JP5779605B2 - 発光素子 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 241
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 95
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 25
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 11
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical group C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 126
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 34
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 33
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 18
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 12
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- -1 aromatic diamine compound Chemical class 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- BFMKBYZEJOQYIM-UCGGBYDDSA-N tert-butyl (2s,4s)-4-diphenylphosphanyl-2-(diphenylphosphanylmethyl)pyrrolidine-1-carboxylate Chemical compound C([C@@H]1C[C@@H](CN1C(=O)OC(C)(C)C)P(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BFMKBYZEJOQYIM-UCGGBYDDSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- LOWCNCLONZEWQM-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl) 1,3-benzothiazole-2-carboxylate Chemical compound S1C(=NC2=C1C=CC=C2)C(=O)OC1=C(C=CC=C1)O LOWCNCLONZEWQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYPABPPYXQDNE-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n,5-n,5-n-hexakis(2-methylphenyl)benzene-1,3,5-triamine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC(N(C=2C(=CC=CC=2)C)C=2C(=CC=CC=2)C)=CC(N(C=2C(=CC=CC=2)C)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 JOYPABPPYXQDNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCAWQFNYHFHEPZ-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-(3-methylphenyl)-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 ZCAWQFNYHFHEPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRLDUIHERYGAJX-UHFFFAOYSA-M C1(=CC=CC=C1)[B+]C1=CC=CC=C1.OC1=C(C=CC=C1)C1(OC2=C(N1)C=CC=C2)C(=O)[O-] Chemical compound C1(=CC=CC=C1)[B+]C1=CC=CC=C1.OC1=C(C=CC=C1)C1(OC2=C(N1)C=CC=C2)C(=O)[O-] BRLDUIHERYGAJX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 2
- GPNFMBQFBNXLGU-UHFFFAOYSA-N O1C(=NC2=C1C=CC=C2)C(=O)OC1=C(C=CC=C1)O Chemical compound O1C(=NC2=C1C=CC=C2)C(=O)OC1=C(C=CC=C1)O GPNFMBQFBNXLGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- JXKURARMURUICW-UHFFFAOYSA-N [Li].O1C(=NC2=C1C=CC=C2)C(=O)OC2=C(C=CC=C2)O Chemical compound [Li].O1C(=NC2=C1C=CC=C2)C(=O)OC2=C(C=CC=C2)O JXKURARMURUICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- VDBJKNJIARMSOR-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n,5-n,5-n-hexakis(4-methylphenyl)benzene-1,3,5-triamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=C(C=C(C=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 VDBJKNJIARMSOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- QEAOMCNKEOHDCL-UHFFFAOYSA-N N-benzhydryl-3-methyl-N-(3-methylphenyl)aniline Chemical compound CC1=CC=CC(=C1)N(C(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=CC(C)=CC=C1 QEAOMCNKEOHDCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000956207 Picola Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- JSPKIPIWGLWOBK-UHFFFAOYSA-N [B].O1C(=NC2=C1C=CC=C2)C(=O)OC2=C(C=CC=C2)O Chemical compound [B].O1C(=NC2=C1C=CC=C2)C(=O)OC2=C(C=CC=C2)O JSPKIPIWGLWOBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000990 laser dye Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- WQGTYCVOVMYEQV-UHFFFAOYSA-N n-(3-methylphenyl)-n,2-diphenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 WQGTYCVOVMYEQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
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- H10K50/14—Carrier transporting layers
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- H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
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Description
れる有機発光素子に関する。特に、三重項励起状態から発光を呈する発光材料が使用され
た有機発光素子に関する。
、それらの再結合によって形成された励起状態の分子(励起分子)からの発光を利用する
発光素子である。
ネルギーが光となったものである。この失活過程には大きく別けて2種類あり、一重項励
起分子を経由して失活する場合(この際蛍光を発する)と、三重項励起分子を経由して失
活する場合がある。三重項励起分子経由の失活過程には、燐光としての光放出過程と、三
重項―三重項消滅過程とがあるが、基本的に室温で燐光経由の失活過程をふむ有機材料は
少ない(熱失活するものが殆どで光放出による失活は行わない)。このため有機発光素子
に使用される有機化合物の大半が一重項励起分子経由の蛍光を発する材料であり、多くの
有機発光素子の発光は蛍光を利用している。
た、二種類の有機化合物を積層させた合計約100 nm程度の有機化合物膜を電極で挟んだ二
層型構造が基本となっている(非特許文献1参照)。その後1988年に安達等によって三層
型構造が提案され(非特許文献2参照)、現在ではこれらの積層型構造を応用した多層型
の素子構造がとられている。
は、一種類の有機化合物に様々な機能を同時に持たせるのではなく、一つの層ごとに機能
を分担させるというものである。たとえば二層型構造の素子では、正孔の輸送の役割を担
う正孔輸送層、および電子の輸送と発光の役割を担う発光性電子輸送層を用いており、ま
た三層型構造の素子では、正孔輸送のみの役割を担う正孔輸送層、電子輸送のみの役割を
担う電子輸送層、そしてその二層の間に発光する発光層を用いている。このように、各層
を機能分離させることによって、有機発光素子に用いる有機化合物の分子設計に自由度が
増えるという利点がある。
送する機能をもち、かつ蛍光量子収率も高いという多くの特性が求められる。しかしなが
ら、二層型構造の素子のように電子輸送性発光層を用いた場合、正孔輸送層には正孔を注
入しやすい有機化合物を、電子輸送性発光層には電子が注入されやすく高い蛍光量子収率
を得る有機化合物をそれぞれ適用すればよく、一つの層に対しての要求が減り、材料を選
択しやすくなる。
機能を分離できる。しかも発光層にレーザー色素などの高量子収率の蛍光色素(ゲスト)
を固体媒体(ホスト)材料に分散したものを用いることによって、発光層の蛍光量子収率
を向上させることができ、有機発光素子の量子効率が大きく向上するばかりでなく、使用
する蛍光色素の選択によって発光波長を自由に制御できる(非特許文献3参照)。このよ
うに色素(ゲスト)をホスト材料に分散した素子はドープ型素子と呼ばれる。
非特許文献1の二層型構造の場合、陽極から正孔輸送層へ正孔が、陰極から電子輸送層へ
電子が注入され、正孔輸送層と電子輸送層の界面へと移動する。その後正孔は、正孔輸送
層と電子輸送層とのイオン化ポテンシャルの差が小さいため電子輸送層へ注入されるのに
対し、電子は、正孔輸送層の電気親和力が小さい上に電子輸送層との電子親和力の差が大
きすぎるため、正孔輸送層には注入されず、正孔輸送層にブロックされて電子輸送層内へ
閉じ込められる。したがって、電子輸送層内で正孔、電子両方の密度が高くなり、キャリ
ヤの再結合が効率よく行われるようになる。
ポテンシャルの非常に大きい材料が挙げられる。イオン化ポテンシャルが大きい材料に正
孔を注入することは難しく、このような材料は正孔をブロックできる材料(正孔ブロッキ
ング材料)として幅広く使用されている。例えば非特許文献1で報告された芳香族ジアミ
ン化合物からなる正孔輸送層とトリス(8-キノリノラト)-アルミニウム(以下「Alq」と
記す)からなる電子輸送層を積層させた場合、これに電圧を印加すると電子輸送層のAlq
が発光する。しかし、この素子の二層の間に正孔ブロッキング材料を挿入することで正孔
は正孔輸送層に閉じ込められ、正孔輸送層側を発光させることもできる。
電子注入層など)を導入することで、高効率化、発光色の制御などが可能となり、現在の
有機発光素子においては多層型構造が基本構造として確立した。
光)を得ることができる三重項発光材料(文献では、白金を中心金属とする金属錯体)を
ゲストとして利用したドープ型素子(以下「三重項発光素子」と記す)が発表された(非
特許文献4参照)。なお、以下では、この三重項発光素子と区別するため、一重項励起状
態からの発光を利用する素子は「一重項発光素子」と記す。
励起分子には、一重項励起分子と三重項励起分子とがある。この場合、スピンの多重度の
