JP5825106B2 - 静電潜像担持体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ - Google Patents

Description

本発明は、静電潜像担持体、画像形成装置及びプロセスカートリッジに関する。

画像形成装置において、静電潜像担持体（感光体）に帯電工程、露光工程、現像工程、転写工程などの工程を施すことにより、画像が形成される。この時、静電潜像担持体には、帯電工程において生じる放電生成物や、転写されなかった未転写残留トナーが付着する。そのため、転写工程後に、静電潜像担持体に対してクリーニング工程が施され、放電生成物や残留トナーが除去される。

クリーニング工程には、一般的にゴムブレードを静電潜像担持体に押し当てて静電潜像担持体表面の残留物を除去する方式がとられる。しかしながら、静電潜像担持体表面とクリーニングブレード間の摩擦によるストレスが大きく、ゴムブレードの磨耗や静電潜像担持体表面層の磨耗が生じ、ゴムブレードおよび有機静電潜像担持体の寿命を短くする。そのため、摩擦による静電潜像担持体の劣化を低減させる必要がある。

静電潜像担持体の耐摩耗性を改良する技術として、静電潜像担持体の表面に架橋表面層（架橋樹脂層）を形成させる方法がある。しかしながら、架橋表面層を有する静電潜像担持体は、繰返し使用した後に長時間放置した場合、帯電器近傍にある表面部の抵抗値が下がり、再稼働させた時に、帯電電位、露光後電位が低くなり、濃度ムラが発生することがあった。また、架橋樹脂層の下層に電荷輸送層が設ける静電潜像担持体の場合、長期間繰返し使用した場合に、画像ボケや残留電位上昇を引き起こすことがあった。

そこで、特許文献１では、静電潜像担持体の表面に架橋表面層を形成させ、かつ、架橋樹脂層中に２種類以上の酸化防止剤を含有させる技術が開示されている。

しかしながら、特許文献１の静電潜像担持体では、前述の異常画像を十分に抑制することができなかった。

そこで、本発明においては、耐摩耗性及び電気特性に優れ、画像濃度ムラ、画像ボケを抑制する静電潜像担持体を提供することを目的とする。

本発明によれば、
導電性支持体上に感光層を有する静電潜像担持体において、該感光層の表面は、
下記一般式（１）で表され、ラジカル重合性官能基数に対する分子量の割合が３００以下である単官能ラジカル重合性化合物と、
電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物と、
電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物と、
を含む架橋表面層を有し、
前記架橋表面層は更に、下記一般式（２）又は下記一般式（３）で表されるオキサゾール化合物を含有する、静電潜像担持体が提供される。

（一般式（１）中、Ｘａはラジカル重合性官能基を表し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基又は置換基により置換されていてもよいアルキル基を表し、Ｙ_１は置換基により置換されていてもよい二価のアルキレンオキサイド基を表し、Ｙ_２は単結合、エーテル結合又はエステル結合を表し、ｍは１又は２である。）

（一般式（２）中、Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｚｘは、ビニレン基、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の２価基又は２，５−チオフェンジイル基を表す。）

（一般式（３）中、Ａｒ_ｘとＡｒ_ｙは、それぞれ独立に、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の１価基を表し、Ｚｙは、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の２価基を表し、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。）

本発明によれば、耐摩耗性に優れ、画像濃度ムラ、画像ボケを抑制する静電潜像担持体を提供できる。

図１は、本発明の静電潜像担持体の層構成の一例の断面図である。 図２は、本発明の静電潜像担持体の層構成の他の例の断面図である。 図３は、本発明の静電潜像担持体の層構成のさらに他の例の断面図である。 図４は、本発明の静電潜像担持体の層構成のまたさらに他の例の断面図である。 図５は、本発明に係る画像形成装置の一例を示す概略図である。 図６は、本発明に係る画像形成装置の他の例を示す概略構成図である。 図７は、本発明に係るプロセスカートリッジの一例を示す概略図である。 図８は、本発明に係る、架橋表面層の弾性変位率の測定方法を説明するための概略図である。 図９は、図８の測定方法で得られた、押し込み深さと荷重との関係を示す曲線の例である。

［静電潜像担持体の簡単な構成］
本発明に係る静電潜像担持体は、導電性支持体上に感光層を有し、かつ、該感光層の表面は、下記で詳細に説明する架橋表面層を有していれば、特に限定されない。例えば、必要に応じて、保護層、中間層及び／又はその他の層を有しても良い。

≪単層型感光層≫
図１に、本発明に係る静電潜像担持体の層構成の一例の断面図を示す。図１では、静電潜像担持体１０Ａは、支持体１１上に単層型の感光層１２を設けている。この時、必要に応じて、保護層、中間層、その他の層を有しても良い。

≪複層型感光層≫
図２に、本発明に係る静電潜像担持体の層構成の他の例の断面図を示す。図２では、静電潜像担持体１０Ｂは、支持体１１と、支持体１１上に電荷発生層１３、及び電荷輸送層１４を、順次積層し、積層型感光層を設けている。つまり、感光層１２が電荷発生層１３、及び電荷輸送層１４に機能分離されたタイプである。また、必要に応じて、保護層、中間層、その他の層を有しても良い。さらに、電荷発生層及び電荷輸送層は、逆の順番で積層しても良い。

図３に、本発明に係る静電潜像担持体の層構成の、さらに他の例の断面図を示す。静電潜像担持体１０Ｃは、支持体１１と電荷発生層１３との間に下引き層１５が形成されている以外は、図２の静電潜像担持体１０Ｂと同一の構成である。

図４に、本本発明に係る静電潜像担持体の層構成の、さらに他の例の断面図を示す。静電潜像担持体１０Ｄは、電荷輸送層１４上に保護層１６が形成されている以外は、図３の静電潜像担持体１０Ｃと同一の構成である。

［架橋表面層］
架橋表面層は、電荷輸送機能を有する架橋構造を有する層であり、本発明においては、感光層の表面層に設けられる。

架橋表面層は、下記一般式（１）で示す、ラジカル重合性官能基当量が３００以下の単官能ラジカル重合性化合物と、電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物と、電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物とを含む。なお、ラジカル重合性官能基当量とは、官能基数に対する分子量の割合のことを表し、（分子量／官能基数）で求められる。

［一般式（１）中、Ｘａはラジカル重合性官能基であり、
Ｒは水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基又は、置換基により置換されていてもよいアルキル基であり、
Ｙ_１は、置換基により置換されていてもよい二価のアルキレンオキサイド基であり、
Ｙ_２は、単結合、エーテル結合又はエステル結合であり、
ｍは１又は２である。］
また、本発明の静電潜像担持体の架橋表面層は、下記一般式（２）又は下記一般式（３）で示すオキサゾール化合物を含有することが好ましい。

（一般式（２）中、Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｚｘは、ビニレン基、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の２価基又は２，５−チオフェンジイル基を表す。）

（一般式（３）中、Ａｒ_ｘとＡｒ_ｙは、それぞれ独立に、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の１価基を表し、Ｚｙは、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の２価基を表し、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。）
本明細書では、先ず、本発明の静電潜像担持体を上記の構成にすることの効果について述べ、その後、各々の構成要素で使用できる化合物などを説明する。

商業印刷に要求される高画質画像を形成する場合、静電潜像担持体（感光体）には、連続印刷枚数経時での露光電位が一定となるような、印刷枚数間電位安定性が要求される。そのためには、静電潜像担持体における、架橋表面層の膜厚、均質性、更には、架橋表面層内の電荷トラップの有無を抑えることが重要となる。

本発明では、一般式（１）で示した、ラジカル重合性官能基当量が３００以下の単官能ラジカル重合性化合物と、電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物と、電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物との混合物を、活性エネルギー線などを照射することでラジカル連鎖重合させて、架橋表面層を形成する。ここで、架橋表面層中に更に、下記で詳細に説明するオキサゾール化合物を含有させる。架橋表面層中に、オキサゾール化合物を含有ことで、架橋表面層中に形成される電荷トラップ及びその発生ムラを抑制することができる。それにより、得られる静電潜像担持体の、電荷トラップ由来の電位変動を抑制することができ、連続印刷経時においても、画像濃度の変化が少ない、高画質画像形成が達成される。

一般的に、架橋表面層は、三次元網目構造を有しており、これにより、得られる静電潜像担持体の機械的強度が向上する。一方で、三次元網目構造はガス透過性が高いため、例えば、画像濃度ムラ、画像ボケなどを引き起こすことがある。ガス透過性は、一般式（１）示した、ラジカル重合性官能基当量３００以下の単官能ラジカル重合性モノマーを含有させることにより、抑制することができるが、単官能ラジカル重合性モノマーを含有させるために、三次元網目構造を形成する成分が減少するため、架橋表面層の機械的強度が低下することがある。機械的強度の低下は、例えば、紫外線等の活性エネルギー線の照射量を増大させて完全架橋に近づけることで、抑制することなどが考えられるが、光照射の増大は、静電潜像担持体の電気特性の劣化を引き起こす。これは、活性エネルギー線の照射量を増大させることにより、電荷輸送性を担うラジカル重合性電荷輸送性化合物の光分解物の生成を引き起こし、この生成物が電荷トラップとなって、繰り返し経時での露光部電位上昇の一因となるからである。

本発明者らは、上述の光分解を抑制することで、架橋表面層中の電荷トラップの発生を抑制でき、繰り返し経時での露光部電位上昇を抑制できると考えられた。そこで、前述の光分解を防止し、かつ、活性エネルギー線照射時に硬化重合反応を阻害しない添加剤を鋭意検討したところ、一般式（２）又は一般式（３）のオキサゾール化合物を添加することが有効であると見出した。オキサゾール化合物の添加による、上述の効果のメカニズムの詳細は不明であるが、活性エネルギー線によって励起状態となったラジカル重合性電荷輸送性化合物と、オキサゾール化合物とが、分子間励起子会合体（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ）を形成し、それが失活することで、ラジカル重合性電荷輸送性化合物の分解反応が抑制されると考えられる。

