JP5782741B2 - 電子機器 - Google Patents
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Description
基板上に実装された電子部品と、
前記電子部品を冷却する冷却手段と、
前記冷却手段を前記基板に固定する固定手段と、
を備え、
前記固定手段は、
前記基板と前記冷却手段のうちの一方に設けられる第1の磁石と、
前記基板と前記冷却手段のうちの他方に設けられて前記第1の磁石と磁気的に結合する第2の磁性部材と、
前記第1の磁石と前記第2の磁性体との結合面を除き、前記第1の磁石の全部又は一部を覆う磁気シールドと
を備える。
<変形例>
図9〜図11は、実施例1の変形例を示す図である。図9は、図10(B)の冷却フィン30を図10(A)のLSIチップ20に密着させてインターポーザ基板11上に固定した状態でのC−C’断面図である。
次に、受熱容器113をインターポーザ156から取り外し、半導体チップ152の交換や取り外しを行う方法について説明する。受熱容器113を取り外すタイミングとしては、たとえば半導体チップ152の修理時や交換時があげられる。
(実施例4の変形例)
図30は、実施例4の変形例を示す。変形例では、第1の磁石141の受熱容器113との接着面のみに軟磁性体142が取り付けられている。図30の例では、軟磁性体142は、第1の磁石141の高さと同じ高さに設けられているが、第1の磁石141の上端よりも上方に延ばしてもよい。第2の磁石182には、受熱容器113との接触面と、インターポーザ156との接触面(底面)とに軟磁性体174,176が設けられている。
(a)接着剤5%+Ni粉末95%
(b)接着剤10%+Ni粉末90%
(c)接着剤15%+Ni粉末85%
(d)接着剤20%+Ni粉末80%
(e)接着剤29%+Ni粉末71%(実施例6で用いた磁気シールド層)
(f)接着剤50%+Ni粉末50%
接着剤が乾燥して板状になったところで、10×5×70mmのフェライト磁石302の表面にNi粉末が混合された防磁板を張り合わせていき、その都度、磁極可視シート301を一番上に配置して磁極の状態を確認し、磁極配列の模様が見えなくなったときの厚さを確認した。Ni粉末の含有量と磁極配列の模様がみえなくなったときの厚さをプロットしたのが図37のグラフである。
(付記1)
基板上に実装された電子部品と、
前記電子部品を冷却する冷却手段と、
前記冷却手段を前記基板に固定する固定手段と、
を備え、
前記固定手段は、
前記基板と前記冷却手段のうちの一方に設けられる第1の磁石と、
前記基板と前記冷却手段のうちの他方に設けられて前記第1の磁石と磁気的に結合する第2の磁性部材と、
前記第1の磁石と前記第2の磁性体との結合面を除き、前記第1の磁石の全部又は一部を覆う磁気シールドと、
を有することを特徴とする電子機器。
(付記2)
前記第1の磁石は、S極とN極が前記基板の表面と平行な面に沿って交互に配置されていることを特徴とする付記1に記載の電子機器。
(付記3)
前記第2の磁性部材は第2の磁石であり、前記第1の磁石の磁極の配列と逆の配列でS極とN極が交互に配置されていることを特徴とする付記2に記載の電子機器。
(付記4)
前記磁気シールドは、前記第2の磁石の前記第1の磁石との結合面を除く全部又は一部を覆うことを特徴とする付記3に記載の電子機器。
(付記5)
前記磁気シールドは、前記第1の磁石の一方の極と他方の極との間を通る磁束の経路に沿って配置されることを特徴とする付記1に記載の電子機器。
(付記6)
前記磁気シールドは、前記第1の磁石の前記結合面を露出させて前記第1の磁石を収容する軟磁性体の収容部材であることを特徴とする付記1〜5のいずれか1に記載の電子機器。
(付記7)
前記磁気シールドは、接着材料に磁性粉末を混入した防磁層であることを特徴とする吹き1〜5のいずれか1に記載の電子機器。
(付記8)
前記磁性粉末は軟磁性粉末であり、その混入量は50重量%よりも多いことを特徴とする付記7に記載の電子機器。
(付記9)
前記第1の磁石は、複数のブロック状の永久磁石を磁極の向きが交互になるように同ピッチで配列して構成されることを特徴とする付記1に記載の電子機器。
(付記10)
前記第1の磁石は、異なる磁極が交互に配列するように着磁された酸化物系の磁石であることを特徴とする付記1に記載の電子機器。
(付記11)前記第2の磁性部材は第2の磁石であり、
前記第1の磁石と前記第2の磁石は、互いに結合する結合面に逆向きの単一の磁極を有することを特徴とする付記1に記載の電子機器。
(付記12)
前記冷却手段を前記基板に密着させて前記電子部品を密閉するシール手段をさらに含むことを特徴とする付記1に記載の電子機器。
(付記13)
前記冷却手段は、前記電子部品を前記基板に対して密閉する受熱容器と、前記受熱容器内に冷媒を供給する配管と、を含むことを特徴とする付記1に記載の電子機器。
(付記14)
前記第1の磁石は前記受熱容器の側壁に取り付けられることを特徴とする付記13に記載の電子機器。
(付記15)
前記受熱容器と前記基板との間に配置されるシール部材をさらに含むことを特徴とする付記13に記載の電子機器。
(付記16)
前記シール部材は、前記固定手段の内側に設けられることを特徴とする付記15に記載の電子機器。
(付記17)
前記シール部材は、前記第1の磁石と前記第2の磁性体が磁気的に結合したときに変形することによって、前記受熱容器を前記基板に対して密閉することを特徴とする付記15に記載の電子機器。
(付記18)
前記冷却手段は、前記電気部品の前記基板への実装面と反対側の面に取り付けられる放熱フィンを含むことを特徴とする付記1に記載の電子機器。
11、81、156、256 インターポーザ基板
15 配線パターン
20、152、252 LSIチップ(電子部品)
30 冷却フィン(冷却手段)
40、50、60、250 磁気チャック(磁気的固定手段)
41A、51A 第1の磁石
41B、51B 第2の磁石
41c 吸着面
42s、42n 小磁石
45 磁性部材
45A、45B、55A、55B 磁性材の収容部材(磁気シールド)
71 回路基板
80 半導体パッケージ(電子部品)
90A、90B 電子機器
109 冷却装置(冷却手段)
113,213 受熱容器
135、235 第1の磁気連結部
141、241 第1の磁石
171、181、281 第2の磁気連結部
173 結合部材
182、282 第2の磁石
Claims (8)
- 基板上に実装された電子部品と、
前記電子部品を冷却する冷却手段と、
前記冷却手段を前記基板に固定する固定手段と、
を備え、
前記固定手段は、
前記基板と前記冷却手段のうちの一方に設けられる第1の磁石と、
前記基板と前記冷却手段のうちの他方に設けられて前記第1の磁石と磁気的に結合する第2の磁性部材と、
前記第1の磁石と前記第2の磁性体との結合面を除き、前記第1の磁石の全部又は一部を覆う磁気シールドと
を有し、
前記第1の磁石は、前記冷却手段の外側側壁または前記基板の外周に沿ってS極とN極が交互に配置された複数の小磁石で形成され、前記複数の小磁石は前記小磁石の配列方向に沿って互いに接触していることを特徴とする電子機器。 - 基板上に実装された電子部品と、
前記電子部品を冷却する冷却手段と、
前記冷却手段を前記基板に固定する固定手段と、
を備え、
前記固定手段は、
前記基板と前記冷却手段のうちの一方に設けられる第1の磁石と、
前記基板と前記冷却手段のうちの他方に設けられて前記第1の磁石と磁気的に結合する第2の磁性部材と、
前記第1の磁石と前記第2の磁性体との結合面を除き、前記第1の磁石の全部又は一部を覆う磁気シールドと
を有し、
前記磁気シールドは、溝を有する軟磁性体の収容部材であり、前記第1の磁石は前記結合面を露出させて前記溝内に収容され、前記収容部材は、前記冷却手段の外側側壁または前記基板の外周に沿って配置されることを特徴とする電子機器。 - 前記第2の磁性部材は第2の磁石であり、前記第1の磁石の磁極の配列と逆の配列でS極とN極が交互に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電子機器。
- 前記磁気シールドは、前記第2の磁石の前記第1の磁石との結合面を除く全部又は一部を覆うことを特徴とする請求項3に記載の電子機器。
- 前記磁気シールドは、前記第1の磁石の一方の極と他方の極との間を通る磁束の経路に沿って配置されることを特徴とする請求項1または2に記載の電子機器。
- 前記磁気シールドは、接着材料に磁性粉末を混入した防磁層であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の電子機器。
- 前記冷却手段は、前記電子部品を前記基板に対して密閉する受熱容器と、前記受熱容器内に冷媒を供給する配管と、を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の電子機器。
- 前記冷却手段は、前記電気部品の前記基板への実装面と反対側の面に取り付けられる冷却フィンを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の電子機器。
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US9646935B1 (en) * | 2015-10-16 | 2017-05-09 | Celsia Technologies Taiwan, Inc. | Heat sink of a metallic shielding structure |
US20170170087A1 (en) | 2015-12-14 | 2017-06-15 | Intel Corporation | Electronic package that includes multiple supports |
TWI582924B (zh) * | 2016-02-02 | 2017-05-11 | 宏碁股份有限公司 | 散熱模組與電子裝置 |
US11296050B2 (en) * | 2017-09-29 | 2022-04-05 | Intel Corporation | Chip with magnetic interconnect alignment |
US11452243B2 (en) | 2017-10-12 | 2022-09-20 | Coolit Systems, Inc. | Cooling system, controllers and methods |
KR102420589B1 (ko) | 2017-12-04 | 2022-07-13 | 삼성전자주식회사 | 히트 싱크를 가지는 반도체 패키지 |
CN107981898B (zh) * | 2017-12-18 | 2024-05-24 | 上海交通大学医学院附属瑞金医院 | 带冷却装置的可调节强电磁腹腔内可控微创*** |
JP2020092114A (ja) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置および撮像装置 |
US11145568B2 (en) * | 2018-12-10 | 2021-10-12 | Intel Corporation | Magnetically affixed heat spreader |
US11177193B2 (en) * | 2019-05-01 | 2021-11-16 | Yuci Shen | Reservoir structure and system forming gap for liquid thermal interface material |
