JP5891608B2 - センサ装置並びにこれを用いた焦点検出装置、ae用検出装置及びカメラ - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施の形態によるカメラ1を示す概略構成図である。本発明によるカメラは、一眼レフの電子カメラとして構成されている。もっとも、本発明は、デジタル一眼レフカメラに限らず、例えば、一眼レフ以外の電子カメラや、ビデオカメラや、フィルムカメラなどにも適用することができる。
図7は、本発明の第2の実施の形態によるカメラのAF動作を示す概略フローチャートである。図7において、図4及び図6中のステップと同一又は対応するステップには同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
図8は、本発明の第3の実施の形態によるカメラのAF用センサチップ12及びCPU13等を示す概略ブロック図であり、図3に対応している。図8において、図3中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
図10は、本発明の第4の実施の形態によるカメラのAF用センサチップ12及びCPU13等を示す概略ブロック図であり、図8に対応している。図10において、図8中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
以上、本発明の各実施の形態及びその変形例について説明したが、本発明はそれらに限定されるものではない。
図12は、本発明の第5の実施の形態によるカメラのAE用センサチップ412及びCPU13等を示す概略ブロック図である。
12 AF用センサチップ
32A,32B 光電変換素子アレイ部
32a,32b 光電変換素子
33A,33B 可変ゲイン増幅器
34A,34B AD変換器
35A,35B メモリ
38 カウンタ
39 飽和検知部
43 出力部
51 判定部
52 設定部
53 制御部
412 AE用センサチップ
Claims (14)
- 複数の光電変換素子を有する光電変換素子アレイ部と、
1つ以上の基準レベルのそれぞれに関して、前記光電変換素子から出力される信号に応じたデータ値が前記基準レベル以上である前記データ値の数をカウントするか又は前記基準レベル以下である前記データ値の数をカウントするカウント部と、
CPUにより構成された判定部であって、前記CPUに所定以上の余力がない場合に前記カウント部によりカウントされたカウント値に基づいて前記出力が適正レベルであるか否かを判定し、前記CPUに前記所定以上の余力がある場合に前記複数の光電変換素子の出力のピーク値に基づいて前記出力が適正レベルであるか否かを判定する判定部と、
を備えたことを特徴とするセンサ装置。 - 前記CPUに前記所定以上の余力がない場合に前記カウント部によりカウントされたカウント値に基づいて次回の電荷蓄積時間を設定し、前記CPUに前記所定以上の余力がある場合に前記複数の光電変換素子の出力のピーク値に基づいて次回の電荷蓄積時間を設定する設定部と、
前記判定部により適正レベルでないと判定された場合に、前記設定部により設定された電荷蓄積時間で次回の電荷蓄積動作を行うように前記光電変換素子アレイ部を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする請求項1記載のセンサ装置。 - 前記複数の光電変換素子の出力をAD変換するAD変換部と、
前記AD変換部によりAD変換された出力値を記憶する記憶部と、
前記複数の光電変換素子のうちのいずれかの光電変換素子の出力が飽和していることを検知する飽和検知部と、
を備え、
前記判定部は、前記CPUに前記所定以上の余力がない場合に前記カウント値に基づいて前記記憶部に今回記憶された出力値が適正レベルであるか否かを判定し、前記CPUに前記所定以上の余力がある場合に前記記憶部に今回記憶された出力値のうちのピーク値に基づいて前記記憶部に今回記憶された出力値が適正レベルであるか否かを判定し、
前記判定部は、前記飽和検知部により前記飽和が検知された場合に、前記記憶部に今回記憶された出力値が適正レベルでないと判定する、
ことを特徴とする請求項2記載のセンサ装置。 - 複数の光電変換素子を有する光電変換素子アレイ部と、
今回の電荷蓄積動作による前記複数の光電変換素子の出力を増幅する増幅部と、
1つ以上の基準レベルのそれぞれに関して、前記増幅部により増幅された信号に応じたデータ値が前記基準レベル以上である前記データ値の数をカウントするか又は前記基準レベル以下である前記データ値の数をカウントするカウント部と、
CPUにより構成された判定部であって、前記CPUに所定以上の余力がない場合に前記カウント部によりカウントされたカウント値に基づいて前記増幅部により増幅された出力が適正レベルであるか否かを判定し、前記CPUに前記所定以上の余力がある場合に前記増幅部により増幅された前記複数の光電変換素子の出力のピーク値に基づいて前記増幅部により増幅された出力が適正レベルであるか否かを判定する判定部と、
を備えたことを特徴とするセンサ装置。 - 前記CPUに前記所定以上の余力がない場合に前記カウント部によりカウントされたカウント値に基づいて次回の前記増幅部のゲインを設定し、前記CPUに前記所定以上の余力がある場合に前記増幅部により増幅された前記複数の光電変換素子の出力のピーク値に基づいて次回の前記増幅部のゲインを設定する設定部を、備えたことを特徴とする請求項4記載のセンサ装置。
- 前記増幅部により増幅された前記複数の光電変換素子の出力をAD変換するAD変換部と、
前記AD変換部によりAD変換された出力値を記憶する記憶部と、
前記複数の光電変換素子のうちのいずれかの光電変換素子の前記増幅部による増幅後の出力が飽和していることを検知する飽和検知部と、
を備え、
前記判定部は、前記CPUに前記所定以上の余力がない場合に前記カウント値に基づいて前記記憶部に今回記憶された出力値が適正レベルであるか否かを判定し、前記CPUに前記所定以上の余力がある場合に前記記憶部に今回記憶された出力値のうちのピーク値に基づいて前記記憶部に今回記憶された出力値が適正レベルであるか否かを判定し、
前記判定部は、前記飽和検知部により前記飽和が検知された場合に、前記記憶部に今回記憶された出力値が適正レベルでないと判定する、
ことを特徴とする請求項5記載のセンサ装置。 - 前記CPUは、前記判定部としての処理以外の所定処理も行うことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のセンサ装置。
- 複数の光電変換素子を有する光電変換素子アレイ部と、
前記複数の光電変換素子の出力をAD変換するAD変換部と、
前記AD変換部によりAD変換された出力値を記憶する記憶部と、
1つ以上の基準レベルのそれぞれに関して、前記複数の光電変換素子のうち、前記出力が前記基準レベル以上である光電変換素子の数をカウントするか又は前記基準レベル以下である光電変換素子の数をカウントするカウント部と、
CPUにより構成された判定部であって、前記CPUに所定以上の余力がない場合に前記カウント部によりカウントされたカウント値に基づいて前記記憶部に今回記憶された出力値が適正レベルであるか否かを判定し、前記CPUに前記所定以上の余力がある場合に前記記憶部に今回記憶された出力値のうちのピーク値に基づいて前記記憶部に今回記憶された出力値が適正レベルであるか否かを判定する判定部と、
前記CPUに前記所定以上の余力がない場合に前記カウント部によりカウントされたカウント値に基づいて次回の電荷蓄積時間を設定し、前記CPUに前記所定以上の余力がある場合に前記記憶部に今回記憶された出力値のうちのピーク値に基づいて次回の電荷蓄積時間を設定する設定部と、
前記判定部により適正レベルでないと判定された場合に、前記設定部により設定された電荷蓄積時間で次回の電荷蓄積動作を行うように前記光電変換素子アレイ部を制御する制御部と、
前記CPUに前記所定以上の余力がない場合には、前記判定部により適正レベルであると判定された場合にのみ、前記記憶部に今回記憶された出力値を出力する出力部と、
を備え、
前記CPUは、前記判定部としての処理以外の所定処理も行うことを特徴とするセンサ装置。 - 複数の光電変換素子を有する光電変換素子アレイ部と、
今回の電荷蓄積動作による前記複数の光電変換素子の出力を増幅する増幅部と、
前記増幅部により増幅された前記複数の光電変換素子の出力をAD変換するAD変換部と、
前記AD変換部によりAD変換された出力値を記憶する記憶部と、
1つ以上の基準レベルのそれぞれに関して、前記複数の光電変換素子のうち、前記増幅部により増幅された出力が前記基準レベル以上である光電変換素子の数をカウントするか又は前記基準レベル以下である光電変換素子の数をカウントするカウント部と、
CPUにより構成された判定部であって、前記CPUに所定以上の余力がない場合に前記カウント部によりカウントされたカウント値に基づいて前記記憶部に今回記憶された出力値が適正レベルであるか否かを判定し、前記CPUに前記所定以上の余力がある場合に前記記憶部に今回記憶された出力値のうちのピーク値に基づいて前記記憶部に今回記憶された出力値が適正レベルであるか否かを判定する判定部と、
前記CPUに前記所定以上の余力がない場合に前記カウント部によりカウントされたカウント値に基づいて次回の電荷蓄積時間及び前記増幅部のゲインを設定し、前記CPUに前記所定以上の余力がある場合に前記記憶部に今回記憶された出力値のうちのピーク値に基づいて次回の電荷蓄積時間及び前記増幅部のゲインを設定する設定部と、
前記判定部により適正レベルでないと判定された場合に、前記設定部により設定された電荷蓄積時間で次回の電荷蓄積動作を行うように前記光電変換素子アレイ部を制御する制御部と、
前記CPUに前記所定以上の余力がない場合には、前記判定部により適正レベルであると判定された場合にのみ、前記記憶部に今回記憶された出力値を出力する出力部と、
を備え、
前記CPUは、前記判定部としての処理以外の所定処理も行うことを特徴とするセンサ装置。 - 複数の光電変換素子を有する光電変換素子アレイ部と、
今回の電荷蓄積動作による前記複数の光電変換素子の出力を増幅する増幅部と、
前記増幅部により増幅された前記複数の光電変換素子の出力をAD変換するAD変換部と、
前記AD変換部によりAD変換された出力値を記憶する記憶部と、
1つ以上の基準レベルのそれぞれに関して、前記複数の光電変換素子のうち、前記増幅部により増幅された出力が前記基準レベル以上である光電変換素子の数をカウントするか又は前記基準レベル以下である光電変換素子の数をカウントするカウント部と、
CPUにより構成された判定部であって、前記CPUに所定以上の余力がない場合に前記カウント部によりカウントされたカウント値に基づいて前記記憶部に今回記憶された出力値が適正レベルであるか否かを判定し、前記CPUに前記所定以上の余力がある場合に前記記憶部に今回記憶された出力値のうちのピーク値に基づいて前記記憶部に今回記憶された出力値が適正レベルであるか否かを判定する判定部と、
前記CPUに前記所定以上の余力がない場合に前記カウント部によりカウントされたカウント値に基づいて次回の前記増幅部のゲインを設定し、前記CPUに前記所定以上の余力がある場合に前記記憶部に今回記憶された出力値のうちのピーク値に基づいて次回の前記増幅部のゲインを設定する設定部と、
前記CPUに前記所定以上の余力がない場合には、前記判定部により適正レベルであると判定された場合にのみ、前記記憶部に今回記憶された出力値を出力する出力部と、
を備え、
前記CPUは、前記判定部としての処理以外の所定処理も行うことを特徴とするセンサ装置。 - 前記1つ以上の基準レベルが2つ以上の基準レベルであり、
前記記憶部に記憶された前記出力値を、順次供給される前記2つ以上の基準レベルと順次比較する比較部を備え、
前記カウント部は、前記比較部による比較結果に応じて前記数をカウントすることを特徴とする請求項3、6、8、9、10のいずれかに記載のセンサ装置。 - 請求項1乃至11のいずれかに記載のセンサ装置を備えたことを特徴とする焦点検出装置。
- 請求項1乃至11のいずれかに記載のセンサ装置を備えたことを特徴とするAE用検出装置。
- 請求項12記載の焦点検出装置及び請求項13記載のAE用検出装置のうちの少なくとも一方を備えたことを特徴とするカメラ。
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