JP5880439B2 - ガラス板およびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、日射透過率が高いガラス板およびその製造方法に関する。
太陽電池は、可視光領域および近赤外線領域の光によって発電できることから、太陽電池用ガラス板(カバーガラス、薄膜太陽電池用ガラス基板等)には、可視光透過率(以下、Tvと記す。)および日射透過率(以下、Teと記す。)が充分に高いガラス板が求められている。
また、太陽光を集光して熱源として利用することで発電を行う太陽熱発電においては、集光ミラーによる太陽光(特に近赤外線領域の光)の損失をできるだけ抑えるために、集光ミラー用ガラス板には、TvおよびTeが充分に高いガラス板が求められている。このガラス板は、平板状のガラス板、あるいは曲面状のガラス板として使用される。
そのため、太陽電池用ガラス板や集光ミラー用ガラス板としては、着色成分(特に鉄)の含有量を極めて少なくしてTvおよびTeを高くした高透過ガラス板(いわゆる白板ガラスとも呼ばれ、例えば、Tvが90%以上、Teが90%以上の高い透過率を有するガラス板が高透過ガラスと呼ばれている。)が用いられる(特許文献1参照)。
また、高透過ガラス板であっても、製造上不可避的に混入した鉄が含まれる。よって、高透過ガラス板においてTeを充分に高くするには、高透過ガラス板に含まれる全鉄のうち、波長400nm付近に吸収のピークを有する3価の鉄の割合をできるだけ増やし、1,000nmから1,100nmの波長範囲において吸収のピークを有する2価の鉄の割合をできるだけ減らすことが重要となる(特許文献2参照)。
しかし、高透過ガラス板には、下記の問題がある。
(i)高透過ガラス板の鉄の含有量を極めて少なくするためには、ガラス原料の鉄の含有量を極めて少なくする必要があるが、鉄の含有量が極めて少ないガラス原料は高価であるため、高透過ガラス板の原料コストは高くなる。
(ii)高透過ガラス板において2価の鉄の割合をできるだけ減らすためには、フロート法またはダウンドロー法で高透過ガラス板を製造する際の溶融ガラスの温度を、通常のガラス板を製造する場合に比べ低くする必要があり、生産性が悪い。
これまで高透過ガラス板を実現させるために、ガラスに含まれる全鉄のうちの2価と3価の割合を、微量の酸化剤を添加することでより3価側に調整する方法、また、ガラスの母組成を変え3価の鉄の吸収のピーク位置を移動する方法が提案されている。
たとえば、質量百分率表示で0.025〜0.20%の酸化セリウムを酸化剤として含有させることで、ガラスに含まれる全鉄のうち、1,000nmから1,100nmの波長範囲において吸収のピークを有する2価の鉄の割合を減じている(特許文献3参照)。
また、酸化第2鉄に換算した酸化鉄の全量が0.02〜0.2質量%のソーダ石灰シリカ系ガラスにおいて、その母組成を質量百分率表示で69〜75%のSiO、0〜3%のAl、0〜5%のB、2〜10%のCaO、2%未満のMgO、9〜17%のNaO、0〜8%のKO、随意にフッ素、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、および4%未満の酸化バリウムを含み、アルカリ土類金属の酸化物の合計が10%以下とすることによって、2価の鉄による吸収帯を長波長側に移動させ、通常の母組成のソーダ石灰シリカ系ガラスより着色が少ない、赤外吸収が良好な窓ガラスの製造が可能になるとされている(特許文献4参照)。
日本特開平4−228450号公報 日本特開2007−238398号公報 日本特許第4087113号公報 日本特開平8−40742号公報
特許文献3に記載された方法によれば、確かにガラスに含まれる全鉄のうち、1,000nmから1,100nmの波長範囲において吸収のピークを有する2価の割合を減じることでTeを高めることができる。しかし、特許文献3に記載されている通り、酸化セリウムを添加したガラスに紫外線を照射すると、特に可視域の長波長側から赤外域にかけて大幅に透過率が低下し、結果としてTeへ悪影響を及ぼすため望ましくない。実質的に含まれない程度の少量の添加であればこの問題は発生しないが、その場合ガラスに含まれる全鉄のうちの2価の割合を減じる効果はほとんど得られない。
また、特許文献4に記載された方法によれば、2価の鉄による1,000nmから1,100nmの波長範囲の吸収ピークを長波長側へと移動させることが可能であるが、実質的な吸光量は変化しないことからTeへの影響は極めて小さい。たとえば、太陽熱発電用の集光ミラー用ガラス板のように、可視域から近赤外域における太陽光を余すところなく活用したい用途の場合、より本質的に2価の鉄による吸収ピークを減ずる方法の確立が望まれる。
本発明は、従来技術の課題を、ガラスの母組成を調整することで2価の鉄による1,000nmから1,100nmの波長範囲の吸収ピーク強度自体を低下させる方法により解決する。
本発明は、従来のガラス板と同程度の鉄の含有量の場合には、従来のガラス板よりもTeを高くでき、または、従来のガラス板よりも鉄の含有量が多い場合には、従来のガラス板と同レベルのTeにでき、かつ生産性がよいガラス板およびその製造方法を提供する。
本発明のガラス板は、少なくともSiO MgO、CaO、NaOおよびAlを含むソーダライムシリカガラスからなるフロートガラス板であって、酸化物基準の質量百分率表示でSiO を60〜74%、MgOを4.5〜15、CaOを0.5〜10%、Na Oを10〜20%、Al を0%超10.3%以下、およびB を0〜1%含み、酸化物基準の質量百分率表示のMgOの含有量と酸化物基準の質量百分率表示のCaOの含有量との比([MgO]/[CaO])が、1より大きく、下式(1)で求めたQ値が、22以上であり、前記ガラス板の板厚4mm換算で、可視光線透過率(Tv)が80%以上であることを特徴とする。
Q=([MgO]/[CaO])×([CaO]+[NaO]−[Al]) ・・・(1)。