EP3979316A4 (en) * | 2019-05-28 | 2023-10-25 | Mitsui Chemicals, Inc. | COOLING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME |
JP7170620B2 (ja) * | 2019-11-26 | 2022-11-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および放熱フィンの製造方法 |
WO2021229365A1 (en) | 2020-05-11 | 2021-11-18 | Coolit Systems, Inc. | Liquid pumping units, and related systems and methods |
CN113380723A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-09-10 | 苏州通富超威半导体有限公司 | 一种封装结构 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS516770Y2 (ja) * | 1971-08-17 | 1976-02-24 | ||
JPS4963852U (ja) * | 1972-09-16 | 1974-06-04 | ||
JPS5814592A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | 株式会社明電舎 | プリント板冷却装置の製造方法 |
JPS61241950A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Hitachi Ltd | 配線板上に実装したモジユ−ル |
JPH0494154A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Koufu Nippon Denki Kk | ヒートシンクの取付構造 |
EP0516478A2 (en) | 1991-05-30 | 1992-12-02 | Nec Corporation | Cooling structure for integrated circuits |
JP2901408B2 (ja) | 1991-05-30 | 1999-06-07 | 日本電気株式会社 | 集積回路の冷却機構 |
CA2088821C (en) | 1992-02-05 | 1999-09-07 | Hironobu Ikeda | Cooling structure for integrated circuit |
JPH07321265A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-08 | Fujitsu Ltd | 集積回路素子モジュールの冷却構造 |
JPH09283675A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 放熱フィン取付構造 |
JP2828059B2 (ja) | 1996-08-28 | 1998-11-25 | 日本電気株式会社 | ヒートシンクの実装構造 |
JP2002208661A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Toyota Motor Corp | チップ搭載基板の保持構造 |
JP2003100968A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Toyota Industries Corp | 放熱材及びその製造方法 |
JP4459658B2 (ja) * | 2004-03-02 | 2010-04-28 | Hoya株式会社 | 内視鏡用光源装置における磁石の取付構造 |
US7679647B2 (en) * | 2004-07-21 | 2010-03-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Flexible suspension for image stabilization |
US7482688B2 (en) * | 2006-04-26 | 2009-01-27 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Attaching heat sinks to integrated circuit packages |
US20080273308A1 (en) * | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Kells Trevor A | Magnetically coupled cooling block |
US7790511B2 (en) * | 2007-06-11 | 2010-09-07 | International Business Machines Corporation | Method for direct heat sink attachment |
JP2009117647A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
TW201221041A (en) * | 2010-11-11 | 2012-05-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Heat dissipation apparatus assembly |
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