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
Ｚ_EUVL＝Ｚ₀＋Δ …… 式（Ａ）
（上記式（Ａ）中、Δは下記式（Ｂ）により求まるＥＵＶリソグラフィ実施時と同一条件におけるガラス基板のたわみ量（ｎｍ）である。）
Δ＝１８０×Ｌ（１−ｃｏｓ（πθ／３６０））／πθ …… 式（Ｂ）
（上記式（Ｂ）中、Ｌはガラス基板の縦横方向の寸法のうち、いずれか長い方の寸法（ｍｍ）であり、θは下記式（Ｃ）により求まるＥＵＶリソグラフィ実施時と同一条件におけるガラス基板のたわみ角度（°）である。）
θ＝１８０×Ｌ×１０^-9{（Ｔ_f−Ｔ₀）α_{0〜f, avg}−（Ｔ_b−Ｔ₀）α_{0〜b, avg}}／（πｔ） …… 式（Ｃ）
（上記式（Ｃ）中、Ｔ₀はＥＵＶリソグラフィ実施前と同一条件におけるガラス基板の第１の表面および第２の表面の温度（℃）であり、Ｔ_fはＥＵＶリソグラフィ実施時と同一条件におけるガラス基板の第１の表面の温度（℃）であり、Ｔ_bはＥＵＶリソグラフィ実施時と同一条件におけるガラス基板の第２の表面の温度（℃）であり（ここで、Ｔ_f＞Ｔ₀であり、Ｔ_f＞Ｔ_bである。）、α_{0〜f, avg}は温度範囲（Ｔ_f〜Ｔ₀）におけるガラス基板の平均線熱膨張係数（ｐｐｂ／℃）であり、α_{0〜b, avg}は温度範囲（Ｔ_b〜Ｔ₀）におけるガラス基板の平均線熱膨張係数（ｐｐｂ／℃）であり、ｔはガラス基板の板厚（ｍｍ）である。）

本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、前記吸収層をパターニングして吸収体パターンを形成することによるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの第２の表面側の平坦度の変化をΔ_pat（ｎｍ）とするとき、前記Ｚ_EUVLの絶対値が６００ｎｍ以下となるように、Δ_patの値の大きさによるＥＵＶＬ用反射型マスクの第２の表側の初期平坦度Ｚ₀´´の絶対値の増加を、最小限にすべく前記Ｚ₀を調節することが好ましい。

本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、前記ガラス基板が、ＴｉＯ₂を含有するシリカガラス基板であることが好ましい。

本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、前記反射層と、前記吸収層と、の間には前記反射層の保護層が形成されていてもよい。

本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、前記反射層と、前記吸収層と、の間にはバッファ層が形成されていてもよい。

本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、前記吸収層上にはマスクパターンの検査光に対する低反射層が形成されていてもよい。

本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、ガラス基板の第２の表面側の初期平坦度Ｚ₀´（ｎｍ）を調節することで、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの第２の表面側の初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節できる。
また、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを構成する各層の膜応力を調節することで、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節できる。
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、前記Ｚ_EUVLの絶対値が６００ｎｍ以下となるように、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの第２の表面側の初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節する方法が、下記する（ａ）から（ｄ）の群から選ばれる少なくとも１種の方法であることが好ましい。
（ａ）ＥＵＶＬ実施時と同一条件において、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク用のガラス基板の第２の表面側が凹状に変形する場合には、該ガラス基板の第２の表面に導電膜を形成する前の該ガラス基板の第２の表面側が凸状になるように、該ガラス基板の第２の表面側を研削加工或いは研磨加工する方法。
（ｂ）ＥＵＶＬ実施時と同一条件において、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク用のガラス基板の第２の表面側が凸状に変形する場合には、該ガラス基板の第２の表面に導電膜を形成する前の該ガラス基板の第２の表面側が凹状になるように、該ガラス基板の第２の表面側を研削加工或いは研磨加工する方法。
（ｃ）ＥＵＶＬ実施時と同一条件において、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク用のガラス基板の第２の表面側が凹状に変形する場合には、該ガラス基板の第２の表面に圧縮応力を生じせしめた導電膜を形成し、ガラス基板の第２の表面側が凸状になるようにする方法。
（ｄ）ＥＵＶＬ実施時と同一条件において、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク用のガラス基板の第２の表面側が凹状に変形する場合には、該ガラス基板の第１の表面側に形成する反射層、吸収層、保護層、バッファ層、低反射層、および応力調整膜からなる群から選ばれる少なくとも１層に引張応力を生じせしめてガラス基板の第２の表面側が凸状になるようにする方法。

また、本発明は、上記した本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法により、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを得て、該マスクブランクにおける前記吸収層をパターニングして吸収体パターンを形成するＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法を提供する。
本明細書において、上記したガラス基板のＥＵＶ光が照射される側となる「第１の表面」を「成膜面」（すなわち、ＥＵＶ光線を反射する反射層およびＥＵＶ光線を吸収する吸収層が形成される側の表面）とも表現し、また第1の表面の反対側の面となる「第２の表面」を「裏面」（すなわち、上記した成膜面の反対面であって、導電膜が形成される側の表面）とも表現する。

本発明によれば、ＥＵＶＬ実施時におけるガラス基板の厚さ方向における温度差によるガラス基板のチャック面側での歪みを抑制でき、保持手段からのガラス基板の脱離を解消できる。

図１は、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの基本構成を示した模式図である。 図２（ａ）および（ｂ）は、図１のガラス基板１のＥＵＶＬ実施前および実施時の状態を示した模式図である。 図３は、ＤＣマグネトロンスパッタ時の窒素ガス流量と、ＣｒＮ膜の膜応力と、の関係を示したグラフである。

以下、図面を参照して本発明を説明する。
図１は、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの基本構成を示した模式図である。図１に示すマスクブランクは、ガラス基板１のＥＵＶ光が照射される側となる第１の面にＥＵＶ光線を反射する反射層２、および、ＥＵＶ光線を吸収する吸収層３がこの順に形成されている。ここで、反射層２としては、低屈折層と高屈折層とを交互に積層させた多層反射膜が示されている。ガラス基板１の第２の面に導電膜４が形成されている。
なお、図１は、ＥＵＶ用反射型マスクブランクの基本構成を示したものであり、本発明の方法によって製造されるＥＵＶ用反射型マスクブランクは、上記以外の各種機能層を有してもよい。このような機能層の具体例としては、反射層２の表面の酸化を防止する目的で反射層２上に必要に応じて形成される反射層２の保護層、パターニングの際に反射層２がダメージを受けるのを防止する目的で反射層２と吸収層３との間に必要に応じて形成されるバッファ層、マスクパターンの検査時のコントラストを向上させる目的で吸収層３上に必要に応じて形成されるマスクパターンの検査光に対する低反射層が挙げられる。

図１に示すマスクブランクから、ＥＵＶＬ用反射型マスクを作製する際には、所望の回路パターンが形成されるように、図１に示すマスクブランクの吸収層３をパターニングして所望の吸収体パターンを形成する。
ＥＵＶＬ実施時には、ＥＵＶＬ用反射型マスクのチャック面、すなわち、図１に示すマスクブランクの導電膜４、を静電チャックで吸着保持した状態で、該反射型マスクの露光面、すなわち、図１に示すマスクブランクの吸収層３にＥＵＶ光線が照射される。

上述したように、ＥＵＶＬ用反射型マスクの露光面側、すなわち、図１に示すマスクブランクの吸収層３側は、高エネルギーのＥＵＶ光線の照射により温度が上昇するのに対し、ＥＵＶＬ用反射型マスクのチャック面側、すなわち、図１に示すマスクブランクの導電膜４側は、静電チャックに設けられた冷却機構によって冷却される結果、温度の上昇が抑制されるので、ＥＵＶＬ用反射型マスクの露光面側と、チャック面側と、では温度差が生じる。ＥＵＶＬ用反射型マスクの基体をなすガラス基板についても、露光面側と、チャック面側、すなわち、図１に示すマスクブランクのガラス基板１における成膜面側と、裏面側と、では温度差が生じる。

ここで、ＥＵＶＬ実施時におけるＥＵＶＬ用反射型マスクの露光面側の温度で、線熱膨張係数が０に近くなるように、ＥＵＶＬ用反射型マスクの基体をなすガラス基板、すなわち、図１に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランクのガラス基板１を選択する。
このため、ＥＵＶＬ実施時において、ＥＵＶＬ用反射型マスクの基体をなすガラス基板の露光面側、すなわち、図１に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランクのガラス基板１の成膜面側は、線熱膨張係数が０に近い状態となる。一方、ＥＵＶＬ用反射型マスクの基体をなすガラス基板のチャック面側、すなわち、図１に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランクのガラス基板１の裏面側は、露光面側、すなわち、図１に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランクのガラス基板１の成膜面側とは温度差がある。そのため、線熱膨張係数が０に近い状態とはならず、基体をなすガラス基板に歪みが生じ、ＥＵＶＬ用反射型マスクが静電チャックから脱離するおそれがある。

本発明では、ＥＵＶＬ実施時と同一条件における、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の平坦度をＺ_EUVL（ｎｍ）とし、該ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の初期平坦度をＺ₀（ｎｍ）とするとき、Ｚ_EUVLの絶対値が６００ｎｍ以下となるように、Ｚ₀を調節する。
本明細書において、平坦度は、ＳＥＭＩ−Ｐ３７ １１０２の「８．平坦度の仕様」およびその図４に定義された通り、基板の成膜面あるいは裏面それぞれの表面形状の最小二乗面を求め、実際の表面形状と最小二乗面との差異の最大値を意味する。また、平坦度は、レーザ干渉式の平坦度測定機（Ｆｕｊｉｎｏｎ社製Ｇ３１０Ｓ，Ｔｒｏｐｅｌ社製Ｕｌｔｒａｆｌａｔ，Ｚｙｇｏ社製ＶｅｒｉｆｉｒｅやＭａｒｋＩＶなど）、レーザ変位計、超音波変位計、接触式変位計などによって測定される。
ここで、「ＥＵＶＬ実施時と同一条件における」としているのは、ＥＵＶＬ実施時には、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクではなく、該マスクブランクから作製したＥＵＶＬ用反射型マスクが用いられるからである。なお、後述において、「ＥＵＶＬ実施前と同一条件における」としているのも、同じ理由による。
なお、Ｚ_EUVLおよびＺ₀は、ガラス基板１の成膜面側が凸状（裏面側が凹状）になる場合の平坦度の値を正の値とし、逆に、ガラス基板１の成膜面側が凹状（裏面側が凸状）になる場合の平坦度の値を負の値とする。

上述したように、ＥＵＶＬ用反射型マスクを作製する際には、図１に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの吸収層３をパターニングして所望の吸収体パターンを形成する。そのため、ＥＵＶＬ実施時における、ＥＵＶＬ用反射型マスクの裏面側の平坦度をＺ_EUVL´´、および、該ＥＵＶＬ用反射型マスクの裏面側の初期平坦度をＺ₀´´とすると、これらは、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の平坦度に関するＺ_EUVLおよびＺ₀とは通常一致しない。

上述したように、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクからＥＵＶＬ用反射型マスクを作製する際には、該マスクブランクの吸収層をパターニングして吸収体パターンを形成する。
ここで、吸収体パターンを形成することによるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の平坦度の変化（すなわち、このパターニング前後でのＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の平坦度の変化）をΔ_pat（ｎｍ）とするとき、Ｚ_EUVL´´と、Ｚ_EUVLとの関係は下記式（１）で表わされる。また、Ｚ₀´´と、Ｚ₀との関係は、下記式（２）で表わされる。
Ｚ_EUVL´´＝Ｚ_EUVL＋Δ_pat …… 式（１）
Ｚ₀´´＝Ｚ₀＋Δ_pat …… 式（２）
ここで、Δ_patは、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの吸収膜のパターニング前後でのＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の平坦度の変化であるので、ＥＵＶＬ実施時と、ＥＵＶＬ実施前との両者の間で大きな変化が無く、ほぼ同一とみなせる。そのため、上記式（１）、（２）において、いずれも、同一の記号Δ_patを使用できる。
なお、Δ_patは、ガラス基板１の成膜面側が凸状（すなわち、裏面側が凹状）になる場合の平坦度変化の値を正の値とし、逆に、ガラス基板１の成膜面側が凹状（すなわち、裏面側が凸状）になる場合の平坦度変化の値を負の値とする。

また、本発明において、Ｚ_EUVLと、Ｚ₀との間には下記式（Ａ）で示す関係が成立する。
Ｚ_EUVL＝Ｚ₀＋Δ …… 式（Ａ）
式（Ａ）中、ΔはＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板のたわみ量（ｎｍ）である。
上記式（Ａ）に基づいて、Ｚ_EUVL´´と、Ｚ₀´´との関係を表わすと、下記式（Ａ´）で示す関係が成立する。
Ｚ_EUVL´´＝Ｚ₀´´＋Δ …… 式（Ａ´）
上記の式（１）、（２）を式（Ａ´）に当てはめると、以下のようになる。
Ｚ_EUVL＋Δ_pat＝Ｚ₀＋Δ_pat＋Δ …… 式（Ａ´）
上記式（Ａ´）において、Ｚ_EUVL´´と、Ｚ₀´´との関係に着目する場合、左右両辺に存在するΔ_patによる影響はきわめて小さいと考えられる。ゆえに、式（Ａ´）と、式（Ａ）とは、同一の関係式とみなせる。
したがって、ＥＵＶＬ用反射型マスクの裏面側の平坦度に関するＺ_EUVL´´と、Ｚ₀´´との関係は、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の平坦度に関するＺ_EUVLと、Ｚ₀との関係として考慮できる。

但し、Δ_patがＺ₀の絶対値と比べてＺ₀´´の絶対値を大きくするように作用する場合は、Δ_pat（すなわち、吸収膜のパターニング前後でのＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の平坦度の変化）を考慮して、Ｚ₀を調整することが好ましい。すなわち、Δ_patの値の大きさの作用によるＺ₀´´（すなわち、ＥＵＶＬ用反射型マスクの裏面側の初期平坦度）の絶対値の増加が、最小限になるようにＺ₀を調整することが好ましい。
具体的には、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの吸収層が圧縮応力を有する場合、Δ_patは負の値となる。Δ_patがＺ₀の絶対値と比べてＺ₀´´の絶対値を大きくするように作用する場合には、Ｚ₀が正の値をとるように、後述する方法にてＺ₀を調整することが好ましい。
また、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの吸収層が引張応力を有する場合、Δ_patは正の値となる。Δ_patがＺ₀の絶対値と比べてＺ₀´´の絶対値を大きくするように作用する場合には、Ｚ₀が負の値をとるように、後述する方法にてＺ₀を調整することが好ましい。

本発明において、Ｚ_EUVLの絶対値が６００ｎｍ以下となるように、Ｚ₀を調節するのは、以下の理由による。
Ｚ_EUVLの絶対値が６００ｎｍ以下であれば、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを用いて作製したＥＵＶＬ用反射型マスクを用いて、ＥＵＶＬを実施した際に、該反射型マスクの基体をなすガラス基板に生じる歪みが十分小さくなるため、該反射型マスクが静電チャックから脱離することがない。
ここで、静電チャックからの反射型マスクの脱離防止の観点から、Ｚ_EUVLの絶対値がより小さいことが好ましい。
このため、Ｚ_EUVLの絶対値が３００ｎｍ以下となるように、Ｚ₀を調節することがより好ましく、Ｚ_EUVLの絶対値が２００ｎｍ以下となるように、Ｚ₀を調節することがさらに好ましい。

また、本発明においてΔは下記式（Ｂ）で表わされる。
Δ＝１８０×Ｌ（１−ｃｏｓ（πθ／３６０））／πθ …… 式（Ｂ）
式（Ｂ）中、Ｌはガラス基板１の縦横方向の寸法のうち、いずれか長い方の寸法（ｍｍ）であり、θはＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板１のたわみ角度（°）であり、ｔはガラス基板１の板厚（ｍｍ）である。

そして、本発明においてθは下記式（Ｃ）で表わされる。
θ＝１８０×Ｌ×１０^-9{（Ｔ_f−Ｔ₀）α_{0〜f, avg}−（Ｔ_b−Ｔ₀）α_{0〜b, avg}}／（πｔ） …… 式（Ｃ）
式（Ｃ）中、Ｔ₀はＥＵＶＬ実施前と同一条件におけるガラス基板１の成膜面および裏面の温度（℃）であり、Ｔ_fはＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板１の成膜面の温度（℃）であり、Ｔ_bはＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板１の裏面の温度（℃）であり、α_{0〜f, avg}は温度範囲（Ｔ_f〜Ｔ₀）におけるガラス基板１の平均線熱膨張係数（ｐｐｂ／℃）であり、α_０〜b,avgは温度範囲（Ｔ_b〜Ｔ₀）におけるガラス基板１の平均線熱膨張係数（ｐｐｂ／℃）である。
ＥＵＶＬ実施時において、ガラス基板の露光面（すなわち、成膜面）は高エネルギーのＥＵＶ光線の照射により温度が上昇するためＴ_f＞Ｔ₀となる。また、ＥＵＶＬ実施時において、ＥＵＶＬ用反射型マスクの吸着保持に用いる静電チャック機構の内部に液体や気体を流通させて、該反射型マスクの基体をなすガラス基板をチャック面側から冷却するため、ガラス基板の裏面の温度Ｔ_bは成膜面の温度Ｔ_fよりも低くなる（Ｔ_f＞Ｔ_b）。

なお、上記したΔ、θ、Ｔ₀、Ｔ_f、および、Ｔ_bについては、図２（ａ）、（ｂ）を参照することで容易に理解できる。ここで、図２（ａ）は、図１に示すガラス基板１のＥＵＶＬ実施前と同一条件における状態を示した模式図であり、図２（ｂ）は、該ガラス基板１のＥＵＶＬ実施時と同一条件における状態を示した模式図である。なお、図２（ａ）に示すガラス基板１は、初期平坦度が０ｎｍの平坦なガラス基板を想定している。
図２（ａ）に示すように、ＥＵＶＬ実施前と同一条件では、ガラス基板１の成膜面および裏面の温度がいずれも同一の温度（Ｔ₀）であるため、ガラス基板１には変形が生じておらず、平坦な状態になっている。
これに対し、ＥＵＶＬ実施時と同一条件では、図２（ｂ）に示すように、ガラス基板１の成膜面の温度Ｔ_fと、該ガラス基板１の裏面の温度Ｔ_bと、の間に温度差が生じる結果、ガラス基板１にたわみ角度θ、かつ、たわみ量Δの変形が生じる。
なお、図２（ｂ）では、ガラス基板１の成膜面側が、凸状（すなわち、裏面側が凹状）になるように変形が生じているが、ガラス基板１の変形方向はこれには限定されず、ガラス基板１の成膜面側が凹状（すなわち、裏面側が凸状）になるように変形が生じている場合もある。ガラス基板１の変形方向、および、たわみ角度θは、上記式（Ｃ）により決定され、たわみ量Δは上記式（Ｂ）により決定される。

本発明では、上記式（Ｂ）によって求まるたわみ量Δと、上記式（Ａ）との関係を用いて、Ｚ_EUVLの絶対値が６００ｎｍ以下となるようにＺ₀を調節する。
たとえば、ＥＵＶＬ実施時と同一条件において、図２（ｂ）に示すように、たわみ量Δの変形が生じてガラス基板１の裏面側が凹状になる場合、ＥＵＶＬ実施前と同一条件における状態を示す図２（ａ）において、ガラス基板１の裏面側が凸状になるように、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節して、Ｚ_EUVLの絶対値が６００ｎｍ以下となるようにする。
また、図２（ｂ）とは逆にガラス基板１の裏面側が凸状になるように変形が生じる場合、ガラス基板１の裏面側が凹状になるように、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節して、Ｚ_EUVLの絶対値が６００ｎｍ以下となるようにする。
なお、図２（ａ）および図２（ｂ）では、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの基体をなすガラス基板１について、ＥＵＶＬ実施前と同一条件、および、ＥＵＶＬ実施時と同一条件における状態を示している。一方で、Ｚ₀およびＺ_EUVLは、ガラス基板１ではなく、ガラス基板１の成膜面に反射層２および吸収層３がこの順に形成され、該ガラス基板１の裏面に導電膜４が形成されたＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の初期平坦度、および、ＥＵＶＬ実施時と同一条件における該裏面側の平坦度である。
したがって、図２（ａ）および（ｂ）に示すガラス基板１の形状の変化は、該ガラス基板１の成膜面に反射層２および吸収層３がこの順に形成され、該ガラス基板１の裏面に導電膜４が形成されたＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側における形状の変化に置き換えて、Ｚ_EUVLの絶対値が６００ｎｍ以下となるように、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節することになる。

ここで、Ｚ₀の調節方法の一態様としては、裏面に導電膜４を形成する前のガラス基板１の裏面側の初期平坦度Ｚ₀´（ｎｍ）を調節する方法がある。たとえば、ＥＵＶＬ実施時と同一条件において、図２（ｂ）に示すように、たわみ量Δの変形が生じてガラス基板１の裏面側が凹状になる場合、裏面に導電膜４を形成する前のガラス基板１の裏面側が凸状になるように、該ガラス基板１の裏面側を研削加工或いは研磨加工すればよい。
また、図２（ｂ）とは逆にガラス基板１の裏面側が凸状になるように変形を生じる場合、ガラス基板１の裏面側が凹状になるように、該ガラス基板１の裏面側を研削加工或いは研磨加工すればよい。