違いに由来して一重項励起分子と三重項励起分子とが1:3の割合で生成する。これまで
の材料では基本的に、室温において三重項励起分子は熱失活をしてしまうため、一重項励
起分子だけを発光に利用してきた。このため生成された励起分子の4分の1しか発光に利
用されていない。ここで三重項励起分子が発光に利用できるようになれば、今までの約3
〜4倍は効率の高い発光を得られる。
て芳香族アミン系の化合物4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニル-アミノ]-ビフェニ
ル(以下「α-NPD」と記す)を用い、発光層としてAlqに2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエ
チル−21H,23H-ポルフィリン-白金(以下「PtOEP」と記す)を6%分散させたものを用い
、電子輸送層としてAlqを用いた素子構造で、外部量子効率の最大値が4%、100 cd/m2
で1.3 %という値を示した。
層として4,4' -N,N' -ジカルバゾール-ビフェニル(以下「CBP」と記す)にPtOEPを6%
分散させたものを、正孔ブロッキング層として2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェ
ナントロリン(以下「BCP」と記す)を、電子輸送層としてAlqを使用し、100cd/m2で 外
部量子効率2.2 %、最大で5.6 %と、素子の発光効率を向上させている(非特許文献5参照
)。
y)3」と記す)を使用した三重項発光素子が報告され(非特許文献6参照)、その後非特許
文献6と同じ素子構造で有機化合物膜の膜厚を最適化することで、100cd/m2で外部量子効
率14.9 %という非常に効率のよい有機発光素子も報告されている(非特許文献7参照)。
これで事実上、従来の一重項発光素子の3倍近い発光効率を得る素子が作製されるように
なった。
素子に比べて非常に効率の良い三重項発光素子が注目をあびており、精力的に研究がおこ
なわれている。
項発光素子に比べて桁違いに寿命が短く、安定性に欠けている。また効率をあげるために
多層構造をとっているが、そのため素子構造が最低でも四層構造となっており、素子作製
に対して手間がかかる、といった単純なデメリットもある。
ゲスト(ドーパント)材料であるIr(ppy)3を使用した発光層と、BCPを使用した正孔ブロ
ッキング層と、Alqを使用した電子輸送層と、を積層した素子において、初期輝度500 cd/
m2の条件で半減期がたった170時間という報告(非特許文献8参照)があり、この寿命で
は実用化には程遠い。
が低いことが挙げられている。三重項発光素子においては、非特許文献5で示された素子
構造が基本構造となっており、正孔ブロッキング層は不可欠なものとして使用されている
。図12に従来の三重項発光素子の構造を示す。基板1101の上に陽極1102、その
上に有機化合物膜として正孔輸送層1103、発光層1104、正孔ブロッキング層11
05、電子輸送層1106、そして陰極1107を積層させた素子構造となっている。正
孔ブロッキング層によるキャリヤの閉じ込め効果によって、キャリヤの再結合は効率よく
行われるようになるが、しかし一方では、一般的に使用されている正孔ブロッキング材料
は安定性が低いという欠点を持っているため寿命が延びない。またホスト材料として使用
されているCBPも安定性の低い材料であるため、これも寿命が延びない原因の一つと考え
られる。
照)。ここではホスト材料として、両キャリヤ輸送性であると言われているCBPの代わり
に、電子輸送材料と用いることを特徴としている。しかしホスト材料に使用された電子輸
送材料は、正孔ブロッキング材料として使用されるBCP、1,3−ビス(N,N−t−ブチル−フ
ェニル)−1,3,4−オキサゾール(以下「OXD7」と記す)、3−フェニル−4−(1'−ナフ
チル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(以下「TAZ」と記す)であり、正孔ブロッ
キング層は導入しないものの、結局は正孔ブロッキング材料としてよく用いられるものを
素子内に使用している。BCPはもちろんその他のどの材料も安定性の低い材料であり、高
い効率は出るものの、安定性の低い素子となっている。
非特許文献10参照)が、ホスト材料にCBPを使用しており、高い発光効率を得ているもの
の安定性に欠ける。
よく、安定性もある、といった三重項発光素子の報告は未だなく、その原因として使用さ
れているホスト材料、正孔ブロッキング材料の不安定性が原因となっている。
化することで、高効率でかつ安定性のある、また従来の素子に比べ素子作製において手間
が省ける三重項発光素子を提供することを課題とする。
キング層を使用せず、有機化合物膜は、正孔輸送層と、三重項発光するドーパント材料を
安定性のある電子輸送材料に分散した層と、を積層させた単純な素子構造(図1)にする
ことで達成される。すなわち、基板101の上に陽極102、その上に正孔輸送材料から
なる正孔輸送層103、電子輸送材料および三重項発光するドーパント材料からなる電子
輸送性発光層104、そして陰極105を積層させた素子構造で達成される。ここでは、
陽極102と陰極105に挟まれた領域(すなわち正孔輸送層103および電子輸送性発
光層104)が有機化合物膜に相当する。
子において、前記有機化合物膜は、正孔輸送材料からなる正孔輸送層と、前記正孔輸送層
に接して設けられた電子輸送材料からなる電子輸送層と、を含み、かつ、前記電子輸送層
内に、三重項励起状態からの発光を呈する発光材料が添加されていることを特徴とする。
、陰極105と電子輸送性発光層104との間には、電子注入層を挿入してもよい。さら
に、これら正孔注入層および電子注入層の両方を挿入してもよい。
め、正孔輸送材料と電子輸送材料の組み合わせを考慮することも、課題を解決するための
手段として重要である。
準位とのエネルギー差が、前記電子輸送材料における最高被占分子軌道準位と最低空分子
軌道準位とのエネルギー差よりも大きいことを特徴とする。
スペクトルが重ならないことを特徴とする。この場合、ただ単にスペクトルが重ならない
だけでなく、スペクトルの位置関係として、前記正孔輸送材料の吸収スペクトルが前記電
子輸送材料の発光スペクトルよりも短波長側に位置することが好ましい。
三重項発光するドーパントがキャリアをトラップしやすい素子構成にすることも、課題を
解決するための手段として重要である。
位および最低空分子軌道準位が共に、前記電子輸送材料における最高被占分子軌道準位と
