JP5924947B2

JP5924947B2 - Light emitting device

Info

Publication number: JP5924947B2
Application number: JP2012006125A
Authority: JP
Inventors: 福田　匡広; 福田　　匡広; 浩之塚田
Original assignee: Citizen Holdings Co Ltd; Citizen Electronics Co Ltd; Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Holdings Co Ltd; Citizen Electronics Co Ltd; Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 2012-01-16
Filing date: 2012-01-16
Publication date: 2016-05-25
Anticipated expiration: 2032-01-16
Also published as: JP2013145829A

Description

本発明は、発光デバイスに関し、特に光取出し効率および放熱特性の向上を図った発光デバイス関する。 The present invention relates to a light-emitting device, and more particularly to a light-emitting device that improves light extraction efficiency and heat dissipation characteristics.

近年、照明装置等様々な分野で発光ダイオード（ＬＥＤ：ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）を用いた発光デバイスが使用されるにつれ、ＬＥＤの発光層で発光した光をＬＥＤ外部に取り出す際の光取出し効率の向上が重要な課題となってきている。また、ＬＥＤ素子自体も高出力化の傾向にあり、その放熱が問題となってきている。 In recent years, as light emitting devices using light emitting diodes (LEDs) are used in various fields such as lighting devices, the light extraction efficiency when light emitted from the light emitting layer of the LED is extracted to the outside of the LED has been improved. It has become an important issue. Moreover, the LED element itself is also in the tendency of high output, and the heat dissipation has become a problem.

図１１に、特許文献１に開示された、従来技術として一般的な発光デバイス９００の構成を示す。 FIG. 11 shows a configuration of a general light-emitting device 900 disclosed in Patent Document 1 as a conventional technique.

図１１を参照して、発光素子９１０は、基板９１２を上方に電極９２０を下方にしていわゆるフェースダウンで接続端子９３０上にフリップチップ実装されており、接続端子９３０と半導体層９１４上の電極９２０とは、はんだバンプ９４０で接続されている。このとき、発光素子９１０の両端部は、接続端子９３０の外縁部の位置とほぼ同じとなっている。そして、発光素子９１０および接続端子９３０の一部は、保護部材としての透明封止樹脂９５０で覆われており、発光素子９１０で発光した光は、発光素子９１０から図中白抜き矢印で示すように上方に向けて出射される。 Referring to FIG. 11, the light emitting element 910 is flip-chip mounted on the connection terminal 930 in a so-called face-down manner with the substrate 912 facing upward and the electrode 920 facing downward, and the connection terminal 930 and the electrode 920 on the semiconductor layer 914 are mounted. Are connected by solder bumps 940. At this time, both end portions of the light emitting element 910 are substantially the same as the positions of the outer edge portions of the connection terminals 930. A part of the light emitting element 910 and the connection terminal 930 is covered with a transparent sealing resin 950 as a protective member, and light emitted from the light emitting element 910 is indicated by a white arrow in the drawing from the light emitting element 910. The light is emitted upward.

特開昭５６−０７９４８２号公報JP-A-56-077942

しかしながら、発光素子９１０から発光した光は、基板９１２側のみならず、半導体層９１４の側方および下方（実装面側）からも取り出すのが光取出し効率の観点から望ましいところ、従来の発光デバイス９００は基本的に上方に向けて光を取り出す構成であるため、接続端子９３０の形状はかかる点についての考慮がなされていない。透明封止樹脂９５０もいわゆる砲弾型であり、発光素子９１０から下方に向かった光の光路に対する配慮はなされていないから、透明封止樹脂９５０と空気層との界面での全反射により反射され、透明封止樹脂９５０内で反射を繰り返して、あるいは発光素子９１０に吸収されて損失になる可能性が大きい。 However, it is desirable from the viewpoint of light extraction efficiency that the light emitted from the light emitting element 910 is extracted not only from the substrate 912 side but also from the side and lower side (mounting surface side) of the semiconductor layer 914. Is basically configured to extract light upward, and thus the shape of the connection terminal 930 is not considered. The transparent sealing resin 950 is also a so-called bullet type, and since no consideration is given to the optical path of light directed downward from the light emitting element 910, it is reflected by total reflection at the interface between the transparent sealing resin 950 and the air layer, There is a high possibility that the reflection is repeated in the transparent sealing resin 950 or absorbed by the light emitting element 910 to cause a loss.

また、従来の発光デバイス９００においては、接続端子９３０が発光素子９１０の電極９２０から下方に一定断面積で延伸する柱状であるため、放熱経路の熱抵抗を下げることが困難であるという問題があった。 Further, the conventional light emitting device 900 has a problem that it is difficult to reduce the thermal resistance of the heat dissipation path because the connection terminal 930 has a columnar shape extending downward from the electrode 920 of the light emitting element 910 with a constant cross-sectional area. It was.

本発明は、以上のような背景技術に鑑み、発光素子を接続端子にフリップチップ実装する場合において、発光素子の基板側からのみならず実装面側からも光を取り出して光の取出し効率の向上を図り、同時に効率的な放熱も実現することを目的としている。 In view of the background art as described above, the present invention improves light extraction efficiency by extracting light not only from the substrate side but also from the mounting surface side when the light emitting element is flip-chip mounted on the connection terminal. At the same time, it aims to realize efficient heat dissipation.

上述した課題を解決するために、本発明による発光デバイスは、正極と負極を備える発光素子と、発光素子とフリップチップで接続する配線層を具備し、発光素子を載置する接続部材と、発光素子および接続部材の一部を封止し、発光素子を中心とする球形の形状を有する透光性部材と、を有する発光デバイスにおいて、接続部材は、発光素子を載置する上面及び、該上面より大きい面積の下面を有し、前記上面に平行な面で切断した断面の面積が前記上面から下面に向けて漸増する側面を有し、上面の面積は、発光素子の、接続部材へ載置される面の面積以下であり、接続部材は、配線層と基台を兼ねる２つの金属電極と、その間に配置された絶縁体とから形成され、上面には、発光素子の正極と負極が絶縁体を挟んで前記２つの金属電極とそれぞれ直接フリップチップ実装され、透光性部材は、発光素子および接続部材の側面の一部を封止していることを特徴とする。
In order to solve the above-described problems, a light-emitting device according to the present invention includes a light-emitting element including a positive electrode and a negative electrode, a wiring layer connected to the light-emitting element by a flip chip, a connection member on which the light-emitting element is placed, and light emission A light-emitting device having a light-transmitting member that seals a part of the element and the connection member and has a spherical shape centering on the light-emitting element , the connection member includes an upper surface on which the light-emitting element is placed, and the upper surface has a lower surface of the larger area, has a side surface which area of the cross section taken along a plane parallel to said upper surface gradually increases toward the lower surface from the upper surface, the area of the upper surface, of the light emitting element, placed to the connection member or less area of the surface to be, the connecting member, and two metal electrodes also serving as a wiring layer and the base, it is formed from the arranged insulation therebetween, on the upper surface, the positive electrode and the negative electrode of the light emitting element is insulated The two metal electrodes across the body Are each directly flip-chip mounting, the translucent member is characterized by sealing the part of the side surface of the light emitting element and the connecting member.

本発明によれば、発光素子を載置する接続端子の上面の面積が発光素子の面積以下であるため、発光素子の実装面側より発光した光を、発光素子と接続端子が重ならない空間から取り出せるので、光の取出し効率を向上させることができる。また、透光性部材の形状が発光素子を中心とする球形状であるため、発光素子から出射した光は透光性部材と空気層との界面に略垂直に入射するので全反射が起こりにくく、その結果光の損失を低減して光の取出し効率を向上させることができる。さらに、接続端子は発光素子の載置面から末広がりに広がる形状をなしているので、発光素子から発光デバイスの実装面までの熱抵抗を減少させ、発光素子からの熱を効率的に放熱することが可能となる。 According to the present invention, since the area of the upper surface of the connection terminal on which the light emitting element is placed is equal to or smaller than the area of the light emitting element, the light emitted from the mounting surface side of the light emitting element is transmitted from the space where the light emitting element and the connection terminal do not overlap. Since the light can be extracted, the light extraction efficiency can be improved. In addition, since the shape of the translucent member is a sphere centered on the light emitting element, the light emitted from the light emitting element is incident almost perpendicularly to the interface between the translucent member and the air layer, so that total reflection hardly occurs. As a result, light loss can be reduced and light extraction efficiency can be improved. In addition, since the connection terminal has a shape that spreads from the mounting surface of the light emitting element, the thermal resistance from the light emitting element to the mounting surface of the light emitting device is reduced, and heat from the light emitting element is efficiently radiated. Is possible.

また、好ましくは、接続部材は錐台形状又は側面の傾斜が上から下に行くに従って緩やかになる形状を備え、上面および下面は矩形であり、上面を下面へ投影した場合、対向する１対の辺が重なり、他の１対の辺は重ならないで、かつ下面は投影された上面を包含する。
Preferably, the connecting member has a frustum shape or a shape in which the inclination of the side surface becomes gentler from the top to the bottom, the upper surface and the lower surface are rectangular, and when the upper surface is projected onto the lower surface, The sides overlap, the other pair of sides do not overlap, and the bottom surface includes the projected top surface .

また、好ましくは、接続部材における、上面を下面へ投影した場合に重なる辺を含む側面をそれぞれ向い合せる方向に複数個を基板の同一平面上に並べて実装配置されている。
Preferably , a plurality of connection members are mounted and arranged on the same plane of the substrate in a direction in which the side surfaces including the overlapping sides when the upper surface is projected onto the lower surface face each other.

また、好ましくは、透光性部材は一部に蛍光体粒子を備え、蛍光体粒子は発光素子の各面に沿って一様な厚さで配置されている。
Preferably, the translucent member partially includes phosphor particles, and the phosphor particles are arranged with a uniform thickness along each surface of the light emitting element.

また、好ましくは、前記接続部材は、配線層と基台を兼ねる２つの電極と、その間に配置された絶縁体とから形成される。この場合、接続端子の熱抵抗、配線抵抗をさらに下げることができる。 Preferably, the connecting member is formed of two electrodes serving both as a wiring layer and a base, and an insulator disposed therebetween. In this case, the thermal resistance and wiring resistance of the connection terminal can be further reduced.

また、好ましくは、接続部材の側面の少なくとも一部を被覆する絶縁性の反射部材をさらに有する。この場合、発光素子から下方に向けて出射した光を効率よく反射させて発光素子の外側に向かわせることができるので、光の取出し効率がさらに向上する。 In addition, it preferably further includes an insulating reflecting member that covers at least a part of the side surface of the connecting member. In this case, since the light emitted downward from the light emitting element can be efficiently reflected and directed to the outside of the light emitting element, the light extraction efficiency is further improved.

本発明によれば、発光素子を接続端子にフリップチップ実装する場合において、発光素子の基板側からのみならず実装面側からも光を取り出して光の取出し効率の向上を図り、同時に効率的な放熱も実現することが可能となる。 According to the present invention, when the light emitting element is flip-chip mounted on the connection terminal, light is extracted not only from the substrate side but also from the mounting surface side to improve the light extraction efficiency, and at the same time, efficient. Heat dissipation can also be realized.

本発明の第１の実施形態にかかる発光デバイスの斜視図である。1 is a perspective view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態にかかる発光デバイスの断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device concerning the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態にかかる発光デバイスの作用を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the effect | action of the light-emitting device concerning the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態にかかる発光デバイスの斜視図である。It is a perspective view of the light-emitting device concerning the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態にかかる発光デバイスの作用を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the effect | action of the light-emitting device concerning the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態にかかる発光デバイスの斜視図である。It is a perspective view of the light-emitting device concerning the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施形態にかかる発光デバイスの斜視図である。It is a perspective view of the light-emitting device concerning the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施形態にかかる発光デバイスの断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device concerning the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５の実施形態にかかる発光デバイスの断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device concerning the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６の実施形態にかかる発光デバイスの断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device concerning the 6th Embodiment of this invention. 従来の発光デバイスの構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the conventional light-emitting device.

以下、図面を用いて本発明の実施形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

以下の説明では、同一の部品および構成要素には同一の符号を付してある。したがって、それらの名称および機能も同じであるので、それらについての詳細な説明は繰り返さない。 In the following description, the same parts and components are denoted by the same reference numerals. Therefore, since their names and functions are also the same, detailed description thereof will not be repeated.

