JP5907765B2 - 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法に関する。

陽極上の複数の領域に複数の発光部を含む発光層を有し、複数の発光部毎に発光層上に陰極が配置された発光デバイスが知られている（例えば、特許文献１、特許文献２、および特許文献３参照）。
特許文献１ 特開２０００−２３１９９２号公報
特許文献２ 特開２００６−３３９１５７号公報
特許文献３ 特表２０１０−５２８４４８号公報

上記のような複数の発光部毎に発光層上に陰極が配置された発光デバイスにおいて、製造工程を簡略化し、製造コストを削減することが望まれている。

本発明の一態様に係る発光デバイスは、第１電極、第１取出電極、および第２取出電極を有する第１電極層と、第１電極の上方の異なる領域に配置されている第１発光部および第２発光部を有し、第１電極層の上方に配置されている発光層と、第１発光部の上方に配置されている第２電極および第２発光部の上方に配置されている第３電極を有し、発光層の上方に配置されている第２電極層と、発光層を貫通する第１貫通部を介して、第１取出電極と第２電極とを電気的に接続する第１電気接続部と、発光層を貫通する第２貫通部を介して、第２取出電極と第３電極とを電気的に接続する第２電気接続部とを備える。

上記発光デバイスは、発光層を貫通する第３貫通部を介して第１電極に電気的に接続する第３電気接続部をさらに備え、第２電極層は、第３電気接続部を介して第１電極に電気的に接続する第１補助電極をさらに有してもよい。

上記発光デバイスは、第１電極層の下方に配置されている基板をさらに備え、第１電極、第１取出電極、および第２取出電極は、基板の周縁部に隣接してもよい。

上記発光デバイスにおいて、第１電極は、第１部分電極および第２部分電極を有し、第１取出電極および第２取出電極は、第１部分電極と第２部分電極との間に配置され、第１電気接続部は、第１発光部を貫通する第１貫通部を介して、第２電極と第１取出電極とを電気的に接続し、第２電気接続部は、第２発光部を貫通する第２貫通部を介して、第３電極と第２取出電極とを電気的に接続してもよい。

上記発光デバイスにおいて、発光層は、複数の第１発光部および複数の第２発光部を有し、第２電極層は、複数の第１発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の第２電極と、複数の第２発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の第３電極とを有し、発光デバイスは、複数の第１発光部をそれぞれ貫通する複数の第１貫通部のそれぞれを介して、第１取出電極と複数の第２電極のそれぞれとを電気的に接続する複数の第１電気接続部と、複数の第２発光部をそれぞれ貫通する複数の第２貫通部のそれぞれを介して、第２取出電極と複数の第３電極のそれぞれとを電気的に接続する複数の第２電気接続部とを備えてもよい。

上記発光デバイスは、第２電極層上に配置されている絶縁層と、絶縁層上に、配置されている第２補助電極および第３補助電極と、絶縁層、第２電極、および第１発光部を貫通する複数の第４貫通部を介して、第２補助電極と第１取出電極とを電気的に接続する第４電気接続部と、絶縁層、第３電極、および第２発光部を貫通する複数の第５貫通部を介して、第３補助電極と第２取出電極とを電気的に接続する第５電気接続部とをさらに備えてもよい。

上記発光デバイスにおいて、複数の第１発光部、複数の第２発光部、複数の第２電極、および複数の第３電極は、第１方向に帯状に延伸しており、第１発光部および第２電極と、第２発光部および第３電極とは、第１方向に垂直な第２方向に交互に配置されており、第１取出電極および第２取出電極は、第２方向に帯状に延伸しており、第２補助電極および第３補助電極は、第２方向に帯状に延伸していてもよい。

上記発光デバイスにおいて、発光層は、複数の第１発光部および複数の第２発光部を有し、第２電極層は、複数の第１発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の第２電極と、複数の第２発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の第３電極と、複数の第２電極を電気的に接続する第１基部電極と、複数の第３電極を電気的に接続する第２基部電極とを有し、第１電気接続部は、第１取出電極と第１基部電極とを電気的に接続し、第２電気接続部は、第２取出電極と第２基部電極とを電気的に接続してもよい。

上記発光デバイスにおいて、複数の第１発光部、複数の第２発光部、複数の第２電極、および複数の第３電極は、第１方向に帯状に延伸しており、第２電極と第３電極とは、第２電極層の面方向において交互に配置されており、第１基部電極は、第１方向における第２電極層の一端側で、複数の第２電極に接続されており、第２基部電極は、第１方向における第２電極層の他端側で、複数の第３電極に接続されていてもよい。

上記発光デバイスにおいて、第１電極層は、第３取出電極をさらに有し、発光層は、第１電極の上方の第１発光部および第２発光部とは異なる領域に第３発光部をさらに有し、第２電極層は、第３発光部の上方に第４電極をさらに有し、発光デバイスは、第３発光部を貫通する第６貫通部を介して、第３取出電極と第４電極とを電気的に接続する第６電気接続部をさらに備えてもよい。

上記発光デバイスにおいて、第３発光部および第４電極は、第１発光部および第２電極、並びに第２発光部および第３電極より面積が広くてもよい。

上記発光デバイスにおいて、第１電極層の下方に配置されている基板をさらに備え、第１電極、第１取出電極、第２取出電極、および第３取出電極は、基板の周縁部に隣接しており、第１取出電極および第２取出電極は対向する位置に配置されており、第３取出電極は、第１取出電極と第２取出電極との間に配置されてもよい。

上記発光デバイスにおいて、発光層は、複数の第１発光部、複数の第２発光部、および複数の第３発光部を有し、第２電極層は、複数の第１発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の第２電極と、複数の第２発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の第３電極と、複数の第３発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の第４電極と、複数の第２電極を電気的に接続する第１基部電極と、複数の第３電極を電気的に接続する第２基部電極と、複数の第４電極に電気的に接続される第３基部電極とを有し、第１電気接続部は、第１取出電極と第１基部電極とを電気的に接続し、第２電気接続部は、第２取出電極と第２基部電極とを電気的に接続し、第６電気接続部は、第３取出電極と第３基部電極とを電気的に接続し、当該発光デバイスは、複数の第３発光部をそれぞれ貫通する複数の第７貫通部のそれぞれを介して、複数の第４電極のそれぞれと第３取出電極とを電気的に接続する複数の第７電気接続部をさらに備えてもよい。

上記発光デバイスにおいて、複数の第１発光部、複数の第２発光部、複数の第３発光部、複数の第２電極、複数の第３電極、および複数の第４電極は、第１方向に帯状に延伸しており、複数の第２電極、複数の第３電極、および複数の第４電極は、第２電極層の面方向において、第２電極、第３電極、第４電極の順に配置されており、第１基部電極は、第１方向における第２電極層の一端側で、複数の第２電極に接続されており、第２基部電極は、第１方向における第２電極層の他端側で、複数の第３電極に接続されており、第３基部電極は、第１方向と略垂直な第２方向における第２電極層の端部に配置されてもよい。

上記発光デバイスにおいて、発光層は、複数の第１発光部および複数の第２発光部を有し、複数の第１発光部は、第１スペクトルの光で発光し、複数の第２発光部は、第１スペクトルとは異なる第２スペクトルの光で発光し、複数の第１発光部のそれぞれおよび複数の第２発光部のそれぞれは、交互に配置されていてもよい。上記発光デバイスにおいて、発光デバイスから予め定められた距離以上離れて観察する観察者に、複数の第１発光部および複数の第２発光部から照射された光を、予め定められた色の光として認識させてもよい。

上記発光デバイスにおいて、第２電極層は、複数の第１発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の第２電極と、複数の第２発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の第３電極とを有し、発光デバイスは、複数の第２電極および複数の第３電極に印加される電流または電圧を制御する制御部をさらに備えてもよい。

本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法は、第１電極、第１取出電極、および第２取出電極を有する第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、第１電極の上方の異なる領域に第１発光部および第２発光部を有する発光層を、第１電極層の上方に形成する発光層形成工程と、発光層に第１取出電極まで貫通する第１貫通部および第２取出電極まで貫通する第２貫通部を形成する貫通部形成工程と、第１貫通部内、第２貫通部内、および発光層上に導電材料を堆積させて、第１取出電極に電気的に接続する第２電極を第１発光部上に形成し、および第２取出電極に電気的に接続する第３電極を第２発光部上に形成する第２電極層形成工程とを含む。

上記発光デバイスの製造方法において、貫通部形成工程は、発光層に第１電極まで貫通する第３貫通部を形成する工程を含み、第２電極層形成工程は、第３貫通部内に導電材料を堆積させて、第１電極に電気的に接続する第１補助電極を形成する工程を含んでもよい。

上記発光デバイスの製造方法において、第１電極層形成工程は、第１部分電極および第２部分電極を有する第１電極と、第１部分電極と第２部分電極との間に第１取出電極および第２取出電極を形成する工程を含み、貫通部形成工程は、第１発光部に第１取出電極まで貫通する第１貫通部を形成し、第２発光部に第２取出電極まで貫通する第２貫通部を形成する工程を含んでもよい。

上記発光デバイスの製造方法において、第２電極上および第３電極上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層および第１発光部に第１取出電極まで貫通する第４貫通部を形成し、絶縁層および第２発光部に第２取出電極まで貫通する第５貫通部を形成する第２貫通部形成工程と、絶縁層上に、第４貫通部を覆い、第４貫通部を介して第１取出電極と電気的に接続される第２補助電極と、第５貫通部を覆い、第５貫通部を介して第２取出電極と電気的に接続される第３補助電極とを形成する補助電極形成工程とをさらに含んでもよい。

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。

第１の実施形態に係る発光デバイスの陰極側から見た図である。 図１に示すＡ−Ａ断面図である。 図１に示すＢ−Ｂ断面図である。 図１に示すＣ−Ｃ断面図である。 図１に示すＤ−Ｄ断面図である。 第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの陰極側から見た図である。 図４に示すＡ−Ａ断面図である。 図４に示すＢ−Ｂ断面図である。 図４に示すＣ−Ｃ断面図である。 図４に示すＤ−Ｄ断面図である。 図４に示すＥ−Ｅ断面図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第３の実施形態に係る発光デバイスの陰極側から見た図である。 図７に示すＡ−Ａ断面図である。 図７に示すＢ−Ｂ断面図である。 図７に示すＣ−Ｃ断面図である。 図７に示すＤ−Ｄ断面図である。 図７に示すＥ−Ｅ断面図である。 第４の実施形態に係る発光デバイスの陰極側から見た図である。 図９に示すＡ−Ａ断面図である。 図９に示すＢ−Ｂ断面図である。 図９に示すＣ−Ｃ断面図である。 図９に示すＤ−Ｄ断面図である。 図９に示すＥ−Ｅ断面図である。 図９に示すＦ−Ｆ断面図である。 図９に示すＧ−Ｇ断面図である。 第４の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第４の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第４の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第４の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。 第４の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

図１は、第１の実施形態に係る発光デバイス１００の陰極側から見た図を示す。図２Ａは、図１に示すＡ−Ａ断面図を示す。図２Ｂは、図１に示すＢ−Ｂ断面図を示す。図２Ｃは、図１に示すＣ−Ｃ断面図を示す。図２Ｄは、図１に示すＤ−Ｄ断面図を示す。

発光デバイス１００は、基板１０、第１電極層２０、発光層３０、および第２電極層４０を備える。第１の実施形態において、発光デバイス１００は、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ発光デバイスである。なお、発光デバイス１００は、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ発光デバイス、または両面光取出し型の有機ＥＬ発光デバイスでもよい。

第１電極層２０の下方に配置されている基板１０は、ガラスまたは高分子フィルムなどの光透過性を有する板材である。第１電極層２０は、陽極となる第１電極２２と、陰極の取出電極となる第１取出電極２４および第２取出電極２６とを有する。第１電極２２、第１取出電極２４、および第２取出電極２６は、基板１０の周縁部に隣接している。さらに言えば、第１取出電極２４および第２取出電極２６は、第１方向Ｘにおいて互いに対向する基板１０のそれぞれの側面に隣接している。第１電極２２は、第１方向Ｙに垂直な第２方向Ｙにおける基板１０の一方の側面に隣接している。

第１電極２２、第１取出電極２４、および第２取出電極２６は、それぞれ電気的に絶縁されている。第１電極層２０は、光透過性導電性材料により構成してもよい。ここで、「光透過性」とは、光を透過する性質を有することを意味する。光透過性導電性材料は、可視光域（３５０ｎｍ〜７８０ｎｍ）における光の透過率が概ね５０％を超える性質を有し、かつ表面抵抗値が１０^７Ω以下の材料のことをいう。具体的には、光透過性導電性材料として、インジウムドープの酸化錫（ＩＴＯ）、インジウムドープの酸化亜鉛（ＩＺＯ）、酸化錫、酸化亜鉛などを用いることができる。表面抵抗の低さの観点からは、インジウムドープの酸化錫を用いて第１電極層２０を構成することが好ましい。第１電極層２０は、例えば、スパッタ法、蒸着法、パルスレーザー堆積法などにより基板１０上にＩＴＯ薄膜を形成することにより形成される。

発光層３０は、第１電極２２の上方の異なる領域に配置されている複数の第１発光部３２および複数の第２発光部３４を有し、第１電極層２０の上方に配置されている。第１発光部３２および第２発光部３４は、一般の有機ＥＬ素子において陽極と陰極とに狭持された部分を示し、電子注入層、電子輸送層、有機層、正孔注入層、および正孔輸送層などを有する。第１発光部３２および第２発光部３４は、有機化合物のほかに、薄膜のアルカリ金属または無機材料を用いて構成されてもよい。

また、第１発光部３２および第２発光部３４は、異なる色で発光してもよい。第１発光部３２および第２発光部３４は、異なるスペクトル波長の光を放射してもよい。第１発光部３２は、赤色、黄色、または橙色で発光し、第２発光部３４は、青色で発光してもよい。これにより、発光デバイス１００は、第１発光部３２および第２発光部３４が放射する光を受けた人に、白色の光として認識させることができる。第１発光部３２および第２発光部３４を構成する各層は、目的に応じて適宜選択される方法により形成されてよい。例えば、低分子有機化合物などは蒸着法で形成されてもよい。高分子有機化合物は印刷法で形成されてもよい。

第１発光部３２および第２発光部３４は、正孔輸送層の厚さを異ならせ、正孔輸送層以外の各層の厚さを略同一とすることで、異なる色で発光してもよい。この場合、第１発光部３２は、第１正孔注入層と、第１正孔注入層の上方に配置されている第１正孔輸送層と、第１正孔輸送層の上方に配置されている第１有機層と、第１有機層の上方に配置されている第１電子輸送層とを有する。また、第２発光部３４は、第２正孔注入層と、第２正孔注入層の上方に配置されている第２正孔輸送層と、第２正孔輸送層の上方に配置されている第２有機層と、第２有機層の上方に配置されている第２電子輸送層とを有する。そして、第１正孔輸送層および第２正孔輸送層を異なる厚さにすることで、第１発光部３２および第２発光部３４は、異なる色で発光してもよい。

また、第１発光部３２および第２発光部３４は、有機層の下方または上方に、正孔または電子の移動をブロックするブロック層を有し、ブロック層の厚さを異ならせ、ブロック層以外の各層の厚さを略同一とすることで、異なる色で発光してもよい。この場合、第１発光部３２は、第１正孔注入層と、第１正孔注入層の上方に配置されている第１正孔輸送層と、第１正孔輸送層の上方に配置されている第１有機層と、第１有機層の上方に配置されている第１電子輸送層と、第１有機層の下方または上方に配置され、正孔または電子の移動をブロックする第１ブロック層とを有する。また、第２発光部３４は、第２正孔注入層と、第２正孔注入層の上方に配置されている第２正孔輸送層と、第２正孔輸送層の上方に配置されている第２有機層と、第２有機層の上方に配置されている第２電子輸送層と第１有機層の下方または上方に配置され、正孔または電子の移動をブロックする第２ブロック層とを有する。そして、第１ブロック層および第２ブロック層を異なる厚さにすることで、第１発光部３２および第２発光部３４は、異なる色で発光してもよい。

上記のように、正孔輸送層またはブロック層の厚さのみを異ならせることで第１発光部３２および第２発光部３４に異なる色で発光させることで、他の層の形成工程を共通化できる。例えば、正孔注入層材料を積層することで、第１発光部３２を構成する第１正孔注入層および第２発光部３４を構成する第２正孔注入層を同時に形成する。次いで、マスクを用いて正孔輸送層を積層することで、第１の厚みであって第１発光部３２を構成する第１正孔輸送層を第１正孔注入層の上方に形成する。さらに、マスクを用いて正孔輸送層を積層することで、第１の厚みとは異なる第２の厚みであって第２発光部３４を構成する第２正孔輸送層を第２正孔注入層の上方に形成する。続いて、有機層材料を積層することで、第１発光部３２を構成する第1有機層および第２発光部３４を構成する第２有機層のそれぞれを第１正孔輸送層および第２正孔輸送層のそれぞれの上方に同時に形成する。また、電子輸送層材料を積層することで、第１発光部３２を構成する第１電子輸送層および第２発光部３４を構成する第２電子輸送層のそれぞれを第１有機層および第２有機層のそれぞれの上方に同時に形成する。

厚さの異なるブロック層を形成する場合にも、第１発光部３２および第２発光部３４を構成するブロック層以外の各層を同時に形成できる。上記のように、正孔輸送層またはブロック層の厚さのみを異ならせることで、例えば若干赤っぽい白を発光する第１発光部３２および若干青っぽい白を発光する第２発光部３４を容易に製造することができる。よって、製造コストを抑制できる。

第１発光部３２および第２発光部３４は、例えば、４４０ｎｍと５２０ｎｍとの間の第１の波長帯域、５２０ｎｍと６００ｎｍとの間の第２の波長帯域および６００ｎｍと６８０ｎｍとの間の第３の波長帯域を含む３つのそれぞれの波長帯域内の光を放射する。そして、若干赤っぽい白を発光する場合、第１発光部３２は、第３の波長帯域中の積分スペクトルパワーが第２の波長帯域の積分スペクトルパワーに比べて高く、第２の波長帯域中の積分スペクトルパワーが第１の波長帯域中の積分スペクトルパワーに比べて高い光を照射するように、正孔輸送層またはブロック層の厚さを調整する。また、若干青っぽい白を発光する場合、第２発光部３４は、第１の波長帯域中の積分スペクトルパワーが第２の波長帯域に比べて高く、第２の波長帯域中の積分スペクトルパワーが第３の波長帯域に比べて高い光を照射するように、正孔輸送層またはブロック層の厚さを調整する。

また、第１発光部３２は、第１スペクトルの光を照射し、第２発光部３４は、第１スペクトルとは異なる第２スペクトルの光を照射してもよい。第１発光部３２は、５２０ｎｍと６００ｎｍとの間の波長帯域または、および６００ｎｍと６８０ｎｍとの間の波長帯域を含む光を照射してもよい。第２発光部３４は、４４０ｎｍと５２０ｎｍとの間の波長帯域を含む光を発光してもよい。また、第１発光部３２は、赤色、黄色、または橙色で発光し、第２発光部３４は、青色で発光してもよい。これにより、第１発光部３２および第２発光部３４のそれぞれから照射された光を、発光デバイス１００から予め定められた距離以上離れた位置で観察する観察者に対して、予め定められた色温度の予め定められた色、例えば予め定められた色温度の白色として認識させることができる。

第２電極層４０は、発光層３０の上方に配置されている。第２電極層４０は、複数の第１発光部３２のそれぞれの上方に配置されている複数の第２電極４２を有する。複数の第２電極４２は、複数の第１発光部３２の陰極である。また、第２電極層４０は、複数の第２発光部３４のそれぞれの上方に配置されている複数の第３電極４４を有する。複数の第３電極４４は、複数の第２発光部３４の陰極である。さらに、第２電極層４０は、複数の第２電極４２を電気的に接続する第１基部電極４２ｄと、複数の第３電極４４を電気的に接続する第２基部電極４４ｄとを有する。

複数の第１発光部３２、複数の第２発光部３４、複数の第２電極４２、および複数の第３電極４４は、第１方向Ｘに帯状に延伸している。また、第２電極４２と第３電極４４とは、第２電極層４０の面方向において交互に配置されている。第１基部電極４２ｄは、第１方向Ｘにおける第２電極層４０の一端側で、複数の第２電極４２に接続されており、第１基部電極４２ｄと複数の第２電極４２とにより櫛形形状が形成される。第２基部電極４４ｄは、第１方向Ｘにおける第２電極層４０の他端側で、複数の第３電極４４に接続されており、第２基部電極４４ｄと複数の第３電極４４とにより櫛形形状が形成される。

第２電極層４０は、例えば、ＡｌまたはＡｇなどの導電性材料を用いて、蒸着法、スパッタ法などの方法により発光層３０上に形成される。基板１０側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ発光デバイスの場合、第２電極層４０は光透過性である必要はない。一方、トップエミッション型または両面取出し型の有機ＥＬ発行デバイスの場合、第２電極層４０は、光透過性導電材料により構成される。この場合、第２電極層４０は、第１電極層２０で用いられる材料と同一の材料により構成されてもよい。なお、本実施形態においては、第２電極層４０は、発光層３０上に配置されている。しかし、発光デバイス１００の製造工程において、吸湿によって発光層３０を構成する各層が劣化するのを抑制する観点から、発光層３０の最表面（第２電極層４０との界面）に第２電極層４０とは別に、バッファ層として導電性の他の層を形成してもよい。

さらに、発光デバイス１００は、発光層３０を貫通する第１貫通部３５を介して、第１取出電極２４と第２電極４２とを電気的に接続する第１電気接続部４２ａを備える。第１電気接続部４２ａは、第１取出電極２４と第１基部電極４２ｄとを電気的に接続する。これにより、第１取出電極２４と第２電極４２とが電気的に接続される。第２電極４２に対する駆動電圧は、第１取出電極２４を介して第２電極４２に印加される。加えて、発光デバイス１００は、発光層３０を貫通する第２貫通部３７を介して、第２取出電極２６と第３電極４４とを電気的に接続する第２電気接続部４４ａを備える。第２電気接続部４４ａは、第２取出電極２６と第２基部電極４４ｄとを電気的に接続する。これにより、第２取出電極２６と第３電極４４とが電気的に接続される。第３電極４４に対する駆動電圧は、第２取出電極２６を介して第３電極４４に印加される。第１電気接続部４２ａおよび第２電気接続部４４ａは、第２電極層４０と同一の導電性材料で構成されてよい。

さらに、発光デバイス１００は、発光層３０を貫通する第３貫通部３９を介して第１電極２２に電気的に接続する第３電気接続部４６ａを備える。そして、第２電極層４０は、第３電気接続部４６ａを介して第１電極２２に電気的に接続する第１補助電極４６をさらに有する。第１電極２２を例えばＩＴＯ薄膜で構成する場合、表面抵抗が比較的高いので、電圧が印加される位置からの距離に応じて第１電極２２の表面の電圧にばらつきが生じやすい。そこで、表面抵抗が比較的低い第２電極層４０の一部を第１電極２２のための補助電極として用いる。これにより、第１電極２２の表面の電圧のばらつきを抑制できる。

以上のように構成された発光デバイス１００において、発光デバイス１００が備える制御部が、第１電極２２の基板１０の周縁部から第１駆動電圧を印加し、第１取出電極２４から第２駆動電圧を印加し、かつ第２取出電極２６から第３駆動電圧を印加する。これにより、複数の第１発光部３２は、第１駆動電圧と第２駆動電圧との電位差に応じた輝度の光を放射する。また、複数の第２発光部３４は、第１駆動電圧と第３駆動電圧との電位差に応じた輝度の光を放射する。第２駆動電圧および第３駆動電圧の大きさを調整することで、複数の第１発光部３２および複数の第２発光部３４から放射される光の輝度を調整することができる。例えば、発光デバイス１００が、第１スペクトルの光を発光する複数の第１発光部３２および第１スペクトルの光とは異なる第２スペクトルの光を発光する複数の第２発光部３４から放射される光を受けた人に白色を認識させる場合、制御部が第２駆動電圧および第３駆動電圧の大きさを調整することで、放射される光の色温度の大きさを調整することができる。これにより、発光デバイス１００が照射する光を調色できる。

図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、および図３Ｅは、第１の実施形態に係る発光デバイス１００をレーザースクライブ法により製造する場合の製造方法の各工程の一例を示す。

まず、第１電極層形成工程において、ＩＴＯ薄膜が形成された基板１０の発光面側からレーザーを照射し、ＩＴＯ薄膜の一部を除去し、溝２８を形成する。これにより、電気的に絶縁された第１電極２２、第１取出電極２４、および第２取出電極２６を有する第１電極層２０を形成する（図３Ａ）。次いで、発光層形成工程において、第１電極２２の上方の異なる領域に複数の第１発光部３２および複数の第２発光部３４を有する発光層３０を、第１電極層２０の上方に形成する。第２電極４２および第３電極４４は、第２電極層４０の面方向において交互に配置されるように形成される。そして、第１電極層２０上に発光層３０を積層することにより、溝２８に発光層３０を構成する発光層材料が堆積される（図３Ｂ）。これにより、溝２８に堆積された発光層材料が絶縁壁として機能するので、第１電極２２、第１取出電極２４、および第２取出電極２６がそれぞれ電気的に短絡することを防止できる。

さらに、貫通部形成工程において、基板１０の発光面側からレーザーを照射し、基板１０の第１方向Ｘにおいて互いに対向するそれぞれの側面および第２方向Ｙにおける一方の側面に沿って発光層３０の一部を除去する。これにより、発光層３０に第１取出電極２４まで貫通する第１貫通部３５および第２取出電極２６まで貫通する第２貫通部３７を形成する。加えて、基板１０の発光面側からレーザーを照射し、第２方向Ｙの他方の側面に沿って発光層３０の一部を除去し、発光層３０に第１電極２２まで貫通する第３貫通部３９を形成する（図３Ｃ）。

次いで、第２電極層形成工程において、第１貫通部３５内、第２貫通部３７内、第３貫通部３９内および発光層３０上にＡｇなどの導電材料を蒸着法などにより堆積することで、第２電極層４０を形成する（図３Ｄ）。さらに、基板１０の発光面側からレーザーを照射し、発光層３０および第２電極層４０の一部を除去することにより、第１取出電極２４に電気的に接続し、かつ第１基部電極４２ｄとともに櫛形形状を成す第２電極４２を複数の第１発光部３２上に形成する。また、第２取出電極２６に電気的に接続し、かつ第２基部電極４４ｄとともに櫛形形状を成す第３電極４４を複数の第２発光部３４上に形成する。加えて、第１電極２２に電気的に接続する第１補助電極４６を形成する（図３Ｅ）。

以上のように、各層の一部をレーザーにより除去することで、電極などを形成することで、発光デバイス１００の製造工程を簡素化できる。よって、発光デバイス１００の製造コストを大幅に抑制できる。

図４は、第２の実施形態に係る発光デバイス１００の陰極側から見た図を示す。図５Ａは、図４に示すＡ−Ａ断面図を示す。図５Ｂは、図４に示すＢ−Ｂ断面図を示す。図５Ｃは、図４に示すＣ−Ｃ断面図を示す。図５Ｄは、図４に示すＤ−Ｄ断面を示す。図５Ｅは、図４に示すＥ−Ｅ断面図を示す。

第２の実施形態に係る発光デバイス１００は、第１電極層２０が、第１電極２２、第１取出電極２４、および第２取出電極２６の他に第３取出電極２７を有する点で第１の実施形態に係る発光デバイス１００とは異なる。また、第２の実施形態に係る発光デバイス１００は、第１発光部３２および第２発光部３４の他に、第１電極２２の上方の第１発光部３２および第２発光部３４とは異なる領域に第３発光部３６を有する点で、第１の実施形態に係る発光デバイス１００とは異なる。

第１電極２２、第１取出電極２４、第２取出電極２６、および第３取出電極２７は、基板１０の周縁部に隣接している。第１取出電極２４および第２取出電極２６は、第１方向Ｘにおいて対向する位置に配置されている。第３取出電極２７は、第１取出電極２４と第２取出電極２６との間の略中央部分に第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙに沿って配置されている。

発光層３０は、複数の第１発光部３２、複数の第２発光部３４、および複数の第３発光部３６を有する。第１発光部３２、第２発光部３４、および第３発光部３６は、それぞれ異なる色で発光してもよい。第１発光部３２、第２発光部３４、および第３発光部３６は、それぞれ異なるスペクトル波長の光を放射してもよい。第１発光部３２は、第１スペクトルの光を照射し、第２発光部３４は、第１スペクトルとは異なる第２スペクトルの光を照射し、第３発光部３６は、第１スペクトルおよび第２スペクトルを含む光を照射してもよい。第１発光部３２は、５２０ｎｍと６００ｎｍとの間の波長帯域または、および６００ｎｍと６８０ｎｍとの間の波長帯域を含む光を照射してもよい。第２発光部３４は、４４０ｎｍと５２０ｎｍとの間の波長帯域を含む光を照射してもよい。第３発光部３６は、４４０ｎｍと５２０ｎｍとの間の波長帯域、５２０ｎｍと６００ｎｍとの間の波長帯域、および６００ｎｍと６８０ｎｍとの間の波長帯域を含む光を照射してもよい。第１発光部３２は、赤色、黄色、または橙色で発光し、第２発光部３４は、青色で発光し、第３発光部３６は、白色で発光してもよい。これにより、発光デバイス１００は、第１発光部３２および第２発光部３４が放射するそれぞれの光を第３発光部３６が放射する光に混合することにより、色温度が微調整された白色の光を照射することができる。

第２電極層４０は、複数の第１発光部３２のそれぞれの上方に配置されている複数の第２電極４２、複数の第２発光部３４のそれぞれの上方に配置されている複数の第３電極４４、および複数の第３発光部３６のそれぞれの上方に配置されている複数の第４電極４８を有する。さらに、第２電極層４０は、複数の第２電極４２を電気的に接続する第１基部電極４２ｄと、複数の第３電極４４を電気的に接続する第２基部電極４４ｄと、複数の第４電極４８に電気的に接続される第３基部電極４８ｄとを有する。

複数の第３発光部３６および複数の第４電極４８の少なくとも一部は、複数の第１発光部３２および複数の第２電極４２、並びに複数の第２発光部３４および複数の第３電極４４より面積が広くてもよい。また、複数の第１発光部３２、複数の第２発光部３４、複数の第３発光部３６、複数の第２電極４２、複数の第３電極４４、および複数の第４電極４８は、第１方向Ｘに帯状に延伸している。複数の第２電極４２、複数の第３電極４４、および複数の第４電極４８は、第２電極層４０の面方向において、第２電極４２、第３電極４４、第４電極４８の順に配置されている。第１基部電極４２ｄは、第１方向Ｘにおける第２電極層４０の一端側で、複数の第２電極４２に接続されている。第２基部電極４４ｄは、第１方向Ｘにおける第２電極層４０の他端側で、複数の第３電極４４に接続されている。第３基部電極４８ｄは、第１方向Ｘと垂直な第２方向Ｙにおける第２電極層４０の一端部に配置されている。

発光デバイス１００は、発光層３０を貫通する第１貫通部３５を介して、第１取出電極２４と第２電極４２とを電気的に接続する第１電気接続部４２ａを備える。発光デバイス１００は、発光層３０を貫通する第２貫通部３７を介して、第２取出電極２６と第３電極４４とを電気的に接続する第２電気接続部４４ａを備える。さらに、発光デバイス１００は、第３発光部３６を貫通する第６貫通部３８を介して、第３取出電極２７と第４電極４８とを電気的に接続する第６電気接続部４８ａを備える。また、発光デバイス１００は、発光層３０を貫通する第３貫通部３９を介して第１電極２２に電気的に接続する第３電気接続部４６ａを備える。第２電極層４０は、第３電気接続部４６ａを介して第１電極２２に電気的に接続する第１補助電極４６をさらに有する。第１補助電極４６は、第１方向Ｘと垂直な第２方向Ｙにおける第２電極層４０の他端部に配置されている。

第１電気接続部４２ａは、第１取出電極２４と第１基部電極４２ｄとを電気的に接続する。第２電気接続部４４ａは、第２取出電極２６と第２基部電極４４ｄとを電気的に接続する。第６電気接続部４８ａは、第３取出電極２７と第３基部電極４８ｄとを電気的に接続する。

発光デバイス１００は、複数の第３発光部３６をそれぞれ貫通する複数の第７貫通部３３のそれぞれを介して、複数の第４電極４８のそれぞれと第３取出電極２７とを電気的に接続する複数の第７電気接続部４３ａをさらに備える。

以上のように構成された発光デバイス１００において、第１電極２２の基板１０の周縁部から第１駆動電圧を印加し、第１取出電極２４から第２駆動電圧を印加する。さらに、第２取出電極２６から第３駆動電圧を印加し、第３取出電極２７から第４駆動電圧を印加する。これにより、複数の第１発光部３２は、第１駆動電圧と第２駆動電圧との電位差に応じた輝度の光を放射する。また、複数の第２発光部３４は、第１駆動電圧と第３駆動電圧との電位差に応じた輝度の光を放射する。さらに、複数の第３発光部３６は、第１駆動電圧と第４駆動電圧との電位差に応じた輝度の光を放射する。例えば、第２駆動電圧および第３駆動電圧の大きさを調整することで、複数の第１発光部３２および複数の第２発光部３４から放射される光の輝度を調整することができる。これにより、発光デバイス１００が照射する複数の第１発光部３２、複数の第２発光部３４および複数の第３発光部３６からの光を受けた人に認識させる光の色温度の大きさを微調整できる。よって、発光デバイス１００は、例えば、第３発光部３６が放射する白色の光を赤っぽい白色または青っぽい白色に変化させて、変化後の光を照射できる。

図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄ、および図６Ｅは、第１の実施形態に係る発光デバイス１００をレーザースクライブ法により製造する場合の製造方法の各工程の一例を示す。

まず、第１電極層形成工程において、ＩＴＯ薄膜が形成された基板１０の発光面側からレーザーを照射し、ＩＴＯ薄膜の一部を除去し、溝２８を形成する。これにより、電気的に絶縁された第１電極２２、第１取出電極２４、第２取出電極２６、第３取出電極２７を有する第１電極層２０を形成する（図３Ａ）。第１取出電極２４は、第１方向Ｘにおける第１電極層２０の一端側に形成される。第２取出電極２６は、第１方向Ｘにおける第１電極層２０の他端側に形成される。第３取出電極２７は、第１取出電極２４と第２取出電極２６との間にＴ字形状に形成され、Ｔ字の横棒部分が第１方向Ｘに垂直な第２方向における第１電極層２０の一端側に形成される（図６Ａ）。

次いで、発光層形成工程において、第１電極２２の上方の異なる領域に複数の第１発光部３２、複数の第２発光部３４、および複数の第３発光部３６を有する発光層３０を、第１電極層２０の上方に形成する。複数の第１発光部３２、複数の第２発光部３４、および複数の第３発光部３６のそれぞれは、発光層３０の面方向において、第１発光部３２、第２発光部３４、および第３発光部３６の順に形成される。複数の第１発光部３２、複数の第２発光部３４、および複数の第３発光部３６は、第１方向に帯状に延伸するように形成される。発光層形成工程において、第１電極層２０上に発光層３０を積層することにより、溝２８に発光層３０を構成する発光層材料が堆積される（図６Ｂ）。これにより、溝２８に堆積された発光層材料が絶縁壁として機能するので、第１電極２２、第１取出電極２４、第２取出電極２６、および第３取出電極２７がそれぞれ電気的に短絡することを防止できる。

さらに、貫通部形成工程において、基板１０の発光面側からレーザーを照射し、発光層３０の一部を第１方向Ｘにおける基板１０のそれぞれの側面に沿って除去することにより、発光層３０に第１取出電極２４まで貫通する第１貫通部３５および第２取出電極２６まで貫通する第２貫通部３７を形成する。加えて、発光層３０の一部を第２方向Ｙにおける基板１０の一側面に沿って除去することにより、発光層３０に第１電極２２まで貫通する第３貫通部３９を形成する。また、発光層３０の一部を第２方向Ｙにおける基板１０の他側面に沿って除去することにより、発光層３０に第３取出電極２７まで貫通する第６貫通部３８を形成する。さらに、第２方向Ｙにおける基板１０の他側面の略中央部分から第２方向Ｙにおける基板１０の一側面に向かって、発光層３０の複数の第３発光部３６に対応する部分を除去することで、複数の第７貫通部３３を形成する（図６Ｃ）。

次いで、第２電極層形成工程において、第１貫通部３５内、第２貫通部３７内、第３貫通部３９内、第６貫通部３８内、複数の第７貫通部３３内および発光層３０上にＡｇなどの導電材料を蒸着法などにより堆積することで、第２電極層４０を形成する（図６Ｄ）。さらに、基板１０の発光面側からレーザーを照射し、発光層３０および第２電極層４０の一部を除去することにより、第１取出電極２４に電気的に接続し、かつ第１基部電極４２ｄとともに櫛形形状を成す第２電極４２を複数の第１発光部３２上に形成する。また、第２取出電極２６に電気的に接続し、かつ第２基部電極４４ｄとともに櫛形形状を成す第３電極４４を複数の第２発光部３４上に形成する。さらに、第３取出電極２７に電気的に接続する複数の第４電極４８を複数の第３発光部３６上に形成し、第３基部電極４８ｄを第３取出電極２７のＴ字の横棒部分の上方に形成する。加えて、第１電極２２に電気的に接続する第１補助電極４６を形成する（図３Ｅ）。

以上のように、各層の一部をレーザースクライブ法により除去することで、電極などを形成することで、発光デバイス１００の製造工程を簡素化できる。よって、発光デバイス１００の製造コストを大幅に抑制できる。

図７は、第３の実施形態に係る発光デバイス１００の陰極側から見た図を示す。図８Ａは、図７に示すＡ−Ａ断面図を示す。図８Ｂは、図７に示すＢ−Ｂ断面図を示す。図８Ｃは、図７に示すＣ−Ｃ断面図を示す。図８Ｄは、図７に示すＤ−Ｄ断面図を示す。図８Ｅは、図７に示すＥ−Ｅ断面図を示す。

第３の実施形態に係る発光デバイス１００は、第１電極２２が第１部分電極２２−１および第２部分電極２２−２を有し、第１取出電極２４および第２取出電極２６が第１部分電極２２−１と第２部分電極２２−２との間に配置されている点で、第１の実施形態に係る発光デバイス１００とは異なる。

発光層３０は、複数の第１発光部３２および複数の第２発光部３４を有する。第２電極層４０は、複数の第１発光部３２のそれぞれの上方に配置されている複数の第２電極４２と、複数の第２発光部３４のそれぞれの上方に配置されている複数の第３電極４４とを有する。

発光デバイス１００は、複数の第１発光部３２をそれぞれ貫通する複数の第１貫通部３５のそれぞれを介して、第１取出電極２４と複数の第２電極４２のそれぞれとを電気的に接続する複数の第１電気接続部４２ａを備える。さらに、発光デバイス１００は、複数の第２発光部３４をそれぞれ貫通する複数の第２貫通部３７のそれぞれを介して、第２取出電極２６と複数の第３電極４４のそれぞれとを電気的に接続する複数の第２電気接続部４４ａを備える。

複数の第１発光部３２、複数の第２発光部３４、複数の第２電極４２、および複数の第３電極４４は、第１方向Ｘに帯状に延伸している。また、第１発光部３２および第２電極４２と、第２発光部３４および第３電極４４とは、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙに交互に配置されている。そして、第１取出電極２４および第２取出電極２６は、第２方向Ｙに帯状に基板１０の第２方向Ｙにおける両端まで延伸している。

第２の実施形態に係る発光デバイス１００の構成によれば、４組以上の発光部にそれぞれ異なる陰極を設けることは困難である。一方、第３の実施形態に係る発光デバイス１００の構成によれば、第１部分電極２２−１と第２部分電極２２−２との間に発光部毎の取出電極を配置すればよいので、４組以上の発光部にそれぞれ異なる陰極を設けることができる。

図９は、第４の実施形態に係る発光デバイス１００の陰極側から見た図を示す。図１０Ａは、図９に示すＡ−Ａ断面図を示す。図１０Ｂは、図９に示すＢ−Ｂ断面図を示す。図１０Ｃは、図９に示すＣ−Ｃ断面図を示す。図１０Ｄは、図９に示すＤ−Ｄ断面図を示す。図１０Ｅは、図９に示すＥ−Ｅ断面図を示す。図１０Ｆは、図９に示すＦ−Ｆ断面図を示す。図１０Ｇは、図９に示すＧ−Ｇ断面図を示す。

第４の実施形態に係る発光デバイス１００は、第１取出電極２４および第２取出電極２６のそれぞれに対して第２補助電極６２および第３補助電極６４を備える点で、第３の実施形態に係る発光デバイス１００と異なる。

発光デバイス１００は、第２電極層４０上に配置されている絶縁層５０と、絶縁層５０上に配置されている第２補助電極６２および第３補助電極６４とを備える。第２補助電極６２および第３補助電極６４は、第２方向Ｙに帯状に延伸している。また、発光デバイス１００は、絶縁層５０、複数の第２電極４２のそれぞれ、および複数の第１発光部３２のそれぞれを貫通する複数の第４貫通部５５を介して、第２補助電極６２と第１取出電極２４とを電気的に接続する複数の第４電気接続部６２ａを備える。さらに、発光デバイス１００は、絶縁層５０、複数の第３電極４４のそれぞれ、および複数の第２発光部３４のそれぞれを貫通する複数の第５貫通部５７を介して、第３補助電極６４と第２取出電極２６とを電気的に接続する複数の第５電気接続部６４ａを備える。

第１取出電極２４および第２取出電極２６をそれぞれ例えばＩＴＯ薄膜で構成し、第１取出電極２４および第２取出電極２６のそれぞれの一端側から駆動電圧を印加する場合、ＩＴＯ薄膜の表面抵抗が比較的高いので、第１取出電極２４および第２取出電極２６のそれぞれの一端側と他端側とで、電位差が生じることがある。この場合、複数の第１発光部３２および複数の第２発光部３４のそれぞれが放射する光の輝度にばらつきが生じる。そこで、表面抵抗が比較的低い第２補助電極６２および第３補助電極６４を第１取出電極２４および第２取出電極２６に電気的に接続することで、第１取出電極２４および第２取出電極２６のそれぞれの一端側と他端側との間で生じる電位差を抑制できる。よって、複数の第１発光部３２および複数の第２発光部３４のそれぞれが放射する光の輝度にばらつきが生じることを抑制できる。

図１１Ａ、図１１Ｂ、図１１Ｃ、図１１Ｄ、および図１１Ｅは、第４の実施形態に係る発光デバイス１００をレーザースクライブ法により製造する場合の製造方法の各工程の一例を示す。

まず、第１電極層形成工程において、ＩＴＯ薄膜が形成された基板１０の発光面側からレーザーを照射し、ＩＴＯ薄膜の一部を除去し、第２方向Ｙに沿った複数の溝２８を基板１０の第１方向Ｘの略中央部分に形成する。これにより、第１部分電極２２−１および第２部分電極２２−２を有する第１電極２２と、第１部分電極２２−１と第２部分電極２２−２との間に第１取出電極２４および第２取出電極２６を形成する。これにより、電気的に絶縁された第１電極２２、第１取出電極２４、第２取出電極２６を有する第１電極層２０を形成する（図１１Ａ）。第１取出電極２４の両端および第２取出電極２６の両端は、基板１０の第２方向Ｙの両端に隣接している。

次いで、発光層形成工程において、第１電極２２の上方の異なる領域に、複数の第１発光部３２および複数の第２発光部３４を有する発光層３０を、第１電極層２０の上方に形成する。複数の第１発光部３２、および複数の第２発光部３４のそれぞれは、第１方向に帯状に延伸するように、発光層３０の面方向において、第１発光部３２および第２発光部３４が交互に形成される。発光層形成工程において、第１電極層２０上に発光層３０を積層することにより、溝２８に発光層３０を構成する発光層材料が堆積される。これにより、溝２８に堆積された発光層材料が絶縁壁と機能することで、第１電極２２、第１取出電極２４、第２取出電極２６、および第３取出電極２７がそれぞれ電気的に短絡することを防止できる。さらに、貫通部形成工程において、基板１０の発光面側からレーザーを照射し、発光層３０の一部を除去することにより、発光層３０の複数の第１発光部３２に第１取出電極２４まで貫通する複数の第１貫通部３５を形成する。さらに、発光層３０の複数の第２発光部３４に第２取出電極２６まで貫通する複数の第２貫通部３７を形成する。加えて、発光層３０に第１電極２２まで貫通する第３貫通部３９を基板１０の周縁部を囲繞するように、形成する（図１１Ｂ）。

次いで、第２電極層形成工程において、第１貫通部３５内、第２貫通部３７内、第３貫通部３９内および発光層３０上にＡｇなどの導電材料を蒸着法などにより堆積することで、第２電極層４０を形成する。さらに、基板１０の発光面側からレーザーを照射し、発光層３０および第２電極層４０の一部を除去することにより、溝４１を形成する。溝４１を形成することで、第１取出電極２４に電気的に接続する複数の第２電極４２を複数の第１発光部３２上に形成する。また、第２取出電極２６に電気的に接続する複数の第３電極４４を複数の第２発光部３４上に形成する（図１１Ｃ）。

続いて、絶縁層形成工程において、第２電極上および第３電極上に絶縁層５０を形成する。さらに、第２貫通部形成工において、基板１０の発光面側からレーザーを照射し、発光層３０、第２電極層４０、および絶縁層５０の一部を除去することにより、絶縁層５０および第１発光部３２に第１取出電極２４まで貫通する複数の第４貫通部５５を形成し、絶縁層５０および第２発光部３４に第２取出電極２６まで貫通する第５貫通部５７を形成する（図１１Ｄ）。

絶縁層５０は、有機化合物により構成してもよい。レーザー加工の観点から、用いられるレーザーの波長（例えば、５３２ｎｍまたは３５５ｎｍ）に合せて、可視光波長域に吸収を有する有機化合物であることが好ましい。絶縁層５０は、低分子有機化合物、高分子有機化合物などがあり、低分子有機化合物の場合は蒸着法、高分子有機化合物の場合は印刷等で形成できる。絶縁層５０の具体例としては、例えば、［トリス（８−ハイドロキシキノリナート）］アルミニウム(ＩＩＩ)（以下、Ａｌｑ₃と略す）、Ｐｅｒｙｌｅｎｅ、４，４'−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと略す）、４，４'-ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（以下、ＣＢＰと略す）、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）カルシウム（以下、Ｃａ（ＤＰＭ）₂と略す）、などが例示される。中でも絶縁抵抗の高さの観点から、Ａｌｑ₃、Ｐｅｒｙｌｅｎｅ、α−ＮＰＤ、ＣＢＰ、Ｃａ（ＤＰＭ）₂を少なくとも１つ含有することが好ましい。

次いで、補助電極形成工程において、絶縁層５０上に、第４貫通部５５を覆い、第４貫通部５５を介して第１取出電極２４と電気的に接続される第２補助電極６２と、第５貫通部を覆い、第５貫通部５７を介して第２取出電極２６と電気的に接続される第３補助電極６４とを形成する。第２補助電極６２および第３補助電極６４は、第２電極層４０と同一の導電性材料を用いてもよい。また、第２補助電極６２および第３補助電極６４はマスク蒸着により導電性材料を絶縁層５０上に堆積させることで形成してもよい。

以上のように、各層の一部をレーザーにより除去することで、電極などを形成することで、発光デバイス１００の製造工程を簡素化できる。よって、発光デバイス１００の製造コストを大幅に抑制できる。また、第２補助電極６２および第３補助電極６４を設けることで、第１取出電極２４および第２取出電極２６のそれぞれの一端側と他端側との間で生じる電位差を抑制できる。よって、複数の第１発光部３２および複数の第２発光部３４のそれぞれが放射する光の輝度にばらつきが生じることを抑制できる。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

１０ 基板
２０ 第１電極層
２２ 第１電極
２２−１ 第１部分電極
２２−２ 第２部分電極
２４ 第１取出電極
２６ 第２取出電極
２７ 第３取出電極
３０ 発光層
３２ 第１発光部
３３ 第７貫通部
３４ 第２発光部
３５ 第１貫通部
３７ 第２貫通部
３６ 第３発光部
４０ 第２電極層
４２ 第２電極
４２ａ 第１電気接続部
４２ｄ 第１基部電極
４３ａ 第１電気接続部
４４ 第３電極
４４ａ 第２電気接続部
４４ｄ 第２基部電極
４６ 第１補助電極
４６ａ 第３電気接続部
４８ 第４電極
４８ａ 第６電気接続部
４８ｄ 第３基部電極
５０ 絶縁層
５５ 第４貫通部
５７ 第５貫通部
６２ 第２補助電極
６２ａ 第４電気接続部
６４ 第３補助電極
６４ａ 第５電気接続部
１００ 発光デバイス

Claims (21)

1. 第１電極、第１取出電極、および第２取出電極を有する第１電極層と、
   前記第１電極の上方の異なる領域に配置されている第１発光部および第２発光部を有し、前記第１電極層の上方に配置されている発光層と、
   前記第１発光部の上方に配置されている第２電極および前記第２発光部の上方に配置されている第３電極を有し、前記発光層の上方に配置されている第２電極層と、
   前記発光層を貫通する第１貫通部を介して、前記第１取出電極と前記第２電極とを電気的に接続する第１電気接続部と、
   前記発光層を貫通する第２貫通部を介して、前記第２取出電極と前記第３電極とを電気的に接続する第２電気接続部と
   を備える発光デバイス。
2. 前記発光層を貫通する第３貫通部を介して前記第１電極に電気的に接続する第３電気接続部をさらに備え、
   前記第２電極層は、前記第３電気接続部を介して前記第１電極に電気的に接続する第１補助電極をさらに有する請求項１に記載の発光デバイス。
3. 前記第１電極層の下方に配置されている基板をさらに備え、
   前記第１電極、前記第１取出電極、および前記第２取出電極は、前記基板の周縁部に隣接している請求項１または請求項２に記載の発光デバイス。
4. 前記第１電極は、第１部分電極および第２部分電極を有し、
   前記第１発光部および前記第２発光部はそれぞれ、前記第１部分電極および前記第２部分電極の上方の異なる領域に配置され、
   前記第１取出電極および前記第２取出電極は、前記第１部分電極と前記第２部分電極との間に配置され、
   前記第１電気接続部は、前記第１発光部を貫通する前記第１貫通部を介して、前記第２電極と前記第１取出電極とを電気的に接続し、
   前記第２電気接続部は、前記第２発光部を貫通する前記第２貫通部を介して、前記第３電極と前記第２取出電極とを電気的に接続する請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の発光デバイス。
5. 前記発光層は、複数の前記第１発光部および複数の前記第２発光部を有し、
   前記第２電極層は、前記複数の第１発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の前記第２電極と、前記複数の第２発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の前記第３電極とを有し、
   当該発光デバイスは、
   前記複数の第１発光部をそれぞれ貫通する複数の前記第１貫通部のそれぞれを介して、前記第１取出電極と前記複数の第２電極のそれぞれとを電気的に接続する複数の第１電気接続部と、
   前記複数の第２発光部をそれぞれ貫通する複数の前記第２貫通部のそれぞれを介して、前記第２取出電極と前記複数の第３電極のそれぞれとを電気的に接続する複数の第２電気接続部と
   を備える請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の発光デバイス。
6. 前記第２電極層上に配置されている絶縁層と、
   前記絶縁層上に、配置されている第２補助電極および第３補助電極と、
   前記絶縁層、前記第２電極、および前記第１発光部を貫通する複数の第４貫通部を介して、前記第２補助電極と前記第１取出電極とを電気的に接続する第４電気接続部と、
   前記絶縁層、前記第３電極、および前記第２発光部を貫通する複数の第５貫通部を介して、前記第３補助電極と前記第２取出電極とを電気的に接続する第５電気接続部と
   をさらに備える請求項５に記載の発光デバイス。
7. 前記複数の第１発光部、前記複数の第２発光部、前記複数の第２電極、および前記複数の第３電極は、第１方向に帯状に延伸しており、
   前記第１発光部および前記第２電極と、前記第２発光部および前記第３電極とは、前記第１方向に垂直な第２方向に交互に配置されており、
   前記第１取出電極および前記第２取出電極は、前記第２方向に帯状に延伸しており、
   前記第２補助電極および前記第３補助電極は、前記第２方向に帯状に延伸している請求項６に記載の発光デバイス。
8. 前記発光層は、複数の前記第１発光部および複数の前記第２発光部を有し、
   前記第２電極層は、前記複数の第１発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の前記第２電極と、前記複数の第２発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の前記第３電極と、前記複数の第２電極を電気的に接続する第１基部電極と、前記複数の第３電極を電気的に接続する第２基部電極とを有し、
   前記第１電気接続部は、前記第１取出電極と前記第１基部電極とを電気的に接続し、
   前記第２電気接続部は、前記第２取出電極と前記第２基部電極とを電気的に接続する請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の発光デバイス。
9. 前記複数の第１発光部、前記複数の第２発光部、前記複数の第２電極、および前記複数の第３電極は、第１方向に帯状に延伸しており、
   前記第２電極と前記第３電極とは、前記第２電極層の面方向において交互に配置されており、
   前記第１基部電極は、前記第１方向における前記第２電極層の一端側で、前記複数の第２電極に接続されており、
   前記第２基部電極は、前記第１方向における前記第２電極層の他端側で、前記複数の第３電極に接続されている請求項８に記載の発光デバイス。
10. 前記第１電極層は、第３取出電極をさらに有し、
    前記発光層は、前記第１電極の上方の前記第１発光部および前記第２発光部とは異なる領域に第３発光部をさらに有し、
    前記第２電極層は、前記第３発光部の上方に第４電極をさらに有し、
    当該発光デバイスは、
    前記第３発光部を貫通する第６貫通部を介して、前記第３取出電極と前記第４電極とを電気的に接続する第６電気接続部をさらに備える請求項１または請求項２に記載の発光デバイス。
11. 前記第３発光部および前記第４電極は、前記第１発光部および前記第２電極、並びに前記第２発光部および前記第３電極より面積が広い請求項１０に記載の発光デバイス。
12. 前記第１電極層の下方に配置されている基板をさらに備え、
    前記第１電極、前記第１取出電極、前記第２取出電極、および前記第３取出電極は、前記基板の周縁部に隣接しており、
    前記第１取出電極および前記第２取出電極は対向する位置に配置されており、
    前記第３取出電極は、前記第１取出電極と前記第２取出電極との間に配置されている請求項１０または１１に記載の発光デバイス。
13. 前記発光層は、複数の前記第１発光部、複数の前記第２発光部、および複数の前記第３発光部を有し、
    前記第２電極層は、前記複数の第１発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の前記第２電極と、前記複数の第２発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の前記第３電極と、前記複数の第３発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の前記第４電極と、前記複数の第２電極を電気的に接続する第１基部電極と、前記複数の第３電極を電気的に接続する第２基部電極と、前記複数の第４電極に電気的に接続される第３基部電極とを有し、
    前記第１電気接続部は、前記第１取出電極と前記第１基部電極とを電気的に接続し、
    前記第２電気接続部は、前記第２取出電極と前記第２基部電極とを電気的に接続し、
    前記第６電気接続部は、前記第３取出電極と前記第３基部電極とを電気的に接続し、
    当該発光デバイスは、
    前記複数の第３発光部をそれぞれ貫通する複数の第７貫通部のそれぞれを介して、前記複数の第４電極のそれぞれと前記第３取出電極とを電気的に接続する複数の第７電気接続部をさらに備える請求項１２に記載の発光デバイス。
14. 前記複数の第１発光部、前記複数の第２発光部、前記複数の第３発光部、前記複数の第２電極、前記複数の第３電極、および前記複数の第４電極は、第１方向に帯状に延伸しており、
    前記複数の第２電極、前記複数の第３電極、および前記複数の第４電極は、前記第２電極層の面方向において、前記第２電極、前記第３電極、前記第４電極の順に配置されており、
    前記第１基部電極は、前記第１方向における前記第２電極層の一端側で、前記複数の第２電極に接続されており、
    前記第２基部電極は、前記第１方向における前記第２電極層の他端側で、前記複数の第３電極に接続されており、
    前記第３基部電極は、前記第１方向と略垂直な第２方向における前記第２電極層の端部に配置されている請求項１３に記載の発光デバイス。
15. 前記発光層は、複数の前記第１発光部および複数の前記第２発光部を有し、
    前記複数の第１発光部は、第１スペクトルの光を照射し、
    前記複数の第２発光部は、前記第１スペクトルとは異なる第２スペクトルの光を照射し、
    前記複数の第１発光部のそれぞれおよび前記複数の第２発光部のそれぞれは、交互に配置されている請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の発光デバイス。
16. 前記発光デバイスから予め定められた距離以上離れて観察する観察者に、前記複数の第１発光部および前記複数の第２発光部から照射された光を、予め定められた色の光として認識させる請求項１５に記載の発光デバイス。
17. 前記第２電極層は、前記複数の第１発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の前記第２電極と、前記複数の第２発光部のそれぞれの上方に配置されている複数の前記第３電極とを有し、
    前記発光デバイスは、
    前記複数の第２電極および前記複数の第３電極に印加される電流または電圧を制御する制御部をさらに備える請求項１５または請求項１６に記載の発光デバイス。
18. 第１電極、第１取出電極、および第２取出電極を有する第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、
    前記第１電極の上方の異なる領域に第１発光部および第２発光部を有する発光層を、前記第１電極層の上方に形成する発光層形成工程と、
    前記発光層に前記第１取出電極まで貫通する第１貫通部および前記第２取出電極まで貫通する第２貫通部を形成する貫通部形成工程と、
    前記第１貫通部内、前記第２貫通部内、および前記発光層上に導電材料を堆積させて、前記第１取出電極に電気的に接続する第２電極を前記第１発光部上に形成し、および第２取出電極に電気的に接続する第３電極を前記第２発光部上に形成する第２電極層形成工程と
    を含む発光デバイスの製造方法。
19. 前記貫通部形成工程は、前記発光層に前記第１電極まで貫通する第３貫通部を形成する工程を含み、
    前記第２電極層形成工程は、前記第３貫通部内に導電材料を堆積させて、前記第１電極に電気的に接続する第１補助電極を形成する工程を含む請求項１８に記載の発光デバイスの製造方法。
20. 前記第１電極層形成工程は、第１部分電極および第２部分電極を有する前記第１電極と、前記第１部分電極と前記第２部分電極との間に前記第１取出電極および前記第２取出電極を形成する工程を含み、
    前記発光層形成工程は、前記第１部分電極および前記第２部分電極のそれぞれの上方のの異なる領域に前記第１発光部および前記第２発光部を有する前記発光層を形成する工程を含み、
    前記貫通部形成工程は、前記第１発光部に前記第１取出電極まで貫通する前記第１貫通部を形成し、前記第２発光部に前記第２取出電極まで貫通する前記第２貫通部を形成する工程を含む請求項１８または請求項１９に記載の発光デバイスの製造方法。
21. 前記第２電極上および前記第３電極上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
    前記絶縁層および前記第１発光部に前記第１取出電極まで貫通する第４貫通部を形成し、前記絶縁層および前記第２発光部に前記第２取出電極まで貫通する第５貫通部を形成する第２貫通部形成工程と、
    前記絶縁層上に、前記第４貫通部を覆い、前記第４貫通部を介して前記第１取出電極と電気的に接続される第２補助電極と、前記第５貫通部を覆い、前記第５貫通部を介して前記第２取出電極と電気的に接続される第３補助電極とを形成する補助電極形成工程とをさらに含む請求項２０に記載の発光デバイスの製造方法。

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