JP5832329B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
La<Lb<Lc<Ld
となっている。また、各ノズル82a〜82dは基板裏面Wbと対向するノズル口(図示省略)を有しており、ノズル82a〜82dのノズル口はそれぞれ距離La〜Ldに応じて大きく開口している。すなわち、基板Wの回転中心に最も近くに配置されるノズル82aのノズル口の口径が最も小さく、ノズル82b、82c、82dの順序で次第に口径が大きくなっている。
2…スピンチャック(基板保持手段)
4…制御ユニット(制御手段)
8…水蒸気供給部(基板加熱手段)
22…チャック回転機構(基板回転手段)
52…エッチング液供給部
81…水蒸気供給管
82a〜82d…ノズル
84…水蒸気発生器
811…垂直配管
812…水平配管
EF…(エッチング液の)液膜
W…基板
Wb…(基板の)裏面
Wf…(基板の)表面
Claims (8)
- 基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持される基板を回転させる基板回転手段と、
回転する基板の表面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
前記基板の裏面に水蒸気を供給して前記基板裏面に凝縮させることで前記基板を加熱する基板加熱手段とを備え、
前記基板加熱手段は、前記基板の回転中心から径方向に向かって互いに異なる距離に配置されて前記基板裏面と対向するノズル口から水蒸気を吐出する複数のノズルと、前記複数のノズルを相互に接続して水蒸気を各ノズルに流通させる配管とを有し、
各ノズル口は、前記距離が長くなるにしたがって大きく開口している
ことを特徴とする基板処理装置。 - 基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持される基板を回転させる基板回転手段と、
回転する基板の表面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
前記基板の裏面に水蒸気を供給して前記基板裏面に凝縮させることで前記基板を加熱する基板加熱手段と、
前記基板裏面への水蒸気の供給を制御する制御手段とを備え、
前記基板加熱手段は、前記基板の回転中心から径方向に向かって互いに異なる距離に位置して前記基板裏面に向けて水蒸気を吐出する複数のノズルを有し、
前記制御手段は、所定時間の間に各ノズルから吐出される水蒸気の総量が前記距離に伴って多くなるように、各ノズルからの水蒸気の吐出を調整する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持される基板を回転させる基板回転手段と、
回転する基板の表面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
前記基板の裏面に水蒸気を供給して前記基板裏面に凝縮させることで前記基板を加熱する基板加熱手段と、
前記基板の温度の分布を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された基板温度の分布に基づいて前記基板裏面への水蒸気の供給を制御する制御手段とを備え、
前記基板加熱手段は、前記基板の回転中心から径方向に向かって互いに異なる距離に位置して前記基板裏面に向けて水蒸気を吐出する複数のノズルを有し、
前記制御手段は、所定時間の間に各ノズルから吐出される水蒸気の総量が最低基板温度となっている裏面領域に最も近いノズルで最大となるように、各ノズルからの水蒸気の吐出を調整する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2または3に記載の基板処理装置であって、
前記制御手段は、各ノズルからの水蒸気の吐出時間を調整することで所定時間当たりの水蒸気の総量を調整する基板処理装置。 - 請求項2ないし4のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記制御手段は、各ノズルからの水蒸気の吐出流量を調整することで所定時間当たりの水蒸気の総量を調整する基板処理装置。 - 略水平姿勢で基板を回転させながら前記基板の表面にエッチング液を供給してエッチング処理するエッチング液供給工程と、
前記エッチング工程中に前記基板の裏面に水蒸気を供給して前記基板裏面に凝縮させることで前記基板を加熱する基板加熱工程とを備え、
前記基板加熱工程は、前記基板の回転中心から径方向に向かって互いに異なる距離に配置されて前記基板裏面と対向し、前記距離が長くなるにしたがって大きく開口しているノズル口から水蒸気を吐出する工程を有する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 略水平姿勢で基板を回転させながら前記基板の表面にエッチング液を供給してエッチング処理するエッチング液供給工程と、
前記エッチング工程中に前記基板の裏面に水蒸気を供給して前記基板裏面に凝縮させることで前記基板を加熱する基板加熱工程とを備え、
前記基板加熱工程は、前記基板の回転中心から径方向に向かって互いに異なる距離に位置して前記基板裏面に向けて水蒸気を吐出する複数のノズルのそれぞれから、所定時間の間に吐出される水蒸気の総量が前記距離に伴って多くなるように、各ノズルからの水蒸気の吐出を調整する工程を有する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 略水平姿勢で基板を回転させながら前記基板の表面にエッチング液を供給してエッチング処理するエッチング液供給工程と、
前記エッチング工程中に前記基板の裏面に水蒸気を供給して前記基板裏面に凝縮させることで前記基板を加熱する基板加熱工程と、
前記基板の温度の分布を検出する検出工程と、
を備え、
前記加熱工程は、前記検出工程により検出された基板温度の分布に基づいて、前記基板の回転中心から径方向に向かって互いに異なる距離に位置して前記基板裏面に向けて水蒸気を吐出する複数のノズルのそれぞれから、所定時間の間に吐出される水蒸気の総量が最低基板温度となっている裏面領域に最も近いノズルで最大となるように、各ノズルからの水蒸気の吐出を調整する工程を有する
ことを特徴とする基板処理方法。
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JP2012034671A JP5832329B2 (ja) | 2012-02-21 | 2012-02-21 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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