JP5845679B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および投射型表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置等の電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置に関するものである。

各種の電気光学装置のうち、液晶装置は、複数の画素およびスイッチング素子が設けられた第１基板と、第１基板に対向配置された第２基板とを有しており、第１基板と第２基板との間には電気光学物質層としての液晶層が設けられている。また、液晶装置のうち、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置では、第２基板に共通電極が形成されており、共通電極と画素電極との間で液晶層の配向を制御する。かかる液晶装置において、第２基板側から入射した光を画素電極に効率よく導くことを目的に、第２基板の一部を構成する防塵ガラスに、画素電極の間に向けて開口する断面Ｖ字状の溝を形成した後、防塵ガラスの溝が開口する面側に透光性のカバーガラスを接着剤により貼り付け、中空となった溝の側面を反射面として利用する技術が提案されている（特許文献１参照）。

特開２００６−２１５４２７号公報

しかしながら、溝を中空にするにあたって、特許文献１に記載の技術のように、防塵ガラスにカバーガラスを接着剤により貼り付けて溝の開口部を塞ぐ構成では、生産性が極めて低いという問題点がある。

ここに本願発明者は、第２基板に溝を形成した後、第２基板に封止膜を成膜することによって溝の開口部を塞ぐことにより、溝を中空状態とすることを提案するものである。しかしながら、第２基板に封止膜を成膜しただけでは、封止膜において開口部と重なる領域に開口部が形成されるだけで、溝の開口部を塞ぐことができないという問題点がある。また、封止膜を形成した際、封止膜が溝の奥まで形成されると、溝の側面において反射面として機能する部分が著しく狭くなってしまうという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板に成膜した封止用の膜によって、反射部を構成するための溝の開口部を確実に塞ぐことができるとともに、溝の側面が封止用の膜で覆われることを最小限に抑えることのできる電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、複数の画素電極および前記複数の画素電極の各々に対応するスイッチング素子が設けられた第１基板と、該第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学物質層と、を有し、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板は、透光性基板であって、当該一方の基板には、前記複数の画素電極において隣り合う画素電極の間に開口部を向ける中空の溝と、前記溝が開口する面側で前記開口部を塞ぐように形成されているとともに、前記開口部より小さな開口面積をもって前記溝内に連通する貫通部が設けられた第１封止膜と、該第１封止膜の前記溝とは反対側の面に形成されて前記貫通部を塞ぐ第２封止膜と、が設けられていることを特徴とする。

また、本発明は、複数の画素電極およびスイッチング素子が設けられた第１基板と、該第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学物質層と、を有する電気光学装置の製造方法であって、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板は、透光性基板であり、前記一方の基板に前記複数の画素電極において隣り合う画素電極の間に開口部を向ける溝を形成する溝形成工程と、前記溝内に前記開口部を塞ぐ犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、前記溝が開口する面上および前記犠牲膜上に第１封止膜を形成する第１封止膜形成工程と、前記第１封止膜の前記犠牲膜と重なる位置に前記開口部より小さな開口面積の貫通部を形成する貫通部形成工程と、前記貫通部を介して前記犠牲膜を除去する犠牲膜除去工程と、前記第１封止膜上に第２封止膜を形成して前記貫通穴を塞ぐ第２封止膜形成工程と、を有することを特徴とする。

本発明では、一方の基板において、溝が開口する面には、第１封止膜と第２封止膜とが設けられており、溝は中空状態にある。このため、中空の溝の側面は、溝内の媒質（空気や真空）と第２基板の媒質との屈折率の差に起因する反射面となる。従って、一方の基板では、画素電極の間に向かおうとする光を溝の側面で反射し、画素電極に向かわせることができるので、表示等に寄与する光の比率が高い。ここで、第１封止膜には、開口部より小さな開口面積をもって溝内に連通する貫通部が設けられているため、第１封止膜を形成する前、溝内に犠牲膜を形成しておき、第１封止膜を形成した後、貫通部を介して犠牲膜を除去することができる。このため、第１封止膜を溝の開口部を塞ぐように形成することができるとともに、第１封止膜が溝の奥まで形成されることを防止することができる。また、犠牲膜を除去するので、溝の側面のうち、犠牲膜と接していた部分も反射面として機能する。それ故、溝の側面を広い面積にわたって反射面として利用することができる。さらに、第１封止膜に形成した貫通部は、溝の開口部に比して開口面積が狭いので、第１封止膜上に第２封止膜を形成すれば、第１封止膜の貫通部を第２封止膜で塞ぐことができる。このため、膜の形成によって溝の開口部を塞いで溝の内部を中空状態とすることができ、かかる構成であれば、カバーガラスを接着して開口部を塞ぐ場合と比較して、生産性が高い。

本発明において、前記第１封止膜は、前記溝に対してオーバーハング状態にあって、当該溝の側面には設けられていないことが好ましい。かかる構成によれば、溝の側面のうち、第１封止膜と接する部分が反射面として機能しなくなるという事態を回避することができる。

本発明において、前記第１封止膜および前記第２封止膜は、透光性絶縁膜からなることが好ましい。

本発明において、前記溝の側面は、前記隣り合う画素電極の間に向けて傾いた斜面になっていることが好ましい。かかる構成によれば、画素電極の間に向かおうとする光を溝の側面で反射し、画素電極に効率よく向かわせることができる。

本発明において、前記溝は、内部が真空状態にあることが好ましい。かかる構成によれば、中空の溝の側面を反射率の高い反射面とすることができる。また、かかる構成は、第２封止膜の成膜を真空雰囲気中で行うことによって容易に実現することができる。

本発明において、前記溝は、前記第２基板に設けられている構成を採用することができる。かかる構成によれば、第２基板の側から光が入射する構成を採用することができ、スイッチング素子に光が入射しにくいという利点がある。

本発明において、前記画素電極および前記第１基板は、透光性を有している構成を採用することができる。かかる構成によれば、透過型の電気光学装置を構成することができる。

本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記犠牲膜形成工程では、例えば、前記犠牲膜として樹脂材料を前記溝内に充填する。

また、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記犠牲膜形成工程では、前記溝が開口する面上に金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、前記金属膜を加熱により溶融させて当該金属膜によって前記溝の開口部を塞ぐ加熱工程と、前記金属膜のうち、前記溝の外部に形成されている部分を除去する一方、前記溝の内部で前記開口部を塞ぐ部分を残す金属膜除去工程と、を行ってもよい。

本発明に係る電気光学装置を投射型表示装置に用いることが好ましく、この場合、投射型表示装置は、前記一方の基板から前記電気光学装置に入射する光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。投射型表示装置の場合には特に、入射光の利用効率が高いことが求められることから、本発明を電気光学装置に適用した場合の効果が顕著である。

本発明を適用した投射型表示装置の概略構成図である。 図１に示した投射型表示装置において液晶ライトバルブ（電気光学装置／液晶装置）に用いた液晶パネルの基本構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた液晶パネルの具体的構成例を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の第２基板に形成した反射部の説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を示す説明図である。 本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の第２基板に形成した反射部の説明図である。 本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の製造方法を示す説明図である。 本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の製造方法を示す説明図である。

図面を参照して、本発明を適用した電気光学装置（液晶装置）を用いた投射型表示装置、電気光学装置、および電気光学装置の製造方法を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

［実施の形態１］
（投射型表示装置の構成）
図１を参照して、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置を説明する。図１は、本発明を適用した投射型表示装置の概略構成図である。

図１において、投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（電気光学装置１００／液晶装置）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。

光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。

ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。

λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。

λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。

このように構成した投射型表示装置１１０においては、光源１１２から出射された光の利用効率が高いことが求められることから、液晶ライトバルブ１１５〜１１７としての電気光学装置１００については以下に説明する構成が採用されている。

（電気光学装置１００の全体構成）
図２は、図１に示した投射型表示装置において液晶ライトバルブ（電気光学装置１００／液晶装置）に用いた液晶パネルの基本構成を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、液晶パネルの基本的な構造を模式的に示す説明図、および電気光学装置１００の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１に示す液晶ライトバルブ１１５〜１１７および液晶パネル１１５ｃ〜１１７ｃは、変調する光の波長領域が異なるだけであり、基本的構成が共通するので、液晶ライトバルブ１１５〜１１７を電気光学装置１００とし、液晶パネル１１５ｃ〜１１７ｃを液晶パネル１００ｐとして説明する。

図２（ａ）に示すように、電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐは、第１基板１０と、この第１基板１０に対向する第２基板２０とを備えており、第２基板２０の側から入射した光を変調して第１基板１０の側から出射する透過型の液晶パネルである。第１基板１０と第２基板２０とは、シール材（図示せず）を介して貼り合わされて対向しており、シール材の内側領域には液晶層５０（電気光学物質層）が保持されている。詳しくは後述するが、第１基板１０において第２基板２０と対向する面側には島状の画素電極９ａ等が形成され、第２基板２０において第１基板１０と対向する面側には、その略全面に共通電極２１が形成されている。また、第２基板２０には、後述する溝２６０を利用した反射部２６が構成されている。

図２（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００において、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０（スイッチング素子）、および画素電極９ａ（図２等を参照）が形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。

第１基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、第２基板２０に形成された共通電極２１（図２等を参照）と液晶層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨る第１電極層５ａが容量電極層として形成されている。本形態において、第１電極層５ａは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃに導通している。

（電気光学装置１００の具体的構成例）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの具体的構成例を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に第２基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。なお、図３（ｂ）には、後述する反射部２６の図示を省略してある。

図３（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。

かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図２を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画像表示領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。第１基板１０において、画像表示領域１０ａの外側では、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

詳しくは後述するが、第１基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、一方面１０ｓ側では、画像表示領域１０ａに、図２（ｂ）を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１９が形成されている。

また、第１基板１０の一方面１０ｓ側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂ（図３（ｂ）参照）が形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、第１基板１０において配向膜１９が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を圧縮し、配向膜１９が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。

第２基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、第１基板１０と対向する一方面２０ｓ側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２９が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。また、第２基板２０の一方面２０ｓ側には、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って額縁状の遮光層１０８が形成されており、かかる遮光層１０８は、見切りとして機能する。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。

このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。かかる基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって第２基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、第２基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。

かかる構成の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極２１をＩＴＯやＩＺＯ等の透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。電気光学装置１００が反射型である場合、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０の側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。電気光学装置１００が透過型である場合、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。

電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差フィルムや偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。

本形態において、電気光学装置１００は、図１を参照して説明した投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いられている。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されるので、カラーフィルターは形成されない。

以下、電気光学装置１００が透過型の液晶装置であって、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。

（画素の具体的構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素の説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は各々、第１基板１０において隣り合う画素の平面図、および図４（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図４（ａ）では、各領域を以下の線で表してある。
走査線３ａ＝太い実線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂ＝一点鎖線
第１電極層５ａおよび中継電極５ｂ＝細くて長い破線
第２電極層７ａ＝二点鎖線
画素電極９ａ＝太くて短い破線

図４（ａ）に示すように、第１基板１０には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた縦横の画素間領域１０ｆと重なる領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。より具体的には、画素間領域１０ｆのうち、走査線３ａに沿って延在する第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って走査線３ａが延在し、データ線６ａに沿って延在する第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿ってデータ線６ａが延在している。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。第１基板１０には、データ線６ａと重なるように、図２（ｂ）を参照して説明した第１電極層５ａ（容量電極層）が形成されている。

図４（ａ）、（ｂ）に示すように、第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗ、基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１９を主体として構成されている。第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（第１基板１０と対向する一方面２０ｓ側）に形成された共通電極２１、および配向膜２９を主体として構成されている。

第１基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる走査線３ａが形成されている。本形態において、走査線３ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光性導電膜から構成されており、画素トランジスター３０に対する遮光膜としても機能している。本形態において、走査線３ａは、厚さが２００ｎｍ程度のタングステンシリサイドからなる。なお、基板本体１０ｗと走査線３ａとの間には、シリコン酸化膜等の絶縁膜が設けられることもある。

基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、走査線３ａの上層側には、シリコン酸化膜等の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、例えば、テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）を用いた減圧ＣＶＤ法やテトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜と、高温ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜（ＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜）との２層構造を有している。

画素トランジスター３０は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差領域において走査線３ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えている。また、画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域１ｂ1、１ｃ1を備え、低濃度領域１ｂ1、１ｃ1に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域１ｂ2、１ｃ2を備えている。

半導体層１ａは、多結晶シリコン膜等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜等からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなり、半導体層１ａの両側において、第２ゲート絶縁層２ｂおよび絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ａ、１２ｂを介して走査線３ａに導通している。本形態において、ゲート電極３ｃは、膜厚が１００ｎｍ程度の導電性のポリシリコン膜と、膜厚が１００ｎｍ程度のタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。

なお、本形態では、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止することを目的に、走査線３ａを遮光膜により形成してある。但し、走査線をゲート絶縁層２の上層に形成し、その一部をゲート電極３ｃとしてもよい。この場合、図４に示す走査線３ａは、遮光のみを目的として形成されることになる。

ゲート電極３ｃの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成されており、層間絶縁膜４１の上層には、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４１は、例えば、シランガス（ＳＨ₄）と亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）とを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。

データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、膜厚が５０ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）膜、膜厚が３５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜、膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜をこの順に積層してなる４層構造を有している。データ線６ａは、層間絶縁膜４１および第２ゲート絶縁層２ｂを貫通するコンタクトホール４１ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。ドレイン電極６ｂは、第１画素間領域１０ｇと重なる領域において、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１および第２ゲート絶縁層２ｂを貫通するコンタクトホール４１ｂを介してドレイン領域１ｃに導通している。

データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されている。層間絶縁膜４２は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。

層間絶縁膜４２の上層側には、第１電極層５ａおよび中継電極５ｂが同一の導電膜によって形成されている。第１電極層５ａおよび中継電極５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、第１電極層５ａおよび中継電極５ｂは、膜厚が２００ｎｍ程度のＡｌ膜と、膜厚が１００ｎｍ程度のＴｉＮ膜との２層構造を有している。第１電極層５ａは、データ線６ａと同様、第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿って延在している。中継電極５ｂは、第１画素間領域１０ｇと重なる領域において、ドレイン電極６ｂと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してドレイン電極６ｂに導通している。

第１電極層５ａおよび中継電極５ｂの上層側にはシリコン酸化膜等の層間絶縁膜４４がエッチングストッパー層として形成されており、かかる層間絶縁膜４４には、第１電極層５ａと重なる領域に開口部４４ｂが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４４は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。ここで、開口部４４ｂは、図４（ａ）では図示を省略するが、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点として第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点として第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたＬ字形状に形成されている。

層間絶縁膜４４の上層側には透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には第２電極層７ａが形成されている。第２電極層７ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、第２電極層７ａは、膜厚が１００ｎｍ程度のＴｉＮ膜からなる。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。第２電極層７ａは、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点として第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点として第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたＬ字形状に形成されている。従って、第２電極層７ａのうち、第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿って延在する部分は、層間絶縁膜４４の開口部４４ｂにおいて、誘電体層４０を介して第１電極層５ａに重なっている。このようにして、本形態では、第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａは、第１画素間領域１０ｇと重なる領域に蓄積容量５５を構成している。

また、第２電極層７ａにおいて、第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って延在する部分は、中継電極５ｂと部分的に重なっており、誘電体層４０および層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極５ｂに導通している。

第２電極層７ａの上層側には透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、層間絶縁膜４５の上層側には、厚さが１４０ｎｍ程度のＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域の近傍で第２電極層７ａと部分的に重なっており、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して第２電極層７ａに導通している。

画素電極９ａの表面には配向膜１９が形成されている。配向膜１９は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１９は、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。

第２基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（第１基板１０に対向する側の面）に、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２９が形成されている。配向膜２９は、配向膜１９と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２９は、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。かかる配向膜１９、２９は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。

ここで、第２基板２０の基板本体２０ｗには、図５等を参照して以下に説明する溝２６０を備えた反射部２６が構成されており、かかる反射部２６に対して第１基板１０の側に共通電極２１や配向膜２９が形成されている。

（第２基板２０の詳細構成）
図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の第２基板２０に形成した反射部の説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、第２基板２０の断面図、および反射部の平面構成を示す説明図である。なお、図５（ａ）では、第１基板１０側の配向膜１９等の図示を省略してある。また、図５（ａ）は、図５（ｂ）のＡ−Ａ′断面に相当する。

図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００においては、第２基板２０の側から入射した光を液晶層５０によって画素毎に光変調した後、第１基板１０から出射する。このため、入射光を効率よく利用するには、入射光を画素電極９ａに向けて効率よく導く必要がある。そこで、本形態では、第２基板２０の側から入射した光のうち、画素電極９ａの間（画素間領域１０ｆ）に向かおうとする光を画素電極９ａに向けて反射する反射部２６が形成されている。

本形態において、反射部２６は、第２基板２０の基板本体２０ｗ（透光性基板）の一方面２０ｓ側に、画素電極９ａの間（画素間領域１０ｆ）に平面視で重なる領域に沿って延在する格子状の溝２６０を備えており、溝２６０は、画素間領域１０ｆに向けて開口している。本形態において、溝２６０の相対向する側面２６１、２６２は、画素間領域１０ｆに向けて傾斜しており、溝２６０は断面Ｖ字形状を有している。より具体的には、溝２６０は、側面２６１、２６２を一辺とする略二等辺三角形形状の断面を有しており、三角形形状の頂点は、画素間領域１０ｆの幅方向の中心に位置している。また、溝２６０の幅寸法（三角形形状の底辺の長さ）は、画素間領域１０ｆの幅寸法と略同一寸法、あるいはやや幅広に設定されている。

本形態において、溝２６０の開口部２６５は、基板本体２０ｗの一方面２０ｓ側に形成された第１封止膜２７および第２封止膜２８によって塞がれており、溝２６０の内部は中空である。本形態において、第１封止膜２７および第２封止膜２８はいずれも、シリコン酸化膜等の透光性絶縁膜からなる。

第１封止膜２７は、溝２６０が開口する基板本体２０ｗの一方面２０ｓに開口部２６５を塞ぐように形成されており、第１封止膜２７の表面２７０は平坦面になっている。第１封止膜２７は、溝２６０に対してオーバーハング状態にあって、溝２６０の外部には設けられているが、溝２６０の内部には設けられていない。このため、第１封止膜２７は、溝２６０の側面２６１、２６２には接していない。ここで、第１封止膜２７には、溝２６０の開口部２６５より小さな開口面積をもって溝２６０内に連通する貫通部２７５が設けられており、本形態において、貫通部２７５は、隣り合う画素電極９ａの辺で挟まれた領域等に形成された貫通穴からなる（図５（ｂ）参照）。

第２封止膜２８は、第１封止膜２７の表面２７０上に形成されている。第２封止膜２８の表面２８０は平坦面になっており、かかる平坦面上に共通電極２１および配向膜２９が形成されている。ここで、第２封止膜２８は、第１封止膜２７が形成されている領域の全体にわたって形成されており、第１封止膜２７の貫通部２７５を塞いでいる。

このようにして、溝２６０の開口部２６５は、第１封止膜２７および第２封止膜２８によって塞がれて内部が中空になっており、溝２６０の内部は真空あるいは空気層になっている。本形態において、溝２６０の内部は真空になっている。従って、溝２６０の内部の媒質（真空）の屈折率と、基板本体２０ｗの媒質（ガラス等）の屈折率とを比較すると、以下の関係
溝２６０内部の屈折率＜基板本体２０ｗの屈折率
にある。このため、溝２６０の側面２６１、２６２は反射面として機能する。また、基板本体２０ｗの屈折率をｎ₁₁とし、溝２６０内部の屈折率をｎ₁₂とし、側面２６１、２６２の法線に対する光の入射角度をθ₁とした場合、ｎ₁₁＞ｎ₁₂であって、かつ、ｎ₁₁、ｎ₁₂、θ₁が以下の式
ｓｉｎθ₁＞ｎ₁₂／ｎ₁₁
を満たせば、側面２６１、２６２では全反射が起こる。ここで、溝２６０の内部は真空状態であるため、ｎ₁₂が極めて小さい。それ故、側面２６１、２６２では広い角度範囲にわたって全反射が起こる。また、第１封止膜２７および第２封止膜２８は、溝２６０の外部に形成されているので、溝２６０の側面２６１、２６２の全体が、広い角度範囲で全反射が起こる反射面になっている。

（反射部２６の作用効果）
このように構成した電気光学装置１００では、図１を参照して説明した光源部１３０からは様々な入射角度の光が入射し、かかる入射光のうち、画素電極９ａに向かう光は、矢印Ｌ１で示すように、そのまま進行する。また、矢印Ｌ２で示すように、画素電極９ａから外れた方向（画素間領域１０ｆに向かう方向）に向かう光については、矢印Ｌ３で示すように、溝２６０の側面２６１、２６２で反射させ、画素電極９ａに向かわせる。

ここで、溝２６０は、側面２６１、２６２を一辺とする略二等辺三角形形状の断面を有しており、三角形形状の頂点は、画素間領域１０ｆの幅方向の中心に位置している。また、溝２６０の幅寸法は、画素間領域１０ｆの幅寸法と略同一寸法、あるいはやや幅広に設定されている。このため、画素電極９ａから大きく外れた方向に向かう光についても画素電極９ａに向けて反射し、有効に利用することができる。なお、側面２６１、２６２の傾きについては、例えば、基板本体２０ｗの基板面に対する法線となす角度が１０°以下、さらには３°以下になるように設定される。かかる構成によれば、側面２６１、２６２で光を反射した際、光線角度の増大を低減しながら入射光を偏向することができるとともに、入射光を、例えば、Ｆナンバーが２．５である投射光学系（図１参照）で十分取り込むことが可能な光線角度の光に変換することができる。それ故、コントラストの向上および投射画像の明るさの向上を図ることができる。

（第２基板２０の製造方法）
図６および図７を参照して、電気光学装置１００の製造工程のうち、反射部２６を製造する工程を説明する。図６および図７は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法を示す説明図である。なお、図６および図７では、図５とは反対に第２基板２０の一方面２０ｓを上向きに表してある。また、以下に説明する工程以外の工程、例えば、第１基板１０の製造工程や第１基板１０と第２基板２０との貼り合わせ工程等については周知の方法を採用することができるので、それらの説明を省略する。

本形態の第２基板２０を製造するには、図６（ａ）に示す溝形成工程において、まず、基板本体２０ｗの一方面２０ｓに、フォトリソグラフィ技術を利用して、厚さが５〜１０μｍのマスク２６９を形成する。本形態において、マスク２６９は、チタンやチタン化合物の金属材料からなるハードマスクである。

次に、基板本体２０ｗに対してドライエッチングを行なう。かかるドライエッチングには、高密度プラズマを形成可能なＩＣＰ（ICP-RIE／Inductive Coupled Plasma-RIE）ドライエッチング装置を用い、基板本体２０ｗとマスクとのエッチング選択比を例えば４以上：１とする。その結果、図６（ｂ）に示すように、マスク２６９の厚みに対して４倍以上の深さを有する断面Ｖ字形状の溝２６０が形成される。本形態において、溝２６０の深さは２５μｍ程度である。かかる溝２６０において、側面２６１、２６２は斜面になっている。かかる工程では、エッチングガスとして、フッ素系ガスに酸素や一酸化炭素等を混合したガスを用いる。

次に、図６（ｃ）に示す犠牲膜形成工程では、溝２６０の内部に樹脂材料からなる犠牲膜２４を充填し、溝２６０の内部を犠牲膜２４で埋める。本形態において、犠牲膜２４は、犠牲膜２４の表面２４０と基板本体２０ｗの一方面２０ｓが連続した平面を形成するように設ける。かかる構成は、例えば、基板本体２０ｗの一方面２０ｓにスピンコート法等により樹脂材料を塗布した後、樹脂材料の硬化前あるいは硬化後に溝２６０の外部から樹脂材料を除去することにより実現することができる。例えば、基板本体２０ｗの一方面２０ｓにスピンコート法等により樹脂材料を塗布した後、樹脂材料を硬化させ、しかる後に、ドライエッチングあるいは研磨等により、溝２６０の外部から樹脂材料を除去する。研磨としては、化学機械研磨を利用することができる。この化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と第２基板２０（基板本体２０ｗ）との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、第２基板２０を保持するホルダとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と第２基板２０との間に供給する。

次に、図６（ｄ）に示す第１封止膜形成工程において、基板本体２０ｗの一方面２０ｓ上および犠牲膜２４の表面２４０上に第１封止膜２７を形成する。例えば、ＣＶＤ法によって、シリコン酸化膜からなる第１封止膜２７を形成する。

次に、図７（ａ）に示す貫通部形成工程では、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により、第１封止膜２７の犠牲膜２４と重なる位置に溝２６０の開口部２６５より小さな開口面積の貫通部２７５を形成する。

次に、図７（ｂ）に示す犠牲膜除去工程では、貫通部２７５を介して犠牲膜２４を除去し、溝２６０の内部を中空にする。かかる工程では、酸素プラズマを利用したドライエッチングにより、樹脂材料からなる犠牲膜２４を除去する。あるいは、硫酸系のエッチング液を利用したウエットエッチングにより、樹脂材料からなる犠牲膜２４を除去する。

次に、図７（ｃ）に示す第２封止膜形成工程において、第１封止膜２７の表面２７０上に第２封止膜２８を形成する。例えば、ＣＶＤ法によって、シリコン酸化膜からなる第２封止膜２８を形成する。その結果、第１封止膜２７の貫通部２７５は第２封止膜２８によって塞がれ、溝２６０の内部は中空状態で封止される。ここで、第２封止膜２８の形成は、真空雰囲気中で行われる。このため、第２封止膜２８を形成して溝２６０を封止し終えた時点で、溝２６０の内部は真空状態で封止される。

しかる後には、図５（ａ）に示すように、第２封止膜２８の表面２８０上に共通電極２１および配向膜２９を順次形成し、第２基板２０を得る。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、第２基板２０において、溝２６０が開口する面（基板本体２０ｗの一方面２０ｓ）には、第１封止膜２７と第２封止膜２８とが設けられており、溝２６０は中空状態にある。このため、中空の溝２６０の側面２６１、２６２は、溝２６０内の媒質（空気や真空）と第２基板２０の媒質との屈折率の差に起因する反射面となる。従って、第２基板２０では、画素電極９ａの間（画素間領域１０ｆ）に向かおうとする光を溝２６０の側面２６１、２６２で反射し、画素電極９ａに向かわせることができるので、表示等に寄与する光の比率が高い。

ここで、第１封止膜２７には、溝２６０の開口部２６５より小さな開口面積をもって溝内に連通する貫通部２７５が設けられているため、第１封止膜２７を形成する前、溝２６０内に犠牲膜２４を形成しておき、第１封止膜２７を形成した後、貫通部２７５を介して犠牲膜２４を除去することができる。このため、第１封止膜２７を溝２６０の開口部２６５を塞ぐように形成することができるとともに、第１封止膜２７が溝２６０の奥まで形成されることを防止することができる。また、犠牲膜２４を除去するので、溝２６０の側面２６１、２６２のうち、犠牲膜２４と接していた部分も反射面として機能する。それ故、溝２６０の側面２６１、２６２を広い面積にわたって反射面として利用することができる。さらに、第１封止膜２７に形成した貫通部２７５は、溝２６０の開口部２６５に比して開口面積が狭いので、第１封止膜２７上に第２封止膜２８を形成すれば、第１封止膜２７の貫通部２７５を第２封止膜２８で塞ぐことができる。このため、膜の形成（第１封止膜２７および第２封止膜２８の形成）によって溝２６０の開口部２６５を塞いで溝２６０の内部を中空状態とすることができ、かかる構成であれば、カバーガラスを接着して開口部を塞ぐ場合と比較して、生産性が高い。

また、第１封止膜２７は、溝２６０の外部に設けられ、溝２６０の内部には設けられていない。このため、溝２６０の側面２６１、２６２のうち、第１封止膜２７と接する部分が反射面として機能しなくなるという事態を回避することができる。

また、第１封止膜２７および第２封止膜２８は透光性絶縁膜からなるため、第１封止膜２７および第２封止膜２８に向かって進行した光を画素電極９ａに向かわせることができる。

また、本形態において、溝２６０は、側面２６１、２６２が画素間領域１０ｆに向けて傾斜した断面Ｖ字形状を有している。このため、画素間領域１０ｆに向かおうとする光を溝２６０の側面２６１、２６２で反射し、画素電極９ａに効率よく向かわせることができる。また、溝２６０は、内部が真空状態にあるため、側面２６１、２６２を反射率の高い反射面とすることができる。それ故、表示光の光量が大であるので、明るい画像を表示することができる。さらに、溝２６０の内部が真空状態にある構成であれば、第２封止膜２８の形成を真空雰囲気中で行えば実現できるという利点がある。

［実施の形態１の変形例］
上記実施の形態では、犠牲膜２４として樹脂材料を用いたが、シリコン膜や金属膜等の無機材料によって犠牲膜２４を形成してもよい。

［実施の形態２］
（反射部２６等の構成）
図８は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の第２基板２０に形成した反射部の説明図であり、図８（ａ）、（ｂ）は、第２基板２０の断面図、および反射部の平面構成を示す説明図である。なお、図８（ａ）は、図８（ｂ）のＢ−Ｂ′断面に相当する。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。

図８（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、第２基板２０の側から入射した光のうち、画素電極９ａの間（画素間領域１０ｆ）に向かおうとする光を画素電極９ａに向けて反射する反射部２６が形成されている。本形態においても、実施の形態１と同様、反射部２６は、第２基板２０の基板本体２０ｗ（透光性基板）の一方面２０ｓ側に、画素電極９ａの間（画素間領域１０ｆ）に平面視で重なる領域に沿って延在する格子状の溝２６０を備えており、溝２６０は、画素間領域１０ｆに向けて開口している。本形態において、溝２６０の相対向する側面２６１、２６２は、画素間領域１０ｆに向けて傾斜しており、溝２６０は断面Ｖ字形状を有している。また、溝２６０の開口部２６５は、基板本体２０ｗの一方面２０ｓ側に形成された第１封止膜２７および第２封止膜２８によって塞がれており、溝２６０の内部は中空である。本形態において、第１封止膜２７および第２封止膜２８はいずれも、シリコン酸化膜等の透光性絶縁膜からなる。

第１封止膜２７は、溝２６０が開口する基板本体２０ｗの一方面２０ｓに開口部２６５を塞ぐように形成されている。本形態において、第１封止膜２７は、溝２６０と重なる部分が溝２６０に向かって凹んでいるため、第１封止膜２７の一部は溝２６０の内部に位置する。但し、第１封止膜２７は、溝２６０に対してオーバーハング状態にあって、溝２６０の側面２６１、２６２には接していない。ここで、第１封止膜２７には、溝２６０の開口部２６５より小さな開口面積をもって溝２６０内に連通する貫通部２７５が設けられており、本形態において、貫通部２７５は、画素間領域１０ｆが交差している部分等に形成された貫通穴からなる（図８（ｂ）参照）。

本形態において、第１封止膜２７の表面２７０は、溝２６０と重なる部分が溝２６０に向かって凹んでいる。かかる第１封止膜２７の表面２７０上には第２封止膜２８が形成されており、第２封止膜２８の表面２８０は研磨等により平坦化されている。従って、共通電極２１および配向膜２９は、第２封止膜２８の平坦な表面２８０上に形成されている。また、第２封止膜２８は、第１封止膜２７が形成されている領域の全体にわたって形成されており、第１封止膜２７の貫通部２７５を塞いでいる。

このようにして、溝２６０の開口部２６５は、第１封止膜２７および第２封止膜２８によって塞がれて内部が中空になっており、溝２６０の内部は真空あるいは空気層になっている。このため、溝２６０の側面２６１、２６２の全体が、広い角度範囲で全反射が起こる反射面になっている。

（第２基板２０の製造方法）
図９および図１０を参照して、電気光学装置１００の製造工程のうち、反射部２６を製造する工程を説明する。図９および図１０は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の製造方法を示す説明図である。なお、図９および図１０では、図８とは反対に第２基板２０の一方面２０ｓを上向きに表してある。また、以下に説明する工程以外の工程、例えば、第１基板１０の製造工程や第１基板１０と第２基板２０との貼り合わせ工程等については周知の方法を採用することができるので、それらの説明を省略する。

本形態の第２基板２０を製造するには、まず、図６および図７を参照して説明した溝形成工程により、図９（ａ）に示すように、基板本体２０ｗの一方面２０ｓで開口する溝２６０を形成する。

次に、図９（ｂ）〜（ｄ）に示す犠牲膜形成工程を行い、溝２６０の開口部２６５を犠牲膜２５で塞ぐ。より具体的には、まず、図９（ｂ）に示す金属膜成膜工程において、スパッタ法等により、基板本体２０ｗの一方面２０ｓの全面に金属膜からなる犠牲膜２５を成膜する。本形態では、犠牲膜２５としてアルミニウム系金属膜を形成する。かかる成膜の際、犠牲膜２５は、基板本体２０ｗの一方面２０ｓ上に堆積していく一方、溝２６０と重なる領域では、溝２６０の開口縁から内側に張り出すように形成される。このため、犠牲膜２５は、溝２６０の内部の奥深くまでは形成されない。また、犠牲膜２５が溝２６０の開口縁から内側に張り出すように形成されたとしても、犠牲膜２５において、溝２６０の開口部２６５と重なる領域には開口部２５５が発生する。従って、犠牲膜２５を形成しただけでは、溝２６０の開口部２６５を塞いだ状態には至らない。

次に、図９（ｃ）に示す加熱工程では、犠牲膜２５を加熱により溶融させて犠牲膜２５の開口部２５５（図９（ｂ）参照）を塞ぐ。その結果、溝２６０の開口部２６５は犠牲膜２５によって塞がれた状態となり、溝２６０の内部は中空となる。本形態では、犠牲膜２５がアルミニウム系金属膜からなるため、加熱温度は６５０〜７００℃である。

次に、図９（ｄ）に示す金属膜除去工程では、犠牲膜２５のうち、溝２６０の外部に形成されている部分を除去する一方、溝２６０の内部で開口部２６５を塞ぐ部分を残す。従って、溝２６０の開口部２６５は犠牲膜２５によって塞がれた状態のままであり、溝２６０の内部は中空状態にある。本形態では、塩素を含むエッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う。その結果、犠牲膜２５の表面２５０は、基板本体２０ｗの一方面２０ｓより溝２６０の側に凹んだ凹面になる。

次に、図１０（ａ）に示す第１封止膜形成工程において、基板本体２０ｗの一方面２０ｓ上および犠牲膜２５の表面２５０上に第１封止膜２７を形成する。例えば、ＣＶＤ法によって、シリコン酸化膜からなる第１封止膜２７を形成する。

次に、図１０（ｂ）に示す貫通部形成工程では、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により、第１封止膜２７の犠牲膜２５と重なる位置に溝２６０の開口部２６５より小さな開口面積の貫通部２７５を形成する。本形態では、図８（ｂ）に示すように、画素間領域１０ｆが交差している部分に貫通部２７５を形成する。

次に、図１０（ｃ）に示す犠牲膜除去工程では、貫通部２７５を介して犠牲膜２５を除去し、溝２６０の内部を中空にする。かかる工程では、塩素を含むエッチングガスを利用したドライエッチングにより、アルミニウム系金属からなる犠牲膜２５を除去する。あるいは、塩素系のエッチング液を利用したウエットエッチングにより、アルミニウム系金属からなる犠牲膜２５を除去する。

次に、図１０（ｄ）に示す第２封止膜形成工程において、第１封止膜２７の表面２７０上に第２封止膜２８を形成する。例えば、ＣＶＤ法によって、シリコン酸化膜からなる第２封止膜２８を形成する。その結果、第１封止膜２７の貫通部２７５は第２封止膜２８によって塞がれ、溝２６０の内部は中空状態で封止される。ここで、第２封止膜２８の形成は、真空雰囲気中で行われる。このため、第２封止膜２８を形成して溝２６０を封止し終えた時点で、溝２６０の内部は真空状態で封止される。

しかる後には、第２封止膜２８の表面を研磨等により平坦化した後、第２封止膜２８の表面２８０上に共通電極２１および配向膜２９を順次形成し、第２基板２０を得る。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様な構成を有しているので、実施の形態１と同様な効果を奏する。例えば、第２基板２０において、溝２６０が開口する面（基板本体２０ｗの一方面２０ｓ）には、第１封止膜２７と第２封止膜２８とが設けられており、溝２６０は中空状態にあるため、画素電極９ａの間（画素間領域１０ｆ）に向かおうとする光を溝２６０の側面２６１、２６２で反射し、画素電極９ａに向かわせることができる。また、第１封止膜２７には、溝２６０の開口部２６５より小さな開口面積をもって溝内に連通する貫通部２７５が設けられているため、第１封止膜２７を形成する前、溝２６０内に犠牲膜２５を形成しておき、第１封止膜２７を形成した後、貫通部２７５を介して犠牲膜２５を除去することができる。このため、第１封止膜２７を溝２６０の開口部２６５を塞ぐように形成することができるとともに、第１封止膜２７が溝２６０の奥まで形成されることを防止することができる。また、犠牲膜２５を除去するので、溝２６０の側面２６１、２６２のうち、犠牲膜２５と接していた部分も反射面として機能する。それ故、溝２６０の側面２６１、２６２を広い面積にわたって反射面として利用することができる。さらに、第１封止膜２７に形成した貫通部２７５は、溝２６０の開口部２６５に比して開口面積が狭いので、第１封止膜２７上に第２封止膜２８を形成すれば、第１封止膜２７の貫通部２７５を第２封止膜２８で塞ぐことができる。このため、膜の形成（第１封止膜２７および第２封止膜２８の形成）によって溝２６０の開口部２６５を塞いで溝２６０の内部を中空状態とすることができ、かかる構成であれば、カバーガラスを接着して開口部を塞ぐ場合と比較して、生産性が高い。

［実施の形態２の変形例］
上記実施の形態では、金属膜除去工程においてエッチングにより溝２６０の外部の犠牲膜２５（金属膜）を除去したが、化学機械研磨等の研磨によって、溝２６０の外部の犠牲膜２５（金属膜）を除去してもよい。

［他の実施の形態］
上記実施の形態１、２では、第１基板１０および画素電極９ａが透光性を有している場合であったが、画素電極９ａを反射性金属膜から構成した反射型の電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。

上記実施の形態１、２では、溝２６０の内部が真空であったが、空気等が充填されている構成であってもよい。

上記実施の形態１、２では、第２基板２０の側から光が入射するので、反射部２６を第２基板２０の基板本体２０ｗに形成したが、第１基板１０の側から光が入射する場合、第１基板１０の基板本体１０ｗに反射部２６を形成するのに本発明を適用してもよい。

図１には、ライトバルブを３枚用いた投射型表示装置１１０を例示したが、電気光学装置１００がカラーフィルターを内蔵している場合や、各色の光が順次、一枚の電気光学装置１００に入射するような投射型表示装置に用いる電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。

また、上記形態では、電気光学装置として、投射型表示装置に用いる透過型の電気光学装置１００を例示したが、バックライト装置から出射された光を入射光として画像を表示する直視型の電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。

さらに、上記形態では、電気光学装置１００として液晶装置を例に説明したが、電気泳動型表示装置において、表示光量の増大を図ることを目的に反射部２６（溝２６０）を形成する場合に本発明を適用してもよい。また、有機エレクトロルミネッセンス装置のように、自発光素子から出射された変調光によって画像表示面で画像を表示する電気光学装置において混色等を防止すること等を目的に反射部２６を形成する場合に本発明を適用してもよい。

９ａ・・画素電極、１０・・第１基板、１０ｆ・・画素間領域（画素電極の間）、２０・・第２基板、２０ｗ・・基板本体（透光性基板）、２４、２５・・犠牲膜、２６・・反射部、２７・・第１封止膜、２８・・第２封止膜、３０・・画素トランジスター（スイッチング素子）、５０・・液晶層（電気光学物質層）、１００・・電気光学装置、２６０・・溝、２６１、２６２・・側面、２６５・・溝の開口部、２７５・・貫通部

Claims (10)

1. 複数の画素電極および前記複数の画素電極の各々に対応するスイッチング素子が設けられた第１基板と、
   該第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学物質層と、
   を有し、
   前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板は、透光性基板であって、
   当該一方の基板には、
   前記複数の画素電極において隣り合う画素電極の間に開口部を向ける中空の溝と、
   前記溝が開口する面側で前記開口部を塞ぐように形成されているとともに、前記開口部より小さな開口面積をもって前記溝内に連通する貫通部が設けられた第１封止膜と、
   該第１封止膜の前記溝とは反対側の面に形成されて前記貫通部を塞ぐ第２封止膜と、
   が設けられ、
   前記第１封止膜および前記第２封止膜は、透光性絶縁膜からなることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１封止膜は、前記溝に対してオーバーハング状態にあって、当該溝の側面には設けられていないことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記溝の側面は、前記隣り合う画素電極の間に向けて傾いた斜面になっていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記溝は、内部が真空状態にあることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記溝は、前記第２基板に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記画素電極および前記第１基板は、透光性を有していることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 複数の画素電極および前記複数の画素電極の各々に対応するスイッチング素子が設けられた第１基板と、
   該第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学物質層と、
   を有し、
   前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板は、透光性基板であり、
   前記一方の基板に前記複数の画素電極において隣り合う画素電極の間に開口部を向ける溝を形成する溝形成工程と、
   前記溝内に前記開口部を塞ぐ犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、
   前記溝が開口する面上および前記犠牲膜上に第１封止膜を形成する第１封止膜形成工程と、
   前記第１封止膜の前記犠牲膜と重なる位置に前記開口部より小さな開口面積の貫通部を形成する貫通部形成工程と、
   前記貫通部を介して前記犠牲膜を除去する犠牲膜除去工程と、
   前記第１封止膜上に第２封止膜を形成して前記貫通部を塞ぐ第２封止膜形成工程と、
   を有し、
   前記第１封止膜および前記第２封止膜は、透光性絶縁膜からなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 前記犠牲膜形成工程では、前記犠牲膜として樹脂材料を前記溝内に充填することを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
9. 前記犠牲膜形成工程では、前記溝が開口する面上に金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、前記金属膜を加熱により溶融させて当該金属膜によって前記溝の開口部を塞ぐ加熱工程と、前記金属膜のうち、前記溝の外部に形成されている部分を除去する一方、前記溝の内部で前記開口部を塞ぐ部分を残す金属膜除去工程と、を行うことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
10. 請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置を用いた投射型表示装置であって、
    前記一方の基板の側から前記電気光学装置に入射する光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有していることを特徴とする投射型表示装置。

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