JP5893952B2 - Laser processing method of wafer using chuck table - Google Patents

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Description

本発明は、ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハに分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法に関する。   The present invention relates to a wafer laser processing method for irradiating a laser beam along a predetermined division line formed on a wafer and forming a laser processing groove on the wafer along the predetermined division line.

ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスが形成された半導体ウエーハや、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子等のデバイスが形成されたサファイヤウエーハの分割予定ラインをレーザー加工装置によってレーザー光線を照射し、表面に溝を形成することで個々のデバイスに分割し、携帯電話、ＰＣ（Personal Computer）、ＬＥＤライト等の電子機器が製造されている。   The laser beam is applied to the planned division line of semiconductor wafers with devices such as IC (Integrated Circuit) and LSI (Large Scale Integration) and sapphire wafers with devices such as LED (Light Emitting Diode) elements. Irradiation and formation of grooves on the surface divide into individual devices, and electronic devices such as mobile phones, PCs (Personal Computers), and LED lights are manufactured.

半導体ウエーハにレーザー加工を施すためには、ダイシングテープに貼着した半導体ウエーハをチャックテーブル上に保持した状態でウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射する。この際、半導体ウエーハの外周縁を越えてレーザー光線が照射されると、ダイシングテープが加熱されて溶着しチャックテーブルの被加工物保持領域に付着する。この付着したダイシングテープによって、被加工物保持領域に形成されたバキュームを吸引するための空孔が目詰まりしたり、被加工物保持領域の表面精度が低下するという問題がある。このため、被加工物保持領域に付着したダイシングテープを砥石によって削り落とすことが必要となり、場合によってはチャックテーブルを交換しなければならない。そこで、ウエーハの外周縁の一部を撮像し、撮像して得た画像からウエーハの外周縁の位置を検出し、検出したウエーハの外周縁の座標位置から、ウエーハの外周縁全体の位置を検出して、レーザー光線がウエーハの外周縁を越えて加工することがないようにするといった手法がとられている（例えば、特許文献１参照）。   In order to perform laser processing on the semiconductor wafer, a laser beam having a wavelength that absorbs the wafer is irradiated while the semiconductor wafer adhered to the dicing tape is held on the chuck table. At this time, when the laser beam is irradiated beyond the outer peripheral edge of the semiconductor wafer, the dicing tape is heated and welded to adhere to the workpiece holding region of the chuck table. Due to the adhering dicing tape, there is a problem that holes for sucking the vacuum formed in the workpiece holding area are clogged or the surface accuracy of the workpiece holding area is lowered. For this reason, it is necessary to scrape off the dicing tape adhering to the workpiece holding region with a grindstone, and in some cases, the chuck table must be replaced. Therefore, a part of the outer peripheral edge of the wafer is imaged, the position of the outer peripheral edge of the wafer is detected from the image obtained, and the position of the entire outer peripheral edge of the wafer is detected from the detected coordinate position of the outer peripheral edge of the wafer. A technique has been adopted in which the laser beam is not processed beyond the outer peripheral edge of the wafer (see, for example, Patent Document 1).

また、レーザー光線をウエーハに照射することでレーザー加工溝を形成する技術は、従来用いられてきたダイシング装置によるブレード切削が難しい脆弱なＬｏｗ−ｋ膜の除去や、非常に硬質な材料（サファイヤ等）の加工等に用いられるようになってきた。しかし、レーザー光線が照射された領域に熱エネルギが集中してデブリが発生し、このデブリがデバイス表面に付着すると、デバイスの品質を低下させるという問題が生じる。そこで近年では、予め、ウエーハの上面にＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）、ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）等の水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆し、この保護膜を通してウエーハにレーザー光線を照射するという加工方法も用いられてきている（例えば、特許文献２参照）。   In addition, the technology for forming a laser processing groove by irradiating a wafer with a laser beam removes a fragile Low-k film that is difficult to cut by a blade using a conventional dicing apparatus, or a very hard material (sapphire, etc.). It has come to be used for the processing of. However, if thermal energy is concentrated in the region irradiated with the laser beam and debris is generated and the debris adheres to the device surface, there arises a problem that the quality of the device is deteriorated. In recent years, therefore, a water-soluble resin such as PVA (polyvinyl alcohol) or PEG (polyethylene glycol) is applied to the upper surface of the wafer in advance to coat a protective film, and a laser beam is applied to the wafer through this protective film. A processing method of irradiation has also been used (see, for example, Patent Document 2).

特開２００８−０５３３４１号公報JP 2008-053341 A 特開２００４−３２２１６８号公報JP 2004-322168 A

しかしながら、保護膜被覆の際に、水溶性樹脂を吐出するノズルから水溶性樹脂の液滴及び気泡がどうしても生じる。これらの液滴及び気泡がウエーハの外周縁近辺のテープ上に付着すると、ウエーハの外周縁を検出するアライメントの際に誤認識を生じ、ウエーハの外周縁全体の位置を誤って検出してしまうという問題が発生していた。   However, when the protective film is coated, water-soluble resin droplets and bubbles are inevitably generated from the nozzle that discharges the water-soluble resin. If these droplets and bubbles adhere to the tape in the vicinity of the outer peripheral edge of the wafer, an erroneous recognition occurs during alignment for detecting the outer peripheral edge of the wafer, and the position of the entire outer peripheral edge of the wafer is erroneously detected. There was a problem.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ウエーハの外周縁全体の位置を誤りなく検出することを可能とするチャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法を提供することを目的とする。 The present invention was made in view of the above, and aims to provide a method of laser processing a wafer using a chuck table that makes it possible to detect without error peripheral edge overall position of the wafer To do.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のチャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法は、粘着テープを介して環状フレームに貼着され、表面に複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたウエーハを、該粘着テープを介して保持面で保持するチャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法であって、該チャックテーブルは、吸引源に連通する吸引路と、該保持面を上面に有する保持部材と、該保持部材の下方に配設された発光体と、を備え、該保持部材は、該吸引路からの負圧によって載置する該ウエーハを吸引保持する吸引領域と、該吸引領域を囲繞する透明又は半透明部材からなる光透過領域と、からなり、該発光体は、該光透過領域の下方に配設され、該光透過領域は、該ウエーハの直径に比較して外径が大きく、該ウエーハの直径に比較して内径が小さい環状に形成されており、複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された表面を上面にして該ウエーハを環状フレームに該貼着テープを介して貼着するウエーハ貼着ステップと、該ウエーハ貼着ステップを実施した後に、該ウエーハの該表面に保護材料を塗布して保護膜を形成する保護膜被覆ステップと、該保護膜被覆ステップを実施した後に、該貼着テープを介して該チャックテーブルに載置した該ウエーハを、撮像手段を用いて撮像し、該ウエーハの外周縁を検出する外周縁検出ステップと、該外周縁検出ステップを実施後、該ウエーハの分割予定ラインに沿って該保護膜側からレーザー光線を該ウエーハの該表面に照射し、該ウエーハにレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、を含み、該外周縁検出ステップでは、該ウエーハの外周縁を該チャックテーブルの前記光透過領域上に位置付け、前記発光体を発光させて該ウエーハを撮像することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the wafer laser processing method using the chuck table of the present invention is attached to an annular frame via an adhesive tape, and a plurality of devices are divided on the surface. A wafer laser processing method using a chuck table that holds a wafer partitioned by a holding surface via the adhesive tape, the chuck table including a suction path communicating with a suction source, and the holding surface. A holding member having an upper surface; and a light emitter disposed below the holding member, wherein the holding member sucks and holds the wafer placed by negative pressure from the suction path; and A light transmissive region made of a transparent or translucent member surrounding the suction region, and the light emitter is disposed below the light transmissive region, and the light transmissive region has a diameter of the wafer. Large outer diameter compared, in comparison to the diameter of the wafer is formed on the inner diameter is small annular, the wafer with its front surface in which the devices are formed in a region defined by a plurality of dividing lines on the upper surface Wafer adhering step for adhering to the annular frame via the adhering tape, and a protective film coating step for forming a protective film by applying a protective material to the surface of the wafer after performing the wafer adhering step And after performing the protective film coating step, the outer peripheral edge detection step of detecting the outer peripheral edge of the wafer by imaging the wafer placed on the chuck table via the adhesive tape using an imaging means And after performing the outer peripheral edge detection step, the surface of the wafer is irradiated with a laser beam from the protective film side along the planned division line of the wafer, and the wafer is irradiated with the laser beam. A laser processing groove forming step for forming a processing groove, and in the outer peripheral edge detecting step, the outer peripheral edge of the wafer is positioned on the light transmission region of the chuck table, and the light emitter is caused to emit light to cause the wafer to be emitted. It is characterized by imaging .

