JP5829881B2 - 切削装置 - Google Patents

Description

本発明は、チャックテーブルに保持された被加工物としてのウェーハを切削する切削装置に関するものである。

従来より、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが複数形成されるウェーハについては、製造工程中における割れや発塵防止のために、その外周に面取り加工が施されている。そのため、ウェーハを薄く研削すると、外周の面取り部分がナイフエッジ状（ひさし状）に形成される。外周の面取り部分がナイフエッジ状に形成されると、ウェーハの外周から欠けが生じることがあった。そこで、予め外周の面取り部分を切削ブレードにより周方向に切削して一部を除去した後、ウェーハの裏面を研削する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

ここで、切削ブレードによりウェーハの外周を周方向に切削する際には、ウェーハの中心と、ウェーハの保持手段であるチャックテーブルの回転中心とが正確に一致していないと、ウェーハの外周部における被切削部分の幅が一定にならない虞がある。そこで、チャックテーブルに載置したウェーハの外縁部を撮像手段で撮像し、撮像して得た画像のウェーハの輪郭の３点の座標位置からウェーハの中心位置を算出し、かかるウェーハの中心位置とチャックテーブルの回転中心位置とのずれ量を求め、ずれ量を補正するように切削ブレードを移動させて、ウェーハの中心位置から同一距離となる一部を周方向に切削して除去する方法が採用されている（例えば、特許文献２参照）。

撮像手段で撮像した画像からウェーハの輪郭の３点の座標位置を検出する際には、ウェーハの外周の面取り部分と、ウェーハの面取り部分を除く中央部分と、チャックテーブルの外周部との反射率が互いに異なることを利用して、ウェーハの輪郭を浮き上がらせている。

特開２０００−１７３９６１号公報 特開２００６−９３３３３号公報

しかしながら、前述した特許文献２に示された切削装置は、ウェーハの面取り部分の一部の除去を繰り返し行なうと、切削屑がウェーハの外周側でポーラスで構成されたチャックテーブルの表面に露出したポーラスの孔内に侵入して、チャックテーブルの外周部が汚れてしまう。かかる切削屑等によりチャックテーブルの外周部が汚れてしまうと、撮像手段で撮像して得た画像は、ウェーハの外周の面取り部分とチャックテーブルの外周部とのコントラストが不明確となり、ウェーハの輪郭を浮き上がらせることができずに、ウェーハの輪郭の位置を誤認識してしまう虞がある。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、切削加工により生じるウェーハの切削屑によるチャックテーブルの外周部の汚れを低減し、ウェーハの輪郭の誤認識を防止できることを目的とする。

前述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る切削装置は、外周縁に表面から裏面にかけて円弧状の面取り部が形成された円盤形状のウェーハを表面に保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの該面取り部を周方向に沿って除去する切削手段と、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの表面に光を照射し該表面を撮像する撮像手段と、を備える切削装置であって、該チャックテーブルは、該ウェーハの裏面全面を吸引保持する保持部と、該保持部の外周を囲繞して配設された外周リング部とを有し、該外周リング部の内径は該ウェーハの外径よりも小さく外径は該ウェーハの外径よりも大きく形成されており、該保持部の中心に該ウェーハの中心を位置づけて保持した際にウェーハの外周縁を囲繞し、該外周リング部は、該撮像手段から照射された光が正反射して該ウェーハの輪郭とのコントラストを明確にする材質で形成された光正反射層と、該光正反射層の上部に積層され該撮像手段から照射された光が透過する石英ガラス層とからなり、該石英ガラス層の表面と該保持部の表面は同一面に形成されているとともに、該石英ガラス層の表面粗さが切削屑よりも小さく形成されていることを特徴とする。

また、前記切削装置では、該チャックテーブルの該光正反射層はアルミナセラミックで形成されていることが好ましい。

本発明に係る切削装置は、例えば、アルミナセラミックで構成されて正反射率の高い光正反射層の上に、表面粗さの細かい石英ガラス層を積層し、石英ガラス層の表面をチャックテーブルの保持部の表面と同一面に形成することで、切削屑が石英ガラス層の表面に留まることを極力低減できる。このために、切削加工を繰り返し行なっても、チャックテーブルの外周部である石英ガラス層が切削屑により汚れることを抑制でき、ウェーハの外縁の誤認識を抑制することができる。

図１は、実施形態に係る切削装置の構成例を示す図である。 図２は、実施形態に係る切削装置のチャックテーブルなどの斜視図である。 図３は、実施形態に係る切削装置のチャックテーブルと撮像手段との位置関係を示す説明図である。 図４は、実施形態に係る切削装置の撮像手段が得た画像に２値化処理を施して得られた２値画像の一例を示す説明図である。 図５は、図４に示された画像からウェーハの外縁を抽出した状態を示す説明図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

図１は、実施形態に係る切削装置の構成例を示す図である。図２は、実施形態に係る切削装置のチャックテーブルなどの斜視図である。図３は、実施形態に係る切削装置のチャックテーブルと撮像手段との位置関係を示す説明図である。図４は、実施形態に係る切削装置の撮像手段が得た画像に２値化処理を施して得られた２値画像の一例を示す説明図である。図５は、図４に示された画像からウェーハの外縁を抽出した状態を示す説明図である。

本実施形態に係る切削装置１は、切削ブレード２１を有する切削手段２０とウェーハＷを保持したチャックテーブル１０とを相対移動させることで、ウェーハＷを切削するものである。なお、ウェーハＷの詳細は、後程、説明する。図１に示すように、切削装置１は、装置本体３と、チャックテーブル１０と、切削手段２０と、撮像手段３０と、画像処理手段１０１と、制御手段１００とを含んで構成されている。

チャックテーブル１０は、後述する保持部１２の表面１２ａにウェーハＷを保持するものである。チャックテーブル１０は、図示しない着脱機構によりテーブル移動基台２に着脱自在に取り付けられている。チャックテーブル１０の詳細は、後程、説明する。

切削手段２０は、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの後述する面取り部８を周方向に沿って切削ブレード２１により切削、除去するものである。切削ブレード２１は、図１に示すように、略リング形状を有する極薄の切削砥石であり、スピンドル２２に着脱自在に装着される。スピンドル２２は、支持部４に取り付けられた円筒形状のハウジング２３に回転可能に支持され、ハウジング２３に収納されている図示しないブレード駆動源に連結されている。切削ブレード２１は、ブレード駆動源により発生した回転力により回転駆動する。

撮像手段３０は、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの表面Ｗａ，Ｗｃに光を照射し、これらの表面Ｗａ，Ｗｃを撮像するものである。本実施形態では、撮像手段３０は、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの外縁部の一部の画像を得る。撮像手段３０は、チャックテーブル１０および切削手段２０が、加工装置１が加工動作を開始する前の基準位置に位置した状態で、チャックテーブル１０上のウェーハＷの外縁部の一部とＺ軸方向に対向するように、支持部４に取り付けられている。

撮像手段３０は、図３に示すように、ＣＣＤカメラなどの撮像装置３１と、照明装置３２とを備えている。撮像装置３１は、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの面取り部８を含む外縁部の一部とチャックテーブル１０の外縁部の一部を撮像して、画像を得る装置である。照明装置３２は、撮像装置３１が撮像するウェーハＷ及びチャックテーブル１０の外縁部に光を照射する装置であって、光源３３と光源３３からの光をウェーハＷの外縁部の一部に向かって反射するミラー３４などを備えている。なお、撮像装置３１と照明装置３２の詳細は、後程、説明する。

画像処理手段１０１は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成されている。なお、画像処理手段１０１の詳細は、後程、説明する。

制御手段１００は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成され、切削装置１による加工動作を制御するものである。制御手段１００は、テーブル移動基台２、真空供給源、ブレード駆動源、撮像手段３０、画像処理手段１０１、後述するＸ軸移動手段４０、Ｙ軸移動手段５０、Ｚ軸移動手段６０、カセットエレベータ７０、仮置き手段８０、洗浄・乾燥手段９０などと接続されている。制御手段１００は、画像処理手段１０１が後述するように抽出したウェーハＷの中心位置などに基いて、切削手段２０によりチャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの面取り部８を周方向に沿って除去する際に、切削ブレード２１とウェーハＷの中心位置との距離が一定となるように、Ｙ軸移動手段５０を制御する。

また、本実施形態にかかる切削装置１は、さらに、Ｘ軸移動手段４０と、Ｙ軸移動手段５０と、Ｚ軸移動手段６０と、カセットエレベータ７０と、仮置き手段８０と、洗浄・乾燥手段９０とを含んでいる。

Ｘ軸移動手段４０は、切削ブレード２１に対してウェーハＷをＸ軸方向に相対移動させるものである。本実施形態では、Ｘ軸移動手段４０は、Ｘ軸と平行でかつテーブル移動基台２の図示しないナットに螺合した図示しないＸ軸ねじ軸と、Ｘ軸ねじ軸を軸心周りに回転させる図示しないＸ軸パルスモータと、Ｘ軸と平行でかつテーブル移動基台２の図示しないスライダをスライド自在に支持した図示しない一対のＸ軸ガイドレールとを含んでいる。Ｘ軸移動手段４０は、テーブル移動基台２を装置本体３に対してＸ軸方向に移動させることで、テーブル移動基台２を介して、テーブル移動基台２に取り付けられているチャックテーブル１０を装置本体３に対してＸ軸方向に移動させる。

なお、テーブル移動基台２は、装置本体３において、その中心軸線を中心に回転自在に支持され、装置本体３に収納されている図示しない中心軸周り駆動源により回転駆動される。

Ｙ軸移動手段５０は、切削ブレード２１とチャックテーブル１０に保持されたウェーハＷとをＹ軸方向において相対移動させることで、ウェーハＷに対する割り出し送りを実現するものである。本実施形態では、Ｙ軸移動手段５０は、Ｙ軸と平行でかつブレード移動基台６の図示しないナットに螺合した図示しないＹ軸ねじ軸と、Ｙ軸ねじ軸を軸心周りに回転させるＹ軸パルスモータ５１と、Ｙ軸方向と平行でかつブレード移動基台６の図示しないスライダをスライド自在に支持した図示しない一対のＹ軸ガイドレールとを含んでいる。Ｙ軸移動手段５０は、装置本体３に対して、ブレード移動基台６をＹ軸方向に移動させることで、このブレード移動基台６にＺ軸方向に移動自在に設けられた支持部４を介して、切削ブレード２１をウェーハＷに対してＹ軸方向に移動させる。

Ｚ軸移動手段６０は、切削ブレード２１とチャックテーブル１０に保持されたウェーハＷとをＺ軸方向において相対移動させることで、ウェーハＷに対する切り込み量を変更する。本実施形態では、Ｚ軸移動手段６０は、Ｚ軸と平行でかつ支持部４の内部に設けられた図示しないナットと螺合したＺ軸ねじ軸６１と、Ｚ軸ねじ軸６１を軸心周りに回転させるＺ軸パルスモータ６２と、Ｚ軸と平行でかつ支持部４の図示しないスライダをスライド自在に支持した一対のＺ軸ガイドレール６３とを含んでいる。Ｚ軸移動手段６０は、ブレード移動基台６の壁部５に対して、支持部４をＺ軸方向に移動させることで、支持部４を介して、切削ブレード２１をウェーハＷに対してＺ軸方向に移動させる。

カセットエレベータ７０は、ウェーハＷを１枚ずつ収納する収納部がＺ軸方向に複数形成されており、一度に複数のウェーハＷを収納するものである。カセットエレベータ７０は、装置本体３の内部に形成された図示しない空間部内をＺ軸方向において昇降自在に構成されている。

仮置き手段８０は、一対のレールを有し、一対のレール上に加工前後のウェーハＷを一時的に載置するものである。洗浄・乾燥手段９０は、スピンナテーブル９１を有し、加工後のウェーハＷが載置され、保持される。スピンナテーブル９１は、装置本体３に収納されている図示しないスピンナテーブル駆動源と連結されている。洗浄・乾燥手段９０は、スピンナテーブル９１にウェーハＷが保持されると、スピンナテーブル駆動源が発生する回転力により、ウェーハＷを回転させ、図示しない洗浄液噴射装置からウェーハＷに対して洗浄液を噴射することで洗浄し、洗浄後のウェーハＷに対して図示しない気体噴射装置から気体を噴射することで乾燥させる。

ウェーハＷは、切削装置１により加工される円盤形状の加工対象であり、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とするウエーハである。ウェーハＷは、デバイスが複数形成されている実装部７の表面Ｗａの裏側の裏面ＷｂにダイシングテープＴが貼着され、ウェーハＷに貼着されたダイシングテープＴがフレームＦに貼着されることで、フレームＦに固定される。

ウェーハＷは、図３に示すように、表面Ｗａと裏面Ｗｂとの双方が平坦でかつ互いに平行な実装部７と、この実装部７の外縁に連なった面取り部８とを一体に備えている。実装部７は、円盤状に形成されている。面取り部８は、実装部７の外縁に連なって、ウェーハＷの外周縁に形成されている。面取り部８は、実装部７の表面Ｗａから裏面Ｗｂにかけて断面円弧状に形成されている。ウェーハＷは、実装部７の表面Ｗａが照明装置３２などからの光を正反射し、面取り部８の表面Ｗｃが照明装置３２などからの光を拡散反射する。なお、実装部７の表面Ｗａと面取り部８の表面Ｗｃは、ウェーハＷの表面を構成する。

チャックテーブル１０は、図２及び図３に示すように、装置本体３の中央に設けられたテーブル移動基台２に取り付けられるテーブル本体１１と、保持部１２と、外周リング部１３とを備えている。

テーブル本体１１は、ステンレス鋼などの金属で構成され、かつ円盤状の底板部１４と、底板部１４の外縁から立設した円筒状の筒状部１５とを備えて、有底筒状に形成されている。筒状部１５の内径は、ウェーハＷの外径よりも大きく形成されている。筒状部１５は、図示しない着脱機構によりテーブル移動基台２に着脱自在に取り付けられている。筒状部１５の上面１５ａは、平坦に形成されて、照明装置３２などからの光を正反射する。

保持部１２は、ポーラスセラミックで構成され、かつ外径が筒状部１５の内径よりも小さな円盤状に形成されている。保持部１２は、底板部１４上に固定されて筒状部１５内に収容されている。保持部１２は、筒状部１５即ちテーブル本体１１と同軸に設けられている。保持部１２は、表面１２ａ（チェックテーブル１０の表面に相当）上にウェーハＷが載置される。保持部１２の表面１２ａには、真空吸引源からの負圧が真空吸引経路を介して導入される。保持部１２の表面１２ａに導入された負圧は、表面１２ａ上に載置されたウェーハＷに対して吸引力を発生して、ウェーハＷを保持部１２の表面１２ａに吸引保持する。こうして、保持部１２は、真空吸引源などにより、ウェーハＷの裏面Ｗｂ全体を吸引保持し、表面１２ａの中心上にウェーハＷの中心を位置付けて、ウェーハＷを保持する。なお、保持部１２の表面１２ａは、テーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａと同一面に形成されている。

外周リング部１３は、保持部１２の外周を囲繞して配設されている。外周リング部１３は、内径が保持部１２の外径と等しく外径が筒状部１５の内径と等しい円環状に形成されている。外周リング部１３の内径は、ウェーハＷの外径よりも小さく設定されている。外周リング部１３の外径は、ウェーハＷの外径よりも大きく設定されている。外周リング部１３は、保持部１２の外側でかつ筒状部１５の内側に設けられて、テーブル本体１１の筒状部１５内に収容されている。外周リング部１３は、保持部１２の中心にウェーハＷの中心を位置づけて保持した際にウェーハＷの外周縁を囲繞する。外周リング部１３は、テーブル本体１１の底板部１４上に設けられる光正反射層１６と、石英ガラス層１７とを備えている。光正反射層１６は、撮像手段３０の照明装置３２から照射された光が正反射してウェーハＷの輪郭Ｅとのコントラストを明確にする材質で形成されている。光正反射層１６は、アルミナを焼結して形成されたアルミナセラミックや発泡された石英ガラス即ち細かな気泡が設けられて白色化した石英ガラスなどで構成されている。本実施形態では、光正反射層１６は、アルミナセラミックで形成されている。

石英ガラス層１７は、光正反射層１６の上部に積層されている。石英ガラス層１７は、石英から形成されるガラス（所謂、石英ガラス）で構成されている。石英ガラス層１７は、透明に形成されて、撮像手段３０の照明装置３２から照射された光を透過する。石英ガラス層１７の表面１７ａは、保持部１２の表面１２ａ及びテーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａと同一面に形成されている。また、石英ガラス層１７の表面１７ａの表面粗さは、ウェーハＷに切削加工を施して生じる切削屑のうち最も小さな切削屑（直径１μｍ程度）よりも小さく形成されている。

前述した構成の外周リング部１３は、保持部１２上に載置されたウェーハＷの面取り部８が重ねられる。こうして、外周リング部１３は、面取り部８即ちウェーハＷの外周縁を囲繞する。

撮像手段３０の撮像装置３１と照明装置３２とは、照明装置３２が照射してウェーハＷの実装部７の表面Ｗａ、光正反射層１６及びテーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａにより正反射される光を、撮像装置３１が受光できる位置に設けられている。撮像装置３１と照明装置３２とは、照明装置３２が照射してウェーハＷの面取り部８の表面Ｗｃにより拡散反射された光を、撮像装置３１が受光しない位置に設けられている。本実施形態では、撮像装置３１と照明装置３２とは、隣接している。撮像手段３０は、照明装置３２がチャックテーブル１０上のウェーハＷの外縁部の一部に光を照射し、撮像装置３１が実装部７の表面Ｗａ、光正反射層１６及びテーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａにより正反射される光を受光して得た画像を画像処理手段１０１に出力する。

画像処理手段１０１は、撮像手段３０から入力した画像に所定の閾値で２値化処理を施して、２値画像Ｇ（図４に示す）を得て、２値画像ＧからウェーハＷの輪郭Ｅを抽出して、ウェーハＷの中心位置を抽出する。画像処理手段１０１は、抽出したウェーハＷの中心位置を制御手段１００に出力する。

次に、本実施形態に係る切削装置１の加工動作を説明する。切削装置１は、搬出入手段１３０によりカセットエレベータ７０から切削加工前のウェーハＷを仮置き手段８０上に載置し、仮置き手段８０に載置されたウェーハＷを搬送手段によりチャックテーブル１０の保持部１２上に載置する。保持部１２が、ウェーハＷを吸引保持する。撮像手段３０の撮像装置３１が、チャックテーブル１０の保持部１２に保持されたウェーハＷの面取り部８を含む外縁部の一部とチャックテーブル１０の外縁部の一部とを撮像して画像を得る。撮像装置３１が得た画像では、実装部７の表面Ｗａにより反射された光の輝度値は、面取り部８に乱反射された光の輝度値よりも遥かに大きくなっている。

画像処理手段１０１は、撮像手段３０が得た画像に、例えば、光の輝度値が所定の閾値を越えた部分を白とし、光の輝度値が所定の閾値以下の部分を黒とする２値化処理を施して、２値画像Ｇ（図４に示す）を得る。この２値画像Ｇでは、図４に示すように、実装部７の表面Ｗａを示す部分Ａが白で示され、面取り部８を示す部分Ｃが黒で示される。撮像手段３０が得た２値化処理前の画像では、切削装置１の初期状態では、光正反射層１６及びテーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａにより反射された光の輝度値が、面取り部８に乱反射された光の輝度値よりも遥かに大きくなっている。しかしながら、ウェーハＷの切削加工により生じる切削屑が石英ガラス層１７の表面１７ａ上に溜まって、照明装置３２から照射された光を切削屑が乱反射するために、光正反射層１６により反射された光の輝度値が、切削装置１が切削加工を施したウェーハＷの枚数が増加するのにしたがって、徐々に低下する。

しかし、本実施形態の切削装置１では、石英ガラス層１７の表面１７ａが保持部１２の表面１２ａと同一面でかつ前述した表面粗さに形成されて、石英ガラス層１７の表面１７ａに溜まる切削屑が従来よりも遥かに少ない。このために、本実施形態の切削装置１では、切削装置１が切削加工を施したウェーハＷの枚数が増加しても、光正反射層１６により反射された光の輝度値の低下の度合いが、従来よりも遥かに少なく抑制される。したがって、本実施形態の切削装置１では、切削装置１が切削加工を施したウェーハＷの枚数が増加しても、切削屑により低下した光正反射層１６とテーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａとにより反射された光の輝度値が、前述した閾値を超えた状態に維持することができる。したがって、切削装置１が切削加工を施したウェーハＷの枚数が増加しても、石英ガラス層１７の表面１７ａが保持部１２の表面１２ａと同一面でかつ前述した表面粗さに形成されて石英ガラス層１７の表面１７ａに溜まる切削屑が従来よりも遥かに少ないので、２値画像Ｇでは、光正反射層１６とテーブル本体１１の筒状部１５の上面１５ａを示す部分Ｂが白で示される。

画像処理手段１０１は、図５に示すように、前記面取り部８を示す部分Ｂから面取り部８の外縁即ちウェーハＷの輪郭Ｅを抽出する。画像処理手段１０１は、ウェーハＷの輪郭Ｅの図示しない任意の３点を選択し、選択した３点の座標からウェーハＷの図示しない中心の座標即ち中心位置を抽出する。画像処理手段１０１は、ウェーハＷの中心位置を制御装置１００に出力する。制御手段１００は、ウェーハＷの中心位置とチャックテーブル１０の保持部１２の中心とのずれ量やずれの方向を算出する。制御手段１００は、予め定められた切り込み量となるようにＺ軸移動手段６０を制御し、前述したずれ量やずれの方向などに基いて、ウェーハＷの中心位置と切削ブレード２１との距離が予め定められた距離となるようにＹ軸移動手段５０を制御して、切削ブレード２１を回転させながらチャックテーブル１０をＺ軸周りに回転させる。こうして、切削装置１は、ウェーハＷの面取り部８を周方向に沿って、切削することで除去する。

切削加工後のウェーハＷは、搬送手段により洗浄・乾燥手段９０に搬送され、洗浄・乾燥手段９０により洗浄された後、乾燥される。そして、加工後のウェーハＷは、搬送手段により仮置き手段８０に搬送された後、搬出入手段１３０によりカセットエレベータ７０に収納される。切削装置１は、前述した工程を繰り返すことで、カセットエレベータ７０に収納された複数のウェーハＷに順に面取り部８を除去する切削加工などを施す。

以上のように、本実施形態の切削装置１は、例えば、アルミナセラミックで構成されて正反射率の高い光正反射層１６の上に表面粗さの小さい石英ガラス層１７を積層して、外周リング部１３を構成し、石英ガラス層１７の表面１７ａをチャックテーブル１０の保持部１２の表面１２ａと同一面に形成している。このために、ウェーハＷに切削加工を施す際に生じる切削屑が石英ガラス層１７の表面１７ａに留まりにくくなり、前述した切削屑が石英ガラス層１７の表面１７ａに留まることを極力低減できる。このために、切削装置１が切削加工を施したウェーハＷの枚数が増加しても、チャックテーブル１０の外周部であり表面１７ａに面取り部８が重ねられる石英ガラス層１７が切削屑により汚れることを抑制できる。したがって、経年変化により、照明装置３２から照射されて石英ガラス層１７の表面１７ａにより反射される光の輝度値が徐々に低下しても、低下する度合いを従来よりも遥かに少なくできるので、ウェーハＷの輪郭Ｅの位置即ちウェーハＷの中心位置を誤認識することを防止することができる。

また、経年変化により、石英ガラス層１７の表面１７ａにより反射される光の輝度値の低下の度合いを従来よりも遥かに少なくできるので、経年変化により撮像手段３０が得た画像に２値化処理を施す際の閾値を調整する頻度を激減させることができ、チャックテーブル１０の交換や清掃の頻度を抑制することができる。

なお、上記実施形態では、撮像手段３０の撮像装置３１と照明装置３２とを互いに隣接させたが、本発明では、照明装置３２から照射されて実装部７の表面Ｗａ、光正反射層１６により正反射された光を受光し、かつ面取り部８の表面Ｗｃにより拡散反射された光を受光しなければ、撮像手段３０の撮像装置３１と照明装置３２との位置を適宜変更しても良いことは勿論である。また、光正反射層１６は、照明装置３２から照射され光を正反射できれば、前述したアルミナセラミック、白色化した石英ガラス以外の材質で構成してもよい。さらに、画像処理手段１０１が行なう２値化処理は、前述した実施形態に限定されることなく、面取り部８と保持部１２の表面１２ａとのコントラストを明確にして、ウェーハＷの輪郭Ｅを浮き上がらせることができれば、適宜変更しても良い。

１ 切削装置
８ 面取り部
１０ チャックテーブル
１２ 保持部
１２ａ 表面
１３ 外周リング部
１６ 光正反射層
１７ 石英ガラス層
１７ａ 表面
２０ 加工手段
Ｅ 輪郭
Ｗ ウェーハ
Ｗａ，Ｗｃ 表面
Ｗｂ 裏面

Claims (2)

1. 外周縁に表面から裏面にかけて円弧状の面取り部が形成された円盤形状のウェーハを表面に保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの該面取り部を周方向に沿って除去する切削手段と、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの表面に光を照射し該表面を撮像する撮像手段と、を備える切削装置であって、
   該チャックテーブルは、該ウェーハの裏面全面を吸引保持する保持部と、該保持部の外周を囲繞して配設された外周リング部とを有し、
   該外周リング部の内径は該ウェーハの外径よりも小さく外径は該ウェーハの外径よりも大きく形成されており、該保持部の中心に該ウェーハの中心を位置づけて保持した際にウェーハの外周縁を囲繞し、
   該外周リング部は、該撮像手段から照射された光が正反射して該ウェーハの輪郭とのコントラストを明確にする材質で形成された光正反射層と、該光正反射層の上部に積層され該撮像手段から照射された光が透過する石英ガラス層とからなり、該石英ガラス層の表面と該保持部の表面は同一面に形成されているとともに、該石英ガラス層の表面粗さが切削屑よりも小さく形成されている、
   ことを特徴とする切削装置。
2. 該チャックテーブルの該光正反射層はアルミナセラミックで形成されている、請求項１に記載の切削装置。

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