また、一般式（２）又は一般式（３）で示したオキサゾール化合物は、ラジカル重合性電荷輸送性化合物と比して酸化電位が大きい。そのため、オキサゾール化合物を添加した場合においても、電荷トラップの発生の要因とならないため、電荷輸送能を低減させることがない。さらに、一般式（２）又は一般式（３）で示したオキサゾール化合物は、吸収波長が短く、架橋表面層の形成（重合）に必要な波長域の吸収が少ない。そのため、架橋表面層の形成を阻害しない。またさらに、一般式（２）又は一般式（３）で示したオキサゾール化合物は、励起ポテンシャルレベルは、ラジカル重合性の電荷輸送性化合物の励起ポテンシャルレベルより低く、励起子会合体（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ）を容易に形成することができる。即ち、静電潜像担持体（感光体）の電気特性や機械的特性を損なうことなく、活性エネルギー線照射時のラジカル重合性の電荷輸送性化合物の光分解を抑制することができる。

次に、架橋表面層中の、各々の構成要素について、より詳細に説明する。

≪ラジカル重合性官能基当量が３００以下の単官能ラジカル重合性化合物≫
上述の一般式（１）中におけるラジカル重合性官能基は、炭素‐炭素の２重結合を有し、ラジカル重合可能な基であれば、特に限定されない。ラジカル重合性官能基の具体的な例としては、例えば、下記に示す１−置換エチレン官能基、１，１−置換エチレン官能基等が挙げられる。

１−置換エチレン官能基としては、一般式
ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｘ_１−
（式中、Ｘ_１は、置換基により置換されていてもよいアリーレン基、置換基により置換されていてもよいアルケニレン基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、一般式
−ＣＯＮ（Ｒ１）−基
（式中、Ｒ_１は、水素原子、アルキル基、アラルキル基又はアリール基である。）
で表される基又はチオ基である。）
で表される基が挙げられる。

Ｘ_１におけるアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。また、Ｘ_１におけるアルケニレン基としては、ビニレン基等が挙げられる。

また、Ｒ_１におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基等が挙げられる。また、Ｒ_１におけるアラルキル基としてはベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基等が挙げられる。さらに、Ｒ_１におけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。

１−置換エチレン官能基の具体例としては、ビニル基、スチリル基、２−メチル−１，３−ブタジエニル基、ビニルカルボニル基、アクリロイルオキシ基、アクリロイルアミド基、ビニルチオエーテル基等が挙げられる。
１，１−置換エチレン官能基としては、下記一般式
ＣＨ_２＝Ｃ（Ｙ）−Ｘ_２−
（式中、Ｘ_２は、上記Ｘ_１に記載されている基、単結合又はアルキレン基であり、Ｙは、置換基により置換されていてもよいアルキル基、置換基により置換されていてもよいアラルキル基、置換基により置換されていてもよいアリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、一般式
−ＣＯＯＲ_２基
（式中、Ｒ_２は、水素原子、置換基により置換されていてもよいアルキル基、置換基により置換されていてもよいアラルキル基、置換基により置換されていてもよいアリール基）
で表される基、又は、一般式
−ＣＯＮＲ_３Ｒ_４
（式中、Ｒ_３及びＲ_４は、それぞれ独立に、水素原子、置換基により置換されていてもよいアルキル基、置換基により置換されていてもよいアラルキル基、又は、置換基により置換されていてもよいアリール基）
で表される基である。）
この時、Ｙ、Ｘ_２のいずれか一方が、オキシカルボニル基、シアノ基、アルケニレン基、又は芳香族環であることが好ましい。

１，１−置換エチレン官能基のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。また、アルコキシ基としてはメトキシ基又はエトキシ基等が挙げられ、アラルキル基としてはベンジル、ナフチルメチル基、又はフェネチル基等が挙げられる。さらに、アルキル基としてはメチル基、エチル基等が挙げられる。

１，１−置換エチレン官能基の具体例としては、α−塩化アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、α−シアノエチレン基、α−シアノアクリロイルオキシ基、α−シアノフェニレン基、メタクリロイルアミノ基等が挙げられる。

なお、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｙ、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４における置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられる。

これらのラジカル重合性基において、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基を有することが好ましい。１個のアクリロイルオキシ基を有する化合物は、例えば、水酸基がその分子中に１個有する化合物、アクリル酸（塩）、アクリル酸ハライド、アクリル酸エステルを用い、エステル反応又はエステル交換反応させることにより得ることができる。また、１個のメタクリロイルオキシ基を有する化合物も同様にして得ることができる。

一般式（１）で表され、ラジカル重合性官能基当量が３００以下の単官能ラジカル重合性化合物の具体例を表１に示すが、本発明はこの点において限定されない。

ラジカル重合性官能基当量が３００以下の単官能ラジカル重合性化合物は、少なくとも１つの置換基により置換されていてもよいベンゼン環を有している。三次元網目構造を形成する架橋表面層中において、前記ベンゼン環は、網目の空隙を塞ぐように作用すると考えられる。そのため、架橋表面層のガス透過性を小さくする。また、前記単官能ラジカル重合性化合物は、主に単結合により形成されているため、比較的柔軟な構造をとることができ、三次元網目構造の架橋骨格からペンダント状に枝分かれするような構造となる。そのため、より大きな空隙に入り込むことが可能であり、結果的にガスが透過する空隙が小さくなりやすいと考えられる。ラジカル重合性官能基当量が３００以下の場合、この効果が効率よく発揮される。ラジカル重合性官能基当量が３００を超える場合、ガス透過性を抑制する効果が発揮されないことがある。

架橋表面層中における、ラジカル重合性官能基当量３００以下の単官能ラジカル重合性化合物の含有量は、１質量％〜５０質量％であることが好ましく、１０質量％〜４０質量％であることがより好ましい。

≪オキサゾール化合物≫
本発明で使用できるオキサゾール化合物は、上述の通り、下記一般式（２）又は下記一般式（３）で表される。

（一般式（２）中、Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｚｘは、ビニレン基、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の２価基又は２，５−チオフェンジイル基を表す。）

（一般式（３）中、Ａｒ_ｘとＡｒ_ｙは、それぞれ独立に、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の１価基を表し、Ｚｙは、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の２価基を表し、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。）
ここで、Ｒａ及びＲｂにおける、炭素数１〜４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる。また、Ｚｘにおける、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の２価基としては、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、１，４−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、１，４−アントラセンジイル基、４，４'−ビフェニルジイル基、４，４'−スチルベンジイル基などが挙げられる。

Ａｒ_ｘ及びＡｒ_ｙにおける、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の１価基としては、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等の芳香族炭化水素基などが挙げられる。また、Ｚｙにおける、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の２価基としては、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、１，４−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、１，４−アントラセンジイル基、４，４'−ビフェニルジイル基、４，４'−スチルベンジイル基などが挙げられる。

一般式（２）又は一般式（３）で表されるオキサゾール化合物の具体例を表２に示すが、本発明はこれらに限定されない。

オキサゾール化合物の含有量は、後述する電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物の質量に対して、０．１〜３０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜１０質量％であることがより好ましい。オキサゾール化合物の含有量が０．１質量％未満の場合、繰り返し経時での露光部電位変動量を低減する効果が低くなることがある。一方、オキサゾール化合物の含有量が３０質量％を超える場合、得られる静電潜像担持体の感度特性が悪化する場合がある。

前述のように、オキサゾール化合物は、電荷輸送性を示さないため、架橋表面層中に過剰に添加すると、相対的に電荷輸送性化合物が少なくなる。そのため、得られる静電潜像担持体の電荷輸送特性が低下し、感度劣化等を引き起こすことがある。また、オキサゾール化合物の過剰添加は、ラジカル重合性化合物による架橋密度を低下させることがある。架橋密度の低下は、架橋表面層の機械的強度を弱め、静電潜像担持体の耐摩耗性を悪化させる。従って、効果の有る範囲でできるだけ少量添加することが望ましい。そのため、オキサゾール化合物は、電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物の質量に対して、０．５質量％〜１０質量％で添加することが、電荷トラップの発生を抑制する効果と、耐磨耗性を両立できるため、好ましい。

≪電荷輸送性を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物≫
電荷輸送性を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物とは、トリアリールアミン、ヒドラゾン、ピラゾリン、カルバゾール等の正孔輸送性構造又は縮合多環キノン、ジフェノキノン、シアノ基、ニトロ基等の電子吸引性基により置換されている芳香族環等の電子輸送性構造を有しておらず、ラジカル重合性基を３個以上有する化合物を意味する。ラジカル重合性基とは、炭素−炭素二重結合を有し、ラジカル重合することが可能な基を意味し、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基であることが好ましい。３個以上のアクリロイルオキシ基を有する化合物は、例えば、水酸基が分子中に３個以上ある化合物、アクリル酸塩、アクリル酸ハライド、アクリル酸エステルを用い、エステル反応又はエステル交換反応させることにより得られる。 ３個以上のメタクリロイルオキシ基を有する化合物も同様の方法により得ることができる。なお、電荷輸送性を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物が有する３個以上のラジカル重合性基は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。

電荷輸送性を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物は、ラジカル重合性官能基当量が３００以上のモノマーを有することが、静電潜像担持体の電気特性が良好となるため好ましい。後述する電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物は、電荷輸送に優れたπ電子を分子内に多く有する。結果として、比較的高分子量の化合物が使用される。３官能以上のラジカル重合性化合物の官能基当量が小さい場合、架橋点が多く、三次元網目構造の網目が小さい構造となる。そのため、架橋膜中に存在する電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物は、立体的な自由度が小さくなり、コンフォメーションの歪みを生じることがある。それにより、π電子の広がりが阻害され、電荷輸送能の低下を引き起こすことがある。即ち、３官能以上のラジカル重合性化合物が、ラジカル重合性官能基当量が３００以上のモノマーを含むことにより、電気特性が良好になり好ましい。

電荷輸送性を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物の具体例としては、トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）、トリメチロールプロパントリメタクリレート、エチレンオキシ変性（ＥＯ変性）トリメチロールプロパントリアクリレート、プロピレンオキシ変性（ＰＯ変性）トリメチロールプロパントリアクリレート、カプロラクトン変性トリメチロールプロパントリアクリレート、ＨＰＡ変性トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（ＰＥＴＴＡ）、グリセロールトリアクリレート、ＥＣＨ変性グリセロールトリアクリレート、ＥＯ変性グリセロールトリアクリレート、ＰＯ変性グリセロールトリアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジメチロールプロパンテトラアクリレート（ＤＴＭＰＴＡ）、ペンタエリスリトールエトキシテトラアクリレート、ＥＯ変性リン酸トリアクリレート、２，２，５，５，−テトラヒドロキシメチルシクロペンタノンテトラアクリレート等が挙げられる。これらは、１種類単独で使用しても良く、２種類以上を併用して使用しても良いが、下記で示す官能基当量が３００以上の電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物を含むことが好ましい。

