JP5721668B2 - 発光装置、照明装置および表示装置用バックライト - Google Patents

発光装置、照明装置および表示装置用バックライト Download PDF

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Description

本発明は、例えばLED(Light Emitting Diode)のような発光素子を有する発光装置と、その発光装置を備えた照明装置および表示装置用バックライトとに関するものである。
従来、LEDを備えた発光装置として、例えば特許文献1に開示されたものがある。この発光装置では、LEDが埋め込まれる成型体(リフレクタ)に、該成型体の底面から上方に向かって拡開する第1の反射面と、その第1の反射面と連結されて、さらに上方に向かって拡開する第2の反射面とを形成し、LEDの周囲を樹脂で封止している。第2の反射面の傾斜角は、0°よりも大きく、樹脂と空気層との界面における臨界角よりも小さくなるように設定されている。このように第2の反射面の傾斜角を設定することにより、上記界面で全反射された後、第2の反射面で全反射され、再度上記界面に入射する光のうち、外部に取り出し可能な光を増大させて、光の取り出し効率の向上が図られている。
しかし、特許文献1の構成では、LEDの側方近傍に、成型体の第1の反射面(内壁)が位置しており、LEDから出射された光が直接(短い距離で)内壁に入射するため、内壁が変色して、パッケージの寿命が低下することが懸念される。特に、LEDとして、輝度の高い青色LEDを使用し、成型体を高反射率の白色樹脂で構成した場合には、白色樹脂の黄変が進行してパッケージの光出力が著しく低下し、パッケージの寿命が著しく低下する。
そこで、特許文献2の発光装置では、金属リードフレームを折り曲げて凹部を形成し、その周囲をリフレクタで囲むとともに、凹部の底面にLEDを配置して透明樹脂で封止している。この構成では、LEDから出射された光が凹部の側面で反射されることで、リフレクタの内壁に直接入射する光の光量を減少させることができるので、内壁の変色を緩和して、パッケージの寿命を延ばすことができる。
また、特許文献2には、互いに離間して配置される複数の金属リードフレームの一方にLEDを配置し、LEDの極性の異なる電極をそれぞれボンディングワイヤーを介して異なる金属リードフレームと電気的に接続した構成において、各金属リードフレームに羽根部を一体化した発光装置も開示されている。羽根部は、各金属リードフレームの底部の両側に、底部と傾斜するように設けられて反射面を構成している。金属リードフレームの底部に配置されるLEDからの光を羽根部で反射させる構成であっても、リフレクタの内壁に直接入射する光の光量を減少させて、内壁が変色するのを緩和することができる。
特開2010−62427号公報(請求項1、段落〔0018〕、〔0019〕、図1、図2等参照) 特開2008−53726号公報(段落〔0009〕、〔0026〕、〔0037〕、図5、図8等参照)
ところが、特許文献2においては、LEDの側方に設けられる反射面の傾斜角の範囲については何ら規定されていない。このため、上記反射面の傾斜角によっては、LEDから側方に出射された光が、上記反射面を介して、LEDを封止する樹脂と空気層との界面に入射したときに、そこで反射される光の割合が増大し、界面に入射する光を外部に効率よく取り出すことができない場合がある。
また、特許文献1の発光装置では、第2の反射面の傾斜角の範囲が広すぎて、光の取り出し効率を十分に向上させることができるとは必ずしも言えない。例えば、第2の反射面の傾斜角が0°に近づくと、樹脂と空気層との界面に入射する光の入射角が90°に近くなればなるほど、上記界面で全反射されて第2の反射面で反射された後、再度上記界面に入射する光がそこで全反射されやすくなり、光の取り出し効率が低下する。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、パッケージの内壁の変色を抑えつつ、発光素子が発光した光の外部への取り出し効率を十分に向上させることができる発光装置と、その発光装置を備えた照明装置および表示装置用バックライトとを提供することにある。
本発明の発光装置は、互いに離間して配置される複数の金属リードフレームのいずれかに配置される発光素子と、前記複数の金属リードフレームをまとめて囲むように設けられる、光反射性樹脂からなるリフレクタとを備え、前記発光素子の極性の異なる電極をそれぞれ異なる金属リードフレームと電気的に接続した上で、前記リフレクタの内側に位置する前記発光素子を光透過性樹脂で封止した発光装置であって、前記発光素子は、前記金属リードフレームを折り曲げることによって形成される凹部内に配置されており、前記リフレクタは、前記金属リードフレームの前記凹部の外側に位置して、前記凹部の底面に対して傾斜した樹脂反射面を有しており、前記金属リードフレームの前記凹部は、前記底面に対して傾斜した複数の側面をそれぞれ金属反射面として有しており、少なくとも1つの前記金属反射面の前記底面に対する傾斜角をθs2(°)としたとき、前記樹脂反射面は、前記底面に対して傾斜角θs2よりも小さい傾斜角θs1(°)で傾斜した樹脂傾斜面を有しており、前記発光素子から出射されて前記光透過性樹脂と空気層との界面に入射する光の臨界角をθc(°)としたとき、θs1<θs2の関係にある前記樹脂傾斜面および前記金属反射面について、以下の条件式(1)および(2)を同時に満足することを特徴としている。すなわち、
45°−θc/2<θs1<θc ・・・(1)
35°≦θs2≦55° ・・・(2)
である。なお、発光装置全体が平面視で四角形状の場合には、樹脂反射面は、その四角形の各辺に沿うように4か所に配置されていてもよい。また、発光装置全体が平面視で円形の場合には、樹脂反射面は、その円形の外周に沿うように配置される一続きの反射面で構成されてもよい。
発光素子は、金属リードフレームを折り曲げることによって形成される凹部内に配置されているので、発光素子から側方に出射される光を、凹部の側面(金属反射面)で反射させて前方に出射させることができる。これにより、発光素子からリフレクタ(光反射性樹脂)に短い距離で直接入射する光の光量を減少させて、リフレクタの内壁の変色を抑えることができ、装置の長寿命化を図ることができる。
また、リフレクタの樹脂反射面が有する樹脂傾斜面の傾斜角θs1が、金属リードフレームの凹部の金属反射面の傾斜角θ2よりも小さい構成では、樹脂と空気層との界面に入射する光の入射角が90°に近くなればなるほど、上記界面で全反射されて樹脂傾斜面で反射された後、再度上記界面に入射する光がそこで全反射されやすくなり、光の取り出し効率が低下する。しかし、条件式(1)を満足する、つまり、樹脂傾斜面の傾斜角θs1を45°−θc/2よりも大きく、θcよりも小さくすることで、上記界面で全反射されて樹脂傾斜面で反射された後、再度上記界面に入射する光を、上記界面にて全反射させずに外部に取り出すことが可能となり、光の取り出し効率を向上させることができる。
また、条件式(2)を満足する、つまり、金属反射面の傾斜角θs2を45°±10°の範囲内に設定することにより、発光素子から側方に出射された光を金属反射面で反射させて、上記界面に対してほぼ垂直となるように入射させることができる。これにより、上記界面で反射を生じさせずに効率よく外部に光を取り出すことができる。
つまり、発光素子を金属リードフレームの凹部内に配置することで、リフレクタの内壁の変色を抑えて装置の長寿命化を図りつつ、条件式(1)および(2)を満足することで外部への光の取り出し効率を十分に向上させることができる。
上記構成において、前記樹脂傾斜面の傾斜角θs1は、
θs1=22.5°+θc/4
であることが望ましい。
樹脂傾斜面の傾斜角θs1が、条件式(1)の上限と下限との中間の値であるため、傾斜角θs1が上限および下限から離れた、余裕を持った設計で光の取り出し効率を向上させることができる。
上記構成の発光装置は、以下の条件式(3)をさらに満足していることが望ましい。すなわち、
D>2・d・tanθc ・・・(3)
ただし、
D:リフレクタにおいて光透過性樹脂と空気層との界面が位置する開口部の
最小幅(mm)
d:発光素子の上面から光透過性樹脂と空気層との界面までの距離(mm)
である。
条件式(3)を満足する場合、発光素子の上面中心から出射される光に、光透過性樹脂と空気層との界面に臨界角以上の入射角で入射してそこで全反射されるような光が含まれる。このため、上記界面から外部への光の取り出し効率を向上させる上述した本発明の構成が非常に有効となる。
前記金属リードフレームの前記凹部の深さは、前記発光素子の厚さ以上であってもよい。この場合、発光素子から側方に出射される光をほとんど凹部の側面で反射させて、リフレクタに直接入射させないようにすることができる。これにより、リフレクタの内壁の劣化を確実に抑えることができる。
上記構成の発光装置は、平面視で長方形状であり、前記樹脂傾斜面は、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、前記金属反射面は、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、前記4つの樹脂傾斜面の各々は、前記4つの金属反射面の各々に対して、θs1<θs2を満足しており、前記4つの樹脂傾斜面のそれぞれについて、条件式(1)を満足し、前記4つの金属反射面のそれぞれについて、条件式(2)を満足していてもよい。
発光装置が平面視で長方形状である場合において、リフレクタの4つの樹脂傾斜面のそれぞれについて条件式(1)を満足し、金属リードフレームの凹部の4つの金属反射面のそれぞれについて条件式(2)を満足することにより、発光素子の光の取り出し効率の向上の効果を最大限に得ることができる。
上記構成の発光装置は、平面視で長方形状であり、前記樹脂傾斜面は、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、前記金属反射面は、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、前記4つの樹脂傾斜面の各々は、前記4つの金属反射面のうちで前記長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面に対して、θs1<θs2を満足しており、前記4つの樹脂傾斜面のそれぞれについて、条件式(1)を満足し、前記長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面について、条件式(2)を満足していてもよい。
4つの樹脂傾斜面のそれぞれについて条件式(1)を満足することにより、各樹脂傾斜面で反射されて界面に再入射する光の取り出し効率を向上させることができる。
また、金属リードフレームの凹部の4つの金属反射面のうち、発光装置の長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面は、短辺方向に沿って位置する2つの金属反射面よりも面積が大きく、LEDからの光がより多く入射する。したがって、長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面について条件式(2)を満足することにより、発光素子から側方に出射され、金属反射面を介して上記界面に入射する光を効率よく取り出すことができる。
上記構成の発光装置は、平面視で長方形状であり、前記樹脂傾斜面は、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、前記金属反射面は、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、前記4つの樹脂傾斜面のうちで前記短辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面の各々は、前記4つの金属反射面のうちで前記長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面に対して、θs1<θs2を満足しており、前記短辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面について、条件式(1)を満足し、前記長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面について、条件式(2)を満足していてもよい。
金属リードフレームの凹部の4つの金属反射面のうち、発光装置の長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面は、短辺方向に沿って位置する2つの金属反射面よりも面積が大きく、LEDからの光がより多く入射する。したがって、長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面について条件式(2)を満足することにより、発光素子から側方に出射され、金属反射面を介して上記界面に入射する光を効率よく取り出すことができる。
また、例えば本発明の発光装置を、導光板を用いたエッジライト方式の薄型のバックライトに適用する場合、導光板の厚さ方向に対応する発光装置の短辺方向の長さを短くすることが必要となる。この場合、発光装置の短辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面については、長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面よりも、傾斜角θs1が傾斜角θs2よりも小さくなるような設計がしやすい(長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面の傾斜角を小さくする方向は、発光装置の短辺方向の長さを増大させる方向と対応するため)。したがって、発光装置の短辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面について条件式(1)を満足することにより、薄型のバックライトに対応して発光装置の短辺方向の長さを短くする場合でも、光の取り出し効率を向上させることができる。
上記構成の発光装置は、平面視で長方形状であり、前記樹脂傾斜面は、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、前記金属反射面は、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、前記4つの樹脂傾斜面のうちで前記長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面の各々は、前記4つの金属反射面のうちで前記長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面に対して、θs1<θs2を満足しており、前記長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面について、条件式(1)を満足し、前記長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面について、条件式(2)を満足していてもよい。
4つの樹脂傾斜面のうち、発光装置の長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面は、短辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面よりも面積が大きいため、発光素子から出射されて界面で全反射された光がより多く入射する。したがって、長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面について条件式(1)を満足することにより、界面に再入射する光を効率よく取り出すことができる。
また、発光装置の長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面は、短辺方向に沿って位置する2つの金属反射面よりも面積が大きく、LEDから側方に出射された光がより多く入射するので、この2つの金属反射面について条件式(2)を満足することにより、上記光を効率よく取り出すことができる。
上記構成において、前記発光素子は、前記凹部内で、該発光装置の長辺方向に複数並べて配置されていてもよい。このように複数の発光素子が配置されると、発光装置の長辺方向において、臨界角よりも大きい入射角で界面に入射する光が増大し、界面からの光の取り出し効率が低下しやすい。したがって、光の取り出し効率を向上させる本発明は、このように複数の発光素子を長辺方向に並べて配置する構成に非常に有効となる。
前記光透過性樹脂は、蛍光体を含有していてもよい。この場合、例えば発光素子として青色光を出射するLEDとして用い、蛍光体として青色光を吸収して黄色の蛍光を発するものを用いることで、青色光と黄色光との混色により白色光を出射する発光装置を実現することができる。
本発明の照明装置は、上述した本発明の発光装置によって照明対象を照明する構成であってもよい。この場合、高輝度で長寿命の照明装置を実現することができる。
本発明の表示装置用バックライトは、上述した本発明の発光装置と、前記発光装置からの光を内部で導光して液晶パネルを照明する導光板とを備えていてもよい。この場合、高輝度で長寿命の表示装置用バックライトを実現することができる。
本発明によれば、発光素子を金属リードフレームの凹部内に配置することで、リフレクタの内壁の変色を抑えて装置の長寿命化を図りつつ、条件式(1)および(2)を満足することで外部への光の取り出し効率を十分に向上させることができる。
(a)は、本発明の実施の形態に係る発光装置としてのLEDパッケージの平面図であり、(b)は、上記LEDパッケージの短辺方向に垂直な断面での断面図であり、(c)は、上記LEDパッケージの長辺方向に垂直な断面での断面図である。 LEDチップからの光を反射させるリフレクタの形状の一例を示す説明図である。 上記リフレクタの形状の他の例を示す説明図である。 図3のリフレクタの外観を模式的に示す斜視図である。 上記リフレクタの形状のさらに他の例を示すとともに、上記リフレクタを用いた場合の光の進行の様子を模式的に示す説明図である。 図5のリフレクタを拡大して示す説明図である。 LEDチップから所定の角度範囲で出射される光の進行の様子を示す説明図である。 LEDチップから上記とは異なる角度範囲で出射される光の進行の様子を示す説明図である。 LEDチップから上記とはさらに異なる角度範囲で出射される光の進行の様子を示す説明図である。 青色LEDの天面からの発光による配光パターンを示す説明図である。 蛍光体の発光による配光パターンを示す説明図である。 樹脂に封止された光源の配光パターンを示す説明図である。 封止樹脂から大気中へ直接脱出できる光の割合を示すグラフである。 LEDチップから出射されて所定の角度範囲で光透過性樹脂と空気層との界面に入射する光の進行の様子を示す説明図である。 LEDチップから出射されて上記とは異なる角度範囲で上記界面に入射する光の進行の様子を示す説明図である。 上記所定角度で上記界面に入射した光が、そこで全反射され、リフレクタを介して外部に取り出される場合の光の進行の様子を示す説明図である。 上記リフレクタの樹脂反射面の傾斜角が臨界角に等しい場合に、上記所定の角度範囲で上記界面に入射する光が進行する様子を示す説明図である。 上記リフレクタの樹脂反射面の傾斜角が臨界角よりも大きい場合に、上記所定の角度範囲で上記界面に入射する光が進行する様子を示す説明図である。 上記界面に入射した光が、そこで全反射され、リフレクタの反射面で反射された後、界面に再入射するときの光の進行の様子を示す説明図である。 上記リフレクタの樹脂反射面の傾斜角が臨界角よりも十分に小さい場合の光の進行の様子を示す説明図である。 光透過性樹脂の屈折率と、条件式(1)を満足する上記傾斜角との関係を示すグラフである。 上記LEDパッケージにおいて、LEDチップから側方に出射される光の進行の様子を示す説明図である。 図22のLEDパッケージの一部を拡大して示す説明図である。 LEDチップの側面から出る光が、上記側面に垂直な軸から傾いて進行する様子を示す説明図である。 LEDチップの側面から出る光が、金属反射面にて上側(界面側)に正反射される場合の様子を示す説明図である。 LEDチップの側面から出る光が、金属反射面にて下側に正反射される場合の様子を示す説明図である。 LEDチップの側面から下向きに20°傾いて出射される光の進行の様子を示す説明図である。 LEDチップの側面から上向きに20°傾いて出射される光の進行の様子を示す説明図である。 上記LEDパッケージの簡易的な断面図である。 (a)は、上記LEDパッケージの他の構成を示す平面図であり、(b)は、上記LEDパッケージの短辺方向に垂直な断面での断面図であり、(c)は、上記LEDパッケージの長辺方向に垂直な断面での断面図である。 (a)は、上記LEDパッケージのさらに他の構成を示す平面図であり、(b)は、上記LEDパッケージの短辺方向に垂直な断面での断面図であり、(c)は、上記LEDパッケージの長辺方向に垂直な断面での断面図である。 (a)は、上記LEDパッケージのさらに他の構成を示す平面図であり、(b)は、上記LEDパッケージの短辺方向に垂直な断面での断面図であり、(c)は、上記LEDパッケージの長辺方向に垂直な断面での断面図である。 (a)は、上記LEDパッケージのさらに他の構成を示す平面図であり、(b)は、上記LEDパッケージの短辺方向に垂直な断面での断面図であり、(c)は、上記LEDパッケージの長辺方向に垂直な断面での断面図である。 (a)は、上記LEDパッケージのさらに他の構成を示す平面図であり、(b)は、上記LEDパッケージの短辺方向に垂直な断面での断面図であり、(c)は、上記LEDパッケージの長辺方向に垂直な断面での断面図である。 (a)は、上記LEDパッケージのさらに他の構成を示す平面図であり、(b)は、上記LEDパッケージの短辺方向に垂直な断面での断面図であり、(c)は、上記LEDパッケージの長辺方向に垂直な断面での断面図である。 上記LEDパッケージのさらに他の構成を示す断面図であって、上記LEDパッケージの短辺方向に垂直な断面での断面図である。 (a)は、上記LEDパッケージのさらに他の構成を示す平面図であり、(b)および(c)は、上記LEDパッケージの異なる断面での断面図である。 (a)は、上記LEDパッケージのさらに他の構成を示す平面図であり、(b)は、上記LEDパッケージの断面図である。 上記LEDパッケージが適用される照明装置の概略の構成を示す分解斜視図である。 上記LEDパッケージが適用される表示装置用のバックライトを備えた液晶表示装置の概略の構成を示す断面図である。
本発明の実施の形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、各図面では、実装基板と電気的な接続に必要なリード部(外部リード、アウターリード)の図示を省略している。
〔発光装置の構成〕
図1(a)は、本実施形態の発光装置としてのLEDパッケージ1の平面図であり、図1(b)は、上記LEDパッケージ1の短辺方向に垂直な断面での断面図であり、図1(c)は、上記LEDパッケージ1の長辺方向に垂直な断面での断面図である。なお、図1(a)の平面図では、後述する金属リードフレーム2の領域を明確にするために、便宜的に、上記領域に断面図と同じハッチングを付している(以降の平面図でも同様)。
LEDパッケージ1は、平面視で長方形状であり、金属リードフレーム2上に発光素子としてのLEDチップ3を配置し、金属リードフレーム2の周囲をリフレクタ4で囲み、そのリフレクタ4の内側(開口部4b)に位置するLEDチップ3を光透過性樹脂5で封止して構成されている。以下では、LEDパッケージ1の長辺および短辺に沿う方向を、単に長辺方向(図1(a)では左右方向)および短辺方向(図1(a)では上下方向)とも称する。
金属リードフレーム2は、長辺方向に互いに離間して配置され、外部電源と電気的に接続される2つの金属リードフレーム21・22で構成されている。これらの金属リードフレーム21・22はまとめてリフレクタ4で囲まれている。LEDチップ3は、一方の金属リードフレーム21上に配置されている。本実施形態では、LEDチップ3としての2つのLEDチップ31・32が、金属リードフレーム21を折り曲げることによって形成される凹部21p内に、長辺方向に並べて配置されている。
凹部21pは、該凹部21p内でLEDチップ3が配置される底面21mに対して傾斜した側面を金属反射面21aとして有している。金属反射面21aは、底面21mに対して互いに反対側に位置し、かつ、長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面21a1・21a2と、底面21mに対して互いに反対側に位置し、かつ、短辺方向に沿って位置する2つの金属反射面21a3・21a4とで構成されている。凹部21pの深さは、LEDチップ31・32の厚さ以上となっている。
LEDチップ31・32は、それぞれ青色光を出射する発光ダイオードで構成されている。一方、LEDチップ3を封止する光透過性樹脂5には、例えば青色光を吸収して黄色の蛍光を発する黄色蛍光体が含有されている。これにより、LEDパッケージ1としては、青色光と黄色光との混色により白色光を出射することができる。また、光透過性樹脂5に黄色蛍光体を含有させることで、発光素子として高輝度の青色LEDチップ3を用いることが可能となり、後述する液晶表示装置用のバックライトや室内の照明装置に好適なLEDパッケージ1を実現することができる。
LEDチップ31の上面には、互いに異なる極性の第1の電極31aおよび第2の電極31bが形成されている。また、LEDチップ32の上面には、互いに異なる極性の第1の電極32aおよび第2の電極32bが形成されている。ここで、第1の電極31aおよび第1の電極32aは、アノード電極およびカソード電極の一方で構成することができ、第2の電極31bおよび第2の電極32bは、アノード電極およびカソード電極の他方で構成することができる。LEDチップ31の第1の電極31aは、金属リードフレーム22と金属線6で接続されており、LEDチップ31の第2の電極31bは、LEDチップ32の第1の電極32aと金属線6で接続されている。また、LEDチップ32の第2の電極32bは、金属リードフレーム21と金属線6で接続されている。これにより、LEDチップ31の互いに極性の異なる電極が、それぞれ少なくとも金属線を介して異なる金属リードフレームと電気的に接続されることになる。また、LEDチップ32についても同様に、互いに極性の異なる電極が、それぞれ少なくとも金属線を介して異なる金属リードフレームと電気的に接続されることになる。
リフレクタ4は、光反射性樹脂である白色系樹脂で構成されており、金属リードフレーム21の凹部21pの外側に位置して、凹部21pの底面21mに対して傾斜した樹脂反射面4aを有している。ここで、上記した4つの金属反射面21a1〜a4の少なくとも1つの、底面21mに対する傾斜角をθs2(°)としたとき、樹脂反射面4aは、底面21mに対して傾斜角θs2よりも小さい傾斜角θs1(°)で傾斜した樹脂傾斜面を有している。より詳しくは、樹脂反射面4aは、凹部21pに対して互いに反対側に位置し、かつ、長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面4a1・4a2と、凹部21pに対して互いに反対側に位置し、かつ、短辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面4a3・4a4とを有している。これらの4つの樹脂傾斜面4a1〜4a4で囲まれた空間で、リフレクタ4の開口部4bが形成されており、この開口部4b内に光透過性樹脂5が入れられている。
〔樹脂傾斜面の傾斜角について〕
本実施形態では、LEDチップ3から出射されて光透過性樹脂5と空気層との界面Bに入射する光の臨界角をθc(°)としたとき、θs1<θs2の関係にある樹脂傾斜面および金属反射面について、以下の条件式(1)を満足している。すなわち、
45°−θc/2<θs1<θc ・・・(1)
である。
ここで、臨界角θcは、光透過性樹脂5からこれとは異なる媒質(空気および空気以外のガスを含む)に光が向かうときに、光透過性樹脂5の屈折率をn、上記媒質の屈折率をn0として、
θc=sin-1(n0/n)
で表される。特に、上記媒質が空気の場合は、n0=1として、
θc=sin-1(1/n)
で表される。以下、条件式(1)を設定した理由について説明する。なお、以下では、便宜上、樹脂傾斜面4a1〜4a4の傾斜をまとめて樹脂反射面4aの傾斜として説明する。
図2および図3は、リフレクタ4の形状をシミュレーションした結果を示す説明図である。なお、ここでは、リフレクタ4の反射面は、放物線形状であり、放物線の焦点の位置にLEDチップ3の上面中心が位置しているものとする。また、LEDチップ3の上面中心から出射されて、リフレクタ4の反射面と、光透過性樹脂5と空気層との界面Bとの交点に入射する光の、LEDチップ3の上面に垂直な軸に対する角度をθ0(°)とする。
図2に示すような、θ0<θcとなる深いリフレクタ4では、LEDチップ3の上面から出射される光は、界面Bに直接入射して外部(大気中)に取り出されるか、リフレクタ4の反射面で反射された後、界面Bを介して外部に取り出される。したがって、このような構造では、良好な光の取り出しを実現することができる。
このとき、リフレクタ4が、白色の反射性物質を含有した樹脂リフレクタで構成される場合は、図3に示すように、リフレクタ4の樹脂反射面4aを急傾斜面で代用しても、ほぼ良好な光の取り出しを実現することができる。図4は、樹脂反射面4aを急傾斜面で構成したリフレクタ4の外観を模式的に示す斜視図である。このようなリフレクタ4は、中小型液晶パネルのバックライト用薄型サイドビュータイプの発光デバイスに用いることができる。
一方、図5は、パッケージの薄型化に対応した、浅いリフレクタ4を用いた場合の光の進行の様子を模式的に示す説明図であり、図6は、図5のリフレクタ4を拡大して示す説明図である。θ0>θcとなる浅いリフレクタ4では、深いリフレクタ4と同様の構造では良好な光の取り出しを実現することができない。その理由は、以下の考察より明らかである。
なお、説明の理解をしやすくするため、θ0>θcとなる浅いリフレクタ4において、LEDチップ3の上面中心から出射される光を、以下の(a)、(b)、(c)の3つに分けて考える。なお、LEDチップ3の上面中心から出射される光の、LEDチップ3の上面に垂直な軸に対する角度をθt(°)とする。
(a)θc≦θt<θ0となる角度θtで出射される光
図7は、LEDチップ3から(a)の角度範囲で出射される光の進行の様子を示す説明図である。この角度範囲では、光透過性樹脂5と空気層との界面Bで光が全反射されてパッケージ内部に閉じ込められ、一部はパッケージ内で迷光となり、最終的に吸収されてしまう。
(b)0°≦θt<θcとなる角度θtで出射される光
図8は、LEDチップ3から(b)の角度範囲で出射される光の進行の様子を示す説明図である。この角度範囲では、LEDチップ3から出射される光は、界面Bで全反射されず、空気層側に取り出される。
(c)θ0≦θt<90°となる角度θtで出射される光
図9は、LEDチップ3から(c)の角度範囲で出射される光の進行の様子を示す説明図である。この角度範囲では、LEDチップ3から出射される光は、リフレクタ4で反射された後、界面Bを介して外部に取り出される。
つまり、LEDチップ3の上面から出射される光のうち、(a)の角度範囲で出射される光については、パッケージの外部に取り出すことができず、これがパッケージからの光の取り出し効率を低下させる要因となる。したがって、このような光を外部に効率的に取り出すような設計が必要となる。
また、図8において、0°≦θt<θcとなる角度θtでLEDチップ3から出射される光が界面Bを介して空気層側に直接取り出される場合でも、その割合は僅かであるため、界面Bでの全反射によってパッケージ内部に押し戻されたる光を効率的に取り出す設計が益々重要となる。以下、この点について説明する。
図10は、青色光を発光するジャンクション・アップ型の青色LEDの天面からの発光による配光パターンを示す説明図である。青色LEDの配光パターンは、同図の太い実線で示すように、しばしばランバーシアン型の配光パターンで近似される。また、図11は、蛍光体の発光による配光パターンを示す説明図である。蛍光体の配光パターンは、同図の太い実線で示すように、周方向に均一なパターンである。図10および図11で示した半径rの極座標では、青色LEDの放射強度はr・cosθaで表され、蛍光体の放射強度はrで表される。
図12は、2次元方向に無限の広がる樹脂(屈折率n)に平面封止された光源(LEDチップ3および蛍光体3’)の配光パターンを示している。同図に示すように、LEDチップ3および蛍光体3’の各配光パターンは、図10および図11で示した各配光パターンと同様と考えることができる。
次に、このようなLEDチップ3および蛍光体3’から発光される光が、封止樹脂から大気中へ直接脱出できる割合について考える。スネルの法則を用いた簡易的な見積もりによれば、屈折率nの封止樹脂中で発光した光のうち、大気中へ直接脱出できる割合は、
(A)ランバーシアン放射の場合
(1−cos(2・θc))/2×100(%)
(B)均一な放射の場合
(1−cosθc)/2×100(%)
となる。なお、上記割合の導出においては、当然のことではあるが、鉛直方向の軸の周りの方位角(0°〜360°)方向も考慮に入れている。ここで、θcは、封止樹脂から大気へ向かう光の臨界角である。したがって、封止樹脂の屈折率をn、大気の屈折率を1としたとき、
θc=sin -1(1/n)
である。
図13は、封止樹脂から大気中へ直接脱出できる光の割合を、ランバート放射および均一放射のそれぞれにおいて、封止樹脂の屈折率nが1.4から1.6までの間で計算した結果を示すグラフである。例えば、封止樹脂の屈折率nが1.5の場合、大気中に直接脱出できる光の割合は、ランバーシアン放射の場合、45%未満であり、均一放射の場合、13%未満である。このように、封止樹脂から大気中に直接出射する光は、最大に見積もっても、理想的なLEDチップの発光でも50%未満であり、蛍光体の発光では15%に満たない。
以上のことから、θ0>θcとなる浅いリフレクタ4を用いた低背パッケージでは、LEDから出射された光のうち、封止樹脂と空気層との界面での全反射によって押し戻される光の割合が多くなることがわかる。したがって、このような全反射光を効率的に取り出すような光学設計が不可欠となる。
以上では、放物線の焦点に光源(LEDチップ3)を配置し、光源を樹脂で封止した単純な系を例として、光の取り出し効率について述べた。このような単純な系では、光源から出射される光を上記のように(a)〜(c)の3つに分けて考察することができる。
一方、例えば、光源がパッケージの中心部からズレて配置されている場合や複数配置されている場合、光源を封止する樹脂中に蛍光体を加えたような場合のように、複雑な系である場合、低背パッケージからの光の取り出し効率の改善を一般化された形で考察するためには、次の2つを考えれば十分である。なお、LEDチップ3から出射された光が、光透過性樹脂5と空気層との界面Bに入射するときの入射角をθ(°)とする。
(d)θ≧θcとなる角度θで界面Bに入射する光
図14は、LEDチップ3から出射されて(d)の角度範囲で界面Bに入射する光の進行の様子を示す説明図である。この角度範囲では、LEDチップ3から出射された光は、界面Bで全反射されてパッケージ内部に閉じ込められる。
(e)θ<θcとなる角度θで界面Bに入射する光
図15は、LEDチップ3から出射されて(e)の角度範囲で界面Bに入射する光の進行の様子を示す説明図である。この角度範囲では、LEDチップ3から出射された光は、界面Bを介して空気層側に取り出される。
LEDチップ3から出射された光が、パッケージ内部のリフレクタ4で反射したとしても、その光は界面Bに到達するため、上記(d)(e)のどちらかの条件を満たす。したがって、複雑な系においては、上記2つの場合分けで、光の取り出し効率について議論することができる。
なお、上記(e)の角度範囲の光については、界面Bを介してパッケージの外部に取り出されるので、ここでは、上記(d)の角度範囲の光について、取り出し効率の改善について考えればよい。つまり、図16に示すように、上記(d)の角度範囲の光であって、光透過性樹脂5と空気層との界面Bで全反射された光を、リフレクタ4で効果的に反射させて界面Bを介して外部に取り出すことができれば、光の取り出し効率を大幅に改善することができる。
ここで、上記(d)の角度範囲で界面Bに入射し、そこで全反射された光をリフレクタ4で効果的に反射するための条件は、リフレクタ4で正反射する光線を考察することで、上述した条件式(1)を満足すればよいことが判明した。以下、この点についてさらに詳細に説明する。
(条件式(1)についての考察)
(θs1<θcについて)
まず、臨界的な条件であるθs1=θcの場合について考える。ここでは、界面Bに対して臨界角θcで入射した光線(臨界角上の光線とも称する)が、界面Bで全反射された後、リフレクタ4の樹脂反射面4aに対して垂直に入射するように、樹脂反射面4aが(凹部21pの底面21mに対して)傾斜角θs1で傾斜している場合を考える。
図17は、θs1=θcの場合において、上記(d)の角度範囲の光が進行する様子を示す説明図である。入射角θで界面Bに入射した光は、界面Bで全反射された後、リフレクタ4の樹脂反射面4aで正反射されて、界面Bに再度入射するが、このときには、界面Bに対する入射角は、2θc−θと小さくなっている。今、ここでは、界面Bに最初に入射する光は、上記(d)の角度範囲の光、すなわち、θ≧θcを満たして界面Bで全反射する光だけを考えているので、再度界面Bに入射する光の入射角(2θc−θ)は、常にθc以下となり、界面Bから外部に取り出すことができる。
ただし、θ=θcとなる臨界角上の光線については、リフレクタ4の反射面で正反射された後、同じ経路を逆に戻っていくため、パッケージから光を取り出すことはできない。これを除いた、θ<θcを満たす場合には(上記(e)の角度範囲の光)、図15で示した通り、リフレクタ4の反射面で反射させた後、全て外部に取り出すことが可能となる。
ここで、θ=θcとなる臨界角上の光線も含めて、再度界面Bに入射した光を全て外部に取り出そうとする場合に、角度θs1を臨界角θcから若干小さくして、θs1<θcとすればよいことは、すでに自明である(θ=θcとなる臨界角上の光線は、リフレクタ4の反射面で正反射された後、同じ経路を逆戻りせず、臨界角以下の角度で界面Bに入射するため)。
なお、参考のため、θs1>θcの場合について考察する。図18は、θs1>θcの場合において、上記(d)の角度範囲の光が進行する様子を示す説明図である。また、図19は、界面Bの入射点1に入射した光が、そこで全反射され、リフレクタ4の樹脂反射面4a上の反射点で反射された後、界面Bの入射点2に再入射するときの光の進行の様子を示している。入射点1にθ>θcとなる角度θで入射した光は、反射点でΔθ=2(θs1−θ)の偏角を受けるため、入射点2での入射角θ’(°)は、θ+Δθとなる。すなわち、
θ’=θ+2(θs1−θ)
=2θs1−θ
となる。
角度θおよびθ’で界面Bに入射した光がそこで全反射されるための条件は、
θ≧θc
θ’≧θc、すなわち、θ+2(θs1−θ)≧θc
である。これらをまとめると、
θc≦θ≦2θs1−θc
となり、さらにこの式は、
θc≦θ≦θc+2(θs1−θc)
と変形できる。すなわち、このような角度範囲で最初に界面Bに入射した光は、リフレクタ4の樹脂反射面4aで正反射された後、界面Bに再度入射したときに、界面Bで全反射され、外部に取り出せなくなる。
先に述べたθs1=θcの条件では、θ=θcの光だけが界面Bへの再入射で再度全反射されるのに対して、樹脂反射面4aの傾斜が急なθs1>θcの場合は、臨界角θcの近傍の2(θs1−θc)の角度範囲にある光も、界面Bへの再入射で再度全反射される。このため、この部分が余分にパッケージ内に閉じ込められ、光の取り出し効率が低下することになる。
なお、蛇足ではあるが、
θ>θc+2(θs1−θc)
の範囲で界面Bに入射した光は、リフレクタ反射後の界面Bへの再入射で、パッケージの外部に取り出すことができる。
(θs1>45°−θc/2について)
次に、リフレクタ4の樹脂反射面4aの傾斜角θs1が臨界角θcの近傍である場合の考察を離れ、θs1<<θcの領域でも同様の考察を行う。図20は、リフレクタ4の樹脂反射面4aの傾斜角θs1が臨界角θcよりも十分に小さい場合の光の進行の様子を示す説明図である。
今まで、リフレクタ4の樹脂反射面4aの傾斜角θs1が臨界角θcの近傍である場合、θs1<θcを満たしていれば、界面Bに再入射するときに、再入射した光を全て外部に取り出すことが可能であった。しかし、図20に示すように、θs1を0°に近づけて行った場合には、水平方向に近い入射角を持つ光、つまり、界面Bに対する入射角が90°に近い光から順番に、界面Bに再入射するときも再度全反射するようになる(図20で破線で囲った部分参照)。このような現象は、光の取り出し効率を低下させる。以下、このような現象が起こり始める境界条件を求める。
図19で示した考察から、リフレクタ4の樹脂反射面4aで正反射後、界面Bに再入射する光の入射角θ’は、
θ’=2θs1−θ
である。水平(θ=90°)方向に進行する光が界面Bで全反射され、リフレクタ4で正反射された後に、再度界面Bで全反射される条件は、|θ’(θ=90°)|=θcで求められ、
90°−2θs1=θc
となる。つまり、
θs1=(90°−θc)/2=45°−θc/2
である。したがって、リフレクタ4の樹脂反射面4aの傾斜角θs1が、45°−θc/2以下の範囲では、界面Bへの再入射時に全反射が生じることになる。逆に、
θs1>45°−θc/2
のときには、界面Bに再入射した光を全て大気中に取り出すことができる。
以上の考察より、界面Bからの光の取り出し効率を向上させるためには、
θs1<θc
θs1>45°−θc/2
の2式をまとめて、
45°−θc/2<θs1<θc(条件式(1))
を満足することが必要であると結論付けられる。
ただし、実際の設計では、条件式(1)における傾斜角θs1が上限の臨界角θcに近い値となるのを避け、また、下限の45°−θc/2に近い値となるのも避けることが望ましい。例えば、傾斜角θs1が、条件式(1)の上限および下限の中間にあたる22.5°+θc/4付近となるように設計することがより好ましい。これは、実際の光の反射は全反射の臨界角の近傍で急速に大きくなること、LEDパッケージ1のリフレクタ4の材料として広く使用される白色樹脂での反射は正反射からずれて拡散反射の割合が大きくなること等を考慮したことによる。つまり、そのような要因の影響を軽減して、光の取り出し効率を少しでも高めるために、余裕を持った条件でLEDパッケージ1を製作することが望ましい。
(光透過性樹脂の屈折率と傾斜角θs1との関係について)
次に、封止樹脂である光透過性樹脂5の屈折率を変化させ、条件式(1)を満足するようなリフレクタ4の樹脂反射面4aの傾斜角θs1を調べた。図21は、光透過性樹脂5の屈折率nと、条件式(1)を満足する傾斜角θs1との関係を示すグラフである。
光透過性樹脂5の屈折率nを1.4から1.6まで変化させ、そのときの条件式(1)を満足する理想的な傾斜角θs1の上限および下限を求めると、以下の通りであった。
n=1.4に対して、θs1(下限)=22.0°、θs1(上限)=45.6°
n=1.5に対して、θs1(下限)=24.1°、θs1(上限)=41.8°
n=1.6に対して、θs1(下限)=25.7°、θs1(上限)=38.7°
最も理想的には、上述したように、傾斜角θs1は、条件式(1)の上限および下限の中間の値であることが望ましく、n=1.4、1.5、1.6のそれぞれに対して、傾斜角θs1は、33.9°、33.0°、32.2°、あるいはその近傍の角度とすることが望ましい。