また、以下の図面においては、各部構成の寸法比率は説明に応じて適宜誇張して描かれており、必ずしも実際の寸法比率を示すものではない。 Moreover, in the following drawings, the dimensional ratio of each component is exaggerated as appropriate according to the description, and does not necessarily indicate the actual dimensional ratio.

（第１の実施形態）
図１および図２を参照して、本発明の第１の実施形態にかかる発光デバイスの構成について説明する。 (First embodiment)
With reference to FIG. 1 and FIG. 2, the structure of the light-emitting device concerning the 1st Embodiment of this invention is demonstrated.

図１を参照して、本実施形態の発光デバイス１００は、接続部材としての基台１２０の上面に発光素子１１０が載置され、その発光素子１１０を中心として略球形状の透光性部材としての透明封止樹脂１４０が発光素子１１０および基台１２０の一部を覆っている。配線層１３０は、発光素子１１０の電極と接続され、発光素子１１０に電源を供給するために外部へと引き出された導体層であり、基台１２０上に形成されている。 With reference to FIG. 1, in the light emitting device 100 of the present embodiment, a light emitting element 110 is placed on the upper surface of a base 120 as a connecting member, and the light emitting element 110 is used as a substantially spherical translucent member around the light emitting element 110. The transparent sealing resin 140 covers a part of the light emitting element 110 and the base 120. The wiring layer 130 is a conductor layer that is connected to the electrode of the light emitting element 110 and is drawn out to supply power to the light emitting element 110, and is formed on the base 120.

図２を参照して、発光素子１１０は図１１同様基板を上方に半導体層を下方に向け、いわゆるフェースダウンで、基台１２０上にフリップチップ実装されており、はんだバンプ１５０によって、配線層１３０と発光素子１１０の正極・負極の電極との間が接続されている。 Referring to FIG. 2, the light emitting element 110 is flip-chip mounted on the base 120 in a so-called face-down manner with the substrate facing upward and the semiconductor layer facing downward as in FIG. 11. And the positive electrode and the negative electrode of the light emitting element 110 are connected.

発光素子１１０は表面および裏面の両面から出射するタイプの発光ダイオード（ＬＥＤ）であり、たとえば、サファイア等の透明基板上にＮ型層、発光層、Ｐ型層をこの順に積層し、正極・負極の電極を形成したものを用いることができる。 The light emitting element 110 is a type of light emitting diode (LED) that emits light from both the front and back surfaces. For example, an N-type layer, a light-emitting layer, and a P-type layer are laminated in this order on a transparent substrate such as sapphire. The one formed with the electrode can be used.

基台１２０は、たとえば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）などのセラミックを切削加工して製造することができる。基台１２０の形状は、後述するように熱の伝導を考慮して、上面が小さく下面が大きい略錐台形状をなしている。つまり、基台１２０は上面に平行な面で切断した断面の面積が上面から下面に向けて漸増する形状をなしている。また、発光素子１１０の下面からの光の取出しを考慮して、基台１２０上面の面積は発光素子１１０の面積より小さくされており、発光素子１１０の実装面側（はんだバンプ１５０と接続された側）の周辺部が基台１２０の上面からはみ出すようにされている。 The base 120 can be manufactured by cutting a ceramic such as alumina (Al 2 O 3), silicon nitride (SiN), aluminum nitride (AlN), for example. The shape of the base 120 has a substantially frustum shape with a small top surface and a large bottom surface in consideration of heat conduction, as will be described later. That is, the base 120 has a shape in which the area of a cross section cut by a plane parallel to the upper surface gradually increases from the upper surface to the lower surface. In consideration of light extraction from the lower surface of the light emitting element 110, the area of the upper surface of the base 120 is smaller than the area of the light emitting element 110, and the mounting surface side of the light emitting element 110 (connected to the solder bump 150). The peripheral portion of the side) protrudes from the upper surface of the base 120.

配線層１３０は、たとえば銅配線にＮｉメッキ、その上にＡｇメッキを施して反射率を高くしたものを好適に用いることができ、発光素子１１０の正極・負極に接続すべく２本帯状に基台１２０上に形成されている。配線層１３０は、たとえばガラスエポキシ基板などにはんだ付けなどで表面実装可能なように基台１２０の下面裏へ折り返されている。そ
して、両配線層１３０に所定の電源を接続することにより、発光デバイス１００は光を出射する。 As the wiring layer 130, for example, a copper wiring with Ni plating and Ag plating thereon can be preferably used so as to increase the reflectance. It is formed on a table 120. The wiring layer 130 is folded back on the lower surface of the base 120 so that it can be surface-mounted on a glass epoxy board or the like by soldering or the like. The light emitting device 100 emits light by connecting a predetermined power source to both the wiring layers 130.

なお、本実施形態では、２本の配線層１３０を相対する２つの側面に形成しているが、これらはいずれの側面に形成してもよい。また、２本の配線層１３０を帯状に形成しているが、これを側面全体にわたって形成してもよい。このようにすれば、熱の伝導率を上げる上で、また配線層の抵抗を下げる上で好ましい。 In the present embodiment, the two wiring layers 130 are formed on two opposite side surfaces, but these may be formed on either side surface. Further, although the two wiring layers 130 are formed in a strip shape, they may be formed over the entire side surface. This is preferable for increasing the thermal conductivity and decreasing the resistance of the wiring layer.

