JP5794228B2 - レジスト下層膜形成用組成物 - Google Patents
レジスト下層膜形成用組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5794228B2 JP5794228B2 JP2012509572A JP2012509572A JP5794228B2 JP 5794228 B2 JP5794228 B2 JP 5794228B2 JP 2012509572 A JP2012509572 A JP 2012509572A JP 2012509572 A JP2012509572 A JP 2012509572A JP 5794228 B2 JP5794228 B2 JP 5794228B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- general formula
- underlayer film
- resist
- resist underlayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
- G03F7/0955—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer one of the photosensitive systems comprising a non-macromolecular photopolymerisable compound having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、(A)前記一般式(1)で表される光重合性化合物及び前記一般式(2)で表される光重合性化合物からなる群より選択される少なくとも1種の光重合性化合物と、(B)溶剤と、を含有するものである。このレジスト下層膜形成用組成物は、前記(A)光重合性化合物を含有するため、光が照射されたときに、これらの化合物が重合反応を起こして形成される架橋構造が強固なものになり、定在波防止効果を維持しつつ、弾性率、及びエッチング耐性が高い。従って、このようなレジスト下層膜形成用組成物によれば、パターン曲がりが生じ難いレジスト下層膜を形成することができる。
前記一般式(1)で表される光重合性化合物と一般式(2)で表される光重合性化合物は、それぞれ、光が照射されることにより炭素−炭素二重結合が他の炭素−炭素二重結合と結合の組み換えを起こしてシクロブタン環を形成する化合物である。即ち、前記(A)光重合性化合物を含有することにより、レジスト下層膜(本発明のレジスト下層膜形成用組成物により形成された塗膜中)において、(A)光重合性化合物が二つの炭素−炭素結合で強固に架橋されて架橋構造を形成することになる。従って、このような化合物((A)光重合性化合物)を用いることによって、硬いレジスト下層膜を形成することが可能になる。ここで、従来のレジスト下層形成用組成物は、架橋剤などを用いることによりレジスト下層膜中に架橋構造を形成したいたが、この架橋構造は単結合によるものであるため、結合の強さが十分でなかった(結合力が十分ではなかった)。そのため、エッチング時にパターンが曲がってしまうこと(いわゆるパターン曲がりが生じること)があった。一方、前記(A)光重合性化合物によって形成された架橋構造は、単結合によるものに比べて結合力が強いために、硬いレジスト下層膜が得られ、エッチング時にパターンが曲がらないと考えられる。
(B)溶剤は、含有される(A)光重合性化合物を溶解し得るものであれば特に限定されるものでない。(B)溶剤としては、具体的には、塗布性の高いプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、酢酸n−ブチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノンなどを挙げることができる。
本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、(A)光重合性化合物及び(B)溶剤以外に、添加剤を更に含有していてもよい。添加剤としては、例えば、バインダー樹脂、放射線吸収剤、界面活性剤、保存安定剤、消泡剤、接着助剤等が挙げられる。
本発明のパターン形成方法は、上述した本発明のレジスト下層膜形成用組成物を被加工基板上に塗工して塗膜を形成する塗膜形成工程(以下、「工程(1)」と記す場合がある)と、形成された塗膜に放射線を照射し、この塗膜を硬化させることによって被加工基板上にレジスト下層膜を形成する下層膜形成工程(以下、「工程(2)」と記す場合がある)と、形成されたレジスト下層膜上にレジスト組成物を塗工し乾燥させてレジスト被膜を形成するレジスト被膜形成工程(以下、「工程(3)」と記す場合がある)と、形成されたレジスト被膜に、放射線を選択的に照射してレジスト被膜を露光する露光工程(以下、「工程(4)」と記す場合がある)と、露光されたレジスト被膜を現像して所定のパターンを有するレジストパターンを形成するパターン形成工程(以下、「工程(5)」と記す場合がある)と、レジストパターンをマスクとしてレジスト下層膜及び被加工基板をエッチングすることによって前記被加工基板に所定のパターンと同じパターンを形成するエッチング工程(以下、「工程(6)」と記す場合がある)と、を備える方法である。
重量平均分子量(Mw)は、東ソー社製のGPCカラム(G2000HXL:2本、G3000HXL:1本)を用い、流量:1.0ml/分、溶出溶剤:テトラヒドロフラン、カラム温度:40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ(検出器:示差屈折計)により測定した。
温度計を備えたセパラブルフラスコに、窒素雰囲気下で、イソフタルアルデヒド100部、シアノ酢酸イソブチル200部、ピペリジン1部、及び、4−メチル−2−ペンタノール4000部を仕込み、攪拌しつつ60℃で1時間反応させて反応溶液を得た。その後、反応溶液を1日静置し、析出した固体をろ過後、4−メチル−2−ペンタノールで洗浄し、白色固体を得た。この白色固体は、下記式(3)で表される化合物であった。
