KR20150092705A - Support table - Google Patents

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사키 기무라
도시오 츠치야
다케시 데지마
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Abstract

The purpose of the present invention is to remove a ring-shaped reinforcement part stably without narrowing a device region in a wafer having the ring-shaped reinforcement part formed in the device region. The support table (5) has a device region (83), where multiple devices have been formed, and an outer circumference surplus region (84) for enveloping the device region formed on a surface thereof, and supports a wafer (W) having a ring-shaped reinforcement part (85) on a rear surface corresponding to the outer circumference surplus region. A ring-shaped relief groove (53) for relieving a laser beam is formed on the upper surface of the support table at a position corresponding to a border part (86) between the ring-shaped reinforcement part and the device region. Fine irregularities are formed on the groove bottom (54) of the relief groove to disperse a laser beam in a tapering shape.

Description

유지 테이블{SUPPORT TABLE}Maintenance table {SUPPORT TABLE}

본 발명은, 디바이스 영역의 주위에 형성된 링형 보강부를 웨이퍼로부터 제거하는 웨이퍼의 가공 방법에서 사용하는 유지 테이블에 관한 것이다. The present invention relates to a holding table used in a method of processing a wafer for removing a ring-shaped reinforcing portion formed around a device region from a wafer.

IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 표면측에 형성된 웨이퍼는, 다이싱 장치 등을 이용하여 개개의 디바이스로 분할되고, 각종 전자 기기에 삽입되어 널리 사용되고 있다. 전자 기기의 소형화, 경량화 등을 도모하기 위해, 웨이퍼의 두께가 예컨대 50 ㎛∼100 ㎛이 되도록 얇게 형성된다. 이러한 웨이퍼는 강성이 저하될 뿐만 아니라, 휘어짐이 발생하기 때문에 취급이 어려워지고, 반송 등에 있어서 파손될 우려가 있다. 따라서, 웨이퍼의 디바이스가 형성되는 디바이스 영역에 대응하는 이면만을 연삭함으로써, 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역에 대응하는 이면에 링형 보강부를 형성하여, 웨이퍼의 강성을 높이는 방법이 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). 2. Description of the Related Art A wafer having a plurality of devices such as ICs and LSIs formed on its front side is divided into individual devices using a dicing machine or the like and inserted into various electronic apparatuses and widely used. In order to reduce the size and weight of electronic devices, the thickness of the wafer is set to be, for example, 50 mu m to 100 mu m. Such wafers not only lower the rigidity but also cause warpage, which makes handling difficult, and there is a fear that the wafers will be damaged in transportation or the like. Accordingly, there has been proposed a method of increasing the rigidity of a wafer by forming a ring-shaped reinforcement on the back surface corresponding to the outer peripheral surplus area surrounding the device area by grinding only the back surface corresponding to the device area where the device of the wafer is formed See Document 1).

링형 보강부가 형성된 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라서 분할하기 전에, 웨이퍼로부터 링형 보강부를 제거하는 방법이 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 2 참조). 특허문헌 2에 기재된 방법에서는, 디바이스 영역과 링형 보강부(외주 잉여 영역)의 경계부가 절삭 블레이드에 의해 절단되어, 웨이퍼로부터 링형 보강부가 분리된다. 그리고, 링형 보강부가 제거된 후, 디바이스 영역이 남겨진 웨이퍼가 표면측으로부터 분할 예정 라인을 따라서 절삭 블레이드에 의해 절삭됨으로써, 웨이퍼가 개개의 디바이스로 분할된다. There has been proposed a method of removing the ring-shaped reinforcement portion from the wafer before the wafer having the ring-shaped reinforcement portion is divided along the line to be divided (see, for example, Patent Document 2). In the method described in Patent Document 2, the boundary between the device region and the ring-shaped reinforcement portion (outer peripheral region) is cut by the cutting blade, and the ring-shaped reinforcement portion is separated from the wafer. Then, after the ring-shaped reinforcement is removed, the wafer having the device area left is cut by the cutting blade along the line to be divided from the front side so that the wafer is divided into individual devices.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2007-19461호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-19461 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제2012-23175호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-23175

그러나, 특허문헌 2에 기재된 방법에서는, 디바이스 영역에서의 웨이퍼의 두께가 얇아질수록, 이 얇아진 부분과 링형 보강부 사이의 단차가 커진다. 이에 따라, 블레이드 허브와 링형 보강부의 접촉을 피하기 위해, 단차만큼 통상보다 절삭 블레이드의 날끝 돌출량을 크게 취할 필요가 있다. 절삭 블레이드의 날끝 돌출량이 큰 상태로 가공되면, 절삭 블레이드에 과잉으로 부하가 걸려, 절삭 블레이드가 사행하거나 파손되거나 할 우려가 있다. 블레이드폭을 두껍게 하여 사행이나 파손을 방지하는 것도 고려되지만, 절삭 블레이드가 두꺼워진 분만큼 절삭시의 홈폭이 커지고, 디바이스 영역이 작아진다고 하는 문제가 있다. However, in the method described in Patent Document 2, the thinner the wafer thickness in the device region, the larger the step between the thinned portion and the ring-shaped reinforcement portion becomes. Accordingly, in order to avoid contact between the blade hub and the ring-shaped reinforcement, it is necessary to take a larger projecting amount of the cutting edge of the cutting blade than the step difference. If the edge of the cutting blade is machined to have a large protrusion amount, excessive load is applied to the cutting blade, which may cause the cutting blade to meander or break. However, there is a problem in that the groove width at the time of cutting is increased by the thickening of the cutting blades, and the device area is reduced.

특히, 최근에는 칩사이즈의 대형화나 생산성을 향상시키기 위해 웨이퍼의 대구경화가 도모되고 있다. 대구경의 웨이퍼는 외경뿐만 아니라 두께도 커지기 때문에, 디바이스 영역에서의 웨이퍼의 두께를 얇게 함으로써, 링형 보강부의 단차가 증가하는 것이 상정된다. 따라서, 절삭 블레이드의 날끝 돌출량이 더욱 커져, 웨이퍼로부터 링형 보강부를 적절하게 제거하는 것이 어려워진다.Particularly, in recent years, in order to increase the size of the chip and to improve the productivity, the wafer is hardened to a large size. Since the diameter of not only the outer diameter but also the thickness of the wafer of the large diameter is increased, the step height of the ring-shaped reinforcement portion is assumed to be increased by thinning the thickness of the wafer in the device region. Therefore, the projecting amount of the cutting edge of the cutting blade becomes larger, and it becomes difficult to appropriately remove the ring-shaped reinforcement portion from the wafer.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 디바이스 영역의 주위에 링형 보강부가 형성된 웨이퍼에 있어서, 디바이스 영역을 좁게 하지 않고, 링형 보강부를 안정적으로 제거 가능한 웨이퍼의 가공 방법에서 사용하는 유지 테이블을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of these points and provides a holding table for use in a method of processing a wafer in which a ring reinforcing portion is stably removed without narrowing a device region in a wafer having a ring- .

본 발명의 유지 테이블은, 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역이 표면에 형성되고, 외주 잉여 영역에 대응하는 이면에 링형 보강부가 형성된 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블로서, 유지 테이블의 상면에는, 링형 보강부와 디바이스 영역의 경계부에 대응하는 위치에 레이저 광선을 릴리프시키기 위한 고리형의 릴리프 홈이 형성되어 있고, 릴리프 홈의 홈바닥에는 테이퍼 형상으로 레이저 광선이 산란하는 미세한 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. The holding table of the present invention is a holding table for holding a wafer in which a peripheral portion of a device region in which a plurality of devices is formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region are formed on a surface thereof and a ring- An annular relief groove for relieving the laser beam is formed on the upper surface of the table at a position corresponding to the boundary portion between the ring-shaped reinforcement portion and the device region. The bottom of the groove of the relief groove is provided with fine irregularities Is formed.

이 구성에 의하면, 디바이스 영역과 링형 보강부(외주 잉여 영역)의 경계부를 따라서 웨이퍼에 레이저 광선을 조사함으로써, 웨이퍼의 디바이스 영역과 링형 보강부가 분리된다. 이 때, 릴리프 홈의 테이퍼형의 홈바닥에는 미세한 요철이 형성되어 있기 때문에, 홈바닥에서 반사된 레이저 광선의 반사광이 레이저 광원으로부터 벗어나고 반사광의 강도가 약해져, 반사광에 의한 레이저 광원의 파손이 억제되고 있다. 절삭 블레이드를 이용하지 않고 디바이스 영역과 링형 보강부를 분리할 수 있기 때문에, 절삭 블레이드로 분리하는 경우와 같이, 절삭 블레이드의 날끝 돌출량이나 두께를 고려할 필요가 없다. 또한, 레이저 광선의 조사에 의해 웨이퍼가 가공되기 때문에, 가공 영역이 최소한으로 억제되어 디바이스 영역이 좁아지는 일이 없다. 또한, 웨이퍼의 대구경화에 따라서 두께가 커지는 경우라 하더라도, 링형 보강부를 안정적으로 제거할 수 있다. According to this configuration, by irradiating the wafer with a laser beam along the boundary between the device region and the ring-shaped reinforcement portion (outer peripheral surplus region), the device region of the wafer and the ring-shaped reinforcement portion are separated. At this time, since the tapered groove bottom of the relief groove is formed with fine irregularities, the reflected light of the laser beam reflected from the groove bottom deviates from the laser light source and the intensity of the reflected light becomes weak, so that breakage of the laser light source by reflected light is suppressed have. The device region and the ring-shaped reinforcement can be separated without using a cutting blade. Therefore, it is not necessary to consider the amount of protrusion of the cutting edge of the cutting blade and the thickness thereof, as in the case of separation by the cutting blade. Further, since the wafer is processed by irradiation of the laser beam, the machining area is minimized and the device area is not narrowed. Further, even if the thickness of the wafer is increased due to the large diameter of the wafer, the ring-shaped reinforcement can be stably removed.

또한, 본 발명의 상기 유지 테이블은, 웨이퍼의 이면 중 디바이스 영역의 이면측을 연삭하여 외주 잉여 영역의 이면측에 형성된 링형 보강부와 레이저 광선의 조사에 의해 제거할 때에 이용한다.Further, the holding table of the present invention is used when the back surface side of the back surface of the wafer is ground and removed by irradiating the ring-shaped reinforcing portion formed on the back side of the outer peripheral surplus region with a laser beam.

본 발명에 의하면, 디바이스 영역의 주위에 링형 보강부가 형성된 웨이퍼에 있어서, 디바이스 영역과 링형 보강부의 경계부를 따라서 레이저 광선을 조사함으로써, 디바이스 영역을 좁게 하지 않고, 링형 보강부를 안정적으로 웨이퍼로부터 분리할 수 있다. According to the present invention, by irradiating a laser beam along a boundary between a device region and a ring-shaped reinforcement portion in a wafer having a ring-shaped reinforcement portion around the device region, the ring-shaped reinforcement portion can be stably separated from the wafer have.

도 1은 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2는 도 2A 및 도 2B는 유지 테이블의 설명도이다.
도 3은 웨이퍼 접착 공정의 일례를 나타낸 도면이다.
도 4는 얼라인먼트 공정의 일례를 나타낸 도면이다.
도 5A∼도 5C는 링형 보강부 분리 공정의 일례를 나타낸 도면이다.
도 6은 링형 보강부 제거 공정의 일례를 나타낸 도면이다.
도 7은 디바이스 영역 지지 공정의 일례를 나타낸 도면이다.
도 8은 분할 공정의 일례를 나타낸 도면이다.
도 9A 및 도 9B는 유지 테이블의 릴리프 홈을 설명하는 모식도이다.
1 is a perspective view of a laser machining apparatus.
FIG. 2 is an explanatory diagram of the holding table. FIG. 2A and FIG.
3 is a view showing an example of a wafer bonding step.
4 is a view showing an example of an alignment process.
5A to 5C are views showing an example of a ring-shaped reinforced portion separation process.
6 is a view showing an example of a ring-shaped reinforced portion removing step.
7 is a view showing an example of a device region supporting process.
8 is a diagram showing an example of a dividing step.
9A and 9B are schematic diagrams illustrating the relief grooves of the holding table.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법에 관해 설명한다. 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼의 이면의 외주 부분만을 남기고 그 내측만을 연삭하여 형성된, 소위 TAIKO 웨이퍼에 대하여 실시되어, TAIKO 웨이퍼의 외주 부분을 제거하는 방법이다. 도 1은, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법에 이용되는 레이저 가공 장치의 사시도이다. 또, 레이저 가공 장치는, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법에서 사용 가능하면 되며, 도 1에 나타내는 구성에 한정되지 않는다. Hereinafter, a method of processing a wafer according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. The method of processing a wafer according to the present embodiment is a method for removing the outer circumferential portion of a TAIKO wafer, which is performed on a so-called TAIKO wafer formed by grinding only the inner side while leaving only the outer circumferential portion of the back surface of the wafer. 1 is a perspective view of a laser machining apparatus used in a method of processing a wafer according to the present embodiment. The laser processing apparatus can be used in the processing method of a wafer according to the present embodiment, and is not limited to the configuration shown in Fig.

도 1에 나타낸 바와 같이, 레이저 가공 장치(1)는, 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(2)과 웨이퍼(W)를 유지한 유지 테이블(5)을 상대 이동시켜, 웨이퍼(W)를 가공하도록 구성되어 있다. 웨이퍼(W)는, 대략 원판형으로 형성되어 있고, 표면(80)에 배열된 격자형의 분할 예정 라인(82)에 의해 복수의 영역으로 구획되어 있다(도 8 참조). 웨이퍼(W)의 중앙에는, 분할 예정 라인(82)으로 구획된 각 영역에 디바이스가 형성되어 있다. 웨이퍼(W)의 표면(80)(도 2B 참조)은, 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역(83)과, 디바이스 영역(83)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(84)으로 나누어져 있다. 1, the laser machining apparatus 1 relatively moves the laser beam irradiating means 2 for irradiating a laser beam and the holding table 5 holding the wafer W, . The wafer W is formed in a substantially disc shape and is divided into a plurality of regions by a grid-like dividing line 82 arranged on the surface 80 (see FIG. 8). At the center of the wafer W, a device is formed in each region partitioned by the line to be divided 82. The surface 80 (see Fig. 2B) of the wafer W is divided into a device region 83 in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral region 84 surrounding the device region 83.

웨이퍼(W)의 이면(81)은, 도 1 및 도 2B에 나타낸 바와 같이, 디바이스 영역(83)에 대응하는 중앙 부분만이 오목하게 연삭 가공되어 있고, 외주 잉여 영역(84)에 대응하는 부분에 볼록한 링형 보강부(85)가 형성되어 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 중앙 부분만이 얇아지고, 링형 보강부(85)에 의해 웨이퍼(W)의 강성이 높아졌다. 따라서, 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(83)이 얇아지고, 링형 보강부(85)에 의해 웨이퍼(W)의 휘어짐이 억제되어 반송시의 파손 등이 방지된다. 또, 웨이퍼(W)는, 실리콘, 갈륨비소 등의 반도체 웨이퍼이어도 좋고, 세라믹, 유리, 사파이어계의 광디바이스 웨이퍼이어도 좋다. As shown in Figs. 1 and 2B, only the central portion corresponding to the device region 83 is recessed in the back surface 81 of the wafer W, and a portion corresponding to the outer peripheral surplus region 84 Like reinforcing portion 85 is formed in the ring-shaped reinforcing portion 85. As a result, only the central portion of the wafer W is thinned, and the rigidity of the wafer W is increased by the ring-shaped reinforcement portion 85. Therefore, the device area 83 of the wafer W becomes thin, and the warp of the wafer W is suppressed by the ring-shaped reinforcing portion 85, so that breakage or the like during transportation can be prevented. The wafer W may be a semiconductor wafer of silicon, gallium arsenide, or the like, or an optical device wafer of ceramic, glass, or sapphire.

또한, 웨이퍼(W)의 표면(80)에는 유지 테이프(T1)가 접착되어 있고, 유지 테이프(T1)의 외주에는 개구부를 갖는 고리형의 프레임(F1)이 접착된 상태로 레이저 가공 장치(1)에 반송된다. 웨이퍼(W)에는, 디바이스 영역(83)과 외주 잉여 영역(84)의 경계부(86)(도 2B 참조)에 링형 보강부(85)에 의해 단차가 형성되어 있다. 절삭 블레이드를 이용한 메카니컬 다이싱에서는, 블레이드 허브가 링형 보강부(85)에 간섭함으로써 적절한 가공이 어렵기 때문에, 본 실시형태에서는 어블레이션 가공에 의해 웨이퍼(W)로부터 링형 보강부(85)를 분리하도록 하고 있다. The holding tape T1 is adhered to the surface 80 of the wafer W while the annular frame F1 having an opening is adhered to the outer periphery of the holding tape T1, . A step is formed on the wafer W by a ring-shaped reinforcing portion 85 at a boundary portion 86 (see Fig. 2B) between the device region 83 and the outer peripheral surplus region 84. In the mechanical dicing using the cutting blade, since the blade hub interferes with the ring-shaped reinforcement portion 85, it is difficult to perform appropriate processing. Therefore, in this embodiment, the ring- .

도 1에 나타낸 바와 같이, 레이저 가공 장치(1)의 베이스(11) 상면에는, 유지 테이블(5)을 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동시키는 유지 테이블 이동 기구(4)가 설치되어 있다. 유지 테이블 이동 기구(4)는, 베이스(11) 상에 배치된 X축 방향에 평행한 한쌍의 가이드 레일(41)과, 한쌍의 가이드 레일(41)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 X축 테이블(42)을 갖고 있다. 또한, 유지 테이블 이동 기구(4)는, X축 테이블(42)의 상면에 배치되고 Y축 방향에 평행한 한쌍의 가이드 레일(43)과, 한쌍의 가이드 레일(43)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 Y축 테이블(44)을 갖고 있다. 1, a holding table moving mechanism 4 for moving the holding table 5 in the X-axis direction and the Y-axis direction is provided on the upper surface of the base 11 of the laser processing apparatus 1. [ The holding table moving mechanism 4 includes a pair of guide rails 41 disposed on the base 11 and parallel to the X axis direction and a motor driven X axis table 41 provided slidably on the pair of guide rails 41. [ (42). The holding table moving mechanism 4 further includes a pair of guide rails 43 disposed on the upper surface of the X-axis table 42 and parallel to the Y-axis direction, motors provided slidably on the pair of guide rails 43, And a Y-axis table 44 for driving.

또한, X축 테이블(42) 및 Y축 테이블(44)의 배면측에는 각각 도시하지 않은 너트부가 형성되어 있고, 이들 너트부에 볼나사(45, 46)가 나사 결합되어 있다. 그리고, 볼나사(45, 46)의 일단부에 연결된 구동 모터(47, 48)가 회전 구동됨으로써, 유지 테이블(5)이 가이드 레일(41, 43)을 따라서 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동된다. Y축 테이블(44)의 상부에는 θ 테이블(49)이 설치되어 있고, θ 테이블(49)의 상부에는 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 테이블(5)이 설치되어 있다. A nut portion (not shown) is formed on the back surface side of the X-axis table 42 and the Y-axis table 44, and ball screws 45 and 46 are screwed to these nut portions. The driving motors 47 and 48 connected to one ends of the ball screws 45 and 46 are rotationally driven so that the holding table 5 moves in the X and Y axis directions along the guide rails 41 and 43 do. A θ table 49 is provided on the upper part of the Y axis table 44 and a holding table 5 for holding the wafer W is provided on the θ table 49.

유지 테이블(5)은, 스테인레스 등의 금속 재료로 원판형으로 형성되고, 상면에 웨이퍼(W)를 유지하는 유지면(51)을 갖고 있다. 유지면(51)에는 복수의 흡인 홈(57, 58)(도 2A 참조)이 형성되어 있고, 흡인 홈(57, 58)에 생기는 부압에 의해 웨이퍼(W)가 흡착 유지된다. 또한, 유지 테이블(5)의 주위에는 에어 구동식의 4개의 클램프부(60)가 설치되고, 각 클램프부(60)에 의해 웨이퍼(W) 주위의 프레임(F1)이 끼워져 고정된다. 유지 테이블(5)의 후방에는 수직벽부(12)가 세워져 있다. 수직벽부(12)로부터는 아암부(13)가 돌출되어 있고, 아암부(13)에는 유지 테이블(5)에 대향하도록 레이저 광선 조사 수단(2)이 설치되어 있다. The holding table 5 is formed of a metal material such as stainless steel in a disk shape and has a holding surface 51 for holding the wafer W on its upper surface. A plurality of suction grooves 57 and 58 (see FIG. 2A) are formed on the holding surface 51, and the wafer W is sucked and held by the negative pressure generated in the suction grooves 57 and 58. Four pneumatic clamping portions 60 are provided around the holding table 5 and the frames F1 around the wafers W are fixed by the respective clamping portions 60. [ A vertical wall portion 12 is provided at the rear of the holding table 5. An arm portion 13 protrudes from the vertical wall portion 12 and a laser beam irradiation means 2 is provided on the arm portion 13 so as to face the holding table 5. [

레이저 광선 조사 수단(2)은, 아암부(13)의 선단에 설치된 가공 헤드(21)를 갖고 있다. 아암부(13) 및 가공 헤드(21) 내에는, 레이저 광선 조사 수단(2)의 광학계 부품이 설치되어 있다. 가공 헤드(21)는, 도시하지 않은 발진기로부터 발진된 레이저 광선을 집광 렌즈에 의해 집광하여, 유지 테이블(5) 상에 유지된 웨이퍼(W)에 조사한다. 이 경우, 레이저 광선은, 웨이퍼(W)에 대하여 흡수성을 갖는 파장이며, 광학계 부품에 의해 웨이퍼(W)의 안쪽의 유지 테이프(T1)의 내부에 집광하도록 조정된다. 이 레이저 광선의 조사에 의해 웨이퍼(W)가 어블레이션 가공된다. The laser beam irradiating means 2 has a machining head 21 provided at the tip of the arm portion 13. In the arm portion 13 and the machining head 21, an optical system component of the laser beam irradiation means 2 is provided. The machining head 21 condenses a laser beam emitted from an oscillator (not shown) by a condenser lens and irradiates the wafer W held on the holding table 5. In this case, the laser beam is a wavelength having an absorbing property with respect to the wafer W, and is adjusted by the optical system component so as to be condensed on the inside of the holding tape T 1 inside the wafer W. The wafer W is subjected to ablation processing by irradiation of the laser beam.

또, 어블레이션이란, 레이저 빔의 조사 강도가 미리 정해진 가공 임계치 이상이 되면, 고체 표면에서 전자, 열적, 광과학적 및 역학적 에너지로 변환되고, 그 결과, 중성 원자, 분자, 플러스 마이너스의 이온, 라디칼, 클러스터, 전자, 광이 폭발적으로 방출되어, 고체 표면이 에칭되는 현상을 말한다. The ablation means that when the irradiation intensity of the laser beam is equal to or higher than a predetermined processing threshold value, it is converted into electron, thermal, optical, and mechanical energy at the solid surface and as a result, neutral atoms, molecules, plus or minus ions, radical , Clusters, electrons, and light are explosively released and the solid surface is etched.

또한, 레이저 광선 조사 수단(2)의 측방에는, 웨이퍼(W)의 외주 엣지(90)(도 2B 참조)를 촬상하는 촬상 수단(3)이 설치되어 있다. 촬상 수단(3)은, 웨이퍼(W)의 외주 엣지(90)에 촬상광을 조사하고, 그 반사광을 흡수하여 웨이퍼(W)의 외주 엣지(90)를 촬상한다. 촬상 수단(3)에 의해 웨이퍼(W)의 외주 엣지(90)의 임의의 3개소가 촬상되고, 각 촬상 화상에 대하여 화상 처리가 실시되어 외주 엣지(90)의 3점의 좌표가 검출된다. 이 외주 엣지(90)의 좌표에 기초하여 웨이퍼(W)의 중심이 산출되고, 산출된 웨이퍼(W)의 중심을 기준으로 얼라인먼트가 실시된다. An image pickup means 3 for picking up an outer edge 90 (see Fig. 2B) of the wafer W is provided on the side of the laser beam irradiating means 2. The imaging means 3 irradiates the peripheral edge 90 of the wafer W with imaging light and absorbs the reflected light to pick up the peripheral edge 90 of the wafer W. [ Three arbitrary positions of the outer circumferential edge 90 of the wafer W are picked up by the image pickup means 3 and image processing is carried out for each picked up image so that three coordinates of the outer circumferential edge 90 are detected. The center of the wafer W is calculated on the basis of the coordinates of the peripheral edge 90 and alignment is performed based on the calculated center of the wafer W. [

이와 같이 구성된 레이저 가공 장치(1)에서는, 얼라인먼트가 실시된 후에, 디바이스 영역(83)과 링형 보강부(85)(외주 잉여 영역(84))의 경계부(86)에 가공 헤드(21)가 위치 부여된다(도 5A 참조). 그리고, 가공 헤드(21)로부터 웨이퍼(W)를 향해서 레이저 광선이 조사된 상태로 유지 테이블(5)이 회전됨으로써, 유지 테이프(T1)와 함께 웨이퍼(W)가 절단된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)로부터 링형 보강부(85)와 함께 프레임(F1)이 분리된다. 그 후, 유지 테이프(T1)를 통해 프레임(F1)에 지지된 링형 보강부(85)가 프레임(F1)과 함께 유지 테이블(5)로부터 이탈되어, 웨이퍼(W)로부터 링형 보강부(85)가 제거된다(도 6 참조). The machining head 21 is positioned at the boundary 86 between the device region 83 and the ring reinforcing portion 85 (the outer peripheral surplus region 84) after the alignment, (See FIG. 5A). The holding table 5 is rotated with the laser beam irradiated from the processing head 21 toward the wafer W so that the wafer W is cut together with the holding tape T1. As a result, the frame F1 is separated from the wafer W together with the ring-shaped reinforcement portion 85. Thereafter, the ring-shaped reinforcement 85 supported on the frame F1 via the retaining tape T1 is released from the retention table 5 together with the frame F1 so that the ring-shaped reinforcement 85 is removed from the wafer W, (See Fig. 6).

