JP5901390B2

JP5901390B2 - 発光装置及びそのキャリブレーション方法

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Publication number: JP5901390B2
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Description

本発明はバックライト装置及びそのキャリブレーション方法に関するものである。

カラー画像表示装置は、一般に、カラーフィルタを有するカラー液晶パネルと、カラー液晶パネルの背面に白色光を照射するバックライト装置とを有する。

バックライト装置の光源として、冷陰極管（ＣＣＦＬ：ＣｏｌｄＣａｔｈｏｄｅＦｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔＬａｍｐ）等の蛍光ランプが主に用いられていた。しかし近年、バックライト装置の光源として、消費電力、寿命、色再現性、環境負荷の面で優位な発光ダイオード（ＬＥＤ：ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）が用いられるようになってきている。

光源としてＬＥＤを用いたバックライト装置（ＬＥＤバックライト装置）は、一般に、多数のＬＥＤによって構成される。特許文献１は、ＬＥＤバックライト装置を、それぞれがひとつ以上のＬＥＤで構成される複数の発光ブロックに分割して構成すると共に、この発光ブロック毎に独立して輝度制御するようにしたものである。カラー液晶パネルの表示領域のうち、暗い画像を表示する領域に光を照射する発光ブロックの輝度を落とすことで消費電力が低減し、画像のコントラストが向上する。このような、表示画像の内容に応じた発光ブロック毎の輝度制御をローカルディミング制御と呼ぶ。

一方で、ローカルディミング制御により発光ブロック毎の輝度制御を行うと、ＬＥＤバックライト装置全体としての輝度むらが問題となる。要因のひとつは、発光ブロック毎の輝度制御によって、発光ブロック間に温度ばらつきが生じ、ＬＥＤの温度特性により輝度が変動することである。もうひとつの要因は、発光ブロック毎の輝度制御によって、発光ブロック間に経年劣化度合いのばらつきが生じ、輝度が変動することである。

このような発光ブロック間の温度および経年劣化度合いのばらつきによって生じる輝度むらを低減する手法として、各発光ブロックを順次点灯させた状態において輝度を光センサで検出し、補正する手法が知られている。

特許文献２は、互いに間隔ｄを置いて配置された複数の発光ブロックを同時に点灯させた状態において、複数の光センサを用いて、それぞれの発光ブロックの輝度を同時に検出することで、ＬＥＤバックライト装置のキャリブレーションに要する時間を短縮している。

特開２００１−１４２４０９号公報国際公開第２００８／０２９５４８号公報

しかしながら、上述した従来技術では、精度良くキャリブレーションを行えない場合があった。それは、複数の光センサの各々と同時に発光する複数の発光ブロックの各々との位置関係によっては、同時に発光する発光ブロックからの発光が各光センサに漏れ光として入射することに起因する検出誤差が大きくなる場合があるからである。
特に、発光ブロックの数に対して、光センサの数が少ない場合に、前記検出誤差が大きくなる場合があった。

そこで、本発明は、独立に発光を制御可能な複数の発光ブロックからなるバックライト装置において複数の発光ブロックを同時に発光させながらキャリブレーションを行う場合に、キャリブレーションの精度の低下を抑制する技術を提供することを目的とする。

本発明は、発光を独立に制御可能な複数の発光ブロックからなる複数の発光ブロック群と、
前記発光ブロック群ごとに設けられ、発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を検出するための検出手段と、
を有する発光装置であって、
前記複数の発光ブロックは、異なる複数の発光ブロック群から１個ずつ選択される発光ブロックを１組として、全ての発光ブロックがいずれかの組に含まれるように組分けされており、
同じ組に属する複数の発光ブロックを同時に発光させ、同時に発光させた発光ブロックの各々の発光特性を各発光ブロックが属する発光ブロック群に対応する検出手段により取得する制御を、順次全ての組について行う取得手段を備え、
前記組分けは、同じ組に属する複数の発光ブロックが同時に発光するときに各検出手段が受光する光量のうち、各検出手段に対応する発光ブロック群に属する発光ブロックからの発光による光量と、当該発光ブロックと同時に発光する他の発光ブロックからの発光による光量と、の比である検出値比率の、全ての組における最小値が、可能な組分けのうちでより大きくなるように、決定されていることを特徴とする発光装置である。

本発明は、発光を独立に制御可能な複数の発光ブロックからなる複数の発光ブロック群と、
前記発光ブロック群ごとに設けられ、発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を検出するための複数の検出手段からなる検出手段群と、
を有する発光装置であって、
前記複数の発光ブロックは、異なる複数の発光ブロック群から１個ずつ選択される発光ブロックを１組として、全ての発光ブロックがいずれかの組に含まれるように組分けされており、
同じ組に属する複数の発光ブロックを同時に発光させ、同時に発光させた発光ブロックの各々の発光特性を各発光ブロックが属する発光ブロック群に対応する検出手段群のうち当該発光ブロックに最も近接する検出手段により取得する制御を、順次全ての組について行う取得手段を備え、
前記組分けは、同じ組に属する複数の発光ブロックが同時に発光するときに各検出手段が受光する光量のうち、各検出手段に対応する発光ブロック群に属する発光ブロックからの発光による光量と、当該発光ブロックと同時に発光する他の発光ブロックからの発光による光量と、の比である検出値比率の、全ての組における最小値が、可能な組分けのうちでより大きくなるように、決定されていることを特徴とする発光装置である。

本発明は、発光を独立に制御可能な複数の発光ブロックからなる複数の発光ブロック群と、
前記発光ブロック群ごとに設けられ、発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を検出するための検出手段と、
を有する発光装置のキャリブレーション方法であって、
前記複数の発光ブロックは、異なる複数の発光ブロック群から１個ずつ選択される発光ブロックを１組として、全ての発光ブロックがいずれかの組に含まれるように組分けされており、
同じ組に属する複数の発光ブロックを同時に発光させ、同時に発光させた発光ブロックの各々の発光特性を各発光ブロックが属する発光ブロック群に対応する検出手段により取得する制御を、順次全ての組について行う取得工程と、
前記取得工程において取得される発光特性の検出値と目標値との比較結果に基づき各発光ブロックの発光量を補正するキャリブレーション工程と、
を有し、
前記組分けは、同じ組に属する複数の発光ブロックが同時に発光するときに各検出手段が受光する光量のうち、各検出手段に対応する発光ブロック群に属する発光ブロックからの発光による光量と、当該発光ブロックと同時に発光する他の発光ブロックからの発光による光量と、の比である検出値比率の、全ての組における最小値が、可能な組分けのうちでより大きくなるように、決定されていることを特徴とする発光装置のキャリブレーション方法である。

