JP5851784B2 - 高さ位置検出装置およびレーザー加工機 - Google Patents
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Description
所定の波長領域を有する光を発する発光源と、
該発光源が発する光の光強度を中央部が高く稜線を形成し裾野に渡り低下する強度分布となるように整形するNDフィルターと、
該NDフィルターによって光強度分布が整形された光を集光して該チャックテーブルに保持された被加工物に照射する集光器と、
該NDフィルターと該集光器との間に配設され該NDフィルターによって光強度分布が整形された光を該集光器に導く第1の経路に導くとともに該チャックテーブルに保持された被加工物で反射した反射光を第2の経路に導く第1のビームスプリッターと、
該第2の経路に導かれた反射光を第3の経路と第4の経路に分光する第2のビームスプリッターと、
該第3の経路に分光された反射光を受光する第1のホトデテクターと、
該第4の経路に配設され該第4の経路に分光された反射光の両側を遮光して中央部の反射光を帯状に通過させ、光強度分布の稜線と一致するように位置づけられたスリットを備えたマスクと、
該マスクを通過した反射光を受光する第2のホトデテクターと、
該第1のホトデテクターによって受光した光量と該第2のホトデテクターによって受光した光量との比率を求め、該比率に基づいてチャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置を求める制御手段と、を具備している、
ことを特徴とする高さ位置検出装置が提供される。
該高さ位置検出装置は、所定の波長領域を有する光を発する発光源と、該発光源が発する光の光強度を中央部が高く稜線を形成し裾野に渡り低下する強度分布となるように整形するNDフィルターと、該NDフィルターによって光強度分布が整形された光を集光して該チャックテーブルに保持された被加工物に照射する集光器と、該NDフィルターと該集光器との間に配設され該NDフィルターによって光強度分布が整形された光を該集光器に導く第1の経路に導くとともに該チャックテーブルに保持された被加工物で反射した反射光を第2の経路に導く第1のビームスプリッターと、該第2の経路に導かれた反射光を第3の経路と第4の経路に分光する第2のビームスプリッターと、該第3の経路に分光された反射光を受光する第1のホトデテクターと、該第4の経路に配設され該第4の経路に分光された反射光の両側を遮光して中央部の反射光を帯状に通過させ、光強度分布の稜線と一致するように位置づけられたスリットを備えたマスクと、該マスクを通過した反射光を受光する第2のホトデテクターと、を具備し、該第1のホトデテクターによって受光した光量と該第2のホトデテクターによって受光した光量との比率を求め、該比率に基づいてチャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置を求める制御手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工機が提供される。
また、本発明によるレーザー加工機は上記高さ位置検出装置を装備しているので、チャックテーブルに保持された被加工物の上面位置を基準とした所定の位置に正確にレーザー加工を施すことができる。
検出用レーザー光線発振手段81から発振された検出用レーザー光線LB2は、NDフィルター83によって光強度を中央部が高く稜線810aを形成し裾野に渡り低下する強度分布810となるように整形される。なお、図示の実施形態におけるNDフィルター83は、光強度の稜線810aが紙面に垂直な方向となるように整形される。NDフィルター83によって光強度が整形された検出用レーザー光線LB2は、第1のビームスプリッター84、ダイクロイックミラー82を介して集光器7に導かれる。集光器7に導かれた検出用レーザー光線LB2は、方向変換ミラー71によって対物集光レンズ72に導かれ、対物集光レンズ72により集光されてチャックテーブル36に保持された被加工物Wの上面に照射される。チャックテーブル36に保持された被加工物Wの上面に照射された検出用レーザー光線LB2は、被加工物Wの表面(上面)に照射される面積で反射する。例えば、図3に示すようにチャックテーブル36に保持された被加工物Wに検査用レーザー光線LB2を照射する場合、検査用レーザー光線LB1は被加工物Wの表面(上面)に照射される面積Sで反射する。
バンドパスフィルター85は上述したように検出用レーザー光線LB2の波長(図示の実施形態においては632nm)に対応する反射光のみを通過せしめるように構成されているので、室内の蛍光灯等の光はバンドパスフィルター85によって遮断される。従って、検出用レーザー光線LB2の反射光だけがバンドパスフィルター85を通過し、第2のビームスプリッター86に達する。
第1のホトデテクター88aに受光される反射光は、上述したように100%受光されるので受光量は一定であり、第1のホトデテクター88aから出力される電圧値(V1)は一定(例えば10V)となる。一方、第2のホトデテクター88bによって受光される反射光は、第2の集光レンズ87bによって集光された後にマスク89によって一部が遮蔽されて第2のホトデテクター88bに受光されるので、図3に示すように検査用レーザー光線LB2が被加工物Wの上面に照射される際に、集光器7の対物集光レンズ72から被加工物Wの上面までの距離、即ち被加工物Wの高さ位置(厚み)によって第2のホトデテクター88bの受光量は変化する。従って、第2のホトデテクター88bから出力される電圧値(V2)は、検査用レーザー光線LB2が照射される被加工物Wの上面高さ位置によって変化する。
図7にはレーザー加工される被加工物として半導体ウエーハ20の斜視図が示されている。図7に示す半導体ウエーハ20は、シリコンウエーハからなっており、その表面20aに格子状に配列された複数のストリート201によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス202が形成されている。
即ち、先ず上述した図1に示すレーザー加工機のチャックテーブル36上に半導体ウエーハ20の裏面20bを上にして載置し、該チャックテーブル36上に半導体ウエーハ20を吸引保持する。半導体ウエーハ20を吸引保持したチャックテーブル36は、加工送り手段37によって撮像手段9の直下に位置付けられる。
レーザー加工を実施するには、先ずチャックテーブル36を移動して図8の(a)において最上位のストリート201を集光器7の直下に位置付ける。そして、更に図10の(a)で示すようにストリート201の一端(図10の(a)において左端)である送り開始位置座標値(A1)(図10の(a)参照)を集光器7の直下に位置付ける。制御手段10は、集光点位置調整手段53を作動して集光器7から照射される加工用パルスレーザー光線LB1の集光点Paを半導体ウエーハ20の裏面20b(上面)から所定の深さ位置に合わせる。次に、制御手段10は、加工用パルスレーザー光線発振手段6を作動し、集光器7から加工用パルスレーザー光線LB1を照射しつつチャックテーブル36を矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる(レーザー加工工程)。そして、図10の(b)で示すように集光器7の照射位置がストリート201の他端(図10の(b)において右端)に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともに、チャックテーブル36の移動を停止する。この加工工程においては、制御手段10はランダムアクセスメモリ(RAM)103の第3の記憶領域103cに格納されている半導体ウエーハ20のストリート201におけるX座標値に対応した高さ位置に基いて、集光点位置調整手段53のパルスモータ532を制御し、図10の(b)で示すように集光器7を半導体ウエーハ20のストリート201における高さ位置に対応して上下方向に移動せしめる。この結果、半導体ウエーハ20の内部には、図10の(b)で示すように裏面20b(上面)から所定の深さ位置に裏面20b(上面)と平行に改質層210が形成される。
レーザー :YVO4 パルスレーザー
波長 :1040nm
繰り返し周波数 :200kHz
平均出力 :1W
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :300mm/秒
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
374:X軸方向位置検出手段
38:第1の割り出し送り手段
384:Y軸方向位置検出手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り手段
5:レーザー光線照射ユニット
6:加工用パルスレーザー光線発振手段
7:集光器
71:方向変換ミラー
72:対物集光レンズ
8:高さ位置検出装置
81:検出用レーザー光線発振手段
82:ダイクロイックミラー
83:NDフィルター
84:第1のビームスプリッター
85:バンドパスフィルター
86:第2のビームスプリッター
87a:第1の集光レンズ
87b:第2の集光レンズ
88a:第1のホトデテクター
88b:第2のホトデテクター
89:マスク
9:撮像手段
10:制御手段
20:半導体ウエーハ
Claims (2)
- チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置を検出する高さ位置検出装置において、
所定の波長領域を有する光を発する発光源と、
該発光源が発する光の光強度を中央部が高く稜線を形成し裾野に渡り低下する強度分布となるように整形するNDフィルターと、
該NDフィルターによって光強度分布が整形された光を集光して該チャックテーブルに保持された被加工物に照射する集光器と、
該NDフィルターと該集光器との間に配設され該NDフィルターによって光強度分布が整形された光を該集光器に導く第1の経路に導くとともに該チャックテーブルに保持された被加工物で反射した反射光を第2の経路に導く第1のビームスプリッターと、
該第2の経路に導かれた反射光を第3の経路と第4の経路に分光する第2のビームスプリッターと、
該第3の経路に分光された反射光を受光する第1のホトデテクターと、
該第4の経路に配設され該第4の経路に分光された反射光の両側を遮光して中央部の反射光を帯状に通過させ、光強度分布の稜線と一致するように位置づけられたスリットを備えたマスクと、
該マスクを通過した反射光を受光する第2のホトデテクターと、
該第1のホトデテクターによって受光した光量と該第2のホトデテクターによって受光した光量との比率を求め、該比率に基づいてチャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置を求める制御手段と、を具備している、
ことを特徴とする高さ位置検出装置。 - 被加工物を保持する被加工物保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物をレーザー加工するための加工用レーザー光線を発振する加工用レーザー光線発振手段と該レーザー光線発振手段によって発振された加工用レーザー光線を集光する集光器とを有するレーザー光線照射手段と、該レーザー光線照射手段を該チャックテーブルの該被加工物保持面に対して垂直な方向に移動し該集光器によって集光される該加工用レーザー光線の集光点位置を調整する集光点位置調整手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を加工送り方向(X軸方向)に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に相対的に移動せしめる割り出し送り手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置を検出する高さ位置検出装置と、を具備するレーザー加工機において、
該高さ位置検出装置は、所定の波長領域を有する光を発する発光源と、該発光源が発する光の光強度を中央部が高く稜線を形成し裾野に渡り低下する強度分布となるように整形するNDフィルターと、該NDフィルターによって光強度分布が整形された光を集光して該チャックテーブルに保持された被加工物に照射する集光器と、該NDフィルターと該集光器との間に配設され該NDフィルターによって光強度分布が整形された光を該集光器に導く第1の経路に導くとともに該チャックテーブルに保持された被加工物で反射した反射光を第2の経路に導く第1のビームスプリッターと、該第2の経路に導かれた反射光を第3の経路と第4の経路に分光する第2のビームスプリッターと、該第3の経路に分光された反射光を受光する第1のホトデテクターと、該第4の経路に配設され該第4の経路に分光された反射光の両側を遮光して中央部の反射光を帯状に通過させ、光強度分布の稜線と一致するように位置づけられたスリットを備えたマスクと、該マスクを通過した反射光を受光する第2のホトデテクターと、を具備し、該第1のホトデテクターによって受光した光量と該第2のホトデテクターによって受光した光量との比率を求め、該比率に基づいてチャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置を求める制御手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工機。
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