JP5937033B2 - 半導体装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置の製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5937033B2 JP5937033B2 JP2013060723A JP2013060723A JP5937033B2 JP 5937033 B2 JP5937033 B2 JP 5937033B2 JP 2013060723 A JP2013060723 A JP 2013060723A JP 2013060723 A JP2013060723 A JP 2013060723A JP 5937033 B2 JP5937033 B2 JP 5937033B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- variable resistance
- metal
- upper electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 55
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 32
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 31
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910005866 GeSe Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 LaAlO X Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/023—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by chemical vapor deposition, e.g. MOCVD, ALD
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/063—Shaping switching materials by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
- H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
- H10N70/8416—Electrodes adapted for supplying ionic species
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
図1乃至図12を用いて、第1の実施形態に係る半導体装置(ReRAM)について説明する。第1の実施形態は、可変抵抗素子25が、絶縁性金属酸化膜または絶縁性半導体酸化膜を含む第1膜25−1と硫化物膜またはSe化合物膜を含む第2膜25−2との積層膜で構成される例である。これにより、微細化に伴うメモリセルMC間の抵抗ばらつきを小さくし、かつ、低抵抗状態と高抵抗状態との間の抵抗変化の再現性の向上を図ることができる。以下に、第1の実施形態について詳説する。
以下に図1および図2を用いて、第1の実施形態に係るメモリセルアレイの構成および動作例について説明する。
以下に図3乃至図6を用いて、第1の実施形態に係るメモリセルMCの構成および動作例について説明する。
以下に図7乃至図10を用いて、第1の実施形態に係るメモリセルMCの製造方法について説明する。
図11は、比較例1に係るメモリセルのセット動作(低抵抗状態)を示す断面図である。図12は、比較例1に係るメモリセルの高抵抗状態および低抵抗状態における抵抗値と累積確率との関係を示すグラフである。
図13乃至図16を用いて、第2の実施形態に係る半導体装置(ReRAM)について説明する。第2の実施形態は、可変抵抗素子25が、絶縁性金属酸化膜または絶縁性半導体酸化膜を含む第1膜25−1とポーラス半導体膜を含む第3膜25−3とO、N、またはFを含む第4膜25−4との積層膜で構成される例である。これにより、微細化に伴うメモリセルMC間の抵抗ばらつきを小さくし、かつ、低抵抗状態と高抵抗状態との間の抵抗変化の再現性の向上を図ることができる。以下に、第2の実施形態について詳説する。
以下に図13および図14を用いて、第2の実施形態に係るメモリセルMCの構成および動作例について説明する。
以下に、第2の実施形態に係るメモリセルMCの製造方法について説明する。
以下に図15を用いて、第2の実施形態に係る第3膜25−3の製造装置について説明する。
以下に図16を用いて、第2の実施形態に係る第3膜25−3の製造方法について説明する。
図17は、比較例2に係るメモリセルのセット動作(低抵抗状態)を示す断面図である。
Claims (6)
- 第1電極と、
金属元素を有する第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に形成された可変抵抗素子と、
を具備し、
前記可変抵抗素子は、
前記第1電極側に形成され、かつ絶縁性金属酸化膜、絶縁性半導体酸化膜、または絶縁性シリケート膜で構成される第1膜と、
前記第2電極側に形成され、前記第1膜における前記金属元素の拡散係数よりも大きい拡散係数を有し、前記第1膜の膜厚よりも厚い膜厚を有し、前記第1膜の抵抗よりも小さい抵抗を有し、かつ硫化物膜またはSe化合物膜で構成される第2膜と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2膜は、
前記第1電極側に形成され、ポーラス半導体膜で構成される第3膜と、
前記第2電極側に形成され、O、F、またはNを含む第4膜と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1電極は、Oを含む導電膜で構成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記金属元素は、Cu、Ag、Au、またはRu元素であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 第1電極を形成する工程と、
金属元素を有する第2電極を形成する工程と、
前記第1電極と前記第2電極との間に形成された可変抵抗素子を形成する工程と、
を具備し、
前記可変抵抗素子を形成する工程は、
前記第1電極側に、絶縁性金属酸化膜、絶縁性半導体酸化膜、または絶縁性シリケート膜で構成される第1膜を形成する工程と、
前記第2電極側に、前記第1膜における前記金属元素の拡散係数よりも大きい拡散係数を有し、前記第1膜の膜厚よりも厚い膜厚を有し、前記第1膜の抵抗よりも小さい抵抗を有し、かつ硫化物膜またはSe化合物膜で構成される第2膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2膜を形成する工程は、
前記第1電極側に、ポーラス半導体膜で構成される第3膜を形成する工程と、
前記第2電極側に、O、F、またはNを含む第4膜を形成する工程と、
を含み、
前記第3膜を形成する工程は、
原料ガスをプラズマ化してイオンプラズマを生成する工程と、
前記イオンプラズマからイオンビームを照射する工程と、
照射された前記イオンビームを分散させて照射し、前記イオンビームのエネルギーを減少させる工程と、
を含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013060723A JP5937033B2 (ja) | 2013-03-22 | 2013-03-22 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置の製造装置 |
US14/018,906 US9159769B2 (en) | 2013-03-22 | 2013-09-05 | Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013060723A JP5937033B2 (ja) | 2013-03-22 | 2013-03-22 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014187168A JP2014187168A (ja) | 2014-10-02 |
JP5937033B2 true JP5937033B2 (ja) | 2016-06-22 |
Family
ID=51568444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013060723A Active JP5937033B2 (ja) | 2013-03-22 | 2013-03-22 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置の製造装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9159769B2 (ja) |
JP (1) | JP5937033B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8502182B2 (en) * | 2009-02-06 | 2013-08-06 | Micron Technology, Inc. | Memory device having self-aligned cell structure |
US9806129B2 (en) | 2014-02-25 | 2017-10-31 | Micron Technology, Inc. | Cross-point memory and methods for fabrication of same |
US10611161B2 (en) | 2014-07-24 | 2020-04-07 | Avision Inc. | Image forming agent storage member and laser printer using the same |
US9634245B2 (en) | 2015-01-09 | 2017-04-25 | Micron Technology, Inc. | Structures incorporating and methods of forming metal lines including carbon |
TWI559519B (zh) * | 2015-02-16 | 2016-11-21 | 國立清華大學 | 電阻式記憶體 |
US9466792B2 (en) * | 2015-02-17 | 2016-10-11 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device and method for fabricating the same |
JP2017174857A (ja) | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 東芝メモリ株式会社 | 不揮発性記憶装置 |
JP2019046953A (ja) | 2017-09-01 | 2019-03-22 | 東芝メモリ株式会社 | 記憶装置 |
JP2019057540A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 東芝メモリ株式会社 | 記憶素子 |
US10312438B1 (en) * | 2017-12-18 | 2019-06-04 | International Business Machines Corporation | Resistive memory with amorphous silicon filaments |
US20210126192A1 (en) * | 2018-04-12 | 2021-04-29 | The University Of Chicago | Silicon Compatible Tin-based Cationic Filamentary Device |
CN110660822A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 三星电子株式会社 | 可变电阻存储器装置 |
JP2020047681A (ja) | 2018-09-15 | 2020-03-26 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
US11296277B2 (en) * | 2018-10-16 | 2022-04-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Variable resistance memory device having an anti-oxidation layer and a method of manufacturing the same |
KR20200106681A (ko) * | 2019-03-05 | 2020-09-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 및 그 제조 방법 |
US10903275B2 (en) | 2019-06-03 | 2021-01-26 | International Business Machines Corporation | Three-dimensional stackable multi-layer cross-point memory with single-crystalline bipolar junction transistor selectors |
US11018188B2 (en) | 2019-06-03 | 2021-05-25 | International Business Machines Corporation | Three-dimensional stackable multi-layer cross-point memory with bipolar junction transistor selectors |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4414988B2 (ja) * | 2005-08-22 | 2010-02-17 | アドバンスト イオン ビーム テクノロジー インク | イオンビーム注入装置および方法 |
US7901776B2 (en) | 2006-12-29 | 2011-03-08 | 3M Innovative Properties Company | Plasma deposited microporous carbon material |
JP5454478B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2014-03-26 | 日本電気株式会社 | スイッチング素子及びその製造方法 |
WO2011058947A1 (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-19 | 日本電気株式会社 | 抵抗変化素子、半導体装置、および抵抗変化素子の形成方法 |
WO2011071009A1 (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-16 | 日本電気株式会社 | 電気化学反応を利用した抵抗変化素子及びその製造方法 |
JP5525946B2 (ja) | 2010-07-14 | 2014-06-18 | 株式会社東芝 | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
JP2012064808A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Sony Corp | 記憶素子および記憶装置 |
JP5547111B2 (ja) * | 2011-02-15 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | 不揮発性抵抗変化素子および不揮発性抵抗変化素子の製造方法 |
JP5364739B2 (ja) | 2011-02-18 | 2013-12-11 | 株式会社東芝 | 不揮発性抵抗変化素子 |
JP5524115B2 (ja) | 2011-03-22 | 2014-06-18 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2012244017A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶素子及びその製造方法並びに不揮発性記憶装置 |
JP2013026459A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Toshiba Corp | 不揮発性抵抗変化素子 |
KR101969166B1 (ko) * | 2011-11-29 | 2019-08-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 이들의 제조 방법 |
-
2013
- 2013-03-22 JP JP2013060723A patent/JP5937033B2/ja active Active
- 2013-09-05 US US14/018,906 patent/US9159769B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9159769B2 (en) | 2015-10-13 |
US20140284540A1 (en) | 2014-09-25 |
JP2014187168A (ja) | 2014-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5937033B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置の製造装置 | |
JP5439420B2 (ja) | 記憶装置 | |
JP4815804B2 (ja) | 記憶素子及び記憶装置 | |
US8766233B2 (en) | Semiconductor device with variable resistance element and method for manufacturing the same | |
US9099645B2 (en) | Resistance random access memory device | |
US8614433B2 (en) | Semiconductor devices and methods of manufacturing the same | |
TWI469268B (zh) | 使用氣體群聚離子束形成記憶體單元之方法 | |
US20060138467A1 (en) | Method of forming a small contact in phase-change memory and a memory cell produced by the method | |
JP2012174766A (ja) | 不揮発性抵抗変化素子 | |
JP4892650B2 (ja) | 電流制御素子、記憶素子、記憶装置および電流制御素子の製造方法 | |
KR20140040675A (ko) | 쌍극성 저장소자 및 이를 형성하는 방법을 채용하는 메모리 셀을 가진 복수-레벨 메모리 어레이 | |
TW201248790A (en) | Nonvolatile variable resistance element | |
JP2018098287A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9385163B2 (en) | Addressable SiOX memory array with incorporated diodes | |
KR102077641B1 (ko) | 상변화 물질막, 이의 형성 방법 | |
US10418416B2 (en) | Memory device and memory unit | |
JP5422534B2 (ja) | 不揮発性抵抗変化素子および不揮発性抵抗変化素子の製造方法 | |
US10312442B2 (en) | Non-volatile memory devices, RRAM devices and methods for fabricating RRAM devices with magnesium oxide insulator layers | |
Lien et al. | 3-D Vertical via Nitrogen-Doped Aluminum Oxide Resistive Random-Access Memory | |
US8796102B1 (en) | Device structure for a RRAM and method | |
Nandi | Resistive Switching in Transition Metal Oxides for Integrated Non-volatile Memory | |
Sills et al. | High-density reRAM for storage class memory | |
JP2013143528A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100798696B1 (ko) | 은이 포화된 Ge-Te 박막으로 이루어진 고체 전해질을갖는 PMCM 소자 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150609 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150611 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160412 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160511 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5937033 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |