JP5940808B2 - 有機el素子、有機el素子の製造方法、および有機el表示装置 - Google Patents
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Description
真空蒸着法で複数の層を積層形成する場合、各層で蒸着レートが異なることが多い。そのため、最も蒸着レートの遅い層によって製造プロセスのタクトタイムが制約され、高生産性を実現する上でボトルネックとなっている。
塗布法は、ディスプレイ産業において広く用いられており、例えば、G8やG10サイズのガラス基板に対し、精度高く均一に成膜する技術が確立されている。しかし、有機EL素子の場合、複数の層を積層する必要があり、成膜した膜を焼結等して不溶化する処理を行わない限り、新たに積層される膜に含まれる溶媒によって先に積層されている膜が溶解し、適正な積層構造を形成することができない。
特許文献4のようなマスク蒸着法では、マスクにも蒸着するため、材料を部分的にしか利用できない。例えば、カラー化するために3つのサブピクセル(RGB)を個別に蒸着する場合には、およそ3分の2の材料が捨てられ、真空蒸着法による材料の利用効率が10%前後であることからすると、マスク蒸着法での材料の利用効率は数%に過ぎない。
特許文献5のようなインクジェット法は、所望の箇所に溶液を滴下して成膜することができるため、オンデマンドでパターンニングできるという利点がある。しかしながら、インクジェット法は、メカニカルな位置ずれやヘッドの目詰まりなどが生じるため、溶液が滴下する位置の精度はそれほど高くない。また、溶液が周囲に飛散してRGBの混色が発生するおそれもある。
一方、特許文献3や特許文献6、7の方法は、マスクへの電圧の印加により、マスクへの塗布材料の付着量を減らすことができ、材料の利用効率を向上させることができる。
本発明に係る有機EL素子の有機層には、微粒子が連続的に結合して形成された膜状構造を有する層(微粒子結合膜ともいう)が存在する。本実施形態の微粒子結合膜は、エレクトロスプレー法を用いて形成されているため、まず、エレクトロスプレー法について説明する。
微粒子結合膜の粒子核は、非常に小さくナノレベルである。粒子核は相対的に密度が大きく、電気特性や発光特性が高くなることが期待される。微粒子結合膜の場合、膜表面の全体にナノレベルの微細な凹凸が形成されているため、その表面積は実質的に大きくなって乾燥速度が速くなる。つまり、被成膜対象に液滴が着弾すれば、直ちに乾燥する。従って、特別な乾燥処理を行う必要が無く、製造工程を簡易化できる。
エレクトロスプレー法は、パターンニングに好適に利用できる。例えば、図5に、エレクトロスプレー法を用いてパターンニングする場合の概念図を示す。なお、図中、10は基板であり、11a〜11cは、それぞれ基板の上に形成された下層電極である。12は溶液側電極、13はスプレーノズル、14は高圧電源、15は塗液である。本例では、溶液側電極12及び下層電極11a,11cは、それぞれ高圧電源の14の正極に電気的に接続されており、下層電極11bは、接地された負極に接続されている。
有機EL素子に用いられる発光材料は有機物であることから、単体では発光スペクトルはブロードであり、色純度はあまり高くない。ディスプレイでは、例えばNTSC比100%以上の色再現性が求められることが多いのに対し、主な発光材料の発光スペクトルでは、NTSC比70%程度の色再現性が限界である。
発光する色の異なる発光材料は、通常、バンドギャップや分子構造が異なるため、それらに対する電荷輸送層等の最適な材料も異なることが多い。しかし、従来の方法では、発光材料ごとに材料を変えて電荷輸送層等をパターンニングするのは難しく、全面同じ材料で電荷輸送層等を成膜するのが一般的である。
次に、具体的な実施形態を参照しながら詳細に説明する。
図7〜図9に、本実施形態のカラーディスプレイ(有機EL表示装置)の表示部を構成している有機EL素子を示す。図7は、有機EL素子の基本構造をその上面から見た図である。図8は、図7におけるX−X線断面図である。図9は、有機EL素子の積層構造である。これらの図において、20はガラス基板、21(21a〜21c)は下層電極(陽極)、22は有機層、23aは正孔注入層、23bは正孔輸送層、24(24a〜24c)は発光層、25は電子輸送層、26は上層電極(陰極)、27はスペーサーである。図7は、2つの画素部分を表しており、1つの画素は、Bサブピクセル28a、Gサブピクセル28b、Rサブピクセル28c、の3つのサブピクセル28に区画されている。
本実施形態の正孔注入層23aは、エレクトロスプレー法を用いて形成されている(成膜工程)。まず、テトラヒドロフラン(THF)とキシレンの混合溶媒に、正孔注入層を構成するための材料(正孔注入層材ともいう)を溶解して塗液を作成した。なお、正孔注入層材には低分子系の材料を用いた。なお、ここでいう低分子の材料とは、蛍光性を有する分子と1〜8個の単位分子とが連なった、金属錯体蛍光物質や燐光性化合物、蛍光性化合物などのオリゴマーを意味する。
各発光層24も、正孔注入層23aと同様にエレクトロスプレー法を用いてパターンニングされている(成膜工程)。但し、正孔注入層23aの場合とでは、塗液が異なる。すなわち、発光層24を構成する発光材料は、ホスト材料と、各色ごとに混合されるゲスト材料(発光色素:ここでは、Ir錯体)と、の混合材料からなる。ホスト材料に対するゲスト材料の混合比は重量比で5%である。これら材料をそれぞれNMPとTHFの混合溶媒に溶解して塗液を作成した。
本実施形態で形成された微粒子結合膜(正孔注入層23a及び発光層24)の各膜の構造について詳細に調べるため、AFM像の観察を行った。その結果、いずれの膜も1〜5nm程度のナノ微粒子によって構成されていることが確認された。また、これらナノ微粒子は隣接するナノ微粒子どうしが一体に結合しており、膜表面に沿って隙間なく連続的に繋がっていた。ナノ微粒子は膜の厚み方向にも連続的に繋がっており、微粒子結合膜は緻密な構造となっていた。
本実施形態のディスプレイに関し、色純度と素子特性について比較評価した。
従来のディスプレイの色純度が、R(0.67,0.33)、G(0.30,0.63)、B(0.15,0.18)で、白色表示の際のNTSC比62%であったのに対し、本実施形態のディスプレイの色純度は、R(0.68,0.33)、G(0.18,0.74)、B(0.13,0.07)で、白色表示の際のNTSC比101%であった。
また、真空蒸着法により同様の構造のディスプレイを作製し(比較例)、本実施形態のディスプレイ(実施例)と素子特性(電流効率とIV特性)を比較した。
本変形例では、Bサブピクセル28aにおける電子輸送層25の材料を他のサブピクセル28b,28cのものと異なる材料にした点で上記実施形態と異なっている。
上記実施形態では、膜厚が異なる複数の正孔注入層23aをパターンニングするために、各正孔注入層23aを連続的に形成するように制御したが、それに限らず、必要に応じてパターンニングの設定を変更することができる。
上記実施形態では、微粒子結合膜の材料として低分子有機材料を用いたが、高分子系の有機材料(高分子化合物)を用いても同じように成膜することができる。
本実施形態の有機EL素子は、全面に成膜されている点で、パターンニングされている第1実施形態とは異なっている。本実施形態の有機EL素子が組み込まれた発光素子50は、主に液晶のバックライトや白色光源(照明)として用いることができる。
図15、図16に、本実施形態の発光素子50を示す。この発光素子50は、ボトムエミッション構造を有し、略全面に設けられた発光領域から白色が発光する。もちろん白色以外を発光してもよいし、トップエミッション構造であってもよい。
60mm×60mm寸法の矩形PETフィルム(基板51)の表面にITO(酸化インジウム−酸化錫)からなる陽極52を150nmの膜厚で形成した。陽極52は50mm×55mm寸法となるようにフォトリソプロセスでパターンニングした。陽極52を形成した基板51は、例えば、アセトンやIPAを用いて超音波洗浄を10分間行った後、UVオゾン洗浄を30分間行った。
完成した発光素子50に対し、10Vの電圧を印加すると、7000cd/m2の白色発光が得られた。
2 溶液側電極
3 スプレーノズル
4 高圧電源
5 塗液
10 基板
11a〜11c 下層電極
12 溶液側電極
13 スプレーノズル
14 高圧電源
15 塗液
20 ガラス基板
21 下層電極(陽極)
22 有機層
23a 正孔注入層(第2の層)
23b 正孔輸送層(第2の層)
24 発光層
25 電子輸送層
26 上層電極(陰極)
27 スペーサー
28 サブピクセル
30 エレクトロスプレー装置
31 散布装置
31a キャピラリー
32 ステージ
33 第1高圧電源
34 塗液側電極
35 電圧制御装置
35a 第2高圧電源
50 発光素子
51 ガラス基板
52 下層電極(陽極)
53 上層電極(陰極)
54 有機層
56 正孔注入層
57 正孔輸送層
58 電子ブロッキング層
59 R発光層
60 G発光層
61 B発光層
62 正孔ブロッキング層
63 電子輸送層
64 電子注入層
Claims (2)
- 有機EL素子を製造する製造方法であって、
下層電極を基板の上に形成する下層電極形成工程と、
スプレーノズルと、前記下層電極が形成されている基板との間に、少なくとも100KV/m以上に設定された電界を形成し、その状態で、前記スプレーノズルから前記基板に向けて散布前に荷電した塗布材料の溶液を散布する、エレクトロスプレー法による成膜工程と、を含み、
前記成膜工程において、前記下層電極の電位の制御が行われ、
溶媒が残存した状態で、微細化した液滴を被成膜対象に着弾させ、粒状の形を残した状態で、着弾した液滴どうしを乾燥させることにより、粒子核の粒径が100nm以下の微粒子が連続的に結合して形成された隙間の無い膜状構造をパターンニングする製造方法。 - 請求項1に記載の有機EL素子の製造方法において、
前記下層電極形成工程では、前記下層電極が複数形成され、
前記成膜工程が、前記下層電極の電位の制御を行う電位制御工程を含み、
前記電位制御工程において、前記複数の下層電極のうち、少なくともいずれか1つの下層電極に、前記塗布材料の溶液と同種の電荷を付与する処理が行われる製造方法。
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WO2020065967A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 |
KR20200045600A (ko) | 2018-10-22 | 2020-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001345178A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-12-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2001353454A (ja) * | 2000-06-14 | 2001-12-25 | Casio Comput Co Ltd | 成膜方法、有機el素子の製造方法及び成膜装置 |
WO2004074172A1 (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-02 | Riken | 固定化方法、固定化装置および微小構造体製造方法 |
JP2004335445A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-25 | Seiko Epson Corp | 膜形成方法、電子装置の製造方法、膜形成装置及び電子装置、電子機器 |
JP2006116491A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電噴霧型キャピラリ及びそれを用いた静電噴霧装置 |
JP2007229851A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Institute Of Physical & Chemical Research | マイクロパターン形成装置、マイクロパターン構造体、および、その製造方法 |
JP2008093619A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電噴霧方法及びマイクロ流体チップ |
JP2009520951A (ja) * | 2005-12-07 | 2009-05-28 | クイーン マリー アンド ウエストフィールド カレッジ | エレクトロスプレー器具及びエレクトロスプレーの方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998058745A1 (en) | 1997-06-20 | 1998-12-30 | New York University | Electrospraying solutions of substances for mass fabrication of chips and libraries |
JP2000106278A (ja) | 1997-09-02 | 2000-04-11 | Seiko Epson Corp | 有機el素子の製造方法及び有機el素子 |
WO1999012395A1 (fr) | 1997-09-02 | 1999-03-11 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication d'un element electroluminescent organique et element electroluminescent organique correspondant |
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JP4601842B2 (ja) | 2000-02-28 | 2010-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
JP4574039B2 (ja) | 2000-03-06 | 2010-11-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置の作製方法 |
TW495812B (en) | 2000-03-06 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device |
JP2002075638A (ja) | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Nec Corp | マスク蒸着方法及び蒸着装置 |
US7071615B2 (en) * | 2001-08-20 | 2006-07-04 | Universal Display Corporation | Transparent electrodes |
JP4628656B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の製造装置及び発光装置の作製方法 |
TWI276366B (en) | 2002-07-09 | 2007-03-11 | Semiconductor Energy Lab | Production apparatus and method of producing a light-emitting device by using the same apparatus |
US8461758B2 (en) * | 2008-12-19 | 2013-06-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Buffer bilayers for electronic devices |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001345178A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-12-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2001353454A (ja) * | 2000-06-14 | 2001-12-25 | Casio Comput Co Ltd | 成膜方法、有機el素子の製造方法及び成膜装置 |
WO2004074172A1 (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-02 | Riken | 固定化方法、固定化装置および微小構造体製造方法 |
JP2004335445A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-25 | Seiko Epson Corp | 膜形成方法、電子装置の製造方法、膜形成装置及び電子装置、電子機器 |
JP2006116491A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電噴霧型キャピラリ及びそれを用いた静電噴霧装置 |
JP2009520951A (ja) * | 2005-12-07 | 2009-05-28 | クイーン マリー アンド ウエストフィールド カレッジ | エレクトロスプレー器具及びエレクトロスプレーの方法 |
JP2007229851A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Institute Of Physical & Chemical Research | マイクロパターン形成装置、マイクロパターン構造体、および、その製造方法 |
JP2008093619A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電噴霧方法及びマイクロ流体チップ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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