発光素子１１０と、はんだバンプ１５０を含む発光素子１１０と配線層１３０との接続部、および基台１２０の一部は、透明封止樹脂１４０によって覆われている。透明封止樹脂１４０は、後述するように光の取出し効率を考慮し、発光素子１１０を中心とする球形状をなしている。球形状の透明封止樹脂１４０は、たとえば、基台１２０上に発光素子１１０を実装後、基台１２０の上方から透明封止樹脂材料を滴下し固化させて得ることができる。滴下直後の透明封止樹脂材料は表面張力により球形状となるからである。ここで言う「球形状」とは、球、または球に類似した形状を有し、透明封止樹脂の中心にある発光素子１１０から発される光が、透明封止樹脂１４０と空気層との境界を垂直に近い状態で透過する形状を指す。また透明封止樹脂１４０と基台１２０との接続部の一部もしくは全部の樹脂が垂れ下がることがあるが、これによって透明封止樹脂１４０が球形状であることを否定されることはない。 A connection portion between the light emitting element 110, the light emitting element 110 including the solder bump 150 and the wiring layer 130, and a part of the base 120 are covered with a transparent sealing resin 140. The transparent sealing resin 140 has a spherical shape with the light emitting element 110 as the center in consideration of light extraction efficiency, as will be described later. The spherical transparent sealing resin 140 can be obtained, for example, by mounting the light emitting element 110 on the base 120 and dropping and solidifying the transparent sealing resin material from above the base 120. This is because the transparent sealing resin material immediately after the dropping becomes spherical due to surface tension. The “spherical shape” referred to here has a shape similar to a sphere or a sphere, and light emitted from the light emitting element 110 at the center of the transparent sealing resin is between the transparent sealing resin 140 and the air layer. It refers to the shape that passes through the boundary in a state close to vertical. In addition, a part or all of the connecting portion between the transparent sealing resin 140 and the base 120 may hang down, but this does not deny that the transparent sealing resin 140 has a spherical shape.

発光素子１１０および透明封止樹脂１４０の大きさは特に限定されるものではないが、一例として、発光素子１１０の縦×横×厚さを０．５ｍｍ×０．５ｍｍ×１００μｍ、透明封止樹脂１４０の直径を１．５ｍｍ程度とすることができる。 The sizes of the light emitting element 110 and the transparent sealing resin 140 are not particularly limited. As an example, the vertical x horizontal x thickness of the light emitting element 110 is 0.5 mm × 0.5 mm × 100 μm, and the transparent sealing resin The diameter of 140 can be about 1.5 mm.

また、透明封止樹脂１４０の材料としては、透光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などを用いることができる。 Moreover, as a material of the transparent sealing resin 140, a translucent epoxy resin, silicone resin, or the like can be used.

つづけて、図３を参照して本実施形態の発光デバイスの作用について説明する。 Next, the operation of the light emitting device of this embodiment will be described with reference to FIG.

図３は、図２において発光素子１１０から出射した光の光線を点線矢印で、発光素子１１０から発生した熱の伝導経路を白抜き矢印で示している。 FIG. 3 shows a light ray emitted from the light emitting element 110 in FIG. 2 by a dotted arrow and a conduction path of heat generated from the light emitting element 110 by a white arrow.

本実施形態の発光デバイス１００の発光素子１１０は、先述したように、光の取出し効率向上のため上方のみならず側方および下方に向かって、すなわち全周方向に光を放射するようにされている。そして、基台１２０上面の面積は発光素子１１０の面積より小さくなっており、かつ透明封止樹脂１４０を球形状とし、透明封止樹脂１４０の略中央に埋設された発光素子１１０から出射した光の光軸と、透明封止樹脂１４０とその周囲の空気層との界面とを互いに垂直に近い状態で均質化させることにより、全反射を低減させてさらに光取出し効率の向上を図っている。 As described above, the light-emitting element 110 of the light-emitting device 100 of the present embodiment emits light not only upward but also laterally and downwardly, that is, in the entire circumferential direction in order to improve light extraction efficiency. Yes. The area of the upper surface of the base 120 is smaller than the area of the light emitting element 110, and the light emitted from the light emitting element 110 embedded in the approximate center of the transparent sealing resin 140 is formed in a spherical shape with the transparent sealing resin 140. The optical axis and the interface between the transparent sealing resin 140 and the surrounding air layer are homogenized in a nearly perpendicular state, thereby reducing total reflection and further improving the light extraction efficiency.

図３に示すように、発光素子１１０の実装面側の周辺部から出射した光の一部は透明封止樹脂１４０を通過して直接外部へ出射し、また一部は配線層１３０で反射して外部へ取り出される。 As shown in FIG. 3, a part of the light emitted from the peripheral part on the mounting surface side of the light emitting element 110 passes through the transparent sealing resin 140 and is directly emitted to the outside, and part of the light is reflected by the wiring layer 130. To be taken out.

以上のように本実施形態の発光デバイス１００によれば、発光素子１１０を基台１２０にフリップチップ実装する場合において、極力光取出し効率の向上を図ることができる。 As described above, according to the light emitting device 100 of this embodiment, when the light emitting element 110 is flip-chip mounted on the base 120, the light extraction efficiency can be improved as much as possible.

一方、発光素子１１０から発生した熱は、はんだバンプ１５０を介し、図３の白抜き矢印で示すように基台１２０を下方に向かって伝導していく。このとき、発光素子１１０が載置される基台１２０の上面の面積は上述のように発光素子１１０の面積より小さく構成
されているので、発光素子１１０で発生した熱を効率よく基台に伝達するという点では不利になる。 On the other hand, the heat generated from the light emitting element 110 is conducted downward through the base 120 through the solder bumps 150 as indicated by white arrows in FIG. At this time, since the area of the upper surface of the base 120 on which the light emitting element 110 is placed is configured to be smaller than the area of the light emitting element 110 as described above, the heat generated in the light emitting element 110 is efficiently transmitted to the base. It is disadvantageous in that it does.

そこで本実施形態では、先述したように基台１２０を上面より下面が大きい略錐台形状に形成し、上面に平行な面で切断した断面の面積が上面から下面に向けて漸増する形状としている。基台１２０の形状としてこのような形状を採用することにより基台１２０全体の熱抵抗を下げることができるので、上面で受けた発光素子１１０からの熱を基台１２０を介して迅速に下方に伝達させ、発光デバイス１００を実装する基板などに速やかに放散させることができる。 Therefore, in the present embodiment, as described above, the base 120 is formed in a substantially frustum shape whose lower surface is larger than the upper surface, and the cross-sectional area cut by a plane parallel to the upper surface is gradually increased from the upper surface toward the lower surface. . By adopting such a shape as the shape of the base 120, the thermal resistance of the entire base 120 can be lowered, so that the heat from the light emitting element 110 received on the upper surface can be rapidly lowered downward via the base 120. The light can be quickly dissipated to the substrate on which the light emitting device 100 is mounted.

以上のように本実施形態によれば、発光素子を載置する基台の上面の面積が発光素子の面積より小さいので、発光素子の実装面側より発光した光を、発光素子と基台が重ならない空間から取り出せるので、光の取出し効率を向上させることができる。また、透明封止樹脂の形状が発光素子を中心とする球形状であるため、発光素子から出射した光は透明封止樹脂と空気層との界面に略垂直に入射するので全反射が起こりにくく、その結果光の損失を低減して光の取出し効率を向上させることができる。さらに、基台は発光素子の載置面から末広がりに広がる錐台形状をなしているので、発光素子から発光デバイスの実装面までの熱抵抗を減少させ、発光素子からの熱を効率的に放熱することが可能となる。 As described above, according to the present embodiment, since the area of the upper surface of the base on which the light emitting element is placed is smaller than the area of the light emitting element, the light emitted from the mounting surface side of the light emitting element is transmitted to the light emitting element and the base. Since it can be extracted from a space that does not overlap, the light extraction efficiency can be improved. In addition, since the shape of the transparent sealing resin is a sphere centered on the light emitting element, the light emitted from the light emitting element is incident almost perpendicularly to the interface between the transparent sealing resin and the air layer, so that total reflection hardly occurs. As a result, light loss can be reduced and light extraction efficiency can be improved. In addition, the base has a frustum shape that spreads from the mounting surface of the light emitting element, reducing the thermal resistance from the light emitting element to the mounting surface of the light emitting device, and efficiently dissipating heat from the light emitting element. It becomes possible to do.

（第２の実施形態）
図４および図５を参照して、本発明の第２の実施形態について説明する。 (Second Embodiment)
With reference to FIGS. 4 and 5, a second embodiment of the present invention will be described.

本実施形態の発光デバイス２００は、第１の実施形態における基台１２０の形状を変更して、さらに放熱性を向上させたものである。 The light emitting device 200 of the present embodiment is obtained by changing the shape of the base 120 in the first embodiment to further improve heat dissipation.

図４において基台２２０は、熱の流れをさらに円滑すべく、側面の傾斜が上面から下面に向けて緩やかになるようにされている。すなわち、基台２２０を上面に垂直な面で切断した断面における側面に相当する曲線は、その接線の傾きが上面から下面にむけて漸減するようにされている。このような加工は、アルミナなどのセラミックで作製された基台を切削あるいはブラスト加工などして行うことができる。 In FIG. 4, the base 220 is configured such that the inclination of the side surface becomes gentle from the upper surface to the lower surface in order to further smooth the heat flow. That is, the curve corresponding to the side surface in the cross section obtained by cutting the base 220 along a plane perpendicular to the upper surface is configured such that the inclination of the tangent gradually decreases from the upper surface to the lower surface. Such processing can be performed by cutting or blasting a base made of ceramic such as alumina.

配線層２３０は、熱の伝導も考慮して、基台２２０の側面全体にわたって形成している。 The wiring layer 230 is formed over the entire side surface of the base 220 in consideration of heat conduction.

図５は、図３と同様に発光素子１１０から放射された光線、および熱の伝導経路を図示したものである。 FIG. 5 illustrates light rays radiated from the light emitting element 110 and heat conduction paths in the same manner as in FIG. 3.

図５において、基台２２０の側面の傾斜が上面から下面に向けて緩やかになるようにされている。基台２２０をこのように加工することにより、従来技術に比べ上面からの熱を効率よく円滑に下方かつ側方に逃がすことができる。 In FIG. 5, the inclination of the side surface of the base 220 is made gentler from the upper surface to the lower surface. By processing the base 220 in this way, the heat from the upper surface can be efficiently and smoothly released downward and sideward compared to the prior art.

また、発光素子１１０の実装面側から下方に向けて出射した光を配線層２３０で反射させて外部に取り出す場合において、基台２２０の側面が上にいくに従って発光素子１１０の実装面と垂直に近づいていくことから、第一の実施形態に比べて基台２２０の上部が細い形状となっている為に放熱性は劣るが、発光素子１１０の近くで反射し発光素子に戻る光が更に減るために、光の取り出し効率をさらに上げることが出来る。 Further, when light emitted downward from the mounting surface side of the light emitting element 110 is reflected by the wiring layer 230 and taken out to the outside, the base 220 is perpendicular to the mounting surface of the light emitting element 110 as the side surface of the base 220 goes up. Since the upper portion of the base 220 is thinner than the first embodiment, the heat dissipation is inferior, but the light reflected near the light emitting element 110 and returning to the light emitting element is further reduced. Therefore, the light extraction efficiency can be further increased.

（第３の実施形態）
図６を参照して、本発明の第３の実施形態について説明する。
本実施形態の発光デバイス３００の基台３２０は、第２の実施形態における基台２２０の
相対する２つの側面を垂直に切り取った形状とされており、電極３３０は、テーパー形状となっている側面全面にわたって形成されている。 (Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The base 320 of the light emitting device 300 according to the present embodiment has a shape obtained by vertically cutting two opposing side surfaces of the base 220 according to the second embodiment, and the electrode 330 has a tapered side surface. It is formed over the entire surface.

本実施形態は、発光デバイスの光取出し効率の向上、効率的な放熱に加えて、実装密度の向上を図ったものである。 In the present embodiment, in addition to improving the light extraction efficiency and efficient heat dissipation of the light emitting device, the mounting density is improved.

すなわち、照明用途等においては、ガラスエポキシ等の基板に多数の発光デバイスを並べて実装する必要があるが、本実施形態の発光デバイス３００は２つの側面が垂直にされているので、これらの面を向い合せる方向に並べることにより発光デバイス３００間の間隔を狭めることができる。したがって、実装密度を向上させることができ、高輝度が要求される用途において適したものとすることができる。 That is, in lighting applications, etc., it is necessary to mount a large number of light emitting devices side by side on a substrate such as glass epoxy. However, since the light emitting device 300 of this embodiment has two side surfaces vertical, these surfaces are The intervals between the light emitting devices 300 can be reduced by arranging them in the facing direction. Therefore, the mounting density can be improved, and it can be made suitable for applications that require high luminance.

また、発光素子１１０の実装面側の周辺部発光面のうち、基台３２０の垂直な側面に対峙する発光面から出射した光は基台３２０の側面に遮られることなく下方に放射する。したがって、たとえば発光デバイス３００を実装する基板においてその放射光を反射させて光の取出し効率を図るようなことも可能となる。 In addition, light emitted from the light emitting surface facing the vertical side surface of the base 320 among the peripheral light emitting surfaces on the mounting surface side of the light emitting element 110 radiates downward without being blocked by the side surface of the base 320. Therefore, for example, it is possible to improve the light extraction efficiency by reflecting the radiated light on the substrate on which the light emitting device 300 is mounted.

なお、本実施形態では、２つの側面の傾斜が、第２の実施形態同様上面から下面に向けて緩やかになるようにされているが、これに限られず、第１の実施形態同様直線状としてもよい。 In the present embodiment, the inclination of the two side surfaces is made gentler from the upper surface to the lower surface as in the second embodiment, but is not limited thereto, and is linear as in the first embodiment. Also good.

（第４の実施形態）
図７および図８を参照して本発明の第４の実施形態について説明する。 (Fourth embodiment)
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本実施形態の発光デバイス４００は、第２の実施形態における配線層、および基台をまとめて金属電極としたものである。 In the light emitting device 400 of the present embodiment, the wiring layer and the base in the second embodiment are combined into a metal electrode.

図７、図８において、基台４２０は、発光素子１１０の正極・負極に接続される２つの金属電極４３０が絶縁層４５０を介して一体的に形成された構成となっている。発光素子１１０は、はんだバンプ１５０を介して金属電極４３０上に直接実装される。 7 and 8, the base 420 has a configuration in which two metal electrodes 430 connected to the positive electrode and the negative electrode of the light emitting element 110 are integrally formed via an insulating layer 450. The light emitting element 110 is directly mounted on the metal electrode 430 through the solder bump 150.

基台４２０は、絶縁材料を金属板で挟み一体的に貼り合わせた後、切削等で加工して形成することができる。 The base 420 can be formed by sandwiching an insulating material between metal plates and bonding them together, and then processing them by cutting or the like.

金属電極４３０の材料としては、たとえば、熱伝導性、電気伝導性に優れた銅、銅合金、アルミニウムなどを用いることができ、絶縁層４５０としては、たとえばエポキシ、ポリイミド等の絶縁材料や、部分的に空気を用いることができる。 As the material of the metal electrode 430, for example, copper, copper alloy, aluminum or the like excellent in thermal conductivity and electrical conductivity can be used. As the insulating layer 450, for example, an insulating material such as epoxy or polyimide, or a portion In particular, air can be used.

本実施形態によれば、基台４２０の台座部分全体が、発光素子１１０の正極・負極に接続される金属電極４３０として形成されているため、さらに熱抵抗、配線抵抗を下げることができる。その結果、特に高出力発光デバイスとしてより適したものとすることができる。 According to the present embodiment, since the entire pedestal portion of the base 420 is formed as the metal electrode 430 connected to the positive electrode / negative electrode of the light emitting element 110, the thermal resistance and wiring resistance can be further reduced. As a result, it can be made more suitable particularly as a high-power light-emitting device.

基台４２０の形状を、側面の傾斜が上面から下面に向けて緩やかになるような形状にして、第２の実施形態と同様最適な放熱設計とすることができ、また上面からの熱を効率よく円滑に下方かつ側方に逃がすことができる。しかしながら、基台４２０の形状はこれに限られず、第１の実施形態同様直線状としてもよい。 The shape of the base 420 can be made such that the inclination of the side surface becomes gentler from the upper surface to the lower surface, so that the optimum heat radiation design can be achieved as in the second embodiment, and the heat from the upper surface can be efficiently used. It can escape smoothly and smoothly downward and to the side. However, the shape of the base 420 is not limited to this, and may be linear as in the first embodiment.

（第５の実施形態）
図９を用いて、本発明の第５の実施形態について説明する。 (Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施形態の発光デバイス５００は、第２の実施形態における基台２２０の側面全体を反射部材としての反射層５６０でコーティングしたものである。反射層５６０は、白色インクなどの高反射材料を基台２２０の側面全体に塗布して形成することができる。 The light emitting device 500 of the present embodiment is obtained by coating the entire side surface of the base 220 in the second embodiment with a reflective layer 560 as a reflective member. The reflective layer 560 can be formed by applying a highly reflective material such as white ink to the entire side surface of the base 220.

図９を参照して、反射層５６０は、はんだバンプ１５０と配線層２３０の接続領域を除く基台２２０の全側面を覆ってコーティングされている。本実施形態では発光素子１１０下部の基台２２０表面にも反射層５６０を形成している。したがって、同図における点線矢印で示すように、発光素子１１０の実装面側の周辺部から出射した光、および発光素子１１０下面から周辺部に導出した光は、基台２２０の側面の反射層５６０で反射され外側に向けて放射されるので、発光デバイス５００の光取出し効率を向上させることができる。特に、反射層に近い発光素子１１０の直下あるいはその近傍における光の損失を低減させることができる。 Referring to FIG. 9, the reflective layer 560 is coated so as to cover the entire side surface of the base 220 excluding the connection region between the solder bump 150 and the wiring layer 230. In the present embodiment, the reflective layer 560 is also formed on the surface of the base 220 below the light emitting element 110. Therefore, as indicated by the dotted arrows in the figure, the light emitted from the peripheral portion on the mounting surface side of the light emitting element 110 and the light derived from the lower surface of the light emitting element 110 to the peripheral portion are reflected on the reflective layer 560 on the side surface of the base 220. Therefore, the light extraction efficiency of the light emitting device 500 can be improved. In particular, light loss directly under or near the light emitting element 110 close to the reflective layer can be reduced.

なお、反射層５６０は必ずしも基台２２０の側面全体に設ける必要はなく、必要に応じて側面の一部に形成してもよいし、また配線層２３０を除いてコーティングするようにしてもよい。 Note that the reflective layer 560 is not necessarily provided on the entire side surface of the base 220, and may be formed on a part of the side surface as needed, or may be coated except for the wiring layer 230.

（第６の実施形態）
図１０を用いて、本発明の第６の実施形態について説明する。 (Sixth embodiment)
A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施形態の発光デバイス６００は、第２の実施形態において、略球形状の透明封止樹脂内に波長変換部材としての蛍光体粒子６７０を略均一に含有させ、蛍光体層６４０を形成したものである。蛍光体層６４０は、たとえば基台２２０上に発光素子１１０を実装後、基台２２０の上方から蛍光体粒子６７０を含有させた透明封止樹脂材料を滴下し、略球形状に固化させて得ることができる。 In the light emitting device 600 of this embodiment, in the second embodiment, a phosphor layer 640 is formed by substantially uniformly containing phosphor particles 670 as a wavelength conversion member in a substantially spherical transparent sealing resin. It is. The phosphor layer 640 is obtained, for example, by mounting the light emitting element 110 on the base 220 and then dropping a transparent sealing resin material containing the phosphor particles 670 from above the base 220 and solidifying it into a substantially spherical shape. be able to.

発光デバイスにおいては、発光素子から出射した光を蛍光体により波長変換し、白色光等のさまざまな色を得るということが一般的に行われている。このような発光デバイスでは、発光素子を埋設する透明封止樹脂に蛍光体を一様に含有させることにより、発光素子の周囲に配された蛍光体が、発光素子から出射された光の一部を吸収して他の色の光を発光し波長変換する。発光デバイスは、波長変換された光と発光素子から直接出射された光との混合等により所望の色の光を放射する。 In a light emitting device, it is a common practice to change the wavelength of light emitted from a light emitting element with a phosphor to obtain various colors such as white light. In such a light-emitting device, the phosphor disposed in the periphery of the light-emitting element is part of the light emitted from the light-emitting element by uniformly including the phosphor in the transparent sealing resin in which the light-emitting element is embedded. Is absorbed, emits light of other colors, and converts the wavelength. The light emitting device emits light of a desired color by mixing the wavelength-converted light and the light directly emitted from the light emitting element.

本実施形態は、本発明をこのような波長変換型発光デバイスに適用したものである。 In the present embodiment, the present invention is applied to such a wavelength conversion type light emitting device.

発光素子１１０、蛍光体粒子６７０の材料等は特に限定されないが、一例として、発光素子１１０を波長４５０ｎｍ程度（青色）のＩｎＧａＮ等の窒化物系化合物半導体とし、蛍光体粒子６７０を青色光を吸収して黄色光を発光するＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体とし、発光デバイス６００の発光色を疑似白色とすることができる。 The materials of the light emitting element 110 and the phosphor particles 670 are not particularly limited. As an example, the light emitting element 110 is a nitride compound semiconductor such as InGaN having a wavelength of about 450 nm (blue), and the phosphor particles 670 absorb blue light. Thus, a YAG (yttrium, aluminum, garnet) phosphor that emits yellow light can be used, and the light emission color of the light emitting device 600 can be made pseudo white.

本実施形態で例示するように、本発明は、波長変換型発光デバイスに適用した場合においても、発光素子の基板側からのみならず実装面側からも光を取り出して光の取出し効率の向上を図り、同時に効率的な放熱も実現することが可能となる。したがって、本実施形態は、蛍光体材料が熱の影響で変質することを防止する観点からも有用である。 As exemplified in this embodiment, the present invention improves the light extraction efficiency by extracting light not only from the substrate side of the light emitting element but also from the mounting surface side even when applied to a wavelength conversion type light emitting device. At the same time, efficient heat dissipation can be realized. Therefore, this embodiment is also useful from the viewpoint of preventing the phosphor material from being deteriorated by the influence of heat.

なお、本実施形態では、蛍光体粒子６７０を透明封止樹脂内に略均一に含有させているが、これに限られず、たとえば蛍光体粒子６７０を発光素子１１０の各面に沿って一様な厚さだけ配すなどして、透明封止樹脂内の一部にのみ蛍光体粒子６７０を設けることもで
きる。 In the present embodiment, the phosphor particles 670 are substantially uniformly contained in the transparent sealing resin. However, the present invention is not limited to this. For example, the phosphor particles 670 are uniform along each surface of the light emitting element 110. The phosphor particles 670 can be provided only in a part of the transparent sealing resin by arranging only the thickness.

この場合、発光素子１１０を覆い、発光素子から出射された光の波長を変換する蛍光体層が、発光素子１１０と透明封止樹脂との間に設けたられることになり、蛍光体層で波長変換された光束を、透明封止樹脂と空気層との界面に対して点光源に近い状態とすることができる。そのため、発光素子１１０から放射された光が、蛍光体層をとりまく透明封止樹脂から空気層へと入射する場合において、臨界角以下の光線が増え、透明封止樹脂と空気層との界面での全反射が低減されて、さらなる光取出し効率の向上を図ることが可能となる。 In this case, a phosphor layer that covers the light emitting element 110 and converts the wavelength of light emitted from the light emitting element is provided between the light emitting element 110 and the transparent sealing resin. The converted light beam can be brought into a state close to a point light source with respect to the interface between the transparent sealing resin and the air layer. Therefore, when the light emitted from the light emitting element 110 is incident on the air layer from the transparent sealing resin surrounding the phosphor layer, the light beam having a critical angle or less increases, and at the interface between the transparent sealing resin and the air layer. Thus, it is possible to further improve the light extraction efficiency.

（そのほかの実施形態）
なお、上記各実施形態は適宜に組み合わせることができる。 (Other embodiments)
The above embodiments can be combined as appropriate.

たとえば、第１から第５の実施形態において第６の実施形態を採用し、透明封止樹脂内に蛍光体粒子を含有させ、波長変換型発光デバイスとすることが可能である。また、第４の実施形態において第５の実施形態を適用し、金属電極に反射層を形成してもよい。また、第１から第３の実施形態では対向する側面に配線層を形成していたが、隣り合う面に形成してもよい。 For example, in the first to fifth embodiments, the sixth embodiment can be adopted, and phosphor particles can be contained in the transparent sealing resin to obtain a wavelength conversion type light emitting device. Further, in the fourth embodiment, the fifth embodiment may be applied to form a reflective layer on the metal electrode. In the first to third embodiments, the wiring layers are formed on the opposite side surfaces, but may be formed on adjacent surfaces.

上記各実施形態においては、発光素子と基台の配線層との間の接続方法として、はんだバンプを用いた構成を例示して説明したが、必要に応じ通常のはんだ接続を採用してもよい。 In each of the above embodiments, the configuration using solder bumps has been described as a connection method between the light emitting element and the wiring layer of the base, but normal solder connection may be employed as necessary. .

上記実施形態において、基台の上面および下面を矩形形状とし、全体の形状を四角錐台形状としているが、これに限られず、たとえば上面、下面を円、楕円、三角形、その他の多角形でもよいし、円錐台形状や四角錐台形状以外の多角錐台形状としてもよい。また、上面、下面を同じ形状とする必要もなく、基台への発光素子の搭載および発光デバイスの基板等への実装を勘案して最適な形状を選択し、異なる形状としてもよい。さらに、上面は下面に対して傾いていても良い。 In the above embodiment, the upper surface and the lower surface of the base are rectangular, and the overall shape is a quadrangular pyramid shape. However, the present invention is not limited to this. For example, the upper and lower surfaces may be circles, ellipses, triangles, or other polygons. However, a polygonal frustum shape other than a truncated cone shape or a quadrangular frustum shape may be used. Moreover, it is not necessary to make the upper surface and the lower surface have the same shape, and an optimal shape may be selected in consideration of mounting of the light-emitting element on the base and mounting of the light-emitting device on the substrate or the like, and different shapes may be used. Furthermore, the upper surface may be inclined with respect to the lower surface.

第１から第３および第５、第６実施形態における配線層は、基台上面から側面を経由して下面まで配置されているが、上面と側面のみでもよい。 The wiring layers in the first to third, fifth, and sixth embodiments are arranged from the upper surface of the base to the lower surface via the side surface, but may be only the upper surface and the side surface.

上記各実施形態では傾斜する側面は２面又は４面に設けているが、１面のみでもよい。また、図６の例では、垂直面を対抗する２面としたが、１面のみでもよいし、対向しない２面でもよい。 In the above embodiments, the inclined side surfaces are provided on two or four surfaces, but only one surface may be provided. In the example of FIG. 6, the two vertical surfaces are opposed to each other, but only one surface may be used, or two surfaces that are not opposed to each other may be used.

１００発光デバイス
１１０発光素子
１２０基台
１３０配線層
１４０透明封止樹脂
１５０はんだバンプ
２００発光デバイス
２２０基台
２３０配線層
３００発光デバイス
３２０基台
３３０配線層
４００発光デバイス
４２０基台
４３０金属電極
４５０絶縁層
５００発光デバイス
５６０反射層
６００発光デバイス
６４０蛍光体層
６７０蛍光体粒子
９００発光デバイス
９１０発光素子
９１２基板
９１４半導体層
９２０電極
９３０接続端子
９４０はんだバンプ
９５０透明封止樹脂
100 light emitting device 110 light emitting element 120 base 130 wiring layer 140 transparent sealing resin 150 solder bump 200 light emitting device 220 base 230 wiring layer 300 light emitting device 320 base 330 wiring layer 400 light emitting device 420 base 430 metal electrode 450 insulating layer 500 light emitting device 560 reflective layer 600 light emitting device 640 phosphor layer 670 phosphor particle 900 light emitting device 910 light emitting element 912 substrate 914 semiconductor layer 920 electrode 930 connecting terminal 940 solder bump 950 transparent sealing resin

Claims

正極と負極を備える発光素子と、
該発光素子とフリップチップで接続する配線層を具備し、該発光素子を載置する接続部材と、
前記発光素子および前記接続部材の一部を封止し、前記発光素子を中心とする球形の形状を有する透光性部材と、を有する発光デバイスにおいて、
前記接続部材は、前記発光素子を載置する上面及び、該上面より大きい面積の下面を有し、前記上面に平行な面で切断した断面の面積が前記上面から前記下面に向けて漸増する側面を有し、
前記上面の面積は、前記発光素子の、前記接続部材へ載置される面の面積以下であり、
前記接続部材は、前記配線層と基台を兼ねる２つの金属電極と、その間に配置された絶縁体とから形成され、
前記上面には、前記発光素子の前記正極と前記負極が前記絶縁体を挟んで前記２つの金属電極とそれぞれ直接フリップチップ実装されていることを特徴とする発光デバイス。 A light emitting device comprising a positive electrode and a negative electrode ;
A wiring layer connected to the light emitting element by flip chip, and a connecting member for mounting the light emitting element;
In the light-emitting device having a light-transmitting member having a sealed portion of the light emitting element and the connecting member, a spherical shape centered on the light emitting element,
It said connecting member has an upper surface mounting the light emitting element and has a lower surface of the larger area than the upper surface, side surface area of the cross section taken along a plane parallel to said upper surface gradually increases toward the bottom surface from the top surface Have
The area of the upper surface is equal to or less than the area of the surface of the light emitting element placed on the connection member ,
The connection member is formed of two metal electrodes serving as the wiring layer and a base, and an insulator disposed between the metal electrodes,
The light emitting device, wherein the positive electrode and the negative electrode of the light emitting element are directly flip-chip mounted on the upper surface with the two metal electrodes sandwiching the insulator .

前記接続部材は錐台形状又は側面の傾斜が上から下に行くに従って緩やかになる形状を備え、
前記上面および前記下面は矩形であり、
前記上面を前記下面へ投影した場合、対向する１対の辺が重なり、他の１対の辺は重ならならないで、かつ前記下面は該投影された前記上面を包含することを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。 The connecting member has a frustum shape or a shape in which the inclination of the side surface becomes gentler from the top to the bottom,
The upper surface and the lower surface are rectangular,
When the upper surface is projected onto the lower surface, a pair of opposite sides overlap, the other pair of sides do not overlap, and the lower surface includes the projected upper surface. Item 2. A light emitting device according to Item 1.

前記接続部材における、前記上面を前記下面へ投影した場合に重なる辺を含む側面をそれぞれ向い合せる方向に複数個を基板の同一平面上に並べて実装配置されていることを特徴とする請求項２に記載の発光デバイス。 3. The mounting member according to claim 2, wherein a plurality of the connecting members are mounted and arranged on the same plane of the substrate in directions in which side surfaces including overlapping sides face each other when the upper surface is projected onto the lower surface. The light-emitting device described.

前記透光性部材は一部に蛍光体粒子を備え、該蛍光体粒子は前記発光素子の各面に沿って一様な厚さで配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光デバイス。3. The translucent member partially includes phosphor particles, and the phosphor particles are arranged with a uniform thickness along each surface of the light emitting element. The light-emitting device described.