JP5864759B2 - シクロシロキサンを生成するための方法 - Google Patents
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Description
シクロシロキサンは、いくつかの方法によって調製される。ジアルキルジクロロシラン、RR’SiCl2の加水分解は、独自の方法を含み、工業規模で行われる。加水分解により、しばしばライナー(liner)および環式シロキサンの複雑な混合物がもたらされ、シクロテトラシロキサンが最も高い割合で形成され、シクロトリシロキサンはほとんど形成されない。(W.Noll、「Chemistry and Technology of Silicones」、Acad.Press、1968を参照のこと)。
特定のシクロシロキサン、特にシクロトリシロキサンを調製する方法には、ジクロロシラン、R1R2SiCl2、またはジクロロシロキサン、Cl(R1R2SiO)x(SiR3R4O)ySiR5R6Clの、シランジオール、R7R8Si(OH)2またはシロキサンジオール、HO(R7R8SiO)x(SiR9R10O)yH(式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、およびR10は、同一であるかまたは異なっており、x≧0、y≧0、およびx+y≧1である)とのカップリングが含まれる。(Yuzhelevskii et al.、Zhurnal Obshchei Khimii(1972)、42、(9)、2006−10を参照のこと)。この方法の欠点としては、ジオールによく見られる水中の不純物との反応による副生成物の影響を受けやすいこと;ジオールの縮合がより大型のシロキサンジオールに競合すること;反応容器に対する腐食性;および遊離したHClにより触媒される潜在的なシロキサンの再分配が含まれる。
本発明の態様は、ジヒドロシランまたはジヒドロシロキサン試薬とジヒドロキシシランまたはジヒドロキシシロキサン試薬との間の環縮合(cyclocondensation)によるシクロシロキサンの調製のための方法を対象とする。本方法には、単環縮合(monocyclocondensation)以外の反応を阻害または抑制するためにSiHおよびSiOH官能基が低濃度に維持されている溶液中のルイス酸触媒を含む反応相への試薬の導入を含む。この方式では、直鎖状シロキサン不純物または分子量のより高いシクロシロキサン不純物をほとんどまたは全く形成することなく、単環化付加体が高収率になり、純粋なシクロシロキサンを比較的容易に単離することが可能になる。本発明の模範的な態様において、1,1−ジフェニル−3,3,5,5−テトラメチルシクロトリシロキサンは、高い収率で形成される。
例1
1,1−ジフェニル−3,3,5,5−テトラメチルシクロトリシロキサン(「ジフェニル−D3」)の合成
機械式撹拌機、冷却器、温度調節付き熱電対プローブおよびマントルヒーターを取り付けた、乾燥した2Lの丸底フラスコ中に、窒素雰囲気下で、ジフェニルシランジオール(DPSD)216g(1.0モル)およびキシレン400gを入れた。混合物を、40℃まで加熱し、撹拌してDPSDを部分的に溶解させた。注射器を用いて、5%トリス(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を含むキシレン溶液1.0mlをフラスコに加え、その結果、ホウ素複合体濃度が50ppmになった。添加漏斗から、水素ガスがゆっくりと安定して発生するのを維持する速度で、テトラメチルジシロキサン(TMDSO)134g(1.0モル)を加えた。この添加を、40〜60℃で約1時間に亘り続けた。TMDSOを完全に添加した後、反応混合物を、60℃で1時間撹拌した。FTIR分光測定による反応混合物の分析では、約2150cm-1でSiHシグナルを全く示さなかった。テトラメチルジシロキサンの完全な転換と、少量の1,1−ジフェニルヘキサメチルシクロテトラシロキサン(ジフェニル−D4;0.8%)、テトラフェニルテトラメチルシクロ−テトラシロキサン(テトラフェニル−D4、1.0%)および1,1,7,7−テトラフェニルオクタメチルシクロヘキサシロキサン(テトラフェニル−D6、1.4%)を伴った96%ジフェニル−D3の生成とが、GC分析により示された。30分間撹拌しながら反応混合物に酸化マグネシウム1.0gを加えることによって酸触媒を中和した。MgOを、シクロシロキサン溶液からろ過し、ロータリーエバポレーターを60℃および5mmHg未満で用いて2L丸底フラスコ中でシクロシロキサン混合物から溶媒を除去した。残留物を温ヘキサメチルジシロキサン300gに溶解しろ過した。ジフェニル−D3は、室温までの冷却時に溶液から結晶化した。結晶の初期収量およそ170gを、母液から単離した。母液を濃縮し、冷却してさらなるジフェニル−D3結晶を形成し、全収量270g(80%)のジフェニル−D3を得た。ヘキサメチルジシロキサンから再結晶し、融点が65〜67℃のジフェニル−D3を得た。1H NMR分析によって構造を確認し、生成物のTHF溶液のGC分析では、純度99.2%が示された。
触媒として炭素担持パラジウムを用いたジフェニル−D3の合成の試み
磁気撹拌機、冷却器、温度調節付き熱電対プローブおよびマントルヒーターを取り付けた、乾燥した250mlの丸底フラスコ中に、窒素雰囲気下で、DPSD21.6g(0.10モル)およびキシレン40gを入れた。混合物を40℃まで加熱し、撹拌してDPSDを部分的に溶解させ、5%炭素担持パラジウム0.20gを加え、その結果、Pd含有量が130ppmの懸濁液になった。添加漏斗にテトラメチルジシロキサン13.4g(0.10モル)を入れ、テトラメチルジシロキサンおよそ3gを触媒混合物に加えた。水素のオフガス発生は観察されなかった。反応を90℃まで加熱し16時間行い、反応混合物のFTIR分析では、2150cm-1でSiHの存在が示された。反応混合物のGC分析では、テトラメチルジシロキサンの大部分が残存し、1.1%のジフェニル−D3が1.2%ジフェニル−D4と共に形成されるに過ぎなかったことが示された。
触媒としてトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウムクロリドを用いたジフェニル−D3の合成の試み
磁気撹拌機、冷却器、温度調節付き熱電対プローブおよびマントルヒーターを取り付けた、乾燥した250mlの丸底フラスコ中に、窒素雰囲気下で、DPSD21.6g(0.10モル)およびキシレン40gを入れた。混合物を40℃まで加熱し、撹拌してDPSDを部分的に溶解させた。注射器を用いて、キシレン中の5%トリス(トリフェニルホスフィン)ロジウムクロリド溶液0.2mlを反応フラスコに加えて、Rh含有量は約30ppmとなった。添加漏斗に、テトラメチルジシロキサン13.4g(0.10モル)を入れ、テトラメチルジシロキサンおよそ3gを、明らかな水素のオフガスを発生させずに加えた。反応混合物を1時間に亘って80℃まで加熱したところ、わずかなオフガス発生が観察された。さらに、5%トリス(トリフェニルホスフィン)ロジウムクロリドを含むキシレン溶液1.0mlを加え、全Rh含有量は約180ppmとなり、反応混合物を80℃で16時間加熱した。GC分析では、大量のテトラメチルジシロキサンが示され、ジフェニル−D3の形成は示されなかった。
触媒として無水塩化亜鉛を用いたジフェニル−D3の合成の試み
磁気撹拌機、冷却器、温度調節付き熱電対プローブおよびマントルヒーターを取り付けた、乾燥した250mlの丸底フラスコ中に、窒素雰囲気下で、DPSD21.6g(0.10モル)およびキシレン40gを入れた。混合物を40℃まで加熱し、撹拌してDPSDを部分的に溶解させた。窒素下で、無水塩化亜鉛0.14g(1.0mmol)をフラスコに加え、添加漏斗に、テトラメチルジシロキサン13.4g(0.10モル)を入れた。テトラメチルジシロキサンおよそ3gを添加時、オフガス発生は観察されなかった。反応を1時間に亘って60℃まで加熱したところ、わずかなオフガス発生が観察された。追加の無水塩化亜鉛2.0gを、フラスコに入れて、ZnClを15.3mmolまで増量し、反応混合物を60℃まで加熱し、16時間維持した。残留テトラメチルジシロキサンがかなり存在したことがFTIR分析によって示され、これは、SiHの約2150cm-1が大きなピークであることを示した。
1,1−ジフェニル−3,3,5,5,7,7−ヘキサメチルシクロテトラシロキサン(「ジフェニル−D4」)の合成
磁気撹拌機、冷却器、温度調節付き熱電対プローブおよびマントルヒーターを取り付けた、乾燥した250Lの丸底フラスコ中に、窒素雰囲気下で、DPSD21.6g(0.10モル)およびキシレン40gを入れた。混合物を40℃まで加熱し、撹拌してDPSDを部分的に溶解させた。注射器を用いて、5%トリス(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を含むキシレン0.2mlを加えて、混合物中でホウ素複合体濃度100ppmとなった。添加漏斗から、水素ガスが安定してゆっくりと発生するのを維持する速度で1,1,3,3,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン(M’DM’)20.8g(0.10モル)を加えた。40〜60℃で約1時間添加を続けた。M’DM’を完全に添加した後、反応混合物を、60℃で1時間撹拌した。反応混合物のFTIR分析によって、SiHが約2150cm-1でシグナルを示さなかった場合、酸化マグネシウム0.2gを加えて触媒を中和し、反応混合物を30分間撹拌した。混合物を250ml丸底フラスコ中にろ過し、ロータリーエバポレーターを80℃および5mmHg未満で用いて、溶媒を除去した。GC分析により82%ジフェニル−D4であった残留物28.4gを回収した。GPC分析では、残留物中でポリマーの存在は示されなかった。175℃および0.1mmHgでkugelrohrを用いて残留物をフラッシュ蒸留して、GC分析に従って96.6%ジフェニル−D4 23g(55%収率)を得た。
1,1−ジフェニル−3,3,5,5,7,7,9,9−オクタメチルシクロペンタシロキサン(「ジフェニル−D5」)の合成
磁気撹拌機、冷却器、温度調節付き熱電対プローブおよびマントルヒーターを取り付けた、乾燥した100Lの丸底フラスコ中に、窒素雰囲気下でDPSD10.8g(0.05モル)およびキシレン20gを入れた。混合物を40℃まで加熱し、撹拌してDPSDを部分的に溶解させた。注射器を用いて、5%トリス(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を含むキシレン0.1mlを加えて、混合物中のホウ素複合体濃度100ppmとなった。添加漏斗から、水素ガスがゆっくりと安定して発生するのを維持する速度で、1,1,3,3,5,5,7,7−オクタメチルテトラシロキサン(M’DDM’)14.1g(0.05モル)を加えた。この添加を、40〜60℃で約1時間に亘り続けた。M’DDM’を完全に添加した後、反応混合物を、60℃で1時間撹拌した。反応混合物のFTIR分析によって、SiHの約2150cm-1でシグナルを示さなかった場合、酸化マグネシウム0.1gを加えて触媒を中和し、反応混合物を30分間撹拌した。混合物を100ml丸底フラスコ中にろ過し、ロータリーエバポレーターを90℃および5mmHg未満で用いて溶媒を除去した。残留物18.2gは、GC分析により84%ジフェニル−D5であることが示された。GPC分析では、残留物中のいくらかのポリマーの存在が示された。
1,1−ジフェニル−ビス−3,5−トリメチルシロキシ−3,5−ジメチルシクロトリシロキサン(「ジフェニル−DT2M2」)の合成
磁気撹拌機、冷却器、温度調節付き熱電対プローブおよびマントルヒーターを取り付けた、乾燥した100L丸底フラスコ中に、窒素雰囲気下で、DPSD10.8g(0.05モル)およびキシレン20gを入れた。混合物を40℃まで加熱し、撹拌してDPSDを溶解させた。注射器を用いて、5%トリス(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を含むキシレン0.1mlを加えて、懸濁液中のホウ素複合体濃度100ppmとなった。添加漏斗から、水素ガスがゆっくりと安定して発生するのを維持する速度で、1,1,1,3,5,7,7,7−オクタメチルテトラシロキサン(MD’D’M)14.1g(0.05モル)を加えた。この添加を、40〜60℃で約1時間に亘り続けた。MD’D’Mを完全に添加した後、反応混合物を、60℃で1時間撹拌した。反応混合物のFTIR分析では、SiH(約2150cm-1)が示されなかった。GC分析によって大量のジフェニル−DT2M2およびほんの微量のオクタメチルシクロテトラシロキサン(D4)が示されてから、酸化マグネシウム0.1gを加えて、触媒を中和し、反応混合物を30分間撹拌した。混合物を100ml丸底フラスコ中にろ過し、90℃および5mmHg未満でロータリーエバポレーターにより溶媒を除去して、GC分析により96%ジフェニル−DT2M2(2種の異性体)であった残留物の残留物21.6gを得た。GPC分析では、微量のポリマーが示された。
1,1,5,5−テトラフェニル−3,3,7,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン(「テトラフェニル−D4」)の合成
磁気撹拌機、冷却器、温度調節付き熱電対プローブおよびマントルヒーターを取り付けた、乾燥した100L丸底フラスコ中に、窒素雰囲気下で、DPSD13g(0.06モル)およびキシレン30gを入れた。混合物を40℃まで加熱し、撹拌してDPSDを溶解させた。注射器を用いて、5%トリス(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を含むキシレン0.2mlを加えて、溶液中のホウ素複合体濃度150ppmとなった。添加漏斗から、水素ガスがゆっくりと安定して発生するのを維持する速度で3,3−ジフェニル−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン(M’DPh2M’)22.2g(0.06モル)を加えた。この添加を40〜60℃で約1時間に亘り続けた。添加が完了してから、反応混合物を60℃で1時間撹拌した。反応混合物のFTIR分析によって、SiHの約2150cm-1でシグナルを示さず、GC分析によってテトラフェニル−D4の収率が約79%を示した場合、酸化マグネシウム0.1gを加えて触媒を中和し、反応混合物を30分間撹拌した。混合物を100ml丸底フラスコ中にろ過し、ロータリーエバポレーターを90℃および5mmHg未満で用いて溶媒を除去し、GC分析により約76%テトラフェニル−D4であった油中の白色の結晶26.4gが残った。ヘキサメチルジシロキサンからの再結晶によって、m.p.131〜133℃である白色の結晶としてテトラフェニル−D4 13.6gが得られた。構造を1H NMR分析によって確認した。
Claims (11)
- シクロシロキサンを調製するための方法であって、
構造:
H−[R1R2SiO]n-1R1R2SiH
(式中、nは1〜6であり、R1およびR2は、独立に、C1〜C8アルキル;C2〜C8アルケニル;1〜13個のF、Cl、Br、および/またはIを有するC1〜C8ハロ置換アルキル;C6〜C10アリール;C7〜C31アルキル一置換もしくは多置換アリール;C3〜C9トリアルキルシロキシ;C8〜C26アリールジアルキルシロキシ、C13〜C28アルキルジアリールシロキシ、またはC18〜C30トリアリールシロキシである)のジヒドロシラン、ジヒドロシロキサン、またはそれらの組み合わせからなる第1の試薬を提供することと、
構造:
HO−[R3R4SiO]mH
(式中、mは1〜6であり、R3およびR4は、独立に、C1〜C8アルキル;C2〜C8アルケニル;1〜13個のF、Cl、Br、および/またはIを有するC1〜C8ハロ置換アルキル;C6〜C10アリール;C7〜C31アルキル一置換もしくは多置換アリール;C3〜C9トリアルキルシロキシ;C8〜C26アリールジアルキルシロキシ、C13〜C28アルキルジアリールシロキシ、またはC18〜C30トリアリールシロキシである)のジヒドロキシシラン、ジヒドロキシシロキサン、またはそれらの組み合わせからなる第2の試薬を提供することと、
ルイス酸触媒および溶媒を含む反応相を提供することと、
前記反応相中で、ある期間にわたって前記第1の試薬および前記第2の試薬を混合し、初期の縮合物、H−[R1R2SiO] n −[R3R4SiO]mHを生成し、初期の縮合物が分子内縮合して、構造:
- 前記第1の試薬および/または前記第2の試薬が、前記反応相中で懸濁物質として提供される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の試薬および/または前記第2の試薬が、貯槽から前記反応相への制御された添加によって提供される、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の試薬がジフェニルジシラノール(DPDS)であり、前記DPDSが前記反応相中で固体懸濁物質として提供される、請求項1に記載の方法。
- 前記溶媒がキシレンを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記ルイス酸がトリス(ペンタフルオロフェニル)ホウ素を含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第1の試薬が1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第1の試薬がH−[(H3C)2SiO]n-1(H3C)2SiH(式中、nは3または4である)を含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第1の試薬が(H3C)3SiO−[(H3C)HSiO]2−Si(CH3)3を含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第1の試薬がH(H3C)2SiO(H5C6)2SiO(H3C)2SiHを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第2の試薬がHO(H3C)2SiO(H5C6)2SiO(H3C)2SiOHを含む、請求項1に記載の方法。
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