本発明は、発光を独立に制御可能な複数の発光ブロックからなる複数の発光ブロック群と、
前記発光ブロック群ごとに設けられ、発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を検出するための複数の検出手段からなる検出手段群と、
を有する発光装置のキャリブレーション方法であって、
前記複数の発光ブロックは、異なる複数の発光ブロック群から１個ずつ選択される発光ブロックを１組として、全ての発光ブロックがいずれかの組に含まれるように組分けされており、
同じ組に属する複数の発光ブロックを同時に発光させ、同時に発光させた発光ブロックの各々の発光特性を各発光ブロックが属する発光ブロック群に対応する検出手段群のうち当該発光ブロックに最も近接する検出手段により取得する制御を、順次全ての組について行う取得工程と、
前記取得工程において取得される発光特性の検出値と目標値との比較結果に基づき各発
光ブロックの発光量を補正するキャリブレーション工程と、
を有し、
前記組分けは、同じ組に属する複数の発光ブロックが同時に発光するときに各検出手段が受光する光量のうち、各検出手段に対応する発光ブロック群に属する発光ブロックからの発光による光量と、当該発光ブロックと同時に発光する他の発光ブロックからの発光による光量と、の比である検出値比率の、全ての組における最小値が、可能な組分けのうちでより大きくなるように、決定されていることを特徴とする発光装置のキャリブレーション方法である。

本発明によれば、独立に発光を制御可能な複数の発光ブロックからなるバックライト装置において複数の発光ブロックを同時に発光させながらキャリブレーションを行う場合に、キャリブレーションの精度の低下を抑制することができる。

本実施例のカラー画像表示装置の構成の一例を示す模式図ＬＥＤバックライト装置の構成図ＬＥＤバックライト装置における接続構成の一例を示すブロック図同時発光させる発光ブロックのペアの一例同時発光させる発光ブロックのペアごとの検出値比率Ｒ_Ｖの実測値の一例発光ブロック−光センサ間の間隔と光センサへの入射光量との関係検出値比率Ｒ_Ｖ、検出誤差と輝度むら最大値の関係を示す模式図実施例１の発光ブロックのペアの決定手順を示すフローチャートの一例実施例１のペアを決定する候補となる発光ブロック群の一例を示す図実施例１で決定される発光ブロックのペアの一例を示す図複数の列にまたがって決定された発光ブロックのペアの一例を示す図複数の列にまたがって決定された発光ブロックのペアの一例を示す図実施例２のＬＥＤバックライト装置の構成図実施例２の同時に点灯させる発光ブロックのペア及び検出順序の一例を図実施例２の発光ブロックのペアの決定手順を示すフローチャートの一例実施例２のペアを決定する候補となる発光ブロック群の一例を示す図実施例２で決定される発光ブロックのペアの一例を示す図

（実施例１）
以下、本発明の実施例１に係るバックライト装置について説明する。このバックライト装置は、発光を独立に制御可能な複数の発光ブロックからなり、複数の発光ブロックは、各々複数の発光ブロックからなる発光ブロック群によりグループ分けされている。
図１（Ａ）は、本発明を適用できるカラー画像表示装置の構成の一例を示す模式図である。カラー画像表示装置は、ＬＥＤバックライト装置１０１、拡散板１０２、集光シート１０３、反射型偏光フィルム１０４、カラー液晶パネル１０５を有する。

ＬＥＤバックライト装置１０１は、カラー液晶パネル１０５の背面に光（白色光）を照射するバックライト装置である。ＬＥＤバックライト装置１０１は点光源であるＬＥＤを複数有する。拡散板１０２は、上記複数のＬＥＤからの光を拡散させることにより、ＬＥＤバックライト装置１０１を面光源として機能させる。集光シート１０３は、拡散板１０２で拡散され、様々な入射角度で入射した白色光を、正面方向（カラー液晶パネル１０５側）に集光させることにより、正面輝度を向上させる。反射型偏光フィルム１０４は、入射した白色光を効率的に偏光させることにより、カラー液晶パネル１０５で表示される輝度を向上させる。カラー液晶パネル１０５は、照射された白色光の透過率をＲＧＢの画素毎に調節することでカラー画像を表示する。

図１（Ｂ）は、ＬＥＤバックライト装置１０１の構成の一例を示す模式図である。ＬＥＤバックライト装置１０１は複数のＬＥＤ基板１１０をマトリクス状に配置して構成される。

図１（Ｃ）はＬＥＤ基板１１０の構成の一例を示す模式図である。ＬＥＤ基板１１０は２×４の合計８つの発光ブロック１１１で構成される。各発光ブロック１１１には４つのＬＥＤチップ１１２が等間隔に配置される。各ＬＥＤチップ１１２間は電気的に直列接続され、発光ブロック１１１をひとつの制御単位として輝度調整可能とする。ＬＥＤチップ１１２としては、白色ＬＥＤの他に、ＲＧＢ等多色のＬＥＤを組み合わせて白色を発光させるように構成して用いてもよい。

ＬＥＤ基板１１０には、発光ブロック１１１の発光特性を検出するための光検出手段として光センサ１１３が実装される。光センサ１１３にはフォトダイオードやフォトトランジスタなど、光量（輝度）の変化を測定可能なセンサを用いる。また、光センサとしては、輝度および色度の少なくともいずれかを検出可能なセンサを用いても良い。発光ブロック１１１の発光が拡散板１０２や反射型偏光フィルム１０４で反射した後に光センサ１１３へ入射することで、それぞれの発光ブロック１１１の輝度変化が検出される。

本実施例の構成では、８つの発光ブロック１１１に対して、光センサの数は１つである。コストおよび回路規模を抑制するためには、このように光センサの数が少ない方が望ましい。

図２は、正面方向（カラー液晶パネル１０５側）から見た場合の、ＬＥＤバックライト装置１０１におけるＬＥＤ基板１１０、発光ブロック１１１、光センサ１１３の配置の一例を示す模式図である。ＬＥＤバックライト装置１０１の左上端に配置されるＬＥＤ基板１１０（１，１）の横方向には、ＬＥＤ基板１１０（１，２）が配置され、縦方向にはＬＥＤ基板１１０（２，１）およびＬＥＤ基板１１０（３，１）が順に配置される。以上のように、ＬＥＤバックライト装置１０１は、ＬＥＤ基板１１０を横方向に２つ、縦方向に３つ、合計６枚をマトリクス状に配置して構成される。

ＬＥＤ基板１１０（１，１）は、発光ブロック１１１（１，１，１）、発光ブロック１１１（１，１，２）、発光ブロック１１１（１，１，３）、発光ブロック１１１（１，１，４）、発光ブロック１１１（１，１，５）、発光ブロック１１１（１，１，６）、発光ブロック１１１（１，１，７）、発光ブロック１１１（１，１，８）および光センサ１１３（１，１）で構成される。他のＬＥＤ基板１１０も同様の構成である（図２参照）。

図３はＬＥＤバックライト装置１０１における接続構成の一例を示すブロック図である。合計６枚のＬＥＤ基板１１０の内部構成は同等であり、一例としてＬＥＤ基板１１０（１，１）について説明する。ＬＥＤ基板１１０（１，１）には発光ブロック１１１（１，１，１）ないし発光ブロック１１１（１，１，８）が設けられる。それぞれの発光ブロック１１１はＬＥＤドライバ１２０（１，１，１）ないしＬＥＤドライバ１２０（１，１，８）からのＰＷＭ制御により輝度調整される。ただし、輝度調整の方法は、電流量や電圧によるものであっても良い。それぞれの発光ブロック１１１からの発光１２１（１，１，１）ないし発光１２１（１，１，８）は、多くがカラー液晶パネル１０５（図３では非図示）へ入射する。しかし、一部は拡散板１０２（図３では非図示）や反射型偏光フィルム１０４（図３では非図示）で反射した後に光センサ１１３（１，１）に入射する。

