JP5848210B2 - 機械振動子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
はじめに、本発明の実施の形態1について図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における機械振動子の製造方法例を模式的に示す工程図である。図1では、各工程における概略的な状態を斜視図で示している。
次に、本発明の実施の形態2について図3を用いて説明する。図3は、本発明の実施の形態2における機械振動子の構成を示す構成図であり、(a)は、断面を模式的に示し、(b)は、平面を示している。
次に、本発明の実施の形態3について図4を用いて説明する。図4は、本発明の実施の形態3における機械振動子の構成を示す斜視図である。
Claims (8)
- 基板の上に接して形成されたIII−V族化合物半導体からなる支持層と、
前記支持層に比較して小さい格子定数を有するIII−V族化合物半導体から構成され、前記支持層の上に結晶成長により形成されて前記支持層との格子不整合による引っ張り歪みが残留する振動部形成層と、
前記支持層の側に空間を備えて前記振動部形成層に形成された振動部と
を少なくとも備え、
前記振動部形成層は、窒素がドーピングされていることを特徴とする機械振動子。 - 請求項1記載の機械振動子において、
前記振動部形成層は、前記振動部形成層が格子緩和されない範囲の濃度の窒素がドーピングされていることを特徴とする機械振動子。 - 請求項1または2記載の機械振動子において、
前記基板側から見て前記振動部形成層の下側および上側の少なくとも一方に形成されたIII−V族化合物半導体からなる半導体層を備え、
前記振動部は、前記振動部形成層および前記半導体層により形成されていることを特徴とする機械振動子。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の機械振動子において、
前記振動部形成層は、導電型を有する状態に形成されていることを特徴とする機械振動子。 - 請求項4記載の機械振動子において、
前記振動部に形成された電界効果トランジスタを備えることを特徴とする機械振動子。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の機械振動子において、
前記振動部に接続し、前記振動部の励振および前記振動部の振動の検出を行うための電極を備えることを特徴とする機械振動子。 - III−V族化合物半導体からなる支持層を基板の上に接して形成する第1工程と、
前記支持層に比較して小さい格子定数を有するIII−V族化合物半導体からなる振動部形成層を窒素をドーピングして前記支持層の上に結晶成長し、前記支持層との格子不整合による引っ張り歪みが前記振動部形成層に残留する状態に形成する第2工程と、
前記支持層の側に空間を形成することで前記振動部形成層に振動部を形成する第3工程と
を少なくとも備えることを特徴とする機械振動子の製造方法。 - 請求項7記載の機械振動子の製造方法において、
前記第2工程では、窒素のドーピング量により前記振動部形成層に残留する前記引っ張り歪みの量を制御することを特徴とする機械振動子の製造方法。
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