最低空分子軌道準位とのエネルギーギャップ内に位置することを特徴とする。
状態からの発光を呈する発光材料のイオン化ポテンシャルの値と比べて同じかまたは大き
いことを特徴とする。
前記電子輸送材料の最低空分子軌道準位を示す値の絶対値よりも0.2 eV以上小さいことを
特徴とする。
シャルの値が三重項励起状態からの発光を呈する発光材料のイオン化ポテンシャルの値と
比べて同じかまたは大きく、かつ、前記正孔輸送材料の最低空分子軌道準位を示す値の絶
対値が前記電子輸送材料の最低空分子軌道準位を示す値の絶対値よりも0.2 eV以上小さい
場合が、より好ましいと言える。
ゾール)トリフェニルアミン、4,4'-ビス[N,N-ビス(3-メチルフェニル)-アミノ]-ジフェニ
ルメタン、1,3,5-トリス[N,N-ビス(2-メチルフェニル)-アミノ]-ベンゼン、1,3,5-トリス
[N,N-ビス(3-メチルフェニル)-アミノ]-ベンゼン 、1,3,5-トリス[N,N-ビス(4-メチルフ
ェニル)-アミノ]-ベンゼンのいずれかを使用することを特徴とする。
-ベンゾイミダゾ−ル]、リチウムテトラ(2-(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト
ボロン、ビス(2-(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト)(トリフェニルシラノラト)
アルミニウム、ビス(2-(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト)(トリフェニルシラノ
ラト)アルミニウム、2-(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラトリチウム、(2-(2-ヒ
ドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト)-ジフェニルボロン、トリス(8-キノリノラト)-
アルミニウム、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム
、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(4-フェニルフェノラト)アルミニウム、リチウムテト
ラ(2-メチル-8-ヒドロキシ-キノリナト)ボロン、(2-メチル-8-キノリノラト)-ジフェニル
ボロン、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウムヒドロキシドのいずれかを使用す
ることを特徴とする。
せて使用することが有効である。
、簡略な素子構成で得る事ができる。また、不安定な材料を使用する層を省く事で、安定
性のある有機発光素子を提供することができる。
出すために少なくとも陽極、または陰極の一方が透明であれば良いが、本実施例の形態で
は、基板上に透明な陽極を形成し、陽極側から光を取り出す素子構造を記述する。実際は
陰極を基板上に形成して陰極から光を取りだす構造や、基板とは逆側から光を取り出す構
造、電極の両側から光を取り出す構造にも適用可能である。
ことを特徴としている(図1)。しかし、ただ単純に従来の素子構造(図12)から正孔
ブロッキング層を除いた素子を作製すればよい、ということにはならない。
従来の三重項発光素子においては正孔ブロッキング層を用いることより、キャリヤの再結
合領域は発光層と正孔ブロッキング層の界面であった。これに対して本発明で提案する素
子構造では、キャリヤの再結合領域は正孔輸送層とホストである電子輸送材料との界面に
なる。
用したホスト―ゲスト系の発光層を使用した素子の発光機構として、2種類の発光機構が
考えられる。
場合まず、ホストに両キャリヤが注入されホストの励起分子が形成される。この励起分子
のエネルギーがドーパントに移動し、そのエネルギーによってドーパントは励起され、失
活する際に光を放出する。三重項発光素子の場合、ドーパントは三重項励起分子経由で燐
光を放出する材料であるため、発光した光は燐光である。
とドーパント材料の吸収スペクトルの重なり合いが大きいことである。ホスト材料および
ドーパント材料における最高被占分子軌道(HOMO)と最低空分子軌道(LUMO)の位置関係
は重要ではない。
オン化ポテンシャルの値を使用する。また、吸収スペクトルの吸収端をHOMOとLUMOとのエ
ネルギー差(以下、このエネルギー差を「エネルギーギャップ値」と記す)としている。
従って、LUMOの値は、光電子分光測定によって測定されたイオン化ポテンシャルの値から
、吸収スペクトルの吸収端によって見積もられたエネルギーギャップ値を引いたものを使
用している。ここで、実際にはこれらの値(HOMO(イオン化ポテンシャル)、LUMO、エネ
ルギーギャップ値)は真空準位を基準としているため負の値をとるが、本明細書中ではす
べて絶対値で表すこととする。HOMO、LUMO、エネルギーギャップ値の概念図を表すと、図
2のようになる。
料におけるHOMOとLUMOとのエネルギーギャップ内に位置する場合、先程述べたホストから
ドーパントへのエネルギー移動の発光機構に加え、ドーパント上でキャリヤがトラップさ
れてドーパント上で直接キャリヤが再結合される、という直接再結合の発光機構も生じる
。これが第二の発光機構である。
場合、エネルギー移動もおこる条件となっているため、発光機構がどちらの機構からの寄
与であるのか分離することは通常難しく、両方の発光機構が関与している可能性も考えら
れる。
を考える。従来の素子構造ではキャリヤの再結合領域が発光層と正孔ブロッキング層との
界面であることから、ホスト材料からドーパント材料へのエネルギー移動以外にも、正孔
ブロッキング材料へのエネルギー移動も考えられる。しかし正孔ブロッキング材料の吸収
スペクトルが非常に短波長側にあるため、従来の三重項発光素子で報告されてきたホスト
材料の発光スペクトルと正孔ブロッキング材料の吸収スペクトルは重なりあう部分はなく
、ホスト材料−正孔ブロッキング材料間でのエネルギー移動は起こりえない。つまり、従
来型の三重項発光素子では、ホスト材料から正孔ブロッキング材料へはエネルギー移動が
起こらないような素子構造になっているといえる。
正孔輸送層とホスト材料を含む電子輸送性発光層との界面である。このため、本発明の素
子ではホスト材料から正孔輸送材料へのエネルギー移動が考えられる。ホスト材料から正
孔輸送材料へエネルギー移動がおこってしまっては、効率よい発光を得ることができない
。
エネルギーギャップ値の大小関係が大まかな目安となる。ホスト材料のエネルギーギャッ
プ値が正孔輸送材料のエネルギーギャップ値より小さければ、ホスト材料からのエネルギ