発光ブロック１１１間の温度および経年劣化度合いのばらつきによって生じる輝度むらを低減する為に、定期的もしくは特定のタイミングで、光センサ１１３を用いて発光ブロック１１１の輝度を検出する。

光センサ１１３（１，１）での輝度検出は、発光ブロック１１１（１，１，１）ないし発光ブロック１１１（１，１，８）のいずれかひとつが点灯した状態において行う。これにより発光１２１（１，１，１）ないし発光１２１（１，１，８）のいずれかひとつからの発光１２１が光センサ１１３（１，１）に入射した状態で輝度検出が可能となる。ただし、同時に点灯している他のＬＥＤ基板１１０の発光ブロック１１１からの漏れ光（図３では非図示）も光センサ１１３（１，１）に入射する。本実施例では、それぞれ別のＬＥＤ基板１１０に属する複数の発光ブロック１１１を同時に点灯させた状態において、同じくそれぞれ別のＬＥＤ基板１１０に属する複数の光センサ１１３を用いて輝度を検出する。これにより、ＬＥＤバックライト装置１０１全体の検出および補正に要する時間を短縮する。

光センサ１１３（１，１）から出力される光センサ検出輝度のアナログ値１２２（１，１）は、Ａ／Ｄコンバータ１２３（１，１）でアナログ−デジタル変換され、光センサ検出輝度のデジタル値１２４（１，１）がマイコン１２５に入力される。

他のＬＥＤ基板１１０からの光センサ検出輝度のアナログ値１２２も同様に、Ａ／Ｄコンバータ１２３でアナログ−デジタル変換され、マイコン１２５には合計６チャンネルの光センサ検出輝度のデジタル値１２４が入力される。

マイコン１２５に接続された不揮発メモリ１２６には、カラー画像表示装置の製造検査
時などに決定した各発光ブロック１１１の輝度目標値が保持される。各発光ブロック１１１がそれぞれの輝度目標値と同等の輝度で発光することにより、ＬＥＤバックライト装置全体としての輝度むらが抑制される。

マイコン１２５では、光センサ検出輝度のデジタル値１２４から、漏れ光の影響による検出輝度分を減算した上で、各発光ブロック１１１の輝度が求められる。

マイコン１２５では、各発光ブロック１１１の輝度と、不揮発メモリ１２６に保持した各発光ブロック１１１の輝度目標値とを比較し、各発光ブロック１１１の輝度が輝度目標値と同等になるよう、ＬＥＤドライバ１２０を制御する。ＬＥＤドライバ１２０の制御はマイコン１２５からのＬＥＤドライバ制御信号１２７を介して行う。

本実施例では、マイコン１２５は、異なるＬＥＤ基板１１０から１個ずつ選択される計２個の発光ブロック１１１を１組として同時に発光させ、そのときの各発光ブロック１１１の属するＬＥＤ基板１１０に備わる光センサ１１３による輝度の検出値を取得する。各光センサ１１３は、各光センサ１１３が備わるＬＥＤ基板１１０に属する発光ブロック１１１を輝度の検出対象とするが、同時発光する他の発光ブロック１１１の発光が漏れ光として入射する。この漏れ光に起因して、各光センサ１１３による、検出対象の発光ブロック１１１の輝度の検出値には、誤差が含まれる。マイコン１２５は、各光センサ１１３による輝度の検出値に含まれる誤差を補正し、補正後の検出値と不揮発メモリ１２６に記憶された目標値との比較結果に基づき、各発光ブロック１１１の発光量（ＰＷＭ制御値など）を補正するキャリブレーションを行う。発光ブロック数が多くなるとキャリブレーションに要する時間が長くなる。しかし、このように複数の発光ブロックを同時に発光させて複数の発光ブロックのキャリブレーションを同時に実行することで、バックライト装置全体のキャリブレーションに要する時間を短縮することができる。本実施例では２つの発光ブロックを同時に発光させてキャリブレーションを行う例を説明するが、同時発光させる発光ブロック数はこれに限らない。また、同時発光する発光ブロック１１１からの漏れ光が光センサ１１３の検出値に及ぼす影響や誤差に関するデータについては、予め調べて不揮発メモリ１２６に記憶させておく。マイコン１２５は、このデータを参照することによって誤差の補正を行うことができる。或いは、同時発光する発光ブロック１１１と各光センサ１１３との位置関係と漏れ光が検出値に及ぼす影響との関係を演算により求める構成としても良い。

図４は、各発光ブロック１１１の検出順序および各検出順序において同時に点灯させる発光ブロック１１１の組分けの一例を示す対応表である。各発光ブロック１１１は検出順序２００に従って順次全ての組について輝度検出される。検出順序２００は１番目から２４番目までが決められ、各々の検出順序２００においては、２個の発光ブロック１１１を同時に発光させる。すなわち、第一の発光ブロック群である発光ブロックＡ群から選択される発光ブロックＡ２０１と、第二の発光ブロック群である発光ブロックＢ群から選択される発光ブロックＢ２０３である。また、それぞれの輝度検出を、第一の発光ブロック群に対応する第一の検出手段である発光ブロックＡ検出用光センサ２０２と、第二の発光ブロック群に対応する第二の検出手段である発光ブロックＢ検出用光センサ２０４と、を用いて行う。

ここでは、正面方向（カラー液晶パネル１０５側）から見てＬＥＤバックライト装置１０１の左側半分を発光ブロックＡ２０１として割り当て、右側半分を発光ブロックＢ２０３として割り当てている。

例えば、検出順序２００の１番目においては、発光ブロックＡ２０１として発光ブロック１１１（１，１，１）を、発光ブロックＢ２０３として発光ブロック１１１（１，２，
４）の合計２つの発光ブロック１１１を同時に点灯させる。また、それぞれ発光ブロックＡ検出用光センサ２０２として光センサ１１３（１，１）を、発光ブロックＢ検出用光センサ２０４として光センサ１１３（１，２）を用いて輝度検出を行う。

各検出順序２００において同時に点灯させる発光ブロックＡ２０１および発光ブロックＢ２０３の組み合わせは、各発光ブロック１１１の検出値比率Ｒ_Ｖのバックライト装置全体における最小値がより大きくなるように決定する。このような組み合わせの決定手順については詳細を後述する。また、検出値比率Ｒ_Ｖの定義と、各発光ブロック１１１の検出値比率Ｒ_Ｖのバックライト装置全体における最小値がより大きくなるような組み合わせを用いる理由についても詳細を後述する。図４に示す同時発光させる発光ブロックのペア及び検出順序の情報は、予め定められて不揮発メモリ１２６に記憶させておく。マイコン１２５は、キャリブレーションの実行時に、図４のテーブルデータを参照することにより、同時発光させる発光ブロックの組み合わせ及び検出順序の情報を取得する。そして、取得した検出順序に従って、取得した組み合わせの２つの発光ブロックを同時に発光させるようＬＥＤドライバ１２０を制御する。そして、その時の光センサ１１３による検出値を取得して目標値と比較することによりバックライト装置のキャリブレーションを実行する。