〔凹部の金属反射面の傾斜角について〕
次に、LEDパッケージ1において、LEDチップ3が配置される凹部21pの金属反射面21aの傾斜角について説明する。本実施形態では、金属反射面21aの傾斜角をθs2(°)として、以下の条件式(2)をさらに満足している。すなわち、
35°≦θs2≦55° ・・・(2)
である。以下、その理由について説明する。
前述したように、高出力の青色系LEDチップを白色樹脂からなるリフレクタでパッケージした構成では、LEDチップから白色樹脂に光が直接入射すると、白色樹脂が黄変してパッケージの光出力が著しく低下し、パッケージの寿命が著しく低下する。このため、本実施形態では、金属リードフレーム2に凹部21pを形成して、その凹部21p内にLEDチップ3を配置するようにしている。この構成により、(a)LEDチップ3からリフレクタ4の樹脂反射面4aまでの距離を離すことができ、また、(b)LEDチップ3からリフレクタ4に直接入射する光の光量を減少させることができる。この2つの理由により、単位面積あたりの明るさが極端に明るい光を白色樹脂に照射せずに済み、白色樹脂の劣化を緩和して光出力の低下を抑え、パッケージの寿命を延ばすことができる。したがって、非常に輝度の高い青色LEDを用いた本実施形態のLEDパッケージ1は、明るい照明光を必要とする、液晶テレビなどの表示装置用のバックライトや、照明対象を照明する照明装置に好適となる。
特に、凹部21pの深さがLEDチップ3の厚さ以上に設定されることで、LEDチップ3から側方に出射される光をほとんど凹部21pの金属反射面21aで反射させて、リフレクタ4に短い距離で直接入射させないようにすることができるので、リフレクタ4の内壁の劣化を確実に抑えることができる。
ここで、図22は、本実施形態のLEDパッケージ1において、LEDチップ3から側方に出射される光の進行の様子を示す説明図である。LEDチップ3は、金属リードフレーム2の凹部21pの側面(金属反射面21a)で周囲を囲まれているため、チップ側面の方向に放射された光の多くは、金属反射面21aで反射されて前方に導かれる。このとき、凹部21pの金属反射面21aの傾斜角を適切に設定することにより、光を効率的に光透過性樹脂5の外に取り出すことができる。
図23は、図22におけるLEDパッケージ1の一部を拡大して示す説明図である。LEDチップ3のチップ側面から出た光を効率的に光透過性樹脂5の外側に取り出すには、光が金属リードフレーム2で反射されるときに、反射点を頂点とした頂角2θcの円錐領域に、なるべく多くの光が入るように、金属反射面21aの傾斜角θs2を設定すればよい。上記円錐領域に入射した光は、界面Bに対して臨界角θcよりも小さい角度で入射するため、界面Bで全反射されてパッケージ内部に押し戻されることなく、光を外部に取り出すことができる。
このような金属反射面21aの傾斜角θs2は45°であることが望ましい。このように傾斜角θs2を設定すると、チップ側面に対して垂直方向(軸上方向)に出た光は、傾斜角45°の金属反射面21aでの反射によって進行方向が90°変わり、界面Bに対して垂直に入射する。さらには、チップ側面から垂直に近い角度で出た光も、界面Bに対して垂直方向から微小角度だけ傾斜して入射する。これにより、界面Bでほぼ反射が生じず効率的にパッケージの外に光を取り出すことができる。
ここで、チップ側面に対して垂直方向に出る光の強度が強い場合には、θs2=45°が最適であるが、一般に、チップの厚み、裏面の反射面等のチップ構造によって、チップ側面から出る光のうちで光の出射強度が最大となる方向が、チップ側面に垂直な軸に対して傾く場合がある。
図24は、チップ側面から出る光が、チップ側面に垂直な軸から傾いて進行する様子を示す説明図である。ここで、LEDチップ3の側面から、側面に垂直な軸に対して角度θ0(°)だけ傾く方向に出射された光は、界面Bに垂直な軸に対してθ(°)の角度をなすものとする。また、上記光は、金属反射面21aでの正反射時にΔθ(°)の偏角を受けるものとし、正反射後の光は、界面Bに垂直な軸に対してθ’(°)の角度をなすものとする。
図24において、界面Bに垂直な軸に対して角度θをなす方向に、LEDチップ3の側面から出射された光は、金属反射面21aでの正反射によって、
Δθ=2(θs2−θ)
の偏角を受けるため、正反射後の角度θ’は、
θ’=θ+Δθ
となる。すなわち、
θ’=θ+2(θs2−θ)
=2θs2−θ
である。
ただし、Δθの正負を以下のように定義しておく。図25は、チップ側面から出る光が金属反射面21aにて上側(界面B側)に正反射される場合の様子を示す説明図である。入射光が図25のように正反射されるのは、θ>θs2の場合である。このとき、
Δθ=2(θs2−θ)<0
となり、Δθは負の値をとる。
一方、図26は、チップ側面から出る光が金属反射面21aにて下側に正反射される場合の様子を示す説明図である。入射光が図26のように正反射されるのは、θ<θs2の場合である。このとき、
Δθ=2(θs2−θ)>0
となり、Δθは正の値をとる。
チップ側面から出る光がチップ側面に垂直な軸に対して傾く方向に進行する場合でも、角度θ’が0となるように、金属反射面21aの傾斜角θs2を設定することにより、金属反射面21aで正反射された光を界面Bに垂直に入射させて、その光を効率よく外部に取り出すことができる。
例えば、チップ側面から出射される光の出射方向(光の出射強度が最大となる方向)が、チップ側面の軸方向に対して下向きに20°傾くのであれば(θ0=20°)、金属反射面21aの傾斜角θs2を35°とし、逆に上向きに20°傾くのであれば(θ0=−20°)、金属反射面21aの傾斜角θs2を55°とすることで、金属反射面21aで正反射された光を界面Bに垂直に入射させて、その光を効率よく外部に取り出すことができる。この点について、図面を用いてより詳細に説明する。
図27は、チップ側面からθ0=20°で出射される光の進行の様子を示す説明図である。金属反射面21aでの正反射後の角度θ’が0°となるためには、
θ’=2θs2−θ=0°
となるように、傾斜角θs2を設定すればよい。上式より、
θs2=θ/2
が導き出される。また、
θ=90°−θ0
であるので、
θs2=(90°−θ0)/2
=(90°−20°)/2
=35°
となる。
ちなみに、この場合に、金属反射面21aに入射する光が受ける偏角Δθは、
Δθ=2(θs2−θ)
=2(θs2−(90°−θ0))
=2(35°−(90°−20°))
=−70°
である。
一方、図28は、チップ側面からθ0=−20°で出射される光の進行の様子を示す説明図である。θ0=20°の場合と同様に考えて、
θs2=(90°−θ0)/2
=(90°−(−20°))/2
=55°
となる。
ちなみに、この場合に、金属反射面21aに入射する光が受ける偏角Δθは、
Δθ=2(θs2−θ)
=2(θs2−(90°−θ0))
=2(55°−(90°−(−20°)))
=−110°
である。
以上のように、LEDチップ3の構造により、光の配光特性が異なることを考えると、金属反射面21aの傾斜角θs2は、45°±10°の範囲内で変動し得る。したがって、このような配光特性を考慮して、上述した条件式(2)を満足することにより、チップ側方に出射された光を金属反射面21aを介して界面Bにほぼ垂直に入射させることができ、これによって、界面Bで反射を生じさせずに効率よく外部に光を取り出すことができると言える。
なお、LEDパッケージ1を種々のLEDの配光特性に対して汎用性を持たせるには、金属反射面21aの傾斜角θs2は、45°に設定しておくことが最も望ましい。
〔LEDチップと界面との距離について〕
図29は、上述したLEDパッケージ1の簡易的な断面図である。LEDパッケージ1は、以下の条件式(3)をさらに満足していることが望ましい。すなわち、
D>2・d・tanθc ・・・(3)
ただし、
D:リフレクタにおいて光透過性樹脂と空気層との界面が位置する開口部の
最小幅(mm)
d:発光素子の上面から光透過性樹脂と空気層との界面までの距離(mm)
である。なお、上記のDは、リフレクタ4の開口部4bが平面視で長方形状である場合はその短辺方向の幅を指し、開口部4bが平面視で円形の場合(図38参照)はその直径を指す。
図29に示すように、リフレクタ4において界面Bが位置する開口部4bの最小幅Dが2L=2(d・tanθc)よりも大きい場合、LEDチップ3の上面中心から出た光のうち、頂角2θcの円錐の内側に放射された光については、光透過性樹脂5と空気層との界面Bで全反射せずに外部に取り出すことができるが、上記円錐の外側に放射された光については、上記界面Bに臨界角θc以上の入射角で入射するため、そこで全反射される。したがって、そのような全反射光の外部への光の取り出し効率を向上させる本実施形態の構成(上述した条件式を含む)は、このような薄型の(Dに対してdが非常に小さい)LEDパッケージ1において非常に有効となる。
〔条件式を満足する樹脂傾斜面および金属反射面について〕
上述した条件式(1)は、樹脂反射面4aを構成する4つの樹脂傾斜面4a1〜4a4(図1参照)の少なくとも1つについて満足していれば、光の取り出し効率を向上させる効果を得ることができるが、全ての樹脂傾斜面4a1〜4a4について満足することが、その効果を最も得ることができるため望ましい。
また、上述した条件式(2)は、金属反射面21aを構成する4つの金属反射面21a1〜21a4(図1参照)の少なくとも1つについて満足していれば、チップ側方に出射された光を金属反射面21aを介して界面Bから効率よく外部に光を取り出すことができるが、全ての金属反射面21a1〜21a4について満足することが、その効果を最も得ることができるため望ましい。
つまり、4つの樹脂傾斜面4a1〜4a4の各々は、4つの金属反射面21a1〜21a4の各々に対して、θs1<θs2を満足しており、各樹脂傾斜面4a1〜4a4のそれぞれについて条件式(1)を満足し、各金属反射面21a1〜21a4のそれぞれについて条件式(2)を満足することが望ましい。図1で示したLEDパッケージ1は、このような条件を満足した設計となっている。
また、4つの金属反射面21a1〜21a4のうち、短辺方向に沿って位置する2つの金属反射面21a3・21a4については、長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面21a1・21a2よりも面積が小さく、LEDチップ3からの入射光量も小さいので、光の取り出し効率に与える影響が小さい。このことを考慮すると、少なくとも、4つの樹脂傾斜面4a1〜4a4のそれぞれについて条件式(1)を満足し、長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面a1・21a2について条件式(2)を満足すれば、外部への光の取り出し効率を向上させることができると言える。
また、図30(a)は、LEDパッケージ1の他の構成を示す平面図であり、図30(b)は、上記LEDパッケージ1の短辺方向に垂直な断面での断面図であり、図30(c)は、上記LEDパッケージ1の長辺方向に垂直な断面での断面図である。このLEDパッケージ1は、4つの樹脂傾斜面4a1〜4a4のうち、短辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面4a3・4a4の各々が、4つの金属反射面21a1〜21a4のうち、長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面21a1・21a2に対して、θs1<θs2を満足する設計となっている。そして、短辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面4a3・4a4について、条件式(1)を満足し、長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面21a1・21a2について、条件式(2)を満足している。
また、図31(a)は、LEDパッケージ1のさらに他の構成を示す平面図であり、図31(b)は、上記LEDパッケージ1の短辺方向に垂直な断面での断面図であり、図31(c)は、上記LEDパッケージ1の長辺方向に垂直な断面での断面図である。このLEDパッケージ1は、図30と同様の設計であるが、図30よりもさらに短辺方向の長さが短いものとなっている。
後述する液晶表示装置200(図40参照)のバックライト210に本実施形態のLEDパッケージ1を適用する場合において、バックライト210を薄型化すると、導光板213の厚さ方向に対応するLEDパッケージ1の短辺方向の長さを短くすることが必要となる。このとき、LEDパッケージ1の短辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面4a3・4a4については、長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面4a1・4a2よりも、傾斜角θs1が傾斜角θs2よりも小さくなるような設計がしやすい。これは、バックライト210の薄型化に対応すべく、LEDパッケージ1の短辺方向の長さがある程度規制された条件では、樹脂傾斜面4a1・4a2の傾斜角を小さくすることが困難なためである(樹脂傾斜面4a1・4a2の傾斜角を小さくする方向は、樹脂傾斜面4a1・4a2が倒れることによってLEDパッケージ1の短辺方向の長さを増大させる方向に働くためである)。一方、樹脂傾斜面4a3・4a4の傾斜角を小さくする方向は、LEDパッケージ1の長辺方向の長さを長くする方向に働くが、この方向はバックライト210の薄型化とは無関係な方向であり、何ら規制されない。
したがって、傾斜角を小さくする設計の自由度については、樹脂傾斜面4a1・4a2よりも樹脂傾斜面4a3・4a4のほうが高く、条件式(1)を満足する設計が容易となる。このため、短辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面4a3・4a4について、条件式(1)を満足することにより、薄型のバックライト210に対応した構成で、光の取り出し効率を向上させることができる。
また、4つの金属反射面21a1〜21a4のうち、LEDパッケージ1の長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面21a1・21a2は、短辺方向に沿って位置する2つの金属反射面21a3・21a4よりも面積が大きいため、LEDチップ3からの光がより多く入射する。したがって、長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面21a1・21a2について条件式(2)を満足することにより、LEDチップ3から側方に出射されて、金属反射面21aを介して界面Bに入射する光を効率よく取り出すことができる。
図32(a)は、LEDパッケージ1のさらに他の構成を示す平面図であり、図32(b)は、上記LEDパッケージ1の短辺方向に垂直な断面での断面図であり、図32(c)は、上記LEDパッケージ1の長辺方向に垂直な断面での断面図である。このLEDパッケージ1は、4つの樹脂傾斜面4a1〜4a4のうち、長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面4a1・4a2の各々が、4つの金属反射面21a1〜21a4のうち、長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面21a1・21a2に対して、θs1<θs2を満足する設計となっている。そして、長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面4a1・4a2について、条件式(1)を満足し、長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面21a1・21a2について、条件式(2)を満足している。
また、図33(a)は、LEDパッケージ1のさらに他の構成を示す平面図であり、図33(b)は、上記LEDパッケージ1の短辺方向に垂直な断面での断面図であり、図33(c)は、上記LEDパッケージ1の長辺方向に垂直な断面での断面図である。このLEDパッケージ1は、用いるLEDチップ3を単数とし、パッケージの長辺方向の長さをさらに短くした以外は、図32と同様の設計である。
4つの樹脂傾斜面4a1〜4a4のうち、LEDパッケージ1の長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面4a1・4a2は、短辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面4a3・4a4よりも面積が大きいため、LEDチップ3からの光がより多く入射する。したがって、長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面4a1・4a2について条件式(1)を満足することにより、界面Bに入射する光を効率よく取り出すことができる。例えば、LEDパッケージ1を後述する照明装置100(図39参照)に適用する場合においては、LEDパッケージ1の短辺方向の長さに制約がないので、図32や図33のような設計のLEDパッケージ1は、照明装置100に好適であると言える。
また、LEDパッケージ1の長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面21a1・21a2は、短辺方向に沿って位置する2つの金属反射面21a3・21a4よりも面積が大きく、LEDチップ3からの光がより多く入射するため、2つの金属反射面21a1・21a2について条件式(2)を満足することにより、LEDチップ3から側方に出射されて、金属反射面21aを介して界面Bに入射する光を効率よく取り出すことができる。
また、図30〜図32のように、LEDチップ3が凹部21p内で、チップ長辺がパッケージ長辺方向に沿うように、パッケージ長辺方向に複数並べて配置されると、その長辺方向においては、臨界角θcよりも大きい入射角で、光透過性樹脂5と空気層との界面Bに入射する光が増大し、界面Bからの光の取り出し効率が低下しやすい。したがって、光の取り出し効率を向上させる本実施形態の構成は、このように複数のLEDチップ3を長辺方向に並べて配置する場合に非常に有効となる。
〔発光装置の変形例〕
図34(a)は、LEDパッケージ1のさらに他の構成を示す平面図であり、図34(b)は、上記LEDパッケージ1の短辺方向に垂直な断面での断面図であり、図34(c)は、上記LEDパッケージ1の長辺方向に垂直な断面での断面図である。
金属リードフレーム2は、外部電源と電気的に接続される3つの金属リードフレーム21〜23で構成されていてもよい。そして、LEDチップ31・32は、別々の金属リードフレーム21・23に配置されていてもよい。この場合、LEDチップ31の第1の電極31aは、金属リードフレーム21と金属線6で接続され、LEDチップ31の第2の電極31bは、金属リードフレーム22と金属線6で接続され、LEDチップ32の第1の電極32aは、金属リードフレーム22と金属線6で接続され、LEDチップ32の第2の電極32bは、金属リードフレーム23と金属線6で接続される構成とすることができる。
このような構成であっても、金属リードフレーム21・23の各凹部21p・23pにLEDチップ31・32を配置することで、リフレクタ4の内壁の変色を抑えてパッケージの長寿命化を図りつつ、θs1<θs2となる樹脂傾斜面および金属反射面について条件式(1)および(2)を満足することにより、外部への光の取り出し効率を十分に向上させることができる。
図35(a)は、LEDパッケージ1のさらに他の構成を示す平面図であり、図35(b)は、上記LEDパッケージ1の短辺方向に垂直な断面での断面図であり、図35(c)は、上記LEDパッケージ1の長辺方向に垂直な断面での断面図である。
LEDパッケージ1が有するLEDチップ3は、図33と同様に単数であってもよい。この場合、LEDチップ31の第1の電極31aは、金属リードフレーム22と金属線6で接続され、LEDチップ31の第2の電極31bは、LEDチップ31が配置される金属リードフレーム21と金属線6で接続される構成とすることができる。
このような構成であっても、金属リードフレーム21の凹部21pにLEDチップ31を配置することで、リフレクタ4の内壁の変色を抑えてパッケージの長寿命化を図りつつ、θs1<θs2となる樹脂傾斜面および金属反射面について条件式(1)および(2)を満足することにより、外部への光の取り出し効率を十分に向上させることができる。
図36は、LEDパッケージ1のさらに他の構成を示す断面図であって、上記LEDパッケージ1の短辺方向に垂直な断面での断面図である。同図の破線部で示すように、リフレクタ4の樹脂反射面4aは、一部に急傾斜面41を含んでいてもよい。つまり、樹脂反射面4aは、傾斜角がθs1の樹脂傾斜面42と、この樹脂傾斜面42よりも傾斜角の大きい急傾斜面41とを含んでいてもよい。なお、急傾斜面41の数は特に限定されず、1つであってもよいし、図36のように2つであってもよいし、それ以上であってもよい。この場合、樹脂反射面4aにおいて急傾斜面41以外の樹脂傾斜面42について、上述した条件式(1)を満足することにより、光の取り出し効率を向上させる効果を得ることができる。つまり、樹脂反射面4aの少なくとも一部について、上述した条件式(1)を満足すればよい。
図37(a)は、LEDパッケージ1のさらに他の構成を示す平面図であり、図37(b)および図37(c)は、上記LEDパッケージ1の異なる断面での断面図である。このように、LEDパッケージ1は、平面視で正方形状に形成されてもよい。なお、金属リードフレーム21・22の形状は、上記LEDパッケージ1の平面形状に応じて設定されればよい。つまり、金属リードフレーム21・22は、互いに離間して配置された状態で全体として平面視で正方形状となるように、形状が設定されればよい。
図38(a)は、LEDパッケージ1のさらに他の構成を示す平面図であり、図38(b)は、上記LEDパッケージ1の断面図である。このように、LEDパッケージ1は、平面視で円形状に形成されてもよい。なお、金属リードフレーム21・22の形状は、上記LEDパッケージ1の平面形状に応じて設定されればよい。つまり、金属リードフレーム21・22は、互いに離間して配置された状態で全体として平面視で円形状となるように、形状が設定されればよい。なお、LEDパッケージ1が平面視で円形状の場合、樹脂反射面4aは、パッケージの外周に沿う方向に一続きの樹脂傾斜面で構成されることになる。
このように、図37および図38の構成であっても、金属リードフレーム21の凹部21pにLEDチップ31を配置することで、リフレクタ4の内壁の変色を抑えてパッケージの長寿命化を図りつつ、θs1<θs2となる樹脂傾斜面および金属反射面について条件式(1)および(2)を満足することにより、外部への光の取り出し効率を十分に向上させることができる。
以上で説明したパッケージにおける光の取り出し効率の改善効果は、具体的なパッケージのサイズ、使用するリフレクタ用樹脂や金属フレームの反射特性、封止樹脂の屈折率、蛍光体の有無、チップサイズおよび特性など、諸条件に大きく依存するが、一般的には4%から12%程度の改善効果が期待できる。使用するリフレクタ用樹脂や金属フレームの反射率が特に低い場合には、改善率は高くなり、例えば上記12%を超えることもある。
〔発光装置の応用例〕
図39は、本実施形態のLEDパッケージ1の応用例としての照明装置100の概略の構成を示す分解斜視図である。照明装置100は、例えば室内や室外に設置されて、照明対象(例えば空間や人物)を照明するものであり、光を投射する光源101と、光源101が内蔵されるハウジング102とを有している。なお、照明装置100は、光源101の熱を放出するための放熱部を含んでいてもよい。
光源101は、複数個のLEDパッケージ101aを基板102b上に円環状に配置して構成されており、図示しないホルダーによってハウジング102に固定されている。各LEDパッケージ101aは、上述した本実施形態のLEDパッケージ1で構成されている。
ハウジング102は、電気ソケット(図示せず)に結合されるソケット結合部102aと、ソケット結合部102aと連結されて光源101が内蔵される本体部102とを有している。
また、図40は、本実施形態のLEDパッケージ1の他の応用例としての表示装置用のバックライト210を備えた液晶表示装置200の概略の構成を示す断面図である。液晶表示装置200は、バックライト210と、液晶パネル220とを有している。
バックライト210は、LEDパッケージ211と、実装基板212と、導光板213とを有している。LEDパッケージ211は、上述した本実施形態のLEDパッケージ1で構成されており、実装基板212と平行に配置される導光板213の端面に光を入射させることができるように、実装基板212に実装されている。実装基板212は、装置筐体231に支持されている。導光板213は、LEDパッケージ211から出射されて端面を介して内部に入射した光を内部で導光して、導光板213の上面から出射させ、光学シート232を介して液晶パネル220を照明する。液晶パネル220は、導光板213から出射される光を画像データに応じて変調することにより、画像を表示することができる。この液晶パネル220は、LEDパッケージ211と反射シート234を介して対向する額縁部233によって、装置筐体231に固定されている。
本実施形態のLEDパッケージ1によれば、上述したように、高輝度の青色LEDを用いた場合でも、白色樹脂の劣化を抑えて光出力の低下を抑え、パッケージの寿命を延ばすことができ、また、外部への光の取り出し効率を向上させることもできる。したがって、このようなLEDパッケージ1を照明装置100や液晶表示装置200のバックライト210に適用することにより、高輝度で長寿命の照明装置100およびバックライト210を実現することができる。
なお、各図面に基づいて説明した構成を適宜組み合わせて、LEDパッケージ1を構成し、これをバックライトや照明装置に適用することも勿論可能である。
本発明の発光装置は、例えば照明装置や表示装置のバックライトに利用可能である。
1 LEDモジュール(発光装置)
2 金属リードフレーム
3 LEDチップ(発光素子)
4 リフレクタ
4a 樹脂反射面
4a1 樹脂傾斜面
4a2 樹脂傾斜面
4a3 樹脂傾斜面
4a4 樹脂傾斜面
5 光透過性樹脂
21 金属リードフレーム
21a 金属反射面
21a1 金属反射面
21a2 金属反射面
21a3 金属反射面
21a4 金属反射面
21m 底面
21p 凹部
23p 凹部
22 金属リードフレーム
23 金属リードフレーム
31 LEDチップ(発光素子)
31a 第1の電極
31b 第2の電極
32 LEDチップ(発光素子)
32a 第1の電極
32b 第2の電極
42 樹脂傾斜面
100 照明装置
210 バックライト
213 導光板
220 液晶パネル
B 界面

Claims (12)

  1. 互いに離間して配置される複数の金属リードフレームのいずれかに配置される発光素子と、
    前記複数の金属リードフレームをまとめて囲むように設けられる、光反射性樹脂からなるリフレクタとを備え、
    前記発光素子の極性の異なる電極をそれぞれ異なる金属リードフレームと電気的に接続した上で、前記リフレクタの内側に位置する前記発光素子を光透過性樹脂で封止した発光装置であって、
    前記発光素子は、前記金属リードフレームを折り曲げることによって形成される凹部内に配置されており、
    前記リフレクタは、前記金属リードフレームの前記凹部の外側に位置して、前記凹部の底面に対して傾斜した樹脂反射面を有しており、
    前記金属リードフレームの前記凹部は、前記底面に対して傾斜した複数の側面をそれぞれ金属反射面として有しており、
    少なくとも1つの前記金属反射面の前記底面に対する傾斜角をθs2(°)としたとき、前記樹脂反射面は、前記底面に対して傾斜角θs2よりも小さい傾斜角θs1(°)で傾斜した樹脂傾斜面を有しており、
    前記光透過性樹脂と空気層との界面は、前記凹部の底面に対して平行な平面であり、
    前記発光素子から出射されて前記光透過性樹脂と空気層との界面に入射する光の臨界角をθc(°)としたとき、θs1<θs2の関係にある前記樹脂傾斜面および前記金属反射面について、以下の条件式(1)および(2)を同時に満足し、
    45°−θc/2<θs1<θc ・・・(1)
    35°≦θs2≦55° ・・・(2)
    該発光装置は、平面視で長方形状であり、
    前記樹脂傾斜面は、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、
    前記金属反射面は、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、
    前記4つの樹脂傾斜面の各々は、前記4つの金属反射面のうちで前記長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面に対して、θs1<θs2を満足しており、
    前記4つの樹脂傾斜面のそれぞれについて、条件式(1)を満足し、
    前記長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面について、条件式(2)を満足することを特徴とする発光装置。
  2. 互いに離間して配置される複数の金属リードフレームのいずれかに配置される発光素子と、
    前記複数の金属リードフレームをまとめて囲むように設けられる、光反射性樹脂からなるリフレクタとを備え、
    前記発光素子の極性の異なる電極をそれぞれ異なる金属リードフレームと電気的に接続した上で、前記リフレクタの内側に位置する前記発光素子を光透過性樹脂で封止した発光装置であって、
    前記発光素子は、前記金属リードフレームを折り曲げることによって形成される凹部内に配置されており、
    前記リフレクタは、前記金属リードフレームの前記凹部の外側に位置して、前記凹部の底面に対して傾斜した樹脂反射面を有しており、
    前記金属リードフレームの前記凹部は、前記底面に対して傾斜した複数の側面をそれぞれ金属反射面として有しており、
    少なくとも1つの前記金属反射面の前記底面に対する傾斜角をθs2(°)としたとき、前記樹脂反射面は、前記底面に対して傾斜角θs2よりも小さい傾斜角θs1(°)で傾斜した樹脂傾斜面を有しており、
    前記光透過性樹脂と空気層との界面は、前記凹部の底面に対して平行な平面であり、
    前記発光素子から出射されて前記光透過性樹脂と空気層との界面に入射する光の臨界角をθc(°)としたとき、θs1<θs2の関係にある前記樹脂傾斜面および前記金属反射面について、以下の条件式(1)および(2)を同時に満足し、
    45°−θc/2<θs1<θc ・・・(1)
    35°≦θs2≦55° ・・・(2)
    該発光装置は、平面視で長方形状であり、
    前記樹脂傾斜面は、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、
    前記金属反射面は、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、
    前記4つの樹脂傾斜面のうちで前記短辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面の各々は、前記4つの金属反射面のうちで前記長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面に対して、θs1<θs2を満足しており、
    前記短辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面について、条件式(1)を満足し、
    前記長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面について、条件式(2)を満足することを特徴とする発光装置。
  3. 互いに離間して配置される複数の金属リードフレームのいずれかに配置される発光素子と、
    前記複数の金属リードフレームをまとめて囲むように設けられる、光反射性樹脂からなるリフレクタとを備え、
    前記発光素子の極性の異なる電極をそれぞれ異なる金属リードフレームと電気的に接続した上で、前記リフレクタの内側に位置する前記発光素子を光透過性樹脂で封止した発光装置であって、
    前記発光素子は、前記金属リードフレームを折り曲げることによって形成される凹部内に配置されており、
    前記リフレクタは、前記金属リードフレームの前記凹部の外側に位置して、前記凹部の底面に対して傾斜した樹脂反射面を有しており、
    前記金属リードフレームの前記凹部は、前記底面に対して傾斜した複数の側面をそれぞれ金属反射面として有しており、