ー移動で正孔輸送材料を励起させることは難しい。このことから、ホスト材料から正孔輸
送材料へエネルギー移動が起こらないようにするために、正孔輸送材料はホスト材料より
も大きいエネルギーギャップ値を持つものが好ましい。
のエネルギーギャップ値Aはホスト材料のエネルギーギャップ値Bより大きくなるよう、材
料を選択すればよい。
材料の発光スペクトルと正孔輸送材料の吸収スペクトルに重なり合いを持たないような材
料の組み合わせを選択する手法もある。この際、正孔輸送材料の吸収スペクトルは電子輸
送材料の発光スペクトルよりも短波長側に位置することが好ましい。
起こってしまう場合のスペクトルの位置関係を、(b)はホスト材料−正孔輸送材料間で
エネルギー移動を起こさない場合のスペクトルの位置関係を、それぞれ示している。本発
明では(b)の位置関係にあることが好ましい。
スト材料のHOMOとLUMOのエネルギーギャップ内に位置するようなホスト材料を選んだ場合
、直接再結合の発光機構(第二の発光機構)も考慮されるため、さらなる条件を考慮する
ことが重要である。
孔輸送材料のHOMOを示すイオン化ポテンシャルの値が大きいものが適している。すなわち
、ドーパント材料のイオン化ポテンシャルより正孔輸送材料のイオン化ポテンシャルが大
きくなるように組み合わせる。正孔輸送材料のイオン化ポテンシャルが大きすぎると陽極
から正孔輸送材料に正孔が注入されにくくなるが、この場合は陽極と正孔輸送層との間に
正孔注入層を導入することで改善される。
ヤをトラップすると考えられる。ドーパントにトラップされなかった電子が電子輸送層内
を移動し、正孔輸送層との界面までたどり着いた場合、もし正孔輸送材料のLUMO準位がホ
スト材料のLUMO準位と大差がなければ、界面にたどり着いた電子は正孔輸送層へ入り込ん
でしまう。このため電子は電子輸送層へ閉じ込められず、効率よい再結合が行われない。
このような状況を避けるため、正孔輸送材料とホスト材料である電子輸送材料とのLUMO準
位の差は、電子をブロッキングするのに十分大きいものであることが望まれる。この差は
0.2 eV以上あることが望ましい。
する。
を蒸着し、次に電子輸送材料(ホスト材料)と三重項発光材料(ドーパント材料)を共蒸
着し、最後に陰極を蒸着で形成する。ホスト材料とドーパント材料を共蒸着する際のドー
パント濃度は、約8wt%程度になるようにあわせる。最後に封止を行い、有機発光素子を
得る。
料)、三重項発光材料(ドーパント材料)に好適な材料を以下に列挙する。ただし、本発
明の素子に用いる材料は、これらに限定されない。
(以下「H2Pc」と記す)、銅フタロシアニン(以下「CuPc」と記す)などが有効である。
また、使用する正孔輸送材料よりもイオン化ポテンシャルの値が小さく、かつ、正孔輸送
機能をもつ材料であれば、これも正孔注入材料として使用できる。導電性高分子化合物に
化学ドーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸(以下「PSS」と記す)を
ドープしたポリエチレンジオキシチオフェン(以下「PEDOT」と記す)や、ポリアニリン
などが挙げられる。また、絶縁体の高分子化合物も陽極の平坦化の点で有効であり、ポリ
イミド(以下「PI」と記す)がよく用いられる。さらに、無機化合物も用いられ、金や白
金などの金属薄膜の他、酸化アルミニウム(以下「アルミナ」と記す)の超薄膜などがあ
る。
輸送材料のエネルギーギャップ値よりも大きいものが有効である。また、発光材料よりも
イオン化ポテンシャルが大きい、あるいは電子輸送材料よりもLUMOの絶対値が0.2 eV以上
小さいことが好ましい。
式(1)で表される4,4',4"-トリス(N−カルバゾール)トリフェニルアミン(以下「TCTA
」と記す)、下記構造式(2)で表される1,3,5-トリス[N,N-ビス(2-メチルフェニル)-ア
ミノ]-ベンゼン(以下「o-MTDAB」と記す)、下記構造式(3)で表される1,3,5-トリス[
N,N-ビス(3-メチルフェニル)-アミノ]-ベンゼン (以下「m-MTDAB」と記す) 、下記構造式
(4)で表される1,3,5-トリス[N,N-ビス(4-メチルフェニル)-アミノ]-ベンゼン(以下「
p-MTDAB」と記す)、下記構造式(5)で表される4,4'-ビス[N,N-ビス(3-メチルフェニル
)-アミノ]-ジフェニルメタン(以下「BPPM」と記す)などが挙げられる。
チルフェニル)-N-フェニル-アミノ]-ビフェニル(以下「TPD」と記す)や、その誘導体
であるα-NPDなどは、構造式(1)〜(5)の化合物に比べてエネルギーギャップ値が小
さく、本発明の素子に対する使用が困難である。構造式(1)〜(5)の化合物、α-NPD
、TPDのエネルギーギャップ値(実測値)をまとめると、表1のようになる。
い金属錯体が多くあげられる。ホスト材料はドーパントである三重項発光材料よりもエネ
ルギーギャップ値の大きい材料でなくてはならない。このようなホスト材料は、使用する
発光材料によって異なってくる。本発明の素子において、ホストとして使用可能である電
子輸送材料の例を以下に示す。
式(6)で表される2,2',2"-(1,3,5-ベンゼントリル)トリス-[1-フェニル-1H -ベンゾイ
ミダゾ−ル](以下「TPBI」と記す)といった、紫外領域ほどの非常に短波長に発光スペ
クトルが見られるような物質が挙げられる。
れるリチウムテトラ(2-(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラトボロン(以下「LiB(P
BO)4」と記す)、下記構造式(8)で表されるビス(2-(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾオ
キサゾラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム(以下「SAlo」と記す)、下記構造
式(9)で表されるビス(2-(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト)(トリフェニルシ
ラノラト)アルミニウム(以下「SAlt」と記す)、下記構造式(10)で表される2-(2-ヒ
ドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラトリチウム(以下「Li(PBO)」と記す)、下記構造式
(11)で表される(2-(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト)-ジフェニルボロン