本発明のチャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法は、ウエーハの外周縁が位置付けられるチャックテーブルの部分が、発光体の光を透過する光透過領域となっており、撮像時には発光体を発光させるため、撮像手段にウエーハが暗く映り、光透過領域上のウエーハを囲繞する粘着テープが発光体からの光の影響により白く（明るく）映る。このように、明暗が鮮明になり、透明に近い保護材料の液滴や気泡が見えなくなった状態の撮像画像が得られるために、液滴や気泡の影響を受けることなく、ウエーハの外周縁の位置を検出でき、ウエーハの外周縁全体の位置を誤りなく検出するという効果を奏する。 Laser processing method of the wafer with the chuck table of the present invention, the outer peripheral chuck table portion edge is positioned in the wafer is, has a light transmission region for transmitting light of the light emitter, emitting light emitter during imaging Therefore, the wafer appears dark on the imaging means, and the adhesive tape surrounding the wafer on the light transmission region appears white (brighter) due to the light from the light emitter. In this way, the captured image is obtained in a state where the light and darkness is clear and the liquid droplets and bubbles of the protective material close to transparency are invisible, so that the outer peripheral edge of the wafer is not affected by the droplets and bubbles. The position can be detected, and the entire position of the outer periphery of the wafer can be detected without error.

また、チャックテーブルの光透過領域以外の吸引領域を、通常用いられるポーラスセラミック等で形成するのが望ましい。この場合、チャックテーブルの外周に配設されたクランプ部を利用すれば、光透過領域に吸着機構を付与することなく、十分なウエーハの固定が実現できるため、光透過領域に例えば吸引用の溝を形成するなどの特別な加工をする必要がない。このために、吸引保持したウエーハが、光透過領域に形成された吸引用の溝の形状に沿って変形することがなく、レーザー加工に悪影響を与えることを抑制できる。   In addition, it is desirable to form the suction area other than the light transmission area of the chuck table with a commonly used porous ceramic or the like. In this case, if a clamp portion disposed on the outer periphery of the chuck table is used, a sufficient wafer can be fixed without providing a suction mechanism to the light transmission region. For example, a suction groove is provided in the light transmission region. There is no need to perform special processing such as forming a film. For this reason, the wafer held by suction does not deform along the shape of the groove for suction formed in the light transmission region, and it is possible to suppress adverse effects on laser processing.

さらに、光透過領域を構成する透明又は半透明部材に、レーザー光線の波長に対して透過性、分散性を有する材料を用いるのが望ましい。この場合、万が一、ウエーハの外周縁からはみ出た位置にレーザー光線を照射しても、保持面がレーザー光線により損傷したり溶融したりすることを防止できるという効果も奏する。   Furthermore, it is desirable to use a material having transparency and dispersibility for the wavelength of the laser beam for the transparent or translucent member constituting the light transmission region. In this case, even if the laser beam is irradiated to a position protruding from the outer peripheral edge of the wafer, the holding surface can be prevented from being damaged or melted by the laser beam.

図１は、実施形態に係るチャックテーブルを備えたレーザー加工装置の構成例を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a laser processing apparatus including a chuck table according to an embodiment. 図２は、実施形態に係るチャックテーブルの構成を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view illustrating a configuration of the chuck table according to the embodiment. 図３は、図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿うチャックテーブルの断面図である。3 is a cross-sectional view of the chuck table taken along line III-III in FIG. 図４は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法のフローを示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a flow of a laser processing method using the chuck table according to the embodiment. 図５は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法のウエーハ貼着ステップを示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing the wafer attaching step of the laser processing method using the chuck table according to the embodiment. 図６は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法の保護膜被覆ステップを示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a protective film coating step of the laser processing method using the chuck table according to the embodiment. 図７は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法の外周縁検出ステップを示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing an outer peripheral edge detecting step of the laser processing method using the chuck table according to the embodiment. 図８は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法の外周縁検出ステップを示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing an outer periphery detection step of the laser processing method using the chuck table according to the embodiment. 図９は、図８に示されたレーザー加工方法の外周縁検出ステップの要部を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing the main part of the outer periphery detection step of the laser processing method shown in FIG. 図１０は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法の外周縁検出ステップで得た画像を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an image obtained in the outer periphery detection step of the laser processing method using the chuck table according to the embodiment. 図１１は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法のレーザー加工溝形成ステップを示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing a laser processing groove forming step of the laser processing method using the chuck table according to the embodiment. 図１２は、比較例の得た画像を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating an image obtained in the comparative example.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the structures described below can be combined as appropriate. Various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.

〔実施形態〕
図１は、実施形態に係るチャックテーブルを備えたレーザー加工装置の構成例を示す図である。図２は、実施形態に係るチャックテーブルの構成を示す斜視図である。図３は、図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿うチャックテーブルの断面図である。図４は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法のフローを示す図である。図５は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法のウエーハ貼着ステップを示す斜視図である。図６は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法の保護膜被覆ステップを示す斜視図である。図７は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法の外周縁検出ステップを示す断面図である。図８は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法の外周縁検出ステップを示す斜視図である。図９は、図８に示されたレーザー加工方法の外周縁検出ステップの要部を示す断面図である。図１０は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法の外周縁検出ステップで得た画像を示す図である。図１１は、実施形態に係るチャックテーブルを用いたレーザー加工方法のレーザー加工溝形成ステップを示す斜視図である。図１２は、比較例の得た画像を示す図である。 Embodiment
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a laser processing apparatus including a chuck table according to an embodiment. FIG. 2 is a perspective view illustrating a configuration of the chuck table according to the embodiment. 3 is a cross-sectional view of the chuck table taken along line III-III in FIG. FIG. 4 is a diagram illustrating a flow of a laser processing method using the chuck table according to the embodiment. FIG. 5 is a perspective view showing the wafer attaching step of the laser processing method using the chuck table according to the embodiment. FIG. 6 is a perspective view showing a protective film coating step of the laser processing method using the chuck table according to the embodiment. FIG. 7 is a cross-sectional view showing an outer peripheral edge detecting step of the laser processing method using the chuck table according to the embodiment. FIG. 8 is a perspective view showing an outer periphery detection step of the laser processing method using the chuck table according to the embodiment. FIG. 9 is a cross-sectional view showing the main part of the outer periphery detection step of the laser processing method shown in FIG. FIG. 10 is a diagram illustrating an image obtained in the outer periphery detection step of the laser processing method using the chuck table according to the embodiment. FIG. 11 is a perspective view showing a laser processing groove forming step of the laser processing method using the chuck table according to the embodiment. FIG. 12 is a diagram illustrating an image obtained in the comparative example.

本実施形態に係るチャックテーブル１０は、粘着テープＴを介して環状フレームＦに貼着されたウエーハＷを、該粘着テープＴを介して保持面１１ａで保持するものである。チャックテーブル１０は、例えば、レーザー加工装置１を構成する。   The chuck table 10 according to the present embodiment holds the wafer W attached to the annular frame F via the adhesive tape T on the holding surface 11a via the adhesive tape T. The chuck table 10 constitutes the laser processing apparatus 1, for example.