まず、直径8インチのシリコンウエハ上に、レジスト下層膜形成用組成物(1)をスピンコート法により塗布して塗膜を形成した。次に、TOPCON社製の小型高精度R&D用露光装置により強度20mW/cm2の光を300mJ前記ウエハ上の塗膜に照射することによって塗膜を硬化させ、膜厚0.3μmの下層膜を得た。次に、この下層膜上に3層レジストプロセス用の中間層組成物溶液(商品名「NFC SOG080」、JSR社製)をスピンコートした。その後、ホットプレート上にて、200℃で60秒間加熱した。その後更に300℃で60秒間加熱して、前記下層膜上に膜厚0.05μmの中間層被膜を形成した。次に、この中間層被膜上に、レジスト組成物をスピンコートし、ホットプレート上にて130℃で90秒間プレベークして、膜厚0.2μmのレジスト被膜を形成した。
前記(1)ArF用ポジ型レジストパターンの形成の評価で得られたポジ型レジストパターンが形成されたレジスト被膜への定在波の影響の有無を、走査型電子顕微鏡により観察して以下の基準で評価した。レジストパターンの側面に下層膜からの反射による定在波の影響が観察されなかった場合を良好(表1中、「A」と記す)とし、定在波の影響が観察された場合を不良(表1中、「C」と記す)とし、定在波の影響がやや観察された場合を可(表1中、「B」と記す)とした。
直径8インチのシリコンウエハ上に、レジスト下層膜形成用組成物(1)をスピンコートして塗膜を形成した。次に、TOPCON社製の小型高精度R&D用露光装置を用いて強度20mW/cm2の光を300mJで前記ウエハ上の塗膜に照射して塗膜を硬化させ、膜厚0.3μmのレジスト下層膜を得た。その後、この下層膜の弾性率(GPa)をナノインデンター法で測定して評価を行った。評価基準は、弾性率が10GPa以上のものを合格「G」とし、10GPa未満のものを不合格「N」とした。
直径8インチのシリコンウエハ上に、レジスト下層膜形成用組成物(1)をスピンコートして塗膜を形成した。次に、TOPCON社製の小型高精度R&D用露光装置を用いて強度20mW/cm2の光を300mJで前記ウエハ上の塗膜に照射して塗膜を硬化させ、膜厚0.3μmのレジスト下層膜を得た。その後、この下層膜を、エッチング処理(エッチング条件は、圧力:0.03Torr、高周波電力:3000W、Ar/CF4=40/100sccm、基板温度:20℃とした)し、エッチング処理後の下層膜の膜厚を測定した。そして、膜厚の減少量と処理時間との関係からエッチングレート(nm/分)を算出した。算出された値が小さい程、レジスト下層膜のエッチング耐性が高いため好ましく、算出された値について以下の評価基準で評価を行った。0.9nm/分未満の場合を「A」とし、0.9nm/分以上で1.2nm/分以下の場合を「B」とし、1.2nm/分を超える場合を「C」とした。なお、表1中、本評価結果を「エッチングレート」の欄に記す。
温度計を備えたセパラブルフラスコに、窒素雰囲気下で、ケイ皮酸100部、炭酸水素ナトリウム200部、テトラn−ブチルアンモニウムクロリド1部、及び、N,N−ジメチルホルムアルデヒド4000部を仕込み、攪拌しつつ110℃で40時間反応させて反応溶液を得た。その後、得られた反応溶液にメタノールを加えて析出物を得た。得られた析出物をろ過して白色固体を得た。この白色固体は、下記式(4)で表される化合物であった。
前記式(3)で表される化合物に代えて、下記式(5)で表される化合物を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例3のレジスト下層膜形成用組成物(3)を得た。得られたレジスト下層膜形成用組成物(3)について、実施例1と同様にして前記各評価を行った。評価結果を表1に示す。
前記式(3)で表される化合物に代えて、下記式(6)で表される化合物を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例4のレジスト下層膜形成用組成物(4)を得た。得られたレジスト下層膜形成用組成物(4)について、実施例1と同様にして前記各評価を行った。評価結果を表1に示す。
前記式(3)で表される化合物に代えて、下記式(7)で表される化合物を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例5のレジスト下層膜形成用組成物(5)を得た。得られたレジスト下層膜形成用組成物(5)について、実施例1と同様にして前記各評価を行った。評価結果を表1に示す。
温度計を備えたセパラブルフラスコに、窒素雰囲気下で、2,7−ジヒドロキシナフタレン100部、ホルマリン30部、p−トルエンスルホン酸1部、及び、プロピレングリコールモノメチルエーテル150部を仕込み、攪拌しつつ80℃で6時間重合させて反応溶液を得た。その後、反応溶液を酢酸n−ブチル100部で希釈し、水/メタノール(質量比:1/2)混合溶媒を多量に使用して有機層を洗浄した。その後、前記混合溶媒を留去して重合体を得た。得られた重合体の重量平均分子量(Mw)は1800であった。
前記式(3)で表される化合物に代えて、ビス(4−グリシジルオキシフェニル)メタン(下記式(8)で表される化合物)10部及びトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例2のレジスト下層膜形成用組成物(7)を得た。得られたレジスト下層膜形成用組成物(7)について、実施例1と同様にして前記各評価を行った。評価結果を表1に示す。
Claims (4)
- (A)下記一般式(1)で表される光重合性化合物及び下記一般式(2−1)で表される光重合性化合物からなる群より選択される少なくとも一種の光重合性化合物と、
(B)溶剤と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012509572A JP5794228B2 (ja) | 2010-03-31 | 2011-03-31 | レジスト下層膜形成用組成物 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010081352 | 2010-03-31 | ||
JP2010081352 | 2010-03-31 | ||
PCT/JP2011/058221 WO2011125839A1 (ja) | 2010-03-31 | 2011-03-31 | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
JP2012509572A JP5794228B2 (ja) | 2010-03-31 | 2011-03-31 | レジスト下層膜形成用組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011125839A1 JPWO2011125839A1 (ja) | 2013-07-11 |
JP5794228B2 true JP5794228B2 (ja) | 2015-10-14 |
