JP5816145B2 - 積層型インダクタ - Google Patents
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Description
本発明は、磁性体層と導体パターンを積層し、磁性体層間の導体パターンを接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンが形成され、パワーインダクタとして用いられる積層型インダクタに関するものである。
大電流が流れる電源回路やＤＣ／ＤＣコンバータ回路用のインダクタやトランス等として使用される積層型インダクタに、磁性体層と導体パターンを積層し、磁性体層間の導体パターンを螺旋状に接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンが形成されたものがある。
近年、この種のパワーインダクタとして用いられる積層型インダクタは、小型で、低損失で、大きな直流重畳許容電流値を有することが望まれている。しかしながら、従来の積層型インダクタは、コイルパターンが磁性体に埋設されているため、コイルパターンに流す直流電流を大きくすると、積層体の磁性体部分が局所的に磁気飽和するという問題があった。
この様な問題を解決するために、図６に示す様に、磁性体層と導体パターン６１Ａ〜６１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン６１Ａ〜６１Ｅを螺旋状に接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンを形成し、このコイルパターンを構成する導体パターン６１Ａ〜６１Ｅ間にそれぞれ第１の非磁性体部６２を形成すると共に、積層体の上下方向の表面に最も近い導体パターン６１Ａ、６１Ｅの積層体の上下方向の表面側に接触するように第２の非磁性体部６３を形成することが行われる（例えば、特許文献１を参照。）。
この様な従来の積層型インダクタは、積層体の上下方向の表面に最も近い導体パターンの積層体の上下方向の表面側に接触するように第２の非磁性体部を形成しているため、磁気抵抗を小さくできる。しかしながら、この様な従来の積層型インダクタは、直流電流値を大きくするために第２の非磁性体部の体積を大きくした場合、第２の非磁性体部と積層体の上下方向の表面の距離が小さくなり、この部分の磁性体の体積が減少してインダクタンス値が小さくなったり、直流電流値がかえって小さくなったりするという問題があった。
この様な問題を解決するために、図７に示す様に、磁性体層と導体パターン７１Ａ〜７１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン７１Ａ〜７１Ｅを螺旋状に接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンを形成し、このコイルパターンを構成する導体パターン７１Ａ〜７１Ｅ間にそれぞれ第１の非磁性体部７２を形成すると共に、積層体の上下方向の表面に最も近い導体パターン７１Ａ、７１Ｅの積層体の上下方向の表面側よりも内側に第２の非磁性体部７３を分割して形成することが提案されている（例えば、特許文献２を参照。）。
さらに、従来の別の積層型インダクタに、図８に示す様に、磁性体層と導体パターン８１Ａ〜８１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン８１Ａ〜８１Ｅを螺旋状に接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンを形成し、このコイルパターンを構成する導体パターン８１Ａ〜８１Ｅ間にそれぞれ第１の非磁性体部８２を形成すると共に、任意の導体パターン間に非磁性体層８４を形成したものがある（例えば、特許文献３、４を参照。）。
近年、この種のパワーインダクタとして用いられる積層型インダクタは、小型で、低損失で、大きな直流重畳許容電流値を有することが望まれている。しかしながら、従来の積層型インダクタは、コイルパターンが磁性体に埋設されているため、コイルパターンに流す直流電流を大きくすると、積層体の磁性体部分が局所的に磁気飽和するという問題があった。
この様な問題を解決するために、図６に示す様に、磁性体層と導体パターン６１Ａ〜６１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン６１Ａ〜６１Ｅを螺旋状に接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンを形成し、このコイルパターンを構成する導体パターン６１Ａ〜６１Ｅ間にそれぞれ第１の非磁性体部６２を形成すると共に、積層体の上下方向の表面に最も近い導体パターン６１Ａ、６１Ｅの積層体の上下方向の表面側に接触するように第２の非磁性体部６３を形成することが行われる（例えば、特許文献１を参照。）。
この様な従来の積層型インダクタは、積層体の上下方向の表面に最も近い導体パターンの積層体の上下方向の表面側に接触するように第２の非磁性体部を形成しているため、磁気抵抗を小さくできる。しかしながら、この様な従来の積層型インダクタは、直流電流値を大きくするために第２の非磁性体部の体積を大きくした場合、第２の非磁性体部と積層体の上下方向の表面の距離が小さくなり、この部分の磁性体の体積が減少してインダクタンス値が小さくなったり、直流電流値がかえって小さくなったりするという問題があった。
この様な問題を解決するために、図７に示す様に、磁性体層と導体パターン７１Ａ〜７１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン７１Ａ〜７１Ｅを螺旋状に接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンを形成し、このコイルパターンを構成する導体パターン７１Ａ〜７１Ｅ間にそれぞれ第１の非磁性体部７２を形成すると共に、積層体の上下方向の表面に最も近い導体パターン７１Ａ、７１Ｅの積層体の上下方向の表面側よりも内側に第２の非磁性体部７３を分割して形成することが提案されている（例えば、特許文献２を参照。）。
さらに、従来の別の積層型インダクタに、図８に示す様に、磁性体層と導体パターン８１Ａ〜８１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン８１Ａ〜８１Ｅを螺旋状に接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンを形成し、このコイルパターンを構成する導体パターン８１Ａ〜８１Ｅ間にそれぞれ第１の非磁性体部８２を形成すると共に、任意の導体パターン間に非磁性体層８４を形成したものがある（例えば、特許文献３、４を参照。）。