レーザー加工装置１は、ウエーハＷに一旦保護膜Ｐ（図７などに示す）を被覆した後、この保護膜Ｐが被覆されたウエーハＷを保持したチャックテーブル１０と、レーザー光線照射手段２０とを相対移動させることで、ウエーハＷにアブレーション加工を施して、ウエーハＷにレーザー加工溝Ｓ（図１１に示す）を形成するものである。   The laser processing apparatus 1 once coats the wafer W with a protective film P (shown in FIG. 7 and the like), and then holds the chuck table 10 holding the wafer W coated with the protective film P and the laser beam irradiation means 20 relative to each other. By moving, the wafer W is subjected to ablation processing to form a laser processing groove S (shown in FIG. 11) on the wafer W.

レーザー加工装置１は、図１に示すように、チャックテーブル１０と、レーザー光線照射手段２０と、撮像手段３０と、制御手段４０とを含んで構成されている。なお、レーザー加工装置１は、更に、レーザー加工前後のウエーハＷを収容するカセットエレベータ５０と、レーザー加工前後のウエーハＷを一時的に載置する仮置き手段６０と、レーザー加工前のウエーハＷに保護膜Ｐを被覆しかつレーザー加工後のウエーハＷから保護膜Ｐを除去する保護膜形成兼洗浄手段７０と、を含んで構成されている。さらに、レーザー加工装置１は、チャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とをＸ軸方向に相対移動させる図示しないＸ軸移動手段と、チャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とをＹ軸方向に相対移動させる図示しないＹ軸移動手段と、チャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とをＺ軸方向に相対移動させる図示しないＺ軸移動手段とを含んで構成されている。   As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus 1 includes a chuck table 10, a laser beam irradiation unit 20, an imaging unit 30, and a control unit 40. The laser processing apparatus 1 further includes a cassette elevator 50 that accommodates the wafer W before and after laser processing, a temporary placement means 60 that temporarily places the wafer W before and after laser processing, and a wafer W before laser processing. And a protective film forming and cleaning means 70 that covers the protective film P and removes the protective film P from the wafer W after laser processing. Further, the laser processing apparatus 1 relatively moves the chuck table 10 and the laser beam irradiation means 20 in the Y-axis direction, and the X-axis movement means (not shown) that relatively moves the chuck table 10 and the laser beam irradiation means 20 in the X-axis direction. A Y-axis moving means (not shown) and a Z-axis moving means (not shown) for relatively moving the chuck table 10 and the laser beam irradiation means 20 in the Z-axis direction are configured.

カセットエレベータ５０は、粘着テープＴを介して環状フレームＦに貼着されたウエーハＷを複数枚収容するものである。カセットエレベータ５０は、レーザー加工装置１の装置本体２にＺ軸方向に昇降自在に設けられている。   The cassette elevator 50 accommodates a plurality of wafers W attached to the annular frame F via the adhesive tape T. The cassette elevator 50 is provided in the apparatus main body 2 of the laser processing apparatus 1 so as to be movable up and down in the Z-axis direction.

仮置き手段６０は、カセットエレベータ５０からレーザー加工前のウエーハＷを一枚取り出すとともに、レーザー加工後のウエーハＷをカセットエレベータ５０内に収容するものである。仮置き手段６０は、レーザー加工前のウエーハＷをカセットエレベータ５０から取り出すとともにレーザー加工後のウエーハＷをカセットエレベータ５０内に挿入する搬出入手段６１と、レーザー加工前後のウエーハＷを一時的に載置する一対のレール６２とを含んで構成されている。   The temporary placing means 60 takes out one wafer W before laser processing from the cassette elevator 50 and accommodates the wafer W after laser processing in the cassette elevator 50. Temporary placement means 60 temporarily loads wafer W before laser processing from cassette elevator 50 and carries in / out means 61 for inserting wafer W after laser processing into cassette elevator 50, and wafer W before and after laser processing. And a pair of rails 62 to be placed.

保護膜形成兼洗浄手段７０は、一対のレール６２上のレーザー加工前のウエーハＷが第１の搬送手段８１により搬送されてきて、このレーザー加工前のウエーハＷに保護膜Ｐを被覆するものである。また、保護膜形成兼洗浄手段７０は、レーザー加工後のウエーハＷが第２の搬送手段８２により搬送されてきて、このレーザー加工後のウエーハＷの保護膜Ｐを除去するものである。保護膜形成兼洗浄手段７０は、図６に示すように、ウエーハＷを保持する保持テーブル７１と、保持テーブル７１に保持されたウエーハＷの表面ＷＳに保護材料としての液状樹脂Ｊを塗布して保護膜Ｐを形成するノズル手段７２と、図示しない洗浄ノズルとを含んで構成されている。   The protective film forming / cleaning means 70 is such that the wafer W before laser processing on the pair of rails 62 is transported by the first transport means 81 and the wafer W before laser processing is coated with the protective film P. is there. Further, the protective film forming / cleaning means 70 removes the protective film P from the laser-processed wafer W after the laser-processed wafer W is transferred by the second transfer means 82. As shown in FIG. 6, the protective film forming / cleaning means 70 applies a liquid resin J as a protective material to the holding table 71 that holds the wafer W and the surface WS of the wafer W held on the holding table 71. The nozzle means 72 for forming the protective film P and a cleaning nozzle (not shown) are included.

保持テーブル７１には、第１の搬送手段８１又は第２の搬送手段８２により、粘着テープＴを介してウエーハＷが載置される。保持テーブル７１は、載置されたウエーハＷを図示しない吸引源により吸引することで保持する。また、保持テーブル７１は、装置本体２にＺ軸方向に昇降自在に設けられかつ図示しない基台駆動源により中心軸線（Ｚ軸と平行である）回りに回転自在に設けられている。   The wafer W is placed on the holding table 71 via the adhesive tape T by the first conveying means 81 or the second conveying means 82. The holding table 71 holds the placed wafer W by sucking it with a suction source (not shown). The holding table 71 is provided in the apparatus main body 2 so as to be movable up and down in the Z-axis direction, and is rotatably provided around a central axis (parallel to the Z-axis) by a base drive source (not shown).

ノズル手段７２は、ＰＶＡ、ＰＥＧやＰＥＯ（ポリ・エチレン・オキサイド）等の水溶性樹脂を含んだ液状樹脂Ｊに図示しない空気供給源から供給される空気を混合させる。そして、ノズル手段７２は、空気が混合された液状樹脂Ｊを保持テーブル７１に保持されたレーザー加工前のウエーハＷの表面ＷＳに向けて上空から霧状に噴出させるものである。ノズル手段７２は、空気が混合された液状樹脂Ｊを噴射するノズル７３を複数備えている。複数のノズル７３は、保持テーブル７１に保持されるウエーハＷの径方向と平行に並べられている。また、ノズル手段７２は、図示しない水平方向移動手段により、保持テーブル７１の上方を水平方向に移動される。洗浄ノズルは、保持テーブル７１に保持されたレーザー加工後のウエーハＷの表面ＷＳに向けて洗浄水を噴出して、保護膜Ｐを除去するものである。なお、保護膜Ｐ及び保護膜Ｐを構成する前述した液状樹脂Ｊは、透明又は半透明であり、光を透過する。   The nozzle means 72 mixes air supplied from an air supply source (not shown) with a liquid resin J containing a water-soluble resin such as PVA, PEG, or PEO (polyethylene oxide). The nozzle means 72 ejects the liquid resin J mixed with air in a mist form from the sky toward the surface WS of the wafer W before laser processing held by the holding table 71. The nozzle means 72 includes a plurality of nozzles 73 for injecting the liquid resin J mixed with air. The plurality of nozzles 73 are arranged in parallel with the radial direction of the wafer W held on the holding table 71. The nozzle means 72 is moved in the horizontal direction above the holding table 71 by a horizontal movement means (not shown). The cleaning nozzle ejects cleaning water toward the surface WS of the wafer W after laser processing held by the holding table 71 to remove the protective film P. In addition, the liquid resin J mentioned above which comprises the protective film P and the protective film P is transparent or translucent, and permeate | transmits light.

なお、レーザー加工前のウエーハＷは、ノズル手段７２により保護膜Ｐが被覆されて、第２の搬送手段８２によりチャックテーブル１０上に載置される。また、レーザー加工後のウエーハＷは、洗浄ノズルにより保護膜Ｐが除去されて、第１の搬送手段８１により仮置き手段６０のレール６２上に載置される。   The wafer W before laser processing is covered with the protective film P by the nozzle means 72 and placed on the chuck table 10 by the second transport means 82. Further, the wafer W after laser processing is placed on the rail 62 of the temporary placement means 60 by the first transport means 81 after the protective film P is removed by the cleaning nozzle.

レーザー光線照射手段２０は、レーザー光線を保護膜Ｐ側からウエーハＷの表面ＷＳに照射し、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷにレーザー加工溝Ｓを形成するものである。レーザー光線照射手段２０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに対して、Ｙ軸移動手段によりＹ軸方向に移動自在に設けられかつＺ軸移動手段によりＺ軸方向に移動自在に設けられている。レーザー光線照射手段２０は、図示しないレーザー光線発振手段と、レーザー光線発振手段により発振されたレーザー光線をウエーハＷの表面ＷＳに照射する図示しない集光器とを含んで構成されている。レーザー光線発振手段は、ウエーハＷの種類、加工形態などに応じて適宜選択することができ、例えば、ＹＡＧレーザー発振器やＹＶＯレーザー発振器などを用いることができる。集光器は、レーザー光線発振手段により発振されたレーザー光線の進行方向を変更する全反射ミラーやレーザー光線を集光する集光レンズなどを含んで構成される。   The laser beam irradiating means 20 irradiates the surface WS of the wafer W with a laser beam from the protective film P side to form a laser processing groove S on the wafer W held on the chuck table 10. The laser beam irradiation means 20 is provided so as to be movable in the Y-axis direction by the Y-axis movement means and movable in the Z-axis direction by the Z-axis movement means with respect to the wafer W held on the chuck table 10. . The laser beam application means 20 includes a laser beam oscillation means (not shown) and a condenser (not shown) that irradiates the surface WS of the wafer W with the laser beam oscillated by the laser beam oscillation means. The laser beam oscillation means can be appropriately selected according to the type of wafer W, the processing form, etc. For example, a YAG laser oscillator, a YVO laser oscillator, or the like can be used. The condenser includes a total reflection mirror that changes the traveling direction of the laser beam oscillated by the laser beam oscillation means, a condenser lens that collects the laser beam, and the like.

撮像手段３０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの表面ＷＳを撮像するものである。撮像手段３０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに対して、Ｙ軸移動手段によりレーザー光線照射手段２０と一体にＹ軸方向に移動自在に設けられかつＺ軸移動手段５０によりレーザー光線照射手段２０と一体にＺ軸方向に移動自在に設けられている。撮像手段３０は、図示しないＣＣＤカメラを備えている。ＣＣＤカメラは、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの外周縁Ｅの一部とチャックテーブル１０の保持面１１ａの一部とを撮像して、画像Ｇ（図１０に示す）を得る装置である。撮像手段３０は、ＣＣＤカメラが得た画像Ｇの情報を制御手段４０に出力する。   The imaging means 30 images the surface WS of the wafer W held on the chuck table 10. The imaging unit 30 is provided so as to be movable in the Y-axis direction integrally with the laser beam irradiation unit 20 by the Y-axis moving unit with respect to the wafer W held on the chuck table 10, and the laser beam irradiation unit 20 by the Z-axis moving unit 50. And movably in the Z-axis direction. The imaging unit 30 includes a CCD camera (not shown). The CCD camera is an apparatus that obtains an image G (shown in FIG. 10) by imaging a part of the outer peripheral edge E of the wafer W held on the chuck table 10 and a part of the holding surface 11a of the chuck table 10. . The imaging unit 30 outputs information on the image G obtained by the CCD camera to the control unit 40.

チャックテーブル１０は、保護膜Ｐが形成されたレーザー加工前のウエーハＷが第２の搬送手段８２により載置されて、当該ウエーハＷを保持するものである。チャックテーブル１０は、図２及び図３に示すように、粘着テープＴを介してウエーハＷを保持する保持面１１ａを上面に有する保持部材１１と、吸引源１２（図３に示す）に連通する吸引路１３（図３に示す）と、保持部材１１の下方に配設された発光体としてのＬＥＤ１４と、保持部材１１及びＬＥＤ１４を取り付けたテーブルフレーム１５とを備えている。   The chuck table 10 holds the wafer W on which the wafer W before the laser processing on which the protective film P is formed is placed by the second conveying means 82. 2 and 3, the chuck table 10 communicates with a holding member 11 having a holding surface 11a for holding the wafer W on an upper surface via an adhesive tape T and a suction source 12 (shown in FIG. 3). A suction path 13 (shown in FIG. 3), an LED 14 as a light emitter disposed below the holding member 11, and a table frame 15 to which the holding member 11 and the LED 14 are attached are provided.

保持部材１１は、図２及び図３に示すように、表面１６ａがポーラスセラミック等から形成された円盤形状の吸引領域１６と、吸引領域１６を囲繞する光透過領域１７とを含んで構成されている。吸引領域１６は、表面１６ａにウエーハＷが載置され、かつ吸引路１３を介して吸引源１２と接続されて、吸引路１３からの負圧によって表面１６ａに載置するウエーハＷを吸引保持する。光透過領域１７は、光を透過可能な透明又は半透明部材からなり、ウエーハＷの直径に比較して外径が大きくかつウエーハＷの直径に比較して内径が小さい円環状（環状）に形成されている。本実施形態では、光透過領域１７を構成する光を透過可能な透明又は半透明部材は、レーザー光線照射手段２０が照射するレーザー光線の波長に対して透過性、分散性を有する材料である。光透過領域１７は、表面１７ａにウエーハＷの外周縁Ｅが載置される。吸引領域１６の表面１６ａと、光透過領域１７の表面１７ａとは、同一平面上に配設され、保持部材１１の保持面１１ａを構成している。   As shown in FIGS. 2 and 3, the holding member 11 includes a disk-shaped suction region 16 having a surface 16 a made of porous ceramic or the like, and a light transmission region 17 surrounding the suction region 16. Yes. The suction region 16 has the wafer W placed on the surface 16 a and is connected to the suction source 12 via the suction path 13 to suck and hold the wafer W placed on the surface 16 a by negative pressure from the suction path 13. . The light transmission region 17 is made of a transparent or translucent member capable of transmitting light, and is formed in an annular shape having an outer diameter larger than the wafer W diameter and smaller inner diameter than the wafer W diameter. Has been. In the present embodiment, the transparent or translucent member that can transmit the light constituting the light transmission region 17 is a material having transparency and dispersibility with respect to the wavelength of the laser beam irradiated by the laser beam irradiation means 20. In the light transmission region 17, the outer peripheral edge E of the wafer W is placed on the surface 17a. The surface 16 a of the suction region 16 and the surface 17 a of the light transmission region 17 are disposed on the same plane and constitute a holding surface 11 a of the holding member 11.