ただし、[MgO]は、酸化物基準の質量百分率表示のMgOの含有量であり、[CaO]は、酸化物基準の質量百分率表示のCaOの含有量であり、[NaO]は、酸化物基準の質量百分率表示のNaOの含有量であり、[Al]は、酸化物基準の質量百分率表示のAlの含有量である。
本発明のガラス板において、前記した酸化物基準の質量百分率表示のMgOの含有量と酸化物基準の質量百分率表示のCaOの含有量との比([MgO]/[CaO])は、1より大きく、30を超えない範囲が好ましく、また、前記した式(1)で求めたQ値は、22以上、400以下であるのが好ましい。
本発明のガラス板において、酸化物基準の質量百分率表示で、A の含有量の上限値が5.3%であることが好ましい
本発明のガラス板において、酸化物基準の質量百分率表示で、Nの含有量の下限値が10.7%であることが好ましい
本発明のガラス板において、酸化物基準の質量百分率表示で、MgOの含有量の上限値が12.3%であることが好ましい
本発明のガラス板において、酸化物基準の質量百分率表示で、CaOの含有量の上限値が4.8%であり、前記した式(1)で求めたQ値が25以上であることが好ましい
本発明のガラス板において、酸化物基準の質量百分率表示で、SiO の含有量の上限値が71.1%であり、CaOの含有量の下限値が1%であることが好ましい
本発明のガラス板において、酸化物基準の質量百分率表示で、SiO の上限値が69.9%であり、Al の含有量の下限値が1.8%であることが好ましい
本発明のガラス板において、酸化物基準の質量百分率表示で、SiO の含有量の下限値が66.5%であることが好ましい。
上記した数値範囲を示す「〜」とは、特段の定めがない限り、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含む意味で使用され、以下本明細書において「〜」は、同様の意味をもって使用される。
本発明のガラス板の製造方法は、ガラス原料を溶融し、フロート法またはダウンドロー法で成形する、少なくともSiO MgO、CaO、NaOおよびAlを含むソーダライムシリカガラスからなるガラス板の製造方法であって、成形後のガラス板が、酸化物基準の質量百分率表示でSiO を60〜74%、MgOを4.5〜15、CaOを0.5〜10%、Na Oを10〜20%、Al を0%超10.3%以下、およびB を0〜1%含み、酸化物基準の質量百分率表示のMgOの含有量と酸化物基準の質量百分率表示のCaOの含有量との比([MgO]/[CaO])が、1より大きく、前記式(1)で求めたQ値が、22以上であり、前記ガラス板の板厚4mm換算で、可視光線透過率(Tv)が80%以上であることを特徴とする。
本発明のガラス板においては、鉄の含有量が通常のソーダライムシリカガラス板と同じ程度のレベルのガラス板の場合でも、従来の鉄の含有量を少なくした高透過ガラス板と同程度の高いTeを有するガラス板となる。また、鉄の含有量の低いガラス板の場合では、非常に高いTeを有するガラス板となる。
本発明のガラス板の製造方法によれば、従来のガラス板と同程度の鉄を含有するガラス原料から、従来のガラス板よりもTeが高いガラス板を製造でき、または、従来のガラス板よりも鉄の含有量が少ないガラス原料から非常に高いTeを有するガラス板を効率的に製造できる。
例1〜19における[MgO]/[CaO]とTeとの関係を示すグラフである。 例1〜19におけるQ値とTeとの関係を示すグラフである。 例20〜28における[MgO]/[CaO]とTeとの関係を示すグラフである。 例20〜28におけるQ値とTeとの関係を示すグラフである。
本発明のガラス板は、フロート法またはダウンドロー法で製造されたガラス板であり、ロールアウト法で製造される、いわゆる型板ガラスとは異なるガラス板である。
また、本発明のガラス板は、SiOを主成分とし、さらにNaO、CaO等を含む、いわゆるソーダライムシリカガラスからなるものである。
本発明のガラス板は、少なくともMgO、CaO、NaOおよびAlを含む上記ソーダライムシリカガラスからなるガラス板であって、酸化物基準の質量百分率表示でMgOを4.5%以上含むと同時に、酸化物基準の質量百分率表示のMgOの含有量と酸化物基準の質量百分率表示のCaOの含有量との比([MgO]/[CaO])が1より大きくされている、すなわち、MgOの含有量が、絶対値およびCaOの含有量に対する相対値ともに通常のソーダライムシリカガラス(通常の高透過ガラス板を含む。)よりも多い組成とされている。
MgOの含有量を多くすることによって、1,000nmから1,100nmの波長範囲に吸収のピークを有する6配位の2価の鉄の割合を減らし、波長1100nm付近に吸収のピークを有さない2価の鉄の割合を増やすことができるため、Feに換算した全鉄中のFeに換算した2価の鉄の質量割合(以下、Redoxと記す。すなわち、Redox(%)は、Fe2+/(Fe2++Fe3+)で表わされる。)を減らした場合と同じような効果を発揮できる。
MgOの含有量は、酸化物基準の質量百分率表示で4.5%以上であり、4.5〜15%が好ましく、4.5〜13%がより好ましく、4.5〜10%がさらに好ましい。MgOの含有量が多すぎると失透温度が上昇する。
また、[MgO]/[CaO]は、1より大きくされる。この[MgO]/[CaO]値は、20以下が好ましい。特に、1超、11以下が好ましい。[MgO]/[CaO]は、Feに換算した全鉄の含有量が、酸化物基準の質量百分率表示で0.01〜0.1%のガラス組成では、1.25以上がより好ましく、さらに30以下が好ましい。
本発明のガラス板は、下式(1)で求めたQ値が20以上とされている。
Q=([MgO]/[CaO])×([CaO]+[NaO]−[Al]) ・・・(1)。