(以下「B(PBO)Ph2」と記す)などが挙げられる。これらに加え、青色発光できる材料の
使用も可能である。
されるAlq、下記構造式(13)で表されるビス(2-メチル-8-キノリノラト)(トリフェニ
ルシラノラト)アルミニウム(以下「SAlq」と記す)、下記構造式(14)で表されるビ
ス(2-メチル-8-キノリノラト)(4-フェニルフェノラト)アルミニウム(以下「BAlq」と記
す)、下記構造式(15)で表されるリチウムテトラ(2-メチル-8-ヒドロキシ-キノリナ
ト)ボロン(以下「LiB(mq)4」と記す)、下記構造式(16)で表される(2-メチル-8-キ
ノリノラト)-ジフェニルボロン(以下「BmqPh」と記す)、下記構造式(17)で表され
るビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウムヒドロキシド(以下「Almq2(OH)」と記す
)などが挙げられる。これらに加え、青色発光できる材料、緑色発光できる材料もホスト
材料として使用可能である。
値)は、表2のようになる。
体が多くあげられるが、室温で燐光を発する材料であればよい。PtOEP 、Ir(ppy)3やビス
(2-フェニルピリジナト-N,C2')アセチルアセトナトイリジウム(以下「acacIr(ppy)2」と
記す)、ビス(2-(4'-トリル)ピリジナト-N,C2')アセチルアセトナトイリジウム(以下「a
cacIr(tpy)2」と記す)、ビス(2-(2'-ベンゾチエニル)-ピリジナト-N,C3')アセチルアセ
トナトイリジウム(以下「acacIr(btp)2」と記す)などが挙げられる。
になる。
ブロッキング材料として使用されるような電子輸送材料(BCPやOXD7など)は、安定性が
低いため不適である。その他にフッ化リチウムなどのアルカリ金属ハロゲン化物や酸化リ
チウムなどのアルカリ金属酸化物のような、絶縁体の超薄膜がよく用いられる。また、リ
チウムアセチルアセトネート(以下「Li(acac)」と記す)や、8-キノリノラト-リチウム
(以下「Liq」と記す)などのアルカリ金属錯体も有効である。
適用することにより、従来の三重項発光素子よりも作製過程において手間が省ける上に、
安定性が高く、効率的には従来の三重項発光素子と同じ程度の高効率有機発光素子を作製
することができる。
料であるBPPMを40 nm蒸着する。これが正孔輸送層103である。
ト材料)であるTPBIをおよそ2:23の比率(重量比)になるように共蒸着を行う。つまりT
PBIに約8 wt%の濃度でacacIr(tpy)2が分散されていることになる。この共蒸着膜を50 nm
成膜する。これが電子輸送性発光層104である。
nm成膜する。これによりacacIr(tpy)2に由来する緑色発光の三重項発光素子を得る。
の素子構造でも最大外部量子効率が約10 %と高い効率の素子特性を示した。
明の素子を作製した。
料であるo-MTDABを40 nm蒸着する。これが正孔輸送層103である。
材料)であるTPBIをおよそ2:23の比率(重量比)になるように共蒸着を行う。つまりTPB
Iに約8wt%の濃度でacacIr(tpy)2が分散されていることになる。この共蒸着膜を50 nm成
膜する。これが電子輸送性発光層104である。
nm成膜する。これによりacacIr(tpy)2に由来する緑色発光の三重項発光素子を得る。
効率の素子が作製できる。
して使用し、本発明の示す有機発光素子を作製した。作製方法は実施例1、2と同様の方
法であり、正孔輸送材料にBPPM、ホストである電子輸送材料にSAlt、ドーパントはacacIr
(tpy)2を使用している。acacIr(tpy)2に由来する緑色発光の三重項発光素子を得ることが
できる。
項発光素子と同当の高効率素子となる。
2、3とは発光色の異なる有機発光素子を作製した。作製方法は実施例1、2、3と同様
の方法であり、正孔輸送材料にBPPM、ホストである電子輸送材料にTPBI、ドーパントはビ
ス(2-(2',4'-ジフルオロフェニル)ピリジナト-N,C2')ピコラトイリジウムを使用している
。ドーパント材料に由来する青色発光の三重項発光素子を得ることができる。
三重項発光素子と同当の高効率素子となる。
本比較例は、図12に示すような、従来の三重項発光素子と同様な構造の素子を作製し
、その際の特性を本発明の素子と比較した。
送材料であるα-NPDを40 nm蒸着する。これが正孔輸送層1103である。
Pをおよそ2:23の比率(重量比)になるように共蒸着を行う。つまりCBPに約8wt%の濃度
でacacIr(tpy)2が分散されていることになる。この共蒸着膜を50 nm成膜する。これが発
光層1104である。
層1105を形成する。その後電子輸送材料であるAlqを30 nm蒸着し電子輸送層1106
を形成する。
0 nm成膜する。これによりacacIr(tpy)2に由来する緑色発光の三重項発光素子を得る。
ると、実施例で示した本発明の素子は従来型の素子と同じ程度の高効率の素子であること
がわかる。正孔ブロッキング層を使用しなくとも十分な素子特性を示す事が確認できた。
本比較例では、本発明の素子の条件に当てはまらないような正孔輸送材料を使用した、
二層型構造の三重項発光素子の特性を例示する。
スト材料に比べて小さくなるような、正孔輸送材料−ホスト材料の組み合わせを使用する
。正孔輸送材料にはTPD、ホスト材料には電子輸送材料であるTPBI、ドーパントにはacacI
r(tpy)2を使用する。
と、三重項発光素子にしては非常に効率の低い素子となった。発光スペクトルをみるとわ
かるが、acacIr(tpy)2からの発光以外にもTPDからの発光であるスペクトル(400nm付近)
が観測される。これが原因で効率が低くなってしまう。このように、条件に当てはまらな
い材料を使用すると素子の初期特性は悪い。
本比較例では、比較例2と同様、本発明の素子の条件に当てはまらないような正孔輸送
材料を使用した、二層型構造の三重項発光素子の特性を例示する。
スト材料に比べて小さくなるような正孔輸送材料−ホスト材料の組み合わせを使用する。
正孔輸送材料にはα-NPD、ホスト材料には電子輸送材料であるTPBI、ドーパントにはacac
Ir(tpy)2を使用する。
ると、比較例2同様、三重項発光素子にしては非常に効率の低い素子となった。発光スペ
クトルも比較例2同様、正孔輸送材料であるα-NPDからの発光であるスペクトル(440nm
付近)も観測される。これが原因で効率が低くなってしまう。このように、条件に当ては
まらない材料を使用すると素子の初期特性は悪くなる。
Claims (3)
- 陽極と、有機化合物膜と、陰極とを有し、