保持部材１１の吸引領域１６に接続した吸引路１３は、テーブルフレーム１５及びテーブル移動基台３内などに形成された通路である。ＬＥＤ１４は、保持部材１１の光透過領域１７の下方に配設されている。ＬＥＤ１４は、発光することで、光透過領域１７を光輝させる。   The suction path 13 connected to the suction region 16 of the holding member 11 is a passage formed in the table frame 15 and the table moving base 3. The LED 14 is disposed below the light transmission region 17 of the holding member 11. The LED 14 emits light to shine the light transmission region 17.

なお、チャックテーブル１０は、テーブルフレーム１５が装置本体２に設けられたテーブル移動基台３に着脱可能である。なお、テーブル移動基台３は、Ｘ軸移動手段によりＸ軸方向に移動自在に設けられかつ図示しない基台駆動源により中心軸線（Ｚ軸と平行である）回りに回転自在に設けられている。また、チャックテーブル１０の周囲には、クランプ部１８が設けられており、クランプ部１８が図示しないエアーアクチュエータにより駆動することで、ウエーハＷの周囲の環状フレームＦが挟時される。   The chuck table 10 can be attached to and detached from the table moving base 3 provided with the table frame 15 in the apparatus main body 2. The table moving base 3 is provided so as to be movable in the X-axis direction by the X-axis moving means, and is rotatable about a central axis (parallel to the Z axis) by a base driving source (not shown). . A clamp portion 18 is provided around the chuck table 10, and the clamp portion 18 is driven by an air actuator (not shown) so that the annular frame F around the wafer W is clamped.

ここで、ウエーハＷは、レーザー加工装置１によりレーザー加工される加工対象であり、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、表面ＷＳに複数のデバイスＤが分割予定ラインとしての第１及び第２のストリートＷ１，Ｗ２によって区画されている。なお、第１のストリートＷ１と第２のストリートＷ２は、それぞれ複数設けられ、互いに交差（本実施形態では直交）している。このために、デバイスＤは、表面ＷＳの第１及び第２のストリートＷ１，Ｗ２によって区画された領域に形成されている。ウエーハＷは、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、デバイスＤが複数形成されている表面ＷＳの反対側の裏面が粘着テープＴに貼着され、ウエーハＷに貼着された粘着テープＴに環状フレームＦが貼着されることで、環状フレームＦに固定される。また、ウエーハＷの表面ＷＳには、層間絶縁膜材料としてＬｏｗ−ｋ材料（主に、ポーラス材料）で構成された図示しない所謂Ｌｏｗ−ｋ膜が形成されている。なお、粘着テープＴは、透明又は半透明であり、光を透過する。   Here, the wafer W is a processing target to be laser processed by the laser processing apparatus 1, and in this embodiment, is a disk-shaped semiconductor wafer or optical device wafer having a base material of silicon, sapphire, gallium or the like. In the wafer W, as shown in FIGS. 5A and 5B, a plurality of devices D are partitioned on the surface WS by first and second streets W1 and W2 as division planned lines. A plurality of first streets W1 and second streets W2 are provided and intersect each other (orthogonal in the present embodiment). For this purpose, the device D is formed in a region defined by the first and second streets W1 and W2 of the surface WS. As shown in FIGS. 5A and 5B, the wafer W has a back surface opposite to the front surface WS on which a plurality of devices D are formed, and is adhered to the adhesive tape T and is adhered to the wafer W. The annular frame F is affixed to the adhesive tape T to be fixed to the annular frame F. On the surface WS of the wafer W, a so-called low-k film (not shown) made of a low-k material (mainly a porous material) is formed as an interlayer insulating film material. The adhesive tape T is transparent or translucent and transmits light.

制御手段４０は、レーザー加工装置１及びチャックテーブル１０を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。制御手段４０は、ウエーハＷに対する加工動作をレーザー加工装置１に行わせるものである。また、制御手段４０は、ウエーハＷに対する加工動作をレーザー加工装置１に行わせる際、撮像手段３０がウエーハＷの外周縁Ｅの一部を撮像して得た画像ＧからウエーハＷの外周縁Ｅ全体のチャックテーブル１０上の位置を検出するものでもある。なお、制御手段４０は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成されており、加工動作の状態を表示する表示手段８３や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない操作手段と接続されている。   The control means 40 controls the above-described components constituting the laser processing apparatus 1 and the chuck table 10 respectively. The control means 40 causes the laser processing apparatus 1 to perform a processing operation on the wafer W. Further, when the control unit 40 causes the laser processing apparatus 1 to perform a processing operation on the wafer W, the outer peripheral edge E of the wafer W from the image G obtained by the imaging unit 30 imaging a part of the outer peripheral edge E of the wafer W. The position on the entire chuck table 10 is also detected. The control means 40 is mainly composed of an arithmetic processing unit constituted by, for example, a CPU, or a microprocessor (not shown) provided with a ROM, a RAM, etc., and a display means 83 for displaying the state of the machining operation or an operator It is connected to an operating means (not shown) used when registering processing content information and the like.

次に、本実施形態に係るレーザー加工装置１即ちチャックテーブル１０を用いたウエーハＷのレーザー加工方法について説明する。まず、図４中のステップＳＴ１において、図５（ａ）に示すように、デバイスＤが形成された表面ＷＳを上面にし、図５（ｂ）に示すように、ウエーハＷを環状フレームＦに粘着テープＴを介して貼着する。そして、環状フレームＦに粘着テープＴを介して貼着されたウエーハＷをカセットエレベータ５０内に収容する。なお、ステップＳＴ１は、ウエーハ貼着ステップをなしている。   Next, a laser processing method for the wafer W using the laser processing apparatus 1, that is, the chuck table 10 according to the present embodiment will be described. First, in step ST1 in FIG. 4, as shown in FIG. 5 (a), the surface WS on which the device D is formed is the upper surface, and the wafer W is adhered to the annular frame F as shown in FIG. 5 (b). Adhere via tape T. Then, the wafer W adhered to the annular frame F via the adhesive tape T is accommodated in the cassette elevator 50. In addition, step ST1 has comprised the wafer sticking step.

そして、ステップＳＴ２に進み、オペレータが加工内容情報を制御手段４０に登録し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、レーザー加工装置１が加工動作を開始する。加工動作において、制御手段４０が、レーザー加工前のウエーハＷを搬出入手段６１によりカセットエレベータ５０から仮置き手段６０まで搬出し、仮置き手段６０の一対のレール６２上に載置した後、第１の搬送手段８１により保護膜形成兼洗浄手段７０の保持テーブル７１まで搬送し、保持テーブル７１に保持させる。そして、制御手段４０が、保持テーブル７１を降下した後、ノズル７３から空気と混合された液状樹脂Ｊをノズル手段７２から噴出させて、図６に示すように、保持テーブル７１に保持されたウエーハＷの上方を移動させる。そして、ノズル７３から下方のウエーハＷの表面ＷＳに向けて液状樹脂Ｊを霧状に噴出させ、ウエーハＷの表面ＷＳに付着した液状樹脂Ｊが硬化することで、ウエーハＷの表面ＷＳに液状樹脂Ｊで構成された保護膜Ｐを被覆する。このように、ステップＳＴ２では、ステップＳＴ１を実施した後に、ウエーハＷの表面ＷＳに液状樹脂Ｊを塗布して保護膜Ｐを形成する。なお、ステップＳＴ２は、保護膜被覆ステップをなしている。保護膜Ｐの被覆が終了すると、制御手段４０が、保持テーブル７１を上昇させ、第２の搬送手段８２に保持テーブル７１から保護膜Ｐが被覆されたウエーハＷをチャックテーブル１０まで搬送させ、図７に示すように、チャックテーブル１０に保持させて、ステップＳＴ３に進む。   Then, the process proceeds to step ST2, where the operator registers the processing content information in the control means 40, and the laser processing apparatus 1 starts the processing operation when there is an instruction to start the processing operation from the operator. In the processing operation, after the control means 40 unloads the wafer W before laser processing from the cassette elevator 50 to the temporary placement means 60 by the carry-in / out means 61 and places it on the pair of rails 62 of the temporary placement means 60, The first transporting unit 81 transports the protective film to the holding table 71 of the protective film forming and cleaning unit 70 and holds it on the holding table 71. Then, after the control means 40 descends the holding table 71, the liquid resin J mixed with air is ejected from the nozzle means 72 from the nozzle 73, and the wafer held on the holding table 71 as shown in FIG. Move above W. Then, the liquid resin J is sprayed in the form of a mist from the nozzle 73 toward the surface WS of the lower wafer W, and the liquid resin J adhering to the surface WS of the wafer W is cured, so that the liquid resin is applied to the surface WS of the wafer W. A protective film P made of J is covered. Thus, in step ST2, after performing step ST1, the liquid resin J is applied to the surface WS of the wafer W to form the protective film P. Step ST2 is a protective film coating step. When the covering of the protective film P is completed, the control means 40 raises the holding table 71 and causes the second conveying means 82 to convey the wafer W coated with the protective film P from the holding table 71 to the chuck table 10. As shown in FIG. 7, the chuck table 10 is held, and the process proceeds to step ST3.

次に、制御手段４０は、Ｘ軸移動手段によりチャックテーブル１０を移動して、図８及び図９に示すように、撮像手段３０の下方にチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの外周縁Ｅの一部及びチャックテーブル１０の一部を位置付ける。そして、制御手段４０は、チャックテーブル１０のＬＥＤ１４を発光させながら、撮像手段３０にウエーハＷの外周縁Ｅの一部及びチャックテーブル１０の一部を撮像させる。すると、ウエーハＷがＬＥＤ１４からの光を透過せず、光透過領域１７及び保護膜ＰがＬＥＤ１４からの光を透過するとともに、光透過領域１７の内外径が前述した寸法に形成されて、ウエーハＷの外周縁Ｅがチャックテーブル１０の光透過領域１７上に位置付けられている。このために、撮像手段３０が得た画像Ｇでは、図１０に示すように、ウエーハＷを示す部分Ｂ１（図１０中に黒で示す）の光の輝度値が非常に低く、光透過領域１７を示す部分Ｂ２（図１０中に白で示す）の光の輝度値が非常に高くなっている。   Next, the control means 40 moves the chuck table 10 by the X-axis moving means, and as shown in FIGS. 8 and 9, the outer peripheral edge E of the wafer W held by the chuck table 10 below the imaging means 30. And a part of the chuck table 10 are positioned. Then, the control unit 40 causes the imaging unit 30 to image a part of the outer peripheral edge E of the wafer W and a part of the chuck table 10 while causing the LED 14 of the chuck table 10 to emit light. Then, the wafer W does not transmit the light from the LED 14, the light transmitting region 17 and the protective film P transmit the light from the LED 14, and the inner and outer diameters of the light transmitting region 17 are formed to the above-described dimensions. The outer peripheral edge E of the chuck table 10 is positioned on the light transmission region 17 of the chuck table 10. For this reason, in the image G obtained by the imaging means 30, as shown in FIG. 10, the luminance value of the light of the portion B <b> 1 (shown in black in FIG. 10) indicating the wafer W is very low, The brightness value of the light of the portion B2 (indicated by white in FIG. 10) indicating “” is very high.

そして、制御手段４０は、ウエーハＷを示す部分Ｂ１と光透過領域１７を示す部分Ｂ２の光の輝度値の差（コントラスト）の非常に大きな画像Ｇから、ウエーハＷの外周縁Ｅを検出（抽出）する。そして、制御手段４０は、ウエーハＷの外周縁Ｅの少なくとも任意の３点を選択し、選択した３点の座標（位置）からチャックテーブル１０におけるウエーハＷの中心の座標即ち中心位置を算出する。制御手段４０は、中心位置などからチャックテーブル１０上におけるウエーハＷの外周縁Ｅ全体の位置（ウエーハＷの外周縁Ｅ全体のチャックテーブル１０に対する相対位置）を検出する。   Then, the control means 40 detects (extracts) the outer peripheral edge E of the wafer W from the image G having a very large difference (contrast) in the luminance value of light between the portion B1 indicating the wafer W and the portion B2 indicating the light transmission region 17. ) The control means 40 selects at least three arbitrary points on the outer peripheral edge E of the wafer W, and calculates the coordinates of the center of the wafer W on the chuck table 10, that is, the center position, from the coordinates (positions) of the selected three points. The control means 40 detects the position of the entire outer peripheral edge E of the wafer W on the chuck table 10 (relative position of the entire outer peripheral edge E of the wafer W with respect to the chuck table 10) from the center position or the like.

このように、ステップＳＴ３では、ステップＳＴ２を実施した後に、ウエーハＷの外周縁Ｅをチャックテーブル１０の光透過領域１７上に位置付けて、ＬＥＤ１４を発光させてウエーハＷを撮像する。そして、ステップＳＴ３では、粘着テープＴを介してチャックテーブル１０に載置したウエーハＷを、撮像手段３０を用いて撮像し、ウエーハＷの外周縁Ｅ全体を検出する。なお、ステップＳＴ３は、外周縁検出ステップをなしている。ウエーハＷの外周縁Ｅの検出が終了すると、ステップＳＴ４に進む。   As described above, in step ST3, after performing step ST2, the outer peripheral edge E of the wafer W is positioned on the light transmission region 17 of the chuck table 10, and the LED 14 is caused to emit light to image the wafer W. In step ST3, the wafer W placed on the chuck table 10 via the adhesive tape T is imaged using the imaging means 30, and the entire outer periphery E of the wafer W is detected. In addition, step ST3 has comprised the outer periphery detection step. When the detection of the outer peripheral edge E of the wafer W is completed, the process proceeds to step ST4.

次に、制御手段４０は、ステップＳＴ３で検出したウエーハＷの外周縁Ｅ全体の位置などに基づいて、Ｘ軸移動手段によりチャックテーブル１０を移動させ、基台駆動源によりチャックテーブル１０を中心軸線回りに回転させ、Ｙ軸移動手段及びＺ軸移動手段によりレーザー光線照射手段２０を移動させて、所定のストリートＷ１，Ｗ２の一端を集光器の直下に位置付ける。制御手段４０は、レーザー光線照射手段２０の集光器からレーザー光線を照射しつつＸ軸移動手段によりウエーハＷを保持したチャックテーブル１０を所定のストリートＷ１，Ｗ２に沿って所定の加工速度で移動させる。   Next, the control means 40 moves the chuck table 10 by the X-axis moving means based on the position of the entire outer peripheral edge E of the wafer W detected in step ST3, and moves the chuck table 10 to the central axis by the base drive source. The laser beam irradiating means 20 is moved by the Y-axis moving means and the Z-axis moving means to position one end of the predetermined streets W1 and W2 directly below the condenser. The control unit 40 moves the chuck table 10 holding the wafer W by the X-axis moving unit at a predetermined processing speed along the predetermined streets W1 and W2 while irradiating the laser beam from the condenser of the laser beam irradiation unit 20.

すると、レーザー光線が照射された所定のストリートＷ１，Ｗ２には、ウエーハＷ及び保護膜Ｐの一部が昇華して、図１１に示すように、レーザー加工溝Ｓが形成される。所定のストリートＷ１，Ｗ２の他端が集光器の直下に達したら、レーザー光線照射手段２０からのレーザー光線の照射を停止するとともに、チャックテーブル１０即ちウエーハＷの移動を停止する。制御手段４０は、前述したように、順にストリートＷ１，Ｗ２にレーザー光線を照射して、これらのストリートＷ１，Ｗ２にレーザー加工溝Ｓを形成して、ウエーハＷの全てのストリートＷ１，Ｗ２にレーザー加工溝Ｓを形成する。このように、ステップＳＴ４では、ステップＳＴ３を実施後、ウエーハＷのストリートＷ１，Ｗ２に沿って保護膜Ｐ側からレーザー光線をウエーハＷの表面ＷＳに照射し、ウエーハＷにレーザー加工溝Ｓを形成する。なお、ステップＳＴ４は、レーザー加工溝形成ステップをなしている。   Then, on the predetermined streets W1 and W2 irradiated with the laser beam, the wafer W and a part of the protective film P are sublimated to form a laser processing groove S as shown in FIG. When the other ends of the predetermined streets W1 and W2 reach just below the condenser, the irradiation of the laser beam from the laser beam irradiation means 20 is stopped and the movement of the chuck table 10, that is, the wafer W is stopped. As described above, the control means 40 sequentially irradiates the streets W1 and W2 with laser beams to form the laser processing grooves S on the streets W1 and W2, and performs laser processing on all the streets W1 and W2 of the wafer W. A groove S is formed. As described above, in step ST4, after performing step ST3, the laser beam is irradiated onto the surface WS of the wafer W from the protective film P side along the streets W1 and W2 of the wafer W, and the laser processing groove S is formed in the wafer W. . Note that step ST4 is a laser processing groove forming step.

全てのストリートＷ１，Ｗ２にレーザー加工溝Ｓが形成されると、制御手段４０は、Ｘ軸駆動手段によりチャックテーブル１０を保護膜形成兼洗浄手段７０の近傍まで移動させ、第２の搬送手段８２にチャックテーブル１０上のレーザー加工が施されたウエーハＷを保護膜形成兼洗浄手段７０の保持テーブル７１上に載置させ、保持テーブル７１に保持させる。そして、制御手段４０は、保持テーブル７１を下降させた後、保持テーブル７１を中心軸線回りに回転させながら、洗浄ノズルから洗浄水を保持テーブル７１上のウエーハＷに噴出させる。すると、保護膜Ｐが水溶性樹脂で構成されているので、洗浄水及び遠心力により、保護膜Ｐがレーザー加工の際に付着したデブリとともにウエーハＷの表面ＷＳから除去される（洗い流される）。保護膜Ｐの除去が終了すると、制御手段４０は、保持テーブル７１の中心軸線回りの回転及び洗浄ノズルからの洗浄水の噴出を停止した後、保持テーブル７１を上昇させて、第１の搬送手段８１により仮置き手段６０まで搬送する。制御手段４０は、レーザー加工などが施されたウエーハＷを搬出入手段６１により仮置き手段６０からカセットエレベータ５０内に搬入する。   When the laser processing grooves S are formed in all the streets W1 and W2, the control means 40 moves the chuck table 10 to the vicinity of the protective film forming and cleaning means 70 by the X-axis driving means, and the second conveying means 82. The wafer W on which the laser processing is performed on the chuck table 10 is placed on the holding table 71 of the protective film forming and cleaning means 70 and held on the holding table 71. Then, the control means 40 lowers the holding table 71, and then jets cleaning water from the cleaning nozzle onto the wafer W on the holding table 71 while rotating the holding table 71 around the central axis. Then, since the protective film P is composed of a water-soluble resin, the protective film P is removed (washed away) from the surface WS of the wafer W together with debris adhering during laser processing by washing water and centrifugal force. When the removal of the protective film P is finished, the control means 40 stops the rotation around the central axis of the holding table 71 and the ejection of the washing water from the washing nozzle, and then raises the holding table 71 and the first conveying means. 81 to the temporary placement means 60. The control means 40 carries the wafer W that has been subjected to laser processing or the like into the cassette elevator 50 from the temporary placement means 60 by the carry-in / out means 61.

以上のように、本実施形態に係るチャックテーブル１０及びチャックテーブル１０を用いたレーザー加工方法によれば、ウエーハＷの外周縁Ｅが位置付けられる（載置される）部分が、ＬＥＤ１４の光を透過する光透過領域１７となっており、撮像時にはＬＥＤ１４を発光させるため、撮像手段３０にウエーハＷが暗く映り、光透過領域１７上のウエーハＷを囲繞する粘着テープＴがＬＥＤ１４からの光の影響により白く（明るく）映る。このように、本実施形態では、ウエーハＷを示す部分Ｂ１と光透過領域１７を示す部分Ｂ２の明暗が比較例（図１２に示す）よりも鮮明になり、透明に近い液状樹脂Ｊの液滴や気泡Ｂ（図１０中に点線で示す）が殆ど見えなくなった画像Ｇが得られる。このために、液滴や気泡Ｂの影響を受けることなく、ウエーハＷの外周縁Ｅの位置を検出でき、ウエーハＷの外周縁Ｅ全体の位置を誤りなく検出することができる。   As described above, according to the chuck table 10 and the laser processing method using the chuck table 10 according to the present embodiment, the portion where the outer peripheral edge E of the wafer W is positioned (placed) transmits the light of the LED 14. Since the LED 14 is caused to emit light during imaging, the wafer W appears dark on the imaging means 30, and the adhesive tape T surrounding the wafer W on the light transmitting area 17 is affected by the light from the LED 14. It appears white (bright). Thus, in the present embodiment, the brightness of the portion B1 indicating the wafer W and the portion B2 indicating the light transmission region 17 are clearer than those of the comparative example (shown in FIG. 12), and the liquid resin J droplets that are nearly transparent And an image G in which the bubbles B (shown by dotted lines in FIG. 10) are almost invisible. For this reason, the position of the outer peripheral edge E of the wafer W can be detected without being affected by the droplets or bubbles B, and the position of the entire outer peripheral edge E of the wafer W can be detected without error.

なお、図１２に示す比較例は、光透過領域１７及びＬＥＤ１４が設けられていない従来のチャックテーブルに保持されたウエーハＷなどを撮像して得た画像Ｇａである。比較例では、光透過領域１７及びＬＥＤ１４が設けられていないために、ウエーハＷを示す部分Ｂ１の光の輝度値とチャックテーブル１０の保持面１１ａを示す部分Ｂ２の光の輝度値の差が図１０に示された実施形態よりも遥かに小さくなって、液滴及び気泡Ｂを示す部分の光の輝度値がウエーハＷを示す部分Ｂ１の光の輝度値とチャックテーブル１０の保持面１１ａを示す部分Ｂ２の光の輝度値の双方と近い値となっている。   The comparative example shown in FIG. 12 is an image Ga obtained by imaging a wafer W or the like held on a conventional chuck table in which the light transmission region 17 and the LED 14 are not provided. In the comparative example, since the light transmission region 17 and the LED 14 are not provided, the difference between the light luminance value of the portion B1 indicating the wafer W and the light luminance value of the portion B2 indicating the holding surface 11a of the chuck table 10 is illustrated. 10 is much smaller than the embodiment shown in FIG. 10, and the light intensity value of the portion indicating the droplets and the bubbles B indicates the light intensity value of the portion B <b> 1 indicating the wafer W and the holding surface 11 a of the chuck table 10. The value is close to both of the luminance values of the light of the portion B2.

また、チャックテーブル１０の光透過領域１７以外の吸引領域１６が、通常用いられるポーラスセラミック等から形成されているので、チャックテーブル１０の外周に配設されたクランプ部１８を利用すれば、光透過領域１７に吸着機構を付与することなく、十分なウエーハＷの固定が実現できるため、光透過領域１７に例えば吸引用の溝を形成するなどの特別な加工をする必要がない。このために、吸引用の溝を形成する際に生じる、保持したウエーハＷに吸引用の溝の形状が反映されることがなく、レーザー加工などに悪影響を与えることを抑制できる。   Further, since the suction area 16 other than the light transmission area 17 of the chuck table 10 is formed of a commonly used porous ceramic or the like, if the clamp portion 18 disposed on the outer periphery of the chuck table 10 is used, the light transmission area 16 is achieved. Since sufficient fixing of the wafer W can be realized without providing an adsorption mechanism to the region 17, it is not necessary to perform special processing such as forming a suction groove in the light transmission region 17. For this reason, the shape of the suction groove is not reflected on the held wafer W, which is generated when the suction groove is formed, and it is possible to suppress adverse effects on laser processing and the like.

さらに、光透過領域１７を構成する透明又は半透明部材に、レーザー光線の波長に対して透過性、分散性を有する材料を用いられている。このために、万が一、ウエーハＷの外周縁Ｅからはみ出た位置にレーザー光線を照射しても、保持面１１ａがレーザー光線により損傷したり溶融したりすることを防止できる。   Further, a material having transparency and dispersibility with respect to the wavelength of the laser beam is used for the transparent or translucent member constituting the light transmission region 17. For this reason, even if a laser beam is irradiated to a position protruding from the outer peripheral edge E of the wafer W, the holding surface 11a can be prevented from being damaged or melted by the laser beam.

前述した実施形態では、保護膜Ｐを一旦被覆した後、レーザー加工を施しているが、本発明は、これに限定されることなく、必ずしも保護膜Ｐを一旦被覆しなくても良い。また、本実施形態では、撮像手段３０が得た画像Ｇに所定の閾値により２値化処理を施した後に、外周縁Ｅを検出（抽出）するようにしても良い。   In the above-described embodiment, the protective film P is once coated and then laser processing is performed. However, the present invention is not limited to this, and the protective film P may not necessarily be once coated. In the present embodiment, the outer peripheral edge E may be detected (extracted) after the image G obtained by the imaging unit 30 is binarized with a predetermined threshold.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。即ち、保持手段と回転手段と磁場変更手段は、実施形態に記載された構成及び配置に限定されることなく、種々の構成及び配置にしても良い。   The present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. That is, the holding unit, the rotating unit, and the magnetic field changing unit are not limited to the configurations and arrangements described in the embodiments, and may be various configurations and arrangements.

１０ チャックテーブル
１１ 保持部材
１１ａ 保持面
１２ 吸引源
１３ 吸引路
１４ ＬＥＤ（発光体）
１６ 吸引領域
１７ 光透過領域
３０ 撮像手段
Ｄ デバイス
Ｅ 外周縁
Ｆ 環状フレーム
Ｊ 液状樹脂（保護材料）
Ｐ 保護膜
Ｓ レーザー加工溝
Ｔ 粘着テープ
Ｗ ウエーハ
Ｗ１ 第１のストリート（分割予定ライン）
Ｗ２ 第２のストリート（分割予定ライン）
ＷＳ 表面
ＳＴ１ ウエーハ貼着ステップ
ＳＴ２ 保護膜被覆ステップ
ＳＴ３ 外周縁検出ステップ
ＳＴ４ レーザー加工溝形成ステップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Chuck table 11 Holding member 11a Holding surface 12 Suction source 13 Suction path 14 LED (light emitting body)
16 Suction area 17 Light transmission area 30 Imaging means D Device E Outer peripheral edge F Annular frame J Liquid resin (protective material)
P Protective film S Laser processing groove T Adhesive tape W Wafer W1 First street (scheduled division line)
W2 2nd street (division planned line)
WS surface ST1 Wafer sticking step ST2 Protective film coating step ST3 Outer edge detection step ST4 Laser processing groove forming step

Claims (1)

粘着テープを介して環状フレームに貼着され、表面に複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたウエーハを、該粘着テープを介して保持面で保持するチャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法であって、
該チャックテーブルは、吸引源に連通する吸引路と、該保持面を上面に有する保持部材と、該保持部材の下方に配設された発光体と、を備え、
該保持部材は、該吸引路からの負圧によって載置する該ウエーハを吸引保持する吸引領域と、該吸引領域を囲繞する透明又は半透明部材からなる光透過領域と、からなり、
該発光体は、該光透過領域の下方に配設され、
該光透過領域は、該ウエーハの直径に比較して外径が大きく、該ウエーハの直径に比較して内径が小さい環状に形成されており、
複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された表面を上面にして該ウエーハを環状フレームに該貼着テープを介して貼着するウエーハ貼着ステップと、
該ウエーハ貼着ステップを実施した後に、該ウエーハの該表面に保護材料を塗布して保護膜を形成する保護膜被覆ステップと、
該保護膜被覆ステップを実施した後に、該貼着テープを介して該チャックテーブルに載置した該ウエーハを、撮像手段を用いて撮像し、該ウエーハの外周縁を検出する外周縁検出ステップと、
該外周縁検出ステップを実施後、該ウエーハの分割予定ラインに沿って該保護膜側からレーザー光線を該ウエーハの該表面に照射し、該ウエーハにレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、を含み、
該外周縁検出ステップでは、該ウエーハの外周縁を該チャックテーブルの前記光透過領域上に位置付け、前記発光体を発光させて該ウエーハを撮像することを特徴とするチャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法。 A wafer laser processing method using a chuck table that holds a wafer that is attached to an annular frame via an adhesive tape and that has a plurality of devices partitioned by a line to be divided on the surface by a holding surface via the adhesive tape. There,
The chuck table includes a suction path communicating with a suction source, a holding member having the holding surface on an upper surface, and a light emitter disposed below the holding member,
The holding member includes a suction area for sucking and holding the wafer placed by negative pressure from the suction path, and a light transmission area made of a transparent or translucent member surrounding the suction area.
The light emitter is disposed below the light transmission region,
The light transmission region is formed in an annular shape having a large outer diameter compared to the diameter of the wafer and a small inner diameter compared to the diameter of the wafer,
A wafer adhering step of adhering the wafer to the annular frame via the adhering tape with the surface on which the device is formed in an area defined by a plurality of division lines as an upper surface;
A protective film coating step of forming a protective film by applying a protective material to the surface of the wafer after performing the wafer attaching step;
After performing the protective film coating step, an image of the wafer placed on the chuck table via the adhesive tape is imaged using an imaging means, and an outer periphery detection step for detecting the outer periphery of the wafer;
A laser processing groove forming step for irradiating the surface of the wafer with a laser beam from the side of the protective film along the planned dividing line of the wafer and forming a laser processing groove on the wafer; Including
In the outer periphery detection step, the wafer outer periphery using the chuck table is characterized in that the outer periphery of the wafer is positioned on the light transmission region of the chuck table, and the wafer is imaged by emitting the light emitter. Processing method.
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KR101787926B1 (en) * 2013-10-15 2017-10-18 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 Semiconductor-element manufacturing method and wafer mounting device
US9449877B2 (en) * 2014-09-17 2016-09-20 Asm Technology Singapore Pte Ltd Method of protecting a mounting tape during laser singulation of a wafer
JP6879747B2 (en) * 2017-01-16 2021-06-02 株式会社ディスコ Chuck table clogging detection method and processing equipment
JP6823528B2 (en) * 2017-04-17 2021-02-03 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP6994852B2 (en) * 2017-06-30 2022-01-14 株式会社ディスコ Laser processing equipment and laser processing method
KR102034551B1 (en) * 2017-09-18 2019-10-21 주식회사 이에스티 Electro Static Chuck including LED that arranges the object
JP7144964B2 (en) * 2018-04-27 2022-09-30 株式会社ディスコ Wafer grinding method
JP7132042B2 (en) * 2018-09-10 2022-09-06 株式会社ディスコ processing equipment

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06236918A (en) * 1993-02-09 1994-08-23 Sony Corp Method of detecting position of orientation flat of semiconductor wafer
JP2003150523A (en) * 2001-07-23 2003-05-23 Canon Inc Communication device, its control method, and e-mail system
JP2010186863A (en) * 2009-02-12 2010-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd Aligning mechanism, working device and aligning method

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