도 2A 및 도 2B를 참조하여, 본 실시형태에 따른 유지 테이블(5)에 관해 상세히 설명한다. 도 2A는 본 실시형태에 따른 유지 테이블(5)의 사시도를 나타내고, 도 2B는 본 실시형태에 따른 유지 테이블(5)의 단면도를 나타내고 있다. 또, 도 2B에 있어서는, 유지 테이블(5) 상에 유지된 웨이퍼를 이점쇄선으로 나타내고 있다. The holding table 5 according to the present embodiment will be described in detail with reference to Figs. 2A and 2B. Fig. Fig. 2A shows a perspective view of the holding table 5 according to the present embodiment, and Fig. 2B shows a sectional view of the holding table 5 according to the present embodiment. In Fig. 2B, the wafer held on the holding table 5 is indicated by a two-dot chain line.

도 2A 및 도 2B에 나타낸 바와 같이, 유지 테이블(5)의 상면에는, 어블레이션 가공시에 레이저 광선을 릴리프시키는 고리형의 릴리프 홈(53)이 형성되어 있다. 릴리프 홈(53)은, 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(83)과 링형 보강부(85)(외주 잉여 영역(84))의 경계부(86)에 대응하고 있고, 유지 테이블(5)의 외주를 따라서 형성되어 있다. 유지 테이블(5)의 상면에 있어서 릴리프 홈(53)의 반경 방향 내측은, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지면(51)이 되어 있고, 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(83)에 대응하고 있다. 유지면(51)에는, 유지 테이블(5)의 중심에서 직교하는 십자형의 흡인 홈(57)과, 십자형의 흡인 홈(57)의 교점을 중심으로 한 동심원형의 링형의 복수의 흡인 홈(58)이 형성되어 있다. As shown in Figs. 2A and 2B, on the upper surface of the holding table 5, an annular relief groove 53 for relieving the laser beam at the time of ablation processing is formed. The relief groove 53 corresponds to the boundary portion 86 between the device region 83 of the wafer W and the ring reinforcing portion 85 (outer peripheral surplus region 84), and the outer periphery of the holding table 5 Therefore, it is formed. The inner side in the radial direction of the relief groove 53 on the upper surface of the holding table 5 is a holding surface 51 for holding the wafer W and corresponds to the device area 83 of the wafer W . The holding surface 51 is provided with a plurality of concentric ring-shaped suction grooves 58 around the intersection of the cross-shaped suction grooves 57 orthogonal to the center of the holding table 5 and the cross- Is formed.

십자형의 흡인 홈(57) 및 링형의 흡인 홈(58)은 이어져서 형성되어 있고, 유지 테이블(5) 내의 흡인로(59)를 통해 도시하지 않은 흡인원에 접속되어 있다. 흡인 홈(57, 58)에 생기는 부압에 의해, 웨이퍼(W)가 유지 테이프(T1)를 통해 유지면(51)에 흡인 유지된다. 또한, 유지 테이블(5)의 상면에 있어서 릴리프 홈(53)의 반경 방향 외측의 외주 가장자리부(52)는, 유지면(51)과 동일한 높이로 형성되어 있고, 웨이퍼(W)의 외측의 유지 테이프(T1)를 지지하고 있다. 이에 따라, 유지면(51)과 외주 가장자리부(52) 사이에서 유지 테이프(T1)가 수평 상태로 유지되어, 릴리프 홈(53) 내측으로(하측으로) 링형 보강부(85)가 휘어지지 않고, 레이저 광선의 조사 위치의 어긋남이 방지된다. The cross-shaped suction groove 57 and the ring-shaped suction groove 58 are formed successively and connected to a suction source (not shown) through a suction path 59 in the holding table 5. The wafer W is sucked and held on the holding surface 51 via the holding tape T 1 by the negative pressure generated in the suction grooves 57 and 58. The outer peripheral edge portion 52 of the upper surface of the holding table 5 in the radially outer side of the relief groove 53 is formed at the same height as the holding surface 51, Thereby supporting the tape T1. The retaining tape T1 is held in a horizontal state between the retaining surface 51 and the outer peripheral edge portion 52 so that the ring reinforcing portion 85 is not bent inside the relief groove 53 , The deviation of the irradiation position of the laser beam is prevented.

릴리프 홈(53)의 홈바닥(54)은, 유지 테이블(5)의 중심으로 갈수록 깊어지도록 경사져 있다. 홈바닥(54)의 테이퍼 형상의 표면에는, 레이저 광선을 산란시키는 미세한 요철이 샌드블라스트 등으로 형성되어 있다. 이 홈바닥(54)에서 반사된 레이저 광선의 반사광이 레이저 광원으로부터 벗어나고 반사광의 강도가 약해져, 반사광에 의한 레이저 광원의 파손이 억제되고 있다. 상세한 것은 후술하지만, 얼라인먼트시에는, 홈바닥(54)에서 반사된 촬상광의 반사광이 촬상 수단(3)(도 4 참조)으로부터 벗어나고 반사광의 강도가 약해져, 촬상 화상에서 웨이퍼(W)의 외주 엣지(90)를 나타내는 명암의 콘트라스트가 명확해진다.The groove bottom 54 of the relief groove 53 is inclined so as to become deeper toward the center of the holding table 5. On the tapered surface of the groove bottom 54, fine irregularities for scattering the laser beam are formed by sandblasting or the like. The reflected light of the laser beam reflected by the groove bottom 54 deviates from the laser light source and the intensity of the reflected light becomes weak and the damage of the laser light source due to the reflected light is suppressed. The reflected light of the picked-up light reflected by the groove bottom 54 deviates from the image pickup means 3 (see FIG. 4) and the intensity of the reflected light becomes weak at the time of alignment so that the edge of the outer periphery of the wafer W 90) becomes clear.

본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법에서는, 상기 레이저 가공 장치에 의해 웨이퍼로부터 링형 보강부가 제거된 후, 웨이퍼의 디바이스 영역이 개개의 칩으로 분할된다. 이하, 도 3 내지 도 8을 참조하여, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법에 관해 설명한다. 도 3은 웨이퍼 접착 공정, 도 4는 얼라인먼트 공정, 도 5A∼도 5C는 링형 보강부 분리 공정, 도 6은 링형 보강부 제거 공정, 도 7은 디바이스 영역 지지 공정, 도 8은 분할 공정의 각각 일례를 나타낸 도면이다. 도 5A는 링형 보강부 분리 공정을 측방으로부터 본 도면, 도 5B는 도 5A의 부분 확대도, 도 5C는 링형 보강부 분리 공정을 상방으로부터 본 도면을 각각 나타내고 있다. In the method of processing a wafer according to the present embodiment, after the ring-shaped reinforcement is removed from the wafer by the laser processing apparatus, the device region of the wafer is divided into individual chips. Hereinafter, a method of processing a wafer according to the present embodiment will be described with reference to Figs. 3 to 8. Fig. Fig. 3 shows a wafer adhering step, Fig. 4 shows an alignment step, Figs. 5A to 5C show a ring reinforcing part separation step, Fig. 6 shows a ring- Fig. FIG. 5A is a side view of the ring-shaped reinforced portion separating process, FIG. 5B is a partially enlarged view of FIG. 5A, and FIG. 5C is a view of the ring-shaped reinforced portion separating process from above.

도 3에 나타낸 바와 같이, 우선 웨이퍼 접착 공정이 실시된다. 웨이퍼 접착 공정에서는, 프레임(F1)의 개구부에 웨이퍼(W)가 수용되고, 웨이퍼(W)의 표면(80) 및 프레임(F1)에 유지 테이프(T1)가 접착된다. 이에 따라, 링형 보강부(85)를 상측을 향하게 한 상태로, 웨이퍼(W)가 유지 테이프(T1)를 통해 프레임(F1)에 지지된다. 웨이퍼(W)는, 유지 테이프(T1)를 통해 프레임(F1)의 내측에 지지된 상태로 상기 레이저 가공 장치(1)(도 1 참조)에 반입된다. 또, 웨이퍼 접착 공정은, 오퍼레이터의 수작업으로 실시되어도 좋고, 도시하지 않은 테이프 마운터에 의해 실시되어도 좋다. As shown in Fig. 3, a wafer bonding step is first carried out. In the wafer bonding step, the wafer W is received in the opening of the frame F1, and the holding tape T1 is bonded to the surface 80 of the wafer W and the frame F1. Thus, the wafer W is supported on the frame F1 via the retaining tape T1, with the ring-shaped reinforcement 85 facing upward. The wafer W is carried into the laser machining apparatus 1 (see Fig. 1) while being supported inside the frame F1 through the holding tape T1. The wafer bonding step may be performed manually by the operator or may be performed by a tape mounter (not shown).