官能基当量が３００以上の電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物の具体例を表３に示すが、本発明はこれに限定されない。

また、電荷輸送性を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物は、官能基当量が２５０以下の化合物を含むことが好ましい。即ち、官能基当量３００以上及び官能基当量が２５０以下の、電荷輸送性を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物を使用することがより好ましい。官能基当量が２５０以下のモノマーを含まない場合、静電潜像担持体の耐摩耗性が低下することがある。

架橋表面層中における、電荷輸送性を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物の含有量は、通常、２０〜８０質量％であり、３５〜６５質量％であることが好ましい。電荷輸送性を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物の含有量が２０質量％未満の場合架橋表面層の３次元架橋結合密度が少なく、十分な耐摩耗性向上が達成されないことがある。また、モノマー成分が８０質量％を超えると、電荷輸送性化合物の含有量が低下し、電気的特性の劣化が生じることがある。

≪電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物≫
電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物とは、例えば、トリアリールアミン、ヒドラゾン、ピラゾリン、カルバゾールなどの正孔輸送性構造、又は、縮合多環キノン、ジフェノキノン、シアノ基やニトロ基などの電子吸引性芳香族環などの電子輸送構造を有し、かつ、ラジカル重合性官能基を有する化合物を意味する。ラジカル重合性官能基としては、先のラジカル重合性化合物で挙げたものと同様であり、中でもアクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基が好ましい。

また、電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物は、電荷輸送性構造を有する一官能のラジカル重合性化合物であることが好ましい。また、静電特性の観点から、トリアリールアミン構造を有するもの好ましい。中でも、下記一般式（４）

（一般式（４）中、Ｒ_５は水素原子、ハロゲン原子、置換基により置換されていてもよいアルキル基、置換基により置換されていてもよいアラルキル基、置換基により置換されていてもよいアリール基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、一般式
−ＣＯＯＲ_６
（式中、Ｒ_６は水素原子、置換基により置換されていてもよいアルキル基、置換基により置換されていてもよいアラルキル基又は置換基により置換されていてもよいアリール基）
で表される基、ハロゲン化カルボニル基又は一般式
−ＣＯＮＲ_７Ｒ_８
（式中、Ｒ_７及びＲ_８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基により置換されていてもよいアルキル基、置換基により置換されていてもよいアラルキル基又は置換基により置換されていてもよいアリール基）で表される基であり、
Ａｒ_１は、それぞれ独立に、置換基により置換されていてもよい二価の芳香族基、Ａｒ_２、Ａｒ_３は、それぞれ独立に、置換基により置換されていてもよい一価の芳香族基、Ｘ_３は単結合又は一般式
−Ｙ_３−Ａｒ_４−
（式中、Ｙ_３は、単結合、置換基により置換されていてもよいアルキレン基、置換基により置換されていてもよいシクロアルキレン基、置換基により置換されていてもよいアルキレンオキシ基、オキシ基、チオ基又はビニレン基であり、Ａｒ_４は、置換基により置換されていてもよい二価の芳香族基である。）基であり、
Ｚは、置換基により置換されていてもよいアルキレン基、置換基により置換されていてもよいアルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基であり、ｎは、０〜３の整数である。）
で表される化合物であることが、好ましい。

Ｒ_５におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。また、Ｒ_５におけるアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基が挙げられる。さらに、Ｒ_５におけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。またさらに、Ｒ_５におけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等が挙げられる。

Ｒ_５における置換基としては、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられる。

Ｒ_５は、水素原子又はメチル基であることが好ましい。

Ａｒ_２及びＡｒ_３における一価の芳香族基としては、一価の縮合多環式炭化水素基、一価の非縮合環式炭化水素基、一価の複素環基等が挙げられる。

一価の縮合多環式炭化水素基としては、ペンタニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、ａｓ−インダセニル基、ｓ−インダセニル基、フルオレニル基、アセナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、アセアントリレニル基、トリフェニレル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基等が挙げられる。一価の縮合多環式炭化水素基は、環を構成する炭素数が、１８以下であることが好ましい。

一価の非縮合環式炭化水素基としては、ベンゼン、ジフェニルエーテル、ポリエチレンジフェニルエーテル、ジフェニルチオエーテル、ジフェニルスルホン等の単環式炭化水素化合物由来の基、ビフェニル、ポリフェニル、ジフェニルアルカン、ジフェニルアルケン、ジフェニルアルキン、トリフェニルメタン、ジスチリルベンゼン、１，１−ジフェニルシクロアルカン、ポリフェニルアルカン、ポリフェニルアルケン等の非縮合多環式炭化水素化合物由来の基、９，９−ジフェニルフルオレン等の環集合炭化水素化合物由来の基等が挙げられる。

複素環基としては、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、オキサジアゾール、チアジアゾール等の複素環芳香族化合物由来の基等が挙げられる。

Ａｒ_３及びＡｒ_４における置換基は以下にあげるものなどを使用することができる。

〔１〕ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基
〔２〕アルキル基
この時、炭素数が１〜１２であり、１〜８が好ましく、１〜４の直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。また、フッ素原子、水酸基、シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基又はハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のアルコキシ基で置換されたフェニル基を有していても良い。

具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−プロピル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキエチル基、２−エトキシエチル基、２−シアノエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

〔３〕アルコキシ基
アルコキシ基におけるアルキル基は〔２〕におけるアルキル基と同様である。

具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。

〔４〕アリールオキシ基
アルールオキシ基のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が挙げられる。また、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基、又はハロゲン原子を置換基として含んでも良い。

具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基等が挙げられる。

〔５〕アルキルメルカプト基又はアリールメルカプト基
アルキルメルカプト基としては、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。また、アリールメルカプト基としては、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。

〔６〕置換基により置換されていてもよいアミノ基
置換基により置換されていてもよいアミノ基は、一般式
−ＮＲ_９Ｒ_１０
で表される基
（式中、Ｒ_９及びＲ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、〔２〕で示したアルキル基、又はアリール基である。Ｒ_９及びＲ_１０は結合して、環構造を形成してもよい。）
前記アリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基又はナフチル基が挙げられる。これらは炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含んでもよい。

具体的には、アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（トリール）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ピロリジノ基等が挙げられる。

〔７〕アルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基
アルキレンジオキシ基としては、メチレンジオキシ基等が挙げられる。また、アルキレンジチオ基としては、メチレンジチオ基等が挙げられる。

〔８〕その他
置換基により置換されていてもよいスチリル基、置換基により置換されていてもよいβ−フェニルスチリル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジトリルアミノフェニル基等が挙げられる。

Ａｒ_１及びＡｒ_４における二価の芳香族基としては、Ａｒ_２及びＡｒ_３における一価の芳香族基から誘導される基が挙げられる。

Ｙ_３におけるアルキレン基の炭素数は、通常、１〜１２であり、１〜８が好ましく、１〜４がさらに好ましい。アルキレン基は、フルオロ基、水酸基、シアノ基、炭素数が１〜４のアルコキシ基、フェニル基、又は、ハロゲン基、炭素数が１〜４のアルキル基若しくは炭素数が１〜４のアルコキシ基により置換されているフェニル基により置換されていてもよい。

アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ｎ−ブチレン基、イソプロピレン基、ｔ−ブチレン基、ｓ−ブチレン基、ｎ−プロピレン基、トリフルオロメチレン基、２−ヒドロキエチレン基、２−エトキシエチレン基、２−シアノエチレン基、２−メトキシエチレン基、ベンジリデン基、フェニルエチレン基、４−クロロフェニルエチレン基、４−メチルフェニルエチレン基、４−ビフェニルエチレン基等が挙げられる。

Ｙ_３におけるシクロアルキレン基の炭素数は、通常、５〜７である。シクロアルキレン基は、フルオロ基、水酸基、炭素数が１〜４のアルキル基、又は、炭素数が１〜４のアルコキシ基により置換されていてもよい。

シクロアルキレン基としては、シクロヘキシリデン基、シクロへキシレン基、３，３−ジメチルシクロヘキシリデン基等が挙げられる。

Ｙ_３におけるアルキレンオキシ基としては、化学式
−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−基、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−基、−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_ｈ−Ｏ−基、又は−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２）_ｉ−Ｏ−基、等が挙げられる。但し、式中のｈ，ｉはそれぞれ、１〜４の整数を表す。

アルキレンオキシ基は、ヒドロキシル基、メチル基、エチル基等の置換基により置換されていてもよい。

Ｙ_３におけるビニレン基としては、下記一般式の
−（Ｃ（Ｒ_１１）＝ＣＨ）_ｄ−
［式中、Ｒ_１１は水素原子、アルキル基（前記〔２〕で定義されるアルキル基と同じ）、二価の芳香族基（前述のＡｒ_２、Ａｒ_３における二価の芳香族基と同じ）であり、ｄは１又は２を表す。］
で表される基又は一般式
−Ｃ（Ｒ_１２）＝ＣＨ−（ＣＨ＝ＣＨ）_ｅ−
（式中、Ｒ_１２は、水素原子、アルキル基（前述の〔２〕におけるアルキル基と同じ）、二価の芳香族基（前述のＡｒ_２及びＡｒ_３における二価の芳香族基と同じ）であり、ｅは１〜３の整数を表す。）
で表される基等が挙げられる。

Ｚにおけるアルキレン基は、Ｙにおけるアルキレン基と同様である。また、Ｚにおけるアルキレンオキシ基は、Ｙにおけるアルキレンオキシ基と同様である。さらに、Ｚにおけるアルキレンオキシカルボニル基としては、カプロラクトン変性基が挙げられる。

電荷輸送性構造を有する一官能のラジカル重合性化合物は、下記の一般式（５）

（一般式（５）中、Ｒ_１３は、水素原子又はメチル基であり、Ｒ_１４及びＲ_１５は、それぞれ独立に、置換基により置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｚ１は、単結合、メチレン基、エチレン基、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−で表される基、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２Ｏ−で表される基、一般式（６）

