JP5815601B2 - 高スループットsemツール - Google Patents
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Description
Fe=q・E (1)
[0034]及びローレンツ力の
Fm=q・(v×B) (2)
によって与えられる。
[0036]図2Aは、色消しベンダ又は色消しビームスプリッタ130の一実施形態を示す。図中に、コイル巻線163及び板形状の電極165が示されている。コイル163は磁界31を発生する。磁界は電子ビーム170に対して磁気力32を発生する。磁気力は式(2)に従って発生される。磁界31に対して実質的に垂直に、電界が電極165間で発生される。その結果、電気力33が発生され、それは磁気力と実質的に反対方向である。
dθ/dv=−(qlB/mv2)(1−2E/vB) (4)
である。
(1)
カラムを有するマルチビーム走査式電子ビームデバイスであって、
複数の電子ビームを放出するためのマルチビームエミッタと、前記複数の電子ビームのうちの少なくとも2つのための共通開口を有し、前記複数の電子ビームのうちの少なくとも2つに共通に作用するように構成される少なくとも1つの共通電子ビーム光学要素と、
前記複数の電子ビームに個別に作用するための少なくとも1つの個別電子ビーム光学要素と、
前記複数の電子ビームのうちの少なくとも2つを集束するための共通励磁を有し、複数の信号ビームを発生させるために試料上に前記複数の電子ビームを集束するように構成される前記複数の電子ビームを集束するための共通対物レンズアセンブリであり、前記複数の電子ビームが入り込むための少なくとも2つの開口を前記共通対物レンズが有する共通対物レンズアセンブリと、
各信号ビームを対応する検出要素上で個別に検出するための検出アセンブリと
を備えるマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(2)
前記少なくとも1つの共通電子ビーム光学要素が、前記複数の電子ビームから前記複数の信号ビームのうちの少なくとも2つを分離するための共通制御を持つ共通ビームセパレータである、(1)に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(3)
前記共通電子ビーム光学要素は、前記複数の電子ビームのうちの少なくとも2つが入り込むための、又は前記複数の電子ビームが入り込むための1つの開口を有する、
(1)又は(2)に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(4)
前記共通ビームセパレータは、前記複数の電子ビームのうちの少なくとも2つが入り込むための、又は前記複数の電子ビームが入り込むための1つの開口を有する、(2)又は(3)に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(5)
前記共通ビームセパレータが色消しビームセパレータである、(2)〜(4)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(6)
前記色消しビームセパレータが、特に前記色消しビームセパレータの内側で、分離のために前記複数の電子ビーム及び/又は前記複数の信号ビームの交差を有することなく前記複数の電子ビームと前記複数の信号ビームとを分離するように構成される、(2)〜(5)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(7)
前記色消しビームセパレータに重ね合わせ、軸外れ電子ビームの偏向角を補正するための四重極場を発生するように構成される四重極発生要素を更に備える、(2)〜(6)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(8)
二重集束ビームベンダ、特に半球セクタを更に備える、(1)〜(7)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(9)
前記二重集束ビームベンダは、前記複数のビームが入り込むための1つの開口を有する、(8)に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(10)
縮小又は拡大用ビーム間隔適応光学系を更に備える、(1)〜(9)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(11)
前記共通電子ビーム光学要素が、アライメント要素、非点補正器、走査要素、及び前記複数の電子ビームを回転させるための回転要素からなる群から選択される、(1)〜(10)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(12)
前記個別電子ビーム光学要素が、集束要素、非点補正器、アライメント要素、ビーム傾斜導入要素、及び走査要素からなる群から選択される、(1)〜(11)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(13)
隣接するビーム間の前記試料上の前記ビーム間隔が、0.5mmから5mm、詳細には1.5mmから3.5mm、より詳細には2mmから3mmの範囲である、(1)〜(12)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(14)
前記個別電子ビーム光学要素が、前記共通対物レンズアセンブリに隣接して、又はその中に位置決めされる、(1)〜(13)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(15)
前記マルチビームエミッタと前記対物レンズとの間で前記複数の電子ビームを高エネルギーに、特に2keVから20keVに加速するための手段、及び前記試料に衝突する前に前記複数の電子ビームを減速させるための手段が設けられる、(1)〜(14)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(16)
前記複数の信号ビームの各々を前記対応する検出要素上に集束するための集束手段を更に備える、(1)〜(15)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(17)
マルチビームエミッタが、前記複数の電子ビームの各々ごとに個別エミッタを有するスポットグリッドアレイである、(1)〜(16)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(18)
前記カラム内での交差を回避するように構成される、(1)〜(17)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(19)
共通対物レンズアセンブリが、特に加速モードの静電レンズアセンブリである、(1)〜(18)のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
(20)
2つ以上のダイを含むウェハの画像を発生するためのマルチビーム走査式電子ビームデバイスを動作させる方法であって、
前記2つ以上のダイのうちの第1のダイの第1の領域を走査して前記第1の領域の画像を発生するステップと、
前記2つ以上のダイのうちの第2のダイの第2の領域を走査して前記第2の領域の画像を発生するステップと、
前記第1の領域の前記画像と前記第2の領域の前記画像とを仮想ダイの画像に組み合わせるステップと
を含む方法。
(21)
前記仮想ダイが、前記2つ以上のダイのうち3つ又は4つのダイの領域の画像によって組み合わされる、(20)に記載の方法。
(22)
少なくとも1つのダイを含むウェハの画像を発生するために少なくとも第1及び第2の電子ビームを有するマルチビーム走査式電子ビームデバイスを動作させる方法であって、
前記第1の電子ビームの第1の電子ビーム電流で前記ダイの非オーバーラップの第1の領域を走査して前記第1の領域の画像を発生するステップと、
前記第2の電子ビームの第2の電子ビーム電流で前記ダイの非オーバーラップの第2の領域を走査して前記第1の領域の画像を発生するステップと、
前記第1の電子ビームの走査区域と前記第2の電子ビームの走査区域との間のオーバーラップ領域を走査するステップであり、前記第1のビームが前記第1の電子ビーム電流よりも小さい電子ビーム電流を有する第1のオーバーラップ依存性ビーム電流関数を有し、前記第2のビームが前記第2の電子ビーム電流よりも小さい電子ビーム電流を有する第2のオーバーラップ依存性ビーム電流関数を有するステップと
を含む方法。
(23)
前記第1の電流及び前記第2の電流が類似しており、前記第1のオーバーラップ依存性ビーム電流関数及び前記第2のオーバーラップ依存性ビーム電流関数が類似している、(22)に記載の方法。
(24)
前記第1のオーバーラップ依存性ビーム電流関数及び前記第2のオーバーラップ依存性ビーム電流関数が線形関数である、(22)又は(23)に記載の方法。
Claims (1)
- 2つ以上のダイを含むウェハの画像を発生するためのマルチビーム走査式電子ビームデバイスを動作させる方法であって、
前記2つ以上のダイのうちの第1のダイの第1の領域を走査して前記第1の領域の画像を発生するステップと、
前記2つ以上のダイのうちの第2のダイの第2の領域を走査して前記第2の領域の画像を発生するステップと、
前記第1のダイの前記第1の領域の前記画像と前記第2のダイの前記第2の領域の前記画像とを組み合わせて、検査目的に使用されることができる1つの仮想ダイの画像を形成するステップであって、前記1つの仮想ダイの画像が、異なる物理的ダイの幾つかの画像の一部を含む前記ステップと、
を含む方法。
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