JP5916157B2 - Manufacturing method of chip electronic component - Google Patents
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Description
本発明は、チップ電子部品の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a chip electronic component.
最近では、様々な通信デバイスまたはディスプレイデバイスなどのＩＴデバイスの小型化及び薄膜化が加速しており、該ＩＴデバイスに採用されるインダクタ、キャパシタ、トランジスタなどの各種素子も小型化及び薄型化するための研究が継続的に行われている。 Recently, IT devices such as various communication devices or display devices have been miniaturized and thinned, and various elements such as inductors, capacitors, and transistors used in the IT devices are also miniaturized and thinned. Research is ongoing.
チップ電子部品の一つであるインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗、キャパシタとともに電子回路を成してノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を除去する代表的な受動素子であり、電磁気的特性を利用してキャパシタと組み合わせることで、特定周波数帯域の信号を増幅させる共振回路、フィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）回路などの構成に用いられる。 An inductor, which is one of chip electronic components, is a typical passive element that forms an electronic circuit together with a resistor and a capacitor to remove noise, and is combined with a capacitor using electromagnetic characteristics. Therefore, it is used for a configuration of a resonance circuit, a filter circuit, or the like that amplifies a signal in a specific frequency band.
インダクタも小型、且つ高密度の自動表面実装が可能なチップへの転換が急速に行われており、薄膜の絶縁基板の上下面にめっきにより形成されるコイルパターン上に、磁性粉末を樹脂と混合して形成した薄膜型インダクタが開発されつつある。 Inductors are also rapidly changing to small and high-density automatic surface mountable chips, and magnetic powder is mixed with resin on a coil pattern formed by plating on the top and bottom surfaces of a thin insulating substrate. Thin film inductors formed in this way are being developed.
インダクタの主な特性の一つである直流抵抗（Ｒｄｃ）は、コイルの断面積が大きいほど低くなる。従って、直流抵抗（Ｒｄｃ）を下げ、インダクタンスを向上させるためには、内部コイルの断面積を増加させる必要がある。 The DC resistance (Rdc), which is one of the main characteristics of the inductor, decreases as the coil cross-sectional area increases. Therefore, in order to reduce the direct current resistance (Rdc) and improve the inductance, it is necessary to increase the cross-sectional area of the internal coil.
コイルの断面積を増加させる方法には、コイルの幅を増加させる方法と、コイルの高さを増加させる方法がある。 As a method for increasing the cross-sectional area of the coil, there are a method for increasing the width of the coil and a method for increasing the height of the coil.
コイルの幅を増加させると、コイルとコイル間のショート（ｓｈｏｒｔ）が発生する恐れが極めて高くなり、インダクタチップで具現できるターン数に限界が生じ、磁性体が占める面積の縮小に繋がって、効率が低下し、大容量製品の具現に限界がある。 If the width of the coil is increased, there is a very high possibility that a short between the coils will occur, and the number of turns that can be realized by the inductor chip is limited, leading to a reduction in the area occupied by the magnetic material, and efficiency. As a result, the implementation of large-capacity products is limited.
従って、薄膜インダクタの内部コイルには、コイルの高さを増加させた高アスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ、ＡＲ）を有する構造が求められている。内部コイルのアスペクト比（ＡＲ）とは、コイルの高さをコイルの幅で割った値で、高いアスペクト比（ＡＲ）を具現するためには、コイルの幅方向の成長を抑制し、高さ方向の成長を促進しなければならない。 Therefore, a structure having a high aspect ratio (Aspect Ratio, AR) in which the height of the coil is increased is required for the internal coil of the thin film inductor. The aspect ratio (AR) of the internal coil is a value obtained by dividing the height of the coil by the width of the coil. In order to realize a high aspect ratio (AR), the growth in the width direction of the coil is suppressed and the height is reduced. We must promote direction growth.
高アスペクト比（ＡＲ）を有するコイルを具現するためには、コイルの高さ方向の成長のみが行われる異方性電解めっきを施さなければならず、従来では、異方性めっきのために限界電流密度の近似範囲の電流を印加しながらめっきを施した。 In order to realize a coil having a high aspect ratio (AR), it is necessary to perform anisotropic electrolytic plating in which only the height of the coil is grown. Plating was performed while applying a current in an approximate range of current density.
しかし、めっきが行われるにつれてコイルの断面積が変化するため、継続的に新しい限界電流密度値を把握して印加しなければならないが、これには工程上、困難があった。そのため、異方性めっきを長時間続けることには限界があり、印加する電流が限界電流密度より小さくなってめっきが異方成長せず、コイルの高さ方向及び幅方向に等方成長して、コイル間ショート（ｓｈｏｒｔ）が発生し、コイルの高アスペクト比（ＡＲ）を具現することが困難であった。 However, since the cross-sectional area of the coil changes as plating is performed, it is necessary to continuously grasp and apply a new limit current density value. Therefore, there is a limit to continuing anisotropic plating for a long time, the applied current becomes smaller than the limit current density, and the plating does not grow anisotropically, but grows isotropically in the height direction and width direction of the coil. In addition, a short between the coils is generated, and it is difficult to realize a high aspect ratio (AR) of the coil.
また、製造工程中に、継続的に限界電流密度を把握して電流を変更することができたとしても、製造工程の途中で電流値を変更すると、コイルの断面に不連続的な界面が生じ、伝導性が低下するという問題点があった。 Even if the current can be changed by continuously grasping the limit current density during the manufacturing process, if the current value is changed during the manufacturing process, a discontinuous interface occurs in the coil cross section. There was a problem that conductivity was lowered.
本発明の一実施形態は、コイルの幅方向の成長は抑制し、高さ方向の成長が行われる異方性電解めっきによりコイル間ショート（ｓｈｏｒｔ）の発生を防止し、コイルの幅に対する高さを増加させて高アスペクト比（ＡＲ）のコイルを具現することができるチップ電子部品の製造方法に関する。 In one embodiment of the present invention, the growth in the width direction of the coil is suppressed, the occurrence of a short between coils is prevented by anisotropic electrolytic plating in which the growth in the height direction is performed, and the height with respect to the width of the coil It is related with the manufacturing method of the chip electronic component which can implement | achieve a coil of a high aspect ratio (AR) by increasing.
本発明の一実施形態は、絶縁基板の少なくとも一面にコイルパターンシード層を形成する段階と、上記コイルパターンシード層上に電解めっきを施してコイル導体層を形成する段階とを含み、上記電解めっきは一定の電圧を印加して行うチップ電子部品の製造方法を提供する。 An embodiment of the present invention includes a step of forming a coil pattern seed layer on at least one surface of an insulating substrate, and a step of performing electrolytic plating on the coil pattern seed layer to form a coil conductor layer. Provides a chip electronic component manufacturing method performed by applying a constant voltage.
上記電解めっき時に印加する電圧は１．５Ｖ以上であってもよい。 The voltage applied during the electrolytic plating may be 1.5 V or more.
上記電解めっき時に印加する電圧は１．８Ｖ〜２．４Ｖであってもよい。 The voltage applied during the electrolytic plating may be 1.8V to 2.4V.
上記電解めっきを施す段階は、一定の電流を印加して上記コイルパターンシード層上に等方性コイル導体層を形成した後、一定の電圧を印加して上記等方性コイル導体層上に異方性コイル導体層を形成してもよい。 The electrolytic plating step includes applying a constant current to form an isotropic coil conductor layer on the coil pattern seed layer, and then applying a constant voltage to the isotropic coil conductor layer. A isotropic coil conductor layer may be formed.
上記等方性コイル導体層を形成するために印加する電流の電流密度は１Ａ／ｄｍ２〜５Ａ／ｄｍ２であってもよい。 The current density of the current applied to form the isotropic coil conductor layer may be 1 A / dm 2 to 5 A / dm 2 .
上記電解めっき時に用いられるめっき液は、硫酸及び塩酸からなる群より選択された何れか一つ以上の無機酸を含んでもよい。 The plating solution used at the time of the electrolytic plating may contain one or more inorganic acids selected from the group consisting of sulfuric acid and hydrochloric acid.
上記電解めっき時に用いられるめっき液は、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、グリセリン、ポリエチレンオキシド及びポリオキシアルキレングリコールからなる群より選択された何れか一つ以上の有機物を含んでもよい。 The plating solution used at the time of the electrolytic plating may contain any one or more organic substances selected from the group consisting of ethylene glycol, polyethylene glycol, glycerin, polyethylene oxide, and polyoxyalkylene glycol.
上記電解めっき時に用いられるめっき液は、３−メルカプトプロピルスルホン酸、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド及びＮ、Ｎ−ジメチルジチオカルバミン酸（３−スルホプロピル）エステルからなる群より選択された何れか一つ以上を含んでもよい。 The plating solution used for the electrolytic plating is any one selected from the group consisting of 3-mercaptopropylsulfonic acid, bis (3-sulfopropyl) disulfide, and N, N-dimethyldithiocarbamic acid (3-sulfopropyl) ester. More than one may be included.
上記コイル導体層は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、スズ（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）及び白金（Ｐｔ）からなる群より選択された何れか一つ以上を含んでもよい。 The coil conductor layer includes silver (Ag), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), tin (Sn), copper (Cu), and platinum (Pt). Any one or more selected from the group consisting of:
上記コイルパターンシード層を形成する段階は、上記絶縁基板上にコイルパターンシード層形成用開口部を有するめっきレジストを形成する段階と、上記コイルパターンシード層形成用開口部を充填してコイルパターンシード層を形成する段階と、上記めっきレジストを除去する段階と、を含んでもよい。 The step of forming the coil pattern seed layer includes forming a plating resist having an opening for forming a coil pattern seed layer on the insulating substrate, and filling the opening for forming the coil pattern seed layer to form a coil pattern seed. A step of forming a layer and a step of removing the plating resist may be included.
上記コイルパターンシード層及びコイル導体層を含んで形成される内部コイル部のアスペクト比（ａｓｐｅｃｔ ｒａｔｉｏ）は１．１以上であってもよい。 The aspect ratio of the internal coil portion formed including the coil pattern seed layer and the coil conductor layer may be 1.1 or more.
本発明の他の一実施形態は、絶縁基板の少なくとも一面に内部コイル部を形成する段階と、上記内部コイル部が形成された絶縁基板の上部及び下部に磁性体層を積層して磁性体本体を形成する段階と、上記磁性体本体の少なくとも一端面に上記内部コイル部と接続するように外部電極を形成する段階と、を含み、上記内部コイル部を形成する段階は、上記絶縁基板上にコイルパターンシード層を形成し、定電圧を印加する電解めっきを施して上記コイルパターンシード層を被覆するコイル導体層を形成するチップ電子部品の製造方法を提供する。 According to another embodiment of the present invention, a magnetic body is formed by forming an internal coil portion on at least one surface of an insulating substrate, and laminating magnetic layers on an upper portion and a lower portion of the insulating substrate on which the internal coil portion is formed. Forming an external electrode so as to be connected to the internal coil portion on at least one end surface of the magnetic body, and forming the internal coil portion on the insulating substrate. Provided is a method for manufacturing a chip electronic component in which a coil pattern seed layer is formed and electrolytic plating for applying a constant voltage is performed to form a coil conductor layer that covers the coil pattern seed layer.
上記印加する定電圧は１．５Ｖ以上であってもよい。 The applied constant voltage may be 1.5 V or more.
上記印加する定電圧は１．８Ｖ〜２．４Ｖであってもよい。 The constant voltage to be applied may be 1.8V to 2.4V.
上記内部コイル部を形成する段階は、上記絶縁基板上に形成されたコイルパターンシード層上に定電流を印加して上記コイルパターンシード層を被覆する等方性コイル導体層を形成し、上記等方性コイル導体層上に定電圧を印加して異方性コイル導体層を形成してもよい。 The step of forming the internal coil portion includes forming an isotropic coil conductor layer that covers the coil pattern seed layer by applying a constant current on the coil pattern seed layer formed on the insulating substrate, and the like. An anisotropic coil conductor layer may be formed by applying a constant voltage on the isotropic coil conductor layer.
上記定電流の電流密度は１Ａ／ｄｍ２〜５Ａ／ｄｍ２であってもよい。 The current density of the constant current may be 1 A / dm 2 to 5 A / dm 2 .
上記内部コイル部のアスペクト比（ａｓｐｅｃｔ ｒａｔｉｏ）は１．１以上であってもよい。 The aspect ratio of the internal coil part may be 1.1 or more.
本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法は、コイルの幅方向の成長は抑制し、高さ方向の成長が行われる異方性電解めっきによりコイル間ショート（ｓｈｏｒｔ）の発生を防止し、コイルの幅に対する高さを増加させて高アスペクト比（ＡＲ）のコイルを具現することができる。 A method of manufacturing a chip electronic component according to an embodiment of the present invention suppresses the occurrence of a short between coils by anisotropic electrolytic plating in which growth in the width direction of the coil is suppressed and growth in the height direction is performed. A coil having a high aspect ratio (AR) can be realized by increasing the height with respect to the width of the coil.
これにより、コイルの断面積が大きくなり、直流抵抗（Ｒｄｃ）が減少し、インダクタンスが向上することができる。 Thereby, the cross-sectional area of the coil increases, the direct current resistance (Rdc) decreases, and the inductance can be improved.
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. The shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for a clearer description.
以下では、本発明の一実施形態によるチップ電子部品を、特に薄膜型インダクタで説明するが、これに制限されない。 Hereinafter, a chip electronic component according to an embodiment of the present invention will be described using a thin film inductor, but is not limited thereto.
図１は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の内部コイル部が示されるように図示した概略斜視図であり、図２は図１のＩ−Ｉ'線による断面図である。 FIG. 1 is a schematic perspective view illustrating an internal coil portion of a chip electronic component according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG.
図１及び図２を参照すると、チップ電子部品の一例として、電源供給回路の電源ラインに用いられる薄膜型チップインダクタ１００が開示されている。上記チップ電子部品は、チップインダクタの他にもチップビーズ（ｃｈｉｐ ｂｅａｄ）、チップフィルタ（ｃｈｉｐ ｆｉｌｔｅｒ）などであってもよい。
1 and 2, a thin
上記薄膜型インダクタ１００は、磁性体本体５０と、絶縁基板２０と、内部コイル部４０と、外部電極８０と、を含む。
The
上記薄膜型インダクタ１００の製造方法について、図３〜図８を参照して説明する。
A method for manufacturing the
図３は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を示す工程図であり、図４〜図７は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示したものである。 FIG. 3 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a chip electronic component according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 4 to 7 sequentially illustrate a method for manufacturing a chip electronic component according to an embodiment of the present invention.
図３を参照すると、まず、絶縁基板２０の少なくとも一面に内部コイル部４０を形成する。
Referring to FIG. 3, first, the
上記絶縁基板２０は特に制限されず、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板または金属系軟磁性基板等を用いてもよく、４０〜１００μの厚さであってもよい。
The insulating
上記内部コイル部４０を形成するためには、まず、絶縁基板２０の少なくとも一面にコイルパターンシード層４１を形成することができる。
In order to form the
図４を参照すると、絶縁基板２０上にコイルパターンシード層形成用開口部６１を有するめっきレジスト６０を形成することができる。
Referring to FIG. 4, a plating resist 60 having a coil pattern seed
上記めっきレジスト６０は通常の感光性レジストフィルムであり、ドライフィルムレジストなどを用いてもよいが、特にこれに限定されない。 The plating resist 60 is a normal photosensitive resist film, and a dry film resist or the like may be used, but is not particularly limited thereto.
図５を参照すると、コイルパターンシード層形成用開口部６１に電気めっきなどの工程により電気伝導性金属を充填することで、コイルパターンシード層４１を形成することができる。
Referring to FIG. 5, the coil
コイルパターンシード層４１は電気伝導性に優れた金属で形成してもよく、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）またはこれらの合金などで形成することができる。
The coil
図６を参照すると、化学的エッチングなどの工程によりめっきレジスト６０を除去することができる。 Referring to FIG. 6, the plating resist 60 can be removed by a process such as chemical etching.
次いで、コイルパターンシード層４１上に電解めっきを施してコイル導体層４２を形成することができる。
Next, the
この際、電解めっきは一定の電圧を印加して行うことができる。 At this time, the electrolytic plating can be performed by applying a constant voltage.
従来では、めっきが行われるにつれてコイルの断面積が変化し続けるため、新たな限界電流密度値を把握して、印加する電流値を調整しなければならないという難しさがあった。 Conventionally, since the cross-sectional area of the coil continues to change as plating is performed, it has been difficult to grasp a new limit current density value and adjust the applied current value.
しかし、本発明の一実施形態に従って定電圧を印加して電解めっきを行うと、電圧（Ｖ）が一定であるため、めっきが行われるにつれてコイルの断面積が増加して、抵抗（Ｒ）値が減少する分だけ電流（Ｉ）値が増加するように調整される。 However, when electrolytic plating is performed by applying a constant voltage according to an embodiment of the present invention, the voltage (V) is constant, so that the cross-sectional area of the coil increases as the plating is performed, and the resistance (R) value is increased. The current (I) value is adjusted so as to increase by the amount of decrease.
よって、変化する限界電流密度値を毎回把握して、印加する電流値を別途に調整しなくてもよく、コイルの断面に不連続的な界面が生じない上、コイルの高さ方向の成長を促進しながらもコイル間のショート（ｓｈｏｒｔ）の発生を防止し、高アスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ、ＡＲ）のコイルを効果的に具現することができる。 Therefore, the changing limit current density value is grasped every time, and the applied current value does not need to be adjusted separately, a discontinuous interface does not occur in the coil cross section, and the growth in the height direction of the coil is prevented. While promoting, it is possible to prevent the occurrence of a short between the coils and effectively implement a coil having a high aspect ratio (Aspect Ratio, AR).
図７を参照すると、コイルパターンシード層４１上に定電圧を印加する電解めっきを行うことで、不連続的な界面がないように異方成長したコイル導体層４２を形成することができる。
Referring to FIG. 7, the
上記電解めっき時に印加する定電圧は１．５Ｖ以上であってもよい。 The constant voltage applied during the electrolytic plating may be 1.5V or more.
印加電圧が１．５Ｖ未満では、めっきが行われないか、コイルの高さ方向の成長とともに幅方向の成長も行われる等方性めっきが優勢であり、コイル間ショート（ｓｈｏｒｔ）が発生する可能性がある。 If the applied voltage is less than 1.5V, plating is not performed, or isotropic plating in which the growth in the width direction is performed together with the growth in the height direction of the coil is dominant, and a short circuit between the coils can occur. There is sex.
高アスペクト比（ＡＲ）のコイルを製造するために、例えば、１．８Ｖ〜２．４Ｖの定電圧を印加することができる。 In order to manufacture a coil with a high aspect ratio (AR), for example, a constant voltage of 1.8 V to 2.4 V can be applied.
印加電圧が２．４Ｖを超えると、めっき反応が起きるより、水が還元分解されて水素が発生する恐れがある。 If the applied voltage exceeds 2.4 V, water may be reduced and decomposed to generate hydrogen rather than a plating reaction.
一方、コイルパターンシード層４１上に電解めっきを行うとき、一定の電流を印加する電解めっきを行ってから定電圧を印加する電解めっきを行うことができる。
On the other hand, when electrolytic plating is performed on the coil
コイルのアスペクト比（ＡＲ）が１以下の範囲では等方性めっきがより経済的であるため、アスペクト比（ＡＲ）が１以下までは定電流を印加して等方性めっきを行い、その後、定電圧を印加して異方性めっきを行ってもよい。 Since isotropic plating is more economical when the aspect ratio (AR) of the coil is 1 or less, isotropic plating is performed by applying a constant current until the aspect ratio (AR) is 1 or less. Anisotropic plating may be performed by applying a constant voltage.
図８は、本発明の一実施形態によるチップ電子部品の内部コイル部の断面図である。 FIG. 8 is a cross-sectional view of an internal coil portion of a chip electronic component according to an embodiment of the present invention.
図８を参照すると、コイルパターンシード層４１上に定電流を印加する電解めっきを行って上記コイルパターンシード層４１を被覆する等方性コイル導体層４３を形成し、上記等方性コイル導体層４３上に定電圧を印加する電解めっきを行って異方性コイル導体層４４を形成することができる。
Referring to FIG. 8, an isotropic coil conductor layer 43 that covers the coil
上記等方性コイル導体層４３を形成するために印加する定電流の電流密度は１Ａ／ｄｍ２〜５Ａ／ｄｍ２であってもよい。 The current density of the constant current applied to form the isotropic coil conductor layer 43 may be 1 A / dm 2 to 5 A / dm 2 .
上記コイル導体層４２、４３、４４は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成してもよく、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、スズ（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）またはこれらの合金などで形成することができるが、銅（Ｃｕ）で形成することが最も好ましい。 The coil conductor layers 42, 43, 44 may be formed to include a metal having excellent electrical conductivity. For example, silver (Ag), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), tin (Sn), copper (Cu), platinum (Pt), or an alloy thereof can be used, but it is most preferable to form with copper (Cu).
上記電解めっき時に用いられるめっき液は、上記コイル導体層４２、４３、４４を形成する金属の硫酸及び塩酸からなる群より選択された何れか一つ以上の無機酸塩を含むことができる。例えば、硫酸銅系めっき液であってもよい。 The plating solution used at the time of the electrolytic plating can include any one or more inorganic acid salts selected from the group consisting of metal sulfuric acid and hydrochloric acid forming the coil conductor layers 42, 43, 44. For example, a copper sulfate plating solution may be used.
また、上記めっき液は、コイル導体層４２、４３、４４を均一に成長させるために、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、グリセリン、ポリエチレンオキシド及びポリオキシアルキレングリコールからなる群より選択された何れか一つ以上の化合物をさらに含んでもよい。 The plating solution may be any one or more selected from the group consisting of ethylene glycol, polyethylene glycol, glycerin, polyethylene oxide, and polyoxyalkylene glycol in order to uniformly grow the coil conductor layers 42, 43, and 44. These compounds may further be included.
また、上記めっき液は、脱分極効果によりコイル導体層４２、４３、４４を十分に厚く形成するために、３−メルカプトプロピルスルホン酸、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド及びＮ，Ｎ−ジメチルジチオカルバミン酸（３−スルホプロピル）エステルからなる群より選択された何れか一つ以上をさらに含んでもよい。 In addition, the plating solution contains 3-mercaptopropylsulfonic acid, bis (3-sulfopropyl) disulfide and N, N-dimethyldithiocarbamine in order to form the coil conductor layers 42, 43, 44 sufficiently thick due to the depolarizing effect. Any one or more selected from the group consisting of acid (3-sulfopropyl) esters may be further included.
このように形成された上記内部コイル部４０は、アスペクト比（ａｓｐｅｃｔ ｒａｔｉｏ）が１．１以上で、高いアスペクト比を示すことができる。
The
下表１には、Ｌ／Ｓ（Ｌｉｎｅ＆Ｓｐａｃｅ）＝３０μ／３０μｍ仕様に形成された絶縁基板を負極に設置し、ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０ １２０ｇ／Ｌのめっき液を製造してめっき槽を構成した後、電圧または電流印加方式を変えながら内部コイル部を製造し、製造した内部コイル部のアスペクト比（ＡＲ）を測定した結果を示した。 In Table 1 below, an insulating substrate formed to L / S (Line & Space) = 30 μ / 30 μm specifications is installed on the negative electrode, and a plating solution of CuSO 4 .5H 2 0 120 g / L is manufactured to constitute a plating tank. Thereafter, the results of measuring the aspect ratio (AR) of the manufactured internal coil part by manufacturing the internal coil part while changing the voltage or current application method are shown.
上記表１から、定電流を印加して電解めっきを施した場合に比べて、定電圧を印加してめっきを施した場合に、高アスペクト比（ＡＲ）のコイルを製造することができることが分かる。但し、２．４Ｖの高電圧を印加した場合、水が分解されて水素が発生し、めっき不良で製造が不可能であった。 From Table 1 above, it can be seen that a coil with a high aspect ratio (AR) can be produced when plating is performed by applying a constant voltage, compared to when electrolytic plating is performed by applying a constant current. . However, when a high voltage of 2.4 V was applied, water was decomposed and hydrogen was generated, and the production was impossible due to poor plating.
上記絶縁基板２０の一部には、孔を形成し、伝導性材料を充填してビア電極４５を形成することができ、上記ビア電極４５を介して絶縁基板２０の一面と反対面に形成される内部コイル部４０を電気的に接続させることができる。
A hole can be formed in a part of the insulating
上記絶縁基板２０の中央部にはドリル、レーザー、サンドブラスト、穿孔加工などによって、絶縁基板を貫通する孔を形成することができる。
A hole penetrating the insulating substrate can be formed in the central portion of the insulating
内部コイル部４０を形成した後、上記内部コイル部４０を被覆する絶縁層３０を形成することができる。絶縁層３０はスクリーン印刷法、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）の露光及び現像による工程、スプレー（ｓｐｒａｙ）塗布工程など、公知の方法により形成することができるが、これに制限されない。
After forming the
次に、内部コイル部４０が形成された絶縁基板２０の上部及び下部に磁性体層を積層して磁性体本体５０を形成する。
Next, a
磁性体層を絶縁基板２０の両面に積層し、ラミネート法または静水圧プレス法により圧着して磁性体本体５０を形成することができる。このとき、上記孔が磁性体で充填されるようにコア部を形成することができる。
The
磁性体本体５０は薄膜型インダクタ１００の外観を構成し、磁気特性を示す材料であればよく、例えば、フェライトまたは金属系軟磁性材料が充填されて形成されてもよい。
The
上記フェライトとしては、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ系フェライトまたはＬｉ系フェライト等の公知のフェライトを含んでもよい。 The ferrite may include known ferrites such as Mn—Zn ferrite, Ni—Zn ferrite, Ni—Zn—Cu ferrite, Mn—Mg ferrite, Ba ferrite or Li ferrite.
上記金属系軟磁性材料としては、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群より選択された何れか一つ以上を含む合金であってもよく、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系非晶質金属粒子を含むことができ、これに制限されない。 The metallic soft magnetic material may be an alloy containing at least one selected from the group consisting of Fe, Si, Cr, Al, and Ni. Crystalline metal particles can be included, but are not limited thereto.
上記金属系軟磁性材料の粒子径は０．１μ〜２０μｍであってもよく、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂またはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの高分子上に分散した形態で含まれてもよい。 The metal-based soft magnetic material may have a particle size of 0.1 μm to 20 μm, and may be included in a dispersed form on a polymer such as an epoxy resin or a polyimide.
次に、上記磁性体本体５０の少なくとも一断面に露出する内部コイル部４０と接続するように外部電極８０を形成することができる。
Next, the
上記外部電極８０は、電気伝導性に優れた金属を含むペーストを用いて形成することができ、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）または銀（Ａｇ）などの単独またはこれらの合金などを含む伝導性ペーストであってもよい。外部電極８０は、外部電極８０の形状に応じて印刷するだけでなく、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法などで形成してもよい。
The
その他、上述した本発明の一実施形態によるチップ電子部品の特徴と同じ部分については、その説明を省略する。 In addition, the description of the same parts as those of the chip electronic component according to the embodiment of the present invention is omitted.
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。 Although the embodiment of the present invention has been described in detail above, the scope of the right of the present invention is not limited to this, and various modifications and modifications can be made without departing from the technical idea of the present invention described in the claims. It will be apparent to those skilled in the art that variations are possible.
１００ 薄膜型インダクタ
４５ ビア電極
２０ 絶縁基板
５０ 磁性体本体
３０ 絶縁層
６０ めっきレジスト
４０ 内部コイル部
６１ コイルパターンシード層形成用開口部
４１ コイルパターンシード層
８０ 外部電極
４２ コイル導体層
４３ 等方性コイル導体層
４４ 異方性コイル導体層
DESCRIPTION OF
Claims (15)
前記コイルパターンシード層上に電解めっきを施してコイル導体層を形成する段階と、を含み、
前記電解めっきを施す段階は、
一定の電流を印加して前記コイルパターンシード層上に等方性コイル導体層を形成する段階と、
一定の電圧を印加して前記等方性コイル導体層上に異方性コイル導体層を形成する段階と、を含むチップ電子部品の製造方法。 Forming a coil pattern seed layer on at least one surface of the insulating substrate;
Applying electroplating on the coil pattern seed layer to form a coil conductor layer,
The step of applying the electrolytic plating includes:
Applying a constant current to form an isotropic coil conductor layer on the coil pattern seed layer; and
Applying a constant voltage to form an anisotropic coil conductor layer on the isotropic coil conductor layer, and a method for manufacturing a chip electronic component.
前記絶縁基板上にコイルパターンシード層形成用開口部を有するめっきレジストを形成する段階と、
前記コイルパターンシード層形成用開口部を充填してコイルパターンシード層を形成する段階と、
前記めっきレジストを除去する段階と、
を含む、請求項１から８の何れか１項に記載のチップ電子部品の製造方法。 Forming the coil pattern seed layer comprises:
Forming a plating resist having an opening for forming a coil pattern seed layer on the insulating substrate;
Filling the coil pattern seed layer forming opening to form a coil pattern seed layer; and
Removing the plating resist;
The manufacturing method of the chip electronic component of any one of Claim 1 to 8 containing these.
前記内部コイル部が形成された絶縁基板の上部及び下部に磁性体層を積層して磁性体本体を形成する段階と、
前記磁性体本体の少なくとも一端面に前記内部コイル部と接続するように外部電極を形成する段階と、を含み、
前記内部コイル部を形成する段階は、
前記絶縁基板上にコイルパターンシード層を形成し、前記コイルパターンシード層上に定電流を印加して前記コイルパターンシード層を被覆する等方性コイル導体層を形成し、前記等方性コイル導体層上に定電圧を印加して異方性コイル導体層を形成する、チップ電子部品の製造方法。 Forming an internal coil portion on at least one surface of the insulating substrate;
Forming a magnetic body by laminating magnetic layers on the upper and lower portions of the insulating substrate on which the internal coil portion is formed;
Forming an external electrode on at least one end surface of the magnetic body to be connected to the internal coil portion,
Forming the internal coil portion comprises:
A coil pattern seed layer is formed on the insulating substrate , a constant current is applied on the coil pattern seed layer to form an isotropic coil conductor layer that covers the coil pattern seed layer, and the isotropic coil conductor A method for manufacturing a chip electronic component, wherein an anisotropic coil conductor layer is formed by applying a constant voltage on the layer .
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