図７の様な従来の積層型インダクタは、第２の非磁性体部と積層体間の磁性体の体積を増やせるものの、充分な特性が得られていない。
また、図８の様な従来の積層型インダクタは、層全体に非磁性体を形成しているので、非磁性体層の厚みを減少させることができると共に、非磁性体層によって磁気抵抗を増加させることで直流重畳特性を改善することができる。しかしながら、この様な従来の積層型インダクタは、磁気抵抗の増加から交流損失が増大する。また、この様な従来の積層型インダクタにおいて、非磁性体層の厚みや非磁性体層の層数によってインダクタンス値を調整した場合、非磁性体層の厚みや非磁性体層の層数の増加は磁気抵抗が大きくなり、損失が大きくなる。
また、図８の様な従来の積層型インダクタは、層全体に非磁性体を形成しているので、非磁性体層の厚みを減少させることができると共に、非磁性体層によって磁気抵抗を増加させることで直流重畳特性を改善することができる。しかしながら、この様な従来の積層型インダクタは、磁気抵抗の増加から交流損失が増大する。また、この様な従来の積層型インダクタにおいて、非磁性体層の厚みや非磁性体層の層数によってインダクタンス値を調整した場合、非磁性体層の厚みや非磁性体層の層数の増加は磁気抵抗が大きくなり、損失が大きくなる。
本発明は、小型で、低損失で、大きな直流重畳許容電流値を得ることができる積層型インダクタを提供することを目的とする。
本発明は、磁性体層と導体パターンを積層し、磁性体層間の導体パターンを接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンが形成された積層型インダクタにおいて、導体パターン間にそれぞれ第１の非磁性体部を形成し、積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの表面側の導体パターンに囲まれた部分に第２の非磁性体部を形成し、第２の非磁性体部間に積層体表面に露出する非磁性体層を形成する。
また、本発明は、磁性体層と導体パターンを積層し、磁性体層間の導体パターンを接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンが形成された積層型インダクタにおいて、導体パターン間にそれぞれ第１の非磁性体部を形成し、積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの表面側よりも内側の導体パターンに囲まれた部分に第２の非磁性体部を形成し、第２の非磁性体部間に積層体表面に露出する非磁性体層を形成する。
また、本発明は、磁性体層と導体パターンを積層し、磁性体層間の導体パターンを接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンが形成された積層型インダクタにおいて、導体パターン間にそれぞれ第１の非磁性体部を形成し、積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの表面側よりも内側の導体パターンに囲まれた部分に第２の非磁性体部を形成し、第２の非磁性体部間に積層体表面に露出する非磁性体層を形成する。
本発明は、磁性体層と導体パターンを積層し、磁性体層間の導体パターンを接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンが形成された積層型インダクタにおいて、導体パターン間にそれぞれ第１の非磁性体部を形成し、積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの表面側の導体パターンに囲まれた部分に第２の非磁性体部を形成し、第２の非磁性体部間に積層体表面に露出する非磁性体層を形成するので、小型で、低損失で、大きな直流重畳許容電流値を得ることができる。
また、本発明は、磁性体層と導体パターンを積層し、磁性体層間の導体パターンを接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンが形成された積層型インダクタにおいて、導体パターン間にそれぞれ第１の非磁性体部を形成し、積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの表面側よりも内側の導体パターンに囲まれた部分に第２の非磁性体部を形成し、第２の非磁性体部間に積層体表面に露出する非磁性体層を形成するので、低損失で、大きな直流重畳許容電流値を得ることができる。
また、本発明は、磁性体層と導体パターンを積層し、磁性体層間の導体パターンを接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンが形成された積層型インダクタにおいて、導体パターン間にそれぞれ第１の非磁性体部を形成し、積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの表面側よりも内側の導体パターンに囲まれた部分に第２の非磁性体部を形成し、第２の非磁性体部間に積層体表面に露出する非磁性体層を形成するので、低損失で、大きな直流重畳許容電流値を得ることができる。
本発明の積層型インダクタは、磁性体層と導体パターンを積層し、磁性体層間の導体パターンを接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンが形成される。このコイルパターンを構成する導体パターン間にはそれぞれ第１の非磁性体部が形成される。また、このコイルパターンは、積層体の表面に最も近い導体パターンの表面側に接し、導体パターンに囲まれた部分又は、積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの表面側よりも内側の導体パターンに囲まれた部分に第２の非磁性体部が形成される。そして、この積層体の上層側の第２の非磁性体部と下層側の第２の非磁性体部間に、積層体表面まで露出する非磁性体層が形成される。
従って、本発明の積層型インダクタは、積層体内に２種類の磁気ギャップを形成することができるので、この２種類の磁気ギャップを利用して、コイルパターンと積層体の上下方向の表面間において磁性体として機能しないデットスペースを小さくでき、非磁性体層の厚みを最小限にして磁気抵抗が必要以上に上昇するのを防止できる。
従って、本発明の積層型インダクタは、積層体内に２種類の磁気ギャップを形成することができるので、この２種類の磁気ギャップを利用して、コイルパターンと積層体の上下方向の表面間において磁性体として機能しないデットスペースを小さくでき、非磁性体層の厚みを最小限にして磁気抵抗が必要以上に上昇するのを防止できる。
以下、本発明の積層型インダクタの実施例を図１乃至図５を参照して説明する。
図１は本発明の積層型インダクタの第１の実施例を示す断面図である。
図１において、１１Ａ〜１１Ｅは導体パターン、１２Ａ、１２Ｂは第１の非磁性体部、１３Ａ、１３Ｂは第２の非磁性体部である。
磁性体層は、Ｎｉ―Ｚｎ―Ｃｕ系フェライト等の絶縁性磁性体を用いて形成される。また、導体パターン１１Ａ〜１１Ｅは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
導体パターン１１Ａは、磁性体層上に磁性体層よりも小さく形成された非磁性体部１３Ａの表面に形成される。導体パターン１１Ａの一端は磁性体層の端面まで引き出される。この導体パターン１１Ａの内周と外周には、導体パターン１１Ａの厚みと同じ厚みの磁性体が形成される。また、この導体パターン１１Ａ上には非磁性体層１４Ａが積層される。非磁性体層１４Ａは、非磁性体部１３Ａが形成された磁性体層と同じ大きさに形成される。また、非磁性体部１３Ａと非磁性体層１４Ａは、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン１１Ｂは、非磁性体層１４Ａの表面に形成される。導体パターン１１Ｂの一端は導体パターン１１Ａの他端に接続される。この導体パターン１１Ｂ上には、その上下を貫通する非磁性体部１２Ａを備えた磁性体層が積層される。この磁性体層は、非磁性体部１２Ａが導体パターン１１Ｂの表面上に、導体パターン１１Ｂに沿って位置する様に積層される。非磁性体部１２ＡはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン１１Ｃは、非磁性体部１２Ａの表面に形成される。導体パターン１１Ｃの一端は導体パターン１１Ｂの他端に接続される。この導体パターン１１Ｃ上には、その上下を貫通する非磁性体部１２Ｂを備えた磁性体層が積層される。この磁性体層は、非磁性体部１２Ｂが導体パターン１１Ｃの表面上に、導体パターン１１Ｃに沿って位置する様に積層される。非磁性体部１２ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン１１Ｄは、非磁性体部１２Ｂの表面に形成される。導体パターン１１Ｄの一端は導体パターン１１Ｃの他端に接続される。この導体パターン１１Ｄの内周と外周には、導体パターン１１Ｄと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン１１Ｄ上には非磁性体層１４Ｂが積層される。この非磁性体層１４Ｂは、非磁性体部１２Ｂが形成された磁性体層と同じ大きさに形成される。非磁性体層１４ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン１１Ｅは、非磁性体層１４Ｂの表面に形成される。導体パターン１１Ｅの一端は導体パターン１１Ｄの他端に接続される。また、導体パターン１１Ｅの他端は、非磁性体層１４Ｂの端面まで引き出される。この導体パターン１１Ｅの内周と外周には、導体パターン１１Ｅと同じ厚みの磁性体層が形成される。この磁性体層の表面の導体パターン１１Ｅによって囲まれた部分全体には、導体パターン１１Ｅの内周と導体パターン１１Ｅの表面を覆う様に非磁性体部１３Ｂが形成される。非磁性体部１３Ｂの外周には、磁性体層が形成される。非磁性体部１３ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
この非磁性体部１３Ｂ上には磁性体層が積層される。
この様に磁性体層と導体パターン１１Ａ〜１１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン１１Ａ〜１１Ｅを螺旋状に接続して積層体内にコイルパターンが形成され、導体パターン１１Ｂ〜１１Ｄ間に非磁性体部１２Ａ、１２Ｂが形成され、積層体の表面に最も近い導体パターン１１Ａ、１１Ｅの積層体の表面側に接し、導体パターンに囲まれた部分に非磁性体部１３Ａ、１３Ｂが形成され、導体パターン１１Ａと導体パターン１１Ｂ間に非磁性体層１４Ａが形成され、導体パターン１１Ｄと導体パターン１１Ｅ間に非磁性体層１４Ｂが形成される。この積層体の端面には外部端子が形成され、積層体の端面に引き出された導体パターンが外部端子に接続される。
図１は本発明の積層型インダクタの第１の実施例を示す断面図である。
図１において、１１Ａ〜１１Ｅは導体パターン、１２Ａ、１２Ｂは第１の非磁性体部、１３Ａ、１３Ｂは第２の非磁性体部である。
磁性体層は、Ｎｉ―Ｚｎ―Ｃｕ系フェライト等の絶縁性磁性体を用いて形成される。また、導体パターン１１Ａ〜１１Ｅは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
導体パターン１１Ａは、磁性体層上に磁性体層よりも小さく形成された非磁性体部１３Ａの表面に形成される。導体パターン１１Ａの一端は磁性体層の端面まで引き出される。この導体パターン１１Ａの内周と外周には、導体パターン１１Ａの厚みと同じ厚みの磁性体が形成される。また、この導体パターン１１Ａ上には非磁性体層１４Ａが積層される。非磁性体層１４Ａは、非磁性体部１３Ａが形成された磁性体層と同じ大きさに形成される。また、非磁性体部１３Ａと非磁性体層１４Ａは、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン１１Ｂは、非磁性体層１４Ａの表面に形成される。導体パターン１１Ｂの一端は導体パターン１１Ａの他端に接続される。この導体パターン１１Ｂ上には、その上下を貫通する非磁性体部１２Ａを備えた磁性体層が積層される。この磁性体層は、非磁性体部１２Ａが導体パターン１１Ｂの表面上に、導体パターン１１Ｂに沿って位置する様に積層される。非磁性体部１２ＡはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン１１Ｃは、非磁性体部１２Ａの表面に形成される。導体パターン１１Ｃの一端は導体パターン１１Ｂの他端に接続される。この導体パターン１１Ｃ上には、その上下を貫通する非磁性体部１２Ｂを備えた磁性体層が積層される。この磁性体層は、非磁性体部１２Ｂが導体パターン１１Ｃの表面上に、導体パターン１１Ｃに沿って位置する様に積層される。非磁性体部１２ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン１１Ｄは、非磁性体部１２Ｂの表面に形成される。導体パターン１１Ｄの一端は導体パターン１１Ｃの他端に接続される。この導体パターン１１Ｄの内周と外周には、導体パターン１１Ｄと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン１１Ｄ上には非磁性体層１４Ｂが積層される。この非磁性体層１４Ｂは、非磁性体部１２Ｂが形成された磁性体層と同じ大きさに形成される。非磁性体層１４ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン１１Ｅは、非磁性体層１４Ｂの表面に形成される。導体パターン１１Ｅの一端は導体パターン１１Ｄの他端に接続される。また、導体パターン１１Ｅの他端は、非磁性体層１４Ｂの端面まで引き出される。この導体パターン１１Ｅの内周と外周には、導体パターン１１Ｅと同じ厚みの磁性体層が形成される。この磁性体層の表面の導体パターン１１Ｅによって囲まれた部分全体には、導体パターン１１Ｅの内周と導体パターン１１Ｅの表面を覆う様に非磁性体部１３Ｂが形成される。非磁性体部１３Ｂの外周には、磁性体層が形成される。非磁性体部１３ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
この非磁性体部１３Ｂ上には磁性体層が積層される。
この様に磁性体層と導体パターン１１Ａ〜１１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン１１Ａ〜１１Ｅを螺旋状に接続して積層体内にコイルパターンが形成され、導体パターン１１Ｂ〜１１Ｄ間に非磁性体部１２Ａ、１２Ｂが形成され、積層体の表面に最も近い導体パターン１１Ａ、１１Ｅの積層体の表面側に接し、導体パターンに囲まれた部分に非磁性体部１３Ａ、１３Ｂが形成され、導体パターン１１Ａと導体パターン１１Ｂ間に非磁性体層１４Ａが形成され、導体パターン１１Ｄと導体パターン１１Ｅ間に非磁性体層１４Ｂが形成される。この積層体の端面には外部端子が形成され、積層体の端面に引き出された導体パターンが外部端子に接続される。
この様に形成された積層型インダクタと従来の積層型インダクタをコイルパターンの巻軸径、導体パターン間の距離、コイルパターンの厚みを同じにした状態で、磁気ギャップの厚みで所定のインダクタンス値が得られる様に調整し、無負荷時のインダクタンス値、直流抵抗を同じに製造して直流重畳特性とＱ値を測定したところ図２の様になった。
図６に示した従来の積層型インダクタは、Ｂ２に示す様に１０ＭＨｚにおけるＱ値は高いものの、Ｂ１に示す様に直流重畳特性のインダクタンス値が−３０％となる電流値が２８００ｍＡとなった。また、図７に示した従来の積層型インダクタは、Ｃ２に示す様にＱ値とＣ１に示す直流重畳特性が図６のものよりも改善しているもののまだ不充分だった。さらに、図８に示した従来の積層型インダクタは、Ｄ１に示す様に直流重畳特性が図６、図７に示す従来の積層型インダクタよりも改善しているが、Ｄ２に示す様にＱ値が図６、図７に示す従来の積層型インダクタよりも劣化した。
それに対し、本発明の積層型インダクタは、Ａ１に示す様に直流重畳特性が図８に示した従来の積層型インダクタと同じ程度であるが、Ａ２に示す様にＱ値を図８に示す従来の積層型インダクタよりも改善できた。
これは非磁性体部１３Ａ、１３Ｂで非磁性体層１４Ａ、１４Ｂによる磁気抵抗の増加を低減することにより、従来両立させることが困難であった高い直流重畳特性と低い損失を得ることができた。
図６に示した従来の積層型インダクタは、Ｂ２に示す様に１０ＭＨｚにおけるＱ値は高いものの、Ｂ１に示す様に直流重畳特性のインダクタンス値が−３０％となる電流値が２８００ｍＡとなった。また、図７に示した従来の積層型インダクタは、Ｃ２に示す様にＱ値とＣ１に示す直流重畳特性が図６のものよりも改善しているもののまだ不充分だった。さらに、図８に示した従来の積層型インダクタは、Ｄ１に示す様に直流重畳特性が図６、図７に示す従来の積層型インダクタよりも改善しているが、Ｄ２に示す様にＱ値が図６、図７に示す従来の積層型インダクタよりも劣化した。
それに対し、本発明の積層型インダクタは、Ａ１に示す様に直流重畳特性が図８に示した従来の積層型インダクタと同じ程度であるが、Ａ２に示す様にＱ値を図８に示す従来の積層型インダクタよりも改善できた。
これは非磁性体部１３Ａ、１３Ｂで非磁性体層１４Ａ、１４Ｂによる磁気抵抗の増加を低減することにより、従来両立させることが困難であった高い直流重畳特性と低い損失を得ることができた。
図３は本発明の積層型インダクタの第２の実施例を示す断面図である。
磁性体層は、Ｎｉ―Ｚｎ―Ｃｕ系フェライト等の絶縁性磁性体を用いて形成される。また、導体パターン３１Ａ〜３１Ｅは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
導体パターン３１Ａは、磁性体層上に磁性体層よりも小さく形成された非磁性体部３３Ａの表面に形成される。導体パターン３１Ａの一端は磁性体層の端面まで引き出される。導体パターン３１Ａ上には、その上下を貫通する非磁性体部３２Ａを備えた磁性体層が積層される。この磁性体層は、非磁性体部３２Ａが導体パターン３１Ａの表面上に、導体パターン３１Ａに沿って位置する様に積層される。非磁性体部３２Ａ、３３ＡはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン３１Ｂは、非磁性体部３２Ａの表面に形成される。導体パターン３１Ｂの一端は導体パターン３１Ａの他端に接続される。この導体パターン３１Ｂの内周と外周には導体パターン３１Ｂと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン３１Ｂ上には非磁性体層３４Ａが積層される。非磁性体層３４Ａは、非磁性体部３２Ａが形成された磁性体層と同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン３１Ｃは、非磁性体層３４Ａの表面に形成される。導体パターン３１Ｃの一端は導体パターン３１Ｂの他端に接続される。この導体パターン３１Ｃの内周と外周には導体パターン３１Ｃと同じ厚みの磁性体層が形成される。また、この導体パターン３１Ｃ上には非磁性体層３４Ｂが積層される。非磁性体層３４Ｂは、非磁性体層３４Ａと同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン３１Ｄは、非磁性体層３４Ｂの表面に形成される。導体パターン３１Ｄの一端は導体パターン３１Ｃの他端に接続される。導体パターン３１Ｄ上には、その上下を貫通する非磁性体部３２Ｂを備えた磁性体層が形成される。この磁性体層は、非磁性体部３２Ｂが導体パターン３１Ｄの表面上に、導体パターン３１Ｄに沿って位置する様に積層される。非磁性体部３２ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン３１Ｅは、非磁性体部３２Ｂの表面に形成される。導体パターン３１Ｅの一端は、導体パターン３１Ｄの他端に接続される。また、導体パターン３１Ｅの他端は、磁性体層の端面まで引き出される。この導体パターン３１Ｅの内周と外周には導体パターン３１Ｅと同じ厚みの磁性体層が積層される。この磁性体層の表面の導体パターン３１Ｅによって囲まれた部分には、導体パターン３１Ｅの内周と導体パターン３１Ｅの表面を覆う様に非磁性体部３３Ｂが形成される。非磁性体部３３ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
この非磁性体部３３Ｂ上には磁性体層が積層される。
この様に磁性体層と導体パターン３１Ａ〜３１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン３１Ａ〜３１Ｅを螺旋状に接続して積層体内にコイルパターンが形成され、導体パターン３１Ａと導体パターン３１Ｂ間に非磁性体部３２Ａが、導体パターン３１Ｄと導体パターン３１Ｅ間に非磁性体部３２Ｂがそれぞれ形成され、積層体の表面に最も近い導体パターン３１Ａ、３１Ｅの積層体の表面側に接し、導体パターンに囲まれた部分に非磁性体部３３Ａ、３３Ｂが形成され、導体パターン３１Ｂ〜３１Ｄ間に非磁性体層３４Ａ、３４Ｂが形成される。この積層体の端面には外部端子が形成され、積層体の端面に引き出された導体パターンが外部端子に接続される。
磁性体層は、Ｎｉ―Ｚｎ―Ｃｕ系フェライト等の絶縁性磁性体を用いて形成される。また、導体パターン３１Ａ〜３１Ｅは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
導体パターン３１Ａは、磁性体層上に磁性体層よりも小さく形成された非磁性体部３３Ａの表面に形成される。導体パターン３１Ａの一端は磁性体層の端面まで引き出される。導体パターン３１Ａ上には、その上下を貫通する非磁性体部３２Ａを備えた磁性体層が積層される。この磁性体層は、非磁性体部３２Ａが導体パターン３１Ａの表面上に、導体パターン３１Ａに沿って位置する様に積層される。非磁性体部３２Ａ、３３ＡはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン３１Ｂは、非磁性体部３２Ａの表面に形成される。導体パターン３１Ｂの一端は導体パターン３１Ａの他端に接続される。この導体パターン３１Ｂの内周と外周には導体パターン３１Ｂと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン３１Ｂ上には非磁性体層３４Ａが積層される。非磁性体層３４Ａは、非磁性体部３２Ａが形成された磁性体層と同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン３１Ｃは、非磁性体層３４Ａの表面に形成される。導体パターン３１Ｃの一端は導体パターン３１Ｂの他端に接続される。この導体パターン３１Ｃの内周と外周には導体パターン３１Ｃと同じ厚みの磁性体層が形成される。また、この導体パターン３１Ｃ上には非磁性体層３４Ｂが積層される。非磁性体層３４Ｂは、非磁性体層３４Ａと同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン３１Ｄは、非磁性体層３４Ｂの表面に形成される。導体パターン３１Ｄの一端は導体パターン３１Ｃの他端に接続される。導体パターン３１Ｄ上には、その上下を貫通する非磁性体部３２Ｂを備えた磁性体層が形成される。この磁性体層は、非磁性体部３２Ｂが導体パターン３１Ｄの表面上に、導体パターン３１Ｄに沿って位置する様に積層される。非磁性体部３２ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン３１Ｅは、非磁性体部３２Ｂの表面に形成される。導体パターン３１Ｅの一端は、導体パターン３１Ｄの他端に接続される。また、導体パターン３１Ｅの他端は、磁性体層の端面まで引き出される。この導体パターン３１Ｅの内周と外周には導体パターン３１Ｅと同じ厚みの磁性体層が積層される。この磁性体層の表面の導体パターン３１Ｅによって囲まれた部分には、導体パターン３１Ｅの内周と導体パターン３１Ｅの表面を覆う様に非磁性体部３３Ｂが形成される。非磁性体部３３ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
この非磁性体部３３Ｂ上には磁性体層が積層される。
この様に磁性体層と導体パターン３１Ａ〜３１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン３１Ａ〜３１Ｅを螺旋状に接続して積層体内にコイルパターンが形成され、導体パターン３１Ａと導体パターン３１Ｂ間に非磁性体部３２Ａが、導体パターン３１Ｄと導体パターン３１Ｅ間に非磁性体部３２Ｂがそれぞれ形成され、積層体の表面に最も近い導体パターン３１Ａ、３１Ｅの積層体の表面側に接し、導体パターンに囲まれた部分に非磁性体部３３Ａ、３３Ｂが形成され、導体パターン３１Ｂ〜３１Ｄ間に非磁性体層３４Ａ、３４Ｂが形成される。この積層体の端面には外部端子が形成され、積層体の端面に引き出された導体パターンが外部端子に接続される。
図４は本発明の積層型インダクタの第３の実施例を示す断面図である。
磁性体層は、Ｎｉ―Ｚｎ―Ｃｕ系フェライト等の絶縁性磁性体を用いて形成される。また、導体パターンは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
導体パターン４１Ａは、磁性体層の表面に形成される。導体パターン４１Ａの一端は磁性体層の端面まで引き出される。この導体パターン４１Ａの内周と外周には導体パターン４１Ａと同じ厚みの磁性体層が積層される。この磁性体層表面の導体パターン４１Ａによって囲まれた部分全体には、導体パターン４１Ａの内周と導体パターン４１Ａの表面を覆う様に非磁性体部４３Ａが形成される。非磁性体部４３Ａの外周には非磁性体部４３Ａと同じ厚みの磁性体層が積層される。非磁性体部４３ＡはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン４１Ｂは、非磁性体部４３Ａの表面に形成される。導体パターン４１Ｂの一端は導体パターン４１Ａの他端に接続される。この導体パターン４１Ｂの内周と外周に導体パターン４１Ｂと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン４１Ｂ上には非磁性体層４４Ａが積層される。非磁性体層４４Ａは、導体パターン４１Ａが形成された磁性体層と同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン４１Ｃは、非磁性体層４４Ａの表面に形成される。導体パターン４１Ｃの一端は導体パターン４１Ｂの他端に接続される。この導体パターン４１Ｃの内周と外周には導体パターン４１Ｃと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン４１Ｃ上には非磁性体層４４Ｂが積層される。非磁性体層４４Ｂは、非磁性体層４４Ａと同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン４１Ｄは、非磁性体層４４Ｂの表面に形成される。導体パターン４１Ｄの一端は導体パターン４１Ｃの他端に接続される。この導体パターン４１Ｄの内周と外周には導体パターン４１Ｄと同じ厚みの磁性体層が積層される。この磁性体層の表面の導体パターン４１Ｄによって囲まれた部分全体には、導体パターン４１Ｄの内周と導体パターン４１Ｄの表面を覆う様に非磁性体部４３Ｂが形成される。非磁性体部４３Ｂの外周には磁性体層が形成される。また、非磁性体部４３ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン４１Ｅは、非磁性体部４３Ｂの表面に形成される。導体パターン４１Ｅの一端は導体パターン４１Ｄの他端に接続される。導体パターン４１Ｅの他端は、磁性体層の端面まで引き出される。
この導体パターン４１Ｅ上には磁性体層が積層される。
この様に磁性体層と導体パターン４１Ａ〜４１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン４１Ａ〜４１Ｅを螺旋状に接続して積層体内にコイルパターンが形成され、積層体の表面に最も近い導体パターン４１Ａ、４１Ｅの積層体の表面側よりも内側において導体パターンに囲まれた部分に非磁性体部４３Ａ、４３Ｂが形成され、導体パターン４１Ｂ〜４１Ｄ間に非磁性体層４４Ａ、４４Ｂが形成される。この積層体の端面には外部端子が形成され、積層体の端面に引き出された導体パターンが外部端子に接続される。
磁性体層は、Ｎｉ―Ｚｎ―Ｃｕ系フェライト等の絶縁性磁性体を用いて形成される。また、導体パターンは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
導体パターン４１Ａは、磁性体層の表面に形成される。導体パターン４１Ａの一端は磁性体層の端面まで引き出される。この導体パターン４１Ａの内周と外周には導体パターン４１Ａと同じ厚みの磁性体層が積層される。この磁性体層表面の導体パターン４１Ａによって囲まれた部分全体には、導体パターン４１Ａの内周と導体パターン４１Ａの表面を覆う様に非磁性体部４３Ａが形成される。非磁性体部４３Ａの外周には非磁性体部４３Ａと同じ厚みの磁性体層が積層される。非磁性体部４３ＡはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン４１Ｂは、非磁性体部４３Ａの表面に形成される。導体パターン４１Ｂの一端は導体パターン４１Ａの他端に接続される。この導体パターン４１Ｂの内周と外周に導体パターン４１Ｂと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン４１Ｂ上には非磁性体層４４Ａが積層される。非磁性体層４４Ａは、導体パターン４１Ａが形成された磁性体層と同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン４１Ｃは、非磁性体層４４Ａの表面に形成される。導体パターン４１Ｃの一端は導体パターン４１Ｂの他端に接続される。この導体パターン４１Ｃの内周と外周には導体パターン４１Ｃと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン４１Ｃ上には非磁性体層４４Ｂが積層される。非磁性体層４４Ｂは、非磁性体層４４Ａと同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン４１Ｄは、非磁性体層４４Ｂの表面に形成される。導体パターン４１Ｄの一端は導体パターン４１Ｃの他端に接続される。この導体パターン４１Ｄの内周と外周には導体パターン４１Ｄと同じ厚みの磁性体層が積層される。この磁性体層の表面の導体パターン４１Ｄによって囲まれた部分全体には、導体パターン４１Ｄの内周と導体パターン４１Ｄの表面を覆う様に非磁性体部４３Ｂが形成される。非磁性体部４３Ｂの外周には磁性体層が形成される。また、非磁性体部４３ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン４１Ｅは、非磁性体部４３Ｂの表面に形成される。導体パターン４１Ｅの一端は導体パターン４１Ｄの他端に接続される。導体パターン４１Ｅの他端は、磁性体層の端面まで引き出される。
この導体パターン４１Ｅ上には磁性体層が積層される。
この様に磁性体層と導体パターン４１Ａ〜４１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン４１Ａ〜４１Ｅを螺旋状に接続して積層体内にコイルパターンが形成され、積層体の表面に最も近い導体パターン４１Ａ、４１Ｅの積層体の表面側よりも内側において導体パターンに囲まれた部分に非磁性体部４３Ａ、４３Ｂが形成され、導体パターン４１Ｂ〜４１Ｄ間に非磁性体層４４Ａ、４４Ｂが形成される。この積層体の端面には外部端子が形成され、積層体の端面に引き出された導体パターンが外部端子に接続される。
図５は本発明の積層型インダクタの第４の実施例を示す断面図である。
磁性体層は、Ｎｉ―Ｚｎ―Ｃｕ系フェライト等の絶縁性磁性体を用いて形成される。また、導体パターンは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
導体パターン５１Ａは、磁性体層上に磁性体層よりも小さく形成された非磁性体部５３Ａの表面に形成される。導体パターン５１Ａの一端は磁性体層の端面まで引き出される。
この導体パターン５１Ａの内周と外周に導体パターン５１Ａと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、導体パターン５１Ａ上には非磁性体層５４Ａが積層される。非磁性体層５４Ａは、非磁性体部５３Ａが形成された磁性体層と同じ大きさに形成される。また、非磁性体部５３Ａと非磁性体層５４ＡはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン５１Ｂは、非磁性体層５４Ａの表面に形成される。導体パターン５１Ｂの一端は導体パターン５１Ａの他端に接続される。この導体パターン５１Ｂの内周と外周には、導体パターン５１Ｂと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン５１Ｂ上には、非磁性体層５４Ｂが積層される。非磁性体層５４Ｂは、非磁性体層５４Ａと同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン５１Ｃは、非磁性体層５４Ｂの表面に形成される。導体パターン５１Ｃの一端は導体パターン５１Ｂの他端に接続される。この導体パターン５１Ｃの内周と外周には、導体パターン５１Ｃと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン５１Ｃが形成された非磁性体層５４Ｂ上には非磁性体層５４Ｃが積層される。非磁性体層５４Ｃは、非磁性体層５４Ｂと同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン５１Ｄは、非磁性体層５４Ｃの表面に形成される。導体パターン５１Ｄの一端は導体パターン５１Ｃの他端に接続される。この導体パターン５１Ｄの内周と外周には、導体パターン５１Ｄと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン５１Ｄが形成された非磁性体層５４Ｃ上には、非磁性体層５４Ｄが積層される。非磁性体層５４Ｄは、非磁性体層５４Ｃと同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン５１Ｅは、非磁性体層５４Ｄの表面に形成される。導体パターン５１Ｅの一端は、導体パターン５１Ｄの他端に接続される。導体パターン５１Ｅの他端は、非磁性体層５４の端面まで引き出される。この導体パターン５１Ｅの内周と外周には、導体パターン５１Ｅと同じ厚みの磁性体層が積層される。この磁性体層の表面の導体パターン５１Ｅによって囲まれた部分全体には、導体パターン５１Ｅの内周と導体パターン５１Ｅの表面を覆う様に非磁性体部５３Ｂが形成される。非磁性体部５３ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
この非磁性体部５３Ｂ上には磁性体層が積層される。
この様に磁性体層と導体パターン５１Ａ〜５１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン５１Ａ〜５１Ｅを螺旋状に接続して積層体内にコイルパターンが形成され、積層体の表面に最も近い導体パターン３１Ａ、３１Ｅの積層体の表面側に接して導体パターンに囲まれた部分に非磁性体部５３Ａ、５３Ｂが形成され、導体パターン５１Ｂ〜５１Ｄ間に非磁性体層５４Ａ〜５４Ｄが形成される。この積層体の端面には外部端子が形成され、積層体の端面に引き出された導体パターンが外部端子に接続される。
磁性体層は、Ｎｉ―Ｚｎ―Ｃｕ系フェライト等の絶縁性磁性体を用いて形成される。また、導体パターンは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
導体パターン５１Ａは、磁性体層上に磁性体層よりも小さく形成された非磁性体部５３Ａの表面に形成される。導体パターン５１Ａの一端は磁性体層の端面まで引き出される。
この導体パターン５１Ａの内周と外周に導体パターン５１Ａと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、導体パターン５１Ａ上には非磁性体層５４Ａが積層される。非磁性体層５４Ａは、非磁性体部５３Ａが形成された磁性体層と同じ大きさに形成される。また、非磁性体部５３Ａと非磁性体層５４ＡはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
導体パターン５１Ｂは、非磁性体層５４Ａの表面に形成される。導体パターン５１Ｂの一端は導体パターン５１Ａの他端に接続される。この導体パターン５１Ｂの内周と外周には、導体パターン５１Ｂと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン５１Ｂ上には、非磁性体層５４Ｂが積層される。非磁性体層５４Ｂは、非磁性体層５４Ａと同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン５１Ｃは、非磁性体層５４Ｂの表面に形成される。導体パターン５１Ｃの一端は導体パターン５１Ｂの他端に接続される。この導体パターン５１Ｃの内周と外周には、導体パターン５１Ｃと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン５１Ｃが形成された非磁性体層５４Ｂ上には非磁性体層５４Ｃが積層される。非磁性体層５４Ｃは、非磁性体層５４Ｂと同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン５１Ｄは、非磁性体層５４Ｃの表面に形成される。導体パターン５１Ｄの一端は導体パターン５１Ｃの他端に接続される。この導体パターン５１Ｄの内周と外周には、導体パターン５１Ｄと同じ厚みの磁性体層が積層される。また、この導体パターン５１Ｄが形成された非磁性体層５４Ｃ上には、非磁性体層５４Ｄが積層される。非磁性体層５４Ｄは、非磁性体層５４Ｃと同じ大きさに、Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトを用いて形成される。
導体パターン５１Ｅは、非磁性体層５４Ｄの表面に形成される。導体パターン５１Ｅの一端は、導体パターン５１Ｄの他端に接続される。導体パターン５１Ｅの他端は、非磁性体層５４の端面まで引き出される。この導体パターン５１Ｅの内周と外周には、導体パターン５１Ｅと同じ厚みの磁性体層が積層される。この磁性体層の表面の導体パターン５１Ｅによって囲まれた部分全体には、導体パターン５１Ｅの内周と導体パターン５１Ｅの表面を覆う様に非磁性体部５３Ｂが形成される。非磁性体部５３ＢはＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成される。
この非磁性体部５３Ｂ上には磁性体層が積層される。
この様に磁性体層と導体パターン５１Ａ〜５１Ｅを積層し、磁性体層間の導体パターン５１Ａ〜５１Ｅを螺旋状に接続して積層体内にコイルパターンが形成され、積層体の表面に最も近い導体パターン３１Ａ、３１Ｅの積層体の表面側に接して導体パターンに囲まれた部分に非磁性体部５３Ａ、５３Ｂが形成され、導体パターン５１Ｂ〜５１Ｄ間に非磁性体層５４Ａ〜５４Ｄが形成される。この積層体の端面には外部端子が形成され、積層体の端面に引き出された導体パターンが外部端子に接続される。
以上、本発明の積層型インダクタの実施例を述べたが、本発明はこれらの実施例に限られるものではない。例えば、第３の実施例と第４の実施例において、コイルパターンの巻数が多い場合、導体パターン間に非磁性体部を形成してもよい。
１１Ａ〜１１Ｅ 導体パターン
Claims (6)
- 磁性体層と導体パターンを積層し、該磁性体層間の導体パターンを接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンが形成された積層型インダクタにおいて、
導体パターン間にそれぞれ第１の非磁性体部を形成し、
該積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの該表面側の該導体パターンに囲まれた部分に第２の非磁性体部を形成し、
該第２の非磁性体部間に該積層体表面に露出する非磁性体層を形成することにより、
該積層体内に、該積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの該表面側の該導体パターンに囲まれた部分と、この積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの該表面側の該導体パターンに囲まれた部分の両端の位置において、積層体の一方の表面に最も近い導体パターンの該表面側の該導体パターンに囲まれた部分から積層体の他方の表面に最も近い導体パターンの該表面側の該導体パターンに囲まれた部分まで延在する部分とで形成されたロ字状の非磁性体部と、該第２の非磁性体部間において該積層体表面に露出する非磁性体層が形成されたことを特徴とする積層型インダクタ。 - 磁性体層と導体パターンを積層し、該磁性体層間の導体パターンを接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンが形成された積層型インダクタにおいて、
導体パターン間にそれぞれ第１の非磁性体部を形成し、
該積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの該表面側よりも内側の該導体パターンに囲まれた部分に第２の非磁性体部を形成し、
該第２の非磁性体部間に該積層体表面に露出する非磁性体層を形成することにより、
該積層体内に、該積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの該表面側よりも内側の該導体パターンに囲まれた部分と、この積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの該表面側よりも内側の該導体パターンに囲まれた部分の両端の位置において、積層体の一方の表面に最も近い導体パターンの該表面側よりも内側の該導体パターンに囲まれた部分から積層体の他方の表面に最も近い導体パターンの該表面側よりも内側の該導体パターンに囲まれた部分まで延在する部分とで形成されたロ字状の非磁性体部と、該第２の非磁性体部間において該積層体表面に露出する非磁性体層が形成されたことを特徴とする積層型インダクタ。 - 磁性体層と導体パターンを積層し、該磁性体層間の導体パターンを接続して積層体内に積層方向に重畳して周回するコイルパターンが形成された積層型インダクタにおいて、
積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの該表面側よりも内側の該導体パターンに囲まれた部分に非磁性体部を形成し、
該非磁性体部間に該積層体表面に露出する非磁性体層を形成することにより、
該積層体内に、該積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの該表面側よりも内側の該導体パターンに囲まれた部分と、この積層体の表面に最も近いそれぞれの導体パターンの該表面側よりも内側の該導体パターンに囲まれた部分の両端の位置において、該積層体の一方の表面に最も近い導体パターンの該表面側よりも内側の該導体パターンに囲まれた部分から該積層体の他方の表面に最も近い導体パターンの該表面側よりも内側の該導体パターンに囲まれた部分まで延在する部分とで形成されたロ字状の非磁性体部と、該積層体の一方の表面に最も近い導体パターンの該表面側よりも内側の該導体パターンに囲まれた部分と該積層体の他方の表面に最も近い導体パターンの該表面側よりも内側の該導体パターンに囲まれた部分の間において該積層体表面に露出する非磁性体層が形成されたことを特徴とする積層型インダクタ。 - 前記非磁性体層が複数形成された請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の積層型インダクタ。
- 前記磁性体層がＮｉ―Ｃｕ―Ｚｎ系フェライトで形成された請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の積層型インダクタ。
- 前記第１の非磁性体部、前記第２の非磁性体部及び、非磁性体層がＣｕ―Ｚｎ系フェライトで形成された請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の積層型インダクタ。
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