Family
ID=44762777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012509572A Active JP5794228B2 (ja) | 2010-03-31 | 2011-03-31 | レジスト下層膜形成用組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5794228B2 (ja) |
TW (1) | TW201202856A (ja) |
WO (1) | WO2011125839A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019086402A1 (en) | 2017-11-01 | 2019-05-09 | Merck Patent Gmbh | Allyloxy derivative, resist underlayer forming composition using the same, and method of manufacturing resist underlayer and semiconductor device using the same |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6697416B2 (ja) * | 2016-07-07 | 2020-05-20 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、パターン形成方法、レジスト下層膜形成方法、及びレジスト下層膜材料用化合物 |
WO2019059202A1 (ja) * | 2017-09-19 | 2019-03-28 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体リソグラフィー膜形成組成物、並びにレジストパターン形成方法及びデバイス |
JP6981945B2 (ja) | 2018-09-13 | 2021-12-17 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
KR102592573B1 (ko) * | 2019-06-17 | 2023-10-23 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 디시아노스티릴기를 포함하는 웨트에칭가능한 레지스트 하층막 형성 조성물 |
WO2022186231A1 (ja) * | 2021-03-03 | 2022-09-09 | 日産化学株式会社 | ベンジリデンシアノ酢酸エステル基を有するレジスト下層膜形成組成物 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06118656A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 反射防止膜およびレジストパターンの形成方法 |
JPH09120163A (ja) * | 1982-09-30 | 1997-05-06 | Brewer Sci Inc | 反射防止コーティング |
WO1999056178A1 (en) * | 1998-04-29 | 1999-11-04 | Brewer Science, Inc. | Fast-etching, thermosetting anti-reflective coatings derived from cellulosic binders |
WO2004034435A2 (en) * | 2002-10-08 | 2004-04-22 | Brewer Science, Inc. | Bottom anti-reflective coatings derived from small core molecules with multiple epoxy moieties |
JP2006508377A (ja) * | 2002-06-25 | 2006-03-09 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 湿式現像可能な反射防止組成物 |
WO2006115044A1 (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 光架橋硬化のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物 |
WO2008109198A1 (en) * | 2007-03-07 | 2008-09-12 | Brewer Science Inc. | Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers |
-
2011
- 2011-03-31 WO PCT/JP2011/058221 patent/WO2011125839A1/ja active Application Filing
- 2011-03-31 JP JP2012509572A patent/JP5794228B2/ja active Active
- 2011-03-31 TW TW100111338A patent/TW201202856A/zh unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09120163A (ja) * | 1982-09-30 | 1997-05-06 | Brewer Sci Inc | 反射防止コーティング |
JPH06118656A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 反射防止膜およびレジストパターンの形成方法 |
WO1999056178A1 (en) * | 1998-04-29 | 1999-11-04 | Brewer Science, Inc. | Fast-etching, thermosetting anti-reflective coatings derived from cellulosic binders |
JP2006508377A (ja) * | 2002-06-25 | 2006-03-09 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 湿式現像可能な反射防止組成物 |
WO2004034435A2 (en) * | 2002-10-08 | 2004-04-22 | Brewer Science, Inc. | Bottom anti-reflective coatings derived from small core molecules with multiple epoxy moieties |
WO2006115044A1 (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 光架橋硬化のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物 |
WO2008109198A1 (en) * | 2007-03-07 | 2008-09-12 | Brewer Science Inc. | Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019086402A1 (en) | 2017-11-01 | 2019-05-09 | Merck Patent Gmbh | Allyloxy derivative, resist underlayer forming composition using the same, and method of manufacturing resist underlayer and semiconductor device using the same |
US11366389B2 (en) | 2017-11-01 | 2022-06-21 | Merck Patent Gmbh | Allyloxy derivative, resist underlayer forming composition using the same, and method of manufacturing resist underlayer and semiconductor device using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2011125839A1 (ja) | 2013-07-11 |
TW201202856A (en) | 2012-01-16 |
WO2011125839A1 (ja) | 2011-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5376015B2 (ja) | レジスト下層膜形成方法及びそれに用いるレジスト下層膜用組成物並びにパターン形成方法 | |
JP5136407B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 | |
JP4288776B2 (ja) | 反射防止膜形成組成物 | |
JP5195478B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、及びパターン形成方法 | |
JP5782797B2 (ja) | 近赤外光吸収色素化合物、近赤外光吸収膜形成材料、及びこれにより形成される近赤外光吸収膜 | |
JP5794228B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物 | |
JP6641879B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法 | |
JP4292910B2 (ja) | アセナフチレン誘導体、重合体および反射防止膜形成組成物 | |
CN102227680A (zh) | 光敏性组合物 | |
TWI361956B (en) | Anti-reflective coating-forming composition containing sulfur atom for lithography | |
JP5229044B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、及びパターン形成方法 | |
JP4639915B2 (ja) | レジスト下層膜用組成物 | |
JP5737526B2 (ja) | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 | |
JP4164942B2 (ja) | アクリル系共重合体およびそれを含有する反射防止膜形成組成物並びにレジスト膜の形成方法 | |
JP4729803B2 (ja) | 多層レジストプロセス用下層膜形成組成物 | |
JPWO2017141612A1 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法 | |
JP5251433B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 | |
JP2008152203A (ja) | 下層レジスト組成物、該組成物に有用な新規化合物、及び該組成物を用いたパターン形成方法 | |
WO2007046453A1 (ja) | ビニルナフタレン誘導体の重合体、反射防止膜形成組成物及び反射防止膜 | |
WO2005093516A1 (ja) | レジスト組成物 | |
KR101808893B1 (ko) | 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
JPH09211846A (ja) | 化学増幅型レジスト組成物 | |
JP2024502353A (ja) | 改善されたパターンプロファイル及び焦点深度(dof)を有するポジ作動型フォトレジスト組成物 | |
JP4433933B2 (ja) | 感放射線性組成物およびハードマスク形成材料 | |
JP5573230B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140708 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140904 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150714 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150727 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5794228 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |