JP5851445B2 - 発光素子、発光素子製造方法、及び照明装置 - Google Patents

発光素子、発光素子製造方法、及び照明装置 Download PDF

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Description

本発明は、発光素子、発光素子製造方法、及び照明装置に関するものである。
発光素子、例えば発光ダイオード（Light Emitting Device）は電気エネルギーを光に変換する半導体素子の一種であって、既存の蛍光灯、白熱灯に代えて次世代の光源として脚光を浴びている。
発光ダイオードは半導体素子を用いて光を生成するので、タングステンを加熱して光を発生する白熱灯や、または高圧放電を通じて生成された紫外線を蛍光体に衝突させて光を生成する蛍光灯に比べて非常に低い電力を消耗する。
また、発光ダイオードは半導体素子の電位ギャップを用いて光を生成するので、既存の光源に比べて寿命が長く、応答特性が速く、親環境的な特徴を有する。
これによって、既存の光源を発光ダイオードに取り替えるための多くの研究が進められており、発光ダイオードは、室内及び室外で使われる各種ランプ、液晶表示装置、電光板、街灯などの照明装置の光源としての使用が増加している。
本発明の目的は、新たな胴体の側壁構造を有する発光素子を提供することにある。
本発明の他の目的は、胴体の側壁のうちの少なくとも１つにリセス部（recess portion）を有する発光素子を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、胴体の底に複数のリセス部を有する発光素子を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、胴体の側壁のうち、互いに対応する第１側壁及び第２側壁に複数のリセス部を有する発光素子を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、発光チップが配置されたキャビティーの側面に対応する第１側壁と題２側壁にリセス部を有する発光素子を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、胴体の射出時、リセス部に挿入されたハンガー（hanger）を用いて胴体を支持することができる発光素子製造方法を提供することにある。
本発明の実施形態に従う発光素子は、互いに対応する第１及び第２側壁、前記第１及び第２側壁の長さより短い長さを有する第３及び第４側壁、及び凹部を有する胴体、前記凹部及び前記第３側壁の下に配置された第１リードフレーム、前記凹部及び前記第４側壁の下に配置された第２リードフレーム、前記第１及び第２リードフレームのうち、少なくとも１つの上に配置された発光チップ、前記凹部に配置されたモールディング部材、前記第１側壁から前記第２側壁方向にリセスされ、前記胴体の底に連結された第１リセス部、及び前記第２側壁から前記第１側壁方向にリセスされ、前記胴体の底に連結された第２リセス部を含む。
本発明の実施形態に従う発光素子は、互いに対応する第１及び第２側壁、前記第１及び第２側壁の長さより短い長さを有する第３及び第４側壁、及び凹部を有する胴体、前記凹部の下に配置された第１リードフレーム、前記凹部の下に配置された第２リードフレーム、前記第１リードフレームの上に配置された第１発光チップ、前記第２リードフレームの上に配置された第２発光チップ、前記凹部に配置されたモールディング部材、前記第１側壁から前記第２側壁方向にリセスされた複数の第１リセス部、及び前記第２側壁から前記第１側壁方向にリセスされた複数の第２リセス部を含み、前記複数の第１リセス部は前記第１発光チップと前記第２発光チップとの間の間隔より広い間隔で離隔する。
本発明の実施形態によれば、発光素子の射出成形時、胴体に伝達される損害を防止することができる。
本発明の実施形態によれば、複数のリードフレームのキャビティーに結合された胴体を支持することができるリセスを有する発光素子を提供することができる。
本発明の実施形態によれば、発光素子の歩留まりを改善させることができる。
本発明の実施形態によれば、発光素子の信頼性を改善させることができる。
本発明の実施形態によれば、発光素子及びこれを具備した照明装置の信頼性を改善させることができる。
本発明の第１実施形態に従う発光素子の斜視図を示す図である。 図１の発光素子のＡ−Ａ側断面図である。 図１の発光素子の第１側面から眺めた図である。 図１の発光素子の第２側面から眺めた図である。 図３の部分拡大図である。 図１の発光素子の背面図である。 図６の発光素子の部分拡大図である。 図６の発光素子のＢ−Ｂ側断面図である。 図６の発光素子のセンター側断面図である。 発光素子の製造工程を示す図である。 発光素子の製造工程を示す図である。 発光素子の製造工程を示す図である。 発光素子の製造工程を示す図である。 発光素子の製造工程を示す図である。 図６の発光素子のリセス部の他の配置構造を示す図である。 図６の発光素子のリセス部の他の配置構造を示す図である。 図１５及び図１６の発光素子の製造時のハンガーの位置を示す図である。 本発明の第２実施形態に従う発光素子の側断面図であって、リセス部の形状とハンガーを示す図である。 本発明の第２実施形態に従う発光素子の側断面図であって、リセス部の形状とハンガーを示す図である。 本発明の第３実施形態に従う発光素子の側断面図であって、リセス部の形状とハンガーを示す図である。 本発明の第３実施形態に従う発光素子の側断面図であって、リセス部の形状とハンガーを示す図である。 本発明の実施形態に従う発光素子の側断面図であって、リセス部の形状を変形した例を示す図である。 本発明の実施形態に従う発光素子の側断面図であって、リセス部の形状を変形した例を示す図である。 本発明の第５実施形態に従う発光素子の背面図であって、リセス部の位置及び形状を変形した例を示す図である。 本発明の第５実施形態に従う発光素子の背面図であって、リセス部の位置及び形状を変形した例を示す図である。 本発明の第５実施形態に従う発光素子の背面図であって、リセス部の位置及び形状を変形した例を示す図である。 本発明の第５実施形態に従う発光素子の背面図であって、リセス部の位置及び形状を変形した例を示す図である。 本発明の第６実施形態に従う発光素子の背面図であって、リセス部の長さ及びハンガーを示す図である。 本発明の第６実施形態に従う発光素子の背面図であって、リセス部の長さ及びハンガーを示す図である。 本発明の第７実施形態に従う発光素子の背面図であって、リセス部の変形例を示す図である。 本発明の第７実施形態に従う発光素子の背面図であって、リセス部の変形例を示す図である。 本発明の第７実施形態に従う発光素子の背面図であって、リセス部の変形例を示す図である。 本発明の第８実施形態に従う発光素子の平面図である。 図３３の発光素子の背面の例を示す図である。 図３３の発光素子の背面の例を示す図である。 図３３の発光素子の背面の例を示す図である。 図３３の発光素子の背面の例を示す図である。 本発明の第９実施形態に従う発光素子の平面図である。 本発明の第１０実施形態に従う発光素子の平面図である。 図３９の発光素子の背面図である。 図３９の発光素子の側断面図である。 図４２は、実施形態による発光素子の発光チップの１例を示す図である。 図４３は、実施形態による発光素子の発光チップの他の例を示す図である。 図４４は、実施形態による発光素子を有する表示装置を示す斜視図である。 図４５は、実施形態による発光素子を有する表示装置を示す図である。 本発明の実施形態に従う照明装置を示す図である。 本発明の実施形態に従う照明装置を示す図である。 本発明の実施形態に従う照明装置を示す図である。 本発明の実施形態に従う照明装置の他の例を示す図である。 本発明の実施形態に従う照明装置の他の例を示す図である。
本発明を説明するに当たって、各基板、フレーム、シート、層、またはパターンなどが、各基板、フレーム、シート、層、またはパターンなどの“上／の上（on）”に、または“下／の下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上／の上（on）”と“下／の下（under）”は、“直接（directly）”または“他の構成要素を介して（indirectly）”形成されるものを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。
以下、実施形態は添付した図面及び実施形態に対する説明を通じて明白に表れるようになる。図面でサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際サイズを全的に反映するものではない。また、同一な参照番号は図面の説明を通じて同一な要素を表す。
以下、添付した図面を参照して実施形態に従う発光素子を説明する。
図１は本発明の第１実施形態に従う発光素子の斜視図を示す図であり、図２は図１の発光素子のＡ−Ａ側断面図であり、図３は図１の発光素子の第１側面から眺めた図であり、図４は図１の発光素子の第２側面から眺めた図であり、図５は図３の部分拡大図であり、図６は図１の発光素子の背面図であり、図７は図６の発光素子の部分拡大図であり、図８は図６の発光素子のＢ−Ｂ側断面図であり、図９は図６の発光素子のセンター側断面図である。
図１乃至図９を参照すると、発光素子１００は、凹部１６を有する胴体１０、前記凹部１６の下に第１キャビティー２５を有する第１リードフレーム２１、前記凹部１６の下に第２キャビティー３５を有する第２リードフレーム３１、モールディング部材４０、連結フレーム４６、及び発光チップ７１、７２を含む。前記発光素子１００は、連結フレーム４６を具備しないことがある。
前記胴体１０は、絶縁材質、卑金属、または伝導性材質を含むことができる。前記胴体１０は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Polyphthalamide）、シリコンまたはエポキシのような樹脂材質、金属材質、ＰＳＧ（photo sensitive glass）、セラミック材質、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）材質、回路パターンを有する印刷回路基板（ＰＣＢ）のうち、少なくとも１つで形成できる。例えば、前記胴体１０はポリフタルアミド（ＰＰＡ：Polyphthalamide）、エポキシ、またはシリコンのような樹脂材質からなることができる。前記胴体１０は、エポキシまたはシリコン材質で形成されることができ、前記シリコンまたはエポキシの内には反射効率のためにＴｉＯ２、ＳｉＯ２のような金属酸化物またはフィラーが添加できる。
前記胴体１０のトップビュー（top view）形状は、三角形、四角形、五角形のような多角形構造に形成されたり、円形、曲面を有する形状に形成できる。
前記胴体１０は、上面１５から所定深さを有し、上部が開放された凹部１６を含み、前記凹部１６の側面１６−１及び底を含む。前記凹部１６は、前記胴体１０の上面（top surface）１５から凹なカップ構造、キャビティー構造、またはリセス構造のような形態に形成されることができ、これに対して限定するものではない。前記凹部１６の側面１６−１は、前記胴体１０の底に対して垂直または傾斜することができる。前記凹部１６のトップビュー形状は、円形、楕円形、多角形（例えば、四角形）、隅が曲面の多角形状でありうる。
前記胴体１０は複数の側壁、例えば、少なくとも４個の側壁１１、１２、１３、１４を含むことができる。例えば、第１乃至第４側壁１１、１２、１３、１４をその例として説明し、第１側壁１１と第２側壁１２とは互いに反対側に位置し、前記第３側壁１３と前記第４側壁１４とは互いに反対側に位置する。
前記複数の側壁１１、１２、１３、１４のうちの少なくとも１つは、前記胴体１０の底に対して垂直または傾斜するように配置できる。例えば、前記胴体１０の側壁１１、１２、１３、１４は、図５のように、胴体１０の底１７に垂直な線分に対して第１角度（θ１）に傾斜することができ、前記第１角度（θ１）は１度乃至１０度の範囲で形成できる。このような胴体１０の側壁１１−１４が傾斜するように形成されることによって、前記胴体１０の射出時、射出のための型枠の分離が容易であるという効果がある。
前記第１側壁１１及び第２側壁１２の各々の長さ（Ｘ１）は第３側壁１３及び第４側壁１４の長さ（Ｙ１）と異なることがあり、例えば前記第１側壁１１と前記第２側壁１２の長さ（Ｘ１）は前記第３側壁１３及び第４側壁１４の長さ（Ｙ１）より長く形成できる。前記第１側壁１１または第２側壁１２の長さ（Ｘ１）は前記第３側壁１３及び第４側壁１４の間の間隔であることがあり、前記胴体１０の長手方向は第１軸（Ｘ）方向であって、第２及び第３キャビティー２５、３５の中心を過ぎる方向であるか、第３及び第４側壁１３、１４の間の間隔でありうる。前記胴体１０の幅方向は第２軸（Ｙ）方向であって、第１軸（Ｘ）方向に直交する方向であり、前記胴体１０の幅方向であるか、第１及び第２側壁１１、１２の間の間隔でありうる。