前記有機化合物膜は、陽極側から順に、第1の層と、第2の層と、第3の層とを有し、
前記第1の層と前記第2の層とは接しており、
前記第2の層と前記第3の層とは接しており、
前記第1の層は、正孔輸送材料を有し、
前記第2の層は、電子輸送材料及び三重項励起状態からの発光を呈する発光材料を有し、
前記第3の層は、電子注入材料を有し、
前記発光材料はイリジウム錯体を含み、
前記正孔輸送材料の吸収スペクトルは、前記電子輸送材料の発光スペクトルよりも短波長側に位置し、
前記第1の層はHMTPDであり、前記第2の層がTPBIである組み合わせを除く発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子において、
前記第3の層は、アルカリ金属錯体、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ金属酸化物のいずれかを有する発光素子。 - 請求項1または請求項2において、
前記陽極と、前記第1の層との間に、第4の層を有し、
前記第4の層は、前記正孔輸送材料よりもイオン化ポテンシャルの値が小さい材料を有する発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013046109A JP5779605B2 (ja) | 2001-11-27 | 2013-03-08 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001360500 | 2001-11-27 | ||
JP2001360500 | 2001-11-27 | ||
JP2013046109A JP5779605B2 (ja) | 2001-11-27 | 2013-03-08 | 発光素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009279334A Division JP2010056581A (ja) | 2001-11-27 | 2009-12-09 | 発光素子 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015046954A Division JP2015130525A (ja) | 2001-11-27 | 2015-03-10 | 発光素子 |
JP2015046955A Division JP2015130526A (ja) | 2001-11-27 | 2015-03-10 | 発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013138251A JP2013138251A (ja) | 2013-07-11 |
JP5779605B2 true JP5779605B2 (ja) | 2015-09-16 |
Family
ID=27639466
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009279334A Withdrawn JP2010056581A (ja) | 2001-11-27 | 2009-12-09 | 発光素子 |
JP2013046109A Expired - Lifetime JP5779605B2 (ja) | 2001-11-27 | 2013-03-08 | 発光素子 |
JP2015046954A Withdrawn JP2015130525A (ja) | 2001-11-27 | 2015-03-10 | 発光素子 |
JP2015046955A Withdrawn JP2015130526A (ja) | 2001-11-27 | 2015-03-10 | 発光素子 |
JP2016170991A Withdrawn JP2016197765A (ja) | 2001-11-27 | 2016-09-01 | 発光素子 |
JP2017240513A Withdrawn JP2018041986A (ja) | 2001-11-27 | 2017-12-15 | 発光素子 |
JP2019198687A Withdrawn JP2020017765A (ja) | 2001-11-27 | 2019-10-31 | 発光素子 |
JP2021074928A Withdrawn JP2021119621A (ja) | 2001-11-27 | 2021-04-27 | 発光素子 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009279334A Withdrawn JP2010056581A (ja) | 2001-11-27 | 2009-12-09 | 発光素子 |
Family Applications After (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015046954A Withdrawn JP2015130525A (ja) | 2001-11-27 | 2015-03-10 | 発光素子 |
JP2015046955A Withdrawn JP2015130526A (ja) | 2001-11-27 | 2015-03-10 | 発光素子 |
JP2016170991A Withdrawn JP2016197765A (ja) | 2001-11-27 | 2016-09-01 | 発光素子 |
JP2017240513A Withdrawn JP2018041986A (ja) | 2001-11-27 | 2017-12-15 | 発光素子 |
JP2019198687A Withdrawn JP2020017765A (ja) | 2001-11-27 | 2019-10-31 | 発光素子 |
JP2021074928A Withdrawn JP2021119621A (ja) | 2001-11-27 | 2021-04-27 | 発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US6734457B2 (ja) |
JP (8) | JP2010056581A (ja) |
Families Citing this family (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6303238B1 (en) * | 1997-12-01 | 2001-10-16 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs doped with phosphorescent compounds |