また、Ｚ₀の調節方法の別の一態様としては、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを構成する各層の膜応力を調節することで、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節できる。たとえば、ＥＵＶＬ実施時と同一条件において、図２（ｂ）に示すように、たわみ量Δの変形が生じてガラス基板１（すなわち、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクのガラス基板）の裏面側が凹状になる場合、該ガラス基板１の裏面に形成する導電膜４で圧縮応力を生じさせることにより、ガラス基板１（ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク）の裏面側が凸状になるように変形させて、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節できる。または、ガラス基板１の成膜面側に形成する反射層２や吸収層３で引張応力を生じさせることにより、ガラス基板１（ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクのガラス基板）の裏面側が凸状になるように変形させて、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節してもよい。または、ガラス基板１の成膜面側で、ガラス基板１と反射層２との間に引張応力を有する応力調整膜を形成することにより、ガラス基板１（ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクのガラス基板）の裏面側が凹状になるように変形させて、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節してもよい。
また、図２（ｂ）とは逆にガラス基板１の裏面側が凸状になるように変形を生じる場合、該ガラス基板１の裏面に形成する導電膜４で引張応力を生じさせることにより、ガラス基板１（ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク）の裏面側が凹状になるように変形させて、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節できる。または、ガラス基板１の成膜面側に形成する反射層２や吸収層３で圧縮応力を生じさせることにより、ガラス基板１（ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク）の裏面側が凹状になるように変形させて、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節してもよい。または、ガラス基板１の成膜面側で、ガラス基板１と反射層２との間に圧縮応力を有する応力調整膜を形成することにより、ガラス基板１（ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク）の裏面側が凹状になるように変形させて、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節してもよい。

但し、ガラス基板１の成膜面側に形成する反射層２や吸収層３は、応力以外に光学特性などの各種特性を満足させる必要があり、これら各種要求特性を損なうことなく反射層２や吸収層３の応力を調整することは比較的困難である。そのため、ガラス基板１の裏面に形成する導電膜４の応力、あるいは、ガラス基板１の成膜面側で、ガラス基板１と反射層２との間に形成する応力調整膜の応力、を調整することにより、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの初期平坦度Ｚ₀を調整することが好ましい。

なお、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを構成する各層で発生する膜応力は、成膜方法や成膜条件、各層の構成材料、膜厚など公知の方法にて、調節できるが、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを構成する各層によって適切な方法が異なる。
例えば、ガラス基板１の裏面に形成する導電膜や、ガラス基板１の成膜面側に形成する応力調整膜あるいは吸収層の場合、ＤＣマグネトロンスパッタリング法による成膜が好ましく、スパッタ圧力、投入パワー、スパッタリングガスの種類、スパッタリングガス中の特定のガス成分の流量などの各種成膜条件の調整により、膜応力を制御できる。

一般的に、スパッタ圧力が低いほど、また投入パワーが大きいほど、ターゲットからガラス基板に飛来するスパッタリング粒子の運動エネルギーが大きくなるため、圧縮応力が大きくなる。スパッタ圧力を高くあるいは投入パワーを小さくすると、応力は減少しゼロを示し、さらにスパッタ圧力を高くあるいは投入パワーを小さくすると、ターゲットからガラス基板に飛来するスパッタリング粒子の運動エネルギーが小さくなるため、膜応力は引張応力となる。また、スパッタリングガスとしては通常アルゴンが使用されるが、アルゴン中にキセノンやクリプトンなど原子量の大きな不活性ガスを混入させると、ターゲットからガラス基板に飛来するスパッタリング粒子の運動エネルギーが小さくなる。そのため、アルゴンガス中のキセノンやクリプトンガスの混入量を調整することにより、膜応力を調整することもできる。これら膜応力の成膜条件の依存性は、膜の構成材料によって異なり、ガラス基板１の裏面に形成する導電膜４や、ガラス基板１の成膜面側に形成する応力調整膜あるいは吸収層３に適切な材料としては、クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸窒化クロム、あるいは、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料（例えば窒化タンタル、硼化タンタル、硼窒化タンタル、酸化タンタル、あるいは、酸窒化タンタルなど）が挙げられる。スパッタリングガス中の特定のガス成分の流量の調整による膜応力の調整の具体例として、ＤＣマグネトロンスパッタ時の窒素ガス流量と、ＣｒＮ膜の膜応力と、の関係を図３に示す。正の膜応力は引張応力を、負の膜応力は圧縮応力を示す。図３から明らかなように、ＤＣマグネトロンスパッタ時のスパッタリングガス中の窒素ガス流量を変更することにより、膜応力を調整できる。
なお、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクが上述した各種機能層（保護層、バッファ層、低反射層）を有する場合、各種機能膜で発生する膜応力を調節することで、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節してもよい。

以下、本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの構成例を示す。

ガラス基板１は、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの基材としての特性を満たすことが要求される。
上述したように、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの基材をなすガラス基板１は、ＥＵＶ光線照射の下においても歪みが生じないよう線熱膨張係数（ＣＴＥ）が小さいことが求められる。具体的には、ＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板１の成膜面および裏面の温度を含む温度域において、線熱膨張係数（ＣＴＥ）が０に近いことが求められ、０±１．０×１０^-7／℃であることが好ましく、より好ましくは０±０．３×１０^-7／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０^-7／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０^-7／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０^-7／℃である。
特に、線熱膨張係数（ＣＴＥ）が０ｐｐｂ／℃となる温度（以下、この温度を、「クロスオーバー温度：Ｃｒｏｓｓ−ｏｖｅｒ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ」といい、ＣＯＴとも略す。）がＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板１の成膜面の温度と一致していることが好ましい。
ここで、ガラス基板１がＳｉＯ₂−ＴｉＯ₂ガラス基板の場合、ガラス基板１のクロスオーバー温度（ＣＯＴ）は、例えば、ガラス基板のＴｉＯ₂含有量によって調節できる。
かかるＳｉＯ₂−ＴｉＯ₂ガラス基板としては、たとえばＴｉＯ_２を４．０〜１０．０質量％、より好ましくは、６．０〜８．０質量％、含むシリカガラスが挙げられる。

また、ガラス基板１は、平滑性、平坦度に優れ、さらには、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクやＥＵＶＬ用反射型マスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。
上記の特性を満たすガラス基板１としては、特にＴｉＯ_２を４．０〜１０．０質量％含み、ＳｉＯ₂を６．０〜８．０質量％含むＳｉＯ₂−ＴｉＯ₂ガラス基板が好ましい。
また、ガラス基板１は、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と、１００ｎｍ以下の平坦度を有していることが、ＥＵＶＬ用反射型マスクとした際に、ＥＵＶ光線に対する高反射率および転写精度が得られるために好ましい。上記表面粗さ（ｒｍｓ）は、原子間力顕微鏡で１μｍ×１μｍのエリアを解像度１．９５ｎｍにて測定して求めた値である。
ガラス基板１の大きさや厚さなどはマスクの設計値等により適宜決定される。後述する実施例では、外形が１５２ｍｍ角の正方形で、厚さ６．３５ｍｍのＳｉＯ₂−ＴｉＯ₂ガラス基板を想定している。
また、ガラス基板１の成膜面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であることが好ましい。

ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの反射層２に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率である。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層２表面に入射角度６度で照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上の高ＥＵＶ光線反射率特性であることが好ましく、６３％以上の高ＥＵＶ光線反射率特性であることがより好ましく、６５％以上の高ＥＵＶ光線反射率特性であることがさらに好ましい。

ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの反射層２としては、ＥＵＶ波長域において高反射率を達成できる、高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に複数回積層させた多層反射膜が広く用いられている。多層反射膜の具体例としては、高屈折率膜としてのＳｉ膜と、低屈折率膜としてのＭｏ膜とを交互に複数回積層させたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が挙げられる。
Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合に、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射層２とするには、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させればよい。

なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層は、乾式成膜法、具体的にはマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いて所望の厚さに成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０^-2Ｐａ〜２．７×１０^-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ層を成膜し、次に、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０^-2Ｐａ〜２．７×１０^-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ層を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｍｏ層およびＳｉ層を３０〜６０周期積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が成膜される。

吸収層３に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収層３表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が０．５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましい。
上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光線の吸収係数が高い材料で構成されることが好ましい。ＥＵＶ光線の吸収係数が高い材料の具体例としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が挙げられる。
タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で構成される吸収層の具体例としては、Ｔａおよび窒素（Ｎ）を以下に述べる比率で含有するＴａＮ膜からなる吸収層が挙げられる。
・Ｔａの含有率：好ましくは５０〜９５ａｔ％、より好ましくは６０〜９０ａｔ％。
・Ｎの含有率：好ましくは５〜５０ａｔ％、より好ましくは１０〜４０ａｔ％。
・ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：８：１〜１：１。

上記組成のＴａＮ膜の吸収層３は、その結晶状態がアモルファスであり、表面の平滑性に優れている。
上記組成のＴａＮ膜の吸収層３であれば、吸収層３表面の表面粗さ（ｒｍｓ）を０．５ｎｍ以下にできる。吸収層３表面の表面粗さが大きいと、ＥＵＶＬ用反射型マスクを作製する際に、吸収層３に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収層３表面は平滑であることが要求される。
吸収層３表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であれば、吸収層３表面が十分平滑であるため、ＥＵＶＬ用反射型マスクを作製する際に、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。
また、吸収層３の厚さは、５０〜１００ｎｍが好ましい。

上記組成のＴａＮ膜の吸収層３は、乾式成膜法、具体的にはマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いて形成できる。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、Ｔａターゲットを使用し、Ａｒで希釈した窒素（Ｎ₂）雰囲気中でターゲットを放電させてＴａＮ膜の吸収層３を形成する。

上記例示した方法でＴａＮ膜からなる吸収層３を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
・スパッタリングガス：ＡｒとＮ_２の混合ガス（Ｎ_２ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧０．５×１０^-１Ｐａ〜１０×１０^-１Ｐａ、好ましくは０．５×１０^-１Ｐａ〜５×１０^-１Ｐａ、より好ましくは０．５×１０^-１Ｐａ〜３×１０^-１Ｐａ。）。
・投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ。
・成膜速度：０．１〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．１〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．１〜３０ｎｍ／ｍｉｎ。

導電膜４は、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。導電膜４の構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択できる。例えば、日本特表２００３−５０１８２３号公報に記載の高誘電率物質層、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなる群から選択される物質層が挙げられる。また、日本再公表特許２００８／０７２７０６に記載のクロムおよび窒素を含有する導電膜（ＣｒＮ膜）が挙げられる。該ＣｒＮ膜は、乾式成膜法、具体的には、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、および、真空蒸着法といった乾式成膜法によって形成できる。該ＣｒＮ膜をマグネトロンスパッタリング法により形成する場合、ターゲットをＣｒターゲットとし、スパッタガスをＡｒとＮ_２の混合ガスとして、マグネトロンスパッタリングを実施すればよく、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
・ターゲット：Ｃｒターゲット。
・スパッタリングガス：ＡｒとＮ_２の混合ガス（Ｎ_２ガス濃度３〜４５ｖｏｌ％、好ましくは５〜４０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜３５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０^-１Ｐａ〜５０×１０^-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０^-１Ｐａ〜４０×１０^-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０^-１Ｐａ〜３０×１０^-１Ｐａ。）。
・投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ。
・成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ。
なお、導電膜４の膜応力によってＺ₀を調整する場合、導電膜４の膜応力の調整は前述したように、成膜方法、成膜条件、成膜材料、成膜厚さ等を最適化することによって実施すればよい。

本実施例では、クロスオーバー温度（ＣＯＴ）が異なる例１〜例８のＳｉＯ₂−ＴｉＯ₂ガラス基板について、ＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板のたわみ量Δ（ｎｍ）を、該条件におけるガラス基板の成膜面の温度（Ｔ_ｆ）および裏面の温度（Ｔ_ｂ）が異なる場合を想定し、上述した式（Ｂ）、（Ｃ）を用いて算出した。また、各ガラス基板について、ＥＵＶＬ実施時におけるパターンの位置ずれの指標とするため、ＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板の成膜面側でのパターンの伸縮量（すなわち、温度Ｔ_fから±１℃変動した場合のパターンの伸縮量）を測定した。結果を下記表に示す。

表１中の記載はそれぞれ以下を表わす。
ＣＯＴ：クロスオーバー温度（℃）
ＴｉＯ₂含有量：ガラス基板のＴｉＯ₂含有量（質量％）
Ｔ₀：ＥＵＶＬ実施前と同一条件におけるガラス基板の成膜面および裏面の温度（℃）
Ｔ_f：ＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板の成膜面の温度（℃）
Ｔ_b：ＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板の裏面の温度（℃）
ＣＴＥ＠Ｔ₀（α₀）：Ｔ₀でのガラス基板の線熱膨張係数（ｐｐｂ／℃）
ＣＴＥ＠Ｔ_f（α_f）：Ｔ_fでのガラス基板の線熱膨張係数（ｐｐｂ／℃）
ＣＴＥ＠Ｔ_b（α_b）：Ｔ_bでのガラス基板の線熱膨張係数（ｐｐｂ／℃）
α_{0〜f, avg}：温度範囲（Ｔ_f〜Ｔ₀）におけるガラス基板の平均線熱膨張係数（ｐｐｂ／℃）
α_{0〜b, avg}：温度範囲（Ｔ_b〜Ｔ₀）におけるガラス基板の平均線熱膨張係数（ｐｐｂ／℃）
パターン伸縮量：温度Ｔ_fから±１℃変動した場合のパターンの伸縮量（ｎｍ／１３２ｍｍ（成膜面の品質保証領域を１３２ｍｍ角と想定））
θ：上述した式（Ｃ）により求まる、ＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板のたわみ角度（°）
Δ：上述した式（Ｂ）により求まる、ＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板のたわみ量（ｎｍ）
なお、ガラス基板１は外形が１５２ｍｍ角の正方形で、厚さ６．３５ｍｍの基板を想定した。
また、θおよびΔの値が正の場合、図２（ｂ）に示すように、ガラス基板１の成膜面側が凸状（すなわち、裏面側が凹状）になるように変形が生じる。一方、θおよびΔの値が負の場合、ガラス基板１の成膜面側が凹状（裏面側が凸状）になるように変形が生じる。

表１から明らかなように、ガラス基板のクロスオーバー温度（ＣＯＴ)をＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板の成膜面の温度（Ｔ_f）と一致させることで、ＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるガラス基板の成膜面側でのパターンの伸縮がほぼ発生しない状態となった。
しかしながら、ＥＵＶＬ実施時と同一条件において、ガラス基板の成膜面の温度（Ｔ_f）と裏面（Ｔ_ｂ）の温度と、は異なるため、ガラス基板に有意な変形が生じる。なお、本実施例では、たわみ角度（θ）およびたわみ量（Δ）の算出を容易するため、ガラス基板単体について評価したが、該ガラス基板を基体とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランクについても、同様の手順でたわみ角度（θ）およびたわみ量（Δ）を算出できる。
このため、本発明の方法により、ＥＵＶＬ実施時と同一条件におけるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の平坦度（Ｚ_EUVL）の絶対値が６００ｎｍ以下となるように、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの裏面側の初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節する必要がある。

本発明によれば、ＥＵＶＬ実施時におけるＥＵＶＬ用反射型マスクのガラス基板の厚さ方向における温度差による当該マスクのチャック面側での歪みを抑制できる、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクおよびＥＵＶＬ用反射型マスクを製造することができる。
なお、２０１１年１０月２８日に出願された日本特許出願２０１１−２３７４３７号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。

Claims (10)

1. ＥＵＶ光が照射される側となる第１の表面と、当該第１の表面の反対側の面となる第２の表面とを有するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクのガラス基板において、該ガラス基板の第１の表面にＥＵＶ光線を反射する反射層およびＥＵＶ光線を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成され、また該ガラス基板の第２の面に導電膜が形成されたＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法であって、
   下記式により求まるＥＵＶリソグラフィ実施時と同一条件におけるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの第２の表面側の平坦度をＺ_EUVL（ｎｍ）とするとき、該Ｚ_EUVLの絶対値が６００ｎｍ以下となるように、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの第２の表面側の初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節することを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
   Ｚ_EUVL＝Ｚ₀＋Δ …… 式（Ａ）
   （上記式（Ａ）中、Δは下記式（Ｂ）により求まるＥＵＶリソグラフィ実施時と同一条件におけるガラス基板のたわみ量（ｎｍ）である。）
   Δ＝１８０×Ｌ（１−ｃｏｓ（πθ／３６０））／πθ …… 式（Ｂ）
   （上記式（Ｂ）中、Ｌはガラス基板の縦横方向の寸法のうち、いずれか長い方の寸法（ｍｍ）であり、θは下記式（Ｃ）により求まるＥＵＶリソグラフィ実施時と同一条件におけるガラス基板のたわみ角度（°）である。）
   θ＝１８０×Ｌ×１０^-9{（Ｔ_f−Ｔ₀）α_{0〜f, avg}−（Ｔ_b−Ｔ₀）α_{0〜b, avg}}／（πｔ） …… 式（Ｃ）
   （上記式（Ｃ）中、Ｔ₀はＥＵＶリソグラフィ実施前と同一条件におけるガラス基板の第１の表面および第２の表面の温度（℃）であり、Ｔ_fはＥＵＶリソグラフィ実施時と同一条件におけるガラス基板の第１の表面の温度（℃）であり、Ｔ_bはＥＵＶリソグラフィ実施時と同一条件におけるガラス基板の第２の表面の温度（℃）であり（ここで、Ｔ_f＞Ｔ₀であり、Ｔ_f＞Ｔ_bである。）、α_{0〜f, avg}は温度範囲（Ｔ_f〜Ｔ₀）におけるガラス基板の平均線熱膨張係数（ｐｐｂ／℃）であり、α_{0〜b, avg}は温度範囲（Ｔ_b〜Ｔ₀）におけるガラス基板の平均線熱膨張係数（ｐｐｂ／℃）であり、ｔはガラス基板の板厚（ｍｍ）である。）
2. 前記吸収層をパターニングして吸収体パターンを形成することによるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの第２の表面側の平坦度の変化をΔ_pat（ｎｍ）とするとき、前記Ｚ_EUVLの絶対値が６００ｎｍ以下となるように、Δ_patの値の大きさによるＥＵＶＬ用反射型マスクの第２の表面側の初期平坦度Ｚ₀´´の絶対値の増加を、最小限にすべく前記Ｚ₀を調節する、請求項１に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
3. 前記ガラス基板が、ＴｉＯ₂を含有するシリカガラス基板である、請求項１または２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
4. 前記反射層と、前記吸収層と、の間に前記反射層の保護層が形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
5. 前記反射層と、前記吸収層と、の間にはバッファ層が形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
6. 前記吸収層上にはマスクパターンの検査光に対する低反射層が形成されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
7. ガラス基板の第２の表面側の初期平坦度Ｚ₀´（ｎｍ）を調節することで、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの第２の表面側の初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節する、請求項１〜６のいずれか１項に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
8. 前記ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを構成する各層の膜応力を調節することで、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの第２の表面側の初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節する、請求項１〜７のいずれか１項に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
9. 前記Ｚ_EUVLの絶対値が６００ｎｍ以下となるように、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの第２の表面側の初期平坦度Ｚ₀（ｎｍ）を調節する方法が、下記する（ａ）から（ｄ）の群から選ばれる少なくとも１種の方法である、請求項１〜８のいずれか１項に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
   （ａ）ＥＵＶＬ実施時と同一条件において、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク用のガラス基板の第２の表面側が凹状に変形する場合には、該ガラス基板の第２の表面に導電膜を形成する前の該ガラス基板の第２の表面側が凸状になるように、該ガラス基板の第２の表面側を研削加工或いは研磨加工する方法。
   （ｂ）ＥＵＶＬ実施時と同一条件において、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク用のガラス基板の第２の表面側が凸状に変形する場合には、該ガラス基板の第２の表面に導電膜を形成する前の該ガラス基板の第２の表面側が凹状になるように、該ガラス基板の第２の表面側を研削加工或いは研磨加工する方法。
   （ｃ）ＥＵＶＬ実施時と同一条件において、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク用のガラス基板の第２の表面側が凹状に変形する場合には、該ガラス基板の第２の表面に圧縮応力を生じせしめた導電膜を形成し、ガラス基板の第２の表面側が凸状になるようにする方法。
   （ｄ）ＥＵＶＬ実施時と同一条件において、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク用のガラス基板の第２の表面側が凹状に変形する場合には、該ガラス基板の第１の表面側に形成する反射層、吸収層、保護層、バッファ層、低反射層、および応力調整膜からなる群から選ばれる少なくとも１層に引張応力を生じせしめてガラス基板の第２の表面側が凸状になるようにする方法。
10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法により、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを得て、該マスクブランクにおける前記吸収層をパターニングして吸収体パターンを形成することを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。

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