ここで、前記第１及び第２側壁１１、１２の長さ（Ｘ１）は前記胴体１０の長さであることがあり、前記第３及び第４側壁１３、１４の長さ（Ｙ１）は前記胴体１０の幅でありうる。
前記胴体１０の長さである第１及び第２側壁１１、１２の長さ（Ｘ１）は、前記胴体１０の幅である第３及び第４側壁１３、１４の長さ（Ｙ１）より２倍以上、例えば、３倍以上乃至５倍以下に形成できる。このような胴体１０の長さ（Ｘ１）が幅（Ｙ１）より長いため、射出成形時、胴体１０の中間部分が撓むか破損される問題が発生できる。実施形態は、胴体１０の長さ（Ｘ１）によって胴体１０が破損されて発光素子の歩留まりが低下することを防止するためのものである。前記第１リードフレーム２１は前記凹部１６の第１領域に配置され、前記凹部１６の底に一部が配置され、その内側領域に前記凹部１６の底より低い深さを有する第１キャビティー２５が配置される。前記第１キャビティー２５は、前記凹部１６の底から前記胴体１０の底方向に凹な形状、例えば、カップ（Cup）構造またはリセス（recess）形状を含む。
前記第１キャビティー２５の側面及び底は前記第１リードフレーム２１により形成され、前記第１キャビティー２５の周り側面は前記第１キャビティー２５の底から傾斜または垂直するように折り曲げられる。前記第１キャビティー２５の側面のうち、対応する２側面は同一な角度に傾斜したり、互いに異なる角度に傾斜することができる。前記第１キャビティー２５の底は水平な面で形成されることができ、前記第１領域は前記第１発光チップ７１が配置される領域と対応する領域になることができる。
前記第２リードフレーム３１は前記凹部１６の第１領域と離隔する第２領域に配置され、前記凹部１６の底に一部が配置され、その内側領域には前記凹部１６の底より低い深さを有する凹な第２キャビティー３５が形成される。前記第２キャビティー３５は、前記第２リードフレーム３１の上面から前記胴体１０の底方向に凹な形状、例えば、カップ（Cup）構造またはリセス（recess）形状を含む。前記第２キャビティー３５の底及び側面は前記第２リードフレーム３１により形成され、前記第２キャビティー３５の側面は前記第２キャビティー３５の底から傾斜または垂直するように折り曲げられる。前記第２キャビティー３５の側面のうち、対応する２側面は同一な角度に傾斜したり互いに異なる角度に傾斜することができる。前記第２キャビティー３５の底は水平な面で形成されることができ、前記第２領域は前記第２発光チップ７２が配置される領域と対応する領域になることができる。
前記第１キャビティー２５及び前記第２キャビティー３５のトップビュー形状は互いに同一な形状に形成されることができ、多角形または楕円形形状でありうる。また、前記第１キャビティー２５及び前記第２キャビティー３５のトップビューから見ると、点対称または線対称構造で配置できる。前記第１キャビティー２５及び前記第２キャビティー３５は、底領域であるベース部、前記ベース部から折り曲げられたサイド部、及び前記サイド部から折り曲げられた外郭部を含むことができる。
前記第１キャビティー２５及び前記第２キャビティー３５の底２２、３２は、図６のように矩形、正方形、または、一部が曲面を有する形状、または円または楕円形状であることがあり、これに対して限定するものではない。前記第１キャビティー２５及び前記第２キャビティー３５の底２２、３２は、前記胴体１０の下部に露出し、前記胴体１０の底と同一平面の上に配置できる。前記第１キャビティー２５及び前記第２キャビティー３５の底２２、３２が前記胴体１０の底１７と同一平面上に配置された場合、ソルダーのようなボンディング部材の接合力が改善できる。また、前記第１キャビティー２５及び前記第２キャビティー３５は第１及び第２発光チップ７１、７２から発生した熱を伝導するようになる。
図２乃至図６のように、前記第１リードフレーム２１は第１リード部２３を含み、前記第１リード部２３は前記胴体１０の下部に配置され、前記胴体１０の第３側壁１３に突出できる。前記第２リードフレーム３１は第２リード部３３を含み、前記第２リード部３３は前記胴体１０の下部に配置され、前記胴体１０の第４側壁１４に突出できる。前記第１リード部２３及び第２リード部３３は前記胴体１０の底１７と同一平面上に配置され、ソルダーのようなボンディング部材の接合力が改善できる。
前記第１リードフレーム２１及び第１リード部２３と、第２リードフレーム３１及び第２リード部３３は、回路基板の上に搭載できる。前記第１リードフレーム２１及び第２リードフレーム３１の厚さは０．１５mm以上、または０．１８mm以上であることがあり、例えば、０．２０mm〜０．２５mm範囲で形成できる。上記の第１及び第２リードフレーム２１、３１は電源を供給するリードフレームとして機能するようになる。
前記連結フレーム４６は、前記凹部１６の底領域のうち、前記第１リードフレーム２１と第２リードフレーム３１から離隔し、中間連結端子に使われる。図３のように、前記連結フレーム４６の一部４６−１は前記胴体１０の第１側壁１１の上に露出できる。前記連結フレーム４６は、前記第１及び第２リードフレーム２１、３１と第１及び第２発光チップ７１、７２が互いに連結された場合に除去できる。
前記第１リードフレーム２１、第２リードフレーム３１、及び連結フレーム４６は、金属材質、例えば、チタニウム（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タンタリウム（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、燐（Ｐ）のうち、少なくとも１つを含むことができ、単一金属層または多層金属層で形成できる。前記第１及び第２リードフレーム２１、３１と連結フレーム４６の厚さは同一な厚さで形成されることができ、これに対して限定するものではない。
前記第１リードフレーム２１の第１キャビティー２５の内には第１発光チップ７１が配置され、前記第１発光チップ７１は第１接合部材８１により第１キャビティー２５の上に接着される。前記第２リードフレーム３１の第２キャビティー３５の内には第２発光チップ７２が配置され、前記第２発光チップ７２は第２接合部材８２により第２キャビティー３５の上に接着される。前記第１及び第２接合部材８１、８２は絶縁性接着剤または伝導性接着剤でありうる。前記絶縁性接着剤は、エポキシまたはシリコンのような材質を含むことができ、前記伝導性接着剤はソルダーのようなボンディング材質を含むことができる。前記第１及び第２接合部材８１、８２は熱伝導率を改善させるために金属酸化物をさらに含むことができ、これに対して限定するものではない。
前記第１及び第２発光チップ７１、７２は、可視光線帯域から紫外線帯域の範囲のうちから選択的に発光することができ、例えばレッドＬＥＤチップ、ブルーＬＥＤチップ、グリーンＬＥＤチップ、イエローグリーン（Yellow green）ＬＥＤチップのうちから選択できる。前記第１及び第２発光チップ７１、７２は、III族−V族元素の化合物半導体とII族−VI族元素の化合物半導体のうち、少なくとも１つを含むＬＥＤチップを含む。
前記第１発光チップ７１は第１ワイヤー７３により前記凹部１６の底に配置された第１リードフレーム２１と連結され、第２ワイヤー７４により前記連結フレーム４６と連結される。前記第２発光チップ７２は第３ワイヤー７５により前記連結フレーム４６と連結され、第４ワイヤー７６により前記凹部１６の底に配置された第２リードフレーム３１と連結される。前記連結フレーム４６は、前記第１発光チップ７１と前記第２発光チップ７２とを電気的に連結してくれる。
保護素子（図示せず）は、前記第１リードフレーム２１または前記第２リードフレーム３１の一部の上に配置できる。前記保護素子は、サイリスタ、ツェナーダイオード、またはＴＶＳ（Transient voltage suppression）で具現されることができ、前記ツェナーダイオードは前記発光チップをＥＳＤ（electro static discharge）から保護するようになる。前記保護素子は、第１発光チップ７１及び第２発光チップ７２の連結回路に並列に連結されることによって、前記発光チップ７１、７２を保護することができる。
モールディング部材４０は、前記凹部１６、第１キャビティー２５、及び前記第２キャビティー３５のうち、少なくとも１つに形成できる。例えば、前記モールディング部材４０は、前記凹部１６、第１キャビティー２５、及び第２キャビティー３５の内に形成できる。前記モールディング部材４０は、シリコンまたはエポキシのような透光性樹脂材質で形成されることができ、単層または多層に形成できる。
また、前記モールディング部材４０は、前記発光チップ７１、７２の上に放出される光の波長を変換するための蛍光体を含むことができ、前記蛍光体は前記第１キャビティー２５及び前記第２キャビティー３５のうち、少なくとも一領域に形成されたモールディング部材４０に添加されることができ、これに対して限定するものではない。前記蛍光体は、発光チップ７１、７２から放出される光の一部を励起させて他の波長の光に放出するようになる。前記蛍光体は、ＹＡＧ、ＴＡＧ、シリケート（Silicate）、ナイトライド（Nitride）、オキシ−ナイトライド（Oxy-nitride）系物質のうちから選択的に形成できる。前記蛍光体は、赤色蛍光体、黄色蛍光体、緑色蛍光体のうち、少なくとも１つを含むことができ、これに対して限定するものではない。前記モールディング部材４０の上面は、フラットな形状、凹な形状、凸な形状のうち、少なくとも１つを含むことができ、これに対して限定するものではない。
前記モールディング部材４０の上面は、光出射面になることができる。前記モールディング部材４０の上部には光学レンズが配置されることができ、前記光学レンズは凸レンズ、凹レンズ、中心部に全反射面を有する凸レンズを含むことができ、これに対して限定するものではない。
図１、図３、図４、及び図６を参照すると、前記胴体１０の第１及び第２側壁１１、１２のうちの少なくとも１つには前記第１及び第２側壁１１、１２から胴体１０の内部方向に所定深さにリセスされた少なくとも１つのリセス構造を含むことができる。前記胴体１０のリセス構造は、第１及び第２側壁１１、１２から前記胴体１０の内側方向に凹な形状に形成される。前記リセス構造は、前記胴体１０の射出成形時、前記胴体１０を支えるハンガー（Hanger）が挿入されて、前記胴体１０の破損を防止することができる。以下、実施形態の説明のために、第１及び第２側壁１１、１２に開示されたリセス構造はリセス部として定義して説明し、１つまたは複数に配置された例として説明する。
図３、図４、及び図６のように、胴体１０の第１側壁１１には、例えば、第１及び第２リセス部５１、５２が配置され、前記第２側壁１２には、例えば、第３及び第４リセス部５３、５４が配置される。前記第１リセス部５１と第２リセス部５２との間の間隔（Ｄ１）は、第３リセス部５３と第４リセス部５４との間の間隔と同一であることがあり、前記第１及び第２キャビティーの底２２、３２の間の距離（Ｇ１）よりは一層広いことがある。これは、第１リセス部５１と第３リセス部５３とは互いに対向するように配置され、前記第２リセス部５２と第４リセス部５４とは互いに対向するように配置される。図７のように、前記第１及び第３リセス部５１、５３を連結した仮想線分は前記第１側壁１１または第２側壁１２に水平な線（Ｘ２）に対して直交する方向に配置できる。前記第１及び第３リセス部５１、５３を連結した仮想線分は前記第２及び第４リセス部５２、５４を連結した仮想線分と互いに平行するように配置できる。
前記第１乃至第４リセス部５１、５２、５３、５４は、前記胴体１０の底１７からオープンされ、前記胴体１０の底１７と連結される。
図５のように、前記第１及び第３リセス部５１、５３は、前記第３側壁１３との距離（Ｄ２）が同一であることがあり、前記第２及び第４リセス部５２、５４は第４側壁１４との距離が同一であることがある。前記第１及び第３リセス部５１、５３は互いに対応するか、互いに対向する方向に位置できる。前記第２及び第４リセス部５２、５４は互いに対応するか、水平方向にオーバーラップされる位置に形成できる。前記第１キャビティー２５の底は前記第１及び第３リセス部５１、５３の間に配置され、前記第２キャビティー３５の底は前記第２及び第４リセス部５２、５４の間に配置される。