    少なくとも1つの前記金属反射面の前記底面に対する傾斜角をθs2(°)としたとき、前記樹脂反射面は、前記底面に対して傾斜角θs2よりも小さい傾斜角θs1(°)で傾斜した樹脂傾斜面を有しており、
    前記光透過性樹脂と空気層との界面は、前記凹部の底面に対して平行な平面であり、
    前記発光素子から出射されて前記光透過性樹脂と空気層との界面に入射する光の臨界角をθc(°)としたとき、θs1<θs2の関係にある前記樹脂傾斜面および前記金属反射面について、以下の条件式(1)および(2)を同時に満足し、
    45°−θc/2<θs1<θc ・・・(1)
    35°≦θs2≦55° ・・・(2)
    該発光装置は、平面視で長方形状であり、
    前記樹脂傾斜面は、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、
    前記金属反射面は、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、
    前記4つの樹脂傾斜面のうちで前記長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面の各々は、前記4つの金属反射面のうちで前記長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面に対して、θs1<θs2を満足しており、
    前記長辺方向に沿って位置する2つの樹脂傾斜面について、条件式(1)を満足し、
    前記長辺方向に沿って位置する2つの金属反射面について、条件式(2)を満足することを特徴とする発光装置。
  4. 互いに離間して配置される複数の金属リードフレームのいずれかに配置される発光素子と、
    前記複数の金属リードフレームをまとめて囲むように設けられる、光反射性樹脂からなるリフレクタとを備え、
    前記発光素子の極性の異なる電極をそれぞれ異なる金属リードフレームと電気的に接続した上で、前記リフレクタの内側に位置する前記発光素子を光透過性樹脂で封止した発光装置であって、
    前記発光素子は、前記金属リードフレームを折り曲げることによって形成される凹部内に配置されており、
    前記リフレクタは、前記金属リードフレームの前記凹部の外側に位置して、前記凹部の底面に対して傾斜した樹脂反射面を有しており、
    前記金属リードフレームの前記凹部は、前記底面に対して傾斜した複数の側面をそれぞれ金属反射面として有しており、
    少なくとも1つの前記金属反射面の前記底面に対する傾斜角をθs2(°)としたとき、前記樹脂反射面は、前記底面に対して傾斜角θs2よりも小さい傾斜角θs1(°)で傾斜した樹脂傾斜面を有しており、
    前記光透過性樹脂と空気層との界面は、前記凹部の底面に対して平行な平面であり、
    前記発光素子から出射されて前記光透過性樹脂と空気層との界面に入射する光の臨界角をθc(°)としたとき、θs1<θs2の関係にある前記樹脂傾斜面および前記金属反射面について、以下の条件式(1)を満足し、かつ、
    前記発光素子の側面から出射される光の出射強度が最大となる方向の、前記側面に垂直な軸に対する傾き角度をθ0(°)とすると、
    −20°≦θ0≦20°のときに、以下の条件式(2)を満足することを特徴とする発光装置;
    45°−θc/2<θs1<θc ・・・(1)
    35°≦θs2≦55° ・・・(2)
    である。
  5. 該発光装置は、平面視で長方形状であり、
    前記樹脂傾斜面は、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部に対して互いに反対側の位置で、該発光装置の短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、
    前記金属反射面は、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記長辺方向に沿ってそれぞれ設けられているとともに、前記凹部の前記底面に対して互いに反対側の位置で、前記短辺方向に沿ってそれぞれ設けられており、
    前記4つの樹脂傾斜面の各々は、前記4つの金属反射面の各々に対して、θs1<θs2を満足しており、
    前記4つの樹脂傾斜面のそれぞれについて、条件式(1)を満足し、
    前記4つの金属反射面のそれぞれについて、条件式(2)を満足することを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
  6. 前記樹脂傾斜面の傾斜角θs1は、
    θs1=22.5°+θc/4
    であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の発光装置。
  7. 以下の条件式(3)をさらに満足することを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の発光装置;
    D>2・d・tanθc ・・・(3)
    ただし、
    D:リフレクタにおいて光透過性樹脂と空気層との界面が位置する開口部の
    最小幅(mm)
    d:発光素子の上面から光透過性樹脂と空気層との界面までの距離(mm)
    である。
  8. 前記金属リードフレームの前記凹部の深さは、前記発光素子の厚さ以上であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の発光装置。
  9. 前記発光素子は、前記凹部内で、該発光装置の長辺方向に複数並べて配置されていることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の発光装置。
  10. 前記光透過性樹脂は、蛍光体を含有していることを特徴とする請求項1から9いずれかに記載の発光装置。
  11. 請求項1から10のいずれかに記載の発光装置によって照明対象を照明することを特徴とする照明装置。
  12. 請求項1から10のいずれかに記載の発光装置と、
    前記発光装置からの光を内部で導光して液晶パネルを照明する導光板とを備えていることを特徴とする表示装置用バックライト。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103682019B (zh) * 2012-09-21 2017-04-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
DE102013100121A1 (de) * 2013-01-08 2014-07-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
KR102020760B1 (ko) 2014-01-29 2019-09-11 루미리즈 홀딩 비.브이. 캡슐화제로 채워지는 형광체-변환형 led 용의 얕은 반사기 컵
CN106462033A (zh) * 2014-06-17 2017-02-22 皇家飞利浦有限公司 包含磷转换led的反射器杯的阵列的闪光灯模块
KR102385941B1 (ko) * 2015-06-15 2022-04-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
JP6874288B2 (ja) 2016-06-30 2021-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及びバックライト光源
CN107221594B (zh) * 2017-05-26 2020-06-02 导装光电科技(深圳)有限公司 单面出光的陶瓷基板led灯及其制备方法
US11828973B2 (en) * 2019-08-27 2023-11-28 Mitsubishi Electric Corporation Illumination device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01121960U (ja) * 1988-02-12 1989-08-18
JP2001203393A (ja) * 2000-01-19 2001-07-27 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード
JP2002314139A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
US6871982B2 (en) * 2003-01-24 2005-03-29 Digital Optics International Corporation High-density illumination system
JP2005317661A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
KR100772433B1 (ko) 2006-08-23 2007-11-01 서울반도체 주식회사 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지
CN101499506B (zh) * 2008-01-30 2012-06-13 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管元件
JP2010062427A (ja) 2008-09-05 2010-03-18 Toshiba Corp 発光装置
JP5304431B2 (ja) * 2009-05-19 2013-10-02 凸版印刷株式会社 リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体発光装置
EP2346100B1 (en) * 2010-01-15 2019-05-22 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus and lighting system
KR101245715B1 (ko) * 2010-01-18 2013-03-25 에스디아이 코퍼레이션 발광 장치 패키지 프레임
TWI594464B (zh) * 2010-06-01 2017-08-01 Lg伊諾特股份有限公司 發光元件封裝
KR101859149B1 (ko) 2011-04-14 2018-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101103674B1 (ko) 2010-06-01 2012-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101957884B1 (ko) * 2012-05-14 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치

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