JP5946209B2 - シート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置 - Google Patents
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また、プローブの探針をシリコンウェーハの表面に一定の荷重量で接触させてシート抵抗率を計測する半導体ウェーハ抵抗率測定装置が知られている(例えば、特許文献2参照。)。
しかし、レーザアニール処理を行ったテスト用シリコン基板をレーザアニール装置から半導体ウェーハ抵抗率測定装置に移してシート抵抗率を測定しているため、次のような問題点があった。
(1)テスト用シリコン基板をレーザアニール装置から取り出して搬送する時に外気や搬送装置で表面が汚染され、正しい測定結果が得られないことがある。
(2)テスト用シリコン基板をレーザアニール装置から取り出して半導体ウェーハ抵抗率測定装置に搬送するのに時間が掛かり、測定結果が迅速に得られない。特に、1枚目のテスト用シリコン基板で適正なレーザアニール処理条件が得られなかった場合、新たなテスト用シリコン基板を用いて評価をやり直す必要があり、適正なレーザアニール処理条件が得られるまでに複数のテスト用シリコン基板が必要になると共に多くの時間が掛かる。
(3)テスト途中で適正なレーザアニール処理条件になっても、それが判らないため、1枚のテスト用シリコン基板について予定のテストを全て行うことになり、時間の無駄がある。
そこで、本発明の目的は、正しい測定結果を迅速に取得することが出来ると共に無駄なテスト実施を回避することが出来るシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置を提供することにある。
上記第1の観点によるシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置(100)では、テスト用シリコン基板をレーザアニール装置から取り出して搬送しなくても、レーザアニール装置内でシート抵抗率を計測できるので、例えば外気や搬送装置で表面が汚染されることが無く、正しい測定結果が得られる。さらにテスト途中に適正なレーザアニール処理条件になったことが判るため、以後の無駄なテスト実施を回避できる。
上記第2の観点によるシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置(100)では、レーザアニール処理条件の一つであるレーザ照射強度の適正値を求めることが出来る。
上記第3の観点によるシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置(100)では、レーザアニール処理条件の一つであるフォーカスレンズ−基板間距離の適正値を求めることが出来る。
上記第4の観点によるシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置(100)では、シリコン基板(B)表面の凹凸を計測することが出来るので、その計測データによりフォーカスレンズ−基板間距離を補正することが可能となる。
図1は、実施例1に係るシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置100を示す構成説明図である。
このシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置100は、シリコン基板Bを載せてx方向およびy方向に移動しうるXYステージ1と、シリコン基板BおよびXYステージ1を外気と遮断して収容しうるレーザ照射室2と、レーザ照射室2の外側に設置されレーザビームを発生するレーザ発振器8およびアテネータ15およびホモジナイザ10と、レーザビームをレーザ照射室2の外側から内側に導入すると共にシリコン基板Bの表面に長方形のレーザ照射スポット11(図3参照)を形成するフォーカスレンズ機構4と、レーザ照射スポット11によるレーザ照射位置よりも走査方向(=シリコン基板Bの表面をレーザ照射スポット11が相対移動する方向)後方のシリコン基板Bの表面に接触しうる4本の針状の電極5a〜5d(図2,図3参照)と、電極5b−電極5c間の抵抗を測定するための抵抗測定回路16(図2参照)と、4本の電極5a〜5dを一定の圧力でシリコン基板Bの表面に接触させたりシリコン基板Bの表面から離したりするために4本の電極5a〜5dをz方向(=高さ方向)に移動しうる電極用アクチュエータ9と、4本の電極5a〜5dのz方向位置(=高さ)を測定しうる位置センサ12と、XYステージ1によるシリコン基板Bの移動制御およびフォーカスレンズ機構4によるフォーカス制御およびアテネータ15によるレーザ照射強度制御および抵抗測定回路16によるシート抵抗率測定および位置センサ12による基板表面高さ測定を行う制御部17とを具備している。
制御部17は、例えばコンピュータである。
制御部17は、内側の2本の電極5b,5c間の抵抗Rを、R=V/Iにより算出し、さらに、内側の2本の電極5b,5c間の距離をPとするとき、シート抵抗率rを、r=R/Pにより算出する。
シリコン基板Bは、例えば直径200mm、厚さ725μmの円板である。
レーザ照射スポット11は、例えば長さ25mm、幅7μmの長方形である。
電極5a〜5bは、レーザ照射スポット11から例えば距離D=30mmだけ走査方向後方に位置している。
なお、レーザ照射スポット11および電極5a〜5bの位置はレーザ照射室2に対して固定であり、XYステージ1がレーザ照射室2に対して逆走査方向にシリコン基板Bを移動することによりレーザ照射スポット11によるシリコン基板Bの表面の走査が行われる。
ステップS1では、評価対象のアニール条件項目の初期値を設定する。例えば評価対象のアニール条件項目がレーザ照射強度なら、初期値として最小値を設定する。
ステップS3では、照射した領域でシート抵抗率rを求める。
ステップS4では、評価可能なデータが集まったか判定し、評価可能なデータが集まったならステップS5へ進み、まだ集まっていないならステップS7へ進む。例えばシート抵抗率rの変化率を評価基準とするならば、変化率を算出できるだけのデータが集まったならステップS5へ進み、まだ集まっていないならステップS7へ進む。
ステップS6では、評価対象のアニール条件項目の適正な値が得られたなら処理を終了し、まだ得られていないならステップS7へ進む。例えばシート抵抗率の変化率が所定の値よりも0に近くなったなら評価対象のアニール条件項目の適正な値が得られたと判定して処理を終了し、シート抵抗率の変化率が所定の値よりも0から離れているなら評価対象のアニール条件項目の適正な値がまだ得られていないと判定しステップS7へ進む。
評価対象のアニール条件項目がレーザ照射強度Eのとき、制御17は、アテネータ15によりレーザ照射強度Eを初期値から増加させながらシート抵抗率rの変化率(=Δr/ΔE)を求めてレーザ照射強度Eを評価し、レーザ照射強度Eaで適正な値と評価したなら、そこでテスト走査を終了することが出来る。
評価対象のアニール条件項目がフォーカスレンズ−基板間距離Fのとき、制御部17は、フォーカスレンズ機構4によりフォーカスレンズ−基板間距離Fを初期値から増加させながらシート抵抗率rの変化率(=Δr/ΔE)を求めてフォーカスレンズ−基板間距離Fを評価し、フォーカスレンズ−基板間距離Faで適正な値と評価したなら、そこでテスト走査を終了することが出来る。
(1)テスト用シリコン基板Bをシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置100から取り出して搬送しなくても、シート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置100内でシート抵抗率rを計測できるので、例えば外気や搬送装置で表面が汚染されることが無く、正しい測定結果が得られる。
(2)テスト用シリコン基板Bをレーザアニール装置から取り出して半導体ウェーハ抵抗率測定装置に搬送する必要が無いため、迅速に測定結果が得られる。
(3)テスト途中に適正なレーザアニール処理条件になったことが判るため、以後の無駄なテスト実施を回避できる。
(4)位置センサ12で電極5a〜5dの高さの変化分を測定し、その変化分だけフォーカスレンズ機構4によるフォーカスレンズ−基板間距離Fを補正するので、フォーカスレンズ−基板間距離Fに対するテスト用シリコン基板Bの表面の凹凸の影響を抑制することが出来る。そして、テスト用シリコン基板Bの表面の凹凸を接触式で検出するため、光学式で検出する場合に比べてテスト用シリコン基板Bの表面での光反射の影響や光の角度の影響を受けない利点がある。
2 レーザ照射室
4 フォーカスレンズ機構
5a〜5d 電極
8 レーザ発振器
9 電極用アクチュエータ
11 レーザ照射スポット
12 位置センサ
16 抵抗測定回路
17 制御部
100 シート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置
B シリコン基板
Claims (4)
- シリコン基板(B)の表面をレーザ照射スポット(11)により走査するレーザアニール装置において、前記レーザ照射スポット(11)によるレーザ照射位置よりも走査方向後方の前記シリコン基板(B)の表面に接触し、かつz方向に移動可能な複数の電極(5a〜5d)と、前記走査中に前記複数の電極(5a〜5d)による前記シリコン基板(B)に対する接触圧力を一定にするアクチュエータ(9)と、前記走査中に前記電極(5b,5c)間の抵抗を測定するための抵抗測定回路(16)と、測定した抵抗からシート抵抗率を算出するシート抵抗率算出手段(17)とを具備したことを特徴とするシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置(100)。
- 請求項1に記載のシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置(100)において、レーザ照射強度に対する前記シート抵抗率の計測値から前記レーザ照射強度の適正値を求める演算手段(17)を具備したことを特徴とするシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置(100)。
- 請求項1または請求項2に記載のシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置(100)においてフォーカスレンズ−基板間距離に対する前記シート抵抗率の計測値から前記フォーカスレンズ−基板間距離の適正値を求める演算手段(17)を具備したことを特徴とするシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置(100)。
- 請求項1から請求項3のいずれかに記載のシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置(100)において、前記電極(5a〜5d)が前記シリコン基板(B)の表面に接触したときの前記電極(5a〜5d)の高さを測定するための高さ測定手段(12)を設けたことを特徴とするシート抵抗率計測機構付きレーザアニール装置(100)。
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