JP5927666B2 - 半導体スイッチ素子の試験方法 - Google Patents
半導体スイッチ素子の試験方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5927666B2 JP5927666B2 JP2012082329A JP2012082329A JP5927666B2 JP 5927666 B2 JP5927666 B2 JP 5927666B2 JP 2012082329 A JP2012082329 A JP 2012082329A JP 2012082329 A JP2012082329 A JP 2012082329A JP 5927666 B2 JP5927666 B2 JP 5927666B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- series
- pads
- pad
- shunt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 77
- 238000010998 test method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
12〜18 FET
22〜28 抵抗
32〜38 第1パッド
50 搭載部
51〜64 第2パッド
Claims (2)
- 直列に接続された第1直列FETおよび第2直列FETと、
前記第1直列FETおよび前記第2直列FETの間に接続された共通ノードと、
前記第1直列FETの前記共通ノードとは反対側のソースおよびドレインのいずれか一方に接続された第1入出力ノードと、
前記第2直列FETの前記共通ノードとは反対側のソースおよびドレインのいずれか一方に接続された第2入出力ノードと、
前記第1入出力ノードに接続された第1シャントFETと、
前記第2入出力ノードに接続された第2シャントFETと、
前記第1直列FET、前記第2直列FET、前記第1シャントFETおよび前記第2シャントFETのゲートにそれぞれ対応して電気的に接続して設けられるとともに、それぞれ互いに電気的に分離してなる複数の第1パッドと、
を備える半導体チップを準備する工程と、
前記複数の第1パッドのうち、1つを選択して前記ゲートに入力を与えて、対応するFETの試験を実施する工程と、
前記試験を実施する工程の後、前記第1直列FETと前記第2シャントFETとに接続された前記第1パッド同士、および前記第2直列FETと前記第1シャントFETとに接続された前記第1パッド同士を互いに電気的に接続する工程と、
を有することを特徴とする半導体スイッチ素子の試験方法。 - 直列に接続された第1直列FETおよび第2直列FETと、
前記第1直列FETおよび前記第2直列FETの間に接続された共通ノードと、
前記第1直列FETの前記共通ノードとは反対側のソースおよびドレインのいずれか一方に接続された第1入出力ノードと、
前記第2直列FETの前記共通ノードとは反対側のソースおよびドレインのいずれか一方に接続された第2入出力ノードと、
前記第1入出力ノードに接続された第1シャントFETと、
前記第2入出力ノードに接続された第2シャントFETと、
前記第1直列FET、前記第2直列FET、前記第1シャントFETおよび前記第2シャントFETのゲートにそれぞれ対応して電気的に接続して設けられるとともに、それぞれ互いに電気的に分離してなる複数の第1パッドと、を備える半導体チップと、
前記第1直列FETに接続される前記第1パッドと前記第2シャントFETに接続される前記第1パッドとを電気的に接続する第1接続手段と、
前記第2直列FETに接続される前記第1パッドと前記第1シャントFETに接続される前記第1パッドとを電気的に接続する第2接続手段と、
を備える半導体スイッチ素子を準備する工程と、
前記第1接続手段および前記第2接続手段の少なくとも一方を切断する工程と、
前記複数の第1パッドのうち、前記切断する工程により切断された第1接続手段に接続されていた第1パッド、および前記切断する工程により切断された第2接続手段に接続されていた第1パッドの少なくとも一方を選択して前記ゲートに入力を与えて、対応するFETの試験を実施する工程と、
を有することを特徴とする半導体スイッチ素子の試験方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012082329A JP5927666B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 半導体スイッチ素子の試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012082329A JP5927666B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 半導体スイッチ素子の試験方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013211802A JP2013211802A (ja) | 2013-10-10 |
JP5927666B2 true JP5927666B2 (ja) | 2016-06-01 |
Family
ID=49529264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012082329A Active JP5927666B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 半導体スイッチ素子の試験方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5927666B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003298305A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-17 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 高周波スイッチ装置及びこれを用いた電子装置 |
JP2005303940A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アンテナスイッチ回路、ならびにそれを用いた複合高周波部品および移動体通信機器 |
JP2006332778A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ回路およびこれを用いた半導体装置 |
JP5336232B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2013-11-06 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | スイッチング回路及びその試験方法 |
JP2010226350A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Renesas Electronics Corp | スイッチング制御回路、送受信器及び携帯電話機 |
JP4960414B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2012-06-27 | 株式会社東芝 | 半導体スイッチ |
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012082329A patent/JP5927666B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013211802A (ja) | 2013-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11343919B2 (en) | Packaged electronic devices with top terminations | |
CN109314107B (zh) | 包括由高压晶体管形成的芯片并且包括由低压晶体管形成的芯片的集成电路 | |
US8139370B2 (en) | Electronic system having field effect transistors and interconnect bumps on a semiconductor substrate | |
KR102359595B1 (ko) | 집적 하이브리드 커플러를 갖는 rf 디바이스 패키지 | |
US10224424B2 (en) | Semiconductor module with two auxiliary emitter conductor paths | |
CN110829988A (zh) | 具有宽带阻抗匹配的放大器和其制造方法 | |
CN115803879A (zh) | 多区射频晶体管放大器 | |
US20110227601A1 (en) | Test method of semiconductor integrated circuit and test system, and semiconductor integrated circuit | |
JP5336232B2 (ja) | スイッチング回路及びその試験方法 | |
CN108376679B (zh) | 大功率rf晶体管的嵌入式谐波端子 | |
EP0128986A2 (en) | Monolithic microwave integrated circuit and method for selecting it | |
JP4402310B2 (ja) | 高周波用回路基板およびこれを用いた半導体装置 | |
JP5927666B2 (ja) | 半導体スイッチ素子の試験方法 | |
US7425747B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2006157423A (ja) | 高周波スイッチ回路 | |
US8729740B2 (en) | Semiconductor relay | |
US7202673B1 (en) | Tuned MMIC probe pads | |
US9640494B1 (en) | Grounded die seal integrated circuit structure for RF circuits | |
KR20070109016A (ko) | 갈륨나이트라이드(GaN) 트랜지스터를 이용한 고출력하이브리드 스위치 모듈 | |
US9236363B2 (en) | Wedge bond foot jumper connections | |
JP2005101097A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US7787838B2 (en) | Integrated circuit, and an arrangement and method for interconnecting components of an integrated circuit | |
JP2005101218A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
EP4199082A1 (en) | Power amplifier module and power amplifier comprising the same | |
JP6206798B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150325 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160302 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160329 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5927666 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |