JP5864091B2 - 斜入射euvリソグラフィ集光器用の冷却システム及び冷却方法 - Google Patents
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Description
この冷却システムにおいて、離間する流入位置及び流出位置は、各冷却ラインの2つの流路が略半円形となるように、略180度の角度をなして配置されるのが好ましい。
この冷却システムは、シェルの背面と、少なくとも複数の冷却ラインの一部とを覆う共形金属層を備えるのが好ましい。
この冷却システムにおいて、少なくとも一つのシェルは、電気鋳造されるのが好ましい。また、共形金属層は、電気鋳造層を備えるのが好ましい。
この冷却システムにおいて、少なくとも一つのシェルは、電気鋳造された金属または金属合金を有するのが好ましい。複数の冷却ラインは、その金属または金属合金を有するのが好ましい。
この冷却システムにおいて、複数の冷却ラインは、2種類以上の冷却ライン径を有するのが好ましい。
この冷却システムにおいて、少なくとも一組の隣接する冷却ラインは、外径DOを有し、a)少なくとも約3xDOの中心間距離と、b)少なくとも約2xDOの端間距離との少なくとも一方の距離で互いに離間するのが好ましい。
この冷却システムにおいて、少なくとも一組の隣接する冷却ラインは、外径DOを有し、a)少なくとも約2xDOの中心間距離と、b)少なくとも約1xDOの端間距離との少なくとも一方の距離で互いに離間するのが好ましい。
この冷却システムにおいて、少なくともいくつかの冷却ラインは、非円形状の断面を有するのが好ましい。
この冷却システムは、対応する冷却ラインにおける前記冷却液の流れを制御するように構成される整流装置をさらに備えるのが好ましい。
この冷却システムにおいて、シェルは端を有する。冷却ラインは、シェルがEUV源に対して動作可能に配置される際に、EUVを遮断することなく端に隣接して配置されるのが好ましい。
この冷却システムにおいて、端の冷却ラインは非円形断面を有するのが好ましい。
この冷却システムにおいて、複数の冷却ラインと、流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドとを流体接続する合金ロウ付け接続部をさらに備えるのが好ましい。
この冷却システムは、複数の離間する入れ子状のシェルと、離間維持部材とをさらに備えるのが好ましい。各シェルは、流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドに接続される複数の冷却ラインを有する。離間維持部材は、入れ子状のシェルの離間構造を維持するように構成される。
この冷却システムは、流入側メイン冷却液マニホールド及び流出側メイン冷却液マニホールドと、流入側供給ライン及び流出側供給ラインとをさらに備えるのが好ましい。流入側供給ライン及び流出側供給ラインは、流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドを流入側メイン冷却液マニホールド及び流出側メイン冷却液マニホールドにそれぞれ接続する。
この冷却システムにおいて、流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドは、冷却液の流速を制御して、前記複数の冷却ラインの前記流入位置と前記流出位置との温度差を制御するように構成されているのが好ましい。
この冷却システムにおいて、シェルは、EUV光源からの第1熱負荷及び第2熱負荷をそれぞれ受ける第1部分及び第2部分を有するのが好ましい。第1及部分及び第2部分上の冷却ラインは、第1熱負荷及び第2熱負荷に対応する第1熱冷却量及び第2熱冷却量をそれぞれ供給するように構成されている。
この冷却システムにおいて、第1部分及び第2部分上の冷却ラインは、第1部分及び第2部分のそれぞれにおける熱負荷の変化に対応して熱冷却量を変化させるように構成されているのが好ましい。
EUVリソグラフィシステムが、感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するシステムである場合、EUVリソグラフィシステムは投影光学システムをさらに備えるのが好ましい。投影光学システムは、反射レチクルの下流に配置され、反射レチクルからの反射EUVを受光し、そこから感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するように構成されているのが好ましい。
この方法は、個別の複数組の半円形冷却液流路を、半円形冷却液流路の各組に対応すると共にシェルの背面に熱接触する複数の冷却ラインとすることと、複数の冷却ラインをGICシェルの背面に電気鋳造することをさらに備えるのが好ましい。
この方法は、流入側冷却液マニホールドを介して複数の流入位置に冷却液を供給することと、流出側冷却液マニホールドにおける複数の流出位置で冷却液を回収することとをさらに備えるのが好ましい。
この方法は、水素炉及びロウ付けプロセスを利用して、流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却マニホールドに複数の冷却ラインを流体接続することをさらに備えるのが好ましい。
この方法において、冷却ラインの少なくともいくつかの冷却ラインは、異なる径を有するのが好ましい。
この方法において、冷却ラインの少なくともいくつかの冷却ラインは、非円形断面を有するのが好ましい。
この方法において、GICシェルは端部を有する。そして、この方法は、GICシェルの端に隣接する少なくとも一組の半円形冷却液流路を設けることをさらに備えるのが好ましい。
この方法は、少なくとも一つの整流装置を利用して、少なくとも一つの冷却ラインにおける冷却液の流れを制御することをさらに備えるのが好ましい。
この方法において、GICシェルを設けることには、GICシェルをマンドレル上に電気鋳造することによりGICシェルを形成することが含まれ、マンドレルは、除去作業を容易するために、マンドレル上に分離層を有するのが好ましい。
冷却組立体を設けることには、汚染物質を焼却する焼却プロセスに冷却組立体を投じることが含まれるのが好ましい。
冷却組立体を設けることには、水素炉及びロウ付けプロセスを利用して、流入位置及び流出位置に複数の合金接合部を形成することが含まれるのが好ましい。
この方法は、電気鋳造中、冷却組立体及びGICシェルを回転させることをさらに備えるのが好ましい。
この方法は、水素炉及びロウ付けプロセスを利用して、流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドに複数の冷却ラインを流体接続することをさらに備えるのが好ましい。
[GICシェルに対する冷却ラインの熱接触強化]
[冷却ライン密度]
[冷却液の流れ]
[区分されたGICシェルに対する冷却ラインの構成]
[冷却システムの形成]
[冷却機能付きGICミラーを有するEUVリソグラフィシステム]
Claims (33)
- 背面及び中心軸を有する少なくとも一つのシェルを含む極端紫外線(EUV)斜入射集光器(GIC)用の冷却システムであって、
前記シェルの中心軸に対して略垂直であると共に互いに略平行である複数の平面に配置され、互いに離間する複数の略円形の冷却ラインと、
離間する流入位置及び流出位置で前記複数の冷却ラインにそれぞれ流体接続された流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドと、
前記シェルの背面と、前記複数の冷却ラインとを覆う共形金属層と
を備え、
前記シェルの端に配置された冷却ラインは、偏円形状の断面を有しており、
前記複数の冷却ラインは、前記背面の対応する外周の周囲に配置されると共に前記背面に熱接触し、
各冷却ラインの2つの流路を介して前記流入側冷却液マニホールドから前記流出側冷却液マニホールドへ冷却液が流される
冷却システム。 - 前記離間する流入位置及び流出位置は、前記各冷却ラインの2つの流路が略半円形となるように、略180度の角度をなして配置されている
請求項1に記載の冷却システム。 - 前記少なくとも一つのシェルは、電気鋳造され、
前記共形金属層は、電気鋳造層を備える
請求項1または2に記載の冷却システム。 - 前記少なくとも一つのシェルは、電気鋳造された金属または金属合金を有し、
前記複数の冷却ラインは、前記金属または金属合金を有する
請求項1から3のいずれかに記載の冷却システム。 - 前記複数の冷却ラインは、2種類以上の冷却ライン径を有する
請求項1から4のいずれかに記載の冷却システム。 - 少なくとも一組の隣接する冷却ラインは、外径DOを有し、a)少なくとも約3×DOの中心間距離と、b)少なくとも約2×DOの端間距離との少なくとも一方の距離で互いに離間する
請求項1から5のいずれかに記載の冷却システム。 - 少なくとも一組の隣接する冷却ラインは、外径DOを有し、a)少なくとも約2×DOの中心間距離と、b)少なくとも約1×DOの端間距離との少なくとも一方の距離で互いに離間する
請求項1から5のいずれかに記載の冷却システム。 - 対応する冷却ラインにおける前記冷却液の流れを制御するように構成される整流装置をさらに備える、請求項1から7のいずれかに記載の冷却システム。
- 前記シェルは、端を有し、
1つの冷却ラインは、前記シェルがEUV源に対して動作可能に配置される際に、EUVを遮断することなく前記端に隣接して配置されている
請求項1から8のいずれかに記載の冷却システム。 - 前記複数の冷却ラインと、前記流入側冷却液マニホールド及び前記流出側冷却液マニホールドとを流体接続する合金ロウ付け接続部をさらに備える、請求項1から9のいずれかに記載の冷却システム。
- 複数の離間する入れ子状のシェルと、
前記入れ子状のシェルの離間構造を維持するように構成された離間維持部材と
をさらに備え、
各シェルは、前記流入側冷却液マニホールド及び前記流出側冷却液マニホールドに接続される複数の冷却ラインを有する
請求項1から10のいずれかに記載の冷却システム。 - 流入側メイン冷却液マニホールド及び流出側メイン冷却液マニホールドと、
前記流入側冷却液マニホールド及び前記流出側冷却液マニホールドと、前記流入側メイン冷却液マニホールド及び前記流出側メイン冷却液マニホールドとをそれぞれ接続する流入側供給ライン及び流出側供給ラインと
をさらに備える、請求項1から11のいずれかに記載の冷却システム。 - 前記流入側冷却液マニホールド及び前記流出側冷却液マニホールドは、冷却液の流速を制御して、前記複数の冷却ラインの前記流入位置と前記流出位置との温度差を制御するように構成されている
請求項1から12のいずれかに記載の冷却システム。 - 前記シェルは、EUV光源からの第1熱負荷及び第2熱負荷をそれぞれ受ける第1部分及び第2部分を有し、
前記第1及部分及び前記第2部分上の前記冷却ラインは、前記第1熱負荷及び前記第2熱負荷に対応する第1熱冷却量及び第2熱冷却量をそれぞれ供給するように構成されている
請求項1から13のいずれかに記載の冷却システム。 - 前記第1部分及び前記第2部分上の前記冷却ラインは、前記第1部分及び第2部分のそれぞれにおける熱負荷の変化に対応して熱冷却量を変化させるように構成されている
請求項14に記載の冷却システム。 - 前記冷却ラインの径は、EUV源の最も近くに位置する前記シェルの端から離れるにしたがって小さくなっている
請求項1から15のいずれかに記載の冷却システム。 - 反射マスクに照射する極端紫外線(EUV)リソグラフィシステムであって、
EUV源と、
請求項1から16のいずれかに記載の冷却システムを有し、前記EUVを受光して集束EUVを形成するように構成されるGICと、
前記集束EUVを受光して凝縮EUVを形成し、前記凝縮EUVを前記反射レチクルに照射するように構成された照射器と
を備える、EUVリソグラフィシステム。 - 感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するためのEUVリソグラフィシステムであって、
前記反射レチクルの下流に配置され、前記反射レチクルからの反射EUVを受光し、そこから前記感光性半導体ウエハ上に前記パターン像を形成するように構成された投影光学システムをさらに備える、請求項17に記載のEUVリソグラフィシステム。 - 背面及び中心軸を有する斜入射集光器(GIC)シェルを冷却する方法であって、
前記GICシェルの背面に隣接する複数の冷却液流入位置に冷却液を供給することと、
前記GICシェルの背面の一部において、前記中心軸に対して略垂直であると共に互いに略平行である複数の平面に配置され、且つ、前記シェルの背面に熱接触する個別の複数組の略半円形流路を介して、前記シェルの背面に隣接すると共に前記冷却液流入位置に対して略180度の角度で配置された対応する複数の冷却液流出位置に前記冷却液を案内することと
個別の複数組の半円形冷却液流路を、前記半円形冷却液流路の各組に対応すると共に前記シェルの背面に熱接触する複数の冷却ラインとすることと、
前記複数の冷却ラインを前記GICシェルの背面に電気鋳造することと
を備え、
前記GICシェルの端に配置された冷却ラインは、偏円形状の断面を有しており、
前記GICシェルの背面と、前記複数組の略円形流路とは、共形金属層によって覆われている方法。 - 流入側冷却液マニホールドを介して前記複数の流入位置に前記冷却液を供給することと、
流出側冷却液マニホールドにおける前記複数の流出位置で前記冷却液を回収することと
をさらに備える、請求項19に記載の方法。 - 水素炉及びロウ付けプロセスを利用して、前記流入側冷却液マニホールド及び前記流出側冷却マニホールドに前記複数の冷却ラインを流体接続することをさらに備える、請求項20に記載の方法。
- 前記冷却ラインの少なくともいくつかの冷却ラインは、異なる径を有する
請求項19に記載の方法。 - 前記GICシェルは、端を有し、
前記GICシェルの端に隣接する少なくとも一組の半円形冷却液流路を設けることをさらに備える、請求項19から22のいずれかに記載の方法。 - 少なくとも一つの整流装置を利用して、少なくとも一つの前記冷却ラインにおける冷却液の流れを制御することをさらに備える、請求項19に記載の方法。
- 前記冷却ラインの径は、EUV源の最も近くに位置する前記GICシェルの端から離れるにしたがって小さくなっている、請求項19から24のいずれかに記載の方法。
- 背面及び中心軸を有する冷却機能付き斜入射集光器(GIC)シェルを形成する方法であって、
マンドレル上に前記GICシェルを設けることと、
前記GICシェルの中心軸に対して略垂直である共に互いに略平行である複数の平面に配置された複数の冷却ラインであって、前記GICシェルの端に配置された冷却ラインは、偏円形状の断面を有するとともに、それ以外の冷却ラインは略円形に構成された、複数の冷却ラインを有し、各冷却ラインが冷却液流入位置及び冷却液流出位置によって規定された一組の略半円形部分を有する冷却組立体を設けることと、
前記複数の冷却ラインが前記GICシェルの背面に接触するように前記冷却組立体を配置することと、
前記複数の冷却ラインを前記GICシェルの背面に電気鋳造して、前記GICシェルの背面と、前記冷却ラインとを覆う共形金属層を形成することと、
前記GICシェル及び前記取り付け後の冷却組立体を前記マンドレルから取り外すことと
を備える方法。 - 前記GICシェルを設けることには、前記GICシェルを前記マンドレル上に電気鋳造することにより前記GICシェルを形成することが含まれ、
前記マンドレルは、前記除去作業を容易するために、前記マンドレル上に分離層を有する
請求項26に記載の方法。 - 前記冷却組立体を設けることには、汚染物質を焼却する焼却プロセスに前記冷却組立体を投じることが含まれる、請求項26又は27に記載の方法。
- 前記冷却組立体を設けることには、水素炉及びロウ付けプロセスを利用して、前記流入位置及び前記流出位置に複数の合金接合部を形成することが含まれる、請求項26から28のいずれかに記載の方法。
- 電気鋳造中、前記冷却組立体及び前記GICシェルを回転させることをさらに備える、請求項26から29のいずれかに記載の方法。
- 水素炉及びロウ付けプロセスを利用して、流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドに前記複数の冷却ラインを流体接続することをさらに備える、請求項26から30のいずれかに記載の方法。
- 前記冷却ラインの径は、EUV源の最も近くに位置する前記GICシェルの端から離れるにしたがって小さくなっている、請求項26から31のいずれかに記載の方法。
- 極端紫外線(EUV)源からのEUVを集光する方法であって、
前記EUV源に対して、少なくとも一つの斜入射集光器(GIC)シェルを有するGICミラーシステムを配置することと、
請求項26から32のいずれかに記載の冷却方法を利用して、前記少なくとも一つのGICシェルを冷却することと、
前記GICミラーシステムを利用して、前記EUV源からの前記EUVを中間焦点に反射することと
を備える方法。
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