前記第１リセス部５１と前記胴体１０の第３側壁１３との間の距離（Ｄ２）は１３０μｍ以上、例えば、１３０μｍ〜５００μｍ範囲で離隔できる。ここで、前記距離（Ｄ２）は前記胴体１０の上面１５の幅（図２のＴ３）より長く形成されるので、前記第１リセス部５１により胴体１０に伝えられる衝撃を最小化することができる。前記胴体１０の上面１５の幅（Ｔ３）は１３０μｍ以上であることがあり、前記距離（Ｄ２）よりは狭いことがある。即ち、前記胴体１０のリセス部５１、５２、５３、５４は胴体１０の上面１５の幅、即ち、縁領域よりは深く形成できる。前記幅（Ｔ３）は前記第１乃至第４側壁１１、１２、１３、１４のうち、第３側壁１３または第４側壁１４と前記凹部１６との間の間隔、例えば、最小間隔でありうる。
図８のように、前記胴体１０の上面１５の幅（Ｔ４）は前記第１側壁１１または第２側壁１２と前記凹部１６との間の間隔である。前記幅（Ｔ４）は前記幅（Ｔ３）と等しいか狭いことがあり、これに対して限定するものではない。
図５及び図８のように、前記第１乃至第４リセス部５１、５２、５３、５４の高さは前記胴体１０の底１７からの距離であり、互いに同一であることがあり、前記第１リセス部５１の高さ（Ｔ２）として説明することにする。前記第１リセス部５１の高さ（Ｔ２）は胴体１０の底１７から１５μｍ以上に形成されることができ、例えば１５μｍ〜２５０μｍ範囲で形成できる。前記第１リセス部５１の高さ（Ｔ２）は、前記リードフレーム２１、３１の厚さ（Ｔ１）と同一な距離であるか、前記厚さ（Ｔ１）より薄く形成できる。前記第１リセス部５１の高さ（Ｔ２）が上記の範囲より高い場合、胴体１０の剛性が脆弱になることがある。
前記第１乃至第４リセス部５１、５２、５３、５４の幅は図５に図示された第１リセス部５１の幅（Ｗ１）を参照することにする。前記第１リセス部５１の幅（Ｗ１）は５０μｍ以上、例えば、５０μｍ−５００μｍ範囲で形成されることができ、前記ハンガーの挿入突起が支持することができる幅が５０μｍ以上であるので、前記第１リセス部５１の幅（Ｗ１）は５０μｍ以上に形成されるか、前記第１及び第２リードフレーム２１、３１の厚さより広い幅で形成できる。また、前記幅（Ｗ１）は前記胴体１０の長さ（Ｘ１）の１／１０割合以下に形成されることができ、これに対して限定するものではない。前記第１乃至第４リセス部５１、５２、５３、５４の幅（Ｗ１）が前記範囲より狭い場合、胴体１０の射出時、支持することができなくなり、前記範囲を超過した場合、前記胴体１０の剛性が脆弱になる問題が発生できる。前記第１リセス部５１の幅（Ｗ１）は、前記第１及び第２発光チップ７１、７２の側面のうち、いずれか１つの幅より狭いことがある。また、前記第１リセス部５１の幅（Ｗ１）は図６に開示された第１及び第２キャビティーの底２２、３２の間の距離（Ｇ１）よりは狭く形成できる。また、前記第１リセス部５１の幅（Ｗ１）は前記第１及び第２キャビティー２５、３５の底幅（Ｘ軸方向の幅）よりは狭く形成できる。
図７及び図８を参照すると、前記第１乃至第４リセス部５１、５２、５３、５４の深さ（Ｄ４）は前記幅（Ｗ１）と同一または相異することができ、例えば３０μｍ−１３０μｍ範囲で形成できる。前記リセス部５１、５２、５３、５４の深さ（Ｄ４）は前記幅（Ｗ１）が１００μｍ以下の場合、５０μｍ〜１００μｍ範囲で形成できる。前記第１リセス部５１の深さ（Ｄ４）は前記第１及び第２発光チップ７１、７２の側面のうち、いずれか１つの幅より狭いことがある。前記深さ（Ｄ４）は第１及び第２側壁１１、１２と前記第１及び第２キャビティー２５、３５の底２２、３２との間の距離よりは短いことがある。
前記リセス部５１、５２、５３、５４の深さ（Ｄ４）は前記胴体１０の上面１５の幅（Ｔ３）より深く形成できる。前記リセス部５１、５２、５３、５４の深さ（Ｄ４）は、例えば、第１乃至第４側壁１１、１２、１３、１４と前記凹部１６の間の間隔のうち、最小の間隔よりは深く形成できる。
前記リセス部５１、５２、５３、５４の深さ（Ｄ４）は、例えば、胴体１０の上面幅（Ｔ３またはＴ４）よりは深く形成できる。例えば、前記深さ（Ｄ４）は上面幅（Ｔ４）よりは深く形成されることができ、前記凹部１６の底と前記第１側壁１１との間の距離（Ｂ４）よりは狭く形成できる。ここで、前記深さ（Ｄ４）が前記距離（Ｂ４）より大きい場合、前記第１及び第２側壁１１、１２が脆弱になる問題が発生し、前記上面幅（Ｔ４）より狭い場合、ハンガーの機能が脆弱になる問題がある。
図６のように、胴体１０のレセス部５１、５２、５３、５４は第１側壁１１または第２側壁１２に２つ以上でありうる。または、第１側壁１１または第２側壁１２に４個以上、例えば６個乃至１２個の範囲で形成できる。これは、胴体１０の長さ（Ｘ１）が長軸方向に長くなるにつれて前記リセス部５１、５２、５３、５４の個数も増加することができ、これに対して限定するものではない。また、前記リセス部５１、５２、５３、５４は、前記胴体１０のキャビティー２５、３５の中心を過ぎる長さ（Ｘ１）方向の線分に対して対称的に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
図１及び図６を参照すると、胴体１０の底１７のうち、エッジ領域に配置された前記第１及び第３リセス部５１、５３は前記第１キャビティー２５の下面２２の中心を直交するように過ぎる線分Ｙ２に隣接するように配置され、前記第２及び第４リセス部５２、５４は第２キャビティー３５の下面３２の中心を直交するように過ぎる線分Ｙ３に隣接するように配置される。前記線分Ｙ２、Ｙ３は互いに平行し、前記第１及び第２側壁１１、１２の線分に対して直交した線分となる。前記第１及び第２リセス部５１、５２または第３及び第４リセス部５３、５４の間の距離（Ｄ１）は第１及び第２キャビティー２５、３５の間の間隔（Ｇ１）よりは広いことがある。前記間隔（Ｇ１）は、前記第１及び第２キャビティー２５、３５の下面の間の距離である。
前記第１及び第２リセス部５１、５２または第３及び第４リセス部５３、５４の間の距離（Ｄ１）は、前記第１発光チップ７１と前記第２発光チップ７２との間の間隔（図２のＧ０）よりは離隔できる。ここで、前記間隔（Ｇ０）は第１発光チップ７１の中心と第２発光チップ７２の中心との間の距離である。
図７を参照すると、前記第１リセス部５１と第１キャビティー２５の下面２２との間の距離（Ｇ２）と、前記第３リセス部５３と第１キャビティー２５の下面２２との間の距離（Ｇ３）は同一または相異することができる。前記距離（Ｇ２、Ｇ３）が同一な場合、前記胴体１０の捩れを防止することができる。
図６及び図８を参照すると、各リードフレーム２１、３１と各リセス部５１、５２、５３、５４との間の間隔（Ｄ３）は、前記各リードフレーム２１、３１の厚さ（Ｔ１）と同一であるか、さらに離隔することができる。例えば、間隔（Ｄ３）は２００μｍ以上に離隔することができ、前記間隔（Ｄ３）が前記の範囲より狭い場合、前記胴体１０の剛性が弱くなることがある。
図６及び図９を参照すると、前記胴体１０の第１側壁１１で前記第１及び第２リセス部５１、５２の間に露出した第１外側領域１１Ａは、前記胴体１０の底１７に対して前記第１側壁１１の第２角度（θ２）と異なる第３角度（θ３）で形成できる。前記第２角度（θ２）は９０度未満、例えば、６０度乃至８５度範囲で形成できる。前記第３角度（θ３）は、前記胴体１０の底１７に対してほぼ垂直な角度（例：９０度−９２度）に形成できる。これは、ハンガーの内側部が前記胴体１０の両側壁１１、１２の第１下部領域１１Ａ、１２Ａに密着した形態に接触されることによって、前記第１下部領域１１Ａと前記第１側壁１１の上部領域とが異なる角度に形成できる。前記胴体１０の第２側壁１２で、前記第３及び第４リセス部５３、５４の間の第２下部領域１２Ａは前記第１下部領域１１Ａを参照することにする。前記下部領域１１Ａ、１２Ａは胴体１０の底に対して垂直し、傾斜した上部領域と連結できる。
上記のように、胴体１０の長辺である第１及び第２側壁１１、１２の下部にハンガーの挿入突起を用いて前記胴体１０の側壁１１、１２より内側に凹なリセス部５１、５２、５３、５４を形成してくれる。また、前記胴体１０の第１及び第２側壁１１、１２の第１及び第２下部領域１１Ａ、１２Ａをハンガーの内側部に接触させることによって、長さが幅より長い胴体１０の破損の問題を減らすことができる。これによって、発光素子１００の歩留まりを改善させることができ、また、発光素子１００及びこれを具備した照明システムの信頼性を改善させることができる。
図１０乃至図１４は、本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造過程を示す図である。実施形態は、単一個の発光素子の製造過程の例を説明する。
図１０を参照すると、金属フレーム２０をプレスにより加工して、第１キャビティー２５を有する第１リードフレーム２１、第２キャビティー３５を有する第２リードフレーム３１、及び連結フレーム４６を支持するようになる。そして、金属フレーム２０の内には多数の孔２０Ａにより互いに異なるフレーム２１、３１、４６からなる。
そして、前記金属フレーム２０には第１ハンガー２６及び第２ハンガー３６を含む。前記第１ハンガー２６は前記第１及び第２リードフレーム２１、３１の一側方向に配置され、その幅は隣接したリセス部の間隔（Ｄ１）に対応し、その両端には第１及び第２挿入突起２７、２８が突出する。前記第２ハンガー３６は前記第１及び第２リードフレーム２１、３１の他側方向に配置され、その幅は隣接したリセス部の間隔（Ｄ１）に対応し、その両端には第３及び第４挿入突起３７、３８が突出する。
上記の金属フレーム２０の上、下に上部型枠（mold）及び下部型枠を配置した後、胴体材質で射出成形すれば、図１１のように金属フレーム２０の既設定された領域の上に胴体１０が射出成形される。
図１２乃至図１４を参照すると、前記第１側壁１１の第１外側領域１１Ａには第１ハンガー２６の内側部２６Ａが密着し、第１リセス部５１には第１挿入突起２７が挿入され、第２リセス部５２には第２挿入突起２８が挿入される。前記胴体１０の第２側壁１２の第２外側領域１２Ａには第２ハンガー３６の内側部３６Ａが密着し、第３リセス部５３には第３挿入突起３７が挿入され、第４リセス部５４には第４挿入突起３８挿入される。
ここで、前記第１ハンガー２６及び第２ハンガー３６の内側部２６Ａ、３６Ａは前記胴体１０の第１及び第２外側領域１１Ａ、１２Ａに図１４のように密着することによって、前記胴体１０が下方に垂れることを防止することができる。また、各リセス部５１、５２、５３、５４に挿入された挿入突起２７、２８、３７、３８により前記胴体１０の互いに異なる位置で支えることによって、長さの長い前記胴体１０が破損されることを防止することができる。
以後、前記第１及び第２リードフレーム２１、３１のキャビティー２５、３５の上に発光チップを各々搭載し、ワイヤーにより電気的に連結した後、モールディング部材でモールディングするようになる。そして、既設定されたパッケージ単位のサイズにカッティングすることで、個別発光素子が完成できる。
図１５及び図１６は、図６の発光素子のリセス部の他の配置構造を示す図である。
図１５を参照すると、胴体１０の第１側壁１１に配置されたリセス部５１、５２、５５の個数と第２側壁１２に配置されたリセス部５３、５４の個数とが相異する例である。
前記第１側壁１１には第１及び第２リセス部５１、５２の間に第５リセス部５５が配置される。前記第５リセス部５５には挿入突起が結合され、前記挿入突起は前記胴体１０の射出成形時、前記第５リセス部５５を形成し、前記第１及び第２リードフレーム２１、３１の間の領域で前記胴体１０の側壁領域を支持することができる。
図１６を参照すると、胴体１０の第１及び第２側壁１１、１２の中心部に第５及び第６リセス部５５、５６を含んだ構造である。前記第５及び第６リセス部５５、５６には挿入突起が各々挿入され、前記挿入突起は前記胴体１０の射出成形時、第５及び第６リセス部５５、５６を形成し、第１及び第２リードフレーム２１、３１の間の領域で胴体１０の両側壁領域を支持するようになる。
図１７は図１５及び図１６の発光素子の製造時のハンガーの位置を示す図であって、金属フレーム２０は第１ハンガー２６の第１及び第２挿入突起２７、２８の間に中間挿入突起２９をさらに含んだ構造である。第２ハンガーに対しては第１ハンガーを参照することにする。
図１８乃至図２３はリセス部の他の例を示す図であって、第１及び第３リセス部を参照して説明する。図１８及び図１９は本発明の第２実施形態に従う発光素子の側断面図であって、リセス部の形状とハンガーを示す図である。
図１８を参照すると、胴体１０の第１及び第３リセス部５１、５３には凹部５１Ａ、５３Ａが形成され、前記凹部５１Ａ、５３Ａは前記胴体１０の上方に凸に突出する。前記凹部５１Ａ、５３Ａの形状は、三角形、四角形のような多角形状、半球形状、またはラフな構造を含むことができる。前記第１及び第３リセス部５１、５３の高さ（Ｔ２１）は、前記リードフレーム２１、３１の厚さより薄く形成できる。
図１９を参照すると、第１及び第３挿入突起２７、３７には凸部２６−１、３７−１が形成され、前記凸部２６−１、３７−１は前記第１及び第２ハンガー２６、３６の上部をエッチングまたは圧搾して形成することができ、これに対して限定するものではない。前記凸部２６−１、３７−１は胴体１０との結合力を増加させることができるので、第１及び第３挿入突起２７、３７の挿入深さを縮めることができる。
図２０及び図２１は本発明の第３実施形態に従う発光素子の側断面図であって、リセス部の他の形状とハンガーを示す図である。
図２０を参照すると、胴体１０の第１及び第３リセス部５１、５３には凸部５１Ｂ、５３Ｂが形成され、前記凸部５１Ｂ、５３Ｂは前記胴体１０の下方に突出する。前記凸部５１Ｂ、５３Ｂの形状は、三角形、四角形のような多角形形状、半球形状、または凹凸構造のようなラフな構造を含むことができる。前記第１及び第３リセス部５１、５３の高さは前記リードフレーム２１、３１の厚さと同一な厚さで形成できる。
図２１を参照すると、第１及び第３挿入突起２７、３７には、凹部２６−２、３７−２が形成され、前記凹部２６−２、３７−２は前記第１及び第２ハンガー２６、３６のノッチ形状に形成することができ、これに対して限定するものではない。前記凹部２６−２、３７−２は胴体１０との結合力を増加させることができるので、第１及び第３挿入突起２７、３７の挿入深さを縮めることができる。
図２２及び図２３は本発明の実施形態に従う発光素子の側断面図であって、リセス部の形状を変形した例を示す図である。
図２２を参照すると、胴体１０に配置された第１及び第３リセス部５１−１、５３−１の高さ（Ｔ５）は第１リードフレーム２１の厚さの１／３〜１／５範囲で形成されることができ、これに対して限定するものではない。そして、第２及び第４リセス部に対しては上記の説明を参照することにする。
図２３を参照すると、胴体１０に配置された第１及び第３リセス部５１−２、５３−２は、第１及び第２側壁１１、１２から内側方向に三角形状を有する断面形状に突出する。これは、胴体１０の底１７と接触しない側壁１１、１２の上に三角形状の挿入突起を配置して、第１及び第３リセス部５１−２、５３−２を形成することができる。
図２４乃至図２７は本発明の第５実施形態に従う発光素子の背面図であって、リセス部の位置及び形状を変形した例を示す図である。
図２４を参照すると、発光素子の胴体１０は第１及び第２側壁１１、１２に互いに対応するように配置されたリセス部５５Ａ、５６Ａを含み、前記リセス部５５Ａ、５６Ａは前記胴体１０の中心で水平な線分（Ｘ２）に対して直交するライン（Ｙ０）を基準に互いに対応するように配置される。前記リセス部５５Ａ、５６Ａは、前記第１及び第２リードフレーム２１、３１の間の領域である間隙部に対応するように配置できる。
前記中心ライン（Ｙ０）は前記胴体１０の中心で第１及び第２側壁１１、１２の延長線分が水平な線分（Ｘ２）に対して直交する線分であり、第１及び第２側壁１１、１２の中心を連結したラインになることができる。
前記リセス部５５Ａ、５６Ａが胴体１０の第１軸（Ｘ）の中心に垂直な中心ライン（Ｙ０）に対応するように配置されて、前記胴体１０の射出成形時、第１及び第２リードフレーム２１、３１の間の境界領域で前記胴体１０を効果的に支えることができるようになる。これは、短辺長さより長辺長さの長い胴体１０の脆弱な部分である第１及び第２リードフレーム２１、３１の境界領域が補強できる効果がある。
図２５を参照すると、発光素子の胴体１０は第１側壁１１に形成された第１リセス部５７と第２側壁１２に形成された第２リセス部５８とが互いに食い違うように配置される。前記第１リセス部５７は、前記第１リードフレーム２１の第１キャビティーの底２２の中心を過ぎるライン（Ｙ２）に対応するように配置され、前記第２リセス部５８は第２リードフレーム３１の第２キャビティーの底３２の中心を過ぎるライン（Ｙ３）に対応するように配置される。ここで、前記第１及び第２リセス部５７、５８を連結する仮想ラインは前記線分（Ｙ２）に対して３０度乃至６０度範囲で形成できる。また、前記第１及び第２リセス部５７、５８は第１及び第２リードフレーム２１、３１の間の領域である間隙部を基準に互いに食い違うように配置できる。
前記第１及び第２リセス部５７、５８に挿入されるハンガーの挿入突起は、胴体１０の射出成形時、最も負荷の大きい領域である第１及び第２キャビティーの外側を支持することができる。ここで、胴体１０の中心外側は図１０のように連結フレーム４６が支持するようになることができ、これに対して限定するものではない。
図２６を参照すると、発光素子の胴体１０は第１側壁１１に形成された第１リセス部５７Ａと第２側壁１２に形成された第２リセス部５８Ａとが互いに食い違うように配置される。前記第１リセス部５７Ａは前記第１リードフレーム２１の第１キャビティーの底２２に隣接した領域に配置され、例えば第１キャビティーの底の中心に直交する中心ライン（Ｙ２）と胴体１０の中心ライン（Ｙ０）との間に配置できる。前記第２リセス部５８Ａは第２リードフレーム３１の第２キャビティーの底に隣接するように配置され、例えば、第２キャビティーの底の中心に直交する中心ライン（Ｙ３）と胴体１０の中心ライン（Ｙ０）との間に配置できる。前記第１及び第２リセス部５７Ａ、５８Ａに挿入されるハンガーの挿入突起は、胴体１０の射出成形時、最も負荷の大きい領域である第１及び第２キャビティーの間の外側領域を支持することができる。ここで、胴体１０の中心外側は、図１０のように連結フレーム４６が支持するようになることができ、これに対して限定するものではない。
図２７を参照すると、発光素子は胴体１０の第１及び第２側壁１１、１２に形成された第１乃至第４リセス部５１Ｄ、５２Ｄ、５３Ｄ、５４Ｄの形状が半球形状を含む。他の例として、第１乃至第４リセス部５１Ｄ、５２Ｄ、５３Ｄ、５４Ｄの形状は三角形状、または段差付けた形状を含むことができ、これに対して限定するものではない。
図２８及び図２９は本発明の第６実施形態に従う発光素子の背面図であって、リセス部の長さ及びハンガーを示す図である。
図２８を参照すると、発光素子の胴体１０は第１側壁１１の第１リセス部６１と第２側壁１２の第２リセス部６２とが互いに対応するように配置される。前記第１リセス部６１及び前記第２リセス部６２の幅（Ｗ１１）は前記第１及び第２キャビティー２５、３５の間の間隔（Ｇ１）よりは広く、第１及び第２キャビティー２５、３５中心間の間隔（Ｇ１１）よりは狭く形成できる。また、前記幅（Ｗ１１）は前記胴体１０の第３及び第４側壁１３、１４の間の間隔の１／４以上に形成できる。
図２８及び図２９を参照すると、上記の第１及び第２リセス部６１、６２に挿入されるハンガー内側部２６Ａである挿入突起３９が前記胴体１０の各側壁１１、１２のセンター領域をカバーすることができる。ここで、前記胴体１０の内に配置される連結フレーム４６は前記ハンガー内側部２６Ａである挿入突起３９により除去されることができ、これに対して限定するものではない。他の例として、前記第１及び第２リセス部６１、６２の内にはシリコンまたはエポキシのような樹脂材質が充填できる 。前記第１及び第２リセス部６１、６２に充填された樹脂材質は、両側壁１１、１２の中間部分を補強させることができる。
図３０乃至図３２は本発明の第７実施形態に従う発光素子の背面図であって、リセス部の変形例を示す図である。
図３０を参照すると、発光素子の胴体１０は第１側壁１１に第１リセス部５１及び第２リセス部５２が配置され、前記第１及び第２リセス部５１、５２の間には第５リセス部６３が配置される。前記第５リセス部６３は前記第１及び第２リセス部５１、５２の幅より広い幅で形成されることができ、前記第１及び第２リセス部５１、５２に連結できる。前記第５リセス部６３は、前記第１リセス部５１及び第２リセス部５２から前記胴体１０の中心ライン（Ｙ０）方向または第１及び第２側壁１１、１２の中心に行くほど徐々に深くなる構造で形成できる。前記第１及び第２リセス部５１、５２の深さ（Ｄ４）は前記第５リセス部６３の最大深さと同一または相異することがあり、これに対して限定するものではない。前記第５リセス部６３の幅は前記胴体１０の長さの１／４以上に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
前記胴体１０の第２側壁１２に配置された第３及び第４リセス部５３、５４と、前記第３及び第４リセス部５３、５４の間の第６リセス部６４の構造に対しては上記の第１、第２、及び第５リセス部５１、５２、６３を参照することにする。前記第５及び第６リセス部６３、６４は中心部分が胴体１０の内側方向に凹な三角形状、または半球形状を含むことができる。前記第１乃至第４リセス部５１、５２、５３、５４は第１実施形態の説明のように、胴体１０の第３及び第４側壁１３、１４から所定距離（Ｄ２１）に離隔できる。
図３１を参照すると、発光素子は胴体１０の第１側壁１１及び第２側壁１２に配置された第５及び第６リセス部６３Ａ、６４Ａを含み、前記第５及び第６リセス部６３Ａ、６４Ａの幅は胴体１０の長さの１／４以上に形成できる。前記第５及び第６リセス部６３Ａ、６４Ａは胴体１０の第３側壁１３及び第４側壁１４から既設定された距離（Ｄ２１）に離隔し、前記胴体１０の中心ライン（Ｙ０）に行くほど徐々に深い深さに形成できる。前記距離（Ｄ２１）は１３０μｍ以上に形成できる。反対に、前記リセス部６３Ａ、６４Ａの深さのうち、胴体１０の中心部に対応する領域が最も深い深さ（Ｄ４）に形成され、第３及び第４側壁１３、１４方向に行くほど徐々に浅い深さに形成できる。
図３２を参照すると、発光素子は胴体１０の第１側壁１１及び第２側壁１２に配置された第５及び第６リセス部６３Ｂ、６４Ｂを含み、前記第５及び第６リセス部６３Ｂ、６４Ｂの幅は胴体１０の長さの１／４以上に形成できる。前記第５及び第６リセス部６３Ｂ、６４Ｂは、胴体１０の第３側壁１３及び第４側壁１４から既設定された距離（Ｄ２２）に離隔する。前記距離（Ｄ２２）は１３０μｍ以上に形成できる。前記胴体１０の中心ライン（Ｙ０）または第１及び第２側壁１１、１２の中心に行くほど深さが徐々に低くなる形状に形成されるか、前記胴体１０の中心ライン（Ｙ０）では深さのほとんどない構造で形成できる。これによって、前記リセス部６３Ｂ、６４Ｂの深さは胴体１０の中心部に対応する領域が最も浅く、第３及び第４側壁１３、１４方向に隣接した領域が最も深い深さ（Ｄ４）に形成できる。
図３３は本発明の第８実施形態に従う発光素子の平面図であり、図３４は図３３の発光素子の背面の例を示す図である。
図３３及び図３４を参照すると、発光素子１０１は凹部１１６を有する胴体１１０、前記凹部１１６の底の第１領域に第１リードフレーム１２１、前記凹部１１６の底の第２領域に配置された第２リードフレーム１３１、前記凹部１１６の底で第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の間の間隙部１１９、発光チップ１７１、１７２、ワイヤー１７３乃至１７６、及びモールディング部材（図示せず）を含む。
前記胴体１１０は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Polyphthalamide）のような樹脂材質、シリコン（Ｓｉ）、金属材質、ＰＳＧ（photo sensitive glass）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、印刷回路基板（ＰＣＢ）のうち、少なくとも１つで形成できる。前記胴体１１０は、例えば、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Polyphthalamide）、エポキシ、またはシリコンのような樹脂材質からなることができる。
前記胴体１１０の外郭形状はその用途及び設計によって三角形、四角形、多角形、及び円形など、多様な形状を有することができる。前記第１リードフレーム１２１及び第２リードフレーム１３１は、胴体１１０の底に配置されて直下タイプで基板の上に搭載されることができ、前記胴体１１０の側面に配置されてエッジタイプで基板の上に搭載されることができ、これに対して限定するものではない。
胴体１１０は上部が開放され、側面と底とからなるキャビティー（cavity）、カップ構造、またはリセス構造のような凹部１１６を有する。前記凹部１１６を上面視した形状は、円形、楕円形、多角形（例えば、四角形）でありうる。前記胴体１１０は複数の側壁１１１〜１１４を含み、前記複数の側壁１１１〜１１４のうち、少なくとも１つは前記胴体１１０の底に対して垂直または傾斜するように配置できる。例えば、前記第１側壁１１１と前記第２側壁１１２の長さ（即ち、長辺長さ）は前記第３側壁１１３及び前記第４側壁１１４の長さ（即ち、短辺長さ）より長く、例えば、少なくとも２倍以上長く形成できる。
前記第１リードフレーム１２１は前記凹部１１６の底で第１領域に配置され、前記第２リードフレーム１３１は前記凹部１１６の底で第１領域と離隔する第２領域に配置される。前記第１領域は第１発光チップ１７１が配置された領域であり、前記第２領域は第２発光チップ１７２が配置された領域でありうる。
前記第１リードフレーム１２１の下面及び前記第２リードフレーム１３１の下面は前記胴体１１０の底に露出するか、前記胴体１１０の底と同一平面上に配置できる。
前記第１リードフレーム１２１と第２リードフレーム１３１との間の間隙部１１９は斜線形態に配置される。前記間隙部１１９の中心部分は段差付けた構造で形成できる。このような間隙部１１９を斜線形態に形成することによって、第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の間の境界部分の剛性を補強することができる。
前記第１リードフレーム１２１の第１リード部１２３は前記胴体１１０の底に配置され、前記胴体１１０の第３側壁１１３に突出できる。前記第２リードフレーム１３１の第２リード部１３３は前記胴体１１０の底に配置され、前記胴体１１０の第４側壁１１４に突出できる。前記第１、第２リードフレーム１２１、１３１の材質及び厚さは第１実施形態を参照することにする。
図３３及び図３４のように、前記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１はキャビティー構造がなく、前記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の下面はフラットな面に配置される。即ち、前記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の全体下面は前記胴体１１０の底１１７と同一平面上に配置できる。前記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１からキャビティー構造を除去することによって、前記発光素子１０１の厚さを薄く提供することができる。
前記胴体１１０の第１側壁１１１には第１リセス部１５１及び第２リセス部１５２を含み、前記第２側壁１１２には第３リセス部１５３及び第４リセス部１５４を含む。
前記第１乃至第４リセス部１５１、１５２、１５３、１５４は内部の幅（Ｗ２）が外部の幅（Ｗ３）より狭く形成できる。前記第１乃至第４リセス部１５１、１５２、１５３、１５４の内部は胴体１１０の内側方向であり、外部は胴体の側壁方向でありうる。
前記第１乃至第４リセス部１５１、１５２、１５３、１５４の深さ（Ｔ６）は３０μｍ−１３０μｍ範囲で形成されることができ、これに対して限定するものではない。また、前記第１乃至第４リセス部１５１、１５２、１５３、１５４は最外郭である第３または第４側壁１１３、１１４との距離（Ｄ６）が１３０μｍ以上に離隔できる。
胴体１１０の射出成形時、前記第１乃至第４リセス部１５１、１５２、１５３、１５４に挿入されたハンガーの挿入突起は内部の幅が広く、外部の幅が狭い形状であることがあり、このような構造は胴体の内部を効果的に支えることができる。
前記第１リードフレーム１２１の上には第１発光チップ１７１が配置され、前記第２リードフレーム１３１の上には第２発光チップ１７２が配置できる。前記第１発光チップ１７１は第１ワイヤー１７３により第１リードフレーム１２１と連結され、第２ワイヤー１７４により前記第２リードフレーム１３１に連結される。前記第２発光チップ１７２は前記第２リードフレーム１３１の上に配置され、第３ワイヤー１７５により第２リードフレーム１３１と連結され、第３ワイヤー１７５により第１リードフレーム１２１に連結される。ここで、間隙部１１９が斜線形態に配置されることによって、第２及び第４ワイヤー１７４、１７６を最短長さで提供することができる。
図３５を参照すると、胴体１１０の第１側壁１１１に第５リセス部１６１を含み、前記第５リセス部１６１は第３及び第４側壁１１３、１１４との距離（Ｄ７）が１３０μｍ以上、例えば、２００μｍ以上離隔できる。胴体１１０の第２側壁１１２に第６リセス部１６２を含み、前記第５リセス部１６１とほぼ同一な幅を有し、第３及び第４側壁１１３、１１４から離隔する。
前記第５及び第６リセス部１６１、１６２は前記胴体１１０の長さの１／４以上の幅で形成されることができ、これに対して限定するものではない。ここで、前記胴体１１０の長手方向は図３３に図示された発光チップ１７１、１７２の中心を過ぎる方向になることができる。
前記第５及び第６リセス部１６１、１６２は、前記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１から２００μｍ以上離隔することができ、これは前記第５及び第６リセス部１６１、１６２と前記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１との間の間隔が狭い場合、その間隔により胴体の剛性が確保できないという問題が発生できる。
図３６を参照すると、胴体１１０の第１側壁１１１には第１及び第２リセス部１６３、１６４が配置され、前記第１及び第２リセス部１６３、１６４の間に第５リセス部１６１Ａが配置される。前記第５リセス部１６１Ａは第１及び第２リセス部１６３、１６４の間の間隔に対応する幅を有し、前記第１及び第２リセス部１６３、１６４に連結できる。前記第５リセス部１６１Ａは第１及び第２リセス部１６３、１６４から胴体１１０の中心ライン（Ｙ０）に近いほど深さが徐々に深く形成されるか、徐々に浅く形成されることができ、これに対して限定するものではない。
前記胴体１１０の第２側壁１１２には第３及び第４リセス部１６５、１６６が配置され、前記第３及び第４リセス部１６５、１６６の間に第６リセス部１６２Ａが配置される。前記第３、第４、及び第６リセス部１６５、１６６、１６２Ａの構造に対しては第１、第２、及び第５リセス部１６３、１６４、１６１Ａの構造を参照するようにする。
図３７を参照すると、胴体１１０の第１側壁１１１には第５リセス部１６１Ｃが形成され、第２側壁１１２には第６リセス部１６２Ｃが形成される。前記第５及び第６リセス部１６１Ｃ、１６２Ｃは中心が前記胴体１１０の中心に位置し、その幅が前記胴体１１０の長さの１／４以上に形成されることができ、その深さは第１実施形態のリセス部の構造を参照することにする。
前記第５リセス部１６１Ｃには第７リセス部１６１Ｄが形成され、前記第７リセス部１６１Ｄは前記第５リセス部１６１Ｃの幅より狭い幅、例えば、５０〜２００μｍ範囲の幅を有し、前記第５リセス部１６１Ｃから１０〜５０μｍ範囲の深さに形成できる。前記第７リセス部１６１Ｄは、第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の間の間隙部１１９に対応するように配置できる。
前記第６リセス部１６２Ｃには第８リセス部１６２Ｄが形成され、前記第８リセス部１６２Ｄは前記第６リセス部１６２Ｃの幅より狭い幅、例えば、５０〜２００μｍ範囲の幅を有し、前記第６リセス部１６２Ｃから１０〜５０μｍ範囲の深さに形成できる。前記第８リセス部１６２Ｄは、第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の間の間隙部１１９に対応するように配置できる。これによって、前記第７及び第８リセス部１６１Ｄ、１６２Ｄの垂直ライン間の間隔（Ｇ４）は３０μｍ以上離隔することができ、 これに対して限定するものではない。
図３８は、本発明の第９実施形態に従う発光素子の平面図である。第９実施形態を説明するに当たって、図３８と同一な構成は図３３及び第１実施形態を参照することにする。
図３８を参照すると、発光素子は胴体１１０の第１及び第２側壁１１１、１１２に第１乃至第４リセス部１５１Ａ、１５２Ａ、１５３Ａ、１５４Ａが形成される。このような構造は前記に開示された実施形態を選択的に適用することができ、これに対して限定するものではない。
前記胴体１１０の内には第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の間に連結フレーム１４６が配置され、前記連結フレーム１４６は第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の間に配置されて中間連結端子として機能するようになる。
図３９は本発明の第１０実施形態に従う発光素子の平面図であり、図４０は図３９の発光素子の背面図であり、図４１は図３９の発光素子の側断面図である。
図３９を参照すると、発光素子２００は、凹部２１６を有する胴体２１０、前記凹部２１６の内に第１及び第２リードフレーム２２１、２３１、発光チップ２７１、２７２、ワイヤー２７３、２７４、２７５、及びモールディング部材２４０を含む。
前記第１リードフレーム２２１には胴体２１０の第３側壁２１３に配置された第１リード部２２３が形成され、第４側壁２１４に配置された第２リード部２３３を含む。
前記第２リードフレーム２３１の長さは第１リードフレーム２２１の長さより長く形成され、例えば胴体１１０の長さの１／２以上に形成できる。
前記第２リードフレーム２３１の上には第１及び第２発光チップ２７１、２７２が配置され、前記第１発光チップ２７１は第１リードフレーム２２１とワイヤー２７３により連結され、第２発光チップ２７２とワイヤー２７４により連結される。第２発光チップ２７２は、第２リードフレーム２３１とワイヤー２７５により連結できる。
図４０及び図４１を参照すると、胴体２１０の第１側壁２１１には複数個、即ち、２つ以上のリセス部が配置されることができ、例えば第１乃至第４リセス部２５１、２５２、２５３、２５４が配置される。第２側壁２１２には複数個、即ち、２つ以上のリセス部が配置されることができ、例えば、第５乃至第８リセス部２５５、２５６、２５７、２５８が配置される。上記の胴体には全体６−１２個のリセス部が配置されることができ、これに対して限定するものではない。
前記第１乃至第４リセス部２５１、２５２、２５３、２５４は、第５乃至第８リセス部２５５、２５６、２５７、２５８に各々対応する。これは、胴体２１０の長手方向の中心に互いに対称するように配置できる。
前記第１及び第５リセス部２５１、２５５と、前記第４及び第８リセス部２５４、２５８は、胴体２１０の第３側壁２１３と第４側壁２１４から所定距離（Ｄ２）に離隔することができ、このような距離（Ｄ２）は第１実施形態を参照することにする。
ここで、前記第１乃至第４リセス部２５１、２５２、２５３、２５４のうち、隣接したリセス部の間の間隔（Ｄ１１、Ｄ１２）は互いに相異するように配置できる。例えば、最外郭に配置された第１及び第４リセス部２５１、２５４とこれに隣接した第２及び第３リセス部２５２、２５３との間隔（Ｄ１１）は同一であることがあり、第２及び第３リセス部２５２、２５３の間の間隔（Ｄ１２）は間隔（Ｄ１１）よりは広く形成できる。これは、第１乃至第８リセス部２５１−２５８の配置位置は、前記第１及び第２リードフレーム２２１、２３１の長さ差と第１及び第２リードフレーム２２１、２３１の境界領域を考慮して配置した構造でありうる。
図４２は、実施形態による発光チップの一例を示す側断面図である。
図４２を参照すると、発光チップ７１は、基板３１１と、バッファー層３１２と、発光構造物３１０と、 第１の電極３１６と、第２の電極３１７とを含む。前記基板３１１は、透光性又は非透光性材質の基板を含み、また、伝導性又は絶縁性基板を含む。
前記バッファー層３１２は、基板３１１と前記発光構造物３１０の物質との格子定数の差を減らし、窒化物半導体で形成される。前記バッファー層３１２と前記発光構造物３１０のと間には、ドーパントがドープしない室化物半導体層を更に形成して、結晶品質を改善させる。
前記発光構造物３１０は、第１の導電型半導体層３１３と、 活性層３１４と、第２の導電型半導体層３１５とを含む。
前記第１の導電型半導体層３１３は、第１の導電型ドーパントがドープされたIII族-V族化合物半導体として具現され、前記第１の導電型半導体層３１３は、InxAlyGa１-x-yN(０≦x≦１、０≦y≦１、０≦x+y≦１の組成式を含む。前記第１の導電型半導体層３１３は、例えば、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、 AlGaInPのような化合物半導体の少なくとも１つを含む層の積層構造を含むことができる。前記第１の導電型半導体層３１３は、n型半導体層であり、前記第１の導電型ドーパントは、n型ドーパントとして、Si、Ge、Sn、Se、Teを含む。
前記第１の導電型半導体層３１３と前記活性層３１４との間には、第１のクラッド層が形成される。前記第１のクラッド層は、GaN係半導体に形成され、そのバンドギャップは、前記活性層３１４のバンドギャップ以上に形成されることができる。このような第１のクラッド層は、第１の導電型で形成され、キャリアを拘束させる役目を果たす。
前記活性層３１４は、前記第１の導電型半導体層３１３上に配置され、単一量子井、 多重量子井(MQW)、量子線(quantum wire)構造、または量子点(quantum dot)構造を選択的に含む。前記活性層３１４は、井戸層と障壁層の周期を含む。前記井層は、InxAlyGa１-x-yN (０≦x≦１、０≦y≦１、０≦x+y≦１)の組成式を含み、前記障壁層は、InxAlyGa1-x-yN(０≦x≦１、０≦y≦１、０≦x+y≦１)の組成式を含む。前記井層/障壁層の周期は、例えば、 InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、InAlGaN/InAlGaNの積層構造を用いて、１周期以上に形成される。前記障壁層は、前記井層のバンドギャップよりも高いバンドギャップを有する半導体物質で形成されることができる。
前記活性層３１４上には、第２の導電型半導体層３１５が形成される。前記第２の導電型半導体層３１５は、第２の導電型ドーパントがドープされた半導体、例えば、InxAlyGa１-x-yN(０≦x≦１、０≦y≦１、０≦x+y≦１)の組成式を含む。前記第２の導電型半導体層３１５は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、 AlGaInPのような化合物半導体のいずれか１つでなすことができる。前記第２の導電型半導体層３１５が、p型半導体層であり、前記第２の導電型ドーパントは、p型ドーパントとして、Mg、Zn、Ca、Sr、Baを含む。
前記第２の導電型半導体層３１５は、超格子構造を含み、前記超格子構造は、InGaN/GaN超格子構造、又は、AlGaN/GaN超格子構造を含む。前記第２の導電型半導体層３１５の超格子構造は、非正常的に電圧に含まれた電流を拡散させ、活性層３１４を保護することができる。
また、前記発光構造物３１０の導電型を逆に配置することができ、例えば、第１の導電型半導体層３１３は、Ｐ型半導体層、前記第２の導電型半導体層３１５は、ｎ型半導体層で配置する。前記第２の導電型半導体層３１５上には、前記第２の導電型と逆の極性を有する第１の導電型の半導体層が、更に配置される。
前記発光構造物３１０は、ｎ-ｐ接合構造、ｐ-ｎ接合構造、ｎ-ｐ-ｎ接合構造、ｐ-ｎ-ｐ接合構造のいずれか１つの構造で具現することができる。ここで、前記ｐは、ｐ型半導体層であり、前記ｎは、ｎ型半導体層であり、前記-は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層が直接接触されるか、間接接触された構造を含む。以下、説明の便宜のため、発光構造物３１０の最上層は、第２の導電型半導体層３１５として説明することにする。
前記第１の導電型半導体層３１３上には、第１の電極３１６が配置され、前記第２の導電型半導体層３１５上には、電流拡散層を有する第２の電極３１７を含む。前記第１及び第２の電極３１６、３１７は、ワイヤで連結されるか、他の連結方式で連結される。
図４３は、実施形態による発光チップの他の例を示す図である。実施形態を説明することに当り、図４２と同一の部分は省略し、簡略に説明することにする。
図４３を参照すると、実施形態による発光チップ７１Aは、発光構造物３１０の下に接触層３２１が形成され、前記接触層３２１の下に反射層３２４が形成され、前記反射層３２４お下に支持部材３２５が形成され、前記反射層３２４と前記発光構造物３１０の周囲に、保護層３２３が形成される。
前記発光構造物３１０上に配置された第１の電極３１６は、１または複数で形成され、ワイヤがポンディングされるパッドを含む。
このような発光チップは、第２の導電型半導体層３１５の下に接触層３２１及び保護層３２３、反射層３２４及び支持部材３２５を形成した後、成長基板を除去して形成される。
前記接触層３２１は、発光構造物３１０の下層、例えば、第２の導電型半導体層３１５にオミック接触され、その材料は、金属酸化物、金属室化物、絶縁物質、伝導性物質から選択されることができ、例えば、ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、 IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、 GZO(gallium zinc oxide)、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、及びこれらの選択的な組み合わせで構成された物質から形成されることができる。また、前記金属物質と、 IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO などの透光性伝導性物質を用いて、多層で形成することができ、例えば、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Niなどで積層することができる。 前記接触層３２１の内部は、電極３１６と対応するように、電流をブロッキングする層が更に、形成されることができる。
前記保護層３２３は、金属酸化物又は絶縁物質から選択されることができ、例えば、ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZTO(indium zinc tin oxide)、 IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、 GZO(gallium zinc oxide)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2から選択的に形成される。前記保護層３２３は、スパッタリング方法又は蒸着方法などを用いて形成することができ、反射層３２４のような金属が、発光構造物３１０の層をショートすることを防止することができる。
前記反射層３２４は、金属、例えば、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、 Hf、及びこれらの選択的な組み合わせで構成された物質で形成される。前記反射層３２４は、前記発光構造物３１０の幅よりも大きく形成され、これは、光反射効率を改善させる。前記の反射層３２４と前記支持部材３２５との間に、接合のための金属層と、熱拡散のための金属層が、更に配置されることができ、これに対して限定しない。
前記支持部材３２５は、ベース基板として、銅(Cu)、金(Au)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)、銅-タングステン(Cu-W)のような金属であるか、キャリアウエハ(例: Si、 Ge、 GaAs、ZnO、SiC)で具現されることができる。前記支持部材３２５と前記反射層３２４との間には、接合層が更に形成されることができ、前記接合層は、２つの層を互いに接合させることができる。前記開示の発光チップは一例であり、前記開示の特徴に限定しない。 前記の発光チップは、前記の発光素子の実施形態に選択的に適用され、これに対して限定しない。
＜照明システム＞
実施形態による発光素子又は発光素子は、照明システムに適用される。前記照明システムは、複数の発光素子がアレイされた構造を含み、図４４及び図４５に示されている表示装置、図４６乃至図５０に示されている照明装置とを含み、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれる。
図 ４４ は、実施形態による発光素子を有する表示装置の分解斜視図である。
図 ４４を参照すると、実施形態による表示装置１０００は、導光板１０４１と、前記導光板１０４１に光を提供する光源モジュール１０３３と、前記導光板１０４１の下に反射部材１０２２と、前記導光板１０４１上に光学シート１０５１と、前記光学シート１０５１ 上に表示パネル１０６１と、前記導光板１０４１、光源モジュール１０３３、及び反射部材１０２２を収納するボトムカバー１０１１とを含むが、ここに限定されない。
前記ボトムカバー１０１１と、反射シート１０２２と、導光板１０４１と、光学シート１０５１とは、ライトユニット１０５０として定義される。
前記導光板１０４１は、光を拡散して、面光源化する役目を果たす。前記導光板１０４１は、透明な材質からなり、例えば、PMMA(polymethylmetaacrylate)のようなアクリル樹脂系列、PET(polyethylene terephthlate)、PC(poly carbonate)、COC(cycloolefin copolymer)、及びPEN(polyethylene naphthalate)樹脂の１つを含むことができる。
前記光源モジュール１０３３は、前記導光板１０４１の少なくとも一側面に光を提供し、 窮極的には、表示装置の光源として作用するようになる。
前記光源モジュール１０３３は、少なくとも１つを含み、前記導光板１０４１の一側面で直接又は間接的に光を提供することができる。前記光源モジュール１０３３ は、基板１０３ １ と前記に開示された実施形態による発光素子又は発光素子１００ を含み、前記発光素子又は発光素子１００は、前記基板１０３１上に所定間隔でアレイされる。
前記基板１０３ １ は、回路パターン(図示せず)を含む印刷回路基板(PCB、Printed Circuit Board)である。但し、前記基板１０３１は、一般のPCBのみならず、メタルコア PCB(MCPCB、Metal Core PCB)、軟性PCB(FPCB、 Flexible PCB)などを含み、これに対して限定しない。前記発光素子１００ は、前記ボトムカバー１０１１の側面又は放熱プレート上に搭載される場合、前記基板１０３１ は、除去され得る。ここで、 前記放熱プレートの一部は、前記ボトムカバー１０１１の上面に接触される。
そして、前記複数の発光素子１００は、前記基板１０３１上に光が放出される出射面が、前記導光板１０４１と所定の距離離隔して搭載され、これに対して限定しない。前記発光素子１００ は、前記導光板１０４１の一側面である入光部に光を直接又は間接的に提供することができ、これに対して限定しない。
前記導光板１０４１の下には、前記反射部材１０２２が配置される。前記反射部材１０２２は、前記導光板１０４１の下面に入射した光を反射させて、上に向かわせることで、前記ライトユニット１０５０の輝度を向上することができる。前記反射部材１０２２は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成されるが、これに対して限定しない。前記反射部材１０２２は、前記ボトムカバー１０１１の上面であり、これに対して限定しない。
前記ボトムカバー１０１１は、前記導光板１０４１、光源モジュール１０３３、及び反射部材１０２２などを輸納することができる。このため、前記ボトムカバー１０１１は、上面が開口したボックス(box)形状を有する収納部１０１２が備えられ、これに対して限定しない。前記ボトムカバー１０１１は、トップカバーと結合され、これに対して限定しない。
前記ボトムカバー１０１１は、金属材質又は樹脂材質で形成され、プレス成形又は押出成形などの工程を用いて製造されることができる。また、前記ボトムカバー１０１１は、熱伝導性の良い金属又は非金属材料を含み、これに対して限定しない。
前記表示パネル１０６１は、例えば、LCDパネルとして、互いに対向する透明な材質の第１及び第２の基板、そして、第１及び第２の基板の間に介在した液晶層を含む。前記表示パネル１０６１の少なくとも一面には、偏光版が取り付けられ、このような偏光版の取付構造に限定しない。前記表示パネル１０６１は、光学シート１０５１を通過した光により情報を表示することになる。このような表示装置１０００は、各鐘の携帯端末機、ノートＰＣのモニタ、ラップトップコンピュータのモニタ、テレビなどに適用されることができる。
前記光学シート１０５１は、前記表示パネル１０６１と前記導光板１０４１との間に配置され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。前記光学シート１０５１は、例えば、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのようなシートから少なくとも１つを含む。前記拡散シートは、入射される光を拡散させ、前記水平又は/及び垂直プリズムシートは、入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シートは、損失される光を再使用して、輝度を向上させる。また、前記表示パネル１０６１上には、保護シートが配置され、これに対して限定しない。
ここで、前記光源モジュール１０３３の光経路上には、光学部材として、前記導光板１０４１、及び光学シート１０５１を含み、これに対して限定しない。
図 ４５は、実施形態による発光素子を有する表示装置を示す図である。
図 ４５を参照すると、表示装置１１００は、ボトムカバー１１５２と、前記の発光素子１００がアレイされた基板１１２０と、光学部材１１５４と、表示パネル１１５５とを含む。
前記基板１１２０と前記発光素子１ ０ ０ とは、光源モジュール１１６０と定義される。 前記ボトムカバー１１５２と、少なくとも１つの光源モジュール１１６０と、 光学部材１１５４とは、ライトユニット１１５０と定義される。前記ボトムカバー１１５２には、収納部１１５３を具備することができ、これに対して限定しない。前記の光源モジュール１１６０は、基板１１２０、及び前記基板１１２０上に配列した複数の発光素子又は発光素子１ ０ ０ を含む。
ここで、前記光学部材１１５４は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどから少なくとも１つを含む。前記導光板は、ＰＣ材質又はＰＷＭА(polymethyl methacrylate)材質からなり、このような導光板は除去されることができる。前記拡散シートは、入射される光を拡散させ、前記水平及び垂直プリズムシートは、入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シートは、損失される光を再使用して、輝度を向上させる。
前記光学部材１１５４は、前記光源モジュール１１６０上に配置され、前記光源モジュール１１６０から放出された光を面光源するか、拡散、集光などを行うようになる。
図４２乃至図４４は、本発明の実施形態に従う照明装置を示す図である。
図４２は本発明の実施形態に従う照明装置を上面視した斜視図であり、図４３は図４２に図示された照明装置を下面視した斜視図であり、図４４は図４２に図示された照明装置の分解斜視図である。
図４２乃至図４４を参照すると、実施形態に従う照明装置は、カバー２１００、光源モジュール２２００、放熱体２４００、電源提供部２６００、内部ケース２７００、及びソケット２８００を含むことができる。また、実施形態に従う照明装置は部材２３００とホルダー２５００のうち、いずれか１つ以上をさらに含むことができる。前記光源モジュール２２００は実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージを含むことができる。
例えば、前記カバー２１００はバルブ（bulb）または半球の形状を有し、中が空いており、一部分が開口した形状に提供できる。前記カバー２１００は、前記光源モジュール２２００と光学的に結合できる。例えば、前記カバー２１００は前記光源モジュール２２００から提供される光を拡散、散乱、または励起させることができる。前記カバー２１００は一種の光学部材でありうる。前記カバー２１００は、前記放熱体２４００と結合できる。前記カバー２１００は前記放熱体２４００と結合する結合部を有することができる。
前記カバー２１００の内面には乳白色塗料がコーティングできる。乳白色の塗料は光を拡散させる拡散材を含むことができる。前記カバー２１００の内面の表面粗さは前記カバー２１００の外面の表面粗さより大きく形成できる。これは、前記光源モジュール２２００からの光が十分に散乱及び拡散されて外部に放出させるためである。
前記カバー２１００の材質は、ガラス（glass）、プラスチック、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などでありうる。ここで、ポリカーボネートは、耐光性、耐熱性、強度に優れる。前記カバー２１００は外部から前記光源モジュール２２００が見えるように透明であるか、不透明でありうる。前記カバー２１００はブロー（blow）成形により形成できる。
前記光源モジュール２２００は、前記放熱体２４００の一面に配置できる。したがって、前記光源モジュール２２００からの熱は前記放熱体２４００に伝導される。前記光源モジュール２２００は、光源部２２１０、連結プレート２２３０、及びコネクター２２５０を含むことができる。
前記部材２３００は前記放熱体２４００の上面の上に配置され、複数の光源部２２１０とコネクター２２５０が挿入されるガイド溝２３１０を有する。前記ガイド溝２３１０は、前記光源部２２１０の基板及びコネクター２２５０と対応する。
前記部材２３００の表面は光反射物質で塗布またはコーティングされたものであることがある。例えば、前記部材２３００の表面は白色の塗料で塗布またはコーティングされたものであることがある。このような前記部材２３００は、前記カバー２１００の内面に反射されて前記光源モジュール２２００側方向に戻る光をまた前記カバー２１００方向に反射する。したがって、実施形態に従う照明装置の光効率を向上させることができる。
前記部材２３００は、例えば絶縁物質からなることができる。前記光源モジュール２２００の連結プレート２２３０は、電気伝導性の物質を含むことができる。したがって、前記放熱体２４００と前記連結プレート２２３０との間に電気的な接触がなされることができる。前記部材２３００は、絶縁物質で構成されて前記連結プレート２２３０と前記放熱体２４００の電気的短絡を遮断することができる。前記放熱体２４００は、前記光源モジュール２２００からの熱と前記電源提供部２６００からの熱の伝達を受けて放熱する。
前記ホルダー２５００は、内部ケース２７００の絶縁部２７１０の収納溝２７１９を遮る。したがって、前記内部ケース２７００の前記絶縁部２７１０に収納される前記電源提供部２６００は密閉される。前記ホルダー２５００は、ガイド突出部２５１０を有する。前記ガイド突出部２５１０は、前記電源提供部２６００の突出部２６１０が貫通するホールを備えることができる。
前記電源提供部２６００は外部から提供を受けた電気的信号を処理または変換して前記光源モジュール２２００に提供する。前記電源提供部２６００は前記内部ケース２７００の収納溝２７１９に収納され、前記ホルダー２５００により前記内部ケース２７００の内部に密閉される。
前記電源提供部２６００は、突出部２６１０、ガイド部２６３０、ベース２６５０、及び延長部２６７０を含むことができる。
前記ガイド部２６３０は、前記ベース２６５０の一側から外部に突出した形状を有する。前記ガイド部２６３０は、前記ホルダー２５００に挿入できる。前記ベース２６５０の一面の上に多数の部品が配置できる。多数の部品は、例えば、外部電源から提供される交流電源を直流電源に変換する直流変換装置、前記光源モジュール２２００の駆動を制御する駆動チップ、前記光源モジュール２２００を保護するためのＥＳＤ（Electro static discharge）保護素子などを含むことができるが、これに対して限定するものではない。
前記延長部２６７０は、前記ベース２６５０の他の一側から外部に突出した形状を有する。前記延長部２６７０は、前記内部ケース２７００の連結部２７５０の内部に挿入され、外部からの電気的信号の提供を受ける。例えば、前記延長部２６７０は前記内部ケース２７００の連結部２７５０の幅と等しいか小さく提供できる。前記延長部２６７０には“＋電線”と“−電線”の各一端が電気的に連結され、“＋電線”と“−電線”の他の一端はソケット２８００に電気的に連結できる。
前記内部ケース２７００は、内部に前記電源提供部２６００と共にモールディング部を含むことができる。モールディング部はモールディング液体が固まった部分であって、前記電源提供部２６００が前記内部ケース２７００の内部に固定できるようにする。
図４５及び図４６は、本発明の実施形態に従う照明装置の他の例を示す図である。
図４５は本発明の実施形態に従う照明装置の斜視図であり、図４６は図４５に図示された照明装置の分解斜視図である。
図４５及び図４６を参照すると、実施形態に従う照明装置は、カバー３１００、光源部３２００、放熱体３３００、回路部３４００、内部ケース３５００、及びソケット３６００を含むことができる。前記光源部３２００は、実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージを含むことができる。
前記カバー３１００はバルブ（bulb）形状を有し、中が空いている。前記カバー３１００は開口３１１０を有する。前記開口３１１０を通じて前記光源部３２００と部材３３５０が挿入できる。
前記カバー３１００は前記放熱体３３００と結合し、前記光源部３２００と前記部材３３５０を囲むことができる。前記カバー３１００と前記放熱体３３００との結合により、前記光源部３２００と前記部材３３５０は外部と遮断できる。前記カバー３１００と前記放熱体３３００との結合は接着剤により結合することもでき、回転結合方式及びフック結合方式など、多様な方式により結合できる。回転結合方式は、前記放熱体３３００のねじ溝に前記カバー３１００のねじ山が結合する方式であって、前記カバー３１００の回転により前記カバー３１００と前記放熱体３３００とが結合する方式であり、フック結合方式は、前記カバー３１００の段部が前記放熱体３３００の溝に挟まれて前記カバー３１００と前記放熱体３３００とが結合する方式である。
前記カバー３１００は、前記光源部３２００と光学的に結合する。具体的に、前記カバー３１００は前記光源部３２００の発光素子３２３０からの光を拡散、散乱、または励起させることができる。前記カバー３１００は一種の光学部材でありうる。ここで、前記カバー３１００は前記光源部３２００からの光を励起させるために、内／外面または内部に蛍光体を有することができる。
前記カバー３１００の内面には乳白色塗料がコーティングできる。ここで、乳白色塗料は光を拡散させる拡散材を含むことができる。前記カバー３１００の内面の表面粗さは前記カバー３１００の外面の表面粗さより大きいことがある。これは、前記光源部３２００からの光を十分に散乱及び拡散させるためである。
前記カバー３１００の材質は、ガラス（glass）、プラスチック、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などでありうる。ここで、ポリカーボネートは、耐光性、耐熱性、及び強度に優れる。前記カバー３１００は外部から前記光源部３２００と前記部材３３５０が見えることができる透明な材質であるが、見えない不透明な材質でありうる。前記カバー３１００は、例えばブロー（blow）成形により形成できる。
前記光源部３２００は前記放熱体３３００の部材３３５０に配置され、複数個に配置できる。具体的に、前記光源部３２００は前記部材３３５０の複数の側面のうち、１つ以上の側面に配置できる。そして、前記光源部３２００は前記部材３３５０の側面の上段部に配置できる。
前記光源部３２００は、前記部材３３５０の６個の側面のうち、３個の側面に配置できる。しかしながら、これに限定するものではなく、前記光源部３２００は前記部材３３５０の全ての側面に配置できる。前記光源部３２００は基板３２１０及び発光素子３２３０を含むことができる。前記発光素子３２３０は基板３２１０の一面上に配置できる。
前記基板３２１０は四角形の板形状を有するが、これに限定されず、多様な形態を有することができる。例えば、前記基板３２１０は円形または多角形の板形状でありうる。前記基板３２１０は絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）、メタルコア（Metal Core）ＰＣＢ、軟性（Flexible）ＰＣＢ、セラミックＰＣＢなどを含むことができる。また、印刷回路基板の上にパッケージしていないＬＥＤチップを直接ボンディングすることができるＣＯＢ（Chips On Board）タイプを使用することができる。また、前記基板３２１０は光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光を効率的に反射するカラー、例えば白色、銀色などで形成できる。前記基板３２１０は、前記放熱体３３００に収納される前記回路部３４００と電気的に連結できる。前記基板３２１０と前記回路部３４００は、例としてワイヤー（wire）を介して連結できる。ワイヤーは前記放熱体３３００を貫通して前記基板３２１０と前記回路部３４００を連結させることができる。
前記発光素子３２３０は、赤色、緑色、青色の光を放出する発光ダイオードチップ、またはＵＶを放出する発光ダイオードチップでありうる。ここで、発光ダイオードチップは水平型（Lateral Type）または垂直型（Vertical Type）であることがあり、発光ダイオードチップは青色（Blue）、赤色（Red）、黄色（Yellow）、または緑色（Green）を発散することができる。
前記発光素子３２３０は、蛍光体を有することができる。蛍光体は、ガーネット（Garnet）系（ＹＡＧ、ＴＡＧ）、シリケート（Silicate）系、ナイトライド（Nitride）系、及びオキシナイトライド（Oxynitride）系のうち、いずれか１つ以上であることがある。または、蛍光体は黄色蛍光体、緑色蛍光体、及び赤色蛍光体のうち、いずれか１つ以上であることがある。
前記放熱体３３００は前記カバー３１００と結合し、前記光源部３２００からの熱を放熱することができる。前記放熱体３３００は所定の体積を有し、上面３３１０及び側面３３３０を含む。前記放熱体３３００の上面３３１０には部材３３５０が配置できる。前記放熱体３３００の上面３３１０は前記カバー３１００と結合できる。前記放熱体３３００の上面３３１０は前記カバー３１００の開口３１１０と対応する形状を有することができる。
前記放熱体３３００の側面３３３０には複数の放熱ピン３３７０が配置できる。前記放熱ピン３３７０は前記放熱体３３００の側面３３３０から外側に延びたものであるか、側面３３３０に連結されたものであることがある。前記放熱ピン３３７０は前記放熱体３３００の放熱面積を広げて放熱効率を向上させることができる。ここで、側面３３３０は前記放熱ピン３３７０を含まないこともある。
前記部材３３５０は前記放熱体３３００の上面３３１０に配置できる。前記部材３３５０は上面３３１０と一体であることもあり、上面３３１０に結合されたものであることもある。前記部材３３５０は多角柱でありうる。具体的に、前記部材３３５０は六角柱でありうる。六角柱の部材３３５０は上面と下面、そして６個の側面を有する。ここで、前記部材３３５０は多角柱だけでなく、円柱または楕円柱でありうる。前記部材３３５０が円柱または楕円柱の場合、前記光源部３２００の前記基板３２１０は軟性基板でありうる。
前記部材３３５０の６個の側面には前記光源部３２００が配置できる。６個の側面全てに前記光源部３２００が配置されることもでき、６個の側面のうち、幾つかの側面に前記光源部３２００が配置されることもできる。例えば、６個の側面のうち、３個の側面に前記光源部３２００が配置されている。
前記部材３３５０の側面には前記基板３２１０が配置される。前記部材３３５０の側面は前記放熱体３３００の上面３３１０と実質的に垂直をなすことができる。したがって、前記基板３２１０と前記放熱体３３００の上面３３１０とは実質的に垂直をなすことができる。
前記部材３３５０の材質は熱伝導性を有する材質でありうる。これは、前記光源部３２００から発生する熱を速く伝達を受けるためである。前記部材３３５０の材質としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）などと前記金属の合金でありうる。または、前記部材３３５０は熱伝導性を有する熱伝導性プラスチックで形成できる。熱伝導性プラスチックは金属より重さが軽く、単方向性の熱伝導性を有する利点がある。
前記回路部３４００は外部から電源の提供を受けて、提供を受けた電源を前記光源部３２００に合うように変換する。前記回路部３４００は変換された電源を前記光源部３２００に供給する。前記回路部３４００は前記放熱体３３００に配置できる。具体的に、前記回路部３４００は前記内部ケース３５００に収納され、前記内部ケース３５００と共に前記放熱体３３００に収納できる。前記回路部３４００は回路基板３４１０と前記回路基板３４１０の上に搭載される多数の部品３４３０を含むことができる。
前記回路基板３４１０は円形の板形状を有するが、これに限定されず、多様な形態を有することができる。例えば、前記回路基板３４１０は楕円形または多角形の板形状でありうる。このような回路基板３４１０は絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがある。前記回路基板３４１０は前記光源部３２００の基板３２１０と電気的に連結される。前記回路基板３４１０と前記基板３２１０との電気的連結は、例としてワイヤー（wire）を介して連結できる。ワイヤーは前記放熱体３３００の内部に配置されて前記回路基板３４１０と前記基板３２１０とを連結することができる。多数の部品３４３０は、例えば、外部電源から提供される交流電源を直流電源に変換する直流変換装置、前記光源部３２００の駆動を制御する駆動チップ、前記光源部３２００を保護するためのＥＳＤ（Electro Static discharge）保護素子などを含むことができる。
前記内部ケース３５００は内部に前記回路部３４００を収納する。前記内部ケース３５００は、前記回路部３４００を収納するために収納部３５１０を有することができる。前記収納部３５１０は、例として円筒形状を有することができる。前記収納部３５１０の形状は、前記放熱体３３００の形状によって変わることができる。前記内部ケース３５００は、前記放熱体３３００に収納できる。前記内部ケース３５００の収納部３５１０は前記放熱体３３００の下面に形成された収納部に収納できる。
前記内部ケース３５００は、前記ソケット３６００と結合できる。前記内部ケース３５００は、前記ソケット３６００と結合する連結部３５３０を有することができる。前記連結部３５３０は、前記ソケット３６００のねじ溝構造と対応するねじ山構造を有することができる。前記内部ケース３５００は不導体である。したがって、前記回路部３４００と前記放熱体３３００との間の電気的短絡を遮る。例として、前記内部ケース３５００はプラスチックまたは樹脂材質で形成できる。
前記ソケット３６００は、前記内部ケース３５００と結合できる。具体的に、前記ソケット３６００は前記内部ケース３５００の連結部３５３０と結合できる。前記ソケット３６００は、従来の在来式白熱電球のような構造を有することができる。前記回路部３４００と前記ソケット３６００とは電気的に連結される。前記回路部３４００と前記ソケット３６００との電気的連結はワイヤー（wire）を介して連結できる。したがって、前記ソケット３６００に外部電源が印加されれば、外部電源は前記回路部３４００に伝達できる。前記ソケット３６００は、前記連結部３５３０のねじ山構造と対応するねじ溝構造を有することができる。
以上、説明した本発明は前述した実施形態及び添付した図面に限定されるものでなく、本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な置換、変形、及び変更が可能であるということが本発明が属する技術分野で従来の知識を有する者に当たって明らかである。したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものでなく、特許請求の範囲により定まるべきである。

Claims (15)

  1. 互いに対向するように配置された第１及び第２側壁、前記第１及び第２側壁の長さより短い長さを有して互いに対向するように配置された第３及び第４側壁、及び前記第１、第２、第３、第４側壁によって囲まれた凹部を有する胴体と、
    前記凹部の第１領域に配置され、一部領域が前記第３側壁の下に配置され、前記凹部より低く配置された第１キャビティーを含む第１リードフレームと、
    前記凹部の第２領域に配置され、一部領域が前記第４側壁の下に配置され、前記凹部より低く配置された第２キャビティーを含む第２リードフレームと、
    前記第１リードフレームの前記第１キャビティーに配置された第１発光チップと、
    前記第２リードフレームの前記第２キャビティーに配置された第２発光チップと、
    前記凹部、前記第１キャビティー、前記第２キャビティーに配置されたモールディング部材と、
    前記第１側壁から前記第２側壁方向にリセスされ、前記胴体の底から上部方向にリセスされた第１リセス部と、
    前記第２側壁から前記第１側壁方向にリセスされ、前記胴体の底から上部方向にリセスされた第２リセス部と、を含み、
    前記第１キャビティーの底及び前記第２キャビティーの底は、前記胴体の下部に露出し、
    前記第１キャビティーの底、前記第２キャビティーの底、前記胴体の底が同一平面に配置され、
    前記凹部の底領域に前記第１リードフレームと前記第２リードフレームから離隔して配置され、前記第１発光チップと前記第２発光チップに電気的に連結された連結フレームを含み、
    前記第１及び第２リセス部は、前記胴体の上部方向に突出形成された結合用凹部または前記胴体の下部方向に突出した結合用凸部を含むことを特徴とする、発光素子。
  2. 前記第１リードフレームは前記第３側壁より外部方向に突出した第１リード部を含み、
    前記第２リードフレームは前記第４側壁より外部方向に突出した第２リード部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
  3. 前記第１リセス部と前記第２リセス部は前記第１キャビティー及び第２キャビティーのうち、少なくとも１つに対して互いに反対側に配置されることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
  4. 前記胴体の第１側壁の下に前記第１リセス部から離隔した第３リセス部及び前記胴体の第２側壁の下に前記第２リセス部から離隔した第４リセス部を含み、
    前記第１及び第２リセス部は前記第１キャビティーに対して互いに反対側に配置され、
    前記第３及び第４リセス部は前記第２キャビティーに対して互いに反対側に配置され、
    前記第３リセス部は、前記第１側壁から前記第２側壁方向にリセスされ、前記胴体の底から上部方向にリセスされ、
    前記第４リセス部は、前記第２側壁から前記第１側壁方向にリセスされ、前記胴体の底から上部方向にリセスされたことを特徴とする、請求項１乃至３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
  5. 前記第１側壁から前記第２側壁方向にリセスされ、前記胴体の底から上部方向にリセスされた第５リセス部をさらに含み、
    前記第５リセス部は前記第１リセス部と前記第３リセス部とを連結し、
    前記第５リセス部は前記第１リセス部または前記第３リセス部の幅より広い幅を有することを特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
  6. 前記第１及び第３リセス部の間の間隔は前記第１及び第２キャビティーの底の間の距離より広いことを特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
  7. 前記第１及び第２リセス部のうちの少なくとも１つの幅は、前記第１及び第２キャビティーの底の間の間隔より狭く、
    前記第１及び第２リセス部のうちの少なくとも１つの深さは、前記第１キャビティーの底と前記第１側壁との間の距離より狭いことを特徴とする、請求項１乃至６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
  8. 前記第１及び第２リセス部のうちの少なくとも１つは、前記第１及び第２キャビティーの底の間の間隔より広い幅を有することを特徴とする、請求項１乃至６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
  9. 前記第１及び第２側壁は前記胴体の底に対して傾斜するように配置され、
    前記第１及び第２リセス部は前記胴体の底から前記第１及び第２リードフレームの厚さ以下であることを特徴とする、請求項１乃至８のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
  10. 前記第１及び第２側壁は前記胴体の底に対して傾斜した上部領域と、前記胴体の底に対して垂直な下部領域を含み、
    前記第１及び第２リセス部は前記胴体の第１及び第２側壁の下部領域からリセスされたことを特徴とする、請求項１乃至８のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
  11. 前記第１側壁及び第２側壁は、前記第３及び第４側壁の長さの２倍以上の長さを有することを特徴とする、請求項１乃至１０のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
  12. 前記第１リセス部は前記第１キャビティーに対応するように配置され、前記第２リセス部は前記第２キャビティーに対応するように配置され、
    前記第１及び第２リセス部は前記第１及び第２リードフレームの間の間隙部を中心にして互いに食い違うように配置されることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
  13. 前記第１及び第２リセス部は、前記第１及び第２リードフレームの間の間隙部に対応するように配置されることを特徴とする、請求項１乃至３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
  14. 前記第１及び第３リセス部は前記第１発光チップと前記第２発光チップとの間の間隔より広い間隔で離隔したことを特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
  15. 前記第１及び第２リセス部のうちの少なくとも１つは、３０μｍ〜１００μｍ範囲の深さと５０μｍ−５００μｍ範囲の幅を有することを特徴とする、請求項１乃至１４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
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