JP5846071B2 - Fz法による半導体単結晶棒の製造方法 - Google Patents
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Description
シリコン単結晶棒を育成する方法としてはFZ法やCZ法(チョクラルスキー法)が良く知られている。
一方、高耐圧パワーデバイスやサイリスタ等のパワーデバイス作製用には、FZ法により製造されたシリコンウェーハが使用されてきた。
通常、FZシリコン単結晶棒の原料としては、棒状の多結晶シリコンを使用する。しかし、FZ法において原料となる多結晶シリコン棒としては、高純度で、クラックやワレが生じにくく、均一な粒界組織であり、製造するFZシリコン単結晶棒に適した直径値で、扁平やクランクが少なく、表面状態の良い円柱状である事が要求される。
しかし、大口径化が進むにつれこうした要求に適う多結晶シリコン棒の製造が難しくなってきている。
まず、CZ法によってFZ法のシリコン原料結晶棒を作製することに着目した。
これにより、高純度で、クラックやワレが生じにくく、均一なシリコン結晶を安定して製造することができる。更に、FZ法で製造したいシリコン単結晶棒の直径に適したシリコン原料結晶棒を製造することができ、扁平やクランクが少なく、表面状態が良い、シリコン原料結晶棒を安定して供給できるようになる。
さらには、その歩留りや生産性の低下の原因として、FZシリコン単結晶棒を製造するにあたってCZ単結晶からなるシリコン原料結晶棒を保持するとき、シリコン原料結晶棒のコーン部を切断し、直胴部を保持していることが大きく関わっていることを見出した。
このようにすれば、CZ単結晶棒のサイズが異なっても、該サイズに合わせて特別な保持治具を新たに作製することなく、例えば従来からの保持治具を用いて保持することができる。特には、大口径の原料結晶棒の場合であっても、小口径用の保持治具を用いて保持することができ、コスト削減にもつなげることができるため好都合である。
まず、本発明のFZ法による半導体単結晶棒の製造方法において用いることができるFZ半導体単結晶棒の製造装置について説明する。
図2にFZ半導体単結晶棒製造装置の一例を示す。
この図2のFZ半導体単結晶棒製造装置1は、FZチャンバー2を有しており、該FZチャンバー2内には、上下動および回転可能な上軸3および下軸4が設けられている。
上軸3には保持治具5が取り付けられており、該保持治具5によって、原料結晶棒であるCZ単結晶棒6が保持されている。
また下軸4には種結晶7が取り付けられており、該種結晶7にはFZ半導体単結晶棒8が育成されている。
まず図3(A)に示すように、保持治具により保持されるCZ単結晶棒6(すなわち原料結晶棒)はコーン部6A、直胴部6B、テール部6Cからなっている。そして、コーン部6Aには保持部11が形成されている。
なお、図3(B)に、保持部11を形成する前の段階(例えばCZ法により引上げられたままのもの)の全体の形状の一例を併せて示した(CZ単結晶棒6’)。図3(B)に示すように、CZ単結晶棒6’はコーン部6’A、直胴部6’B、テール部6’Cからなっている。
これらのCZ単結晶棒6とCZ単結晶棒6’に関して、コーン部6Aは保持部11が形成されていること以外はコーン部6’Aと同様である。また、直胴部6Bと直胴部6’B、テール部6Cとテール部6’Cは各々同様である。ただし、直胴部6Bやテール部6Cは、必要に応じて、FZ法の原料結晶棒として適宜加工されたものとすることもできる。
例えば、図4のように、コーン部6Aの一部が加工されており、コーン部6A内に円柱形状11Aが形成されたものとすることができる。
CZ単結晶棒引上げ装置12には、CZチャンバー13内に、CZ単結晶棒6’の原料となる原料融液14を収容するルツボ15が設けられている。そして、このルツボ15にはルツボ保持軸16及びその回転機構(図示せず)が備えられており、CZ単結晶棒6’の育成中にルツボ15を回転できるようになっている。
さらに、このルツボ15の周囲には、加熱のためのヒータ17が配設されており、さらにヒータ17の外側周囲には断熱材18が配置されている。
そして、ルツボ15内の原料融液14の上方には、種結晶19を保持するシードチャック20、シードチャック20を引上げるワイヤ21、ワイヤ21を回転又は巻き取る巻取機構(図示せず)が備えられている。
図1のフローチャートに示すように、本発明の製造方法ではFZ法での原料結晶棒としてCZ単結晶棒を用いるので、まず、CZ単結晶棒を用意する(前工程)。次に、用意したCZ単結晶棒のコーン部またはテール部に保持部を形成する(工程1)。そして該CZ単結晶棒(FZ法での原料結晶棒)の保持部を保持治具により保持しつつ、FZ半導体単結晶棒を製造する(工程2)。
(前工程)
後工程のFZ法での原料結晶棒の用意のため、CZ単結晶棒(CZシリコン単結晶棒)を用意する。例えば図5のCZ単結晶棒引上げ装置を用いることができる。
より具体的には、図3(B)のようなCZ単結晶棒6’を製造するにあたって、まず、原料である多結晶シリコン塊を引上げ装置12内のルツボ15に充填した後、該ルツボ15内でヒータ17を用いて融解させる。
シードチャック20に取り付けた種結晶19を原料融液14(シリコン融液)に浸漬した後、ワイヤ21により上方に引上げてCZ単結晶棒6’を育成する。このとき、求めるCZ単結晶棒6’の直径に合わせるように徐々に直径を大きくしながら成長させる(コーン部6’Aの形成)。目標の直径になった時点で、直径を一定に保ちながら上方に引上げていく(直胴部6’Bの形成)。成長を終了させる場合は、引上げを続けながら徐々に直径を細くしていき(テール部6’Cの形成)、最終的には原料融液14から切り離す。このようにして図3(B)に示すようなCZ単結晶棒6’を製造することができる。
次に、CZ法により引上げたCZ単結晶棒6’(図3(B))のコーン部6’Aの一部を加工して保持部11を形成する。これにより、実際に保持治具5で保持するCZ単結晶棒6(図3(A)、図4)を用意する。
前述したようにコーン部6Aにおける保持部11の形状は特に限定されず、適宜決定することができる。使用する保持治具5の形状に応じて、保持治具5の形状と合致し、保持治具5により適切に保持できるような形状を形成すれば良い。
例えば図4に示すようにコーン部6Aを部分的に加工することにより円柱形状11Aを形成することができる。なお、加工方法は特に限定されない。例えば従来の加工装置を用いて加工することができる。
コーン部6Aに保持部11を形成したCZ単結晶棒6を原料結晶棒とし、保持治具5により保持部11を保持しつつ、FZ半導体単結晶棒(FZシリコン単結晶棒)を製造する。
例えば図2のFZ半導体単結晶棒製造装置1を用いることができる。
FZ半導体単結晶棒製造装置1を用いてFZ半導体単結晶棒8を製造するには、上軸3に取り付けられた保持治具5によって原料結晶棒であるCZ単結晶棒6を保持する。そして、該CZ単結晶棒6の先端を誘導加熱コイル9で加熱溶融した後、下軸4に取り付けた種結晶7に融着させ、絞りにより無転位化する。
次に上軸3および下軸4を回転させながら誘導加熱コイル9に対して相対的に下降させ、浮遊帯域10をCZ単結晶棒6に対して相対的に移動させながらFZ半導体単結晶棒8を成長させる。
この時、絞り後、所望の直径までFZ半導体単結晶棒8の直径を徐々に拡大させ、所望直径まで達した後は所望直径を保ったまま単結晶の成長を行う。浮遊帯域10をCZ単結晶棒6の上端の方まで移動させてFZ半導体単結晶棒8の製造を終える。
図6に示すように、従来では原料として用いるCZ単結晶棒106のコーン部を切断して排除し、直胴部106Bを保持治具105により保持しつつ、FZ半導体単結晶棒の製造を行っていた。
しかしながら、このような従来の保持方法、製造方法では、直胴部106Bの上部(切断されたコーン部の近傍)は加熱溶融することはできず、その加熱溶融できない分だけFZ半導体単結晶棒の原料にすることができず、無駄が生じてしまう。
したがって、前述したようにFZ半導体単結晶棒の歩留及び生産性を向上することが可能になる。
(実施例)
図1に示すような本発明のFZ法による半導体単結晶棒の製造方法を実施した。
図5のCZ単結晶棒引上げ装置を用いて、直径5インチ(125mm)のCZシリコン単結晶棒を製造した。
該CZシリコン単結晶棒の円錐形のコーン部に、保持部として、直径が80mmの円柱形状が形成されるように円筒研削機を用い加工した。なお、該円柱形状の軸方向長さが30mmとなるように円筒研削加工を行った。
CZシリコン単結晶棒のコーン部を切断し、図6のように直胴部で保持する以外は実施例と同様な条件でFZシリコン単結晶棒を製造した。
調査の結果、比較例よりも実施例の方が、原料結晶棒の直胴部を5cm多く加熱溶融することができ、また、約1400g重いFZシリコン単結晶棒を製造することができたことがわかった。
すなわち、本発明の製造方法によって、従来法よりも歩留り・生産性を改善することができた。
4…下軸、 5…保持治具、 6、6’’…CZ単結晶棒(保持部形成後)、
6’…CZ単結晶棒(保持部形成前)、
6A、6’A、6’’A…コーン部、 6B、6’B、6’’B…直胴部、
6C、6’C、6’’C…テール部、
7、19…種結晶、 8…FZ半導体単結晶棒、 9…誘導加熱コイル、
10…浮遊帯域、 11、11’’…保持部、 11A…円柱形状、
12…CZ単結晶棒引上げ装置、 13…CZチャンバー、
14…原料融液、 15…ルツボ、 16…ルツボ保持軸、
17…ヒータ、 18…断熱材、 20…シードチャック、 21…ワイヤ。
Claims (2)
- 原料結晶棒を保持治具により保持しつつ誘導加熱コイルで加熱溶融して浮遊帯域を形成し、該浮遊帯域を移動させることで半導体単結晶棒を製造するFZ法による半導体単結晶棒の製造方法であって、
前記原料結晶棒としてCZ法による単結晶棒を用い、且つ、該CZ単結晶棒のコーン部またはテール部に保持部を加工により形成し、該保持部を前記保持治具により保持しつつ前記半導体単結晶棒を製造することを特徴とするFZ法による半導体単結晶棒の製造方法。 - 前記CZ単結晶棒のコーン部またはテール部に保持部を形成するとき、該保持部として前記コーン部またはテール部に円柱形状を形成することを特徴とする請求項1に記載のFZ法による半導体単結晶棒の製造方法。
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