図５は、図４の対応表で示した各検出順序２００の各発光ブロック１１１における検出値比率Ｒ_Ｖの実測値の一例を示す対応表である。各検出順序２００の発光ブロックＡ２０１および発光ブロックＢ２０３のそれぞれについて、発光ブロックＡ検出値比率Ｒ_Ｖ２０５および発光ブロックＢ検出値比率Ｒ_Ｖ２０６が実測によって求められている。図５の対応表から、本実施例における各発光ブロック１１１の検出値比率Ｒ_Ｖのバックライト装置全体における最小値は２．１であることが分かる。

以下、検出値比率Ｒ_Ｖの定義について説明する。
図６は、あるひとつの発光ブロック１１１を単独で点灯させた際の、発光ブロック−光センサ間の間隔（ｘ）に対する光センサへの入射光量（ｙ）をプロットしたグラフである。発光ブロック１１１の発光は、直上にある拡散板１０２や反射型偏光フィルム１０４で反射した後に光センサ１１３へ入射する。そのため、発光ブロック−光センサ間の間隔（ｘ）が小さくなるにつれて、光センサへの入射光量（ｙ）が反比例して大きくなるようなカーブ（ｙ＝ｆ_ｖ（ｘ））を描く。つまり、発光ブロック１１１と光センサ１１３が近いほど、光センサ１１３への入射光量は多くなる。

検出値比率Ｒ_Ｖは、あるひとつの光センサ１１３の受光する光量の検出値において、検出対象となる発光ブロック１１１からの発光１２１による光量の検出値と、同時に点灯している他の発光ブロック１１１からの漏れ光による光量の検出値と、の比である（式１）。

式１の分子、分母ともに、図６に示したように発光ブロック１１１と光センサ１１３間の間隔に反比例する。従って、あるひとつの光センサ１１３において、検出値比率Ｒ_Ｖは、検出対象となる発光ブロック１１１と光センサ１１３間の間隔を、同時に点灯している他の発光ブロック１１１と光センサ１１３間の間隔で除したものにも反比例するとも言える（式２）。

以上のことから、検出値比率Ｒ_Ｖを大きくする為には、検出対象となる発光ブロック１１１と光センサ１１３間の間隔を小さくし、同時に点灯している他の発光ブロック１１１と光センサ１１３間の間隔を大きくすれば良いことが分かる。

次に、各発光ブロック１１１の検出値比率Ｒ_Ｖのバックライト装置全体における最小値がより大きくなるような組み合わせを用いる理由について説明する。

図７（Ａ）は、検出値比率Ｒ_Ｖが大きい場合の光センサ検出輝度の成分の一例を示す模式図である。光センサ検出輝度３０２ａの成分は、多くが検出対象となる発光ブロック１１１からの発光による検出輝度３００ａであり、同時に点灯している他の発光ブロック１１１からの漏れ光による検出輝度３０１ａは小さい。

図７（Ｂ）は、検出値比率Ｒ_Ｖが小さい場合の光センサ検出輝度の成分の一例を示す模式図である。光センサ検出輝度３０２ｂの成分は、検出対象となる発光ブロック１１１からの発光による検出輝度３００ｂと、同時に点灯している他の発光ブロック１１１からの漏れ光による検出輝度３０１ｂとで二分されている。

図７（Ａ）における光センサ検出輝度３０２ａと、図７（Ｂ）における光センサ検出輝度３０２ｂは、いずれもＡ／Ｄコンバータ１２３でアナログ−デジタル変換後のデジタル値が同等となるようにゲイン調整される。従って、図７（Ｂ）のように検出値比率Ｒ_Ｖが小さい場合は、検出対象となる発光ブロック１１１からの発光による検出輝度３００ｂのアナログ−デジタル変換後のデジタル値も小さいことになる。つまり、検出値比率Ｒ_Ｖが小さい場合は量子誤差等による検出誤差が大きくなる。

図７（Ｃ）は、バックライト装置全体の各発光ブロック１１１の検出誤差と、バックライト装置の輝度むら最大値の関係を示す模式図である。先ほど説明したように、各発光ブロック１１１の検出値比率Ｒ_Ｖに応じて、各発光ブロックの検出誤差４００が決定する。バックライト装置の輝度むら最大値４０１は、各発光ブロックの検出誤差４００のバックライト装置全体における最大値で決まる。従って、バックライト装置全体における検出値比率Ｒ_Ｖの最小値がより大きくなるような組み合わせを用いることで、バックライト装置の輝度むら最大値４０１を抑制出来ることが分かる。

次に、各発光ブロック１１１の検出値比率Ｒ_Ｖのバックライト装置全体における最小値がより大きくなるような組み合わせの決定手順について説明する。

図８は、組み合わせ（ペア）の決定手順を示すフローチャートの一例である。このフローチャートで表される処理は、例えばバックライト装置の製造時に、バックライト装置とは別個のコンピュータにより実行され、実行結果として得られた図４に示すようなテーブルデータがバックライト装置の不揮発メモリ１２６に書き込まれる。これにより、マイコン１２５はこのテーブルデータに従った検出順序及び発光ブロック１１１の組み合わせでバックライト装置のキャリブレーションを実行することができる。或いは、このフローチャートで表される処理をマイコン１２５に実行させるプログラムを不揮発メモリ１２６に記憶させておき、マイコン１２５がそのプログラムを実行することによってマイコン１２５が図４に示すようなテーブルデータを生成する構成としてもよい。或いは、このフロー
チャートで表されるプログラムが有線又は無線の通信手段やメモリカードやＣＤ−ＲＯＭなどの記録媒体を介してバックライト装置又は液晶表示装置に提供され、そのプログラムをマイコン１２５が実行する構成としても良い。或いは、このフローチャートで表されるプログラムがインストールされ、有線又は無線の通信手段で液晶表示装置に接続されたコンピュータが、通信手段を介してバックライト装置の発光ブロック１１１の構成情報などを取得する。そして、取得した構成情報に基づいてこのフローチャートの処理を行うことで図４に示すようなテーブルデータを生成するようにしても良い。この場合、コンピュータは、生成したテーブルデータに基づいて液晶表示装置のバックライト装置を外部から制御する機能を有していても良いし、生成したテーブルデータをマイコン１２５が参照できるように液晶表示装置に送信するようにしても良い。その他、このフローチャートで表される決定手順の実行主体に関わらず、図４に示すテーブルデータを用いてキャリブレーションを行うバックライト装置及びそのキャリブレーション方法は本発明の範囲に含まれる。まず、ステップＳ１０１では、発光ブロックＡ２０１群と発光ブロックＢ２０３群から、ペアを決定する際の候補となる発光ブロック１１１群を選択する。

図９は、ステップＳ１０１で選択された発光ブロック１１１群の一例を示す模式図である。本実施例では、ＬＥＤバックライト装置１０１を正面方向（カラー液晶パネル１０５側）から見て左側半分にある発光ブロック群を発光ブロックＡ２０１群として割り当て、右側半分にある発光ブロック群を発光ブロックＢ２０３群として割り当てている。これらの中から、ペアを決定する際の候補となる発光ブロック１１１群として、上端から１列目の発光ブロック１１１を選択する。具体的には、発光ブロックＡ２０１群から、発光ブロック１１１（１，１，１）ないし発光ブロック１１１（１，１，４）の４つ、発光ブロックＢ２０３群から、発光ブロック１１１（１，２，１）ないし発光ブロック１１１（１，２，４）の４つを選択する。ここで、ひとつの列の発光ブロック１１１群を候補として選択した理由を説明する。すなわち、バックライト装置のＰＷＭによる点灯制御において、同じ列の発光ブロック１１１がタイミングを同期して点灯するよう制御されるよう構成されていることがある。この場合、輝度検出の際に複数の発光ブロック１１１を同時に点灯させる制御を行いやすい為である。ただし、ペアを決定する際の候補となる発光ブロック群をどのように選択するかは上記の例に制限されるものではない。後述するように、発光ブロックＡ２０１群から選択する４個の発光ブロック１１１と、発光ブロックＢ２０３群から選択する４個の発光ブロック１１１と、が異なる列に属するような選択のしかたも許容される。

次に、図８のステップＳ１０２では、ステップＳ１０１で選択された発光ブロック１１１群のうちペア未決定の発光ブロック１１１群において、
（１）発光ブロックＡ２０１群のうち発光ブロックＢ２０３群検出用の光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１と、
（２）発光ブロックＢ２０３群のうち発光ブロックＢ２０３群検出用の光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１と、
をペアと決定する。

図１０（Ａ）は、ステップＳ１０２でペアと決定された発光ブロック１１１の一例を示す模式図である。「発光ブロックＡ２０１群のうち発光ブロックＢ２０３群検出用の光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１」として発光ブロック１１１（１，１，４）が選ばれている。また、「発光ブロックＢ２０３群のうち発光ブロックＢ２０３群検出用の光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１」として発光ブロック１１１（１，２，３）が選ばれている。後者としては、発光ブロック１１１（１，２，２）を選択しても良い。

図１０（Ｂ）は、ステップＳ１０２でペアと決定された発光ブロック１１１（１，１，
４）と１１１（１，２，３）を同時に点灯させた際の発光状態を示す模式図である。発光ブロック１１１（１，１，４）と、これを検出する為の光センサ１１３（１，１）の間は２ブロック分離れているので、発光ブロック１１１（１，１，４）からの発光１３０（１，１，４）による光センサ１１３（１，１）への入射光量はそれ程大きくない。しかし、同時に点灯する発光ブロック１１１（１，２，３）と光センサ１１３（１，１）の間は５ブロック分離れているので、発光ブロック１１１（１，２，３）からの漏れ光１３１（１，２，３）による光センサ１１３（１，１）への入射光量は十分に小さい。従って、発光ブロック１１１（１，１，４）の検出値比率Ｒ_Ｖは十分大きな値が得られる。先の図５で示したように、実測値では検出値比率Ｒ_Ｖが６．６である。ここで、本実施例の組み合わせ決定手順に従わず、例えば発光ブロック１１１（１，１，４）と発光ブロック１１１（１，２，１）をペアと決定してしまうようなことがあると、検出値比率Ｒ_Ｖが著しく小さくなってしまう。

一方で、発光ブロック１１１（１，１，４）と光センサ１１３（１，２）の間は３ブロック分しか離れておらず、発光ブロック１１１（１，１，４）からの漏れ光１３１（１，１，４）による光センサ１１３（１，２）への入射光量は比較的大きい。しかし、発光ブロック１１１（１，２，３）と、これを検出する為の光センサ１１３（１，２）の間も１ブロック分しか離れておらず、発光ブロック１１１（１，２，３）からの発光１３０（１，２，３）による光センサ１１３（１，２）への入射光量も十分に大きい。従って、発光ブロック１１１（１，２，３）の検出値比率Ｒ_Ｖも小さくない値が得られる。先の図５で示したように、実測値では検出値比率Ｒ_Ｖが２．１である。ここで、本実施例の組み合わせ決定手順に従わず、例えば発光ブロック１１１（１，１，４）と発光ブロック１１１（１，２，４）をペアに選択してしまうようなことがあると、検出値比率Ｒ_Ｖが著しく小さくなってしまう。

図８に戻って、ステップＳ１０３では、ステップＳ１０１で選択された発光ブロック１１１群のうちペア未決定の発光ブロック１１１群において、
（１）発光ブロックＢ２０３群のうち発光ブロックＡ２０１群検出用の光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１と、
（２）発光ブロックＡ２０１群のうち発光ブロックＡ２０１群検出用の光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１と、
をペアと決定する。

図１０（Ｃ）は、ステップＳ１０３でペアと決定された発光ブロック１１１の一例を示す模式図である。「発光ブロックＢ２０３群のうち発光ブロックＡ２０１群検出用の光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１」として発光ブロック１１１（１，２，１）が選ばれている。また、「発光ブロックＡ２０１群のうち発光ブロックＡ２０１群検出用の光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１」として発光ブロック１１１（１，１，２）が選ばれている。後者としては、発光ブロック１１１（１，１，３）を選択しても良い。

次に、図８のステップＳ１０４では、候補となる全ての発光ブロック１１１のペアが決定したか否かを判断する。候補となる全ての発光ブロック１１１のペアが決定していた場合は本フローチャートの手順は全て完了となるが、決定していない場合は再びステップＳ１０２に戻る。

図１０（Ｄ）は、２巡目のステップＳ１０２でペアと決定された発光ブロック１１１の一例を示す模式図である。「発光ブロックＡ２０１群のうち発光ブロックＢ２０３群検出用の光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１」として発光ブロック１１１（１，１，３）が選ばれている。また、「発光ブロックＢ２０３群のうち発光ブロックＢ２０
３群検出用の光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１」として発光ブロック１１１（１，２，２）が選ばれている。

図１０（Ｅ）は、２巡目のステップＳ１０３でペアと決定された発光ブロック１１１の一例を示す模式図である。ここでは、発光ブロックＡ２０１群と発光ブロックＢ２０３群ともに、ペア未決定の発光ブロック１１１がそれぞれ一つずつしか無い為、発光ブロック１１１（１，１，１）と発光ブロック１１１（１，２，４）の組み合わせの他にはペアとなる組み合わせはない。

以上、図８に示した組み合わせ決定手順により、図４の対応表における検出順序２００の１番目から４番目までが決定されたことになる。５番目から２４番目までに関しては、図８のステップＳ１０１において、ペアを決定する際の候補となる発光ブロック１１１群として上端から２列目以降の列の発光ブロック１１１を選択することで決定可能である。

ここで、図８のステップＳ１０１において、ペアを決定する際の候補となる発光ブロック１１１群としてひとつの列の発光ブロック１１１群を選択する例を説明した。しかし、上記のペア決定方法に従って、複数の列にまたがった発光ブロック１１１群の中からペアを決定することも可能である。

図１１は、複数の列にまたがった発光ブロック１１１群の中から決定されたペアの一例を示す模式図である。図１１の例は、発光ブロックＡ２０１群として発光ブロック１１１（１，１，１）ないし発光ブロック１１１（１，１，４）、発光ブロックＢ２０３群として発光ブロック１１１（２，２，１）ないし発光ブロック１１１（２，２，４）を候補として選択する。図１１の例は、図８のフローチャートに従ってペアを決定した場合に、１巡目のステップＳ１０２でペアとして決定される発光ブロック１１１の組み合わせの一例である。発光ブロックＡ２０１として発光ブロック１１１（１，１，４）、発光ブロックＢ２０３として発光ブロック１１１（２，２，３）を選択している。このように、ＬＥＤ基板１１０（１，１）の１列目の４個の発光ブロックと、ＬＥＤ基板１１０（２，２）の１列目の４個の発光ブロックと、をペア決定の候補とした場合も、図８のフローチャートに従ってペアを決定することができる。なお、図１１に示すペアは、結果的に、図４の対応表における検出順序２００の４番目では発光ブロック１１１（１，１，４）とペアとしていた発光ブロック１１１（１，２，３）を２列離れた発光ブロック１１１（２，２，３）に置き換えたものと等しい。同様に、図４の対応表における発光ブロックＢ２０３の発光ブロック１１１を、それぞれ２列離れた発光ブロック１１１に置き換える。これにより、ＬＥＤ基板１１０（１，１）の１列目の４個の発光ブロックと、ＬＥＤ基板１１０（２，２）の１列目の４個の発光ブロックと、をペア決定の候補とした場合に決定されるペアを得ることが可能となる。

図１２は、複数の列にまたがった発光ブロック１１１群の中から決定されたペア配置の一例を示す模式図である。図中の数字が検出順序２００に対応する値であり、同じ値の発光ブロック１１１同士がペアとなる。図１１に例示した発光ブロック１１１（１，１，４）と発光ブロック１１１（２，２，３）のペアは、発光ブロックＡ２０１群と発光ブロックＢ２０３群とで２列離れた場合の例であった。一方、例えば図１２に示す検出順序１７〜２０のペアは、発光ブロックＡ２０１群と発光ブロックＢ２０３群とで４列離れている。このように、ペアを決定する際の候補となる発光ブロック１１１群が、発光ブロックＡ２０１群と発光ブロックＢ２０３群とで複数列離れている場合も、図８のフローチャートに従ってペアを決定することができる。

以上により、本実施例を適用することで、複数の発光ブロック１１１を同時に点灯させた状態において、複数の光センサ１１３を用いて、それぞれの発光ブロック１１１の輝度
を同時に検出される。そして、その際に、各光センサ１１３にその光センサ１１３による検出対象の発光ブロック１１１以外の発光ブロック１１１の発光が漏れ光として入射することで検出誤差が生じる。しかし、この検出誤差を可及的に小さくすることができるような組み合わせで複数の発光ブロック１１１を同時に発光させてキャリブレーションを行うことができる。本実施例で説明した方法で決定された組み合わせで同時に複数の発光ブロックを発光させて、各発光ブロックに対応する複数の光センサにより同時に輝度を検出した検出結果に基づくキャリブレーションを行えば、精度良くキャリブレーションを行うことができる。よって、本実施例によれば、輝度むらを効果的に抑制することが可能になる。

ところで、本実施例の図８に示した組み合わせ決定手順を用いるのではなく、全てを実測による検出値比率Ｒ_Ｖから組み合わせを決定する方法も考えられる。しかしながら、全ての組み合わせ例を網羅した実測を行う必要があり、効率的ではなく、本実施例の組み合わせ決定手順を用いることの優位性は高い。

（実施例２）
本実施例では、実施例１とは発光ブロックの数に対する光センサの数が異なる場合であっても、本発明を適用できることを説明する。なお、各図面や手順において、実施例１と同じ部材には同じ符号を付し、その説明は割愛する。以下、本発明の実施例２に係るバックライト装置について説明する。

図１３は、正面方向（カラー液晶パネル１０５側）から見た場合の、ＬＥＤバックライト装置１０１におけるＬＥＤ基板１１０、発光ブロック１１１、光センサ１１３の配置の一例を示す模式図である。ＬＥＤバックライト装置１０１の左上端に配置されるＬＥＤ基板１１０（１，１）の横方向には、ＬＥＤ基板１１０（１，２）、ＬＥＤ基板１１０（１，３）およびＬＥＤ基板１１０（１，４）が順に配置されている。また、縦方向にはＬＥＤ基板１１０（２，１）およびＬＥＤ基板１１０（３，１）が順に配置される。以上のように、ＬＥＤバックライト装置１０１は、ＬＥＤ基板１１０を横方向に４つ、縦方向に３つ、合計１２枚をマトリクス状に配置して構成される。

ＬＥＤ基板１１０（１，１）は、発光ブロック１１１（１，１，１）、発光ブロック１１１（１，１，２）、発光ブロック１１１（１，１，３）、発光ブロック１１１（１，１，４）および光センサ１１３（１，１）で構成される。他のＬＥＤ基板１１０も同様の構成である（図１３参照）。

図１４は、各発光ブロック１１１の検出順序および各検出順序において同時に点灯させる発光ブロック１１１の組み合わせの一例を示す対応表である。各発光ブロック１１１は検出順序５００に従って輝度検出される。検出順序５００は１番目から２４番目までが決められ、各々の検出順序５００においては、発光ブロックＡ５０１と発光ブロックＢ５０３の合計２つの発光ブロック１１１を同時に点灯させる。また、それぞれを発光ブロックＡ検出用光センサ５０２と発光ブロックＢ検出用光センサ５０４を用いて輝度検出を行う。すなわち、発光ブロックＡ検出用光センサ５０２は、発光ブロックＡ５０１の発光ブロック１１１を検出対象とし、発光ブロックＢ検出用光センサ５０４は、発光ブロックＢ５０３の発光ブロック１１１を検出対象とする。発光ブロック１１１の属するＬＥＤ基板１１０に備わる光センサ１１３が、その発光ブロック１１１を検出対象とする光センサ１１３である。すなわち、発光ブロック１１１（Ｌ，Ｍ，Ｋ）を検出対象とするのは光センサ１１３（Ｌ，Ｍ）である（Ｌ＝１〜３，Ｍ＝１〜４，Ｋ＝１〜４）。ただし、各光センサ１１３には、検出対象として想定している発光ブロック１１１以外の発光ブロック１１１からの発光が漏れ光として入射するため、検出誤差が発生する。この事情は実施例１と同様である。この検出誤差を小さくするための、同時発光させる発光ブロック１１１のペア
の決定方法を、以下で説明する。

ここでは、正面方向（カラー液晶パネル１０５側）から見てＬＥＤバックライト装置１０１の左側半分に配置される発光ブロック群を第一の発光ブロック群である発光ブロックＡ５０１群として割り当てる。また、ＬＥＤバックライト装置１０１の右側半分に配置される発光ブロック群を第二の発光ブロック群である発光ブロックＢ５０３群として割り当てている。

例えば、検出順序５００の１番目においては、発光ブロックＡ５０１として発光ブロック１１１（１，１，１）と、発光ブロックＢ５０３として発光ブロック１１１（１，３，２）と、の合計２つの発光ブロック１１１を同時に点灯させる。また、それぞれ発光ブロックＡ検出用光センサ５０２として光センサ１１３（１，１）を、発光ブロックＢ検出用光センサ５０４として光センサ１１３（１，３）を用いて輝度検出を行う。

各検出順序５００において同時に点灯させる発光ブロックＡ５０１および発光ブロックＢ５０３の組み合わせは、各発光ブロック１１１の検出値比率Ｒ_Ｖのバックライト装置全体における最小値がより大きくなるように決定する。このような組み合わせの決定手順については以降で説明する。

図１５は、組み合わせ（ペア）の決定手順を示すフローチャートの一例である。まず、ステップＳ５０１では、発光ブロックＡ５０１群と発光ブロックＢ５０３群から、ペアを決定する際の候補となる発光ブロック１１１群を選択する。

図１６は、ステップＳ５０１で選択された発光ブロック１１１群の一例を示す模式図である。先に説明したように、ＬＥＤバックライト装置１０１を正面方向（カラー液晶パネル１０５側）から見て左側半分を発光ブロックＡ５０１として割り当て、右側半分を発光ブロックＢ５０３として割り当てている。これらの中から、ペアを決定する際の候補となる発光ブロック１１１群として、上端から１列目の発光ブロック１１１を選択する。具体的には、発光ブロックＡ５０１群から、発光ブロック１１１（１，１，１）、発光ブロック１１１（１，１，２）、発光ブロック１１１（１，２，１）および発光ブロック１１１（１，２，２）の４つを選択する。また、発光ブロックＢ５０３群から、発光ブロック１１１（１，３，１）、発光ブロック１１１（１，３，２）、発光ブロック１１１（１，４，１）および発光ブロック１１１（１，４，２）の４つを選択する。ここでは、第一の発光ブロック群である発光ブロックＡ５０１群の４個の発光ブロック１１１の輝度検出は、第一の発光ブロック群に対応する第一の検出手段群である２個の光センサ１１３（１，１）および光センサ１１３（１，２）により行われる。また、第二の発光ブロック群である発光ブロックＢ５０３群の４個の発光ブロック１１１の輝度検出は、第二の発光ブロック群に対応する第二の検出手段群である２個の光センサ１１３（１，３）および光センサ１１３（１，４）により行われる。

次に、図１５のステップＳ５０２では、ステップＳ５０１で選択された発光ブロック１１１群のうちペア未決定の発光ブロック１１１群において、
（１）発光ブロックＡ５０１群のうち発光ブロックＢ５０３群検出用の光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１と、
（２）発光ブロックＢ５０３群のうち、発光ブロックＢ５０３群検出用の複数の光センサ１１３の中で発光ブロックＡ５０１群の発光ブロック１１１から最も遠い光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１と、
をペアと決定する。

図１７（Ａ）は、ステップＳ５０２でペアと決定された発光ブロック１１１の一例を示
す模式図である。発光ブロックＡ５０１群からは発光ブロック１１１（１，２，２）が選ばれ、発光ブロックＢ５０３群からは発光ブロック１１１（１，４，１）が選ばれている。発光ブロックＢ５０３群からは、発光ブロック１１１（１，４，２）を選択しても良い。

次に、図１５のステップＳ５０３では、ステップＳ５０１で選択された発光ブロック１１１群のうちペア未決定の発光ブロック１１１群において、
（１）発光ブロックＢ５０３群のうち発光ブロックＡ５０１群検出用の光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１と、
（２）発光ブロックＡ５０１群のうち、発光ブロックＡ５０１群検出用の複数の光センサ１１３の中で発光ブロックＢ５０３群の発光ブロック１１１から最も遠い光センサ１１３に最も近接する発光ブロック１１１と、
をペアと決定する。

図１７（Ｂ）は、ステップＳ５０３でペアと決定された発光ブロック１１１の一例を示す模式図である。発光ブロックＢ５０３群からは発光ブロック１１１（１，３，１）が選ばれ、発光ブロックＡ５０１群からは発光ブロック１１１（１，１，２）が選ばれている。発光ブロックＡ５０１群からは、発光ブロック１１１（１，１，１）を選択しても良い。

次に、図１５のステップＳ５０４では、候補となる全ての発光ブロック１１１のペアが決定したか否かを判断する。候補となる全ての発光ブロック１１１のペアが決定していた場合は本フローチャートの手順は全て完了となるが、決定していない場合は再びステップＳ５０２に戻る。

図１７（Ｃ）は、２巡目のステップＳ５０２でペアと決定された発光ブロック１１１の一例を示す模式図である。発光ブロックＡ５０１群からは発光ブロック１１１（１，２，１）が選ばれ、発光ブロックＢ５０３群からは発光ブロック１１１（１，４，１）が選ばれている。

図１７（Ｄ）は、２巡目のステップＳ５０３でペアと決定された発光ブロック１１１の一例を示す模式図である。ここでは、発光ブロックＡ５０１群と発光ブロックＢ５０３群ともに、ペア未決定の発光ブロック１１１がそれぞれ一つずつしか無い為、発光ブロック１１１（１，１，１）と発光ブロック１１１（１，３，２）の組み合わせの他にはペアとなる組み合わせはない。

以上により、実施例１とは発光ブロックの数に対する光センサの数が異なる場合であっても、本実施例を適用することができる。これにより、複数の発光ブロック１１１を同時に点灯させた状態において、複数の光センサ１１３を用いて、それぞれの発光ブロック１１１の輝度を同時に検出する。その際に、各光センサ１１３にその光センサ１１３による検出対象の発光ブロック１１１以外の発光ブロック１１１の発光が漏れ光として入射することで検出誤差が生じる。この検出誤差を可及的に小さくすることができるような組み合わせで複数の発光ブロック１１１を同時に発光させてキャリブレーションを行うことができる。従って、精度の良いキャリブレーションを行うことができるので、輝度むらを効果的に抑制することが可能となる。

１０１ＬＥＤバックライト装置
１１１発光ブロック
１１３光センサ
１２５マイコン
１２６不揮発メモリ

Claims

発光を独立に制御可能な複数の発光ブロックからなる複数の発光ブロック群と、
前記発光ブロック群ごとに設けられ、発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を検出するための検出手段と、
を有する発光装置であって、
前記複数の発光ブロックは、異なる複数の発光ブロック群から１個ずつ選択される発光ブロックを１組として、全ての発光ブロックがいずれかの組に含まれるように組分けされており、
同じ組に属する複数の発光ブロックを同時に発光させ、同時に発光させた発光ブロックの各々の発光特性を各発光ブロックが属する発光ブロック群に対応する検出手段により取得する制御を、順次全ての組について行う取得手段を備え、
前記組分けは、同じ組に属する複数の発光ブロックが同時に発光するときに各検出手段が受光する光量のうち、各検出手段に対応する発光ブロック群に属する発光ブロックからの発光による光量と、当該発光ブロックと同時に発光する他の発光ブロックからの発光による光量と、の比である検出値比率の、全ての組における最小値が、可能な組分けのうちでより大きくなるように、決定されていることを特徴とする発光装置。
発光を独立に制御可能な複数の発光ブロックからなる複数の発光ブロック群と、
前記発光ブロック群ごとに設けられ、発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を検出するための複数の検出手段からなる検出手段群と、
を有する発光装置であって、
前記複数の発光ブロックは、異なる複数の発光ブロック群から１個ずつ選択される発光ブロックを１組として、全ての発光ブロックがいずれかの組に含まれるように組分けされており、
同じ組に属する複数の発光ブロックを同時に発光させ、同時に発光させた発光ブロックの各々の発光特性を各発光ブロックが属する発光ブロック群に対応する検出手段群のうち当該発光ブロックに最も近接する検出手段により取得する制御を、順次全ての組について行う取得手段を備え、
前記組分けは、同じ組に属する複数の発光ブロックが同時に発光するときに各検出手段が受光する光量のうち、各検出手段に対応する発光ブロック群に属する発光ブロックからの発光による光量と、当該発光ブロックと同時に発光する他の発光ブロックからの発光に
よる光量と、の比である検出値比率の、全ての組における最小値が、可能な組分けのうちでより大きくなるように、決定されていることを特徴とする発光装置。
前記発光装置は、
各々複数の発光ブロックからなる第一の発光ブロック群および第二の発光ブロック群と、
前記第一の発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を検出するための第一の検出手段と、
前記第二の発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を検出するための第二の検出手段と、
を有し、
前記各組に属する発光ブロックは、前記第一の発光ブロック群および前記第二の発光ブロック群から１個ずつ選択される２個の発光ブロックであり、
前記取得手段は、同じ組に属する２個の発光ブロックを同時に発光させ、第一の発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を第一の検出手段により取得し、第二の発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を第二の検出手段により取得する制御を、順次全ての組について行い、
前記組分けは、
（１）第一の発光ブロック群に属する発光ブロックのうち第二の検出手段に最も近い発光ブロックと、第二の発光ブロック群に属する発光ブロックのうち第二の検出手段に最も近い発光ブロックと、を１組とするか、又は、
（２）第一の発光ブロック群に属する発光ブロックのうち第一の検出手段に最も近い発光ブロックと、第二の発光ブロック群に属する発光ブロックのうち第一の検出手段に最も近い発光ブロックと、を１組とするか、
の少なくともいずれかを、全ての発光ブロックがいずれかの組に含まれるまで繰り返すことにより決定されている請求項１に記載の発光装置。
前記発光装置は、
各々複数の発光ブロックからなる第一の発光ブロック群および第二の発光ブロック群と、
前記第一の発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を検出するための複数の検出手段からなる第一の検出手段群と、
前記第二の発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を検出するための複数の検出手段からなる第二の検出手段群と、
を有し、
前記各組に属する発光ブロックは、前記第一の発光ブロック群および前記第二の発光ブロック群から１個ずつ選択される２個の発光ブロックであり、
前記取得手段は、同じ組に属する２個の発光ブロックを同時に発光させ、第一の発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を前記第一の検出手段群のうち当該発光ブロックに最も近接する検出手段により取得し、第二の発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を前記第二の検出手段群のうち当該発光ブロックに最も近接する検出手段により取得する制御を、順次全ての組について行い、
前記組分けは、
（１）第一の発光ブロック群に属する発光ブロックのうち、第二の検出手段群に最も近い発光ブロックと、第二の発光ブロック群に属する発光ブロックのうち、第二の検出手段群の中で第一の発光ブロック群から最も遠くに位置する検出手段に最も近い発光ブロックと、を１組とするか、又は、
（２）第一の発光ブロック群に属する発光ブロックのうち、第一の検出手段群の中で第二の発光ブロック群から最も遠くに位置する検出手段に最も近い発光ブロックと、第二の発光ブロック群に属する発光ブロックのうち、第一の検出手段群に最も近い発光ブロックと
、を１組とするか、
の少なくともいずれかを、全ての発光ブロックがいずれかの組に含まれるまで繰り返すことにより決定されている請求項２に記載の発光装置。
前記取得手段により取得される発光特性の検出値と目標値との比較結果に基づき各発光ブロックの発光量を補正するキャリブレーション手段を備える請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
前記検出手段は、発光ブロックの発光特性として輝度又は色度の少なくともいずれかを検出する請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
前記発光装置は、液晶表示装置に用いられるバックライトである請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
発光を独立に制御可能な複数の発光ブロックからなる複数の発光ブロック群と、
前記発光ブロック群ごとに設けられ、発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を検出するための検出手段と、
を有する発光装置のキャリブレーション方法であって、
前記複数の発光ブロックは、異なる複数の発光ブロック群から１個ずつ選択される発光ブロックを１組として、全ての発光ブロックがいずれかの組に含まれるように組分けされており、
同じ組に属する複数の発光ブロックを同時に発光させ、同時に発光させた発光ブロックの各々の発光特性を各発光ブロックが属する発光ブロック群に対応する検出手段により取得する制御を、順次全ての組について行う取得工程と、
前記取得工程において取得される発光特性の検出値と目標値との比較結果に基づき各発光ブロックの発光量を補正するキャリブレーション工程と、
を有し、
前記組分けは、同じ組に属する複数の発光ブロックが同時に発光するときに各検出手段が受光する光量のうち、各検出手段に対応する発光ブロック群に属する発光ブロックからの発光による光量と、当該発光ブロックと同時に発光する他の発光ブロックからの発光による光量と、の比である検出値比率の、全ての組における最小値が、可能な組分けのうちでより大きくなるように、決定されていることを特徴とする発光装置のキャリブレーション方法。
発光を独立に制御可能な複数の発光ブロックからなる複数の発光ブロック群と、
前記発光ブロック群ごとに設けられ、発光ブロック群に属する発光ブロックの発光特性を検出するための複数の検出手段からなる検出手段群と、
を有する発光装置のキャリブレーション方法であって、
前記複数の発光ブロックは、異なる複数の発光ブロック群から１個ずつ選択される発光ブロックを１組として、全ての発光ブロックがいずれかの組に含まれるように組分けされており、
同じ組に属する複数の発光ブロックを同時に発光させ、同時に発光させた発光ブロックの各々の発光特性を各発光ブロックが属する発光ブロック群に対応する検出手段群のうち当該発光ブロックに最も近接する検出手段により取得する制御を、順次全ての組について行う取得工程と、
前記取得工程において取得される発光特性の検出値と目標値との比較結果に基づき各発光ブロックの発光量を補正するキャリブレーション工程と、
を有し、
前記組分けは、同じ組に属する複数の発光ブロックが同時に発光するときに各検出手段が受光する光量のうち、各検出手段に対応する発光ブロック群に属する発光ブロックから
の発光による光量と、当該発光ブロックと同時に発光する他の発光ブロックからの発光による光量と、の比である検出値比率の、全ての組における最小値が、可能な組分けのうちでより大きくなるように、決定されていることを特徴とする発光装置のキャリブレーション方法。