도 4에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 접착 공정의 후에는 얼라인먼트 공정이 실시된다. 얼라인먼트 공정에서는, 프레임(F1)에 지지된 웨이퍼(W)가 유지 테이블(5)의 유지면(51)에 유지되고, 프레임(F1)이 클램프부(60)에 의해 끼워져 고정된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 링형 보강부(85)의 상측에 촬상 수단(3)이 위치 부여되고, 웨이퍼(W)의 외주 엣지(90)가 촬상 수단(3)에 의해 촬상된다. 이 때, 촬상 수단(3)으로부터 웨이퍼(W)의 외주 엣지(90) 주변에 촬상광이 조사되고, 외주 엣지(90) 주변의 반사광이 흡수됨으로써 촬상 화상이 생성된다. As shown in Fig. 4, after the wafer bonding step, an alignment step is performed. In the alignment step, the wafer W held by the frame F1 is held on the holding surface 51 of the holding table 5, and the frame F1 is sandwiched and fixed by the clamping portion 60. [ The imaging means 3 is positioned above the ring-shaped reinforcement portion 85 of the wafer W and the peripheral edge 90 of the wafer W is imaged by the imaging means 3. [ At this time, the imaging light is irradiated from the imaging means 3 to the periphery of the outer circumferential edge 90 of the wafer W, and the reflected light around the circumferential edge 90 is absorbed to generate the sensed image.

외주 엣지(90)의 내측에는 링형 보강부(85)의 수평인 상면(87)이 존재하고 있고, 촬상 수단(3)으로부터의 낙사광(촬상광)은, 링형 보강부(85)의 상면(87)에서 반사(헐레이션)되어 촬상 수단(3)에 흡수된다. 한편, 외주 엣지(90)의 외측에는 릴리프 홈(53)이 존재하고 있고, 촬상 수단(3)으로부터의 낙사광은, 유지 테이프(T1)를 투과하여 릴리프 홈(53)의 테이퍼 형상의 홈바닥(54)에서 반사된다. 이에 따라, 홈바닥(54)에서 반사된 광이 웨이퍼(W)의 중심으로 향하고 홈바닥(54)의 미세한 요철에 의해 산란된다. 따라서, 외주 엣지(90)의 외측에서 반사된 반사광은, 촬상 수단(3)에 흡수되기 어렵게 되어 있다. The horizontal upper surface 87 of the ring-shaped reinforcing portion 85 is present inside the peripheral edge 90. The lower surface 87 of the ring-shaped reinforcing portion 85 is located on the upper surface 87, and absorbed by the image pickup means 3. On the other hand, the relief groove 53 exists on the outer side of the outer peripheral edge 90 and the falling light from the image pickup means 3 is transmitted through the holding tape T1 to the tapered groove bottom of the relief groove 53 (54). Thus, the light reflected by the groove bottom 54 is directed toward the center of the wafer W and is scattered by the fine unevenness of the groove bottom 54. [ Therefore, the reflected light reflected from the outer side of the outer peripheral edge 90 is hardly absorbed by the image pickup means 3.

외주 엣지(90) 주변의 촬상 화상에서는, 촬상 수단(3)에 반사광이 흡수되는 외주 엣지(90)의 내측이 밝게 표시되는 한편, 촬상 수단(3)에 반사광이 흡수되기 어려운 외주 엣지(90)의 외측이 어둡게 표시된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 외주 엣지(90)에서의 명암의 콘트라스트가 명확해져, 외주 엣지(90)가 정확하게 인식된다. 동일하게 하여, 웨이퍼(W)의 복수 개소에 있어서 외주 엣지(90)가 촬상되고, 복수의 촬상 화상에 기초하여 각종 화상 처리가 실시되어 외주 엣지(90)의 좌표가 검출된다. 복수의 외주 엣지(90)의 위치 좌표에 기초하여 웨이퍼(W)의 중심이 산출되어 얼라인먼트가 실시된다. The inside of the peripheral edge 90 where the reflected light is absorbed by the imaging means 3 is brightly displayed while the peripheral edge 90 which is difficult to be absorbed by the imaging means 3 is reflected in the captured image around the circumferential edge 90, Is darkened. Therefore, the contrast of the light and darkness at the peripheral edge 90 of the wafer W becomes clear, and the peripheral edge 90 is correctly recognized. In the same manner, the peripheral edge 90 is picked up at a plurality of points on the wafer W, and various image processes are performed based on the plurality of picked-up images to detect the coordinates of the outer edge 90. The centers of the wafers W are calculated based on the position coordinates of the plurality of outer peripheral edges 90 and alignment is performed.

도 5A 내지 도 5C에 나타낸 바와 같이, 얼라인먼트 공정의 후에는, 링형 보강부 분리 공정이 실시된다. 링형 보강부 분리 공정에서는, 디바이스 영역(83)과 링형 보강부(85)(외주 잉여 영역(84)) 사이의 경계부(86)에 레이저 가공 홈(92)이 형성되는 제1 가공 공정이 실시된다. 제1 가공 공정에서는, 가공 헤드(21)의 바로 아래에 디바이스 영역(83)과 링형 보강부(85) 사이의 경계부(86)가 위치 부여된다. 그리고, 레이저 광선의 집광점 위치 및 스폿 직경(91)이 조정된 후, 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(83)과 링형 보강부(85)의 경계부(86)를 향해, 파선으로 나타내는 레이저 광선이 미리 정해진 스폿 직경(91)으로 조사된다. As shown in Figs. 5A to 5C, after the alignment step, the ring-shaped reinforced portion separation step is performed. The first processing step in which the laser processing groove 92 is formed in the boundary portion 86 between the device region 83 and the ring reinforcing portion 85 (the outer peripheral surplus region 84) is performed . In the first processing step, the boundary portion 86 between the device region 83 and the ring-like reinforcing portion 85 is positioned just below the processing head 21. [ After the position of the light-converging point and the spot diameter 91 of the laser beam are adjusted, a laser beam shown by the broken line is emitted toward the boundary 86 between the device region 83 of the wafer W and the ring- A predetermined spot diameter 91 is irradiated.

그리고, 레이저 광선이 조사된 상태로 유지 테이블(5)이 회전됨으로써, 디바이스 영역(83)과 링형 보강부(85)의 경계부(86)가 파선으로 나타내는 레이저 광선의 스폿 직경(91)(도 5C 참조)으로 제거된다. 이 때, 레이저 광선은, 웨이퍼(W) 및 유지 테이프(T1)를 관통하여 릴리프 홈(53)의 홈바닥(54)에서 유지 테이블(5)의 중심을 향하여 반사된다. 또한, 홈바닥(54)에는 미세한 요철이 형성되어 있기 때문에, 레이저 광선이 산란되어 강도가 약해진다. 이 때문에, 홈바닥(54)에서 반사된 레이저 광선이 가공 헤드(21)로 즉시 복귀하기 어려워져, 가령 반사된 레이저 광선이 가공 헤드(21) 내로 복귀하더라도, 강도가 저하되어 있기 때문에 레이저 광원에 손상을 주지 않는다.The holding table 5 is rotated in the state that the laser beam is irradiated so that the boundary 86 between the device region 83 and the ring reinforcing portion 85 is aligned with the spot diameter 91 of the laser beam shown by the broken line ). At this time, the laser beam passes through the wafer W and the holding tape T 1 and is reflected toward the center of the holding table 5 at the groove bottom 54 of the relief groove 53. Since the groove bottom 54 is formed with fine irregularities, the laser beam is scattered and the strength is weakened. This makes it difficult for the laser beam reflected by the groove bottom 54 to immediately return to the machining head 21. Even if the reflected laser beam returns to the machining head 21, It does not damage.

이와 같이 하여, 제1 가공 공정에 의해, 디바이스 영역(83)과 링형 보강부(85)의 경계부(86)가 유지 테이프(T1)와 함께 절단되어 레이저 가공 홈(92)이 형성된다. 그러나, 이 레이저 가공 홈(92)은 홈폭이 좁아, 어블레이션 가공으로 생기는 파편으로 매립되어 버릴 우려가 있다. 따라서, 제1 가공 공정의 후에는, 링형 보강부(85)와 디바이스 영역(83)이 분리되도록 레이저 가공 홈(92)을 넓히는 제2 가공 공정이 실시된다. 도 5B 및 도 5C에 나타낸 바와 같이, 제2 가공 공정에서는, 제1 가공 공정에 있어서 파선으로 나타내는 레이저 광선이 조사된 개소로부터, 레이저 광선의 미리 정해진 스폿 직경(91)보다 작은 거리만큼 가공 헤드(21)(레이저 광선 조사 수단(2))가 웨이퍼의 반경 방향으로 이동된다. Thus, by the first processing step, the boundary 86 between the device region 83 and the ring-like reinforcing portion 85 is cut together with the holding tape T1 to form the laser processing groove 92. [ However, this laser machining groove 92 has a narrow groove width, and may be buried with debris generated by ablation processing. Therefore, after the first machining step, a second machining step for widening the laser machining groove 92 is performed so that the ring-shaped reinforcement 85 and the device area 83 are separated from each other. 5B and 5C, in the second machining step, from the spot irradiated with the laser beam shown by the broken line in the first machining step, the spot diameter of the machining head 21 (laser beam irradiation means 2) is moved in the radial direction of the wafer.

그리고, 일점쇄선에 나타내는 레이저 광선이 조사된 상태로 유지 테이블(5)이 회전됨으로써, 디바이스 영역(83)과 링형 보강부(85)의 경계부(86)가 레이저 광선의 스폿 직경(91)으로 제거된다. 이 때의 레이저 광선의 스폿 직경(91)은, 제1 가공 공정에서 형성된 레이저 가공 홈(92)에 부분적으로 중복되고 있다. 이 때문에, 레이저 가공 홈(92) 내에 남겨진 파편이 제거되면서, 레이저 가공 홈(92)의 홈폭이 약간 확대된다. 이 2번의 레이저 가공에 의해서도 링형 보강부(85)와 디바이스 영역(83)이 분리되지 않은 경우에는, 다시 제2 가공 공정이 실시된다. The holding table 5 is rotated in a state irradiated with the laser beam shown by the dashed line so that the boundary 86 between the device region 83 and the ring reinforcing portion 85 is removed by the spot diameter 91 of the laser beam do. The spot diameter 91 of the laser beam at this time is partially overlapped with the laser machining groove 92 formed in the first machining step. Therefore, the debris remaining in the laser machining groove 92 is removed, and the groove width of the laser machining groove 92 slightly increases. When the ring-shaped reinforcement 85 and the device area 83 are not separated by the two laser machining, the second machining step is performed again.

제2 가공 공정은, 레이저 가공 홈(92)이 충분히 확대되어 웨이퍼(W) 및 유지 테이프(T1)가 완전히 분리될 때까지 반복된다. 이와 같이, 링형 보강부 분리 공정에서는, 제1 가공 공정에서 웨이퍼(W)로부터 링형 보강부(85)가 분리되지 않더라도, 제2 가공 공정이 반복됨으로써, 웨이퍼(W)로부터 링형 보강부(85)가 분리된다. 본 실시형태의 제1, 제2 가공 공정에서는, 예컨대, 레이저 광선의 스폿 직경이 90 ㎛, 레이저 가공의 라인 간격(인덱스)이 0.015 ㎛로 설정되고, 1 라인에 관해 2 왕복(4 패스)의 레이저 가공이 실시된다. The second processing step is repeated until the laser processing groove 92 is sufficiently enlarged to completely separate the wafer W and the holding tape Tl. Thus, even if the ring-shaped reinforcement 85 is not separated from the wafer W in the first machining step, the second machining step is repeated so that the ring-shaped reinforcement 85 is removed from the wafer W, . In the first and second processing steps of the present embodiment, for example, the spot diameter of the laser beam is set to 90 占 퐉, the line interval (index) of the laser processing is set to 0.015 占 퐉, Laser processing is performed.

도 6에 나타낸 바와 같이, 링형 보강부 분리 공정의 후에는, 링형 보강부 제거 공정이 실시된다. 링형 보강부 제거 공정에서는, 클램프부(60)에 의해 프레임(F1)을 끼워서 고정한 것이 해제되고, 반송 수단(71)이 유지 테이블(5)의 상측에 위치 부여된다. 그리고, 반송 수단(71)의 흡착 패드(72)에 의해 프레임(F1)이 유지되고, 유지 테이프(T1)를 통해 프레임(F1)에 지지된 링형 보강부(85)가 프레임(F1)과 함께 유지 테이블(5)로부터 이탈된다. 이에 따라, 유지 테이블(5) 상에는, 웨이퍼(W)로부터 링형 보강부(85)가 제거되고, 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(83)만이 남겨진다. 링형 보강부(85)가 제거된 웨이퍼(W)는 레이저 가공 장치(1)(도 1 참조)로부터 반출된다. As shown in Fig. 6, after the ring-shaped reinforced portion separating step, the ring-shaped reinforced portion removing step is performed. In the ring-shaped reinforced portion removing step, the clamping portion 60 releases the fastening of the frame F1, and the conveying means 71 is positioned above the holding table 5. The frame F1 is held by the suction pad 72 of the conveying means 71 and the ring reinforcing portion 85 supported by the frame F1 through the holding tape T1 is engaged with the frame F1 And is released from the holding table 5. Thus, the ring-shaped reinforcement 85 is removed from the wafer W and only the device area 83 of the wafer W is left on the holding table 5. The wafer W from which the ring-shaped reinforcement 85 has been removed is taken out of the laser machining apparatus 1 (see Fig. 1).

도 7에 나타낸 바와 같이, 링형 보강부 제거 공정의 후에는, 디바이스 영역 지지 공정이 실시된다. 디바이스 영역 지지 공정에서는, 링형 보강부(85)(도 6 참조)가 제거된 웨이퍼(W)가 별도의 프레임(F2)의 개구부에 수용되고, 웨이퍼(W)의 이면(81) 및 프레임(F2)에 새롭게 유지 테이프(T2)가 접착된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면(80)측을 상측을 향하게 한 상태로, 웨이퍼(W)가 유지 테이프(T2)를 통해 웨이퍼(W)가 프레임(F2)에 지지된다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면(80)에 남겨진 유지 테이프(T1)가 웨이퍼(W)로부터 박리된다. 웨이퍼(W)는, 유지 테이프(T2)를 통해 프레임(F2)의 내측에 지지된 상태로 절삭 장치(73)(도 8 참조)에 반입된다. 또, 디바이스 영역 지지 공정은, 오퍼레이터의 수작업으로 실시되어도 좋고, 도시하지 않은 테이프 마운터에 의해 실시되어도 좋다. As shown in Fig. 7, after the ring-shaped reinforced portion removing step, the device region supporting step is performed. In the device region supporting step, the wafer W from which the ring-shaped reinforcing portion 85 (see Fig. 6) is removed is received in the opening of the separate frame F2, and the back surface 81 of the wafer W and the frame F2 The retaining tape T2 is newly adhered. The wafer W is supported by the frame F2 via the holding tape T2 with the surface W of the wafer W facing upward. The holding tape T 1 remaining on the surface 80 of the wafer W is peeled off from the wafer W. The wafer W is carried into the cutting device 73 (see Fig. 8) while being supported inside the frame F2 through the holding tape T2. The device region supporting step may be performed manually by the operator or may be performed by a tape mounter (not shown).

도 8에 나타낸 바와 같이, 디바이스 영역 지지 공정의 후에는, 분할 공정이 실시된다. 분할 공정에서는, 웨이퍼(W)의 표면(80)을 상측을 향하게 하여, 절삭 장치(73)의 유지 테이블(74) 상에 유지된다. 절삭 블레이드(75)는, 웨이퍼(W)의 직경 방향 외측에서 분할 예정 라인(82)에 대하여 위치 맞춤되고, 이 위치에 있어서 유지 테이프(T2)의 도중까지 커팅 가능한 높이까지 하강된다. 그리고, 고속 회전하는 절삭 블레이드(75)에 대하여 유지 테이블(74) 상의 웨이퍼(W)가 절삭 이송됨으로써, 분할 예정 라인(82)을 따라서 웨이퍼(W)가 절삭된다. 모든 분할 예정 라인(82)을 따라서 절삭 동작이 반복됨으로써, 웨이퍼(W)가 개개의 디바이스로 분할된다. As shown in Fig. 8, after the device region supporting step, the dividing step is performed. The wafer W is held on the holding table 74 of the cutting device 73 with the surface 80 of the wafer W facing upward. The cutting blade 75 is aligned with the line to be divided 82 at the radially outer side of the wafer W and is lowered to a cuttable height in the middle of the holding tape T2 at this position. The wafer W on the holding table 74 is cut and transferred to the cutting blade 75 rotating at a high speed so that the wafer W is cut along the line 82 to be divided. The cutting operation is repeated along all the lines to be divided 82, whereby the wafer W is divided into individual devices.

또, 분할 공정에서는, 웨이퍼(W)의 분할 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 웨이퍼(W)를 하프컷하여 절삭 홈을 형성한 후에, 브레이킹 가공에 의해 웨이퍼(W)를 분할해도 좋다. 또한, 어블레이션 가공에 의해 웨이퍼(W)를 풀컷함으로써 웨이퍼(W)를 분할해도 좋고, SD 가공에 의해 웨이퍼(W) 내에 개질층을 형성한 후에, 개질층에 외력을 부여하여 웨이퍼(W)를 분할해도 좋다. 또, 개질층이란, 레이저 광선의 조사에 의해 웨이퍼(W)의 내부의 밀도, 굴절율, 기계적 강도나 그 밖의 물리적 특성이 주위와 상이한 상태가 되어, 주위보다 강도가 저하되는 영역을 말한다. 개질층은, 예컨대 용융 처리 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절율 변화 영역이며, 이들이 혼재한 영역이어도 좋다. In the dividing step, the method of dividing the wafer W is not particularly limited. For example, after the wafer W is half-cut to form a cutting groove, the wafer W may be divided by braking. It is also possible to divide the wafer W by a full cut of the wafer W by ablation processing and after the modified layer is formed in the wafer W by the SD processing, an external force is given to the modified layer, . The modified layer refers to a region in which density, refractive index, mechanical strength, and other physical properties of the interior of the wafer W are differentiated from the surroundings by the irradiation of a laser beam, and the strength of the modified layer is lower than that of the surrounding region. The modified layer may be, for example, a molten processed region, a crack region, an insulating breakdown region, a refractive index change region, or a mixed region thereof.

계속해서, 도 9A 및 도 9B를 참조하여, 유지 테이블의 릴리프 홈의 홈폭과 링형 보강부의 위치 관계에 관해 설명한다. 도 9A는 본 실시형태에 따른 릴리프 홈 주변의 확대도, 도 9B는 비교예에 따른 릴리프 홈 주변의 확대도를 각각 나타내고 있다. 또, 도 9B의 비교예에 있어서는, 본 실시형태와 동일한 명칭에 관해, 동일한 부호를 붙여 설명한다. Next, with reference to Figs. 9A and 9B, the positional relationship between the groove width of the relief groove of the holding table and the ring-shaped reinforcing portion will be described. Fig. 9A is an enlarged view of the periphery of a relief groove according to the present embodiment, and Fig. 9B is an enlarged view of a periphery of a relief groove according to a comparative example. In the comparative example of Fig. 9B, the same names as in the present embodiment are denoted by the same reference numerals.

도 9A에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 따른 릴리프 홈(53)은, 링형 보강부(85)보다 폭이 넓고, 링형 보강부(85)에 대응하는 위치에 형성되어 있다. 릴리프 홈(53)의 내측면(55)은, 링형 보강부(85)의 내주면(88)으로부터 내측에 약간의 거리(X1)를 두고 위치하고 있다. 또한, 릴리프 홈(53)의 외측면(56)은, 링형 보강부(85)의 외주면(89)으로부터 외측에 충분한 거리(X2)를 두고 위치하고 있다. 이와 같이, 본 실시형태에 따른 릴리프 홈(53)은, 내측면(55)이 링형 보강부(85)에 가깝고, 외측면(56)이 링형 보강부(85)로부터 멀어지도록 형성되어 있다. 9A, the relief grooves 53 according to the present embodiment are formed at positions corresponding to the ring-shaped reinforcing portions 85, which are wider than the ring-shaped reinforcing portions 85. As shown in Fig. The inner side surface 55 of the relief groove 53 is located at a slight distance X1 from the inner peripheral surface 88 of the ring-shaped reinforcing portion 85 to the inside. The outer side surface 56 of the relief groove 53 is located at a sufficient distance X2 from the outer circumferential surface 89 of the ring-shaped reinforcing portion 85 to the outside. As described above, the relief groove 53 according to the present embodiment is formed such that the inner side surface 55 is close to the ring-like reinforcement portion 85 and the outer surface 56 is away from the ring-like reinforcement portion 85. [

릴리프 홈(53)의 내측면(55)이 링형 보강부(85)의 내주면(88)에 근접해 있기 때문에, 웨이퍼(W)가 넓은 범위에서 유지 테이블(5)의 유지면(51) 상에 유지된다. 따라서, 레이저 가공시에는, 디바이스 영역(83)과 링형 보강부(85)(외주 잉여 영역(84))의 경계부(86) 부근이 유지면(51)에 안정적으로 지지되기 때문에, 경계부(86)에 대한 레이저 광선의 조사 위치에 어긋남이 생기지 않는다. 또한, 얼라인먼트시에는, 릴리프 홈(53)의 외측면(56)이 링형 보강부(85)의 외주면(89)으로부터 충분히 떨어져 있기 때문에, 촬상 수단(3)(도 4 참조)으로부터 릴리프 홈(53) 내로 향하는 광량이 많아진다. 따라서, 촬상 화상에서 어둡게 표시되는 개소가 명확해져, 웨이퍼(W)의 외주 엣지(90)가 인식되기 쉬워진다. Since the inner side surface 55 of the relief groove 53 is close to the inner peripheral surface 88 of the ring-shaped reinforcing portion 85, the wafer W is held on the holding surface 51 of the holding table 5 in a wide range. do. Therefore, at the time of laser processing, since the vicinity of the boundary portion 86 between the device region 83 and the ring-like reinforcing portion 85 (the outer peripheral surplus region 84) is stably supported on the holding surface 51, The irradiation position of the laser beam is not shifted. Since the outer surface 56 of the relief groove 53 is sufficiently away from the outer peripheral surface 89 of the ring-shaped reinforcing portion 85 at the time of alignment, relief grooves 53 (see FIG. 4) ) Is increased. Therefore, the darkened portion of the picked-up image becomes clear and the outer edge 90 of the wafer W is easily recognized.

한편, 도 9B에 나타낸 바와 같이, 비교예에 따른 릴리프 홈(53)도, 링형 보강부(85)보다 폭이 넓고, 링형 보강부(85)에 대응하는 위치에 형성되어 있다. 그러나, 릴리프 홈(53)의 내측면(55)은, 링형 보강부(85)의 내주면(88)으로부터 충분한 거리(X3)(X3>X1)를 두고 위치하고 있다. 또한, 릴리프 홈(53)의 외측면(56)은, 링형 보강부(85)의 외주면(89)으로부터 약간의 거리(X4)(X4<X2)를 두고 위치하고 있다. 이와 같이, 비교예에 따른 릴리프 홈(53)은, 내측면(55)이 링형 보강부(85)로부터 멀고, 외측면(56)이 링형 보강부(85)에 가까워지도록 형성되어 있다. On the other hand, as shown in Fig. 9B, the relief groove 53 according to the comparative example is also formed at a position corresponding to the ring-like reinforcing portion 85, which is wider than the ring- However, the inner side surface 55 of the relief groove 53 is located at a sufficient distance X3 (X3 > X1) from the inner circumferential surface 88 of the ring- The outer side surface 56 of the relief groove 53 is located at a slight distance X4 (X4 < X2) from the outer peripheral surface 89 of the ring- The relief groove 53 according to the comparative example is formed such that the inner side surface 55 is distant from the ring reinforcing portion 85 and the outer side surface 56 is closer to the ring reinforcing portion 85. [

릴리프 홈(53)의 내측면(55)이 링형 보강부(85)의 내주면(88)으로부터 멀기 때문에, 도 9A에 비교해서 유지면(51)에서의 웨이퍼(W)의 유지 범위가 좁아진다. 따라서, 레이저 가공시에는, 디바이스 영역(83)과 링형 보강부(85)(외주 잉여 영역(84))의 경계부(86) 부근이 유지면(51)에 안정적으로 지지되고 있지 않기 때문에, 경계부(86)에 대한 레이저 광선의 조사 위치에 어긋남이 생길 우려가 있다. 또한, 얼라인먼트시에는, 릴리프 홈(53)의 외측면(56)이 링형 보강부(85)의 외주면(89)에 근접해 있기 때문에, 촬상 수단(3)(도 4 참조)으로부터 릴리프 홈(53) 내로 향하는 광량이 적어진다. 따라서, 촬상 화상에서 어둡게 표시되는 개소가 애매해져, 웨이퍼(W)의 외주 엣지(90)가 인식하기 어려워진다.Since the inner side surface 55 of the relief groove 53 is distant from the inner circumferential surface 88 of the ring-shaped reinforcing portion 85, the holding range of the wafer W on the holding surface 51 is narrowed as compared with Fig. 9A. Therefore, at the time of laser processing, since the vicinity of the boundary 86 between the device region 83 and the ring-like reinforcing portion 85 (the outer peripheral surplus region 84) is not stably supported on the holding surface 51, 86 may be deviated from the irradiation position of the laser beam. Since the outer surface 56 of the relief groove 53 is close to the outer circumferential surface 89 of the ring-shaped reinforcement 85 at the time of alignment, relief grooves 53 are formed from the imaging means 3 (see FIG. 4) Lt; / RTI &gt; Therefore, dark portions displayed in the captured image become ambiguous, and the outer edge 90 of the wafer W becomes difficult to recognize.

이상과 같이, 본 실시형태에 따른 웨이퍼(W)의 가공 방법에 의하면, 디바이스 영역(83)과 링형 보강부(85)(외주 잉여 영역(84))의 경계부(86)를 따라서 웨이퍼(W)에 레이저 광선을 조사함으로써, 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(83)과 링형 보강부(85)가 분리된다. 그리고, 분리후의 링형 보강부(85)를 유지 테이블(5)로부터 이탈시킴으로써, 웨이퍼(W)로부터 링형 보강부(85)가 제거된다. 이와 같이, 절삭 블레이드를 이용하지 않고 디바이스 영역(83)과 링형 보강부(85)를 분리할 수 있기 때문에, 절삭 블레이드로 분리하는 경우와 같이, 절삭 블레이드의 날끝 돌출량이나 두께를 고려할 필요가 없다. 또한, 레이저 광선의 조사에 의해 웨이퍼(W)가 가공되기 때문에, 가공 영역이 최소한으로 억제되어 디바이스 영역(83)이 좁아지는 일이 없다. 또한, 웨이퍼(W)의 대구경화에 따라서 두께가 커지는 경우라 하더라도, 링형 보강부(85)를 안정적으로 제거할 수 있다. As described above, according to the processing method of the wafer W according to the present embodiment, the wafer W is processed along the boundary portion 86 between the device region 83 and the ring-like reinforcement portion 85 (outer peripheral surplus region 84) The device region 83 of the wafer W and the ring-like reinforcing portion 85 are separated from each other. Then, the ring-shaped reinforcement 85 is removed from the wafer W by removing the ring-shaped reinforcement 85 after separation from the holding table 5. As described above, since the device area 83 and the ring-shaped reinforcement 85 can be separated without using a cutting blade, it is not necessary to consider the amount of projection of the cutting edge of the cutting blade or the thickness thereof, . In addition, since the wafer W is processed by irradiation of the laser beam, the machining area is minimized and the device area 83 is not narrowed. Further, even if the thickness of the wafer W is increased due to the large diameter of the wafer W, the ring-shaped reinforcing portion 85 can be stably removed.

또, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 다양하게 변경하여 실시하는 것이 가능하다. 상기 실시형태에 있어서, 첨부 도면에 도시되어 있는 크기나 형상 등에 관해서는, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위내에서 적절하게 변경하는 것이 가능하다. 기타, 본 발명의 목적 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절하게 변경하여 실시하는 것이 가능하다. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications may be made. In the above-described embodiment, the size, the shape, and the like shown in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within the range of the effect of the present invention. It is to be understood that the present invention may be embodied with various changes and modifications without departing from the scope of the present invention.

예컨대, 상기 실시형태에 있어서, 유지 테이블(5)의 상면에 릴리프 홈(53)이 형성되는 구성으로 했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 레이저 광선의 반사에 의해 레이저 광원에 손상을 주지 않는다면, 유지 테이블(5)의 상면에 릴리프 홈(53)이 형성되어 있지 않아도 좋다. For example, in the above-described embodiment, relief grooves 53 are formed on the upper surface of the holding table 5, but the present invention is not limited to this configuration. The relief grooves 53 may not be formed on the upper surface of the holding table 5 unless the laser light source is damaged by the reflection of the laser beam.

또한, 상기 실시형태에 있어서, 릴리프 홈(53)의 홈바닥(54)은, 유지 테이블(5)의 중심으로 갈수록 깊어지도록 경사진 구성으로 했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 릴리프 홈(53)의 홈바닥(54)은, 얼라인먼트시의 촬상광이나 레이저 가공시의 레이저 광선을 조사원으로 복귀시키지 않도록 반사할 수 있다면, 어떻게 형성되어도 좋으며, 예컨대 홈바닥(54)은, 유지 테이블(5)의 외주로 갈수록 깊어지도록 경사져도 좋다. In the above embodiment, the groove bottom 54 of the relief groove 53 is inclined so as to become deeper toward the center of the holding table 5. However, the present invention is not limited to this configuration. The groove bottom 54 of the relief groove 53 may be formed as long as it can reflect the imaging light at the time of alignment and the laser beam at the time of laser processing so as not to return to the irradiation source. It may be inclined so as to become deeper toward the outer periphery of the table 5.

또한, 상기 실시형태에서는, 링형 보강부 제거 공정의 제1, 제2 가공 공정에 있어서, 레이저 광선의 조사 위치를 반경 방향 내측으로 인덱싱 이송하는 구성으로 했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 제1, 제2 가공 공정에 있어서, 레이저 광선의 조사 위치를 반경 방향 외측으로 인덱싱 이송하는 구성으로 해도 좋다. In the above embodiment, the irradiation position of the laser beam is indexed and transferred inward in the radial direction in the first and second processing steps of the ring-shaped reinforced portion removing step. However, the present invention is not limited to this configuration. In the first and second processing steps, the irradiation position of the laser beam may be indexed and transferred to the outside in the radial direction.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 디바이스 영역을 좁게 하지 않고, 링형 보강부를 안정적으로 제거할 수 있다고 하는 효과를 가지며, 특히, 대구경 사이즈의 웨이퍼로부터 링형 보강부를 제거하는 웨이퍼의 가공 방법에서 사용하는 유지 테이블에 유용하다. INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the present invention has an effect that it is possible to stably remove the ring-shaped reinforcement portion without narrowing the device region, and in particular, to provide a ring-shaped reinforcement portion Useful for tables.

1 : 레이저 가공 장치
2 : 레이저 광선 조사 수단
3 : 촬상 수단
4 : 유지 테이블 이동 기구
5 : 유지 테이블
51 : 유지면
52 : 외주 가장자리부
53 : 릴리프 홈
54 : 홈바닥
55 : 릴리프 홈의 내측면
56 : 릴리프 홈의 외측면
80 : 웨이퍼의 표면
81 : 웨이퍼의 이면
82 : 분할 예정 라인
83 : 디바이스 영역
84 : 외주 잉여 영역
85 : 링형 보강부
86 : 경계부
87 : 링형 보강부의 상면
88 : 링형 보강부의 내주면
89 : 링형 보강부의 외주면
90 : 외주 엣지
91 : 스폿 직경
92 : 레이저 가공 홈
F1, F2 : 프레임
T1, T2 : 유지 테이프
W : 웨이퍼
1: Laser processing device
2: laser beam irradiation means
3:
4: Holding table moving mechanism
5: retention table
51:
52: outer peripheral edge portion
53: relief home
54: Home floor
55: inner side of the relief groove
56: Outer side of the relief groove
80: surface of the wafer
81: back side of the wafer
82: Line to be divided
83: Device area
84: Outer redundancy area
85: ring type reinforcing portion
86:
87: Upper surface of the ring-
88: Inner circumferential surface of the ring-
89: outer peripheral surface of the ring-
90: Outer edge
91: Spot diameter
92: laser machining groove
F1, F2: Frame
T1, T2: Retention tape
W: Wafer

Claims (2)

복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역이 표면에 형성되고, 상기 외주 잉여 영역에 대응하는 이면에 링형 보강부가 형성된 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블로서,
상기 유지 테이블의 상면에는, 상기 링형 보강부와 상기 디바이스 영역의 경계부에 대응하는 위치에 레이저 광선을 릴리프시키기 위한 고리형의 릴리프 홈이 형성되어 있고, 상기 릴리프 홈의 홈바닥에는 테이퍼 형상으로 상기 레이저 광선이 산란하는 미세한 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유지 테이블.
1. A holding table for holding a wafer having a device region on which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region, the wafer having a ring-shaped reinforcement portion formed on a back surface corresponding to the outer peripheral surplus region,
An annular relief groove for relieving the laser beam is formed on the upper surface of the holding table at a position corresponding to the boundary between the ring-shaped reinforcement portion and the device region, and the laser beam is tapered at the groove bottom of the relief groove, Characterized in that fine irregularities scattering light rays are formed.
제1항에 있어서, 웨이퍼의 이면 중 상기 디바이스 영역의 이면측을 연삭하여 상기 외주 잉여 영역의 이면측에 형성된 상기 링형 보강부를 레이저 광선의 조사에 의해 제거할 때에 이용하는 것인 유지 테이블. The holding table according to claim 1, wherein the back surface side of the wafer is ground when the back surface side of the device region is ground and the ring-shaped reinforcing portion formed on the back side of the outer peripheral region is removed by irradiation with a laser beam.
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