で表される基であり、一般式（５）中ｏ、ｐ及びｑは、それぞれ独立に、０又は１であり、ｓ及びｔは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。）
で表される化合物であることが好ましい。

一般式（５）における、Ｒ_１４及びＲ_１５は、それぞれ独立に、メチル基又はエチル基であることが好ましい。

架橋表面層全量に対する、電荷輸送性構造を有する一官能のラジカル重合性化合物の含有量は、通常、２０〜８０質量％であり、３５〜６５質量％であることが好ましい。架橋表面層中における、電荷輸送性構造を有する一官能のラジカル重合性化合物の含有量が２０質量％未満の場合、架橋表面層の電荷輸送性能が充分に保てず、繰り返しの使用で感度低下、残留電位上昇などの電気特性の劣化が現れることがある。一方、８０質量％を超えると、電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物の含有量が低下して、架橋結合密度の低下を招くため、高い耐摩耗性が発揮されないことがある。

架橋表面層は、さらに電荷輸送性構造を有さない２官能のラジカル重合性化合物及び／又はラジカル重合性オリゴマーをさらに含んでいてもよい。

電荷輸送性構造を有さない２官能のラジカル重合性化合物としては、１，３−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＡジアクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＦジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート等が挙げられる。
ラジカル重合性オリゴマーとしては、エポキシアクリレート系オリゴマー、ウレタンアクリレート系オリゴマー、ポリエステルアクリレート系オリゴマー等が挙げられる。

電荷輸送性構造を有さない１官能のラジカル重合性化合物、電荷輸送性構造を有さない２官能のラジカル重合性化合物及びラジカル重合性オリゴマーの添加量は、耐摩耗性の点から、通常、電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物に対して、５０質量％以下であり、３０質量％以下が好ましい。

また、本発明においては、架橋表面層は少なくとも電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物と電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物とを硬化したものが好適に用いられるが、この硬化反応（架橋反応）を効率よく進行させるため、必要に応じて重合開始剤を使用し、架橋表面層を形成してもよい。

熱重合開始剤としては、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−ジヒドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（パーオキシベンゾイル）ヘキシン−３、ジ−ｔ−ブチルベルオキサイド、ｔ−ブチルヒドロベルオキサイド、クメンヒドロベルオキサイド、ラウロイルパーオキサイド等の過酸化物系開始剤、アゾビスイソブチルニトリル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、アゾビスイソ酪酸メチル、アゾビスイソブチルアミジン塩酸塩、４，４'−アゾビス−４−シアノ吉草酸等のアゾ系開始剤が挙げられる。これらは１種類を単独で使用してもよく、２種類以上を併用して使用しても良い。

光重合開始剤としては、ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタノン−１、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル−２−モルフォリノ（４−メチルチオフェニル）プロパン−１−オン、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等のアセトフェノン系又はケタール系光重合開始剤、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾインエーテル系光重合開始剤、ベンゾフェノン、４−ヒドロキシベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、２−ベンゾイルナフタレン、４−ベンゾイルビフェニル、４−ベンゾイルフェニールエーテル、アクリル化ベンゾフェノン、１，４−ベンゾイルベンゼン等のベンゾフェノン系光重合開始剤、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン等のチオキサントン系光重合開始剤等が挙げられる。これらは、１種類を単独で使用しても良く、２種類以上を併用して使用しても良い。上述以外の光重合開始剤としては、エチルアントラキノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、メチルフェニルグリオキシエステル、９，１０−フェナントレン、アクリジン系化合物、トリアジン系化合物、イミダゾール系化合物等が挙げられる。

架橋表面層を架橋する際に、光重合促進効果を有する化合物を単独又は光重合開始剤と併用して使用しても良い。光重合促進効果を有する化合物としては、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸（２−ジメチルアミノ）エチル、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン等が挙げられる。

重合開始剤の添加量は、ラジカル重合官能基を有する化合物総量に対して、通常、０．５〜４０質量％であり、１〜２０質量％であることが好ましい。

［架橋表面層の形成方法］
架橋表面層の形成方法としては、まず、上述した化合物を、下記で詳述する溶媒に溶解乃至分散して塗布液を作成し、これを電荷輸送層上に塗布、乾燥する。その後、熱や光照射等の外部エネルギーにより、硬化（架橋）反応を開始することにより架橋表面層が形成される。

塗布液は、可塑剤、レベリング剤、電荷輸送物質等をさらに含んでいても良い。可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等が挙げられる。可塑剤の添加量は、通常、塗布液の固形分に対して、２０質量％以下であり、１０質量％以下であることが好ましい。

レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマー又はオリゴマー等が挙げられる。レベリング剤の添加量は、通常、塗布液の固形分に対して、３質量％以下である。

溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピルエーテル等のエーテル系溶媒、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、セロソルブアセテート等のセロソルブ系溶媒等を使用することができる。上述の溶媒は、１種類を単独で使用してもよく、２種類以上を併用して使用してもよい。

塗布液を塗布する方法としては、浸漬塗布法、スプレーコート法、ビードコート法又はリングコート法等が挙げられる。

架橋表面層を架橋する際には、紫外線又は電子線などの活性エネルギー線を用いて照射することが好ましい。熱重合開始剤などにより、熱照射により架橋表面層を形成することも可能であるが、活性エネルギー線を用いた架橋により、架橋密度が高く、弾性仕事率が大きい架橋表面層を形成することができるため、耐磨耗性を向上することができ、好ましい。

また、活性エネルギー線の照射により、架橋表面層を架橋する場合、窒素ガスや希ガスなどの条件（酸素濃度が低い条件）下で行うことや、照射時の温度上昇を防ぐために冷却条件下で行うことが好ましい。

光源としては、高圧水銀灯、メタルハライドランプ等の紫外光を照射する光源を用いることができるが、可視光を照射する光源を用いてもよい。また、光を照射する際の、ラジカル重合性化合物を含む塗膜の表面の温度は、４０〜１７０℃であることが好ましい。塗膜の表面の温度は、熱媒体を用いて制御することが好ましい。

照射光量は、５０ｍＷ／ｃｍ^２以上１０００ｍＷ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。照射光量が５０ｍＷ／ｃｍ^２未満の場合、架橋反応に要する時間が長くなることがある。また、照射光量が１０００ｍＷ／ｃｍ^２を超える場合、照射時の蓄熱が激しくなり、冷却下でも温度上昇が制御できず、変形の発生や、電気特性の劣化を招くことがある。

硬化した表面架橋層は、有機溶媒に対して、不溶であることが好ましい。硬化が不十分の場合、通常、表面架橋層膜は、有機溶媒に対して可溶となる。また、架橋密度が低いため、機械的耐久性が低くなる。

以下、具体的な化合物の例をあげて、架橋表面層の形成方法を説明するが、本発明はこれに限定されない。上述の一般式（２）で表されるラジカル重合性官能基当量が３００以下の単官能ラジカル重合性化合物としてアクリロイルオキシ基を１個有する化合物を使用し、電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物としてアクリロイルオキシ基を３個有する化合物を使用し、電荷輸送性構造を有する単官能のラジカル重合性化合物として、アクリロイルオキシ基を１個有するトリアリールアミン化合物を用いる場合を記載する。

一般式（２）で表されるアクリロイルオキシ基を１個有する化合物と、アクリロイルオキシ基を３個有する化合物と、の質量比は、通常１／９〜７／３の範囲であり、好ましくは４／６〜６／４である。また、１個のアクリロイルオキシ基を有するトリアリールアミン化合物と、アクリロイルオキシ基を１個有する化合物とアクリロイルオキシ基を３個有する化合物の総質量の比は、３／７〜７／３の範囲であることが耐摩耗性及び電気特性の観点から好ましい。また、これらアクリロイルオキシ基を有する化合物の総質量に対して、通常、３〜２０％の重合開始剤と、溶媒を添加して、塗布液を調製する。

架橋表面層の下層に、例えば、電荷輸送層としてトリアリールアミン系ドナーを使用し、バインダー樹脂としてポリカーボネートを使用し、架橋表面層をスプレー塗工により形成する場合、塗布液の溶媒としては、テトラヒドロフラン、２−ブタノン、酢酸エチル等が好ましく使用することができる。塗布液の溶媒の使用割合は、アクリレート化合物全量に対し、３倍量〜１０倍量であることが好ましい。

アルミシリンダー等の支持体上に、例えば、下引き層、電荷発生層、上記電荷輸送層を順次積層した感光体上に、上記調製した塗布液を塗布し、指触乾燥を経て、光照射などにより硬化反応を進行させる。

硬化方法として紫外線照射を行う場合、メタルハライドランプ等を用いることができる。紫外線照射の照度は、５０ｍＷ／ｃｍ２以上、１０００ｍＷ／ｃｍ２以下であることが好ましい。例えば、７００ｍＷ／ｃｍ２のＵＶ光を照射する場合、ドラムを回転して全ての面を均一に２分程度照射する。この時、熱媒体等を用いて、表面温度が高くなりすぎないように制御する。

硬化終了後は、残留溶媒を低減するために、１００〜１５０℃で１０分〜３０分加熱して、静電潜像担持体を得ることができる。

本発明の静電潜像担持体における、架橋表面層の厚みは、１〜３０μｍであることが好ましく、２〜２０μｍであることがより好ましく、４〜１５μｍであることがさらに好ましい。架橋表面層の厚みが１μｍより薄い場合、キャリアが付着する際の、静電潜像担持体表面へのめりこみ量に対して、架橋表面層膜厚が小さい。そのため、静電潜像担持体が十分な耐久性を有さないことがある。一方、架橋表面層の厚みが３０μｍよりも厚い場合、残留電位が上昇することがある。架橋表面層の厚みが１〜３０μｍの場合、摩耗や傷に対して耐久性を有し、かつ、残留電位の発生が少なくなるため好ましい。

硬化反応のための加熱又は光照射は、周囲雰囲気の酸素濃度を低くすることが、架橋を促進できるため好ましい。周囲雰囲気の酸素濃度を低くすることにより、酸素によるラジカル重合の阻害を低減できるため、架橋密度が高い架橋表面層を形成することができる。また、スプレーコート法により塗布液を塗布する際及び、指触乾燥する際に、窒素で置換することにより、周囲雰囲気の酸素濃度を低下させることも好ましい。