ただし、[MgO]は、酸化物基準の質量百分率表示のMgOの含有量であり、[CaO]は、酸化物基準の質量百分率表示のCaOの含有量であり、[NaO]は、酸化物基準の質量百分率表示のNaOの含有量であり、[Al]は、酸化物基準の質量百分率表示のAlの含有量である。
Q値が20以上ということは、[MgO]/[CaO]が高くされているだけではなく、CaOとNaOの合計の含有量がAlの含有量よりもかなり多い組成とされていることを意味する。CaOとNaOの合計の含有量をAlの含有量よりも多くすることによって、ガラス溶解時に存在する鉄が3価の鉄として存在しやすくなり、酸化剤の添加によることなく、ガラスのRedoxが低く抑えられる。
Q値は、20以上であり、25以上が好ましい。Q値は、400以下が好ましい。
本発明のガラス板は、下記の組成(I)を有するソーダライムシリカガラスからなることが好ましく、下記の組成(IV)を有するソーダライムシリカガラスからなることがより好ましく、下記の組成(V)を有するソーダライムシリカガラスからなることがより一層好ましく、下記の組成(VI)を有するソーダライムシリカガラスからなることが最も好ましい。特に(VI)の組成では、Feが少ないことによる透過率、Teの改善、また、波長1100nm付近に吸収のピークを有さない2価の鉄の割合を増やす効果によるTeの改善が行え、可視〜近赤外域における光の透過が高い点で優れている。
(I)酸化物基準の質量百分率表示で、
SiO :60〜75%、
Al :0%超、
NaO :10〜20%、
MgO :4.5%以上、
CaO :1〜10%、
を含む。
(IV)酸化物基準の質量百分率表示で、
SiO :60〜75%、
Al :0%超4.5%以下、
NaO :10〜20%、
MgO :4.5〜15%、
CaO :1〜10%、
ZrO :0〜3%、
Feに換算した全鉄:0〜0.1%、
CeO :0〜0.1%、
Sb2O3 :0〜0.5%、
を含む。
(V)酸化物基準の質量百分率表示で、
SiO :60〜74.5%、
Al :0.5〜3.5%、
:0〜9%、
NaO :10〜20%、
O :0〜5%、
MgO :4.5〜13%、
CaO :1〜10%、
Feに換算した全鉄:0〜0.1%、
CeO :0〜0.05%、
Sb :0〜0.5%、
を含む。
(VI)酸化物基準の質量百分率表示で、
SiO :60〜74%、
Al :0.5〜2.5%、
:0〜5%、
NaO :10〜20%、
O :0〜3%、
MgO :4.5〜10%、
CaO :1〜10%、
Feに換算した全鉄:0.005〜0.06%、
Sb :0〜0.1%、
ZrO :0〜3%、
を含み、CeOを実質的に含まない。
以下、本発明のガラス板の組成の各成分について、説明する。
SiOはガラスの主成分である。
SiOの含有量が60%未満では、ガラスの安定性が低下する。SiOの含有量が75%を超えるとガラスの溶解温度が上昇し、溶解できなくなるおそれがある。SiOの含有量は、酸化物基準の質量百分率表示で60〜75%が好ましく、60〜74.5%がより好ましく、60〜74%がより好ましい。
Alは、耐候性を向上させる成分である。
Alを含有すると耐候性改善に効果が見られ、含有していることが必要である。Alの含有量が、0.5%以上であれば、耐候性が良好となる。他の成分の量によって適宜Alの含有量を増やすことで高温粘性を調整し泡品質を改善することができるが、Alの含有量が4.5%を超えると溶解性が著しく悪化する。Alを含有することが必要で、酸化物基準の質量百分率表示で0%超4.5%以下が好ましく、0.5〜3.5%がより好ましく、0.5〜2.5%がさらに好ましい。
はガラス原料の溶融を促進する成分であるが、ソーダライムシリカガラスへ大量に添加すると、揮発による脈理(ream)の生成、炉壁の侵食等の不都合が多く、製造上適さない場合もある。
の含有量は、酸化物基準の質量百分率表示で1%以下が好ましく、実質的に含有しないことがより好ましい。ここで、実質的に含有しないとは不純物程度の量が混入してもよいことを意味する。
なお、Bは、ガラスの機械的特性、耐候性を向上させる点で良いので、ガラス板に含ませることができる。
NaOはガラス原料の溶融を促進する必須成分である。
NaOの含有量が20%を超えるとガラスの耐候性および安定性が悪化する。10%未満ではガラスの溶解が困難になる。NaOの含有量は、酸化物基準の質量百分率表示で10〜20%が好ましい。
Oは必須ではないが、ガラス原料の溶融を促進し、熱膨張、粘性等を調整する成分である。
Oの含有量が5%を超えるとガラスの耐候性および安定性が悪化する。また、3%を超えるとバッチコストが上昇してしまう。KOの含有量は、酸化物基準の質量百分率表示で0〜5%が好ましく、0〜3%がより好ましい。
CaOはガラス原料の溶融を促進し、また粘性、熱膨張係数等を調整する成分であり、ガラスのRedoxを低く抑える成分である。
CaOの含有量が10%を超えると失透温度が上昇する。CaOの含有量は、酸化物基準の質量百分率表示で1〜10%が好ましい。
ZrOは必須ではないが、ガラスの弾性率を向上させる成分である。
ZrOの含有量が3%を超えると、ガラスの熔解特性が悪化する。ZrOの含有量は、酸化物基準の質量百分率表示で0〜3%が好ましい。
Feは製造上不可避的に混入した着色成分である。
Feに換算した全鉄の含有量は、0〜0.1%であるのが好ましい。
Feに換算した全鉄の含有量が、特に0.06%以下であれば、Tvの低下が抑えられる。特に、太陽電池用ガラス板や集光ミラー用ガラス板としてはFeに換算した全鉄の含有量は、酸化物基準の質量百分率表示で0.050%以下が好ましく、0.040%以下が、より好ましく、0.020%以下が、さらに好ましく、0.017%以下が特に好ましい。
特に、Fe含有量が、0〜0.04%であれば、更に一層高いTvとTeを有するガラス板を得ることができ、好ましい。
本明細書においては、全鉄の含有量を標準分析法にしたがってFeの量として表しているが、ガラス中に存在する鉄がすべて3価の鉄として存在しているわけではない。通常、ガラス中には2価の鉄が存在している。2価の鉄は、1,000nmから1,100nmの波長範囲において吸収のピークを有し、波長800nmよりも短い波長にも吸収を有し、3価の鉄は波長400nm付近に吸収のピークを有する。2価の鉄の増加は、上述の1,000nmから1,100nmの波長範囲の近赤外領域の吸収の増加になり、これをTeで表現するとTeが減少することを意味する。そのため、Tv、Teについて着目した場合、Feに換算した全鉄の含有量を抑えることで、Tvの低下を抑え、2価の鉄よりも3価の鉄を多くすることで、Teの低下を抑える。したがって、Tv、Teの低下を抑える点では、全鉄量を減らし、ガラスのRedoxを低く抑えることが好ましい。
本発明のガラス板におけるRedoxは、40%以下が好ましい。Redoxが40%以下であれば、Teの低下が抑えられる。Redoxは、35%以下がより好ましい。
本発明のガラス板は、清澄剤として用いたSOを含んでいてもよい。SOに換算した全硫黄の含有量は、酸化物基準の質量百分率表示で0.02〜0.5%が好ましい。SOに換算した全硫黄の含有量が0.5%を超えると、溶融ガラスが冷却される過程でリボイルが発生し泡品質が悪化するおそれがある。SOに換算した全硫黄の含有量が0.02%未満では、充分な清澄効果が得られない。SOに換算した全硫黄の含有量は、酸化物基準の質量百分率表示で0.05〜0.5%がより好ましく、0.05〜0.4%がさらに好ましい。
本発明のガラス板は、清澄剤として用いたSnOを含んでいてもよい。SnOに換算した全スズの含有量は、酸化物基準の質量百分率表示で0〜1%が好ましい。
本発明のガラス板は、清澄剤として用いたSbを含んでいてもよい。Sbに換算した全アンチモンの含有量は、0〜0.5%が好ましい。Sbに換算した全アンチモンの含有量が0.5%を超えると、成形後のガラス板が白濁してしまう。Sbに換算した全アンチモンの含有量は、酸化物基準の質量百分率表示で0〜0.1%が好ましい。
本発明のガラス板は、着色成分である、TiO、CoO、Cr、V、MnO等を実質的に含まないことが好ましい。TiO、CoO、Cr、V、MnO等を実質的に含まないとは、TiO、CoO、Cr、V、MnO等をまったく含まない、または、TiO、CoO、Cr、V、MnO等を製造上不可避的に混入した不純物として含んでいてもよいことを意味する。TiO、CoO、Cr、V、MnO等を実質的に含まなければ、Tv、Teの低下が抑えられる。かかる着色成分として機能する成分の割合は、0%〜0.05%とするのが好ましい。
本発明のガラス板のTe(4mm厚さ換算)は、80%以上が好ましく、82.7%以上がより好ましい。Teは、JIS R 3106(1998)(以下、単にJIS R 3106と記す。)にしたがい分光光度計により透過率を測定し算出された日射透過率である。
また、前述したように、ガラス板の組成中の着色成分であるFe含有量が0.04%以下の場合は、Te(4mm厚さ換算)は90%以上が好ましく、91%以上、より好ましくは91.5%以上がより好ましい。
本発明のガラス板のTv(4mm厚さ換算)は、80%以上が好ましく、82%以上が好ましい。Tvは、JIS R 3106にしたがい分光光度計により透過率を測定し算出された可視光透過率である。係数は標準の光Aと2度視野の値を用いる。
また、前述したように、ガラス板の組成中の着色成分であるFe含有量が0.005%以下の場合は、Tv(4mm厚さ換算)は90%以上が好ましく、91%以上がより好ましい。
本発明のガラス板は、2価の鉄がある程度存在しても、例えばFeに換算した全鉄の含有量が0.1%まで含有されていても、Teの低下を抑えることができる組成を有することに特徴がある。
本発明のガラス板は、下式(2)で表わされたTI値が5以上であることが好ましく、7以上であることがより好ましく、10以上であることがさらに好ましい。
TI=(Te−Te’)/[Fe]・・・(2)。
ここで、Teは本発明のガラス板におけるJIS R 3106(1998)規定の日射透過率(4mm厚さ換算)である。Te’は、下式(3)〜(5)により規定される、本発明のガラス板と同量の鉄を含有し、かつFeに換算した全鉄中のFeに換算した2価の鉄の質量割合(Redox)が本発明のガラス板と同等である一般的なソーダライムシリカガラスの日射透過率(4mm厚さ換算)であり、[Fe]は酸化物基準の質量百分率表示の全鉄の量である。
Te’=91.62645−12.0867×A−323.051×B・・(3)。
A=[Fe]×(100−Re)×0.01・・・(4)。
B=[Fe]×Re×0.01・・・(5)。
ここで、[Fe]は酸化物基準の質量百分率表示の全鉄の量であり、Reは百分率表示されたガラスのRedoxである。
本発明のガラス板は、太陽電池用ガラス板や集光ミラー用ガラス板として好適である。
太陽電池用ガラス板として用いる場合は、カバーガラスとして用いてもよく、薄膜太陽電池用ガラス基板として用いてもよい。
本発明のガラス板は、たとえば、下記の工程(i)〜(v)を順に経て製造される。
(i)目標とする組成になるように、各種のガラス母組成原料、カレット、清澄剤等を混合し、ガラス原料を調製する。
(ii)ガラス原料を溶融させて溶融ガラスとする。
(iii)溶融ガラスを清澄した後、フロート法またはダウンドロー法(フュージョン法)により所定の厚さのガラス板に成形する。
(iv)ガラス板を冷却する。
(v)ガラス板を所定の大きさに切断する。
工程(i):
ガラス母組成原料としては、珪砂、長石等、通常のソーダライムシリカガラス板の原料として用いられているものが挙げられる。
清澄剤としては、SO、SnO、Sb等が挙げられる。
工程(ii):
ガラス原料の溶融は、たとえば、ガラス原料を連続的に溶融窯に供給し、重油、ガス、電気等により約1500℃に加熱することによって行われる。
以上説明した本発明のガラス板にあっては、Q値が20以上であるため、ガラス溶解時に存在する鉄が3価の鉄として存在しやすくなり、Redoxが低く抑えられる。そのため、Teを高くすることができる。また、酸化物基準の質量百分率表示でMgOを4.5〜15%含むと同時に、[MgO]/[CaO]が1より大きくされているため、1,000nmから1,100nmの波長範囲に吸収のピークを有する6配位の2価の鉄の割合を減らし、1,000nmから1,100nmの波長範囲に吸収のピークを有さない2価の鉄の割合を増やすことができる。そのため、Teをさらに高くすることができる。
その結果、従来のソーダライムシリカガラス板と同程度の鉄の含有量の場合には、従来のガラス板よりもTeを高くでき、または、従来のガラス板よりも鉄の含有量が多い場合には、従来のガラス板と同レベルのTeにすることができる。
そして、高透過ガラス板の鉄の含有量を比較的多くしてもTeが充分に高い高透過ガラス板が得られるため、鉄の含有量が比較的多いガラス原料(すなわち、比較的低価格のガラス原料)を用いることができ、高透過ガラス板の製造コストが低くなる。
また、フロート法またはダウンドロー法で高透過ガラス板を製造する際の溶融ガラスの温度を、フロート法またはダウンドロー法で通常のソーダライムシリカガラス板を製造する場合と同程度の高い温度にして、Redox(2価の鉄の割合)が高めになったとしても、1,000nmから1,100nmの波長範囲に吸収のピークを有する6配位の2価の鉄の割合を減らし、1,000nmから1,100nmの波長範囲に吸収のピークを有さない2価の鉄の割合を増やすことができるため、Teが充分に高い高透過ガラス板が得られる。このように、高透過ガラス板を生産性よく製造できる。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定されない。なお、Redox、Tv、Teの値は、以下に記載した方法により求めた。
(Redox)
Redoxは、以下の通り、ガラス中のFeに換算した全鉄量を求めるとともに、2価の鉄の量を求め、(2価の鉄)/(全鉄量)、すなわち(Fe2+/(Fe2++Fe3+))の割合として求めた。
ガラスのFe量は、蛍光X線測定によって求めた、Feに換算した全鉄の含有量(%=質量百分率)である。
Redoxの算出に必要なガラス中の2価の鉄の量は、湿式分析法により定量した値である。具体的には、得られたガラスを粉砕し、ガラス粉末をHFにて溶解したものとビピリジル、酢酸アンモニウム溶液とを混合して発色させ、その吸光ピーク強度を測定し、標準試料により事前に作成した検量線を元に2価の鉄の量を定量した値である。
(Tv)
得られたガラス板について、JIS R 3106規定の可視光透過率(Tv)(A光源によるもの)を4mm厚さ換算値で求めた。
(Te)
得られたガラス板について、JIS R 3106規定の日射透過率(Te)を4mm厚さ換算値で求めた。
ガラス厚さが異なる場合は、以下のように4mm厚さ換算値を求めた。
まず、ガラスの表面の反射率(%R%)、ガラスの裏面の反射率(%R)をそれぞれ分光光度計(日立ハイテク社製、U4100)を用いて1nmごとに測定した。分光光度計(Perkin Elmer社製、Lambda950)を用いて1nmごとに測定した透過率(%T)の値にR,Rの値を加え、ガラスの内部透過率(%Tinner)を算出した(すなわち、%Tinner = %T+%R+%R)。この%Tinnerより4mm厚さ換算値%T4mmtを下式により求めた。
%T4mmt = 100×10−A×0.4−(%Rt+%Rb)
A=log10(100/%Tinner)/d
ただし、dは、ガラス板の厚さ(mm)である。
〔例1〜19〕
表1に示す組成となるように、珪砂等の各種のガラス母組成原料、清澄剤(SO)を混合し、ガラス原料を調製した。ガラス原料をるつぼに入れ、電気炉中にて1500℃で3時間加熱し、溶融ガラスとした。溶融ガラスをカーボン板上に流し出し、冷却した。両面を研磨し、厚さ4mmのガラス板を得た。ガラス板について、分光光度計(Perkin Elmer社製、Lambda950)を用いて1nmごとに透過率を測定し、Tv、Teを求めた。結果を表1、表2、図1および図2に示す。
Figure 0005880439
Figure 0005880439
表中、組成の[%]は、質量百分率表示である。
ここで、例〜11が実施例、例1、2、12〜19が比較例である。
Feに換算した全鉄の含有量が同じであるにもかかわらず、[MgO]/[CaO]が1超であり、かつQ値が20以上となる組成のガラス板のTeが、[MgO]/[CaO]が1以下またはQ値が20未満となる組成のガラス板に比べ、高くなっていることがわかる。
〔例20〜28〕
表1よりFeの含有量が少ない組成のガラス板として、表3に示す組成となるように、珪砂等の各種のガラス母組成原料、清澄剤(SO)を混合し、ガラス原料を調製した。ガラス原料をるつぼに入れ、電気炉中にて1500℃で3時間加熱し、溶融ガラスとした。溶融ガラスをカーボン板上に流し出し、冷却した。両面を研磨し、厚さ4mmの高透過ガラス板を得た。高透過ガラス板について、分光光度計(Perkin Elmer社製、Lambda950)を用いて1nmごとに透過率を測定し、Tv、Teを求めた。結果を表3、図3および図4に示す。
Figure 0005880439
Tv、Teは4mm厚さ換算。
表中、組成の[%]は、質量百分率表示である。
ここで、例20〜25、27、28が実施例、例26が比較例である。
Feに換算した全鉄の含有量が同じであるにもかかわらず、[MgO]/[CaO]が1超であり、かつQ値が20以上となる組成のガラス板のTeが、[MgO]/[CaO]が1以下またはQ値が20未満となる組成のガラス板に比べ、高くなっていることがわかる。
また、図3、4より、例26はTeが91.3%であるが、例20〜25、27、28のTe(91.5〜91.8%)に比べて低くなっている。例20〜28では、Feが0.01%と低くなっているために、例1〜19に比較して、Teが高めになっているが、例20〜25、27、28は、例26よりもTeがさらに高いことが分かる。
なお、上記表1〜において空欄となっており数字が記載されていない箇所は、未測定、または未計算であることを示す。
本発明によれば、鉄の含有量が通常のソーダライムシリカガラス板と同じ程度のレベルのガラス組成のガラス板の場合であっても、従来の鉄の含有量を少なくした高透過ガラス板と同程度の高いTeを有するガラス板を得ることができる。また、本発明のガラス板において、鉄の含有量を低くすれば、更に一層高いTeを有するガラス板を得ることができる。従って、従来のガラス板と同程度の鉄を含有する原料コストの低いガラス原料から、従来のガラス板よりもTeが高いガラス板を製造でき、製造コストの低減と生産性向上を図ることができ、または、従来のガラス板よりも鉄の含有量が少ないガラス原料から非常に高いTeを有するガラス板を効率的に製造できる。
本発明のガラス板は、太陽電池用ガラス板(例えば、カバーガラス、薄膜太陽電池用ガラス基板等)、太陽熱発電における集光ミラー用ガラス板等として有用である。
なお、2010年10月27日に出願された日本特許出願2010−240978号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。

Claims (10)

  1. なくともSiO MgO、CaO、NaOおよびAlを含むソーダライムシリカガラスからなるフロートガラス板であって、
    酸化物基準の質量百分率表示で
    SiO を60〜74%、
    MgOを4.5〜15
    CaOを0.5〜10%、
    Na Oを10〜20%、
    Al を0%超10.3%以下、および
    を0〜1%含み、
    酸化物基準の質量百分率表示のMgOの含有量と酸化物基準の質量百分率表示のCaOの含有量との比([MgO]/[CaO])が、1より大きく、
    下式(1)で求めたQ値が、22以上であり、
    前記ガラス板の板厚4mm換算で、可視光線透過率(Tv)が80%以上である、ガラス板。
    Q=([MgO]/[CaO])×([CaO]+[NaO]−[Al]) ・・・(1)。
    ただし、[MgO]は、酸化物基準の質量百分率表示のMgOの含有量であり、[CaO]は、酸化物基準の質量百分率表示のCaOの含有量であり、[NaO]は、酸化物基準の質量百分率表示のNaOの含有量であり、[Al]は、酸化物基準の質量百分率表示のAlの含有量である。
  2. 前記した酸化物基準の質量百分率表示のMgOの含有量と酸化物基準の質量百分率表示のCaOの含有量との比([MgO]/[CaO])が、1より大きく、30以下であり、前記した式(1)で求めたQ値が、22以上、400以下である、請求項1に記載のガラス板。
  3. 酸化物基準の質量百分率表示で、A の含有量の上限値が5.3%である、請求項1または2に記載のガラス板。
  4. 酸化物基準の質量百分率表示で、Nの含有量の下限値が10.7%である、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のガラス板。
  5. 酸化物基準の質量百分率表示で、MgOの含有量の上限値が12.3%である、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のガラス板。
  6. 酸化物基準の質量百分率表示で、CaOの含有量の上限値が4.8%であり、前記した式(1)で求めたQ値が25以上である、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のガラス板。
  7. 酸化物基準の質量百分率表示で、SiO の含有量の上限値が71.1%であり、CaOの含有量の下限値が1%である、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のガラス板。
  8. 酸化物基準の質量百分率表示で、SiO の含有量の上限値が69.9%であり、Al の含有量の下限値が1.8%である、請求項1乃至7のいずれか1項に記載のガラス板。
  9. 酸化物基準の質量百分率表示で、SiO の含有量の下限値が66.5%である、請求項1乃至8のいずれか1項に記載のガラス板。
  10. ガラス原料を溶融し、フロート法またはダウンドロー法で成形する、少なくともSiO MgO、CaO、NaOおよびAlを含むソーダライムシリカガラスからなるガラス板の製造方法であって、
    成形後のガラス板が、
    酸化物基準の質量百分率表示で
    SiO を60〜74%、
    MgOを4.5〜15
    CaOを0.5〜10%、
    Na Oを10〜20%、
    Al を0%超10.3%以下、および
    を0〜1%含み、
    酸化物基準の質量百分率表示のMgOの含有量と酸化物基準の質量百分率表示のCaOの含有量との比([MgO]/[CaO])が、1より大きく、
    下式(1)で求めたQ値が、22以上であり、
    前記ガラス板の板厚4mm換算で、可視光線透過率(Tv)が80%以上である、ガラス板の製造方法。
    Q=([MgO]/[CaO])×([CaO]+[NaO]−[Al]) ・・・(1)。
    ただし、[MgO]は、酸化物基準の質量百分率表示のMgOの含有量であり、[CaO]は、酸化物基準の質量百分率表示のCaOの含有量であり、[NaO]は、酸化物基準の質量百分率表示のNaOの含有量であり、[Al]は、酸化物基準の質量百分率表示のAlの含有量である。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11299018B2 (en) 2017-07-28 2022-04-12 Pilkington Group Limited Window assembly

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103153892B (zh) * 2010-05-20 2016-05-18 法国圣戈班玻璃厂 用于高温应用的玻璃基材
CN104271525A (zh) 2012-04-27 2015-01-07 旭硝子株式会社 玻璃板
CN104619664A (zh) * 2012-09-14 2015-05-13 旭硝子株式会社 化学强化用玻璃、化学强化玻璃以及化学强化用玻璃的制造方法
CN113603358B (zh) 2014-03-28 2023-06-27 Agc株式会社 化学强化用玻璃和化学强化玻璃以及化学强化玻璃的制造方法
EP3126303A1 (en) * 2014-03-31 2017-02-08 AGC Glass Europe Chemically temperable glass sheet
WO2015199150A1 (ja) * 2014-06-27 2015-12-30 旭硝子株式会社 ガラス、および、それを用いた化学強化ガラス
CN106470951B (zh) * 2014-07-04 2021-02-09 Agc株式会社 化学强化用玻璃和化学强化玻璃
CN106488887A (zh) 2014-07-07 2017-03-08 旭硝子株式会社 颜料印刷用玻璃板、颜料印刷玻璃板、其制造方法和图像显示装置
CN106660856A (zh) * 2014-07-18 2017-05-10 旭硝子株式会社 防眩处理用玻璃和使用其的防眩玻璃
CN107531547A (zh) * 2015-05-05 2018-01-02 旭硝子欧洲玻璃公司 能够通过化学强化而具有受控的翘曲的玻璃板
WO2017038621A1 (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 旭硝子株式会社 Uv耐性を有するガラス板
EP3365595B1 (en) * 2015-10-22 2020-12-23 Corning Incorporated High transmission light guide plates
CN107162407A (zh) * 2017-04-14 2017-09-15 中建材(宜兴)新能源有限公司 一种超薄光伏压延玻璃
CN109851216B (zh) * 2019-01-24 2020-06-09 中国洛阳浮法玻璃集团有限责任公司 一种用于浮法生产超白玻璃用复合澄清剂
JP2021011403A (ja) * 2019-07-05 2021-02-04 Agc株式会社 Cspミラー用ガラス基板、その製造方法、及びcspミラー
CN115286239B (zh) * 2022-08-04 2023-08-25 清远南玻节能新材料有限公司 玻璃及其扫光方法、盖板和电子设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4192689A (en) * 1978-05-30 1980-03-11 Ppg Industries, Inc. Ion exchange strengthening of soda-lime-silica glass
JPS61256940A (ja) * 1985-05-07 1986-11-14 Asahi Glass Co Ltd 輝石系結晶化ガラスの製造法
JPS62108742A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Asahi Glass Co Ltd 輝石系結晶化ガラスの製造法
JPH03199136A (ja) * 1989-12-28 1991-08-30 Asahi Glass Co Ltd 輝石系結晶化ガラスの製造法
JPH11310429A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Asahi Glass Co Ltd 基板に用いるためのガラス組成物
WO2001066477A1 (fr) * 2000-03-06 2001-09-13 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Verre plat a coefficient de transmission eleve
JP2005247656A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Toyo Sasaki Glass Co Ltd 高洗浄性ガラス成形品

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62246839A (ja) * 1986-04-17 1987-10-28 Central Glass Co Ltd 易強化ガラス組成物
GB8728892D0 (en) * 1987-12-10 1988-01-27 Pilkington Plc Producing molten glass
US5030594A (en) 1990-06-29 1991-07-09 Ppg Industries, Inc. Highly transparent, edge colored glass
JP3150684B2 (ja) 1990-07-26 2001-03-26 日本碍子株式会社 劣化反応碍子
FR2721600B1 (fr) 1994-06-23 1996-08-09 Saint Gobain Vitrage Composition de verre clair destinée à la fabrication de vitrages.
KR970702221A (ko) * 1995-02-10 1997-05-13 세야 히로미찌 내찰상성 유리(scratch-resistant glass)
JP2000159538A (ja) * 1998-11-27 2000-06-13 Asahi Glass Co Ltd 太陽電池用ガラス
JP2000290038A (ja) * 1999-02-01 2000-10-17 Nippon Electric Glass Co Ltd 蛍光ランプ用ガラス、蛍光ランプ用ガラス管、及び蛍光ランプ
JP2007161583A (ja) * 1999-02-01 2007-06-28 Nippon Electric Glass Co Ltd 蛍光ランプ用ガラス、蛍光ランプ用ガラス管、及び蛍光ランプ
JP2001180967A (ja) 1999-12-21 2001-07-03 Central Glass Co Ltd ガラス組成物
DE10017701C2 (de) * 2000-04-08 2002-03-07 Schott Glas Gefloatetes Flachglas
EP1245545B1 (en) * 2001-03-30 2011-08-10 Asahi Glass Company Ltd. Glass plate and method for tempering a glass plate
JP4802403B2 (ja) 2001-06-26 2011-10-26 旭硝子株式会社 金属線入り板ガラス
WO2006035882A1 (ja) * 2004-09-29 2006-04-06 Nippon Electric Glass Co., Ltd. 半導体封止用ガラス及び半導体封止用外套管並びに半導体電子部品
US20060211563A1 (en) * 2005-03-21 2006-09-21 Mehran Arbab Metal nanostructured colorants for high redox glass composition
KR100750990B1 (ko) * 2005-06-22 2007-08-22 주식회사 케이씨씨 기판용 고 변형점 유리 조성물
US7799713B2 (en) * 2005-11-04 2010-09-21 Ocv Intellectual Capital, Llc Composition for high performance glass, high performance glass fibers and articles therefrom
JP2007238398A (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Nippon Sheet Glass Co Ltd ソーダ石灰系ガラス組成物
WO2007111079A1 (ja) * 2006-03-27 2007-10-04 Asahi Glass Company, Limited ガラス製造方法
CN101541696A (zh) * 2006-11-22 2009-09-23 旭硝子株式会社 信息记录介质基板用玻璃
US7666511B2 (en) * 2007-05-18 2010-02-23 Corning Incorporated Down-drawable, chemically strengthened glass for cover plate
JP5387411B2 (ja) * 2007-11-06 2014-01-15 旭硝子株式会社 基板用ガラス板
JP2009155148A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Central Glass Co Ltd ガラス組成物
JP5444846B2 (ja) * 2008-05-30 2014-03-19 旭硝子株式会社 ディスプレイ装置用ガラス板
CN102256908A (zh) * 2008-12-25 2011-11-23 旭硝子株式会社 玻璃基板及其制造方法
JP2010208906A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Asahi Glass Co Ltd 光デバイス用基板ガラス
KR20120022713A (ko) * 2009-04-28 2012-03-12 아사히 가라스 가부시키가이샤 기판용 유리판

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4192689A (en) * 1978-05-30 1980-03-11 Ppg Industries, Inc. Ion exchange strengthening of soda-lime-silica glass
JPS61256940A (ja) * 1985-05-07 1986-11-14 Asahi Glass Co Ltd 輝石系結晶化ガラスの製造法
JPS62108742A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Asahi Glass Co Ltd 輝石系結晶化ガラスの製造法
JPH03199136A (ja) * 1989-12-28 1991-08-30 Asahi Glass Co Ltd 輝石系結晶化ガラスの製造法
JPH11310429A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Asahi Glass Co Ltd 基板に用いるためのガラス組成物
WO2001066477A1 (fr) * 2000-03-06 2001-09-13 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Verre plat a coefficient de transmission eleve
JP2005247656A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Toyo Sasaki Glass Co Ltd 高洗浄性ガラス成形品

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11299018B2 (en) 2017-07-28 2022-04-12 Pilkington Group Limited Window assembly
US11772463B2 (en) 2017-07-28 2023-10-03 Pilkington Group Limited Window assembly

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