JP5316491B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
請求項1:
pn接合を有する半導体基板の少なくとも第一主表面上もしくは第二主表面上に、銅、銀、白金、金のいずれかを主成分とする金属、これらの固溶体を主成分とする金属、又はこれら金属の積層体で形成されている集電用電極を有し、該集電用電極以外の領域に非晶質シリコンと絶縁膜を積層した層を有する太陽電池の製造方法であって、少なくとも半導体基板の第一主表面上もしくは第二主表面上にアルミニウムを堆積し熱処理する工程と、第一主表面上もしくは第二主表面上に前記集電用電極を形成する工程とを含み、これらの工程の後に該アルミニウムを除去する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
請求項2:
アルミニウムを除去した後の主表面上に非晶質シリコン層を形成し、その上に絶縁膜層を積層することを特徴とする請求項1記載の太陽電池の製造方法。
請求項3:
p型半導体基板の受光面と反対側の面又はn型半導体基板の受光面上にアルミニウム層を形成し、その上に前記金属粉末を含む集電用電極形成用ペーストを印刷し、熱処理を施して前記基板にp+層を形成すると共に、このp+層に上記ペーストの熱処理によって形成された集電用電極を接続させ、次いで前記アルミニウム層を除去した後、上記p+層上に非晶質シリコン層を形成し、その上に絶縁膜層を積層することを特徴とする請求項1記載の太陽電池の製造方法。
請求項4:
アルミニウムを除去する工程が少なくとも塩酸を含む溶液を用いてなされることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。
請求項5:
該アルミニウムを除去するための溶液中の塩酸の濃度が0.1〜40質量%であることを特徴とする請求項4記載の太陽電池の製造方法。
本発明の有効性を確認するため、本発明の方法により非晶質シリコンによるパッシベーション層を設けた太陽電池を作製し、太陽電池特性を測定した(条件A)。比較例として、従来の工程に非晶質シリコン形成工程を導入した場合の太陽電池も作製した(条件A’)。
310 n型基板
411 p型基板
103、202、302、402 n型拡散層
106、205、305、405 p型拡散層
102、105、203、303、403 パッシベーション膜
101、206、306、406 n型電極
107、207、307、407 p型電極
208、308、408 非晶質シリコン層
209、309、409 絶縁膜層
204 Al層
Claims (5)
- pn接合を有する半導体基板の少なくとも第一主表面上もしくは第二主表面上に、銅、銀、白金、金のいずれかを主成分とする金属、これらの固溶体を主成分とする金属、又はこれら金属の積層体で形成されている集電用電極を有し、該集電用電極以外の領域に非晶質シリコンと絶縁膜を積層した層を有する太陽電池の製造方法であって、少なくとも半導体基板の第一主表面上もしくは第二主表面上にアルミニウムを堆積し熱処理する工程と、第一主表面上もしくは第二主表面上に前記集電用電極を形成する工程とを含み、これらの工程の後に該アルミニウムを除去する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
- アルミニウムを除去した後の主表面上に非晶質シリコン層を形成し、その上に絶縁膜層を積層することを特徴とする請求項1記載の太陽電池の製造方法。
- p型半導体基板の受光面と反対側の面又はn型半導体基板の受光面上にアルミニウム層を形成し、その上に前記金属粉末を含む集電用電極形成用ペーストを印刷し、熱処理を施して前記基板にp+層を形成すると共に、このp+層に上記ペーストの熱処理によって形成された集電用電極を接続させ、次いで前記アルミニウム層を除去した後、上記p+層上に非晶質シリコン層を形成し、その上に絶縁膜層を積層することを特徴とする請求項1記載の太陽電池の製造方法。
- アルミニウムを除去する工程が少なくとも塩酸を含む溶液を用いてなされることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。
- 該アルミニウムを除去するための溶液中の塩酸の濃度が0.1〜40質量%であることを特徴とする請求項4記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010160367A JP5316491B2 (ja) | 2010-07-15 | 2010-07-15 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010160367A JP5316491B2 (ja) | 2010-07-15 | 2010-07-15 | 太陽電池の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2012023227A JP2012023227A (ja) | 2012-02-02 |
JP5316491B2 true JP5316491B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=45777237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010160367A Active JP5316491B2 (ja) | 2010-07-15 | 2010-07-15 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5316491B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101614190B1 (ko) | 2013-12-24 | 2016-04-20 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5927579A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-14 | Hoxan Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP2794141B2 (ja) * | 1992-05-22 | 1998-09-03 | シャープ株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
JPH0613639A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JP2003298080A (ja) * | 2002-04-02 | 2003-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP2007128872A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-05-24 | E I Du Pont De Nemours & Co | アルミニウム厚膜組成物、電極、半導体デバイス、およびこれらの作製方法 |
NO20061668L (no) * | 2006-04-12 | 2007-10-15 | Renewable Energy Corp | Solcelle og fremgangsmate for fremstilling av samme |
-
2010
- 2010-07-15 JP JP2010160367A patent/JP5316491B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012023227A (ja) | 2012-02-02 |
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