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JP5241256B2 (ja) | 2007-03-09 | 2013-07-17 | キヤノン株式会社 | 縮合環芳香族化合物及びこれを用いた有機発光素子 |
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2002
- 2002-11-26 US US10/304,410 patent/US6734457B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-12-16 US US10/737,569 patent/US7473575B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-10-29 US US11/976,781 patent/US7482626B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-12-16 US US12/335,747 patent/US7737437B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-12-09 JP JP2009279334A patent/JP2010056581A/ja not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-06-04 US US12/793,735 patent/US8610109B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-03-08 JP JP2013046109A patent/JP5779605B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2013-12-10 US US14/101,390 patent/US8994017B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-03-10 JP JP2015046954A patent/JP2015130525A/ja not_active Withdrawn
- 2015-03-10 JP JP2015046955A patent/JP2015130526A/ja not_active Withdrawn
- 2015-03-12 US US14/656,151 patent/US9263691B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-09-01 JP JP2016170991A patent/JP2016197765A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-12-15 JP JP2017240513A patent/JP2018041986A/ja not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-10-31 JP JP2019198687A patent/JP2020017765A/ja not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-04-27 JP JP2021074928A patent/JP2021119621A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7482626B2 (en) | 2009-01-27 |
US20140091297A1 (en) | 2014-04-03 |
JP2013138251A (ja) | 2013-07-11 |
US20040124425A1 (en) | 2004-07-01 |
US7473575B2 (en) | 2009-01-06 |
US20100237342A1 (en) | 2010-09-23 |
US20080143254A1 (en) | 2008-06-19 |
JP2015130526A (ja) | 2015-07-16 |
US20150188071A1 (en) | 2015-07-02 |
JP2016197765A (ja) | 2016-11-24 |
US20090121626A1 (en) | 2009-05-14 |
JP2020017765A (ja) | 2020-01-30 |
US20030146443A1 (en) | 2003-08-07 |
US7737437B2 (en) | 2010-06-15 |
US6734457B2 (en) | 2004-05-11 |
JP2015130525A (ja) | 2015-07-16 |
JP2018041986A (ja) | 2018-03-15 |
US8994017B2 (en) | 2015-03-31 |
US8610109B2 (en) | 2013-12-17 |
JP2021119621A (ja) | 2021-08-12 |
JP2010056581A (ja) | 2010-03-11 |
US9263691B2 (en) | 2016-02-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140513 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150311 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150707 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150713 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5779605 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R157 | Certificate of patent or utility model (correction) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R157 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |