JP5874428B2 - キャリブレート用ターゲット治具および半導体製造装置 - Google Patents
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Description
吸着コレット1は、DB装置まで水平方向に移動し、その後、制御された所定の距離だけ下降する。このとき、リードフレーム2はフィード用レール(図示せず)によって搬送され、リードフレーム2上で溶融状態の半田3に対応する位置に半導体チップ4をマウントすることができる。加熱ステージ5は、リードフレーム2を所定温度に保持しており、その上面がレール上蓋6によって覆われている。このレール上蓋6は、リードフレーム2上での半田3の放熱を防ぐとともに、外部への雰囲気ガスの飛散を防いでいる。
ダイシング済みのウェハから半導体チップ4を吸着する際には、ダイシング時のシリコン屑などの塵がチップ表面に残らないよう、レール上蓋6の手前側に置かれたウェハ(図示せず)側からフィード用レールの方向にエアブローが行われる。そのとき、ウェハ側からシリコン屑などの塵7がレール上蓋6まで吹き飛ばされ、図5に示すように、レール上蓋6の上面に付着しているおそれがあった。また、エアブローによる以外にも、半導体チップ4を吸着コレット1で保持して搬送するため、吸着コレット1あるいは半導体チップ4自体から、そのダイシングにともなうシリコン屑が塵7として、レール上蓋6に落下する。
角錐型の吸着コレット8は、下端部に複数(例えば、4つ)の傾斜面8aで囲まれた凹部9が形成され、これらの傾斜面8aによって半導体チップ4aの外周が位置決める。各傾斜面8aは、下端から上方に向かって徐々に対向する傾斜面8aの間隔が狭くなるように傾いていて、半導体チップ4aを吸着して凹部9内に保持するように、バキューム孔9aと連通している。
また、本発明の別の目的は、レール上蓋などのキャリブレート位置にターゲット治具を設けて、コレットの先端に塵が付着しないようにした半導体製造装置を提供することである。
この半導体製造装置は、オートキャリブレート機能を備えたDB装置20であって、DB装置20の手前側には半導体ウェハ31が配置されている。この半導体ウェハ31は、例えば所定の載置台(図示せず)に、チップ分割された状態でウェハシート30に貼付けられて保持されている。なお半導体ウェハ31は、ウェハシート30と一体の状態でチップごとにダイシングされている。
吸着コレット1は、第2のヒータブロック23の開口6bまで移動したあと、半導体チップ4とともに制御された所定の距離(L)だけ下降し、リードフレーム2の所定位置に半導体チップ4を自動的に載置する。その際、加熱ステージ5も加熱によって膨張し、これに伴って、リードフレーム2のマウント位置自体が上下方向(Z軸方向)に変動する。しかも、その温度が安定するまでに15〜20分程度の時間が必要である。
2 リードフレーム
3 半田
4,4a 半導体チップ
5 加熱ステージ
6,22a,23a レール上蓋
6a,6b 開口
7 塵
8a 傾斜面
9 凹部
10 ターゲット治具
11 治具本体
12 ターゲットマーク
13a,13b 取付穴
20 DB装置(ダイボンディング用の半導体製造装置)
21 入口レール
22 第1のヒータブロック
23 第2のヒータブロック
24 出口レール
25a〜25e 送り爪
26a,26b 位置決めピン
30 ウェハシート
31 半導体ウェハ
Claims (4)
- 半導体チップをダイボンディングする平面をX−Y平面とし、前記半導体チップを保持し搬送するコレットの前記X−Y平面に直交するZ軸方向距離を補正するためのキャリブレート用ターゲット治具において、
前記コレットの前記X−Y平面内に固定される治具本体と、
前記治具本体の上面から突起して、前記治具本体の上面に降下する塵の大きさを越える高さに形成され、前記コレットのZ軸方向先端部と接触するターゲットマークと、
を備えることを特徴とするキャリブレート用ターゲット治具。 - 前記ターゲットマークは、前記治具本体の上面で前記コレットの底面先端部に接触するように形成されていることを特徴とする請求項1記載のキャリブレート用ターゲット治具。
- 前記ターゲットマークは、前記治具本体の上面で前記コレットの底面先端部に複数個所で点接触するように形成されていることを特徴とする請求項1記載のキャリブレート用ターゲット治具。
- オートキャリブレート機能を備え、半導体チップをリードフレームにマウントするダイボンディング用の半導体製造装置において、
前記リードフレームを加熱する加熱手段と、
前記リードフレームにマウントされる半導体チップを保持し搬送するコレットと、
半導体チップをダイボンディングする平面をX−Y平面とし、これと直交するZ軸方向について、前記コレットの所定位置と前記リードフレームのチップマウント面との距離を予め設定したコレット制御手段と、
前記加熱手段による熱により生じる前記チップマウント面でのZ軸方向の変動距離に比例して上下変動する位置に配置された、前記請求項1〜3のいずれかに記載のキャリブレート用ターゲット治具と、
を備え、
前記コレットを前記Z軸方向に移動させてターゲットマークに前記コレットのZ軸方向先端部を接触させ、前記コレット制御手段に予め設定した前記コレットの所定位置と前記リードフレームの前記チップマウント面との距離を補正することを特徴とする半導体製造装置。
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