架橋表面層は、下記で挙げる有機フィラー又は無機フィラーをさらに含むことが好ましい。架橋表面層がフィラーを含むことにより、静電潜像担持体の耐摩耗性を向上させることができる。また、フィラーを含むことにより、架橋表面層の表面に、微細な凹凸が形成される。そのため静電潜像担持体に潤滑剤が付与されやすくなるため、好ましい。

有機フィラーとしては、特に限定されないが、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂、シリコーン樹脂、アモルファスカーボン等を使用することができる。これらは１種類を単独で使用してもよく、２種類以上を併用して使用してもよい。

無機フィラーとしては、特に限定されないが、銅、スズ、アルミニウム、インジウム等の金属、酸化ケイ素、酸化スズ、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化ビスマス等の金属酸化物、チタン酸カリウム等を使用することができる。これらは１種類を単独で使用しても良く、２種類以上を併用して使用してもよい。

上述のフィラーは、硬度の点から、無機フィラーを使用することが好ましく、無機フィラーの中でも、静電特性の点から、金属酸化物を使用することが好ましい。さらに、金属酸化物の中でも、酸化ケイ素（コロイダルシリカ）、酸化アルミニウム（コロイダルアルミナ）、酸化チタンを使用することが好ましい。

フィラーの平均一次粒径は、０．０１〜０．５μｍであることが好ましい。フィラーの平均一次粒径が０．０１μｍ未満の場合、静電潜像担持体の耐摩耗性が低下することがある。一方、フィラーの平均一次粒径が０．５μｍを超える場合、架橋表面層の光の透過率が低下することがある。

架橋表面層におけるフィラーの含有量は、通常、５〜５０質量％であり、５〜３０質量％であることが好ましい。架橋表面層中のフィラーの含有量が５質量％未満の場合、静電潜像担持体の耐摩耗性が低下することがある。一方、架橋表面層におけるフィラーの含有量が３０質量％を超える場合、静電特性が低下することがある。また、架橋表面層の光の透過率が低下することがある。

なお、フィラーは、表面処理剤により表面処理されていてもよい。これにより、架橋表面層中のフィラーの分散性を向上させることができる。表面処理剤としては、特に限定されないが、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコアルミネート系カップリング剤、高級脂肪酸、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、シリコーン樹脂、ステアリン酸アルミニウム等を使用することができる。これらは、１種類を単独で使用してもよく、２種類以上を併用して使用することができる。

表面処理剤の含有量は、通常、フィラーに対して、３〜３０質量％であり、５〜２０質量％であることが好ましい。表面処理剤の含有量が、フィラーに対して、３質量％未満の場合、架橋表面層中のフィラーの分散性が悪化することがある。一方、表面処理剤の含有量が、フィラーに対して３０質量％を超える場合、静電潜像担持体の静電特性が低下することがある。

次に、本発明の静電潜像担持体のその他の構造について、詳細に説明する。

≪複層型≫
複層型では、静電潜像担持体は、支持体と、支持体上に電荷発生層（ＣＧＬ）、及び電荷輸送層（ＣＴＬ）を、順次積層し、積層型感光層を設けている。

［電荷発生層］
電荷発生層は、電荷発生物質を含有し、バインダー樹脂やその他の成分を含んでも良い。電荷発生物質としては、特に限定されないが、無機材料としては、結晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル化合物、セレン−テルル−ハロゲン化合物、セレン−ヒ素化合物、等が挙げられる。電荷発生物質としては、有機材料としては、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系または多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン又はトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノンまたはナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料、等が挙げられる。これらは、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を併用してもよい。

電荷発生層に含まれるバインダー樹脂としては、特に限定されないが、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルケトン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、等が挙げられる。これらは、１種類を単独で使用しても良いし、２種類以上を併用しても使用しても良い。

電荷発生層は、電荷輸送物質を含んでも良い。電荷発生層は、バインダー樹脂として、高分子電荷輸送物質を含んでも良い。

電荷発生層を形成する方法としては、グロー放電重合法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、加速イオンインジェクション法等の真空薄膜作製法、浸漬塗布法、スプレーコート法、ビードコート法等のキャスティング法等が挙げられる。真空薄膜作製法は、上述した電荷発生物質の無機系材料又は有機系材料を良好に形成することができる。

キャスティング法を用いて電荷発生層を形成する際に用いられる塗布液に含まれる溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、シクロヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ジクロロプロパン、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエタン、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、プロピルセロソルブ等が挙げられ、２種類以上併用してもよい。中でも、塗膜の乾燥性の点で、沸点が４０〜８０℃のテトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、ジクロロメタン、メタノール、エタノールが好ましい。

塗布液は、溶媒中に電荷発生物質を溶解又は分散させることにより調製することができる。

溶媒中に電荷発生物質を溶解又は分散させる方法としては、ボールミル、ビーズミル、サンドミル、振動ミル等の分散メディアを用いる方法、高速液衝突分散方法等が挙げられる。

光感度などの電子写真特性は、電荷発生層の厚さ大きく依存する。電荷発生層の厚さは、通常、０．０１〜５μｍであり、０．０５〜２μｍであることが好ましい。

［電荷輸送層］
電荷輸送層が最表面層の静電潜像担持体を使用する場合、電荷輸送層は、前述の架橋表面層を有する架橋膜である。この場合、電荷輸送層の耐摩耗性は低くても良いが、帯電電荷を保持させるために、電荷輸送層の電気抵抗が高いことが好ましい。また、保持する帯電電荷により高い表面電位を得るために、電荷輸送層の誘電率が小さく、電荷移動性が良いことが好ましい。

電荷輸送層は、主として、電荷輸送物質及びバインダー樹脂を有する。電荷輸送物質としては、正孔輸送物質、電子輸送物質等の低分子型の電荷輸送物質を使用することができ、必要に応じて高分子電荷輸送物質を添加しても良い。

電荷輸送物質の正孔輸送物質としては、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体、等が挙げられる。これらは、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を併用してもよい。

高分子電荷輸送物質としては、以下に示す化合物などを使用できる。

（ａ）カルバゾール環を有する重合体
例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特開昭５０−８２０５６号公報、特開昭５４−９６３２号公報、特開昭５４−１１７３７号公報、特開平４−１７５３３７号公報、特開平４−１８３７１９号公報、特開平６−２３４８４１号公報に記載の化合物等が例示される。

（ｂ）ヒドラゾン構造を有する重合体
例えば、特開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６１−２０９５３号公報、特開昭６１−２９６３５８号公報、特開平１−１３４４５６号公報、特開平１−１７９１６４号公報、特開平３−１８０８５１号公報、特開平３−１８０８５２号公報、特開平３−５０５５５号公報、特開平５−３１０９０４号公報、特開平６−２３４８４０号公報に記載の化合物等が例示される。

（ｃ）ポリシリレン重合体
例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報、特開平１−８８４６１号公報、特開平４−２６４１３０号公報、特開平４−２６４１３１号公報、特開平４−２６４１３２号公報、特開平４−２６４１３３号公報、特開平４−２８９８６７号公報に記載の化合物等が例示される。

（ｄ）トリアリールアミン構造を有する重合体
例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノポリスチレン、特開平１−１３４４５７号公報、特開平２−２８２２６４号公報、特開平２−３０４４５６号公報、特開平４−１３３０６５号公報、特開平４−１３３０６６号公報、特開平５−４０３５０号公報、特開平５−２０２１３５号公報に記載の化合物等が例示される。
される。

（ｅ）その他の重合体
例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特開昭５１−７３８８８号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特開平６−２３４８３６号公報、特開平６−２３４８３７号公報に記載の化合物等が例示される。

これら以外の高分子電荷輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン構造を有するポリカーボネート樹脂、トリアリールアミン構造を有するポリウレタン樹脂、トリアリールアミン構造を有するポリエステル樹脂、トリアリールアミン構造を有するポリエーテル樹脂、等が挙げられる。

このような高分子電荷輸送物質としては、特開昭６４−１７２８号公報、特開昭６４−１３０６１号公報、特開昭６４−１９０４９号公報、特開平４−１１６２７号公報、特開平４−２２５０１４号公報、特開平４−２３０７６７号公報、特開平４−３２０４２０号公報、特開平５−２３２７２７号公報、特開平７−５６３７４号公報、特開平９−１２７７１３号公報、特開平９−２２２７４０号公報、特開平９−２６５１９７号公報、特開平９−２１１８７７号公報、特開平９−３０４９５６号公報、等に記載の化合物が挙げられる。

また、電子供与性基を有する重合体は、公知の単量体との共重合体、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマー等であって良い。さらに、電子供与性基を有する重合体としては、特開平３−１０９４０６号公報に開示されているような電子供与性基を有する架橋重合体等を使用することができる。

電荷輸送物質の電子輸送物質としては、公知のものを当業者が選択して使用することができる。具体的には、フルオレン系化合物、キノン系化合物を使用することができ、これらは１種類を単独で使用しても良く、２種類以上を併用して使用しても良い。

電荷輸送層はバインダー樹脂を含んでも良い。バインダー樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、フェノキシ樹脂等が用いられる。これらは、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を併用してもよい。

電荷輸送層は、架橋性を有するバインダー樹脂と架橋性を有する電荷輸送物質とを、架橋させて形成しても良い。

なお、電荷輸送層は、架橋性を有するバインダー樹脂と架橋性を有する電荷輸送物質を架橋させて形成してもよい。

電荷輸送層は、電荷輸送物質及びバインダー樹脂を溶媒中に溶解又は分散させた塗布液を電荷発生層上に塗布することにより形成することができる。

電荷輸送層は、可塑剤、酸化防止剤、レベリング剤等をさらに含んでいてもよい。

電荷輸送層の厚さは、通常、５〜１００μｍであり、１２００ｄｐｉ以上の高画質化を達成するためには、５〜３０μｍが好ましい。

≪単層型≫
単層型感光層では、静電潜像担持体は、支持体上に単層型の感光層を有する。

単層型の感光層が、最表面層の静電潜像担持体を使用する場合、感光層は、前述の架橋表面層を有する架橋膜を有する。この場合、感光層の耐摩耗性は低くても良い。また、感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質、バインダー樹脂、その他の成分を含んで良い。

単層型感光層、例えば、電荷発生物質と、バインダー樹脂と、電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形成することができる（キャスティング法）。また、単層感光層には、可塑剤を含んでも良い。

単層型感光層の厚さは、通常、５〜１００μｍであり、５〜５０μｍであることが好ましい。単層型感光層の厚さ膜厚が５μｍ未満であると帯電性が低下することがある。単層型感光層の厚さが１００μｍを超えると感度の低下をもたらすことがある。

≪支持体≫
感光体における支持体は、体積抵抗１０^１０Ω・ｃｍ以下の導電性を示すものであれば特に制限はなく、特に制限はなく、目的に応じて当業者が適宜選択することができる。

支持体の材料としては、具体的には、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属、またはそれらの合金；酸化スズ、酸化インジウム等の金属酸化物を蒸着又はスパッタリングにより、フィルム状或いは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの；アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板又はそれらを押し出し、引き抜き等の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩などの表面処理を施した管など等が挙げられる。また、特開昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも使用できる。さらに、厚み５０μｍ〜１５０μｍのニッケル箔でもよく、厚み５０μｍ〜１５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの表面にアルミニウム蒸着等の導電加工を行ったものでもよい。またさらに、前述の支持体に、導電性粉体を結着樹脂に分散して塗工したものを使用しても良い。

導電性粉体としては、例えば、カーボンブラック、アセチレンブラック；アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などの金属粉；導電性酸化スズ、ＩＴＯなどの金属酸化物粉体；などが挙げられる。また、結着樹脂としては、ポリスチレン樹脂、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルトルエン樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等が挙げられる。

導電性粉体を結着樹脂に分散して塗工する方法としては、前述の導電性粉体及び結着樹脂を例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、メチルエチルケトン、トルエンなどの溶媒に分散して塗布することにより形成することができる。

他にも、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン（登録商標）などの円筒基体上に、前述の導電性粉体を含有させた熱収縮チューブによって導電性層を設けて支持体としてしても良い。

≪下引き層≫
下引き層は、接着性の向上、モアレなどの防止、上層の塗工性改良、残留電位の低減などを目的として設けられる。

下引き層は、電荷発生層又は感光層を形成する際に、塗布液が塗布されることを考慮すると、有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが好ましい。例えば、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物、あるいは金属硫化物、金属窒化物などの微粉末を加えても良い。

下引き層は、塗工法などによって形成することができる。

また、下引き層としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を用いて、ゾル−ゲル法により形成されている金属酸化物、陽極酸化により形成されている酸化アルミニウム、ポリパラキシリレン（パリレン）、真空薄膜作製法により形成されている酸化スズ（ＩＶ）、二酸化チタン、ＩＴＯ、酸化セリウム等であってもよい。

下引き層の厚さは、通常、０．１〜１０μｍであり、１〜５μｍが好ましい。

なお、感光層、架橋表面層、電荷輸送層、電荷発生層、下引き層又は中間層等の各層には、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、酸化防止剤を添加しても良い。

［画像形成装置］
本発明の画像形成装置について、図を参照して説明する。本発明の画像形成装置は静電潜像担持体、静電潜像担持体を帯電する帯電手段、帯電した静電潜像担持体に露光して静電潜像を形成する露光手段、静電潜像担持体に形成された静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成する現像手段、静電潜像担持体に形成されたトナー像を記録媒体に転写させる転写手段を有する。

図５は、本発明の画像形成装置の一例を示す概略図を示す。画像形成装置１００Ａは、ドラム状の感光体（静電潜像担持体）１０を有し、例えば、反時計回りに回転駆動される。

以下、画像形成装置１００Ａを用いて、画像を形成する方法について説明するが、本発明はこの点において限定されない。除電ランプ１０１により感光体１０の表面を除電した後、帯電器１０２により感光体１０の表面を帯電させる。次に、図示しない露光器により、感光体１０の表面に露光光Ｌが照射され、静電潜像が形成される。その後、現像器１０３により、静電潜像がトナーで現像され、トナー像が形成される。さらに、転写前帯電器１０４により、感光体１０の表面に形成されたトナー像を帯電させた後、転写帯電器１０６により、レジストローラ１０５から供給された記録紙Ｐにトナー像が転写される。次に、分離帯電器１０７により、トナー像が転写された記録紙Ｐを帯電させた後、分離爪１０８により、記録紙Ｐが感光体１０から分離される。一方、クリーニング前帯電器１０９により、感光体１０の表面に残留したトナーを帯電させた後、クリーニングブラシ１１０、クリーニングブレード１１１により、感光体１０の表面に残留したトナーが除去される。

除電ランプ１０１及び露光器の光源としては、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）等を使用することができる。この時、所望の波長域の光を照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター又は色温度変換フィルター等を使用しても良い。

帯電器１０２、転写前帯電器１０４、転写帯電器１０６、分離帯電器１０７、クリーニング前帯電器１０９としては、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッド・ステート・チャージャー）又は帯電ローラ等を使用することができる。

帯電器として、コロトロンやスコロトロン帯電器を使用する場合、従来の架橋表面層を有する感光体を搭載した画像形成装置では、帯電器から放出される低抵抗物質によって帯電器近傍の感光体表面の抵抗値が下がることがあった。これにより、再稼働させた時に、帯電電位、露光後電位が低くなり、帯電器の幅の帯状の濃度ムラが発生してしまうことがあった。しかしながら、本発明の画像形成装置では、本発明に係る静電潜像担持体を使用しているため、低抵抗物質が架橋表面層に浸透しにくい、表面の抵抗が落ちにくい、帯状の濃度ムラが発生しにくい、構成となっている。

また、架橋表面層の下層に電荷輸送層が設けられている場合において、電荷輸送層がイオン化ポテンシャルの低い電荷輸送物質を含有すると、画像ボケや残留電位上昇が引き起こされることがある。しかしながら、本発明に係る静電潜像担持体を有する画像形成装置では、画像ボケなどの異常画像の発生が抑制される。これは、帯電器の放電によって発生する酸化性ガスが表面層を透過しにくいためであると考えられる。

潤滑剤塗布ブラシ１１０としては、特に限定されないが、ファーブラシ、マグファーブラシ等を使用することができる。

クリーニングブレード１１１の材料としては、特に限定されないが、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ウレタンエラストマー、シリコーンエラストマー、フッ素エラストマー等が挙げられる。この中でも、耐摩耗性、耐オゾン性、耐汚染性の点から、ウレタンエラストマーを使用することが好ましい。

クリーニングブレード１１１は、硬度（ＪＩＳ−Ａ）が６５〜８５度であることが好ましい。また、クリーニングブレード１１１は、通常、厚さが０．８〜３．０ｍｍであり、突き出し量が３〜１５ｍｍであることが好ましい。

トナーとしては、特に限定されず、例えば、結着樹脂、着色剤を含む母体粒子に、外添剤を添加したトナー等を使用することができる。この時、母体粒子は、離型剤、帯電制御剤等のその他の成分を含んでいてもよい。

図６に、本発明の画像形成装置の他の例の概略図を示す。画像形成装置１００Ｂは、ベルト状の感光体（静電潜像担持体）１０を有し、駆動ローラ１２１、従動ローラ１２２及び１２３により、張架されている構造になっている。感光体（静電潜像担持体）１０は、駆動ローラ１２１により、例えば、時計回りに回転駆動される。

画像形成装置１００Ｂを用いて、画像を形成する方法について説明するが、本発明はこの点において限定されない。除電ランプ１０１によりベルト状の感光体１０の表面を除電した後、帯電器１０２により感光体１０の表面を帯電させる。次に、図示しない露光器により、感光体１０の表面に露光光Ｌが照射され、静電潜像が形成される。その後、現像器１０３により、静電潜像がトナーで現像され、トナー像が形成される。さらに、転写帯電器１０６により、図示しない記録紙にトナー像が転写された後、クリーニングブラシ１１０、クリーニングブレード１１１により、感光体１０の表面に残留したトナーが除去される。さらに、クリーニングブラシ１２４により、感光体１０の表面に残留したトナーが除去される。

なお、クリーニングブラシ１２４は、クリーニングブラシ１１０と同一の構成のものを使用することができる。

［プロセスカートリッジ］
本発明のプロセスカートリッジは、感光体（静電潜像担持体）を有し、帯電手段、現像手段、クリーニング手段を一体に支持し、画像形成装置の本体に着脱可能である。

図７に、本発明のプロセスカートリッジの一例を示す。プロセスカートリッジ２００は、感光体１０、帯電器１０２、現像器１０３、クリーニングブラシ１１０及びクリーニングブレード１１１を含み、更に必要に応じてその他の手段を有する。２０３は露光手段（潜像形成手段）、２０５は記録媒体、２１０は搬送ローラである。

次に、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されない。なお、部は、質量部を意味する。

［実施例１］
アルミニウム製支持体（外径１００ｍｍφ）に、下記の下引き層用塗工液を、浸漬法により塗工し、下引き層を形成した。１３０℃で２０分乾燥した後の下引き層の膜厚は３．５μｍであった。

下引き層用塗工液（溶媒：メチルエチルケトン）：
アルキッド樹脂（ベッコライトＭ６４０１−５０、大日本インキ化学工業製）６部；
メラミン樹脂（スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製）
４部；
酸化チタン（ＣＲ−ＥＬ、石原産業製）４０部；
得られた下引き層上に、下記の電荷発生層塗工液を浸漬塗工し、電荷発生層を形成した。１３０℃で２０分乾燥した後の電荷発生層の膜厚は０．２μｍであった。

電荷発生層用塗工液：
Ｙ型チタニルフタロシアニン６部；
ブチラール樹脂ＢＸ−１（積水化学工業社製）４部；
２−ブタノン（関東化学製）２００部；
得られた電荷発生層上に、下記の電荷輸送層用塗工液を浸積塗工し、電荷輸送層を形成した。１３５℃で２０分乾燥した後の電荷輸送層の膜厚は２２μｍであった。

電荷輸送層用塗工液：
ビスフェーノルＺ型ポリカーボネート１０部；
下記構造式（７）の低分子電荷輸送物質１０部；

テトラヒドロフラン８０部；
得られた電荷輸送層上に、下記の架橋表面層用塗工液を窒素気流中でスプレー塗工後、１０分間窒素気流中に放置して指触乾燥した。その後、酸素濃度が２％以下となるようにブース内を窒素ガスで置換したＵＶ照射ブースにて、光照射を行った。

さらに、１３０℃で２０分乾燥し、実施例１の静電潜像担持体を得た。表面架橋層の膜厚は８μｍであった。
光照射条件：
メタルハライドランプ、１６０Ｗ／ｃｍ；
照射距離、１２０ｍｍ；
照射強度、７００ｍＷ／ｃｍ^２；
照射時間、８０秒；
架橋表面層塗工液：
表１の例示化合物Ｎｏ．Ｉ−２の単官能ラジカル重合性化合物（ＳＲ３３９Ａ、サートマー製、アクリル当量１９２）３部；
トリメチロールプロパントリアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製、アクリル当量９９、電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物）５部；
ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＣＡ−１２０、日本化薬製、アクリル当量３２４）２部；
下記構造式（８）の１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物（アクリル当量４２０）１０部；

表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−１に示したオキサゾール化合物０．５部；
１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製、光重合開始剤）１部；
テトラヒドロフラン１００部；
である。

［実施例２］
オキサゾール化合物として、表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−１の代わりに、表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−４を用いた以外は、実施例１と同様の工程により、実施例２の静電潜像担持体を得た。

［実施例３］
オキサゾール化合物として、表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−１の代わりに、表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−６を用いた以外は、実施例１と同様の工程により、実施例３の静電潜像担持体を得た。

［実施例４］
オキサゾール化合物として、表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−１の代わりに、表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−７を用いた以外は、実施例１と同様の工程により、実施例４の静電潜像担持体を得た。

［実施例５］
オキサゾール化合物として、表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−１の代わりに、表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−１０を用いた以外は、実施例１と同様の工程により、実施例５の静電潜像担持体を得た。

［実施例６］
オキサゾール化合物として、表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−１の代わりに、表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−１２を用いた以外は、実施例１と同様の工程により、実施例６の静電潜像担持体を得た。

［実施例７］
単官能ラジカル重合性化合物として、表１の例示化合物Ｎｏ．Ｉ−２の代わりに、表１の例示化合物Ｎｏ．Ｉ−３（アロニックスＭ−１０１Ａ、東亞合成製、アクリル当量２３６）を用いた以外は、実施例１と同様の工程により、実施例７の静電潜像担持体を得た。

［実施例８］
単官能ラジカル重合性化合物として、表１の例示化合物Ｎｏ．Ｉ−２の代わりに、表１の例示化合物Ｎｏ．Ｉ−７（アロニックスＭ−５７００、東亞合成製、アクリル当量２２２）を用いた以外は、実施例１と同様の工程により、実施例８の静電潜像担持体を得た。

［実施例９］
オキサゾール化合物として、表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−１の代わりに、表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−６を用い、その添加量を０．０３質量部に変更した以外は、実施例１と同様の工程により、実施例９の静電潜像担持体を得た。

［実施例１０］
表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−６の添加量を、０．０５質量部に変更した以外は、実施例９と同様の工程により、実施例１０の静電潜像担持体を得た。

［実施例１１］
表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−６の添加量を、１質量部に変更した以外は、実施例９と同様の工程により、実施例１１の静電潜像担持体を得た。

［実施例１２］
表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−６の添加量を、１．２質量部に変更した以外は、実施例９と同様の工程により、実施例１２の静電潜像担持体を得た。

［実施例１３］
表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−６の添加量を、１．５質量部に変更した以外は、実施例９と同様の工程により、実施例１３の静電潜像担持体を得た。

［実施例１４］
実施例１における単官能ラジカル重合性化合物の含有量を以下に変更し、１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物を以下に示す化合物に変更した以外は、実施例１と同様の工程により実施例１４の静電潜像担持体を得た。
単官能ラジカル重合性化合物の含有量は：
表１の例示化合物Ｎｏ．Ｉ−２の単官能ラジカル重合性化合物（ＳＲ３３９Ａ、サートマー製、アクリル当量１９２）２部；
トリメチロールプロパントリアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製、アクリル当量９９、電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物）５部；
ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＣＡ−１２０、日本化薬製 アクリル当量：３２４）３部；
であり、
１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物は、
下記構造式（９）の１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物（アクリル当量４４８）１０部を用いた。

［実施例１５］
実施例３の各化合物の含有量を、以下に変更した以外は、実施例３と同様の工程により、実施例１５の静電潜像担持体を得た。
表１の例示化合物Ｎｏ．Ｉ−２の単官能ラジカル重合性化合物（ＳＲ３３９Ａ；サートマー製 アクリル当量：１９２）４部；
トリメチロールプロパントリアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製、アクリル当量９９、電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物）４部；
ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＣＡ−１２０、日本化薬製、アクリル当量３２４）２部；
１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物は、
実施例１４の構造式（９）の１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物（アクリル当量４４８）１０部を用いた。

［実施例１６］
実施例３の各化合物の含有量を、以下に変更した以外は、実施例３と同様の工程により、実施例１６の静電潜像担持体を得た。
表１の例示化合物Ｎｏ．Ｉ−２（ＳＲ３３９Ａ、サートマー製、アクリル当量１９２）７部；
トリメチロールプロパントリアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製、アクリル当量９９、電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物）２部；
ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＣＡ−１２０、日本化薬製、アクリル当量３２４）１部；
１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物は、
実施例１４の構造式（９）の１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物（アクリル当量４４８）１０部を用いた。

［実施例１７］
実施例３の各化合物の含有量を、以下に変更した以外は、実施例３と同様の工程により、実施例１７の静電潜像担持体を得た。
表１の例示化合物Ｎｏ．Ｉ−２（ＳＲ３３９Ａ、サートマー製、アクリル当量１９２）８部；
トリメチロールプロパントリアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製、アクリル当量９９、電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物）１部；
ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＣＡ−１２０、日本化薬製、アクリル当量３２４）１部；
１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物は、
下記構造式（１０）の１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物（アクリル当量１８４）１０部を用いた。

［実施例１８］
実施例３の電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物のうち、ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレートを、表３の例示化合物Ｎｏ．ＩＩＩ−１に変更した以外は、実施例３と同様の工程により実施例１８の静電潜像担持体を得た。表３の例示化合物Ｎｏ．ＩＩＩ−１（ＳＲ４１５、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、サートマー製、アクリル当量４０７）を用いた。

［実施例１９］
実施例３の電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物のうち、ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレートを、表３の例示化合物Ｎｏ．ＩＩＩ−２に変更した以外は、実施例３と同様の工程により実施例１９の静電潜像担持体を得た。表３の例示化合物Ｎｏ．ＩＩＩ−２（ＳＲ９０３５、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、サートマー製、アクリル当量３１９）を用いた。

［実施例２０］
実施例３の電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物のうち、ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレートを、下記のラジカル重合性化合物に変更した以外は、実施例３と同様の工程により実施例２０の静電潜像担持体を得た。ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＣＡ−６０、日本化薬製、アクリル当量２１１）を用いた。

［実施例２１］
実施例３の電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物のうち、ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレートを、下記のラジカル重合性化合物に変更した以外は、実施例３と同様の工程により実施例２１の静電潜像担持体を得た。
ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート（ＳＲ３５５、サートマー製、アクリル当量１１７）を用いた。

［実施例２２］
実施例１の静電潜像担持体と同様に、アルミニウム製支持体に、下引き層、電荷発生層及び電荷輸送層を順次積層した。

得られた電荷輸送層上に、下記の架橋表面層用塗工液を窒素気流中でスプレー塗工後、１０分間窒素気流中に放置して指触乾燥した。その後、酸素濃度が２％以下となるようにブース内を窒素ガスで置換したＵＶ照射ブースにて、光照射を行った。

さらに、１３０℃で２０分乾燥し、実施例２２の静電潜像担持体を得た。表面架橋層の膜厚は４μｍであった。
光照射条件：
メタルハライドランプ、１６０Ｗ／ｃｍ；
照射距離、１２０ｍｍ；
照射強度、７００ｍＷ／ｃｍ^２；
照射時間、１００秒；
架橋表面層塗工液：
表１の例示化合物Ｎｏ．Ｉ−２の単官能ラジカル重合性化合物（ＳＲ３３９Ａ、サートマー製、アクリル当量１９２）３部；
トリメチロールプロパントリアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬製、アクリル当量９９、電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物）５部；
ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＣＡ−１２０、日本化薬製、アクリル当量３２４）２部；
実施例１４の構造式（９）の１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物１０部（アクリル当量４４８）；
表２の例示化合物Ｎｏ．ＩＩ−６に示したオキサゾール化合物０．５部；
アルミナ微粒子（ＡＡ−０３、住友化学工業製 平均一次粒径 ０．３μｍ）３部；
不飽和ポリカルボン酸ポリマーＢＹＫ−Ｐ１０４（ＢＹＫケミー製）０．０６部を用いた。

［実施例２３］
アルミナＡＡ−０３の代わりに、平均一次粒径が０．１μｍのシリカＫＭＰＸ１００（信越化学工業社製）を用いて、架橋表面層用塗布液を調製した以外は、実施例２２と同様の工程により、実施例２３の静電潜像担持体を得た。

［実施例２４］
アルミナＡＡ−０３の代わりに、平均一次粒径が０．２５μｍの酸化チタンＣＲ−９７（石原産業社製）を用いて、架橋表面層用塗布液を調製した以外は、実施例２２と同様の工程により、実施例２４の静電潜像担持体を得た。

［実施例２５］
アルミナＡＡ−０３（住友化学工業社製）の代わりに、平均一次粒径が０．２５μｍのＰＴＦＥ微粒子（三井・デュポンフロロケミカル製）を用いて、架橋表面層用塗布液を調製した以外は、実施例２２と同様の工程により、実施例２５の静電潜像担持体を得た。

［比較例１］
オキサゾール化合物を用いなかった以外は、実施例１と同様の工程により、比較例１の静電潜像担持体を得た。

［比較例２］
オキサゾール化合物を用いなかった以外は、実施例７と同様の工程により、比較例２の静電潜像担持体を得た。

［比較例３］
オキサゾール化合物を用いなかった以外は、実施例８と同様の工程により、比較例３の静電潜像担持体を得た。

［比較例４］
オキサゾール化合物の代わりに、下記構造式（１１）の紫外線吸収剤（ＵＶ−１）を使用した以外は、実施例１と同様の工程により、比較例４の静電潜像担持体を得た。

［比較例５］
オキサゾール化合物の代わりに、下記構造式（１２）の紫外線吸収剤（ＵＶ−２）を使用した以外は、実施例１と同様の工程により、比較例５の静電潜像担持体を得た。

［比較例６］
オキサゾール化合物の代わりに、下記構造式（１３）の１重項酸素クエンチャー（Ｑ−１）を使用した以外は、実施例１と同様の工程により、比較例６の静電潜像担持体を得た。

［比較例７］
単官能ラジカル重合性化合物として、表１の例示化合物Ｎｏ．Ｉ−２の代わりに、ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレート （ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＣＡ−１２０、日本化薬製 アクリル当量３２４）５部を用いた以外は、実施例３と同様の工程により、比較例７の静電潜像担持体を得た。

［比較例８］
表１の例示化合物Ｎｏ．Ｉ−２の単官能ラジカル重合性化合物を、下記構造式（１４）の単官能ラジカル重合性化合物に変更した以外は、実施例３と同様の工程により、比較例８の静電潜像担持体を得た。

構造式（１４）の単官能ラジカル重合性化合物は、アロニックスＭ１０２、東亞合成製、アクリル当量３２４である。

［比較例９］
表１の例示化合物Ｎｏ．Ｉ−２の単官能ラジカル重合性化合物を、下記構造式（１５）の単官能ラジカル重合性化合物に変更した以外は、実施例３と同様の工程により、比較例９の静電潜像担持体を得た。

構造式（１５）の単官能ラジカル重合性化合物は、アロニックスＭ１１１、東亞合成製、アクリル当量３１８である。

［比較例１０］
電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物を、下記構造式（１６）の２官能ラジカル重合性化合物に変更した以外は、実施例３と同様の工程により、比較例１０の静電潜像担持体を得た。

構造式（１６）の２官能ラジカル重合性化合物は、トリプロピレングリコールジアクリレート（ＳＲ３０６Ｈ、サートマー製、アクリル当量１５０）である。

［比較例１１］
１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物を用いなかった以外は、実施例３と同様の工程により、比較例１１の静電潜像担持体を得た。

［評価］
各実施例及び各比較例の静電潜像担持体に対して、以下の画像評価を実施した。

≪弾性変位率≫
本発明においては、架橋表面層の機械的強度を、微小表面硬度計による弾性変位率で評価した。

弾性変位率τｅは、ダイヤモンド圧子を用いた微小表面硬度計の負荷−除荷試験により測定することができる。図８に、本発明に係る架橋表面層の弾性変位率の測定方法を説明するための概略図を示す。

図８に示すように、先ず、圧子をサンプルに接触させ、接触した点（ａ）から、一定負荷速度で圧子を押し込む（負荷過程）。次に、予め設定された設定荷重に達したときの、最大変位（ｂ）で一定時間静止し、その後、一定除荷速度で圧子を引き上げる（除荷過程）。除荷の際に、最終的に圧子に荷重がかからなくなった点を、塑性変位（ｃ）とする。

図８を参照した測定方法で、得られた押し込み深さと荷重との関係を示す曲線の例を図９に示す。図９に示すように、最大変位（ｂ）と塑性変位（ｃ）弾性変位率τｅは以下の式（Ｉ）で算出される。

弾性変位率τｅ（％）＝［（最大変位）−（塑性変位）］／（最大変位）×１００・・・式（Ｉ）
なお、弾性変位率の測定は、通常、一定温湿度下で行われ、本実施の形態においては、温度２２℃、相対湿度５５％の環境条件下で行った。通常、弾性変位率が大きい程、架橋表面層の機械的強度が強く、耐摩耗性が高くなる。

本実施の形態では、微小硬さ測定システムＨ−１００（フィッシャーインストルメンツ製）、ビッカース圧子を用いて測定したが、弾性変位率が測定できれば、本発明はこれに限定されない。

また、弾性変位率τｅは、サンプル上の任意の５箇所について測定し、この５個の値の平均値として算出した。測定においては、本発明の架橋表面層を有する感光体をアルミニウムシリンダー上に作製したものを用いた。弾性変位率τｅは、基板のバネ特性の影響を受けるため、基板としては剛直な金属版、スライドガラスなどを使用することが好ましい。また、架橋表面層の下層（例えば、電荷輸送層、電荷発生層など）の硬度や弾性の要素も影響するため、最大変位が架橋表面層膜厚の１／８となるように、規定加重を調整した。架橋表面層のみを、単独で基板上に作製する方法では、下層成分の混入、下層との接着性により、静電潜像担持体の表面架橋層を正確に再現できないため、上述のような方法を採用した。

≪露光電位≫
実施例及び比較例で得られた静電潜像担持体を、リコー製 フルカラープリンタ ＲＩＣＯＨ Ｐｒｏ Ｃ９００ 改造機のブラックステーションに搭載した。その後、ブラック単色の画像面積率が５％となるＡ４サイズのハーフトーンテストチャートを２０万枚出力し、その後ベタ画像を５０枚連続で出力した。露光部電位ＶＬは、５０枚連続出力時の、４６〜５０枚目の５枚のベタ部電位を測定し、その平均値を採用した。

≪濃度ムラ評価≫
１５℃２０％ＲＨ環境下で、リコー製 フルカラープリンタ ＲＩＣＯＨ Ｐｒｏ Ｃ９００ 改造機（帯電器として、事前に２００時間以上放電させたものを搭載）のブラックステーションに静電潜像担持体を搭載した。画像評価は下記の条件で実施した。

ブラック単色のテストチャートを２００００枚連続出力し、その後、画像形成装置本体の電源を切る。２４時間経過した後、画像形成装置本体の電源を投入し、１２００ｄｐｉ ２ｂｙ２のブラック単色の全面ハーフトーン画像を出力し、帯電器の幅に相当する濃度ムラの有無を評価した。

評価基準は、
◎：濃度ムラ発生せず、
○：わずかに濃度ムラが発生したが実用上許容できるレベル、
×：帯電器幅の濃度ムラが顕著に発生し、許容できないレベル、
とした。

≪耐ガス性評価≫
ＮＯｘ暴露試験機（ダイレック製）を用い、ＮＯ／ＮＯ２＝５０／５０ｐｐｍの雰囲気化で７２時間静電潜像担持体を暴露した後、リコー製 フルカラープリンタ ＲＩＣＯＨ Ｐｒｏ Ｃ９００ 改造機のブラックステーションに搭載し、画像ボケの発生の有無を評価した。

評価基準は、
◎：画像ボケ発生せず、
○：わずかに画像ボケが発生したが実用上許容できるレベル、
×：暴露した部分が画像ボケを発生し、許容できないレベル、
とした。

≪耐久性評価≫
静電潜像担持体を、常温常湿環境下でリコー製 フルカラープリンタ ＲＩＣＯＨ Ｐｒｏ Ｃ９００ 改造機のブラックステーションに搭載し、ブラック単色のテストチャートを２０万枚連続出力した。連続出力前後の静電潜像担持体の膜厚から、表面層の摩耗量を算出した。また、表面のキズと、２０万枚連続出力後のベタ画像の画像濃度を、目視により評価した。

各評価の評価結果を表４に示す。

表４から、本発明の静電潜像担持体（感光体）は、濃度ムラ、ボケの発生が抑えられ、かつ十分な機械的耐久性を有する。また、電気特性に優れ、長期間の繰返し使用においても、良好な画像を出力し続けられることがわかった。

１０ 静電潜像担持体
１１ 支持体
１２ 感光層
１３ 電荷発生層
１４ 電荷輸送層
１５ 下引き層
１６ 保護層

特開２００６−０９９０２８号公報

Claims (10)

1. 導電性支持体上に感光層を有する静電潜像担持体において、前記感光層の表面は、
   下記一般式（１）で表され、ラジカル重合性官能基数に対する分子量の割合が３００以下である単官能ラジカル重合性化合物と、
   電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物と、
   電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物と、
   を含む架橋表面層を有し、
   前記架橋表面層は更に、下記一般式（２）又は下記一般式（３）で表されるオキサゾール化合物を含有する、静電潜像担持体。
   

   

   （一般式（１）中、Ｘａはラジカル重合性官能基を表し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基又は置換基により置換されていてもよいアルキル基を表し、Ｙ_１は置換基により置換されていてもよい二価のアルキレンオキサイド基を表し、Ｙ_２は単結合、エーテル結合又はエステル結合を表し、ｍは１又は２である。）
   

   

   （一般式（２）中、Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｚｘは、ビニレン基、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の２価基又は２，５−チオフェンジイル基を表す。）
   

   

   （一般式（３）中、Ａｒ_ｘとＡｒ_ｙは、それぞれ独立に、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の１価基を表し、Ｚｙは、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素の２価基を表し、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。）
2. 前記オキサゾール化合物の含有量は、前記電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物の質量に対して、０．５〜１０質量％である、請求項１に記載の静電潜像担持体。
3. 前記電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物のラジカル重合性反応基は、アクリロイルオキシ基である、請求項１又は２に記載の静電潜像担持体。
4. 前記単官能ラジカル重合性化合物と、前記電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物と、の含有量の比の値が、１／９〜７／３である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の静電潜像担持体。
5. 前記電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物は単官能である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の静電潜像担持体。
6. 前記電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物は、ラジカル重合性官能基数に対する分子量の割合が３００以上である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の静電潜像担持体。
7. 前記電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性化合物は、ラジカル重合性官能基数に対する分子量の割合が３００以上のモノマーを含む、請求項１乃至６のいずれかに一項に記載の静電潜像担持体。
8. 前記架橋表面層は、有機フィラー微粒子又は無機フィラー微粒子を含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の静電潜像担持体。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の静電潜像担持体と、
   前記静電潜像担持体を帯電させる帯電手段と、
   帯電された前記静電潜像担持体に露光して静電潜像を形成する露光手段と、
   前記静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像手段と、
   前記トナー像を記録媒体に転写させる転写手段と
   を有する画像形成装置。
10. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の静電潜像担持体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段のうちの少なくとも一つと、を一体に支持するプロセスカートリッジ。

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