JP6085235B2 - 機械共振器の作製方法 - Google Patents
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Description
102 AlGaAs犠牲層
103 GaNAs振動部形成層
104 細線構造
105 支持部
106 梁構造(振動部)
301 GaAs基板
302 AlGaAs犠牲層
303 GaAsもしくはAlGaAs振動部形成層
304 細線構造
305 支持部
306 梁構造(振動部)
Claims (7)
- 基板上に、犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に窒素をドーピングしたIII-V族化合物半導体を含む振動部形成層を形成する工程と、
前記振動部形成層に振動部を形成する工程と、
エッチングにより、前記犠牲層の表面に露出している部分を除去する工程と
を備え、
前記犠牲層と、前記振動部形成層とが形成された前記基板をアニール処理する工程をさらに備えたことを特徴とする機械共振器の作製方法。 - 請求項1に記載の機械共振器の作製方法において、前記犠牲層は、GaAs、InAs、GaSb、InSb、InP、GaPの2元III-V族化合物半導体混晶ならびにこれらの2元III-V族化合物半導体混晶を組み合わせた3元以上のIII-V族化合物半導体混晶のいずれかであることを特徴とする方法。
- 請求項1または2に記載の機械共振器の作製方法において、500℃から850℃でアニール処理をすることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の機械共振器の作製方法において、前記アニール処理する工程は、前記振動部形成層を形成する工程と前記振動部を形成する工程との間、または、前記振動部を形成する工程と前記除去する工程との間、または、前記除去する工程のあとのいずれかに行われることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の機械共振器の作製方法において、前記アニール処理する工程は、水素雰囲気、または、不活性ガス雰囲気、または、砒素雰囲気、または、真空中、または、大気中のいずれかまたはいずれか2つ以上を混合した雰囲気中で行われることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の機械共振器の作製方法において、前記振動部形成層は、積層方向で一部分が窒素をドーピングしたIII-V族化合物半導体であり、前記振動部形成層の残りの部分は窒素をドーピングしていないIII-V族化合物半導体であることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の機械共振器の作製方法において、前記振動部は、梁構造、またはメンブレン構造のいずれかの構造をなしていることを特徴とする方法。
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