JP5779317B2 - Method for manufacturing optical article - Google Patents

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本発明は、眼鏡レンズなどのレンズ、その他の光学材料あるいは製品などに用いられる光学物品、およびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to an optical article used for a lens such as a spectacle lens, other optical materials or products, and a manufacturing method thereof.

眼鏡レンズなどの光学物品においては、典型的には、種々の機能を果たすための基材(光学基材)の表面に、その基材の機能をさらに強化したり保護したりするための種々の機能を備えた層(膜)が形成されている。種々の機能を備えた層(膜)としては、例えば、レンズ基材の耐久性を確保するためのハードコート層、ゴーストおよびちらつきを防止するための反射防止層などが公知である。反射防止層の典型的なものは、ハードコート層が積層された基材の表面に異なる屈折率を持つ酸化膜を交互に積層してなる、いわゆる多層反射防止層(多層膜)である。   In an optical article such as an eyeglass lens, typically, a surface of a base material (optical base material) for performing various functions has various functions for further strengthening or protecting the function of the base material. A layer (film) having a function is formed. Known layers (films) having various functions include, for example, a hard coat layer for ensuring the durability of the lens substrate, an antireflection layer for preventing ghosting and flickering, and the like. A typical antireflection layer is a so-called multilayer antireflection layer (multilayer film) formed by alternately laminating oxide films having different refractive indexes on the surface of a base material on which a hard coat layer is laminated.

特許文献1には、低耐熱性基材に好適な帯電防止性能を有する光学要素を提供することが記載されている。プラスチック製の光学基材上に複層構成の反射防止膜を備えた眼鏡レンズなどの光学要素において、反射防止膜が透明導電層を含み、該透明導電層をイオンアシスト真空蒸着により形成し、他の反射防止膜の構成層は、電子ビーム真空蒸着などにより形成することが記載されている。導電層としては、インジウム、スズ、亜鉛などのいずれか、又は2種以上の複数を成分とする無機酸化物が挙げられており、特に、ITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウムと酸化錫との混合物)が望ましいことが記載されている。   Patent Document 1 describes providing an optical element having antistatic properties suitable for a low heat resistant substrate. In an optical element such as a spectacle lens provided with an antireflection film having a multilayer structure on a plastic optical substrate, the antireflection film includes a transparent conductive layer, and the transparent conductive layer is formed by ion-assisted vacuum deposition. It is described that the constituent layer of the antireflection film is formed by electron beam vacuum deposition or the like. Examples of the conductive layer include indium, tin, zinc, and the like, or inorganic oxides containing two or more kinds as a component. In particular, ITO (Indium Tin Oxide: a mixture of indium oxide and tin oxide). ) Is desirable.

特開2004−341052号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-341052

基材の表面に形成される膜あるいは層に、帯電防止、電磁遮蔽などを目的として導電性を付与するために、酸化インジウムスズ(ITO)層を挿入することが公知である。しかしながら、ITO層は、透明性と帯電防止性には優れているものの、酸やアルカリなどの薬品により侵されやすい。人の汗は塩分を含んだ酸であるため、ITO層を含む反射防止層は、その耐久性が問題になる可能性がある。   It is known to insert an indium tin oxide (ITO) layer into a film or layer formed on the surface of a substrate in order to impart conductivity for the purpose of antistatic, electromagnetic shielding or the like. However, although the ITO layer is excellent in transparency and antistatic properties, it is easily attacked by chemicals such as acids and alkalis. Since human sweat is an acid containing salt, the durability of the antireflection layer including the ITO layer may become a problem.

一方、金や銀などの金属の層を薄く形成することで導電性を得ることが可能である。しかしながら、反射防止層、ハードコート層、防汚層などの光学物品の基材の表面に形成される層は、シリコン(ケイ素)を中心とする化合物あるいは酸化物が主成分であることが多く、このような金属の層は、それらとの相性が問題になる。また、例えば金は、一般的に密着性が低く、膜の剥れが発生するおそれがある。銀は、酸化により導電性が低下することがある。   On the other hand, it is possible to obtain conductivity by forming a thin metal layer such as gold or silver. However, the layer formed on the surface of the base material of the optical article such as the antireflection layer, the hard coat layer, and the antifouling layer is often mainly composed of a compound or oxide mainly composed of silicon (silicon), Such metal layers have a problem with compatibility with them. In addition, for example, gold generally has low adhesion, and film peeling may occur. Silver may be reduced in conductivity due to oxidation.

本発明の一態様は、光学物品(光学素子)の製造方法であり、光学基材の上に、直にまたは他の層を介して透光性の第1の層を形成することと、第1の層の表面に、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、遷移金属ゲルマニドの少なくともいずれかを含む透光性薄膜を物理的蒸着により形成することとを有し、透光性薄膜を物理的蒸着により形成することは、炭素、ケイ素、ゲルマニウムのいずれかを含む第1の化合物群に含まれる少なくとも1種を含む第1の気体をイオン化することを含む。   One embodiment of the present invention is a method for manufacturing an optical article (an optical element), in which a light-transmitting first layer is formed on an optical substrate directly or via another layer, Forming a translucent thin film containing at least one of transition metal carbide, transition metal silicide, and transition metal germanide on the surface of one layer by physical vapor deposition, and forming the translucent thin film by physical vapor deposition Forming includes ionizing a first gas including at least one of a first compound group including any one of carbon, silicon, and germanium.

遷移金属カーバイド(遷移金属炭素化合物、遷移金属炭化物)、遷移金属シリサイド(遷移金属ケイ素化合物、遷移金属ケイ化物)、および遷移金属ゲルマニド(遷移金属ゲルマニウム化合物、遷移金属ゲルマニウム化物)は、それぞれ、低抵抗な素材であり、酸に対する耐久性も高い。一方、炭素、ケイ素、ゲルマニウムのいずれかを含む第1の化合物群に含まれる少なくとも1種を含む第1の気体をイオン化する工程を含む物理的蒸着では、物理的蒸着において電子ビームを用いたり、イオンアシストしたりする際に、第1の気体がイオン化されたもの、すなわち、炭素、ケイ素、ゲルマニウムのいずれか、またはそれらの化合物がイオン化されたものを含めることができる。このため、そのような物理蒸着を用いることにより、第1の層の表面に、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイドおよび/または遷移金属ゲルマニドの薄膜を簡単に形成することができ、第1の層を低抵抗化できる。したがって、帯電防止機能および/または電磁波遮蔽機能などを備えた光学物品をいっそう容易に製造および提供できる。   Transition metal carbide (transition metal carbon compound, transition metal carbide), transition metal silicide (transition metal silicon compound, transition metal silicide), and transition metal germanide (transition metal germanium compound, transition metal germanide) are low resistance, respectively. This material is highly resistant to acid. On the other hand, in the physical vapor deposition including the step of ionizing the first gas containing at least one kind included in the first compound group containing any one of carbon, silicon, and germanium, an electron beam is used in the physical vapor deposition, In the ion assist, the first gas may be ionized, that is, any of carbon, silicon, germanium, or those compounds may be ionized. Therefore, by using such physical vapor deposition, a thin film of transition metal carbide, transition metal silicide and / or transition metal germanide can be easily formed on the surface of the first layer. Low resistance can be achieved. Therefore, an optical article having an antistatic function and / or an electromagnetic wave shielding function can be more easily manufactured and provided.

物理的蒸着(PVD:Physical Vapor Deposition)は、熱、レーザー光、電子ビームなどによる物理的作用を利用して、固体の薄膜原料を蒸気化して基板に蒸着する蒸着法を一般的に示し、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどを含み、近年では反応性真空蒸着、反応性スパッタリングおよび反応性イオンプレーティングも含む概念である。上記の製造方法においては、たとえば、電子ビームを照射するイオンガンへ導入するガスに二酸化炭素などの第1の気体を含めたり、イオンガンへ導入するガスを第1の気体に変更したりすることによりイオン化された第1の気体を用い、第1の層を低抵抗化できる。   Physical vapor deposition (PVD) generally indicates a vapor deposition method in which a solid thin film material is vaporized and vapor-deposited on a substrate using a physical action by heat, laser light, electron beam, etc. The concept includes vapor deposition, sputtering, ion plating, and the like, and in recent years, the concept also includes reactive vacuum vapor deposition, reactive sputtering, and reactive ion plating. In the above manufacturing method, for example, ionization is performed by including a first gas such as carbon dioxide in a gas introduced into an ion gun irradiated with an electron beam, or changing a gas introduced into the ion gun to the first gas. The resistance of the first layer can be reduced by using the first gas.

遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、遷移金属ゲルマニドの少なくともいずれかを含む薄膜は、薄膜であっても、基材の上に形成された第1の層の表面を十分に低抵抗にすることができる。このため、透光性を良好に確保でき、光学物品の表面の抵抗を低減するのに適している。したがって、例えば、光学物品に適宜適用される既存の反射防止層の層構造を変えずに、または、ほとんど変えずに、反射防止層に、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、遷移金属ゲルマニドの少なくともいずれかを含む導電性の薄膜(透光性薄膜)を挿入することができる。   Even if the thin film including at least one of transition metal carbide, transition metal silicide, and transition metal germanide is a thin film, the surface of the first layer formed on the substrate can have a sufficiently low resistance. . For this reason, it is suitable for reducing the resistance of the surface of an optical article which can ensure favorable translucency. Therefore, for example, the layer structure of the existing antireflection layer that is appropriately applied to the optical article is not changed or hardly changed, and at least one of transition metal carbide, transition metal silicide, and transition metal germanide is used for the antireflection layer. A conductive thin film (translucent thin film) containing the above can be inserted.

上記の製造方法の1つは、第1の層の表面を遷移金属酸化物層にすることを有する方法である。第1の気体をイオン化することは、遷移金属酸化物層に対して第1の気体をイオン化して照射することにより、第1の層の表面に透光性薄膜を形成することを含む。第1の層が遷移金属酸化物層であってもよく、第1の層の表面に遷移金属酸化物層を薄く積層してもよい。   One of the above manufacturing methods is a method having a transition metal oxide layer on the surface of the first layer. Ionizing the first gas includes forming a light-transmitting thin film on the surface of the first layer by ionizing and irradiating the first gas to the transition metal oxide layer. The first layer may be a transition metal oxide layer, or a thin transition metal oxide layer may be laminated on the surface of the first layer.

炭素、ケイ素、ゲルマニウムのいずれか、またはそれらの化合物がイオン化されたものを含む電子ビームの照射により遷移金属酸化物層の少なくとも表層(表層部、表層域)を含む全部または一部に、炭素、ケイ素、およびゲルマニウムのうちの少なくとも1つを導入(添加)できる。これにより、第1の層の表面の遷移金属酸化物層の全部または一部に、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、および遷移金属ゲルマニドのいずれかを含む透光性薄膜の導電層が形成され、表面の抵抗が小さな光学物品を製造できる。   Carbon, silicon, or germanium, or all or part of the transition metal oxide layer including at least the surface layer (surface layer portion, surface layer region) by irradiation with an electron beam including an ionized compound, carbon, At least one of silicon and germanium can be introduced (added). Thereby, a conductive layer of a translucent thin film containing any of transition metal carbide, transition metal silicide, and transition metal germanide is formed on all or part of the transition metal oxide layer on the surface of the first layer, Optical articles with low surface resistance can be manufactured.

上記の製造方法の1つは、第1の気体をイオン化することが、遷移金属酸化物を蒸着源とし、第1の気体をイオンアシストガスとして用い、第1の層の表面に透光性薄膜を形成することを含むものである。第1の層の表層(表層部、表層域)に、または表層として、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、または遷移金属ゲルマニドと遷移金属酸化物とを含む透光性薄膜の導電層を形成できる。   One of the above manufacturing methods is that the first gas is ionized by using a transition metal oxide as a deposition source, the first gas as an ion assist gas, and a light-transmitting thin film on the surface of the first layer. Forming. A conductive layer of a translucent thin film containing transition metal carbide, transition metal silicide, or transition metal germanide and a transition metal oxide can be formed on or as the surface layer (surface layer portion, surface layer region) of the first layer.

上記の製造方法の1つは、第1の気体をイオン化することが、遷移金属を含むターゲットに第1の気体をイオン化して照射し、第1の層の表面に透光性薄膜を形成することを含むものである。炭素、ケイ素、ゲルマニウムのいずれか、またはそれらの化合物がイオン化されたものを含む電子ビームを用いて遷移金属をスパッタリングし、第1の層の表面に(表層として)、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、または遷移金属ゲルマニドと遷移金属酸化物とを含む透光性薄膜の導電層を形成できる。   One of the manufacturing methods described above is that ionizing the first gas ionizes and irradiates the target containing the transition metal with the first gas to form a light-transmitting thin film on the surface of the first layer. Including things. A transition metal is sputtered by using an electron beam containing carbon, silicon, germanium, or an ionized compound thereof, and a transition metal carbide or transition metal silicide is formed on the surface of the first layer (as a surface layer). Alternatively, a light-transmitting thin film conductive layer including a transition metal germanide and a transition metal oxide can be formed.

第1の気体の典型的なガスはハンドリングが容易な二酸化炭素である。その他の第1の化合物群に含まれる種として、遷移金属カーバイドを含む透光性薄膜を形成する場合に適した例としては、一酸化炭素、アセチレン、メタン、エタン、四フッ化炭素などが挙げられ、遷移金属シリサイドを含む透光性薄膜を形成する場合の例としては、例えば、シラン、四塩化ケイ素、四フッ化ケイ素などが挙げられる。また、遷移金属ゲルマニドを含む透光性薄膜を形成する場合の例としては、四塩化ゲルマニウム、ゲルマン(水素化ゲルマニウム)、四フッ化ゲルマニウムなどを挙げることができる。   A typical gas for the first gas is carbon dioxide, which is easy to handle. Examples of the species included in the other first compound group include carbon monoxide, acetylene, methane, ethane, and carbon tetrafluoride as examples suitable for forming a light-transmitting thin film containing transition metal carbide. Examples of forming a translucent thin film containing a transition metal silicide include silane, silicon tetrachloride, silicon tetrafluoride, and the like. Examples of forming a light-transmitting thin film containing a transition metal germanide include germanium tetrachloride, germane (germanium hydride), germanium tetrafluoride, and the like.

第1の層の典型的なものは、光学基材の上に、ハードコート層、またはプライマー層およびハードコート層を介して形成される、反射防止層に含まれる層である。例えば、光学物品が、無機系または有機系の反射防止層を有するものである場合、第1の層は、無機系または有機系の反射防止層に含まれる層とすることが好ましい。このようにすることにより、無機系または有機系の反射防止層の抵抗値(抵抗率)を下げることができる。   A typical example of the first layer is a layer included in the antireflection layer, which is formed on the optical substrate via the hard coat layer or the primer layer and the hard coat layer. For example, when the optical article has an inorganic or organic antireflection layer, the first layer is preferably a layer included in the inorganic or organic antireflection layer. By doing so, the resistance value (resistivity) of the inorganic or organic antireflection layer can be lowered.

また、光学物品が、多層構造の反射防止層(典型的なものとしては、無機系の多層構造の反射防止層)を有するものである場合、第1の層は、例えば、多層構造の反射防止層に含まれる1つの層とすることが好ましい。このようにすることにより、多層構造の反射防止層の抵抗値(抵抗率)を下げることができる。   In addition, when the optical article has a multilayer antireflection layer (typically, an inorganic multilayer antireflection layer), the first layer is, for example, a multilayer antireflection layer. One layer included in the layer is preferable. By doing so, the resistance value (resistivity) of the antireflection layer having a multilayer structure can be lowered.

当該製造方法は、透光性薄膜の上、すなわち第1の層の上に、直にまたは他の層を介して防汚層を形成することをさらに有してもよい。光学物品が反射防止層を有する場合には、反射防止層の上に、直にまたは他の層を介して防汚層を形成することをさらに有するようにすることが好ましい。   The manufacturing method may further include forming an antifouling layer on the translucent thin film, that is, on the first layer, directly or via another layer. When the optical article has an antireflection layer, it is preferable that the optical article further has an antifouling layer formed directly or via another layer on the antireflection layer.

本発明の他の態様の1つは、光学物品であり、光学基材と、光学基材の上に、直にまたは他の層を介して形成された透光性の第1の層と、第1の層の表面に形成された、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、遷移金属ゲルマニドの少なくともいずれかを含む透光性薄膜であって、炭素、ケイ素、ゲルマニウムのいずれかを含む第1の化合物群に含まれる少なくとも1種を含む第1の気体をイオン化することを含む物理的蒸着により形成された透光性薄膜とを有する。   One of the other aspects of the present invention is an optical article, and an optical substrate, a light-transmitting first layer formed on the optical substrate directly or via another layer, A light-transmitting thin film containing at least one of transition metal carbide, transition metal silicide, and transition metal germanide formed on the surface of the first layer, the first compound including any of carbon, silicon, and germanium And a light-transmitting thin film formed by physical vapor deposition including ionizing a first gas including at least one kind included in the group.

炭素、ケイ素、ゲルマニウムのいずれかを含む第1の化合物群の中から少なくとも1種を含む第1の気体をイオン化することを含む物理的蒸着により、第1の層の表面に、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、遷移金属ゲルマニドの少なくともいずれかを含む透光性薄膜が設けられた光学物品は表面抵抗が小さくなる。このため、帯電防止や電磁遮蔽などの機能を備えた光学物品を提供できる。また、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、および遷移金属ゲルマニドは、ITOと比較して、酸やアルカリなどの薬品に対して安定している。したがって、帯電防止機能および/または電磁波遮蔽機能を備えており、しかも、酸やアルカリなどの薬品に対する耐久性が良好な光学物品を提供できる。この光学物品は、帯電防止と耐久性とが要求される身の回りの光学物品(素子、製品)、例えば、眼鏡のレンズ、カメラのレンズ、情報端末の表示装置、DVDなどの多種多様な物品に適用できる。   Transition metal carbide is formed on the surface of the first layer by physical vapor deposition including ionizing a first gas including at least one of a first compound group including any one of carbon, silicon, and germanium. An optical article provided with a translucent thin film containing at least one of transition metal silicide and transition metal germanide has a low surface resistance. For this reason, the optical article provided with functions, such as antistatic and electromagnetic shielding, can be provided. Moreover, transition metal carbide, transition metal silicide, and transition metal germanide are more stable against chemicals such as acids and alkalis than ITO. Therefore, it is possible to provide an optical article having an antistatic function and / or an electromagnetic wave shielding function and having good durability against chemicals such as acid and alkali. This optical article is applied to a wide variety of articles such as eyeglass lenses, camera lenses, display devices for information terminals, DVDs, etc., which are required to be antistatic and durable. it can.

第1の層の一例は、無機系または有機系の反射防止層に含まれる層である。第1の層の他の例は、多層構造の反射防止層、例えば、無機系の多層構造の反射防止層に含まれる層である。さらに、光学物品は、透光性薄膜の上、すなわち第1の層の上に、直にまたは他の層を介して形成された防汚層を有していてもよい。光学物品が反射防止層を有する場合、反射防止層の上に、直にまたは他の層を介して形成された防汚層をさらに有するようにすることが好ましい。   An example of the first layer is a layer included in an inorganic or organic antireflection layer. Another example of the first layer is a layer included in an antireflection layer having a multilayer structure, for example, an antireflection layer having an inorganic multilayer structure. Furthermore, the optical article may have an antifouling layer formed on the light-transmitting thin film, that is, on the first layer, directly or via another layer. When the optical article has an antireflection layer, it is preferable to further have an antifouling layer formed directly or via another layer on the antireflection layer.

光学基材の一例はプラスチックレンズ基材であり、光学物品の一例は眼鏡レンズである。   An example of the optical substrate is a plastic lens substrate, and an example of the optical article is a spectacle lens.

本発明のさらに異なる他の態様の1つは、上記の光学物品に含まれる眼鏡レンズと、眼鏡レンズが装着されたフレームとを有する眼鏡である。眼鏡レンズの表面の帯電性を抑制できるため、眼鏡レンズの表面にゴミや埃などが付着し難い。また、電磁波遮蔽能力も付与できる。さらに、汗や薬品に強いため、耐久性が良好である。   One of the other different aspects of the present invention is eyeglasses having a spectacle lens included in the optical article and a frame on which the spectacle lens is mounted. Since the charging property of the surface of the spectacle lens can be suppressed, it is difficult for dust and dirt to adhere to the surface of the spectacle lens. Moreover, electromagnetic wave shielding ability can also be provided. Furthermore, since it is resistant to sweat and chemicals, it has good durability.

本発明のさらに異なる他の態様の1つは、上記の光学物品であって、一方の面が外界に面した光学物品を有し、この光学物品を通して画像を透視するためのシステムである。このシステムの典型的なものは、時計、表示装置、および表示装置を有する端末などの情報処理装置である。表示装置の表面の帯電性を抑制でき、また、電磁波遮蔽能力を高めることができる。   One of the other different aspects of the present invention is the optical article described above, which has an optical article having one surface facing the outside and a system for seeing through an image through the optical article. A typical system is an information processing device such as a clock, a display device, and a terminal having the display device. The charging property of the surface of the display device can be suppressed, and the electromagnetic wave shielding ability can be enhanced.

本発明のさらに異なる他の態様の1つは、上記の光学物品と、光学物品を通して画像を投影させるための画像形成装置とを有するシステムである。このシステムの典型的なものは、プロジェクターである。この際、光学物品の典型的なものは、投射用のレンズ、ダイクロイックプリズム、平面のガラスなどである。上記の光学物品を、画像形成装置の1つであるLCD(液晶デバイス)などのライトバルブあるいはそれらに含まれる素子に適用してもよい。   Another another aspect of the present invention is a system including the optical article described above and an image forming apparatus for projecting an image through the optical article. A typical example of this system is a projector. In this case, typical optical articles include a projection lens, a dichroic prism, a flat glass, and the like. You may apply said optical article to light valves, such as LCD (liquid crystal device) which is one of the image forming apparatuses, or the element contained in them.

本発明のさらに異なる他の態様の1つは、上記の光学物品と、光学物品を通して画像を取得するための撮像装置とを有するシステムである。このシステムの典型的なものは、カメラである。この際、光学物品の典型的なものは、結像用のレンズ、平面のガラスなどである。上記の光学物品を、撮像装置の1つであるCCDなどに適用してもよい。   Still another aspect of the present invention is a system including the optical article described above and an imaging apparatus for acquiring an image through the optical article. A typical example of this system is a camera. In this case, typical optical articles are imaging lenses, flat glass, and the like. You may apply said optical article to CCD etc. which are one of the imaging devices.

本発明のさらに異なる他の態様の1つは、上記の光学物品と、光学物品を通してアクセスする媒体とを有するシステムである。このシステムの典型的なものは、記録媒体を内蔵し、表面の帯電性が低いことが要望されるDVDなどの情報記録装置、美的表現を発揮する媒体を内蔵した装飾品などである。   One further different aspect of the present invention is a system having the optical article described above and a medium accessed through the optical article. A typical example of this system is an information recording apparatus such as a DVD that has a built-in recording medium and is required to have a low surface chargeability, and an ornament that has a medium that exhibits aesthetic expression.

タイプA1の層構造の反射防止層を含むレンズの一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the lens containing the reflection preventing layer of the layer structure of type A1. 反射防止層の製造に用いる蒸着装置の一例を模式的に示す図。The figure which shows typically an example of the vapor deposition apparatus used for manufacture of an antireflection layer. 図3(A)は、ZrO2層上にTiOxが蒸着された様子を示す図、図3(B)は、炭酸ガスイオンビームをTiOx層に照射している様子を示す図、図3(C)は、チタンカーバイドを含む層(透光性薄膜)が形成された様子を示す図。3A is a view showing a state in which TiO x is deposited on the ZrO 2 layer, FIG. 3B is a view showing a state in which the TiO x layer is irradiated with a carbon dioxide ion beam, and FIG. (C) is a figure which shows a mode that the layer (translucent thin film) containing a titanium carbide was formed. タイプA1、A2、A3およびA4の反射防止層の層構造を示す図。The figure which shows the layer structure of the antireflection layer of type A1, A2, A3, and A4. グループ(1a)に含まれる実施例1〜6と、比較例1〜3とに関する図であって、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件、およびサンプルの評価結果を纏めて示す図。It is a figure regarding Examples 1-6 contained in group (1a), and Comparative Examples 1-3, Comprising: The layer structure of an antireflection layer, the conditions of film-forming of a carbide layer (translucent thin film), and a sample The figure which shows an evaluation result collectively. 図6(A)は、シート抵抗を測定する様子を示す断面図、図6(B)は、シート抵抗を測定する様子を示す平面図。FIG. 6A is a cross-sectional view showing a state of measuring sheet resistance, and FIG. 6B is a plan view showing a state of measuring sheet resistance. 図7(A)は、耐薬品性試験の擦傷工程に使用される試験装置の外観を示す図、図7(B)は、試験装置の内部構造を示す図。FIG. 7A is a diagram showing an external appearance of a test apparatus used in the scratching process of the chemical resistance test, and FIG. 7B is a diagram showing an internal structure of the test apparatus. 耐薬品性試験の擦傷工程に使用される試験装置が回転することを示す図。The figure which shows that the test apparatus used for the abrasion process of a chemical-resistance test rotates. 耐湿性試験におけるむくみを判定する装置の概略を示す図。The figure which shows the outline of the apparatus which determines the swelling in a moisture resistance test. 図10(A)は、レンズ表面にむくみのない状態を模式的に示す図、図10(B)は、レンズ表面にむくみのある状態を模式的に示す図。FIG. 10A is a diagram schematically illustrating a state in which the lens surface is not swollen, and FIG. 10B is a diagram schematically illustrating a state in which the lens surface is swollen. タイプB1の層構造の反射防止層を含むレンズの一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the lens containing the reflection preventing layer of the layer structure of type B1. 図12(A)は、炭酸ガスイオンビームをTiO2層に照射している様子を示す図、図12(B)は、チタンカーバイドを含む層(透光性薄膜)が形成された様子を示す図。12A shows a state in which a TiO 2 layer is irradiated with a carbon dioxide ion beam, and FIG. 12B shows a state in which a layer (translucent thin film) containing titanium carbide is formed. Figure. タイプB1、B2、B3−1〜B3−6の反射防止層の層構造を示す図。The figure which shows the layer structure of the reflection preventing layer of type B1, B2, B3-1 to B3-6. グループ(1b)に含まれる実施例7ないし実施例12と、比較例4ないし11とに関する図であって、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件、およびサンプルの評価結果を纏めて示す図。It is a figure regarding Example 7 thru | or Example 12 included in a group (1b), and Comparative Examples 4 thru | or 11, Comprising: The layer structure of an antireflection layer, the film-forming conditions of a carbide layer (translucent thin film), and The figure which shows the evaluation result of a sample collectively. 有機系の反射防止層を含むレンズの一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the lens containing an organic type antireflection layer. グループ(1c)に含まれる実施例13に関する図であって、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件、およびサンプルの評価結果を纏めて示す図。It is a figure regarding Example 13 contained in a group (1c), Comprising: The figure which shows collectively the layer structure of an anti-reflective layer, the film-forming conditions of a carbide layer (translucent thin film), and the evaluation result of a sample. 図17(A)は、TiO2分子を蒸着源としてZrO2層またはTiO2層の表面に炭酸ガスイオンビームアシスト蒸着をしている様子を示す図、図17(B)は、ZrO2層またはTiO2層の上にチタンカーバイドを含む層(透光性薄膜)が形成された様子を示す図。FIG. 17 (A) shows a state in which the surface carbon dioxide ion beam assisted deposition on the ZrO 2 layer or TiO 2 layer with TiO 2 molecules as the deposition source, FIG. 17 (B) is ZrO 2 layer or It shows how the layer containing titanium carbide (translucent film) is formed on the TiO 2 layer. グループ(2a)に含まれる実施例14ないし実施例19に関する図であって、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件、およびサンプルの評価結果を纏めて示す図。It is a figure regarding Example 14 thru | or Example 19 contained in a group (2a), Comprising: The layer structure of an antireflection layer, the film-forming conditions of a carbide layer (light-transmitting thin film), and the evaluation result of a sample are shown collectively. Figure. グループ(2a)に含まれる実施例20ないし実施例25に関する図であって、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件、およびサンプルの評価結果を纏めて示す図。It is a figure regarding Example 20 thru | or Example 25 contained in a group (2a), Comprising: The layer structure of an antireflection layer, the film-forming conditions of a carbide layer (translucent thin film), and the evaluation result of a sample are shown collectively. Figure. グループ(2b)に含まれる実施例26ないし実施例31に関する図であって、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件、およびサンプルの評価結果を纏めて示す図。It is a figure regarding Example 26 thru | or Example 31 contained in a group (2b), Comprising: The layer structure of an antireflection layer, the film-forming conditions of a carbide layer (translucent thin film), and the evaluation result of a sample are shown collectively. Figure. グループ(2b)に含まれる実施例32ないし実施例37に関する図であって、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件、およびサンプルの評価結果を纏めて示す図。It is a figure regarding Example 32 thru | or Example 37 contained in a group (2b), Comprising: The layer structure of an antireflection layer, the film-forming conditions of a carbide layer (translucent thin film), and the evaluation result of a sample are shown collectively. Figure. 有機系の反射防止層を含むレンズの他の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the other example of the lens containing an organic type antireflection layer. グループ(2c)に含まれる実施例38に関する図であって、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件、およびサンプルの評価結果を纏めて示す図。It is a figure regarding Example 38 contained in a group (2c), Comprising: The figure which shows collectively the layer structure of an anti-reflective layer, the film-forming conditions of a carbide layer (translucent thin film), and the evaluation result of a sample. 図24(A)は、チタンターゲットに二酸化炭素ガスおよびアルゴンガスをイオン化して照射している様子を示す図、図24(B)は、ZrO2層の上にチタンカーバイドを含む層(透光性薄膜)がスパッタにより形成された様子を示す図。FIG. 24A is a diagram showing a state in which carbon dioxide gas and argon gas are ionized and irradiated on a titanium target, and FIG. 24B is a layer containing titanium carbide on the ZrO 2 layer (translucent light transmission). The state which shows a mode that the conductive thin film) was formed by sputtering. グループ(3a)に含まれる実施例39および40に関する図であって、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件、およびサンプルの評価結果を纏めて示す図。It is a figure regarding Example 39 and 40 contained in a group (3a), Comprising: The figure which shows collectively the layer structure of an anti-reflective layer, the film-forming conditions of a carbide layer (translucent thin film), and the evaluation result of a sample. 眼鏡の一例を示す図。The figure which shows an example of spectacles. プロジェクターの一例の概要を示す図。The figure which shows the outline | summary of an example of a projector. デジタルカメラの一例の概要を示す図。The figure which shows the outline | summary of an example of a digital camera. 記録媒体の一例の概要を示す図。The figure which shows the outline | summary of an example of a recording medium.

本発明の幾つかの実施形態を説明する。以下では、光学物品として眼鏡用のレンズを例示して説明するが、本発明を適用可能な光学物品はこれに限定されるものではない。   Several embodiments of the present invention will be described. Hereinafter, a spectacle lens will be described as an example of an optical article, but the optical article to which the present invention is applicable is not limited to this.

図1に、本実施形態の典型的なレンズの構成を、基材を中心とした一方の面の側の断面図により示している。レンズ10は、光学基材(レンズ基材)1と、レンズ基材1の表面に形成されたハードコート層2と、ハードコート層2の上に形成された透光性の反射防止層3と、反射防止層3の上に形成された防汚層4とを含む。なお、防汚層4は省略可能である。   FIG. 1 shows a configuration of a typical lens of the present embodiment by a cross-sectional view of one surface side with a base material as a center. The lens 10 includes an optical substrate (lens substrate) 1, a hard coat layer 2 formed on the surface of the lens substrate 1, and a translucent antireflection layer 3 formed on the hard coat layer 2. And the antifouling layer 4 formed on the antireflection layer 3. The antifouling layer 4 can be omitted.

1. レンズの概要
1.1 レンズ基材
レンズ基材1に使用される材料は、特に限定されないが、例えば、(メタ)アクリル樹脂をはじめとして、スチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アリル樹脂、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート樹脂(CR−39)などのアリルカーボネート樹脂、ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、イソシアネート化合物とジエチレングリコールなどのヒドロキシ化合物との反応で得られるウレタン樹脂、イソシアネート化合物とポリチオール化合物との反応で得られるチオウレタン樹脂、分子内に1つ以上のジスルフィド結合を有する(チオ)エポキシ化合物を含有する重合性組成物を硬化して得られる透明樹脂などを挙げることができる。レンズ基材1の屈折率は、例えば、1.64〜1.75程度である。レンズ基材1の屈折率は、上記の範囲でも、上記の範囲から上下に離れていてもよい。
1. Overview of Lens 1.1 Lens Base Material The material used for the lens base material 1 is not particularly limited. For example, (meth) acrylic resin, styrene resin, polycarbonate resin, allyl resin, diethylene glycol bisallyl carbonate resin are used. Allyl carbonate resins such as (CR-39), vinyl resins, polyester resins, polyether resins, urethane resins obtained by reaction of isocyanate compounds with hydroxy compounds such as diethylene glycol, thios obtained by reaction of isocyanate compounds and polythiol compounds Examples thereof include a urethane resin and a transparent resin obtained by curing a polymerizable composition containing a (thio) epoxy compound having one or more disulfide bonds in the molecule. The refractive index of the lens substrate 1 is, for example, about 1.64 to 1.75. The refractive index of the lens substrate 1 may be within the above range or may be separated from the above range in the vertical direction.

1.2 ハードコート層(プライマー層)
ハードコート層2は、耐擦傷性を向上(付与)するものである。ハードコート層2に使用される材料は、例えば、アクリル系樹脂、メラミン系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、アミノ系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニルアルコール系樹脂、スチレン系樹脂、シリコン系樹脂およびこれらの混合物もしくは共重合体などを挙げることができる。
1.2 Hard coat layer (primer layer)
The hard coat layer 2 improves (provides) scratch resistance. Examples of materials used for the hard coat layer 2 include acrylic resins, melamine resins, urethane resins, epoxy resins, polyvinyl acetal resins, amino resins, polyester resins, polyamide resins, and vinyl alcohol resins. And styrene resins, silicon resins, and mixtures or copolymers thereof.

ハードコート層2の一例は、シリコン系樹脂である。このようなハードコート層2は、例えば、シリコン系樹脂などの樹脂成分、金属酸化物微粒子、およびシラン化合物を含むコーティング組成物を用意し、このコーティング組成物をレンズ基材1に塗布し硬化させることにより形成することができる。このコーティング組成物には、コロイダルシリカや多官能性エポキシ化合物などの成分が含まれていてもよい。   An example of the hard coat layer 2 is a silicon-based resin. For such hard coat layer 2, for example, a coating composition containing a resin component such as a silicon-based resin, metal oxide fine particles, and a silane compound is prepared, and this coating composition is applied to lens substrate 1 and cured. Can be formed. This coating composition may contain components such as colloidal silica and a polyfunctional epoxy compound.

ハードコート層2を形成するためのコーティング組成物(ハードコート層形成用のコーティング組成物)に用いる金属酸化物微粒子の具体例は、SiO2、Al23、SnO2、Sb25、Ta25、CeO2、La23、Fe23、ZnO、WO3、ZrO2、In23、TiO2などの金属酸化物からなる微粒子、または2種以上の金属の金属酸化物からなる複合微粒子である。これらの微粒子は、例えば、分散媒(例えば、水、アルコール系もしくはその他の有機溶媒)にコロイド状に分散させ、これをコーティング組成物に混合する。 Specific examples of the metal oxide fine particles used in the coating composition for forming the hard coat layer 2 (coating composition for forming the hard coat layer) are SiO 2 , Al 2 O 3 , SnO 2 , Sb 2 O 5 , Fine particles made of metal oxide such as Ta 2 O 5 , CeO 2 , La 2 O 3 , Fe 2 O 3 , ZnO, WO 3 , ZrO 2 , In 2 O 3 , TiO 2 , or metal of two or more metals Composite fine particles made of an oxide. These fine particles are dispersed, for example, in a colloidal form in a dispersion medium (for example, water, alcohol-based or other organic solvent) and mixed with the coating composition.

レンズ基材1とハードコート層2との密着性を確保するために、レンズ基材1とハードコート層2との間にプライマー層を設けてもよい。プライマー層は、高屈折率レンズ基材の欠点である耐衝撃性を改善するためにも有効である。プライマー層に使用される材料としては、例えば、アクリル系樹脂、メラミン系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、アミノ系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニルアルコール系樹脂、スチレン系樹脂、シリコン系樹脂およびこれらの混合物もしくは共重合体などを挙げることができる。密着性を持たせるためのプライマー層としては、ウレタン系樹脂およびポリエステル系樹脂が好ましい。   In order to ensure adhesion between the lens substrate 1 and the hard coat layer 2, a primer layer may be provided between the lens substrate 1 and the hard coat layer 2. The primer layer is also effective for improving impact resistance, which is a drawback of a high refractive index lens substrate. Examples of materials used for the primer layer include acrylic resins, melamine resins, urethane resins, epoxy resins, polyvinyl acetal resins, amino resins, polyester resins, polyamide resins, vinyl alcohol resins, Examples thereof include styrene resins, silicon resins and mixtures or copolymers thereof. As the primer layer for providing adhesion, urethane-based resins and polyester-based resins are preferable.

ハードコート層2およびプライマー層の製造方法の典型的なものは、ディッピング法、スピンナー法、スプレー法、フロー法によりコーティング組成物を塗布し、その後、40〜200℃の温度で数時間加熱乾燥する方法である。   A typical manufacturing method of the hard coat layer 2 and the primer layer is to apply the coating composition by dipping method, spinner method, spray method, flow method, and then heat-dry at a temperature of 40 to 200 ° C. for several hours. Is the method.

1.3 反射防止層
ハードコート層2の上に形成される反射防止層3の典型的なものは、無機系の反射防止層、あるいは有機系の反射防止層である。無機系の反射防止層3は、典型的には多層膜で構成され、例えば、屈折率が1.3〜1.6である低屈折率層31と、屈折率が1.8〜2.6である高屈折率層32とを交互に積層して形成することができる。層数の一例は、5層(典型的には、低屈折率層31が3層、高屈折率層32が2層)あるいは7層(典型的には、低屈折率層31が4層、高屈折率層32が3層)である。以下の実施例においては、反射防止層3に透光性薄膜33を加える。透光性薄膜33は反射防止層3の基本的な光学的性質に影響を与えるものではない。したがって、以下において透光性薄膜33を含む5層および7層の反射防止層3を全体として6層あるいは8層と表現する場合もあるが、光学的な反射防止層3の構成は5層および7層である。
1.3 Antireflection Layer A typical antireflection layer 3 formed on the hard coat layer 2 is an inorganic antireflection layer or an organic antireflection layer. The inorganic antireflection layer 3 is typically composed of a multilayer film. For example, the low refractive index layer 31 having a refractive index of 1.3 to 1.6 and a refractive index of 1.8 to 2.6. The high refractive index layers 32 can be alternately stacked. An example of the number of layers is five layers (typically, three low refractive index layers 31 and two high refractive index layers 32) or seven layers (typically four low refractive index layers 31; The high refractive index layer 32 is three layers). In the following examples, a translucent thin film 33 is added to the antireflection layer 3. The translucent thin film 33 does not affect the basic optical properties of the antireflection layer 3. Therefore, in the following description, the 5-layer and 7-layer antireflection layers 3 including the translucent thin film 33 may be expressed as 6 layers or 8 layers as a whole. 7 layers.

反射防止層3を構成する各層に使用される無機物の例としては、SiO2、SiO、ZrO2、TiO2、TiO、Ti23、Ti25、Al23、TaO2、Ta25、NdO2、NbO、Nb23、NbO2、Nb25、CeO2、MgO、Y23、SnO2、MgF2、WO3、HfO2、Y23などを挙げることができる。これらの無機物は、単独で用いるか、もしくは2種以上を混合して用いる。 Examples of inorganic materials used in each layer constituting the antireflection layer 3 include SiO 2 , SiO, ZrO 2 , TiO 2 , TiO, Ti 2 O 3 , Ti 2 O 5 , Al 2 O 3 , TaO 2 , Ta 2 O 5 , NdO 2 , NbO, Nb 2 O 3 , NbO 2 , Nb 2 O 5 , CeO 2 , MgO, Y 2 O 3 , SnO 2 , MgF 2 , WO 3 , HfO 2 , Y 2 O 3 etc. Can be mentioned. These inorganic substances are used alone or in combination of two or more.

反射防止層3を形成する典型的な方法は、乾式法、すなわち物理的蒸着法であり、例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などが挙げられる。真空蒸着法においては、蒸着中にイオンビームを同時に照射するイオンビームアシスト法を用いてもよい。   A typical method for forming the antireflection layer 3 is a dry method, that is, a physical vapor deposition method, and examples thereof include a vacuum vapor deposition method, an ion plating method, and a sputtering method. In the vacuum vapor deposition method, an ion beam assist method in which an ion beam is simultaneously irradiated during vapor deposition may be used.

有機系の反射防止層3の製造方法の1つは湿式法である。例えば、内部空洞を有するシリカ系微粒子(以下、「中空シリカ系微粒子」ともいう)と、有機ケイ素化合物とを含む反射防止層形成用のコーティング組成物を、ハードコート層、プライマー層と同様の方法でコーティングして形成することができる。反射防止層形成用のコーティング組成物に中空シリカ系微粒子を用いるのは、内部空洞内にシリカよりも屈折率が低い気体または溶媒が包含されることによって、空洞のないシリカ系微粒子に比べてより屈折率が低減し、結果的に、優れた反射防止効果を付与できるからである。中空シリカ系微粒子は、特開2001−233611号公報に記載されている方法などで製造することができるが、平均粒子径が1〜150nmの範囲にあり、かつ屈折率が1.16〜1.39の範囲にあるものを使用することが望ましい。有機系の反射防止層の層厚は、50〜150nmの範囲が好ましい。この範囲より厚すぎたり薄すぎたりすると、十分な反射防止効果が得られないおそれがある。   One method for producing the organic antireflection layer 3 is a wet method. For example, a coating composition for forming an antireflection layer containing silica-based fine particles having internal cavities (hereinafter also referred to as “hollow silica-based fine particles”) and an organosilicon compound is formed by the same method as for the hard coat layer and primer layer It can be formed by coating with. The hollow silica-based fine particles are used in the coating composition for forming the antireflection layer because the gas or solvent having a refractive index lower than that of silica is included in the internal cavities, compared with silica-based fine particles without cavities. This is because the refractive index is reduced, and as a result, an excellent antireflection effect can be imparted. The hollow silica-based fine particles can be produced by a method described in JP-A No. 2001-233611, but the average particle diameter is in the range of 1 to 150 nm and the refractive index is 1.16 to 1. It is desirable to use those in the 39 range. The thickness of the organic antireflection layer is preferably in the range of 50 to 150 nm. If it is too thick or too thin than this range, a sufficient antireflection effect may not be obtained.

1.4 防汚層
反射防止層3の上に撥水膜、または親水性の防曇膜(防汚層)4を形成することが多い。防汚層4は、光学物品(レンズ)10の表面の撥水撥油性能を向上させる目的で、反射防止層3の上に形成されるものであり、典型的なものとしては、フッ素を含有する有機ケイ素化合物からなる層を挙げることができる。フッ素を含有する有機ケイ素化合物(含フッ素シラン化合物)としては、例えば、特開2005−301208号公報や特開2006−126782号公報に記載されている含フッ素シラン化合物を好適に使用することができる。
1.4 Antifouling Layer A water repellent film or a hydrophilic antifogging film (antifouling layer) 4 is often formed on the antireflection layer 3. The antifouling layer 4 is formed on the antireflection layer 3 for the purpose of improving the water / oil repellency of the surface of the optical article (lens) 10, and typically contains fluorine. And a layer made of an organosilicon compound. As the organosilicon compound containing fluorine (fluorine-containing silane compound), for example, fluorine-containing silane compounds described in JP-A-2005-301208 and JP-A-2006-126782 can be suitably used. .

含フッ素シラン化合物は、有機溶剤に溶解し、所定濃度に調整した撥水処理液(防汚層形成用のコーティング組成物)として用いることが好ましい。防汚層は、この撥水処理液を反射防止層上に塗布することにより形成することができる。塗布方法としては、ディッピング法、スピンコート法などを用いることができる。なお、撥水処理液を金属ペレットに充填した後、真空蒸着法などの乾式法を用いて、防汚層を形成することも可能である。   The fluorine-containing silane compound is preferably used as a water-repellent treatment liquid (coating composition for forming an antifouling layer) dissolved in an organic solvent and adjusted to a predetermined concentration. The antifouling layer can be formed by applying this water repellent treatment liquid on the antireflection layer. As a coating method, a dipping method, a spin coating method, or the like can be used. It is also possible to form an antifouling layer by using a dry method such as vacuum deposition after filling the metal pellet with the water repellent treatment liquid.

防汚層の層厚は、特に限定されないが、0.001〜0.5μmが好ましい。より好ましくは0.001〜0.03μmである。防汚層の層厚が薄すぎると撥水撥油効果が乏しくなり、厚すぎると表面がべたつくので好ましくない。また、防汚層の厚さが0.03μmより厚くなると反射防止効果が低下する可能性がある。   The layer thickness of the antifouling layer is not particularly limited, but is preferably 0.001 to 0.5 μm. More preferably, it is 0.001-0.03 micrometer. If the antifouling layer is too thin, the water and oil repellency is poor, and if it is too thick, the surface becomes sticky, which is not preferable. Further, when the antifouling layer is thicker than 0.03 μm, the antireflection effect may be lowered.

2. 第1の方法によるSiO2−ZrO2系の反射防止層を備えたサンプルの製造
低屈折率層31としてSiO2層、高屈折率層32としてZrO2層を採用した反射防止層3を備えたサンプルを製造した。さらに、以下に詳述するが、最上(最外)の高屈折率層32を第1の層として、その表面にさらにTiOxを遷移金属酸化物薄膜として積層(形成)し、TiOxの薄膜に対し、炭酸ガス(二酸化炭素の気体)を第1の気体として使用し、その炭酸ガスをイオン化して照射することにより、最上(最外)の高屈折率層32の表面に透光性薄膜33を形成している。SiO2−ZrO2系の反射防止層3に、第1の気体(炭酸ガス)をイオン化して照射する方法(第1の方法)により透光性薄膜33を導入したサンプルのグループをグループ(1a)と呼ぶ。
2. Production of sample with SiO 2 —ZrO 2 antireflection layer by the first method An antireflection layer 3 employing a SiO 2 layer as the low refractive index layer 31 and a ZrO 2 layer as the high refractive index layer 32 was provided. Samples were manufactured. Moreover, although described in detail below, to the top as a first layer a high refractive index layer 32 of the (outermost), further laminated TiO x on the surface as the transition metal oxide thin film (formation), the TiO x film In contrast, by using carbon dioxide gas (carbon dioxide gas) as the first gas, and ionizing and irradiating the carbon dioxide gas, a light-transmitting thin film is formed on the surface of the uppermost (outermost) high refractive index layer 32. 33 is formed. A group of samples in which the translucent thin film 33 is introduced into the SiO 2 —ZrO 2 -based antireflection layer 3 by ionizing and irradiating the first gas (carbon dioxide gas) (first method) is a group (1a). ).

また、以降では、各々の実施例のサンプルはサンプルS1、サンプルS2と呼び、各実施例に共通してサンプルを指す場合にはサンプル10と呼ぶことにする。   Further, hereinafter, the samples of the respective examples are referred to as sample S1 and sample S2, and are referred to as sample 10 when referring to the samples in common with the respective examples.

2.1 実施例1(サンプルS1)
2.1.1 レンズ基材の選択およびハードコート層の成膜
レンズ基材1としては、屈折率1.67の眼鏡用のプラスチックレンズ基材(商品名:セイコースーパーソブリン(SSV)(セイコーエプソン(株)製))を用いた。
2.1 Example 1 (Sample S1)
2.1.1 Selection of Lens Substrate and Formation of Hard Coat Layer As the lens substrate 1, a plastic lens substrate for eyeglasses having a refractive index of 1.67 (trade name: Seiko Super Sovereign (SSV) (Seiko Epson) Manufactured by the same company)).

ハードコート層2を形成するための塗布液(コーティング液、コーティング組成物)を次のように調製した。エポキシ樹脂−シリカハイブリッド(商品名:コンポセラン(登録商標)E102(荒川化学工業(株)製))20重量部に、酸無水物系硬化剤(商品名:硬化剤液(C2)(荒川化学工業(株)製))4.46重量部を混合、攪拌して塗布液(コーティング液)を得た。   A coating solution (coating solution, coating composition) for forming the hard coat layer 2 was prepared as follows. Epoxy resin-silica hybrid (trade name: Composeran (registered trademark) E102 (manufactured by Arakawa Chemical Industry Co., Ltd.)) and 20 parts by weight of an acid anhydride curing agent (trade name: curing agent liquid (C2) (Arakawa Chemical Industries 4.46 parts by weight were mixed and stirred to obtain a coating solution (coating solution).

このコーティング液を所定の厚さになるようにスピンコーターを用いてレンズ基材1の上に塗布した。コーティング液塗布後のレンズ基材を125℃で2時間焼成し、レンズ基材1の上にハードコート層2を成膜した。   This coating solution was applied onto the lens substrate 1 using a spin coater so as to have a predetermined thickness. The lens substrate after application of the coating solution was baked at 125 ° C. for 2 hours, and a hard coat layer 2 was formed on the lens substrate 1.

2.1.2 反射防止層の成膜
2.1.2.1 蒸着装置
次に、図2に示す蒸着装置100により、ハードコート層2の上に無機系の反射防止層3を製造(成膜)した。
2.1.2 Formation of Antireflection Layer 2.1.2.1 Vapor Deposition Apparatus Next, an inorganic antireflection layer 3 is manufactured (synthesized on the hard coat layer 2) by a vapor deposition apparatus 100 shown in FIG. Film).

図2に例示した蒸着装置100は電子ビーム蒸着装置であり、真空容器110、排気装置120およびガス供給装置130を備えている。真空容器110は、ハードコート層2までが形成されたレンズサンプル10が載置されるサンプル支持台115と、サンプル支持台115にセットされたレンズサンプル10を加熱するための基材加熱用ヒーター116と、熱電子を発生するフィラメント117とを備えている。   The vapor deposition apparatus 100 illustrated in FIG. 2 is an electron beam vapor deposition apparatus, and includes a vacuum vessel 110, an exhaust device 120, and a gas supply device 130. The vacuum vessel 110 includes a sample support table 115 on which the lens sample 10 formed up to the hard coat layer 2 is placed, and a substrate heating heater 116 for heating the lens sample 10 set on the sample support table 115. And a filament 117 that generates thermoelectrons.

この蒸着装置100では、電子銃(不図示)により熱電子を加速し、蒸発源(るつぼ)112および113にセットされた蒸着材料に熱電子を照射し、これを蒸発させて、レンズサンプル10に材料を蒸着する。   In this vapor deposition apparatus 100, thermoelectrons are accelerated by an electron gun (not shown), the vapor deposition materials set in the evaporation sources (crucibles) 112 and 113 are irradiated with the thermal electrons, and this is evaporated to the lens sample 10. Deposit material.

さらに、この蒸着装置100は、容器110の内部に導入したガスをイオン化して加速し、レンズサンプル10に照射するためのイオン銃118を備えている。このような構成を有しているため、この蒸着装置100は、イオンビームを形成したり、イオンアシスト蒸着を行ったりすることができる。   Further, the vapor deposition apparatus 100 includes an ion gun 118 for ionizing and accelerating the gas introduced into the container 110 and irradiating the lens sample 10. Since it has such a configuration, the vapor deposition apparatus 100 can form an ion beam or perform ion-assisted vapor deposition.

また、真空容器110には、残留した水分を除去するためのコールドトラップや、層厚を管理するための装置などをさらに設けることができる。層厚を管理する装置としては、例えば、反射型の光学膜厚計や水晶振動子膜厚計などがある。   Further, the vacuum vessel 110 can be further provided with a cold trap for removing residual moisture, a device for managing the layer thickness, and the like. As a device for managing the layer thickness, for example, there is a reflective optical film thickness meter, a crystal oscillator thickness meter, or the like.

真空容器110の内部は、排気装置120に含まれるターボ分子ポンプまたはクライオポンプ121と、圧力調整バルブ122とにより、高真空、例えば1×10-4Paに保持することができる。一方、真空容器110の内部は、ガス供給装置130により所定のガス雰囲気とすることも可能である。ガス供給装置130は、ガス容器131、流量制御装置132、圧力計135などを含む。例えば、ガス容器131には、二酸化炭素ガス(CO2)などの第1の気体(炭素、ケイ素、ゲルマニウムのいずれかを含む第1の化合物群に含まれる気体(単体または混合ガス))、アルゴンガス(Ar)、窒素ガス(N2)、酸素ガス(O2)などが用意される。ガスの流量は流量制御装置132により制御でき、真空容器110の内圧は圧力計135により制御できる。 The inside of the vacuum vessel 110 can be maintained at a high vacuum, for example, 1 × 10 −4 Pa by the turbo molecular pump or cryopump 121 included in the exhaust device 120 and the pressure adjustment valve 122. On the other hand, the inside of the vacuum vessel 110 can be set to a predetermined gas atmosphere by the gas supply device 130. The gas supply device 130 includes a gas container 131, a flow rate control device 132, a pressure gauge 135, and the like. For example, the gas container 131 includes a first gas such as carbon dioxide gas (CO 2 ) (a gas (a simple substance or a mixed gas) contained in a first compound group containing any one of carbon, silicon, and germanium), argon, and the like. Gas (Ar), nitrogen gas (N 2 ), oxygen gas (O 2 ), etc. are prepared. The gas flow rate can be controlled by the flow rate control device 132, and the internal pressure of the vacuum vessel 110 can be controlled by the pressure gauge 135.

基材加熱用ヒーター116は、例えば赤外線ランプであり、レンズサンプル10を加熱することによりガス出しあるいは水分とばしを行い、レンズサンプル10の表面に形成される層の密着性を確保する。   The substrate heating heater 116 is, for example, an infrared lamp, and by heating the lens sample 10, the substrate 116 is degassed or dehydrated to ensure adhesion of the layer formed on the surface of the lens sample 10.

したがって、この蒸着装置100における主な蒸着条件は、蒸着材料、電子銃の加速電圧および電流値、イオンアシストの有無である。イオンアシストを利用する場合の条件は、イオンの種類(真空容器110の雰囲気)と、イオン銃118の電圧値および電流値とにより与えられる。以下において特に記載しないかぎり、電子銃の加速電圧は、5〜10kVの範囲、電流値は50〜500mAの範囲の中で、成膜レートなどをもとに選択される。また、イオンビームを形成したり、イオンアシストを利用したりする場合は、イオン銃118が電圧値200V〜1kVの範囲、電流値が100〜500mAの範囲で、成膜レートなどをもとに選択される。   Therefore, the main vapor deposition conditions in the vapor deposition apparatus 100 are the vapor deposition material, the acceleration voltage and current value of the electron gun, and the presence or absence of ion assist. Conditions for using ion assist are given by the type of ions (atmosphere of the vacuum vessel 110) and the voltage value and current value of the ion gun 118. Unless otherwise specified, the acceleration voltage of the electron gun is selected within the range of 5 to 10 kV and the current value within the range of 50 to 500 mA based on the film formation rate and the like. Also, when forming an ion beam or using ion assist, the ion gun 118 is selected based on the deposition rate, etc., with a voltage value in the range of 200 V to 1 kV and a current value in the range of 100 to 500 mA. Is done.

2.1.2.2 低屈折率層、高屈折率層およびカーバイドを含む層(透光性薄膜)の成膜
ハードコート層2が形成されたレンズサンプル10をアセトンにて洗浄し、真空容器110の内部にて約70℃の加熱処理を行い、レンズサンプル10に付着した水分を蒸発させた。次に、レンズサンプル10の表面にイオンクリーニングを実施した。具体的には、イオン銃118を用いて酸素イオンビームを数百eVのエネルギーでレンズサンプル10の表面に照射し、レンズサンプル10の表面に付着した有機物の除去を行った。この方法により、レンズサンプル10の表面に形成する層(膜、後述する第1層31)の付着力を強固なものとすることができる。なお、酸素イオンの代わりに不活性ガス、例えば、アルゴン(Ar)、キセノン(Xe)や、窒素(N2)を用いて同様の処理を行ってもよいし、酸素ラジカルや酸素プラズマを照射してもよい。
2.1.2.2 Formation of Low Refractive Index Layer, High Refractive Index Layer and Carbide-Containing Layer (Translucent Thin Film) The lens sample 10 on which the hard coat layer 2 is formed is washed with acetone, and a vacuum container Heat treatment at about 70 ° C. was performed inside 110 to evaporate water adhering to the lens sample 10. Next, ion cleaning was performed on the surface of the lens sample 10. Specifically, the ion gun 118 was used to irradiate the surface of the lens sample 10 with an energy of several hundred eV with an energy of several hundred eV to remove organic substances attached to the surface of the lens sample 10. By this method, the adhesion force of the layer (film, first layer 31 described later) formed on the surface of the lens sample 10 can be strengthened. The same treatment may be performed using an inert gas such as argon (Ar), xenon (Xe), or nitrogen (N 2 ) instead of oxygen ions, or irradiation with oxygen radicals or oxygen plasma. May be.

真空容器110の内部を十分に真空排気した後、電子ビーム真空蒸着法により、低屈折率層31および高屈折率層32を交互に積層して、以下のような多層構造の無機系の反射防止層3を製造した。   After sufficiently evacuating the inside of the vacuum vessel 110, the low refractive index layer 31 and the high refractive index layer 32 are alternately stacked by an electron beam vacuum deposition method, and the following inorganic antireflection with a multilayer structure is performed. Layer 3 was produced.

(低屈折率層)
第1層および第3層は低屈折率層31であり、イオンアシストは行わず、真空蒸着によりSiO2層を成膜した。成膜レートは2.0nm/secとし、電子銃の加速電圧は7kV、電流は100mAとした。
(Low refractive index layer)
The first layer and the third layer were the low refractive index layer 31, and the SiO 2 layer was formed by vacuum deposition without performing ion assist. The deposition rate was 2.0 nm / sec, the acceleration voltage of the electron gun was 7 kV, and the current was 100 mA.

(高屈折率層)
第2層および第4層は高屈折率層32であり、タブレット状のZrO2焼結体材料を電子ビームで加熱蒸発させZrO2層を成膜した。成膜レートは0.8nm/secとした。
(High refractive index layer)
The second layer and the fourth layer were the high refractive index layer 32, and a ZrO 2 layer was formed by heating and evaporating a tablet-like ZrO 2 sintered material with an electron beam. The film formation rate was 0.8 nm / sec.

(カーバイドを含む層(透光性薄膜))
図3(A)〜(C)は、最上(最外)の高屈折率層32を第1の層とし、その表面にカーバイドを含む層33の形成を模式的に示している。図3(A)〜(C)は蒸着装置100においてカーバイドを含む層(透光性薄膜)33を形成する様子を示しており、高屈折率層32と透光性薄膜33との上下関係は図1に示したレンズサンプル10とは逆転して示されている。したがって、これらの図は、レンズサンプル10上に、第1層31、第2層32、第3層31、第4層32を成膜した後、蒸着装置100を用い、カーバイドを含む層、本例では、チタンカーバイド(典型的には、TiCであり、その他TiOCなどを含む)を含む層33を第5層(導電層)として成膜する様子を示している。すなわち、本例では、第4層32が第1の層、カーバイドを含む層(第5層)33が透光性薄膜(導電層)である。以下、カーバイドを含む層33を単にカーバイド層と記載する。
(Layer containing carbide (translucent thin film))
FIGS. 3A to 3C schematically show formation of a layer 33 containing carbide on the surface of the uppermost (outermost) high refractive index layer 32 as a first layer. 3A to 3C show a state in which a layer (translucent thin film) 33 containing carbide is formed in the vapor deposition apparatus 100. The vertical relationship between the high refractive index layer 32 and the translucent thin film 33 is as follows. It is shown reversed from the lens sample 10 shown in FIG. Therefore, in these drawings, the first layer 31, the second layer 32, the third layer 31, and the fourth layer 32 are formed on the lens sample 10, and then the layer including the carbide, the main layer, using the vapor deposition apparatus 100. In the example, a state is shown in which a layer 33 containing titanium carbide (typically TiC and other TiOC and the like) is formed as a fifth layer (conductive layer). That is, in this example, the fourth layer 32 is the first layer, and the layer containing carbide (fifth layer) 33 is the translucent thin film (conductive layer). Hereinafter, the layer 33 containing carbide is simply referred to as a carbide layer.

カーバイド層33は、以下のようにして成膜した。まず、酸化チタン(TiOx、0<X≦2)顆粒或いは粒状の材料を電子ビームで加熱蒸発させ、イオンアシストを行わず真空蒸着を行った。これにより、第4層32の上にTiOx層(遷移金属酸化物薄膜)33aが形成された(図3(A))。このとき、TiOx層33aは、厚さが6nmとなるように成膜した。 The carbide layer 33 was formed as follows. First, titanium oxide (TiO x , 0 <X ≦ 2) granules or granular materials were heated and evaporated with an electron beam, and vacuum deposition was performed without performing ion assist. As a result, a TiO x layer (transition metal oxide thin film) 33a was formed on the fourth layer 32 (FIG. 3A). At this time, the TiO x layer 33a was formed to have a thickness of 6 nm.

その後、酸素ガスに代わり、二酸化炭素(CO2)ガスを使用し、二酸化炭素(CO2)ガス(炭酸ガス)とアルゴン(Ar)ガスとの混合ガスを、二酸化炭素ガスの流量を15sccm、アルゴンガスの流量を15sccmとして真空容器110内に導入し、イオン化させ、イオンエネルギーを800eV、イオン電流を200mAとした。これにより、二酸化炭素ガスからCO2+、CO+、C+などを含む炭酸ガスイオンビームを生成し、成膜したTiOx層33aに照射した。炭酸ガスイオンビームの照射時間は120秒とした(図3(B))。 Thereafter, carbon dioxide (CO 2 ) gas is used instead of oxygen gas, a mixed gas of carbon dioxide (CO 2 ) gas (carbon dioxide gas) and argon (Ar) gas, a flow rate of carbon dioxide gas of 15 sccm, argon A gas flow rate of 15 sccm was introduced into the vacuum vessel 110 and ionized to make the ion energy 800 eV and the ion current 200 mA. Thus, a carbon dioxide gas ion beam containing CO 2+ , CO + , C + and the like was generated from carbon dioxide gas, and the formed TiO x layer 33a was irradiated. The irradiation time of the carbon dioxide ion beam was 120 seconds (FIG. 3B).

炭酸ガスイオンビームは、二酸化炭素を原料として生成したイオンビームであり、二酸化炭素イオンの他、分解生成物である一酸化炭素イオン、炭素イオン、酸素イオンなどが含まれていてもよい。また、炭酸ガスイオンビームには、一価のイオンの他に、二価や三価の多価イオンも含まれていてもよい。炭酸ガスイオンビームをTiOx層33aに照射することにより、高屈折率層32の表層を形成しているTiOx層33a中で炭素(C)がミキシングされて化学反応し、典型的には、TiOxの一部がチタンカーバイドとなる。これにより、チタンカーバイド(典型的にはTiC)を含む層(カーバイド層)33が形成される(図3(C))。 The carbon dioxide ion beam is an ion beam generated using carbon dioxide as a raw material, and may include carbon monoxide ions, carbon ions, oxygen ions, and the like, which are decomposition products, in addition to carbon dioxide ions. Further, the carbon dioxide ion beam may contain divalent or trivalent multivalent ions in addition to monovalent ions. By irradiating the TiO x layer 33a with a carbon dioxide ion beam, carbon (C) is mixed and chemically reacted in the TiO x layer 33a forming the surface layer of the high refractive index layer 32. A part of TiO x becomes titanium carbide. Thereby, a layer (carbide layer) 33 containing titanium carbide (typically TiC) is formed (FIG. 3C).

この方法により導電性のチタンカーバイドが形成されることは、後述するようにサンプル10が低抵抗化することで確認されている。また、炭酸ガスとアルゴンガスとの混合ガスをイオン化することにより炭酸ガスイオンビームとアルゴンイオンビームとがTiOx層33aに照射される。アルゴンイオンビームを炭酸ガスイオンビームと併用することは、以下の実験結果に示すように低抵抗化に適しており、TiCの形成を促進するなどの影響が予想される。 The formation of conductive titanium carbide by this method has been confirmed by reducing the resistance of the sample 10 as will be described later. Further, by ionizing a mixed gas of carbon dioxide and argon, the TiO x layer 33a is irradiated with a carbon dioxide ion beam and an argon ion beam. Use of an argon ion beam in combination with a carbon dioxide gas ion beam is suitable for reducing the resistance as shown in the following experimental results, and is expected to have an effect of promoting the formation of TiC.

なお、チタンカーバイドは、TiOx層33aの全部または一部(典型的には表面)の領域に形成されて、導電層として機能する透光性薄膜33を形成する。また、TiOx層33a中に導入された炭素(C)は、全てがチタンカーバイドの生成に寄与するとは限られないが、正孔または電子を生成することにより電荷のキャリアを増やし透光性薄膜33の導電率を高めることに寄与する可能性がある。 Titanium carbide is formed in the whole or a part (typically the surface) of the TiO x layer 33a to form the translucent thin film 33 that functions as a conductive layer. In addition, carbon (C) introduced into the TiO x layer 33a does not necessarily contribute to the generation of titanium carbide, but increases the number of charge carriers by generating holes or electrons, and the translucent thin film. This may contribute to increasing the conductivity of 33.

TiOx層33aのうちのどの程度の領域(厚さ、深さ)まで炭素(C)が導入されるか(典型的にはカーバイドが形成されるか)は、炭酸ガスイオンビームの照射時間、イオンエネルギー(イオンの加速電圧)、およびイオン電流によって決まる。本例の条件では、6nmのTiOx層33aのほとんどの領域にチタンカーバイドが形成され、導電性の透光性薄膜33が形成されると考えられる。第4層(ZrO2層)32の表面に積層されたTiOx層33aは光学的には第4層(ZrO2層)32とともに高屈折率層として機能する。したがって、このサンプルS1の製造方法は、最上または最外の高屈折率層32を形成する遷移金属酸化物層33aの表面に炭酸ガスイオンビームを照射することにより高屈折率層32の表面(表層)33を低抵抗化することを含む製造方法である。 To what extent (thickness, depth) of the TiO x layer 33a carbon (C) is introduced (typically carbide is formed) depends on the irradiation time of the carbon dioxide ion beam, It depends on ion energy (acceleration voltage of ions) and ion current. Under the conditions of this example, it is considered that titanium carbide is formed in almost all regions of the 6 nm TiO x layer 33a, and the conductive translucent thin film 33 is formed. The TiO x layer 33 a laminated on the surface of the fourth layer (ZrO 2 layer) 32 optically functions as a high refractive index layer together with the fourth layer (ZrO 2 layer) 32. Therefore, in the manufacturing method of this sample S1, the surface of the high refractive index layer 32 (surface layer) is irradiated by irradiating the surface of the transition metal oxide layer 33a forming the uppermost or outermost high refractive index layer 32 with a carbon dioxide ion beam. ) 33 is a manufacturing method including reducing the resistance.

(低屈折率層)
カーバイド層33の上に、第6層として、第1および第3層と同様の条件で、SiO2層(低屈折率層31)を成膜した。成膜レートは2.0nm/secとし、電子銃の加速電圧は7kV、電流は100mAとした。
(Low refractive index layer)
On the carbide layer 33, a SiO 2 layer (low refractive index layer 31) was formed as a sixth layer under the same conditions as the first and third layers. The deposition rate was 2.0 nm / sec, the acceleration voltage of the electron gun was 7 kV, and the current was 100 mA.

これらの工程において、反射防止層3の光学的性能を主に決める第1〜第4層および第6層の層厚は、それぞれ、150nm、30nm、21nm、55nm、85nmに管理した。この層構造、すなわち、第1層、第3層および第6層がSiO2層の低屈折率層31、第2層および第4層がZrO2層の高屈折率層32、そして、最外の高屈折率層32の表面(外側)に第5層としてカーバイド層33を形成した層構造を、以降ではタイプA1の層構造と呼ぶことにする。 In these steps, the thicknesses of the first to fourth layers and the sixth layer that mainly determine the optical performance of the antireflection layer 3 were controlled to 150 nm, 30 nm, 21 nm, 55 nm, and 85 nm, respectively. This layer structure, that is, the low refractive index layer 31 in which the first layer, the third layer and the sixth layer are SiO 2 layers, the high refractive index layer 32 in which the second layer and the fourth layer are ZrO 2 layers, and the outermost layer The layer structure in which the carbide layer 33 is formed as the fifth layer on the surface (outside) of the high refractive index layer 32 will be referred to as a type A1 layer structure hereinafter.

2.1.3 防汚層の成膜
反射防止層3までが形成されたレンズサンプル10に酸素プラズマ処理を施し、その後、分子量の大きなフッ素含有有機ケイ素化合物を含む「KY−130」(商品名、信越化学工業(株)製)を含有させたペレット材料を蒸着源として防汚層4を成膜した。より具体的には、真空容器110内において、KY−130を約500℃で加熱して蒸発させて、反射防止層3の上に防汚層4を成膜した。蒸着時間は3分間程度とした。反射防止層3までが形成されたレンズサンプル10に酸素プラズマ処理を施こすことにより、最終のSiO2層(第6層)31の表面にシラノール基を生成することができる。このため、酸素プラズマ処理の後に防汚層4を形成することにより、反射防止層3と防汚層4との化学的密着性(化学結合)を高めることができる。
2.1.3 Formation of Antifouling Layer “KY-130” (trade name) containing a fluorine-containing organosilicon compound having a large molecular weight is subjected to oxygen plasma treatment on the lens sample 10 on which the antireflection layer 3 is formed. The antifouling layer 4 was formed using a pellet material containing Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an evaporation source. More specifically, the antifouling layer 4 was formed on the antireflection layer 3 by heating and evaporating KY-130 at about 500 ° C. in the vacuum container 110. The deposition time was about 3 minutes. Silanol groups can be generated on the surface of the final SiO 2 layer (sixth layer) 31 by subjecting the lens sample 10 having the antireflection layer 3 formed thereon to oxygen plasma treatment. For this reason, the chemical adhesion (chemical bond) between the antireflection layer 3 and the antifouling layer 4 can be enhanced by forming the antifouling layer 4 after the oxygen plasma treatment.

蒸着終了後、真空蒸着装置100からレンズサンプル10を取り出し、反転して再び投入し、上記の2.1.2〜2.1.3の工程を同じ手順で繰り返して、反射防止層3の成膜(カーバイド層33の形成を含む)および防汚層4の成膜を行った。その後、レンズサンプル10を真空蒸着装置100から取り出した。これにより、レンズ基材1の両面に、ハードコート層2、カーバイド層33を層内(第5層)に含むタイプA1の反射防止層3、および防汚層4を備えた実施例1のレンズサンプルS1が得られた。   After the vapor deposition is completed, the lens sample 10 is taken out from the vacuum vapor deposition apparatus 100, turned over and turned on again, and the above steps 2.1.2 to 2.1.3 are repeated in the same procedure to form the antireflection layer 3. A film (including the formation of the carbide layer 33) and the antifouling layer 4 were formed. Thereafter, the lens sample 10 was taken out from the vacuum deposition apparatus 100. Thereby, the lens of Example 1 provided with the antireflection layer 3 of the type A1 which contains the hard-coat layer 2, the carbide layer 33 in the layer (5th layer), and the antifouling layer 4 on both surfaces of the lens base material 1. Sample S1 was obtained.

2.2 実施例2(サンプルS2)
後述する光の吸収損失は、表面が湾曲していたりすると測定が難しい。このため、実施例2においては、光学基材1として平面のガラスを用い、その表面にタイプA1の反射防止層3を形成し、サンプルS2を製造した。すなわち、この平面のガラスのサンプル(ガラスサンプル)S2は、レンズサンプルS1と同じ条件で形成した反射防止層3を有するサンプルである。
2.2 Example 2 (Sample S2)
The light absorption loss described later is difficult to measure if the surface is curved. For this reason, in Example 2, a flat glass was used as the optical substrate 1, and the antireflection layer 3 of type A1 was formed on the surface thereof, thereby producing a sample S2. That is, this flat glass sample (glass sample) S2 is a sample having the antireflection layer 3 formed under the same conditions as the lens sample S1.

より詳しくは、この平面のガラスのサンプル(ガラスサンプル)S2は、光学基材1として透明な白板ガラス(B270)を採用し、この光学基材1の上に、ハードコート層を成膜せず、直に上記の実施例1と同様の工程でタイプA1の反射防止層3を成膜した。防汚層は成膜しなかった。   More specifically, this flat glass sample (glass sample) S2 employs a transparent white plate glass (B270) as the optical substrate 1, and a hard coat layer is not formed on the optical substrate 1. The antireflection layer 3 of type A1 was formed directly in the same process as in Example 1 above. No antifouling layer was formed.

2.3 実施例3(サンプルS3)
実施例3では、実施例1と同じレンズ基材1を用い、同じ条件(2.1.1)でハードコート層2を形成し、さらに、その上にタイプA1の反射防止層3と防汚層4とを形成し、サンプルS3を製造した。
2.3 Example 3 (Sample S3)
In Example 3, the same lens base material 1 as in Example 1 was used, the hard coat layer 2 was formed under the same conditions (2.1.1), and the antireflection layer 3 of type A1 and the antifouling layer were further formed thereon. Layer 4 was formed to produce sample S3.

低屈折率層31および高屈折率層32の成膜方法は、実施例1と同じ条件(2.1.2.2)で行った。カーバイド層(第5層)33の成膜においては、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)とアルゴン(Ar)ガスとの混合ガスを、二酸化炭素ガスの流量を15sccm、アルゴンガスの流量を15sccmとして真空容器110内に導入し、オン化させ、イオンエネルギーを500eV、イオン電流を200mAとした。TiOx層33aへの炭酸ガスイオンビームの照射時間は120秒とした。他の条件および成膜方法は実施例1と同じである(2.1.2.2参照)。そして、反射防止層3を形成した後、実施例1と同様に防汚層4を成膜した(2.1.3参照)。 The low refractive index layer 31 and the high refractive index layer 32 were formed under the same conditions (2.1.2.2) as in Example 1. In the film formation of the carbide layer (fifth layer) 33, a mixed gas of carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) and argon (Ar) gas, a flow rate of carbon dioxide gas of 15 sccm, and argon gas A flow rate of 15 sccm was introduced into the vacuum vessel 110 and turned on, the ion energy was 500 eV, and the ion current was 200 mA. The irradiation time of the carbon dioxide ion beam to the TiO x layer 33a was 120 seconds. Other conditions and the film forming method are the same as those in Example 1 (see 2.1.2.2). And after forming the antireflection layer 3, the antifouling layer 4 was formed like Example 1 (refer to 2.1.3).

2.4 実施例4(サンプルS4)
実施例4では、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプA1の反射防止層3を実施例3と同じ条件で形成し、サンプルS4を製造した。防汚層は成膜しなかった。
2.4 Example 4 (Sample S4)
In Example 4, a flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and a type A1 antireflection layer 3 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 3 to produce Sample S4. No antifouling layer was formed.

2.5 実施例5(サンプルS5)
実施例5では、実施例1と同じ条件(2.1)でレンズ基材1の上にハードコート層2、タイプA1の反射防止層3および防汚層4を形成し、サンプルS5を製造した。ただし、カーバイド層(第5層)33の成膜においては、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)を流量30sccmとして真空容器110内に導入し、イオン化させ、イオンエネルギーを800eV、イオン電流を150mAとした。また、TiOx層33aへの炭酸ガスイオンビームの照射時間は20秒とした。
2.5 Example 5 (Sample S5)
In Example 5, the hard coat layer 2, the antireflection layer 3 of type A1, and the antifouling layer 4 were formed on the lens substrate 1 under the same conditions (2.1) as in Example 1 to produce Sample S5. . However, in the film formation of the carbide layer (fifth layer) 33, carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) is introduced into the vacuum vessel 110 at a flow rate of 30 sccm, ionized, and ion energy is set to 800 eV. The current was 150 mA. The irradiation time of the carbon dioxide ion beam to the TiO x layer 33a was 20 seconds.

2.6 実施例6(サンプルS6)
実施例6では、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプA1の反射防止層3を実施例5と同じ条件で形成し、サンプルS6を製造した。防汚層は成膜しなかった。
2.6 Example 6 (Sample S6)
In Example 6, flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and a type A1 antireflection layer 3 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 5 to produce Sample S6. No antifouling layer was formed.

2.7 比較例1(サンプルR1)
サンプルR1として、実施例1と同じレンズ基材を用い、同じ条件(2.1.1)でハードコート層を形成し、さらに、その表面に反射防止層を形成し、サンプルR1を製造した。低屈折率層および高屈折率層は、上記の2.1.2.2と同じ条件で成膜した。
2.7 Comparative Example 1 (Sample R1)
As the sample R1, the same lens substrate as in Example 1 was used, a hard coat layer was formed under the same conditions (2.1.1), and an antireflection layer was further formed on the surface thereof, thereby producing a sample R1. The low refractive index layer and the high refractive index layer were formed under the same conditions as in 2.1.2.2 above.

ただし、第5層(導電層)としては、Si(金属シリコン、アモルファスシリコン)のみを、イオンアシストを用いずに3nmだけ蒸着した。すなわち、第4層(ZrO2層)を成膜後、Siを真空蒸着により成膜し、第5層(導電層)としてアモルファスシリコンの層を形成した。なお、アモルファスシリコン層は、純粋なSiだけで構成されていなくてもよく、多少は酸化されていてもよい。そして、その上に第6層として、SiO2層を形成した。したがって、反射防止層は、アモルファスシリコン層を含む6層構造になる。この6層構造で、アモルファスシリコン層を含むタイプの層構造をタイプA3と呼ぶことにする。 However, as the fifth layer (conductive layer), only Si (metal silicon, amorphous silicon) was deposited by 3 nm without using ion assist. That is, after the fourth layer (ZrO 2 layer) was formed, Si was formed by vacuum deposition, and an amorphous silicon layer was formed as the fifth layer (conductive layer). Note that the amorphous silicon layer may not be composed of pure Si, and may be somewhat oxidized. Then, an SiO 2 layer was formed thereon as a sixth layer. Therefore, the antireflection layer has a six-layer structure including an amorphous silicon layer. In this six-layer structure, a layer structure including an amorphous silicon layer is referred to as type A3.

反射防止層3を形成した後、実施例1と同様に防汚層を成膜した(2.1.3参照)。したがって、比較例1により製造されたレンズサンプルR1は、プラスチックレンズ基材と、ハードコート層と、第5層(導電層)にアモルファスシリコン層を含むタイプA3の反射防止層と、防汚層とを含む。   After forming the antireflection layer 3, an antifouling layer was formed in the same manner as in Example 1 (see 2.1.3). Therefore, the lens sample R1 manufactured according to Comparative Example 1 includes a plastic lens substrate, a hard coat layer, a type A3 antireflection layer including an amorphous silicon layer in the fifth layer (conductive layer), an antifouling layer, including.

2.8 比較例2(サンプルR2)
サンプルR2として、実施例1と同じレンズ基材を用い、同じ条件(2.1.1)でハードコート層を形成し、さらに、その表面に反射防止層を形成し、サンプルR2を製造した。低屈折率層および高屈折率層は、上記の2.1.2.2と同じ条件で成膜した。
2.8 Comparative Example 2 (Sample R2)
As sample R2, the same lens substrate as in Example 1 was used, a hard coat layer was formed under the same conditions (2.1.1), an antireflection layer was further formed on the surface thereof, and sample R2 was produced. The low refractive index layer and the high refractive index layer were formed under the same conditions as in 2.1.2.2 above.

ただし、第5層(導電層)としては、酸化インジウムスズ(ITO)をイオンアシスト真空蒸着により3nmだけ成膜した。すなわち、第4層(ZrO2層)を成膜後、ITOをイオンアシスト真空蒸着により3nm成膜し、第5層(導電層)としてITO層を形成した。ITO層の成膜の際は、電子銃の加速電圧を7kV、電流値を50mAとした。また、ITO膜の酸化を促進させるために、真空容器内に毎分15ミリリットルの酸素ガスを導入し、酸素雰囲気とした。イオン銃へは毎分35ミリリットルで酸素ガスを導入し、電圧値を500V、電流値を250mAとして、サンプルに酸素イオンビームを照射した。そして、その上に第6層として、SiO2層を形成した。したがって、反射防止層3は、ITO層を含む6層構造になる。この6層構造で、ITO層を含むタイプの層構造をタイプA4と呼ぶことにする。 However, as the fifth layer (conductive layer), indium tin oxide (ITO) was formed to a thickness of 3 nm by ion-assisted vacuum deposition. That is, after forming the fourth layer (ZrO 2 layer), ITO was formed to a thickness of 3 nm by ion-assisted vacuum deposition, and an ITO layer was formed as the fifth layer (conductive layer). When forming the ITO layer, the acceleration voltage of the electron gun was 7 kV, and the current value was 50 mA. Further, in order to promote the oxidation of the ITO film, 15 ml of oxygen gas was introduced into the vacuum vessel per minute to create an oxygen atmosphere. Oxygen gas was introduced into the ion gun at a rate of 35 milliliters per minute, the voltage value was 500 V, the current value was 250 mA, and the sample was irradiated with an oxygen ion beam. Then, an SiO 2 layer was formed thereon as a sixth layer. Therefore, the antireflection layer 3 has a six-layer structure including an ITO layer. In this six-layer structure, a layer structure including an ITO layer is referred to as type A4.

反射防止層を形成した後、実施例1と同様に防汚層を成膜した(2.1.3参照)。したがって、比較例2により製造されたレンズサンプルR2は、プラスチックレンズ基材と、ハードコート層と、第5層(導電層)にITO層を含むタイプA4の反射防止層と、防汚層とを含む。   After forming the antireflection layer, an antifouling layer was formed in the same manner as in Example 1 (see 2.1.3). Therefore, the lens sample R2 manufactured by the comparative example 2 includes a plastic lens base material, a hard coat layer, a type A4 antireflection layer including an ITO layer in the fifth layer (conductive layer), and an antifouling layer. Including.

2.9 比較例3(サンプルR3)
上記の実施例により得られたガラスサンプルと比較するために、カーバイド層を有しないガラスサンプルR3を製造した。それ以外は、実施例2と同様にガラスサンプルR3を製造した。すなわち、比較例3により製造されたガラスサンプルR3は、ガラス基材と、カーバイド層を含まない5層(SiO2層、ZrO2層、SiO2層、ZrO2層およびSiO2層、以降では、このタイプの層構造をタイプA2と称する)の反射防止層とを含む。また、防汚層は成膜しなかった。
2.9 Comparative Example 3 (Sample R3)
In order to compare with the glass sample obtained by said Example, the glass sample R3 which does not have a carbide layer was manufactured. Otherwise, a glass sample R3 was produced in the same manner as in Example 2. That is, the glass sample R3 manufactured according to Comparative Example 3 includes a glass substrate and five layers not including a carbide layer (SiO 2 layer, ZrO 2 layer, SiO 2 layer, ZrO 2 layer and SiO 2 layer, hereinafter, This type of layer structure is referred to as type A2). Further, no antifouling layer was formed.

2.10 サンプルの評価
図4に、タイプA1、A2、A3およびA4の反射防止層の層構造を纏めて示してある。なお、二酸化ケイ素(SiO2)からなる低屈折率層の波長550nmにおける屈折率nは1.462である。また、酸化ジルコニウム(ZrO2)からなる高屈折率層の波長550nmにおける屈折率nは2.05である。ITO層の波長550nmにおける屈折率nは2.1である。
2.10 Sample Evaluation FIG. 4 shows the layer structures of the antireflection layers of types A1, A2, A3 and A4. The refractive index n of the low refractive index layer made of silicon dioxide (SiO 2 ) at a wavelength of 550 nm is 1.462. The refractive index n of the high refractive index layer made of zirconium oxide (ZrO 2 ) at a wavelength of 550 nm is 2.05. The refractive index n of the ITO layer at a wavelength of 550 nm is 2.1.

上記により製造されたサンプルS1(実施例1)〜S6(実施例6)、R1(比較例1)〜R3(比較例3)について、それぞれ、シート抵抗および吸収損失を測定した。さらに、ごみの付着、耐薬品性(剥がれの発生の有無)、耐湿性(むくみの発生の有無)をそれぞれ試験し、これらを評価した。図5に、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件、上記測定および結果、上記試験および評価結果を纏めて示した。   With respect to the samples S1 (Example 1) to S6 (Example 6) and R1 (Comparative Example 1) to R3 (Comparative Example 3) manufactured as described above, sheet resistance and absorption loss were measured, respectively. Furthermore, dust adhesion, chemical resistance (existence of peeling), and moisture resistance (existence of swelling) were tested and evaluated. FIG. 5 collectively shows the layer structure of the antireflection layer, the conditions for forming the carbide layer (translucent thin film), the above measurement and results, and the above test and evaluation results.

最初に、上記測定方法、試験方法、および評価方法について説明する。   First, the measurement method, test method, and evaluation method will be described.

2.10.1 測定、試験、および評価方法
2.10.1.1 シート抵抗
図6(A)および(B)に、各サンプルのシート抵抗を測定する様子を示している。この例では、測定対象、例えば、レンズサンプル10の表面10Aにリングプローブ61を接触させ、レンズサンプル10の表面10Aのシート抵抗を測定した。測定装置60は、三菱化学(株)製高抵抗抵抗率計ハイレスタUP MCP−HT450型を使用した。使用したリングプローブ61は、URSタイプであり、2つの電極を有し、外側のリング電極61Aは、外径18mm、内径10mmであり、内側の円形電極61Bは、直径7mmである。それらの電極間に10〜1kVの電圧を印加し、各サンプルのシート抵抗を計測した。
2.10.1 Measurement, Test, and Evaluation Method 2.10..1.1 Sheet Resistance FIGS. 6A and 6B show how the sheet resistance of each sample is measured. In this example, the ring probe 61 was brought into contact with a measurement object, for example, the surface 10A of the lens sample 10, and the sheet resistance of the surface 10A of the lens sample 10 was measured. As the measuring device 60, a high resistance resistivity meter Hiresta UP MCP-HT450 type manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation was used. The used ring probe 61 is of the URS type, has two electrodes, the outer ring electrode 61A has an outer diameter of 18 mm and an inner diameter of 10 mm, and the inner circular electrode 61B has a diameter of 7 mm. A voltage of 10 to 1 kV was applied between these electrodes, and the sheet resistance of each sample was measured.

2.10.1.2 ごみの付着試験
プラスチックレンズの表面上で、眼鏡レンズ用拭き布を1kgの垂直荷重にて10往復こすりつけ、このときに発生した静電気によるごみの付着の有無を調べた。ここで、ごみとしては、発泡スチロールを粒子径2〜3mmの大きさに砕いたものを使用した。判断基準は以下の通りである。
○:ゴミの付着が認められなかった。
△:ゴミが数個付着していることが認められた。
×:数多くのゴミが付着していることが認められた。
2.10.1.2 Garbage Adhesion Test On the surface of the plastic lens, the spectacle lens wipe was rubbed 10 times with a vertical load of 1 kg, and the presence or absence of dust adhering to the static electricity generated was examined. Here, as the trash, a styrene foam crushed into a particle size of 2 to 3 mm was used. Judgment criteria are as follows.
○: Adherence of dust was not recognized.
(Triangle | delta): It was recognized that several garbage has adhered.
X: It was recognized that many dusts adhered.

2.10.1.3 吸収損失
光の吸収損失は、表面が湾曲していたりすると測定が難しい。このため、上記のサンプルS1〜S6のうち、ガラスサンプルS2、S4、およびS5について吸収損失を測定し、ガラスサンプルR3の吸収損失と比較した。
2.9.1.3 Absorption loss The absorption loss of light is difficult to measure if the surface is curved. For this reason, absorption loss was measured about glass sample S2, S4, and S5 among said samples S1-S6, and it compared with the absorption loss of glass sample R3.

光の吸収損失の測定には、日立製分光光度計U−4100を使用した。分光光度計を用いて反射率と透過率を測定し、(A)式にて吸収率を算出した。
吸収率(吸収損失)=100%−透過率−反射率 ・・・・(A)
以下、吸収率は波長550nm付近の吸収率を記している。
Hitachi spectrophotometer U-4100 was used for the measurement of light absorption loss. The reflectance and transmittance were measured using a spectrophotometer, and the absorptance was calculated by the equation (A).
Absorptivity (absorption loss) = 100% −transmittance−reflectance (A)
Hereinafter, the absorptance indicates the absorptance in the vicinity of a wavelength of 550 nm.

2.10.1.4 耐薬品性
各サンプルの表面に傷をつけ、その後、薬液浸漬を行い、反射防止層の剥がれの有無を観察して耐薬品性を評価した。
2.10.1.4 Chemical resistance The surface of each sample was scratched and then immersed in a chemical solution, and the chemical resistance was evaluated by observing whether the antireflection layer was peeled off.

(1)擦傷工程
図7(A)は、耐薬品性試験の擦傷工程に使用される試験装置の外観を示している。図7(B)は、試験装置の内部構造を示している。図8は、耐薬品性試験の擦傷工程に使用する試験装置を回転させることを示している。
(1) Abrasion process FIG. 7A shows the appearance of a test apparatus used in the abrasion process of the chemical resistance test. FIG. 7B shows the internal structure of the test apparatus. FIG. 8 shows that the test apparatus used in the scratching process of the chemical resistance test is rotated.

図7(A)に示す容器(ドラム)71の内壁に、図7(B)に示すように評価用のサンプル10を4つ貼り付け、さらに、容器(ドラム)71内に擦傷用として不織布73とオガクズ74を入れた。そして、蓋をした後、図8に示すように、ドラム71を30rpmで30分間回転させた。   As shown in FIG. 7B, four evaluation samples 10 are attached to the inner wall of the container (drum) 71 shown in FIG. 7A, and the nonwoven fabric 73 is used for scratching in the container (drum) 71. And sawdust 74. And after covering, as shown in FIG. 8, the drum 71 was rotated at 30 rpm for 30 minutes.

(2)薬液浸漬工程
人の汗を模した薬液(純水に乳酸を50g/L、塩を100g/L溶解した溶液)を用意した。(1)の擦傷工程を経たサンプル10を、50℃に保持した薬液に100時間浸漬した。
(2) Chemical solution immersion step A chemical solution imitating human sweat (a solution in which 50 g / L of lactic acid and 100 g / L of salt were dissolved in pure water) was prepared. Sample 10 that had undergone the scratching step of (1) was immersed in a chemical kept at 50 ° C. for 100 hours.

(3)評価方法
上記の工程を経た各サンプルを、従来のサンプルであるサンプルR3を基準に目視により評価した。判断基準は以下の通りである。
○:基準のサンプルと比較し、傷がほとんど見えず、同等の透明性がある。
△:基準のサンプルに対して傷が見え、透明性が劣る。
×:基準のサンプルに対して層の剥離および多数の傷が見え、透明性が著しく低下した。
(3) Evaluation method Each sample which passed through said process was visually evaluated on the basis of sample R3 which is a conventional sample. Judgment criteria are as follows.
○: Compared with the reference sample, scars are hardly seen and the transparency is equivalent.
Δ: Scratches are visible with respect to the reference sample, and transparency is inferior.
X: Layer peeling and many scratches were seen with respect to the reference sample, and the transparency was remarkably lowered.

2.10.1.5 むくみ(耐湿性)
(1)恒温恒湿度環境試験
各サンプルを恒温恒湿度環境(60℃、98%RH)で8日間放置した。
2.10.1.5 Swelling (moisture resistance)
(1) Constant temperature and humidity environment test Each sample was allowed to stand in a constant temperature and humidity environment (60 ° C., 98% RH) for 8 days.

(2)むくみの判定方法(評価方法)
図9は、耐湿性試験におけるむくみを判定する装置の概略を示している。図10(A)は、レンズ表面にむくみのない状態を模式的に示している。図10(B)は、レンズ表面にむくみのある状態を模式的に示している。
(2) Swelling judgment method (evaluation method)
FIG. 9 shows an outline of an apparatus for determining swelling in a moisture resistance test. FIG. 10A schematically shows a state where the lens surface is not swollen. FIG. 10B schematically shows a state in which the lens surface is swollen.

上記の恒温恒湿度環境試験を経た各サンプルの表面または裏面の表面反射光を観察し、むくみの有無を判断した。具体的には、図9に示すように、サンプル10の凸面10Aにおける蛍光灯75の反射光を観察した。図10(A)に示すように、蛍光灯75の反射光76の像の輪郭がくっきりと明瞭に観察できる場合は「むくみ無し」と判定した。一方、図10(B)に示すように、蛍光灯75の反射光77の像の輪郭がぼやけている、またはかすれて観察できるときは「むくみ有り」と判定した。   The surface reflection light on the front surface or the back surface of each sample that had undergone the above constant temperature and humidity environment test was observed to determine the presence or absence of swelling. Specifically, as shown in FIG. 9, the reflected light of the fluorescent lamp 75 on the convex surface 10A of the sample 10 was observed. As shown in FIG. 10A, when the contour of the image of the reflected light 76 of the fluorescent lamp 75 can be observed clearly and clearly, it was determined that “no swelling”. On the other hand, as shown in FIG. 10B, when the contour of the image of the reflected light 77 of the fluorescent lamp 75 is blurred or faintly observable, it is determined that “there is swelling”.

2.10.2 結果
2.10.2.1 シート抵抗の測定結果
図5に示すように、反射防止層3にカーバイド層33を含めたサンプルS1〜S6のシート抵抗の測定値は、それぞれ、2×109[Ω/□]、2×109[Ω/□]、3.5×109[Ω/□]、4.5×109[Ω/□]、1×1010[Ω/□]、1×1010[Ω/□]であった。
2.10.2 Results 2.10.2.1 Sheet Resistance Measurement Results As shown in FIG. 5, the measured values of the sheet resistance of samples S1 to S6 including the carbide layer 33 in the antireflection layer 3 are respectively 2 × 10 9 [Ω / □], 2 × 10 9 [Ω / □], 3.5 × 10 9 [Ω / □], 4.5 × 10 9 [Ω / □], 1 × 10 10 [Ω / □], 1 × 10 10 [Ω / □].

これに対し、反射防止層にカーバイド層33と置換してアモルファスシリコン層を含めたサンプルR1のシート抵抗の測定値は9×1012[Ω/□]、反射防止層にカーバイド層33と置換してITO層を含めたサンプルR2のシート抵抗の測定値は2×1012[Ω/□]であった。また、導電層を含まない(カーバイド層33を含まない)サンプルR3のシート抵抗の測定値は5×1014[Ω/□]であった。 On the other hand, the measured value of the sheet resistance of sample R1 including the amorphous silicon layer by replacing the carbide layer 33 with the antireflection layer is 9 × 10 12 [Ω / □], and the carbide layer 33 is replaced with the antireflection layer. The measured value of the sheet resistance of sample R2 including the ITO layer was 2 × 10 12 [Ω / □]. Moreover, the measured value of the sheet resistance of sample R3 not including the conductive layer (not including the carbide layer 33) was 5 × 10 14 [Ω / □].

サンプルR3の測定結果が示すように、低抵抗化の処理を施していない従来のサンプル(ガラスサンプル)では、シート抵抗は5×1014[Ω/□]である。これに対し、反射防止層3の1つの層32の表面にカーバイド層33を形成したサンプルS1〜S6においては、シート抵抗が2×109[Ω/□]〜1×1010[Ω/□]となり、シート抵抗が従来のサンプルと比較して3桁〜5桁(103〜105)程度小さくなっている。すなわち、シート抵抗が1/103〜1/105となっており、導電率が向上している。したがって、これらのサンプルS1〜S6は後述するように十分な帯電防止性能を備えており、ごみの付着がほとんど見られない。 As the measurement result of the sample R3 shows, the sheet resistance is 5 × 10 14 [Ω / □] in the conventional sample (glass sample) not subjected to the resistance reduction treatment. On the other hand, in the samples S1 to S6 in which the carbide layer 33 is formed on the surface of one layer 32 of the antireflection layer 3, the sheet resistance is 2 × 10 9 [Ω / □] to 1 × 10 10 [Ω / □. The sheet resistance is about 3 to 5 digits (10 3 to 10 5 ) smaller than that of the conventional sample. That is, the sheet resistance is 1/10 3 to 1/10 5 and the conductivity is improved. Therefore, these samples S1 to S6 have sufficient antistatic performance as will be described later, and almost no dust is attached.

反射防止層3にアモルファスシリコン層あるいはITO層を含めたレンズサンプルR1およびR2では、シート抵抗が、それぞれ9×1012[Ω/□]、2×1012[Ω/□]であり、良好な帯電防止性能が得られるというほどは低下していない。実施例のサンプルS1〜S6のシート抵抗は、比較例のサンプルR1およびR2のシート抵抗と比較しても、2桁〜3桁(102〜103)程度小さくなっている。すなわち、シート抵抗が1/102〜1/103となっている。 In the lens samples R1 and R2 in which the antireflection layer 3 includes an amorphous silicon layer or an ITO layer, the sheet resistance is 9 × 10 12 [Ω / □] and 2 × 10 12 [Ω / □], respectively. It is not lowered to the extent that antistatic performance can be obtained. The sheet resistances of the samples S1 to S6 of the example are about two to three digits (10 2 to 10 3 ) smaller than the sheet resistances of the samples R1 and R2 of the comparative example. That is, the sheet resistance is 1/10 2 to 1/10 3 .

このように、カーバイド層33を設けることによって反射防止層3の抵抗値を大幅に低減でき、例えば6nm程度またはそれ以下の厚みのカーバイド層33を含めることにより、反射防止層2を含めた光学基材の表面の導電性の向上に有効であることがわかった。   Thus, by providing the carbide layer 33, the resistance value of the antireflection layer 3 can be greatly reduced. For example, by including the carbide layer 33 having a thickness of about 6 nm or less, the optical substrate including the antireflection layer 2 is included. It was found to be effective for improving the conductivity of the surface of the material.

光学物品のシート抵抗を低減することにより幾つかの効果が得られる。典型的な効果は、帯電防止、および電磁遮蔽である。眼鏡用のレンズにおいて帯電防止性の有無の目安は、シート抵抗が1×1012[Ω/□]以下であると考えられている。使用上の安全性などを考慮すると、上記の測定方法で測定されたシート抵抗が1×1011[Ω/□]以下であることがいっそう好ましい。サンプルS1〜S6は、上記の測定方法で測定されたシート抵抗が1×1011Ω/□以下、さらに、1×1010Ω/□以下であり、非常に優れた帯電防止性を備えていることがわかる。 Several effects can be obtained by reducing the sheet resistance of the optical article. Typical effects are antistatic and electromagnetic shielding. A standard for the presence or absence of antistatic properties in a spectacle lens is considered to be a sheet resistance of 1 × 10 12 [Ω / □] or less. In consideration of safety in use, the sheet resistance measured by the above measurement method is more preferably 1 × 10 11 [Ω / □] or less. Samples S1 to S6 have a sheet resistance measured by the above measurement method of 1 × 10 11 Ω / □ or less, and further 1 × 10 10 Ω / □ or less, and have very excellent antistatic properties. I understand that.

2.10.2.2 ごみの付着試験結果
ごみの付着がない場合は帯電防止効果に優れ、ごみの付着がある場合は帯電防止効果が劣っていると言える。図5に示すように、カーバイド層33を備えたサンプルS1〜S6の評価はすべて○であり、帯電防止効果に優れていることがわかった。また、アモルファスシリコン層を備えたサンプルR1および導電層を形成しないサンプルR3は×であり、帯電防止効果が劣っていることがわかった。また、ITO層を備えたサンプルR2は、△であった。
2.10.2.2 Results of dust adhesion test When there is no dust adhesion, the antistatic effect is excellent, and when there is dust adhesion, the antistatic effect is inferior. As shown in FIG. 5, the evaluations of the samples S1 to S6 provided with the carbide layer 33 are all “good”, and it was found that the antistatic effect is excellent. Further, the sample R1 provided with an amorphous silicon layer and the sample R3 not formed with a conductive layer were x, indicating that the antistatic effect was inferior. Moreover, sample R2 provided with the ITO layer was Δ.

2.10.2.3 吸収損失の測定結果
光の吸収損失については、カーバイド層33を形成することにより若干吸収損失が上昇する傾向がみられる。しかしながら、最大でも0.8%程度であり、眼鏡用のレンズとしての許容範囲である透光性を備えている。したがって、カーバイド層33を形成しても、透光性を確保でき、しかも帯電防止性能の優れた光学物品を提供できることがわかった。また、帯電防止および透光性の双方を考慮するのであれば、吸収損失が0.39%のサンプルS4程度であっても十分にシート抵抗が小さい。なお、レンズサンプルS3もサンプルS4と同程度の透光性があると考えられる。
2.10.2.3 Measurement result of absorption loss As for the absorption loss of light, there is a tendency that the absorption loss slightly increases by forming the carbide layer 33. However, it is about 0.8% at the maximum, and has translucency that is an allowable range as a lens for spectacles. Therefore, it was found that even when the carbide layer 33 is formed, it is possible to provide an optical article that can ensure translucency and is excellent in antistatic performance. If both antistatic and translucency are taken into consideration, the sheet resistance is sufficiently small even with the sample S4 having an absorption loss of about 0.39%. Note that the lens sample S3 is considered to have the same degree of translucency as the sample S4.

2.10.2.4 耐薬品性の評価結果
耐薬品性については、カーバイド層33を備えたサンプルS1〜S6の評価はすべて○であり、日常的に用いられる環境において優れた耐薬品性を有することがわかった。一方、ITO層を備えたサンプルR2の評価は×であった。
2.10.2.4 Evaluation results of chemical resistance Regarding chemical resistance, the samples S1 to S6 provided with the carbide layer 33 are all evaluated as “good”, and have excellent chemical resistance in an environment where they are used daily. I found it. On the other hand, evaluation of sample R2 provided with the ITO layer was x.

2.10.2.5 むくみ(耐湿性)の評価結果
カーバイド層33を備えたサンプルS1〜S6を含め、すべてのサンプルについてむくみの発生は観測されず、すぐれた耐湿性を示した。
2.10.2.5 Evaluation result of swelling (moisture resistance) No swelling was observed for all the samples including samples S1 to S6 provided with the carbide layer 33, and excellent moisture resistance was exhibited.

2.11 考察
以上の各測定結果および評価より、反射防止層3の1つの層、本例においては最外の高屈折率層32の表面にカーバイド層33を設けたサンプルS1〜S6については、シート抵抗が大幅に低下し、その一方で、耐薬品性および耐湿性の劣化はほとんど見られないことがわかった。したがって、遷移金属酸化物層を予め設け、その表面に第1の気体(炭酸ガス)をイオン化して照射する方法(第1の方法)により、反射防止層3にカーバイド層33を設けることができ、表面の抵抗が小さく、帯電防止などの特性を持ち、さらに、耐久性の良い光学物品を提供できることがわかった。
2.11 Consideration From the above measurement results and evaluation, for samples S1 to S6 in which the carbide layer 33 is provided on the surface of one layer of the antireflection layer 3, in this example, the outermost high refractive index layer 32, It was found that the sheet resistance was greatly reduced, while the chemical resistance and moisture resistance were hardly deteriorated. Therefore, the carbide layer 33 can be provided on the antireflection layer 3 by a method (first method) in which a transition metal oxide layer is provided in advance and the surface is ionized and irradiated with a first gas (carbon dioxide gas). It has been found that an optical article having low surface resistance, antistatic properties and the like and having good durability can be provided.

さらに、サンプルS1〜S6のシート抵抗を比較すると、イオン銃118の電圧値および/または電流値(第1のガスに与えるイオンエネルギーおよび/またはイオン電流)を高めたり、TiOx層33aに対する炭酸ガスイオンビームの照射時間を長くしたりすることにより、シート抵抗をさらに低減できることもわかった。これは、イオン銃118の電圧値および/または電流値を高めたり、TiOx層33aに対する炭酸ガスイオンビームの照射時間を長くしたりすることにより、TiOx層33aのより深部までチタンカーバイドを形成できるためであると考えられる。また、シート抵抗を下げるためには、導入ガスとして、第1のガスである二酸化炭素ガスとともにアルゴンガスを併用することも有効であると考えられる。 Further, comparing the sheet resistances of the samples S1 to S6, the voltage value and / or current value (ion energy and / or ion current applied to the first gas) of the ion gun 118 is increased, or carbon dioxide gas with respect to the TiO x layer 33a. It was also found that the sheet resistance can be further reduced by increasing the ion beam irradiation time. This to enhance the voltage value and / or the current of the ion gun 118, by longer or the irradiation time of the carbon dioxide gas ion beam for TiO x layer 33a, forming a titanium carbide to deeper TiO x layer 33a This is considered to be possible. In order to reduce the sheet resistance, it is considered effective to use argon gas together with carbon dioxide gas as the first gas as the introduction gas.

また、カーバイド層33を形成することにより、若干の吸収損失の増加が観測されるが、帯電防止および電磁波遮断などの目的に応じた適切な導電性が得られる程度にカーバイド層33を形成することにより、吸収損失の影響は光学物品としてほとんど無視できる程度の光学物品を提供できることがわかった。   Further, although a slight increase in absorption loss is observed by forming the carbide layer 33, the carbide layer 33 should be formed to such an extent that appropriate conductivity according to purposes such as antistatic and electromagnetic wave shielding can be obtained. Thus, it was found that an optical article in which the influence of absorption loss is almost negligible as an optical article can be provided.

このように、反射防止層3にカーバイド層33を設けることにより、優れた帯電防止性能および電磁波遮断性能と、良好な透光性と、耐久性とを備えた光学物品を提供できる。   Thus, by providing the carbide layer 33 in the antireflection layer 3, an optical article having excellent antistatic performance and electromagnetic wave shielding performance, good translucency, and durability can be provided.

本発明は上記の実施例に限定されるものではない。例えば、上記のグループ(1a)の例では、ZrO2層の上(外側)にTiOx層を形成し、その後、TiOx層に炭酸ガスイオンビームを照射することによりカーバイド層を形成しているが、カーバイド層の形成方法はこれらに限定されるものではない。使用する第1のガスも、二酸化炭素ガスに限定されるものではない。 The present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the example of the above group (1a), a TiO x layer is formed on (outside) the ZrO 2 layer, and then the carbide layer is formed by irradiating the TiO x layer with a carbon dioxide ion beam. However, the method for forming the carbide layer is not limited to these. The first gas to be used is not limited to carbon dioxide gas.

例えば、Cを含むガスに適当なエネルギーを与えてイオン化し、TiOx層の表面にイオンビームとして照射することによっても、TiOx層の表面からその一部または全域にC(炭素)原子が注入(添加)され、TiOxとミキシングされる。これにより、下地の材料であるTiOxとC(炭素)原子とが化学反応を起こし、表面の近傍またはそれ以上の深部までが改質される。典型的には、TiOx層のTi原子とC原子とが反応し、チタンカーバイドが形成されると考えられる。 For example, by applying appropriate energy to a gas containing C and ionizing it, and irradiating the surface of the TiO x layer as an ion beam, C (carbon) atoms are injected from the surface of the TiO x layer to a part or all of it. (Added) and mixed with TiO x . As a result, the base material TiO x and C (carbon) atoms undergo a chemical reaction, and the vicinity of the surface or deeper than that is modified. Typically, it is considered that Ti atoms and C atoms in the TiO x layer react to form titanium carbide.

帯電防止性能および/または電磁波遮断性能を与えるためには、チタンカーバイドは、必ずしも所定の層(例えばTiOx層)の表面全体に存在しなくてもよく、部分的に存在すればよい。また、チタンカーバイドの酸化物という状態で存在してもよい。このようなカーバイド層(カーバイドを含む層)33が存在することにより、反射防止層3の抵抗値を低減でき、導電性を高めることができる。このため、カーバイド層(カーバイドを含む層)33を設ける位置は、最外の高屈折率層32の表面(外側)に限定されず、反射防止層3のいずれかの層の表面あるいは層間に設ければよく、さらに、複数の層上にそれぞれカーバイド層を形成してもよい。 In order to provide antistatic performance and / or electromagnetic wave shielding performance, titanium carbide does not necessarily exist on the entire surface of a predetermined layer (for example, a TiO x layer), and may exist partially. Moreover, you may exist in the state of an oxide of titanium carbide. By the presence of such a carbide layer (layer including carbide) 33, the resistance value of the antireflection layer 3 can be reduced and the conductivity can be increased. For this reason, the position at which the carbide layer (layer including carbide) 33 is provided is not limited to the surface (outside) of the outermost high refractive index layer 32, and is provided on the surface of any layer of the antireflection layer 3 or between the layers. Further, a carbide layer may be formed on each of the plurality of layers.

チタンカーバイドに限らず、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、遷移金属ゲルマニドは一般に低抵抗であり、シリコンあるいは含有シリコン化合物が多く用いられる反射防止層との親和性もよい。
ケイ素(シリコン)およびゲルマニウムは、炭素と同じ第IV族元素であり、同様の電子構造を有する。ゲルマニウムおよびケイ素は、炭素と同様に電気的抵抗が小さく、さらに、炭素と同様に遷移金属と低抵抗の化合物を形成する。すなわち、炭素、ケイ素、あるいはゲルマニウムの少なくともいずれかを注入(添加、ドープ)することにより、所定の層の少なくとも表層域を低抵抗化することが可能である。そして、このようにして形成された層は、化学的および機械的に比較的安定であって、帯電防止性能および電磁シールド性能に優れ、ごみの付着を抑制でき、さらに、光学的性質の低下もほとんどない。
In addition to titanium carbide, transition metal carbide, transition metal silicide, and transition metal germanide generally have low resistance, and have good compatibility with an antireflection layer in which silicon or a silicon compound containing a large amount is used.
Silicon (silicon) and germanium are the same Group IV elements as carbon and have a similar electronic structure. Germanium and silicon have low electrical resistance like carbon, and also form low resistance compounds with transition metals like carbon. That is, by injecting (adding or doping) at least one of carbon, silicon, or germanium, it is possible to reduce the resistance of at least the surface layer region of a predetermined layer. The layer formed in this way is chemically and mechanically relatively stable, has excellent antistatic performance and electromagnetic shielding performance, can suppress the adhesion of dust, and also has reduced optical properties. rare.

したがって、ZrO2層およびTiO2層に限らずに、他の金属酸化物の層の表面であっても、C(炭素)原子、Si(ケイ素)原子(金属シリコン)、Ge(ゲルマニウム)原子(金属ゲルマニウム)の少なくともいずれかを含む透光性薄膜を物理的蒸着により形成することは有効である。 Therefore, not only the ZrO 2 layer and the TiO 2 layer, but also on the surface of other metal oxide layers, C (carbon) atoms, Si (silicon) atoms (metal silicon), Ge (germanium) atoms ( It is effective to form a light-transmitting thin film containing at least one of (metal germanium) by physical vapor deposition.

このような透光性薄膜は、例えば、SiOx層などの遷移金属酸化物層(遷移金属酸化物薄膜)や、低屈折率層として機能するSiO2層の表面に、炭素、ケイ素、ゲルマニウムのいずれかを含む第1の化合物群に含まれる少なくとも1種を含む第1の気体をイオン化して照射(イオンビームを照射)することにより形成することができる。すなわち、このようにすることにより、カーバイド、シリサイド、ゲルマニドの少なくともいずれかを含む層(透光性薄膜)を形成することができる。 Such a translucent thin film is made of, for example, a transition metal oxide layer (transition metal oxide thin film) such as a SiO x layer or a surface of a SiO 2 layer functioning as a low refractive index layer made of carbon, silicon, or germanium. It can be formed by ionizing and irradiating (irradiating with an ion beam) a first gas containing at least one kind included in the first compound group including any one of them. That is, by doing so, a layer (translucent thin film) containing at least one of carbide, silicide, and germanide can be formed.

また、イオン化して照射する際に有用な気体(第1の気体)は二酸化炭素ガス(炭酸ガス)に限定されない。その他の第1の化合物群に含まれる種としては、遷移金属カーバイドを含む透光性薄膜33を形成する場合に適した例としては、一酸化炭素、アセチレン、メタン、エタン、四フッ化炭素などが挙げられる。遷移金属シリサイドを含む透光性薄膜33を形成する場合に適した例としては、シラン(SiH4)、四塩化ケイ素(SiCl4)、四フッ化ケイ素(SiF4)などを第1の化合物群に含まれる種として挙げることができる。遷移金属ゲルマイドを含む透光性薄膜33を形成する場合に適した例としては、四塩化ゲルマニウム(GeCl4)、ゲルマン(水素化ゲルマニウム、GeH4)、四フッ化ゲルマニウム(GeF4)などを第1の化合物群に含まれる種として挙げることができる。 Further, the gas (first gas) useful when ionizing and irradiating is not limited to carbon dioxide gas (carbon dioxide gas). Other examples of the species included in the first compound group include carbon monoxide, acetylene, methane, ethane, and carbon tetrafluoride as examples suitable for forming the translucent thin film 33 containing transition metal carbide. Is mentioned. Examples suitable for forming the translucent thin film 33 containing a transition metal silicide include silane (SiH 4 ), silicon tetrachloride (SiCl 4 ), silicon tetrafluoride (SiF 4 ), and the like in the first compound group. Can be cited as a species contained in Examples suitable for forming the translucent thin film 33 containing a transition metal germanide include germanium tetrachloride (GeCl 4 ), germane (germanium hydride, GeH 4 ), germanium tetrafluoride (GeF 4 ) and the like. It can be mentioned as a species included in one compound group.

カーバイドなどと称される有機遷移金属の例としては、SiC、TiC、ZrC、HfC、VC、NbC、TaC、Mo2C、W2C、WC、NdC2、LaC2、CeC2、PrC2、SmC2などを挙げることができる。 Examples of organic transition metals called carbides include SiC, TiC, ZrC, HfC, VC, NbC, TaC, Mo 2 C, W 2 C, WC, NdC 2 , LaC 2 , CeC 2 , PrC 2 , SmC 2 etc. can be mentioned.

シリサイドなどと称される遷移金属ケイ化物(金属間化合物)の例としては、ZrSi、CoSi、WSi、MoSi、NiSi、TaSi、NdSi、Ti3Si、Ti5Si3、Ti5Si4、TiSi、TiSi2、Zr3Si、Zr2Si、Zr5Si3、Zr3Si2、Zr5Si4、Zr6Si5、ZrSi2、Hf2Si、Hf5Si3、Hf3Si2、Hf4Si3、Hf5Si4、HfSi、HfSi2、V3Si、V5Si3、V5Si4、VSi2、Nb4Si、Nb3Si、Nb5Si3、NbSi2、Ta4.5Si、Ta4Si、Ta3Si、Ta2Si、Ta5Si3、TaSi2、Cr3Si、Cr2Si、Cr5Si3、Cr3Si2、CrSi、CrSi2、Mo3Si、Mo5Si3、Mo3Si2、MoSi2、W3Si、W5Si3、W3Si2、WSi2、Mn6Si、Mn3Si、Mn5Si2、Mn5Si3、MnSi、Mn11Si19、Mn4Si7、MnSi2、Tc4Si、c3Si、Tc5Si3、TcSi、TcSi2、Re3Si、Re5Si3、ReSi、ReSi2、Fe3Si、Fe5Si3、FeSi、FeSi2、Ru2Si、RuSi、Ru2Si3、OsSi、Os2Si3、OsSi2、OsSi1.8、OsSi3、Co3Si、Co2Si、CoSi2、Rh2Si、Rh5Si3、Rh3Si2、RhSi、Rh45、Rh3Si4、RhSi2、Ir3Si、Ir2Si、Ir3Si2、IrSi、Ir2Si3、IrSi1.75、IrSi2、IrSi3、Ni3Si、Ni5Si2、Ni2Si、Ni3Si2、NiSi2、Pd5Si、Pd9Si2、Pd4Si、Pd3Si、Pd9Si4、Pd2Si、PdSi、Pt4Si、Pt3Si、Pt5Si2、Pt12Si5、Pt7Si3、Pt2Si、Pt6Si5、PtSiなどを挙げることができる。 Examples of transition metal silicides (intermetallic compounds) referred to as silicide and the like include ZrSi, CoSi, WSi, MoSi, NiSi, TaSi, NdSi, Ti 3 Si, Ti 5 Si 3 , Ti 5 Si 4 , TiSi, TiSi 2, Zr 3 Si, Zr 2 Si, Zr 5 Si 3, Zr 3 Si 2, Zr 5 Si 4, Zr 6 Si 5, ZrSi 2, Hf 2 Si, Hf 5 Si 3, Hf 3 Si 2, Hf 4 Si 3 , Hf 5 Si 4 , HfSi, HfSi 2 , V 3 Si, V 5 Si 3 , V 5 Si 4 , VSi 2 , Nb 4 Si, Nb 3 Si, Nb 5 Si 3 , NbSi 2 , Ta 4.5 Si, Ta 4 Si, Ta 3 Si, Ta 2 Si, Ta 5 Si 3 , TaSi 2 , Cr 3 Si, Cr 2 Si, Cr 5 Si 3 , Cr 3 Si 2 , CrSi, CrSi 2 , Mo 3 Si, Mo 5 Si 3, Mo 3 Si 2, oSi 2, W 3 Si, W 5 Si 3, W 3 Si 2, WSi 2, Mn 6 Si, Mn 3 Si, Mn 5 Si 2, Mn 5 Si 3, MnSi, Mn 11 Si 19, Mn 4 Si 7, MnSi 2, Tc 4 Si, c 3 Si, Tc 5 Si 3, TcSi, TcSi 2, Re 3 Si, Re 5 Si 3, ReSi, ReSi 2, Fe 3 Si, Fe 5 Si 3, FeSi, FeSi 2, Ru 2 Si, RuSi, Ru 2 Si 3 , OsSi, Os 2 Si 3 , OsSi 2 , OsSi 1.8 , OsSi 3 , Co 3 Si, Co 2 Si, CoSi 2 , Rh 2 Si, Rh 5 Si 3 , Rh 3 Si 2 , RhSi, Rh 4 S 5 , Rh 3 Si 4 , RhSi 2 , Ir 3 Si, Ir 2 Si, Ir 3 Si 2 , IrSi, Ir 2 Si 3 , IrSi 1.75 , IrSi 2 , IrSi 3 , Ni 3 Si, Ni 5 Si 2, Ni 2 i, Ni 3 Si 2, NiSi 2, Pd 5 Si, Pd 9 Si 2, Pd 4 Si, Pd 3 Si, Pd 9 Si 4, Pd 2 Si, PdSi, Pt 4 Si, Pt 3 Si, Pt 5 Si 2 Pt 12 Si 5 , Pt 7 Si 3 , Pt 2 Si, Pt 6 Si 5 , PtSi, and the like.

ゲルマニドなどと称される遷移金属ゲルマニウム化物(金属間化合物)の例としては、NaGe、AlGe、KGe4、TiGe2、TiGe、Ti6Ge5、Ti5Ge3、V3Ge、CrGe2、Cr3Ge2、CrGe、Cr3Ge、Cr5Ge3、Cr11Ge8、MnGe、Mn5Ge3、CoGe、CoGe2、Co5Ge7、NiGe、CuGe、Cu3Ge、ZrGe2、ZrGe、RbGe4、NbGe2、Nb2Ge、Nb3Ge、Nb5Ge3、Nb3Ge2、NbGe2、Mo3Ge、Mo3Ge2、Mo5Ge3、Mo2Ge3、MoGe2、CeGe4、RhGe、PdGe、AgGe、Hf5Ge3、HfGe、HfGe2、TaGe2、PtGeなどを挙げることができる。 Examples of transition metal germanides (intermetallic compounds) called germanide are NaGe, AlGe, KGe 4 , TiGe 2 , TiGe, Ti 6 Ge 5 , Ti 5 Ge 3 , V 3 Ge, CrGe 2 , Cr 3 Ge 2 , CrGe, Cr 3 Ge, Cr 5 Ge 3 , Cr 11 Ge 8 , MnGe, Mn 5 Ge 3 , CoGe, CoGe 2 , Co 5 Ge 7 , NiGe, CuGe, Cu 3 Ge, ZrGe 2 , ZrGe, RbGe 4 , NbGe 2 , Nb 2 Ge, Nb 3 Ge, Nb 5 Ge 3 , Nb 3 Ge 2 , NbGe 2 , Mo 3 Ge, Mo 3 Ge 2 , Mo 5 Ge 3 , Mo 2 Ge 3 , MoGe 2 , CeGe 4 , RhGe, PdGe, AgGe, Hf 5 Ge 3 , HfGe, HfGe 2 , TaGe 2 , PtGe, and the like.

中でも、反射防止層の高屈折率層として使用されることが多い、ジルコニウム(Zr)系のカーバイド、シリサイド、およびゲルマイド、タンタル(Ta)系のカーバイド、シリサイド、およびゲルマイド、ネオジム(Nd)系のカーバイド、シリサイド、およびゲルマイド、ニオブ(Nb)系のカーバイド、シリサイド、およびゲルマニドなどは有用である。   Among them, zirconium (Zr) -based carbides, silicides, and germanides, tantalum (Ta) -based carbides, silicides, germanides, and neodymium (Nd) -based materials, which are often used as high-refractive index layers for antireflection layers. Carbide, silicide, and germanide, niobium (Nb) -based carbide, silicide, and germanide are useful.

3. 第1の方法によるSiO2−TiO2系の反射防止層を備えたサンプルの製造
3.1 実施例7(サンプルS7)
低屈折率層31としてSiO2層、高屈折率層32としてTiO2層を採用した反射防止層3を備えたサンプルを製造した。さらに、以下に詳述するが、最上(最外)の高屈折率層32を第1の層として、その表面に炭酸ガスをイオン化して照射する第1の方法により、最上(最外)の高屈折率層32の表面に透光性薄膜33を形成している。SiO2−TiO2系の反射防止層3に、第1の気体(炭酸ガス)をイオン化して照射する方法(第1の方法)により透光性薄膜33を導入したサンプルのグループをグループ(1b)と呼ぶ。
3. Manufacture of sample provided with SiO 2 —TiO 2 -based antireflection layer by the first method 3.1 Example 7 (Sample S7)
A sample including an antireflection layer 3 in which an SiO 2 layer as the low refractive index layer 31 and a TiO 2 layer as the high refractive index layer 32 was used was manufactured. Further, as described in detail below, the uppermost (outermost) high-refractive index layer 32 is used as the first layer, and the uppermost (outermost) outermost layer is ionized by irradiating carbon dioxide gas on the surface. A translucent thin film 33 is formed on the surface of the high refractive index layer 32. A group of samples (1b) in which the translucent thin film 33 is introduced into the SiO 2 —TiO 2 antireflection layer 3 by ionizing and irradiating the first gas (carbon dioxide gas) (first method). ).

図11に、光学的には7層構造の反射防止層3を含むレンズの構成例を、基材を中心とした一方の面の側の断面図により示している。   FIG. 11 shows an optical configuration example of a lens including an antireflection layer 3 having a seven-layer structure, by a cross-sectional view on one side of the substrate.

3.1.1 レンズ基材の選択およびハードコート層の成膜
上記の実施例1と同様にレンズ基材1を選択した。そして、上記の実施例1と同様にして、レンズ基材1の上にハードコート層2を形成した(2.1.1参照)。
3.1.1 Selection of Lens Substrate and Film Formation of Hard Coat Layer Lens substrate 1 was selected in the same manner as in Example 1 above. And the hard-coat layer 2 was formed on the lens base material 1 like said Example 1 (refer 2.1.1).

3.1.2 反射防止層
実施例1と同様の蒸着装置100を用いて、以下のような多層構造の無機系の反射防止層3を成膜した。レンズ基材1の上にハードコート層2が形成されたサンプル10に実施例1と同じ前処理を施し、真空容器110の内部を十分に真空排気した後、電子ビーム真空蒸着法により、低屈折率層31および高屈折率層32を交互に積層して多層構造の無機系の反射防止層3を製造した。
3.1.2 Antireflective Layer Using the same vapor deposition apparatus 100 as in Example 1, an inorganic antireflective layer 3 having the following multilayer structure was formed. The sample 10 in which the hard coat layer 2 is formed on the lens substrate 1 is subjected to the same pretreatment as in Example 1, and after the inside of the vacuum vessel 110 is sufficiently evacuated, low refraction is reduced by an electron beam vacuum deposition method. The refractive index layer 31 and the high refractive index layer 32 were alternately laminated to produce an inorganic antireflection layer 3 having a multilayer structure.

(低屈折率層)
第1層、第3層および第5層は低屈折率層31であり、イオンアシストは行わず、真空蒸着によりSiO2層を成膜した。成膜レートは2.0nm/secとし、電子銃の加速電圧は7kV、電流は100mAとした。
(Low refractive index layer)
The first layer, the third layer, and the fifth layer are the low refractive index layer 31, and the SiO 2 layer was formed by vacuum deposition without performing ion assist. The deposition rate was 2.0 nm / sec, the acceleration voltage of the electron gun was 7 kV, and the current was 100 mA.

(高屈折率層)
第2層、第4層および第6層は高屈折率層32であり、TiO2を、酸素ガスを導入しながらイオンアシスト蒸着を行い、TiO2層を成膜した。成膜レートは0.4nm/secとし、電子銃の加速電圧は7kV、電流は360mAとした。
(High refractive index layer)
The second layer, the fourth layer, and the sixth layer are high refractive index layers 32, and TiO 2 was ion-assisted vapor-deposited while introducing oxygen gas to form a TiO 2 layer. The deposition rate was 0.4 nm / sec, the acceleration voltage of the electron gun was 7 kV, and the current was 360 mA.

(カーバイドを含む層(透光性薄膜))
図12(A)および(B)は、最上(最外)の高屈折率層32を第1の層とし、その表面にカーバイドを含む層の形成を模式的に示している。図12(A)および(B)は蒸着装置100においてカーバイドを含む層(透光性薄膜)33を形成する様子を示しており、高屈折率層32と透光性薄膜33との上下関係は図11に示したレンズサンプル10とは逆転して示されている。レンズサンプル10上に、第1層31、第2層32、第3層31、第4層32、第5層31、第6層32を成膜した後、蒸着装置100を用い、カーバイドを含む層、本例では、チタンカーバイド(典型的には、TiCであり、その他TiOCなどを含む)を含む層33を第7層(導電層)として形成した。
(Layer containing carbide (translucent thin film))
12A and 12B schematically show the formation of a layer containing carbide on the surface of the uppermost (outermost) high refractive index layer 32 as the first layer. 12A and 12B show a state in which a layer (translucent thin film) 33 containing carbide is formed in the vapor deposition apparatus 100, and the vertical relationship between the high refractive index layer 32 and the translucent thin film 33 is as follows. The lens sample 10 shown in FIG. 11 is shown reversed. After the first layer 31, the second layer 32, the third layer 31, the fourth layer 32, the fifth layer 31, and the sixth layer 32 are formed on the lens sample 10, the vapor deposition apparatus 100 is used to include carbide. In this example, a layer 33 containing titanium carbide (typically TiC and other TiOC etc.) was formed as a seventh layer (conductive layer).

具体的には、酸素ガスに代わり、二酸化炭素(CO2)ガスを使用し、二酸化炭素(CO2)ガス(炭酸ガス)とアルゴン(Ar)ガスとの混合ガスを、二酸化炭素(CO2)ガスの流量を15sccm、アルゴン(Ar)ガスの流量を15sccmとして真空容器110内に導入し、イオン化させ、イオンエネルギーを800eV、イオン電流を200mAとした。これにより形成される炭酸ガスイオンビームを、第6層(TiO2層)32に対して照射した。炭酸ガスイオンビームの照射時間は120秒とした(図12(A))。 Specifically, carbon dioxide (CO 2 ) gas is used instead of oxygen gas, and a mixed gas of carbon dioxide (CO 2 ) gas (carbon dioxide gas) and argon (Ar) gas is used as carbon dioxide (CO 2 ). A gas flow rate of 15 sccm and an argon (Ar) gas flow rate of 15 sccm were introduced into the vacuum vessel 110 and ionized to have an ion energy of 800 eV and an ion current of 200 mA. The carbon dioxide ion beam thus formed was irradiated to the sixth layer (TiO 2 layer) 32. The irradiation time of the carbon dioxide ion beam was 120 seconds (FIG. 12A).

このようにすることにより、第6層(TiO2層)32の表層域にチタンカーバイド(典型的にはTiC)が形成される(図12(B))。すなわち、本例では、第6層32が第1の層であり、第6の層32の表層域のチタンカーバイド(典型的にはTiC)が形成された領域がカーバイドを含む層(透光性薄膜)33となる。 In this way, titanium carbide (typically TiC) is formed in the surface layer region of the sixth layer (TiO 2 layer) 32 (FIG. 12B). That is, in the present example, the sixth layer 32 is the first layer, and the region in which the titanium carbide (typically TiC) in the surface layer region of the sixth layer 32 is formed is a layer containing carbide (translucent property) Thin film) 33.

(低屈折率層)
カーバイド層33の上に、第1層、第3層および第5層と同じ条件でSiO2を真空蒸着し、低屈折率層(第8層)31を成膜した。成膜レートは2.0nm/secとし、電子銃の加速電圧は7kV、電流は100mAとした。
(Low refractive index layer)
On the carbide layer 33, SiO 2 was vacuum-deposited under the same conditions as the first layer, the third layer, and the fifth layer, and a low refractive index layer (eighth layer) 31 was formed. The deposition rate was 2.0 nm / sec, the acceleration voltage of the electron gun was 7 kV, and the current was 100 mA.

これらの工程において、反射防止層3の光学的性能を決める第1〜第6層および第8層の層厚は、44nm、10nm、57nm、36nm、25nm、36nm、101nmに管理した。カーバイド層33の層厚は、イオン銃118の電圧値および電流値(第1のガスに与えるイオンエネルギーおよびイオン電流)と、炭酸ガスイオンビームの照射時間とにより管理した。第6層(36nm)の表層部が層構造としては第7層であるカーバイド層33となり、本例においては、その層厚は、1〜5nm程度であると予想される。   In these steps, the thicknesses of the first to sixth layers and the eighth layer that determine the optical performance of the antireflection layer 3 were controlled to 44 nm, 10 nm, 57 nm, 36 nm, 25 nm, 36 nm, and 101 nm. The thickness of the carbide layer 33 was controlled by the voltage value and current value of the ion gun 118 (ion energy and ion current given to the first gas) and the irradiation time of the carbon dioxide ion beam. The surface layer portion of the sixth layer (36 nm) becomes a carbide layer 33 which is a seventh layer as a layer structure, and in this example, the layer thickness is expected to be about 1 to 5 nm.

上述した層構造、すなわち、第1層、第3層、第5層および第8層がSiO2層、第2層、第4層および第6層がTiO2層、そして、最外の高屈折率層32の表層がカーバイド層(第7層)33である層構造を、以降、タイプB1の層構造と呼ぶことにする。図13に、B1および後述するB2、B3−1〜B3−6のタイプの反射防止層の層構造を纏めて示してある。 The layer structure described above, that is, the first layer, the third layer, the fifth layer and the eighth layer are SiO 2 layers, the second layer, the fourth layer and the sixth layer are TiO 2 layers, and the outermost high refraction. Hereinafter, a layer structure in which the surface layer of the rate layer 32 is a carbide layer (seventh layer) 33 will be referred to as a type B1 layer structure. FIG. 13 collectively shows the layer structure of the antireflection layer of the type B1 and B2, B3-1 to B3-6 described later.

3.1.3 防汚層
カーバイド層33を形成した後、実施例1と同様に防汚層4を成膜した(2.1.3参照)。
3.1.3 Antifouling layer After the carbide layer 33 was formed, the antifouling layer 4 was formed in the same manner as in Example 1 (see 2.1.3).

3.2 実施例8(サンプルS8)
実施例8は、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプB1の反射防止層3を実施例7と同じ条件で形成し、サンプルS8を製造した。防汚層は成膜しなかった。
3.2 Example 8 (Sample S8)
In Example 8, flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and the antireflection layer 3 of type B1 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 7 to produce Sample S8. No antifouling layer was formed.

3.3 実施例9(サンプルS9)
実施例9では、実施例7と同じ条件でレンズ基材1の上にハードコート層2、タイプB1の反射防止層3および防汚層4を形成し、サンプルS9を製造した。ただし、カーバイド層(第7層)33の形成においては、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)とアルゴン(Ar)ガスとの混合ガスを、二酸化炭素(CO2)ガスの流量を15sccm、アルゴン(Ar)ガスの流量を15sccmとして真空容器110内に導入し、イオン化させ、イオンエネルギーを500eV、イオン電流を200mAとした。また、TiO2層(第6層)32への炭酸ガスイオンビームの照射時間は120秒とした。
3.3 Example 9 (Sample S9)
In Example 9, the hard coat layer 2, the antireflection layer 3 of type B1, and the antifouling layer 4 were formed on the lens substrate 1 under the same conditions as in Example 7 to produce Sample S9. However, in the formation of the carbide layer (seventh layer) 33, a mixed gas of carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) and argon (Ar) gas is used, and the flow rate of carbon dioxide (CO 2 ) gas is set. 15 sccm, argon (Ar) gas flow rate of 15 sccm was introduced into the vacuum vessel 110 and ionized, the ion energy was 500 eV, and the ion current was 200 mA. The irradiation time of the carbon dioxide ion beam to the TiO 2 layer (sixth layer) 32 was 120 seconds.

3.4 実施例10(サンプルS10)
実施例10では、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプB1の反射防止層3を実施例9と同じ条件で形成し、サンプルS10を製造した。防汚層は成膜しなかった。
3.4 Example 10 (Sample S10)
In Example 10, a flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and a type B1 antireflection layer 3 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 9 to produce Sample S10. No antifouling layer was formed.

3.5 実施例11(サンプルS11)
実施例11では、実施例7と同じ条件でレンズ基材1の上にハードコート層2、タイプB1の反射防止層3および防汚層4を形成し、サンプルS11を製造した。ただし、カーバイド層(第7層)33の形成においては、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)を流量30sccmとして真空容器110内に導入し、イオン化させ、イオンエネルギーを800eV、イオン電流を150mAとした。TiOx層33aへの炭酸ガスイオンビームの照射時間は20秒とした。
3.5 Example 11 (Sample S11)
In Example 11, a hard coat layer 2, a type B1 antireflection layer 3 and an antifouling layer 4 were formed on the lens substrate 1 under the same conditions as in Example 7 to produce Sample S11. However, in the formation of the carbide layer (seventh layer) 33, carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) is introduced into the vacuum vessel 110 at a flow rate of 30 sccm, ionized, and the ion energy is 800 eV, ion current. Was set to 150 mA. The irradiation time of the carbon dioxide ion beam to the TiO x layer 33a was 20 seconds.

3.6 実施例12(サンプルS12)
実施例12では、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプB1の反射防止層3を実施例11と同じ条件で形成し、サンプルS12を製造した。防汚層は成膜しなかった。
3.6 Example 12 (Sample S12)
In Example 12, a flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and a type B1 antireflection layer 3 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 11 to produce Sample S12. No antifouling layer was formed.

3.7 比較例4、5(サンプルR4、R5)
上記の実施例により得られたレンズサンプルおよびガラスサンプルと比較するために、実施例7および実施例8と同様にレンズサンプルR4およびガラスサンプルR5を製造した。ただし、カーバイド層の形成(3.1.2参照)は行わなかった。すなわち、比較例4により製造されたレンズサンプルR4は、レンズ基材と、ハードコート層と、カーバイド層を含まないタイプB2の反射防止層と、防汚層とを含む。比較例5により製造されたガラスサンプルR5は、ガラス基材と、カーバイド層を含まないタイプB2の反射防止層とを含む。ガラスサンプルR5は、ハードコート層および防汚層は形成しなかった。タイプB2の反射防止層の各層の層厚は、タイプB1の反射防止層の各層の層厚と同じである(図13参照)。
3.7 Comparative Examples 4 and 5 (Samples R4 and R5)
In order to compare with the lens sample and glass sample obtained by the above example, a lens sample R4 and a glass sample R5 were produced in the same manner as in Example 7 and Example 8. However, the carbide layer was not formed (see 3.1.2). That is, the lens sample R4 manufactured by Comparative Example 4 includes a lens substrate, a hard coat layer, a type B2 antireflection layer that does not include a carbide layer, and an antifouling layer. Glass sample R5 manufactured by Comparative Example 5 includes a glass substrate and a type B2 antireflection layer that does not include a carbide layer. In the glass sample R5, a hard coat layer and an antifouling layer were not formed. The thickness of each layer of the antireflection layer of type B2 is the same as the thickness of each layer of the antireflection layer of type B1 (see FIG. 13).

3.8 比較例6〜11(サンプルR6〜R11)
上記の実施例により得られたレンズサンプルと比較するために、さらに、透明な導電層としてITO(酸化インジウムスズ)層を備えたレンズサンプルR6〜R11を製造した。これらのレンズサンプルR6〜R11は、実施例7と同様に、レンズ基材の上にハードコート層2、反射防止層3および防汚層4を形成した。反射防止層3の低屈折率31および高屈折率32の厚みは図13に纏めて示す通りである。
3.8 Comparative Examples 6 to 11 (Samples R6 to R11)
In order to compare with the lens sample obtained by said Example, lens sample R6-R11 further provided with ITO (indium tin oxide) layer as a transparent conductive layer was manufactured. In these lens samples R6 to R11, as in Example 7, the hard coat layer 2, the antireflection layer 3, and the antifouling layer 4 were formed on the lens substrate. The thicknesses of the low refractive index 31 and the high refractive index 32 of the antireflection layer 3 are as collectively shown in FIG.

さらに、第6層(TiO2層)の成膜後に、酸化インジウムスズ(ITO)をイオンアシスト真空蒸着により成膜した。ITO層の成膜の際は、電子銃の加速電圧を7kV、電流値を50mAとした。ITO膜の酸化を促進させるために、真空容器内に毎分15ミリリットルの酸素ガスを導入し、酸素雰囲気とした。また、イオン銃へは毎分35ミリリットルで酸素ガスを導入し、電圧値を500V、電流値を250mAとして、レンズサンプルに酸素イオンビームを照射した。ITO層の成膜レートは0.1nm/secとした。このように、ITO層を含む反射防止層は8層構造になる。この8層構造で、ITO層を含むタイプの層構造をタイプB3と呼ぶことにする。なお、図13に示すように、ITO層の層厚は、サンプルR6〜R11において、2.5、3.5、5、7、10および15nmと変えた。このため、図13においてはタイプB3−1〜B3−6と記載して区別することにする。 Further, after the sixth layer (TiO 2 layer) was formed, indium tin oxide (ITO) was formed by ion-assisted vacuum deposition. When forming the ITO layer, the acceleration voltage of the electron gun was 7 kV, and the current value was 50 mA. In order to promote the oxidation of the ITO film, 15 ml / min of oxygen gas was introduced into the vacuum container to create an oxygen atmosphere. Further, oxygen gas was introduced into the ion gun at a rate of 35 milliliters per minute, and the lens sample was irradiated with an oxygen ion beam at a voltage value of 500 V and a current value of 250 mA. The deposition rate of the ITO layer was 0.1 nm / sec. Thus, the antireflection layer including the ITO layer has an eight-layer structure. In this eight-layer structure, a layer structure including an ITO layer is referred to as type B3. As shown in FIG. 13, the layer thickness of the ITO layer was changed to 2.5, 3.5, 5, 7, 10, and 15 nm in samples R6 to R11. For this reason, in FIG. 13, it distinguishes by describing as type B3-1-B3-6.

3.9 サンプル評価
サンプルS7〜S12およびR4〜R11について、サンプルS1〜S6と同様に、シート抵抗、ごみの付着試験、吸収損失、耐薬品性(剥がれの発生の有無)、耐湿性(むくみの発生の有無)を測定、試験、および評価した(2.10参照)。図14に、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件とともに、上記測定および結果、上記試験および評価結果を纏めて示している。
3.9 Sample Evaluation Regarding samples S7 to S12 and R4 to R11, as in samples S1 to S6, sheet resistance, dust adhesion test, absorption loss, chemical resistance (existence of peeling), moisture resistance (swelling) The presence or absence of occurrence) was measured, tested, and evaluated (see 2.10). FIG. 14 summarizes the measurement and results, the test, and the evaluation results, together with the layer structure of the antireflection layer and the conditions for forming the carbide layer (translucent thin film).

サンプルR4およびR5の測定結果が示すように、従来のレンズサンプルおよびガラスサンプルでは、シート抵抗は5×1013[Ω/□]であった。反射防止層にITO層を含めたレンズサンプルR6〜R11では、ITO層の厚みに依存はするが、シート抵抗は1.5×1011[Ω/□]〜2×1013[Ω/□]となった。 As shown by the measurement results of samples R4 and R5, the sheet resistance was 5 × 10 13 [Ω / □] in the conventional lens sample and glass sample. In the lens samples R6 to R11 including the ITO layer in the antireflection layer, the sheet resistance is 1.5 × 10 11 [Ω / □] to 2 × 10 13 [Ω / □], depending on the thickness of the ITO layer. It became.

これらに対し、反射防止層3の1つの層としてカーバイド層33を形成したサンプルS7〜S12においては、シート抵抗が2×109[Ω/□]〜1×1010[Ω/□]であった。このように、サンプルS7〜S12においては、シート抵抗が従来のサンプルR4およびR5と比較して、3桁〜4桁(103〜104)程度小さくなった。すなわち、サンプルS7〜S12においては、従来と比較して、シート抵抗が1/103〜1/104になった。また、サンプルS7〜S12は、サンプルR6〜R11と比較しても、1桁〜4桁(101〜104)程度小さくなった。 On the other hand, in the samples S7 to S12 in which the carbide layer 33 is formed as one layer of the antireflection layer 3, the sheet resistance is 2 × 10 9 [Ω / □] to 1 × 10 10 [Ω / □]. It was. Thus, in the samples S7 to S12, the sheet resistance was reduced by about 3 to 4 digits (10 3 to 10 4 ) as compared with the conventional samples R4 and R5. That is, in the samples S7 to S12, the sheet resistance was 1/10 3 to 1/10 4 as compared with the conventional case. Samples S7 to S12 were smaller by about 1 to 4 digits (10 1 to 10 4 ) than samples R6 to R11.

したがって、サンプルS7〜S12は、上記の測定方法で測定されたシート抵抗が1×1011[Ω/□]以下、さらに、1×1010[Ω/□]以下であり、非常に優れた帯電防止性を備えていることがわかる。ごみの付着試験においても、カーバイド層33を形成したサンプルS7〜S12の評価はすべて○であり、帯電防止効果に優れていることが確かめられた。ITO層を形成した幾つかのサンプルR8〜R11は○であり、ある程度の帯電防止効果を示している。しかしながら、ITO層を形成したサンプルR7は△であり、ITO層を形成したサンプルR6(シート抵抗が2×1013[Ω/□])および導電的な膜(層)を何も形成していないサンプルR4およびR5(シート抵抗値が5×1013[Ω/□])はいずれも×であり、帯電防止効果が劣っていることがわかった。 Therefore, the samples S7 to S12 have a sheet resistance measured by the above measuring method of 1 × 10 11 [Ω / □] or less, and further 1 × 10 10 [Ω / □] or less, and very excellent charging. It turns out that it has prevention. Also in the dust adhesion test, the evaluations of the samples S7 to S12 on which the carbide layer 33 was formed were all good, and it was confirmed that the antistatic effect was excellent. Some samples R8 to R11 formed with an ITO layer are ◯, indicating a certain degree of antistatic effect. However, the sample R7 in which the ITO layer is formed is Δ, and the sample R6 in which the ITO layer is formed (sheet resistance is 2 × 10 13 [Ω / □]) and no conductive film (layer) is formed. Samples R4 and R5 (sheet resistance value 5 × 10 13 [Ω / □]) are both “x”, indicating that the antistatic effect is inferior.

また、グループ(1b)の各サンプルS8、S10およびS11においても、カーバイド層33を形成することにより若干吸収損失が上昇する傾向がみられる。しかしながら、最大でも0.79%程度であり、十分に透光性は高く、反射防止層3の透光性に大きな影響を与えるほど光吸収損失は増加していない。したがって、カーバイド層33を含む層構造B1の反射防止層3を備えたレンズ10は、眼鏡用のレンズとして十分に使用できる。   Further, in each of the samples S8, S10, and S11 of the group (1b), the absorption loss tends to be slightly increased by forming the carbide layer 33. However, the maximum is about 0.79%, which is sufficiently high in light transmissivity, and the light absorption loss does not increase so as to greatly affect the light transmissivity of the antireflection layer 3. Therefore, the lens 10 including the antireflection layer 3 having the layer structure B1 including the carbide layer 33 can be sufficiently used as a lens for spectacles.

耐薬品性においては、図14に示すようにカーバイド層33を含むサンプルS7〜S12の評価はすべて○であり、日常的に用いられる環境において、優れた耐薬品性を示した。一方、ITO層を成膜したサンプルR6〜R11の評価はすべて×であり、ITO層を成膜することによりサンプルの耐薬品性が低下することがわかる。   As for chemical resistance, as shown in FIG. 14, the evaluations of the samples S7 to S12 including the carbide layer 33 were all “good”, and excellent chemical resistance was exhibited in an environment used on a daily basis. On the other hand, the evaluations of the samples R6 to R11 with the ITO layer formed are all x, and it can be seen that the chemical resistance of the sample is lowered by forming the ITO layer.

むくみの発生(耐湿性)の評価においては、図14に示すようにカーバイド層33を含むサンプルS7〜S12についてはむくみの発生は観測されず、すぐれた耐湿性を示した。一方、ITO層を成膜したサンプルR6〜R11については、ITO層の層厚が厚くなるとむくみの発生がみられた。これは、ITO層を成膜することによりサンプルの耐湿性が低下する可能性があることを示している。   In the evaluation of swelling (moisture resistance), as shown in FIG. 14, no swelling was observed for the samples S7 to S12 including the carbide layer 33, and excellent moisture resistance was exhibited. On the other hand, in the samples R6 to R11 in which the ITO layer was formed, swelling was observed when the thickness of the ITO layer was increased. This indicates that there is a possibility that the moisture resistance of the sample is lowered by forming the ITO layer.

3.10 考察
以上の各測定結果および評価より、タイプB1の反射防止層3を有するグループ(1b)のサンプルS7〜S12についても、タイプA1の反射防止層3を有するグループ(1a)のサンプルS1〜S6と同様に、シート抵抗が大幅に低下し、その一方で、耐薬品性および耐湿性の劣化はないものであることが確認できた。したがって、反射防止層3のタイプに限らず、予め設けられた遷移金属酸化物層(上記の例では高屈折率層32)の表面に第1の気体(炭酸ガス)をイオン化して照射する方法(第1の方法)によりカーバイド層33を設けることにより帯電防止などの特性を持ち、さらに、耐久性の良い光学物品を提供できる。
3.10 Discussion From the above measurement results and evaluation, the sample S1 of the group (1a) having the antireflection layer 3 of the type A1 is also used for the samples S7 to S12 of the group (1b) having the antireflection layer 3 of the type B1. It was confirmed that the sheet resistance was significantly reduced as in ˜S6, while the chemical resistance and the moisture resistance were not deteriorated. Therefore, not only the type of the antireflection layer 3 but also a method of ionizing and irradiating the first gas (carbon dioxide gas) on the surface of a transition metal oxide layer (high refractive index layer 32 in the above example) provided in advance. By providing the carbide layer 33 by the (first method), it is possible to provide an optical article having characteristics such as antistatic properties and good durability.

4. 第1の方法による有機系の反射防止層を備えたサンプルの製造
4.1 実施例13(サンプルS13)
有機系の反射防止層3Aを備えたサンプルを製造した。以下に詳述するが、有機系の層35の表面にTiOxを遷移金属酸化物薄膜として積層(形成)し、TiOxの薄膜に炭酸ガス(二酸化炭素の気体)を第1の気体として使用し、炭酸ガスをイオン化して照射する第1の方法により有機系の層35の表面に透光性薄膜33を形成している。有機系の反射防止層3Aに、第1の気体(炭酸ガス)をイオン化して照射する第1の方法により透光性薄膜33を導入したサンプルのグループをグループ(1c)と呼ぶ。図15に、有機系の反射防止層35を備えたサンプルS13の概略構成を示している。
4). 4.1 Production of Sample with Organic Antireflection Layer by First Method 4.1 Example 13 (Sample S13)
A sample provided with an organic antireflection layer 3A was manufactured. As will be described in detail below, TiO x is laminated (formed) as a transition metal oxide thin film on the surface of the organic layer 35, and carbon dioxide gas (carbon dioxide gas) is used as the first gas for the TiO x thin film. The translucent thin film 33 is formed on the surface of the organic layer 35 by the first method of ionizing and irradiating carbon dioxide gas. A group of samples in which the translucent thin film 33 is introduced into the organic antireflection layer 3A by the first method of ionizing and irradiating the first gas (carbon dioxide gas) is referred to as a group (1c). FIG. 15 shows a schematic configuration of a sample S13 provided with an organic antireflection layer 35.

4.1.1 レンズ基材の選択およびハードコート層の成膜
上記の実施例1と同様のレンズ基材1を選択した。そして、上記の実施例1と同様にして、レンズ基材1の上にハードコート層2を形成した(2.1.1参照)。
4.1.1 Selection of Lens Base Material and Formation of Hard Coat Layer A lens base material 1 similar to that in Example 1 above was selected. And the hard-coat layer 2 was formed on the lens base material 1 like said Example 1 (refer 2.1.1).

4.1.2 反射防止層
上記ハードコート層2の表面に、有機系の層35とカーバイド層33とを含む反射防止層3Aを形成した。
4.1.2 Antireflection Layer An antireflection layer 3 </ b> A including an organic layer 35 and a carbide layer 33 was formed on the surface of the hard coat layer 2.

(有機系の層(有機系の反射防止層)35)
化学式(CH3O)3Si−C24−C612−C24−Si(OCH33で表されるフッ素含有シラン化合物47.8重量部(0.08モル)に、有機溶剤としてメタノール312.4重量部、フッ素を含有しないシラン化合物であるγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン4.7重量部(0.02モル)を加え、さらに0.1規定の塩酸水溶液36重量部を加えて混合した。その後、設定温度が25℃の恒温槽内で2時間攪拌して、固形分比率が10重量%のシリコンレジンを得た。
(Organic layer (organic antireflection layer) 35)
In 47.8 parts by weight (0.08 mol) of a fluorine-containing silane compound represented by the chemical formula (CH 3 O) 3 Si—C 2 H 4 —C 6 F 12 —C 2 H 4 —Si (OCH 3 ) 3 Further, 312.4 parts by weight of methanol as an organic solvent and 4.7 parts by weight (0.02 mol) of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane which is a fluorine-free silane compound are added, and a 0.1 N hydrochloric acid aqueous solution is further added. 36 parts by weight was added and mixed. Thereafter, the mixture was stirred for 2 hours in a thermostatic bath having a set temperature of 25 ° C. to obtain a silicon resin having a solid content ratio of 10% by weight.

このシリコンレジンに、内部に空洞を有するシリカ微粒子として、中空シリカ−イソプロパノール分散ゾル(触媒化成工業(株)製、固形分比率:20重量%、平均粒子径:35nm、外殻厚み:8nm)を、シリコンレジンと中空シリカとの固形分比率が70:30となるように配合した。さらに、分散媒として、プロピレングリコールモノメチルエーテル935重量部を加えて希釈し、固形分が3重量%の組成物を得た。   In this silicon resin, hollow silica-isopropanol dispersion sol (manufactured by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd., solid content ratio: 20% by weight, average particle diameter: 35 nm, outer shell thickness: 8 nm) as silica fine particles having cavities inside. The solid content ratio between the silicon resin and the hollow silica was 70:30. Furthermore, 935 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether was added as a dispersion medium and diluted to obtain a composition having a solid content of 3% by weight.

そして、この組成物に、アルミニウム(Al(III))を中心金属とする金属錯塩として、アルミニウムのアセチルアセトン(Al(acac)3)を、最終組成物(有機系反射防止層を形成するコーティング組成物)に対する固形分比率が3重量%となるように加えた後、4時間攪拌した。これにより、有機系反射防止層を形成するコーティング組成物としての反射防止処理液を得た。 And, to this composition, aluminum acetylacetone (Al (acac) 3 ) as a metal complex salt having aluminum (Al (III)) as a central metal, and the final composition (coating composition for forming an organic antireflection layer) ), And the mixture was stirred for 4 hours. Thereby, an antireflection treatment liquid as a coating composition for forming an organic antireflection layer was obtained.

ハードコート層2が形成されたレンズサンプル10を、大気プラズマによりプラズマ処理した。その後、上記で得られた反射防止処理液を、ハードコート層2の表面に、乾燥層厚が85nmとなるように、スピナー法を用いて塗布した。そして、温度125℃に保たれた恒温槽内に2時間投入して、塗布された反射防止処理液の硬化を行った。これにより、ハードコート層2の上に有機系反射防止層35を形成した。   The lens sample 10 on which the hard coat layer 2 was formed was subjected to plasma treatment with atmospheric plasma. Thereafter, the antireflection treatment liquid obtained above was applied to the surface of the hard coat layer 2 using a spinner method so that the dry layer thickness was 85 nm. And it put into the thermostat kept at the temperature of 125 degreeC for 2 hours, and hardened the apply | coated antireflection process liquid. Thereby, the organic antireflection layer 35 was formed on the hard coat layer 2.

(カーバイド層)
有機系反射防止層35を成膜後、上記蒸着装置100を用いて、イオンアシスト蒸着ではなく、通常の真空蒸着工程により、有機系反射防止層35上に厚さ2nm程度のTiOX層を作り、さらに、このTiOX層に炭酸ガスイオンビームを照射し、導電性の高い光透性薄膜33を形成した。
(Carbide layer)
After the organic antireflection layer 35 is formed, a TiO x layer having a thickness of about 2 nm is formed on the organic antireflection layer 35 by an ordinary vacuum vapor deposition process, instead of ion-assisted vapor deposition, using the vapor deposition apparatus 100. Further, this TiO x layer was irradiated with a carbon dioxide ion beam to form a highly conductive light-transmitting thin film 33.

詳しくは、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)を流量30sccmで真空容器110内に導入し、イオン化させ、イオンエネルギーを500eV、イオン電流を200mAとした。これにより生成された炭酸ガスイオンビームを、有機系反射防止層35の表面に成膜したTiOX層に60秒照射した。このようにすることにより、TiOX層中にチタンカーバイド(典型的にはTiC)が形成される。 Specifically, carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) was introduced into the vacuum vessel 110 at a flow rate of 30 sccm and ionized to have an ion energy of 500 eV and an ion current of 200 mA. The generated carbon dioxide ion beam was applied to the TiO x layer formed on the surface of the organic antireflection layer 35 for 60 seconds. By doing so, titanium carbide (typically TiC) is formed in the TiO x layer.

4.1.3 防汚層
カーバイド層33を形成した後、実施例1と同様に防汚層4を成膜した(2.1.3参照)。
4.1.3 Antifouling layer After the carbide layer 33 was formed, the antifouling layer 4 was formed in the same manner as in Example 1 (see 2.1.3).

このようにして、プラスチック基材1、ハードコート層2、有機系反射防止層35およびカーバイド層33を含む反射防止層3A、さらに防汚層4を有するレンズサンプルS13を製造した。   In this way, a lens sample S13 having the antireflection layer 3A including the plastic substrate 1, the hard coat layer 2, the organic antireflection layer 35 and the carbide layer 33, and the antifouling layer 4 was produced.

4.2 サンプルの評価
サンプルS13について、上記実施例と同様に、シート抵抗、ごみの付着試験、耐薬品性(剥がれの発生の有無)、耐湿性(むくみの発生の有無)を測定、試験、および評価した(2.10参照)。図16に、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件とともに、上記測定および結果、上記試験および評価結果を纏めて示している。
4.2 Evaluation of Sample For sample S13, the sheet resistance, dust adhesion test, chemical resistance (existence of peeling), and moisture resistance (existence of swelling) are measured and tested in the same manner as in the above examples. And evaluated (see 2.10). FIG. 16 summarizes the measurement and results, the test and the evaluation results, together with the layer structure of the antireflection layer and the conditions for forming the carbide layer (translucent thin film).

シート抵抗の測定値は、2×1011[Ω/□]であり、優れた帯電防止性能が得られた。また、耐薬品性は○であり、日常的に用いられる環境において、優れた耐薬品性を示した。むくみの発生は観測されず、すぐれた耐湿性を示した。 The measured value of the sheet resistance was 2 × 10 11 [Ω / □], and excellent antistatic performance was obtained. In addition, the chemical resistance was ○, and the chemical resistance was excellent in an environment that is used daily. No swelling was observed, indicating excellent moisture resistance.

4.3 考察
以上の各測定結果および評価より、有機系反射防止層35を備える反射防止層3Aにおいても、予め遷移金属酸化物層(上記の例では、事前に追加されたTiOX層)に第1の気体(炭酸ガス)をイオン化して照射する方法(第1の方法)により、有機系の反射防止層3Aにおいても導電性のカーバイド層33を形成することができ、それによりシート抵抗を下げられることがわかった。その一方で、耐薬品性および耐湿性の劣化もないことがわかった。これにより、サンプルS13は、帯電防止などの特性を持ち、さらに、耐久性の良い光学物品であることがわかった。
4.3 Consideration From the above measurement results and evaluations, in the antireflection layer 3A including the organic antireflection layer 35, the transition metal oxide layer (in the above example, the TiO x layer added in advance) is previously provided. By the method of ionizing and irradiating the first gas (carbon dioxide gas) (first method), the conductive carbide layer 33 can be formed also in the organic antireflection layer 3A, thereby reducing the sheet resistance. I found that it could be lowered. On the other hand, it was found that there was no deterioration in chemical resistance and moisture resistance. As a result, it was found that Sample S13 was an optical article having characteristics such as antistatic properties and good durability.

このように、無機系の層に限らず、有機系の層においても、カーバイド層33を設けることにより、優れた帯電防止性能および電磁波遮断性能と、耐久性とを備えた光学物品を提供できる。   As described above, by providing the carbide layer 33 not only in the inorganic layer but also in the organic layer, an optical article having excellent antistatic performance, electromagnetic wave shielding performance, and durability can be provided.

5. 第2の方法によるSiO2−ZrO2系の反射防止層を備えたサンプルの製造
上記の例とは異なり、TiO2を遷移金属酸化物の蒸着源とし、炭酸ガスを第1の気体として蒸着の際のイオンアシストガスとして用い、最上(最外)の高屈折率層32を第1の層として、その表面に透光性薄膜を形成する方法(第2の方法)により、低屈折率層31としてSiO2層、高屈折率層32としてZrO2層を採用したタイプA1の反射防止層3を備えたサンプルを製造した。SiO2−ZrO2系の反射防止層3の1つの層32の上に、第1の気体(炭酸ガス)をイオン化してイオンアシストガスとして用い、カーバイド層を生成する方法(第2の方法)により透光性薄膜33を導入したサンプルのグループをグループ(2a)と呼ぶ。
5. Production of sample with SiO 2 —ZrO 2 -based antireflection layer by the second method Unlike the above example, TiO 2 was used as the deposition source of transition metal oxide, and carbon dioxide was used as the first gas. The low refractive index layer 31 is formed by a method (second method) in which the uppermost (outermost) high refractive index layer 32 is used as the first layer and a light transmissive thin film is formed on the surface thereof (second method). A sample having an antireflection layer 3 of type A1 employing a SiO 2 layer as a high refractive index layer 32 and a ZrO 2 layer as a high refractive index layer 32 was manufactured. A method of generating a carbide layer by ionizing a first gas (carbon dioxide gas) as an ion assist gas on one layer 32 of the SiO 2 —ZrO 2 antireflection layer 3 (second method) A group of samples into which the translucent thin film 33 is introduced is referred to as a group (2a).

5.1 実施例14(サンプルS14)
5.1.1 レンズ基材の選択およびハードコート層の成膜
上記の実施例1と同様にレンズ基材1を選択し、上記の実施例1と同様にして、レンズ基材1の上にハードコート層2を形成した(2.1.1参照)。
5.1 Example 14 (Sample S14)
5.1.1 Selection of Lens Base and Film Formation of Hard Coat Layer Lens base 1 is selected in the same manner as in Example 1 above, and on lens base 1 in the same manner as in Example 1 above. A hard coat layer 2 was formed (see 2.1.1).

5.1.2 反射防止層の成膜
ハードコート層2の上に、タイプA1の反射防止層3を成膜した。すなわち、実施例1と同じ条件(2.1.2.2)で、第1層および第3層の低屈折率層31と、第2層および第4層の高屈折率層32を成膜した。
5.1.2 Formation of Antireflection Layer A type A1 antireflection layer 3 was formed on the hard coat layer 2. That is, the first and third low-refractive index layers 31 and the second and fourth high-refractive index layers 32 are formed under the same conditions as in Example 1 (2.1.2.2). did.

(カーバイドを含む層(透光性薄膜))
さらに、最外の高屈折率層32を第1の層として、その表面(表層)にカーバイドを含む層33を成膜した。
(Layer containing carbide (translucent thin film))
Further, with the outermost high refractive index layer 32 as the first layer, a layer 33 containing carbide on the surface (surface layer) was formed.

図17(A)および(B)は、カーバイドを含む層33を形成する模式的に示している。図17(A)および(B)は蒸着装置100においてカーバイドを含む層(透光性薄膜)33を形成する様子を示しており、高屈折率層32と透光性薄膜33との上下関係は図1に示したレンズサンプル10とは逆転して示されている。したがって、レンズサンプル10上に、第1層31、第2層32、第3層31および第4層32を成膜した後、蒸着装置100を用い、カーバイド層(チタンカーバイドを含む層)33を第5層(導電層、透光性薄膜)として成膜する様子を示している。   FIGS. 17A and 17B schematically show the formation of a layer 33 containing carbide. 17A and 17B show a state in which a layer (translucent thin film) 33 containing carbide is formed in the vapor deposition apparatus 100, and the vertical relationship between the high refractive index layer 32 and the translucent thin film 33 is as follows. It is shown reversed from the lens sample 10 shown in FIG. Therefore, after the first layer 31, the second layer 32, the third layer 31, and the fourth layer 32 are formed on the lens sample 10, the carbide layer (a layer including titanium carbide) 33 is formed using the vapor deposition apparatus 100. It shows a state where a fifth layer (conductive layer, translucent thin film) is formed.

カーバイド層33は、次のようにして成膜した。酸化チタンTiO2の焼結体材料を蒸着源とし、これに熱電子を照射して蒸発させ、蒸発させた酸化チタンを、炭酸ガスイオンビームを用いて、第4層32の上にイオンアシスト蒸着した(図17(A))。蒸着源はTiOx(0<X≦2)であってもよい。炭酸ガスイオンビームは、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)とアルゴン(Ar)ガスとの混合ガスを、二酸化炭素ガスの流量を15sccm、アルゴンガスの流量を15sccmとして真空容器110内に導入した。蒸着装置100のイオン化させ、イオンエネルギーを800eV、イオン電流を200mAとした。 The carbide layer 33 was formed as follows. A titanium oxide TiO 2 sintered material is used as a deposition source, and this is evaporated by irradiating thermionic electrons. The evaporated titanium oxide is ion-assisted deposited on the fourth layer 32 using a carbon dioxide ion beam. (FIG. 17A). The deposition source may be TiO x (0 <X ≦ 2). The carbon dioxide ion beam is a mixture of carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) and argon (Ar) gas, the flow rate of carbon dioxide gas is 15 sccm, and the flow rate of argon gas is 15 sccm. Introduced. The vapor deposition apparatus 100 was ionized, the ion energy was 800 eV, and the ion current was 200 mA.

炭酸ガスイオンビームをイオンアシストに用いることにより、CO2、CO、およびCを含む炭酸ガスイオンがTiO2またはTiOxとともに基層(第1の層)となる高屈折率の第4層32に積層される。このため、TiO2またはTiOxに含まれるチタン(Ti)原子と、炭酸ガスイオンビームに含まれる炭素(C)原子とによって、第4層32の上にチタンカーバイド(典型的にはTiC)を含む層(カーバイド層)33が形成される(図17(B))。本例では、層厚が7.2nmのカーバイド層33を形成した。 By using a carbon dioxide ion beam for ion assist, carbon dioxide ions containing CO 2 , CO, and C are laminated on the fourth layer 32 having a high refractive index that becomes a base layer (first layer) together with TiO 2 or TiO x. Is done. Therefore, titanium carbide (typically TiC) is formed on the fourth layer 32 by titanium (Ti) atoms contained in TiO 2 or TiO x and carbon (C) atoms contained in the carbon dioxide ion beam. A containing layer (carbide layer) 33 is formed (FIG. 17B). In this example, the carbide layer 33 having a layer thickness of 7.2 nm was formed.

さらに、カーバイド層33の上に、第6層として、第1および第3層と同様の条件で、SiO2層(低屈折率層31)を成膜した。 Further, an SiO 2 layer (low refractive index layer 31) was formed as a sixth layer on the carbide layer 33 under the same conditions as the first and third layers.

これらの工程において、タイプA1の反射防止層3を形成するため、光学的性能を主に決める第1〜第4層および第6層の層厚は、それぞれ、150nm、30nm、21nm、55nm、85nmに管理した。第4層32の表層を形成するカーバイド層(第5層)33の厚みは、適当な導電性を得るために変えることができ、このサンプルS14においては厚みを7.2nmとした。   In these steps, in order to form the antireflection layer 3 of type A1, the layer thicknesses of the first to fourth layers and the sixth layer that mainly determine the optical performance are 150 nm, 30 nm, 21 nm, 55 nm, and 85 nm, respectively. Managed. The thickness of the carbide layer (fifth layer) 33 forming the surface layer of the fourth layer 32 can be changed in order to obtain appropriate conductivity. In this sample S14, the thickness was set to 7.2 nm.

5.1.3 防汚層の成膜
反射防止層3を形成した後、実施例1と同様に防汚層4を成膜した(2.1.3参照)。
5.1.3 Formation of antifouling layer After the antireflection layer 3 was formed, an antifouling layer 4 was formed in the same manner as in Example 1 (see 2.1.3).

このようにして、プラスチック基材1、ハードコート層2、タイプA1の反射防止層3、防汚層4を有するレンズサンプルS14を得た。   In this way, a lens sample S14 having the plastic substrate 1, the hard coat layer 2, the antireflection layer 3 of type A1, and the antifouling layer 4 was obtained.

5.2 実施例15(サンプルS15)
実施例15では、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプA1の反射防止層3を実施例14と同じ条件で形成し、サンプルS15を製造した。防汚層は成膜しなかった。
5.2 Example 15 (Sample S15)
In Example 15, a flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and a type A1 antireflection layer 3 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 14 to produce Sample S15. No antifouling layer was formed.

5.3 実施例16(サンプルS16)
実施例16では、実施例14と同じ条件で、レンズ基材1の上にハードコート層2、タイプA1の反射防止層3、および防汚層4を形成し、サンプルS16を製造した。ただし、カーバイド層(第5層)33の成膜において、実施例14と同じ条件(5.1.2)で層厚を5.0nmとした。
5.3 Example 16 (Sample S16)
In Example 16, a hard coat layer 2, a type A1 antireflection layer 3, and an antifouling layer 4 were formed on the lens substrate 1 under the same conditions as in Example 14 to produce Sample S16. However, in the formation of the carbide layer (fifth layer) 33, the layer thickness was set to 5.0 nm under the same conditions (5.1.2) as in Example 14.

5.4 実施例17(サンプルS17)
実施例17では、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプA1の反射防止層3を実施例16と同じ条件で形成し、サンプルS17を製造した。防汚層は成膜しなかった。
5.4 Example 17 (Sample S17)
In Example 17, a flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and a type A1 antireflection layer 3 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 16 to produce Sample S17. No antifouling layer was formed.

5.5 実施例18(サンプルS18)
実施例18では、実施例14と同じ条件で、レンズ基材1の上にハードコート層2、タイプA1の反射防止層3、および防汚層4を形成し、サンプルS18を製造した。ただし、カーバイド層(第5層)33の成膜においては、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)を30sccmで真空容器110内に導入し、イオン化させ、イオンエネルギーを800eV、イオン電流を150mAとし、炭酸ガスイオンビームを生じさせた。その他は、実施例14と同じ条件(5.1.2)で、カーバイド層33の層厚を7.2nmに設定した。
5.5 Example 18 (Sample S18)
In Example 18, a hard coat layer 2, a type A1 antireflection layer 3, and an antifouling layer 4 were formed on the lens substrate 1 under the same conditions as in Example 14 to produce Sample S18. However, in the film formation of the carbide layer (fifth layer) 33, carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) is introduced into the vacuum vessel 110 at 30 sccm, ionized, and ion energy is 800 eV, ion current. Was set to 150 mA, and a carbon dioxide ion beam was generated. The other conditions were the same as in Example 14 (5.1.2), and the thickness of the carbide layer 33 was set to 7.2 nm.

5.6 実施例19(サンプルS19)
実施例19では、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプA1の反射防止層3を実施例18と同じ条件で形成し、サンプルS19を製造した。防汚層は成膜しなかった。
5.6 Example 19 (Sample S19)
In Example 19, a flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and a type A1 antireflection layer 3 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 18 to produce Sample S19. No antifouling layer was formed.

5.7 実施例20(サンプルS20)
実施例20では、実施例14と同じ条件で、レンズ基材1の上にハードコート層2、タイプA1の反射防止層3、および防汚層4を形成し、サンプルS20を製造した。ただし、カーバイド層(第5層)33の成膜においては、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)を30sccmで真空容器110内に導入し、イオン化させ、イオンエネルギーを1000eV、イオン電流を200mAとした。その他は、実施例14と同じ条件(5.1.2)とした。カーバイド層33の層厚は7.2nmに設定した。
5.7 Example 20 (Sample S20)
In Example 20, sample S20 was manufactured by forming hard coat layer 2, type A1 antireflection layer 3 and antifouling layer 4 on lens substrate 1 under the same conditions as in Example 14. However, in the film formation of the carbide layer (fifth layer) 33, carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) is introduced into the vacuum vessel 110 at 30 sccm and ionized to have an ion energy of 1000 eV and an ion current. Was 200 mA. The other conditions were the same as in Example 14 (5.1.2). The layer thickness of the carbide layer 33 was set to 7.2 nm.

5.8 実施例21(サンプルS21)
実施例21は、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプA1の反射防止層3を実施例20と同じ条件で形成し、サンプルS21を製造した。防汚層は成膜しなかった。
5.8 Example 21 (Sample S21)
In Example 21, planar glass (B270) was used as the optical substrate 1, and the antireflection layer 3 of type A1 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 20 to produce Sample S21. No antifouling layer was formed.

5.9 実施例22(サンプルS22)
実施例22では、実施例14と同じ条件で、レンズ基材1の上にハードコート層2、タイプA1の反射防止層3、および防汚層4を形成し、サンプルS22を製造した。ただし、カーバイド層(第5層)33の成膜においては、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)を30sccmで真空容器110内に導入し、イオン化させ、イオンエネルギーを1000eV、イオン電流を200mAとし、炭酸ガスイオンビームを照射した。その他は、実施例14と同じ条件(5.1.2)とした。カーバイド層33の層厚は、10nmに設定した。
5.9 Example 22 (Sample S22)
In Example 22, a hard coat layer 2, a type A1 antireflection layer 3, and an antifouling layer 4 were formed on the lens substrate 1 under the same conditions as in Example 14 to produce Sample S22. However, in the film formation of the carbide layer (fifth layer) 33, carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) is introduced into the vacuum vessel 110 at 30 sccm and ionized to have an ion energy of 1000 eV and an ion current. Was set to 200 mA and irradiated with a carbon dioxide ion beam. The other conditions were the same as in Example 14 (5.1.2). The layer thickness of the carbide layer 33 was set to 10 nm.

5.10 実施例23(サンプルS23)
実施例23では、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプA1の反射防止層3を実施例22と同じ条件で形成し、サンプルS23を製造した。
5.10 Example 23 (Sample S23)
In Example 23, flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and a type A1 antireflection layer 3 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 22 to produce Sample S23.

5.11 実施例24(サンプルS24)
実施例24では、実施例14と同じ条件で、レンズ基材1の上にハードコート層2、タイプA1の反射防止層3、および防汚層4を形成し、サンプルS24を製造した。ただし、カーバイド層(第5層)33の成膜においては、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)とアルゴン(Ar)ガスとの混合ガスを、二酸化炭素ガスの流量を15sccm、アルゴンガスの流量を15sccmとして真空容器110内に導入し、この混合ガスのイオン化させ、イオンエネルギーを1000eV、イオン電流を200mAとし、炭酸ガスイオンビームを照射した。その他は、実施例14と同じ条件(5.1.2)とした。カーバイド層33の層厚は10nmに設定した。
5.11 Example 24 (Sample S24)
In Example 24, sample S24 was manufactured by forming hard coat layer 2, antireflection layer 3 of type A1, and antifouling layer 4 on lens substrate 1 under the same conditions as in Example 14. However, in the film formation of the carbide layer (fifth layer) 33, a mixed gas of carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) and argon (Ar) gas, a flow rate of carbon dioxide gas of 15 sccm, and argon A gas flow rate of 15 sccm was introduced into the vacuum vessel 110, and the mixed gas was ionized. The ion energy was set to 1000 eV, the ion current was set to 200 mA, and a carbon dioxide ion beam was irradiated. The other conditions were the same as in Example 14 (5.1.2). The thickness of the carbide layer 33 was set to 10 nm.

5.12 実施例25(サンプルS25)
実施例25は、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプA1の反射防止層3を実施例24と同じ条件で形成し、サンプルS25を製造した。防汚層は成膜しなかった。
5.12 Example 25 (Sample S25)
In Example 25, flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and the antireflection layer 3 of type A1 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 24 to produce Sample S25. No antifouling layer was formed.

5.13 サンプル評価
上記2.10で説明したのと同様に、サンプルS14〜S25について、シート抵抗、ごみの付着試験、吸収損失、耐薬品性(剥がれの発生の有無)、耐湿性(むくみの発生の有無)を測定、試験、および評価した。図18および図19に、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件とともに、上記測定および結果、上記試験および評価結果を纏めて示している。
5.13 Sample Evaluation In the same manner as described in 2.10 above, for samples S14 to S25, sheet resistance, dust adhesion test, absorption loss, chemical resistance (existence of peeling), moisture resistance (swelling) The presence or absence of occurrence) was measured, tested, and evaluated. FIG. 18 and FIG. 19 collectively show the above measurement and results, and the above test and evaluation results, together with the layer structure of the antireflection layer and the film formation conditions of the carbide layer (translucent thin film).

反射防止層3の1つの層32の表面にカーバイド層33を形成したサンプルS14〜S25においては、シート抵抗が2×108[Ω/□]〜2×1010[Ω/□]であった。これらのサンプルS14〜S25において、シート抵抗は、カーバイド層33の層厚が厚いほど小さくなる傾向がある。カーバイド層33の層厚が同じであれば、二酸化炭素とともにアルゴンガスを導入したサンプルの方が、シート抵抗が小さくなる傾向がある。 In samples S14 to S25 in which the carbide layer 33 was formed on the surface of one layer 32 of the antireflection layer 3, the sheet resistance was 2 × 10 8 [Ω / □] to 2 × 10 10 [Ω / □]. . In these samples S14 to S25, the sheet resistance tends to decrease as the thickness of the carbide layer 33 increases. If the thickness of the carbide layer 33 is the same, the sample introduced with argon gas together with carbon dioxide tends to have a lower sheet resistance.

図5に示したサンプルR1〜R3との比較は、サンプルS14〜S25において、シート抵抗が2桁〜6桁(102〜106)程度小さくなった。すなわち、サンプルS14〜S25においては、サンプルR1〜R3と比較して、シート抵抗が1/102〜1/106になった。このように、カーバイド層33を形成することによって導電性が得られ、サンプル表面の抵抗を大幅に低下できることがわかった。 In comparison with the samples R1 to R3 shown in FIG. 5, in the samples S14 to S25, the sheet resistance was reduced by about 2 to 6 digits (10 2 to 10 6 ). That is, in the samples S14 to S25, the sheet resistance was 1/10 2 to 1/10 6 compared to the samples R1 to R3. Thus, it has been found that by forming the carbide layer 33, conductivity can be obtained and the resistance of the sample surface can be greatly reduced.

また、これらのサンプルS14〜S25は、上記の測定方法で測定されたシート抵抗が1×1011[Ω/□]以下、さらに、1×1010[Ω/□]以下であり、非常に優れた帯電防止性および電磁遮蔽効果を備えていることがわかる。したがって、サンプルS14、S16、S18、S20、S22、S24は、それぞれ、眼鏡用のレンズとして好適であり、良好な帯電防止効果および電磁遮蔽効果があると言える。 In addition, these samples S14 to S25 have a sheet resistance measured by the above measuring method of 1 × 10 11 [Ω / □] or less, and further 1 × 10 10 [Ω / □] or less, which is very excellent. It can be seen that it has antistatic properties and electromagnetic shielding effects. Therefore, each of the samples S14, S16, S18, S20, S22, and S24 is suitable as a lens for spectacles, and can be said to have a good antistatic effect and electromagnetic shielding effect.

帯電防止効果は、ごみの付着試験で、図18および図19に示すように、サンプルS14〜S25の評価はすべて○であることにより確認できた。また、図18および図19に示すように、カーバイド層33を形成することにより若干吸収損失が上昇する傾向がみられる。しかしながら、最大でも1.7%程度であり、十分に透光性は高く、反射防止層3の透光性に大きな影響を与えるほど光吸収損失は増加していない。したがって、眼鏡用のレンズとして十分に使用できる。たとえば、帯電防止および透光性の双方をメリットという点を考慮するのであれば、サンプルS19は十分にシート抵抗が小さく、吸収損失も0.36%と小さいサンプルである。   The antistatic effect could be confirmed by a dust adhesion test, as shown in FIGS. 18 and 19, where the evaluations of samples S14 to S25 were all “good”. Further, as shown in FIGS. 18 and 19, the absorption loss tends to slightly increase by forming the carbide layer 33. However, it is about 1.7% at the maximum, and the translucency is sufficiently high, and the light absorption loss does not increase so as to greatly affect the translucency of the antireflection layer 3. Therefore, it can be sufficiently used as a lens for spectacles. For example, considering the advantages of both antistatic and translucency, the sample S19 is a sample having a sufficiently small sheet resistance and a small absorption loss of 0.36%.

耐薬品性においては、図18および図19に示すように、サンプルS14〜S25の評価はすべて○であり、日常的に用いられる環境において、優れた耐薬品性を示した。また、むくみの発生(耐湿性)の評価においても、図18および図19に示すように、サンプルS14〜S25についてはむくみの発生は観測されず、すぐれた耐湿性を示した。   In chemical resistance, as shown in FIGS. 18 and 19, the evaluations of samples S14 to S25 were all “good”, and excellent chemical resistance was exhibited in an environment used on a daily basis. Further, in the evaluation of the occurrence of swelling (moisture resistance), as shown in FIGS. 18 and 19, no swelling was observed for samples S14 to S25, and excellent moisture resistance was exhibited.

5.14 考察
以上の各測定結果および評価より、サンプルS14〜S25については、サンプルS1〜S13と同様に、シート抵抗が大幅に低下し、その一方で、耐薬品性および耐湿性の劣化はないことがわかった。すなわち、反射防止層3の1つの層32の上に、蒸着源として遷移金属酸化物を用い、第1の気体(炭酸ガス)をイオン化してイオンアシストガスとしてイオンアシスト蒸着する方法(第2の方法)で、導電性のカーバイド層33を形成することができ、従来とほぼ同等の吸収損失で透光性であり(透明であり)、良好な耐久性を有し、しかも、帯電防止性能および電磁波遮蔽性能の優れた光学物品を提供できることが分かった。
5.14 Consideration From the above measurement results and evaluations, as for samples S14 to S25, as in samples S1 to S13, the sheet resistance is significantly reduced, while there is no deterioration in chemical resistance and moisture resistance. I understood it. That is, a transition metal oxide is used as a deposition source on one layer 32 of the antireflection layer 3, and a first gas (carbon dioxide gas) is ionized to perform ion-assisted deposition as an ion assist gas (second method). Method), the conductive carbide layer 33 can be formed, is light-transmitting (transparent) with almost the same absorption loss as the conventional one, has good durability, and has antistatic performance and It was found that an optical article excellent in electromagnetic wave shielding performance can be provided.

6. 第2の方法によるSiO2−TiO2系の反射防止層を備えたサンプルの製造
TiO2を遷移金属酸化物の蒸着源とし、炭酸ガスを第1の気体として蒸着の際のイオンアシストガスとして用い、最上(最外)の高屈折率層32を第1の層として、その表面に透光性薄膜を形成する方法(第2の方法)により、低屈折率層31としてSiO2層、高屈折率層32としてTiO2層を採用したタイプB1の反射防止層3を備えたサンプルを製造した。SiO2−TiO2系の反射防止層3に、イオン化してイオンアシストガスとして用い、カーバイド層を生成する方法(第2の方法)により透光性薄膜33を導入したサンプルのグループをグループ(2b)と呼ぶ。
6). Production of sample with SiO 2 —TiO 2 antireflection layer by the second method TiO 2 is used as a transition metal oxide deposition source, carbon dioxide gas is used as a first gas, and is used as an ion assist gas during deposition. By using the uppermost (outermost) high-refractive index layer 32 as the first layer and forming a light-transmitting thin film on the surface (second method), the SiO 2 layer as the low-refractive index layer 31 has a high refractive index. A sample provided with an antireflection layer 3 of type B1 employing a TiO 2 layer as the rate layer 32 was produced. A group of samples (2b) in which the translucent thin film 33 is introduced into the SiO 2 —TiO 2 antireflection layer 3 by ionizing and using it as an ion assist gas and generating a carbide layer (second method). ).

6.1 実施例26(サンプルS26)
上記の実施例7と同様にレンズ基材1の上にハードコート層2、タイプB1の反射防止層3、および防汚層4を成膜した。ただし、レンズサンプル10上に、低屈折率の第1層31、高屈折率の第2層32、低屈折率の第3層31、高屈折率の第4層32、低屈折率の第5層31、高屈折率の第6層32を成膜した後、蒸着装置100を用い、第6層32の表面にカーバイド層(チタンカーバイドを含む層)33を第7層(透光性薄膜、導電層)として成膜した。
6.1 Example 26 (Sample S26)
In the same manner as in Example 7, the hard coat layer 2, the antireflection layer 3 of type B1, and the antifouling layer 4 were formed on the lens substrate 1. However, on the lens sample 10, the first layer 31 having a low refractive index, the second layer 32 having a high refractive index, the third layer 31 having a low refractive index, the fourth layer 32 having a high refractive index, and the fifth layer having a low refractive index. After forming the layer 31 and the sixth layer 32 having a high refractive index, the vapor deposition apparatus 100 is used to form a carbide layer (a layer containing titanium carbide) 33 on the surface of the sixth layer 32 with a seventh layer (translucent thin film, A conductive layer was formed.

カーバイド層33の成膜方法は、実施例14と同様であり、酸化チタンTiO2の焼結体材料を蒸着源とし、これに熱電子を照射して蒸発させ、蒸発させた酸化チタンを、炭酸ガスイオンビームを用いて、第4層32の上にイオンアシスト蒸着した(図17(A))。蒸着源はTiOx(0<X≦2)であってもよい。炭酸ガスイオンビームは、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)とアルゴン(Ar)ガスとの混合ガスを、二酸化炭素ガスの流量を15sccm、アルゴンガスの流量を15sccmとして真空容器110内に導入した。蒸着装置100のイオン化させ、イオンエネルギーを800eV、イオン電流を200mAとした。本例では、第6層32の層厚と第7層33の層厚との合計がおおよそ36nmとなるように、第6層の層厚を29nm、第7層33の層厚を7.2nmに設定した(図21参照)。 The method for forming the carbide layer 33 is the same as that in Example 14. The sintered titanium oxide TiO 2 material is used as the evaporation source, and it is evaporated by irradiating thermionic electrons. Ion-assisted vapor deposition was performed on the fourth layer 32 using a gas ion beam (FIG. 17A). The deposition source may be TiO x (0 <X ≦ 2). The carbon dioxide ion beam is a mixture of carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) and argon (Ar) gas, the flow rate of carbon dioxide gas is 15 sccm, and the flow rate of argon gas is 15 sccm. Introduced. The vapor deposition apparatus 100 was ionized, the ion energy was 800 eV, and the ion current was 200 mA. In this example, the thickness of the sixth layer is 29 nm and the thickness of the seventh layer 33 is 7.2 nm so that the total thickness of the sixth layer 32 and the seventh layer 33 is approximately 36 nm. (See FIG. 21).

なお、実施例7と同様に、カーバイド層33の上に、第1層、第3層および第5層と同じ条件でSiO2を真空蒸着し、低屈折率層(第8層)31を成膜した。 As in Example 7, SiO 2 was vacuum-deposited on the carbide layer 33 under the same conditions as the first layer, the third layer, and the fifth layer to form a low refractive index layer (eighth layer) 31. Filmed.

これらの工程において、タイプB1の反射防止層3を形成するため、第1〜第5、第6および第7層の合計厚み、および第8層の層厚を、それぞれ、44nm、10nm、57nm、36nm、25nm、36nm、101nmに管理した。   In these steps, in order to form the antireflection layer 3 of type B1, the total thickness of the first to fifth, sixth and seventh layers and the thickness of the eighth layer are 44 nm, 10 nm, 57 nm, It managed to 36 nm, 25 nm, 36 nm, and 101 nm.

6.2 実施例27(サンプルS27)
実施例27では、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプB1の反射防止層3を実施例26と同じ条件で形成し、サンプルS27を製造した。防汚層は成膜しなかった。
6.2 Example 27 (Sample S27)
In Example 27, flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and the antireflection layer 3 of type B1 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 26 to produce Sample S27. No antifouling layer was formed.

6.3 実施例28(サンプルS28)
実施例28では、実施例26と同じ条件で、レンズ基材1の上にハードコート層2、タイプB1の反射防止層3、および防汚層4を形成し、サンプルS28を製造した。ただし、第6層32の層厚は31nmとし、カーバイド層(第7層)33を実施例26と同じ条件で行い、層厚は5.0nmとした。
6.3 Example 28 (Sample S28)
In Example 28, sample S28 was manufactured by forming hard coat layer 2, anti-reflection layer 3 of type B1, and antifouling layer 4 on lens substrate 1 under the same conditions as in Example 26. However, the layer thickness of the sixth layer 32 was 31 nm, the carbide layer (seventh layer) 33 was performed under the same conditions as in Example 26, and the layer thickness was 5.0 nm.

6.4 実施例29(サンプルS29)
実施例29は、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプB1の反射防止層3を実施例28と同じ条件で形成し、サンプルS29を製造した。防汚層は成膜しなかった。
6.4 Example 29 (Sample S29)
In Example 29, flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and the antireflection layer 3 of type B1 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 28 to produce Sample S29. No antifouling layer was formed.

6.5 実施例30(サンプルS30)
実施例30では、実施例26と同じ条件で、レンズ基材1の上にハードコート層2、タイプB1の反射防止層3、および防汚層4を形成し、サンプルS30を製造した。ただし、第6層32の層厚は29nmとし、カーバイド層33の層厚は7.2nmとした。また、カーバイド層(第7層)33の成膜においては、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)を30sccmで真空容器110内に導入し、イオン化させ、イオンエネルギーを800eV、イオン電流を150mAとし、炭酸ガスイオンビームを照射した。その他は、実施例26と同じ条件とした。
6.5 Example 30 (Sample S30)
In Example 30, a hard coat layer 2, a type B1 antireflection layer 3, and an antifouling layer 4 were formed on the lens substrate 1 under the same conditions as in Example 26 to produce Sample S30. However, the layer thickness of the sixth layer 32 was 29 nm, and the layer thickness of the carbide layer 33 was 7.2 nm. In the formation of the carbide layer (seventh layer) 33, carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) is introduced into the vacuum vessel 110 at 30 sccm and ionized to have an ion energy of 800 eV and an ion current. Was set to 150 mA and irradiated with a carbon dioxide ion beam. The other conditions were the same as in Example 26.

6.6 実施例31(サンプルS31)
実施例31では、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプB1の反射防止層3を実施例30と同じ条件で形成し、サンプルS31を製造した。
6.6 Example 31 (Sample S31)
In Example 31, flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and the antireflection layer 3 of type B1 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 30 to produce Sample S31.

6.7 実施例32(サンプルS32)
実施例32では、実施例26と同じ条件で、レンズ基材1の上にハードコート層2、タイプB1の反射防止層3、および防汚層4を形成し、サンプルS32を製造した。ただし、第6層32の層厚は29nmとし、カーバイド層33の層厚は7.2nmとした。カーバイド層(第7層)33の成膜においては、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)を30sccmで真空容器110内に導入し、イオン化させ、イオンエネルギーを1000eV、イオン電流を200mAに設定し、炭酸ガスイオンビームを照射した。その他は、実施例26と同じ条件とした。
6.7 Example 32 (Sample S32)
In Example 32, a hard coat layer 2, an antireflection layer 3 of type B1, and an antifouling layer 4 were formed on the lens substrate 1 under the same conditions as in Example 26, thereby producing a sample S32. However, the layer thickness of the sixth layer 32 was 29 nm, and the layer thickness of the carbide layer 33 was 7.2 nm. In the formation of the carbide layer (seventh layer) 33, carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) is introduced into the vacuum vessel 110 at 30 sccm and ionized, and the ion energy is 1000 eV and the ion current is 200 mA. And was irradiated with a carbon dioxide ion beam. The other conditions were the same as in Example 26.

6.8 実施例33(サンプルS33)
実施例33は、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプB1の反射防止層3を実施例32と同じ条件で形成し、サンプルS33を製造した。防汚層は成膜しなかった。
6.8 Example 33 (Sample S33)
In Example 33, flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and the antireflection layer 3 of type B1 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 32 to produce Sample S33. No antifouling layer was formed.

6.9 実施例34(サンプルS34)
実施例34では、実施例26と同じ条件で、レンズ基材1の上にハードコート層2、タイプB1の反射防止層3、および防汚層4を形成し、サンプルS34を製造した。ただし、第6層32の層厚は26nmとし、カーバイド層33の層厚は10.0nmとした。カーバイド層(第7層)33の成膜においては、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)を30sccmで真空容器110内に導入し、イオン化させ、イオンエネルギーを1000eV、イオン電流を200mAに設定し、炭酸ガスイオンビームを照射した。その他は、実施例26と同じ条件とした。
6.9 Example 34 (Sample S34)
In Example 34, sample S34 was manufactured by forming hard coat layer 2, antireflection layer 3 of type B1, and antifouling layer 4 on lens substrate 1 under the same conditions as in Example 26. However, the layer thickness of the sixth layer 32 was 26 nm, and the layer thickness of the carbide layer 33 was 10.0 nm. In the formation of the carbide layer (seventh layer) 33, carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) is introduced into the vacuum vessel 110 at 30 sccm and ionized, and the ion energy is 1000 eV and the ion current is 200 mA. And was irradiated with a carbon dioxide ion beam. The other conditions were the same as in Example 26.

6.10 実施例35(サンプルS35)
実施例35では、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプB1の反射防止層3を実施例34と同じ条件で形成し、サンプルS35を製造した。
6.10 Example 35 (Sample S35)
In Example 35, flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and the antireflection layer 3 of type B1 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 34 to produce Sample S35.

6.11 実施例36(サンプルS36)
実施例36では、実施例26と同じ条件で、レンズ基材1の上にハードコート層2、タイプB1の反射防止層3、および防汚層4を形成し、サンプルS36を製造した。ただし、第6層32の層厚は26nmとし、カーバイド層33の層厚は10.0nmとした。また、カーバイド層(第7層)33の成膜においては、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)とアルゴン(Ar)ガスとの混合ガスを、二酸化炭素ガスの流量を15sccm、アルゴンガスの流量を15sccmとして真空容器110内に導入し、この混合ガスのイオン化させ、イオンエネルギーを1000eV、イオン電流を200mAとし、炭酸ガスイオンビームを照射した。その他は、実施例26と同じ条件とした。
6.11 Example 36 (Sample S36)
In Example 36, the hard coat layer 2, the antireflection layer 3 of type B1, and the antifouling layer 4 were formed on the lens substrate 1 under the same conditions as in Example 26 to produce Sample S36. However, the layer thickness of the sixth layer 32 was 26 nm, and the layer thickness of the carbide layer 33 was 10.0 nm. In the formation of the carbide layer (seventh layer) 33, a mixed gas of carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) and argon (Ar) gas, a flow rate of carbon dioxide gas of 15 sccm, and argon A gas flow rate of 15 sccm was introduced into the vacuum vessel 110, and the mixed gas was ionized. The ion energy was set to 1000 eV, the ion current was set to 200 mA, and a carbon dioxide ion beam was irradiated. The other conditions were the same as in Example 26.

6.12 実施例37(サンプルS37)
実施例37では、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプB1の反射防止層3を実施例36と同じ条件で形成し、サンプルS37を製造した。防汚層は成膜しなかった。
6.12 Example 37 (Sample S37)
In Example 37, flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and the antireflection layer 3 of type B1 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 36 to produce Sample S37. No antifouling layer was formed.

6.13 サンプル評価
サンプルS26〜S37について、上記2.10において説明した方法により、シート抵抗、ごみの付着試験、吸収損失、耐薬品性(剥がれの発生の有無)、耐湿性(むくみの発生の有無)を測定、試験、および評価した。図20および図21に、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件とともに、上記測定および結果、上記試験および評価結果を纏めて示している。
6.13 Sample Evaluation For samples S26 to S37, the sheet resistance, dust adhesion test, absorption loss, chemical resistance (existence of peeling), moisture resistance (swelling occurrence) by the method described in 2.10 above. Presence or absence) was measured, tested, and evaluated. FIG. 20 and FIG. 21 collectively show the above measurement and results, and the above test and evaluation results, together with the layer structure of the antireflection layer and the film formation conditions of the carbide layer (translucent thin film).

反射防止層3の1つの層32の表面にカーバイド層33を形成したサンプルS26〜S37においては、シート抵抗が2×108[Ω/□]〜2×1010[Ω/□]であった。なお、サンプルS26〜S37において、シート抵抗は、カーバイド層33の層厚が厚いほど小さくなる傾向がある。カーバイド層33の層厚が同じであれば、二酸化炭素とともにアルゴンガスを導入したサンプルの方が、シート抵抗が小さくなる傾向がある。 In samples S26 to S37 in which the carbide layer 33 was formed on the surface of one layer 32 of the antireflection layer 3, the sheet resistance was 2 × 10 8 [Ω / □] to 2 × 10 10 [Ω / □]. . In Samples S26 to S37, the sheet resistance tends to decrease as the thickness of the carbide layer 33 increases. If the thickness of the carbide layer 33 is the same, the sample introduced with argon gas together with carbon dioxide tends to have a lower sheet resistance.

このように、サンプルS26〜S37においては、図14に示したサンプルR4〜R11と比較して、シート抵抗が1桁〜5桁(101〜105)程度小さくなった。すなわち、サンプルS26〜S37においては、サンプルR4〜R11と比較して、シート抵抗が1/101〜1/105になった。このように、カーバイド層33を形成することによって大幅にシート抵抗を低下できることがわかった。また、サンプルS26〜S37は、上記の測定方法で測定されたシート抵抗が1×1011[Ω/□]以下、さらに、1×1010[Ω/□]以下であり、非常に優れた帯電防止性および電磁波遮蔽効果を備えていることがわかる。したがって、サンプルS26、S28、S30、S32、S34、S36は、それぞれ、眼鏡用のレンズとして好適であり、良好な帯電防止効果および電磁遮蔽効果があると言える。 Thus, in the samples S26 to S37, the sheet resistance was reduced by about 1 digit to 5 digits (10 1 to 10 5 ) as compared with the samples R4 to R11 shown in FIG. That is, in the samples S26 to S37, the sheet resistance was 1/10 1 to 1/10 5 compared to the samples R4 to R11. Thus, it was found that the sheet resistance can be greatly reduced by forming the carbide layer 33. Samples S26 to S37 have a sheet resistance measured by the above measurement method of 1 × 10 11 [Ω / □] or less, and further 1 × 10 10 [Ω / □] or less, and very excellent charging. It turns out that it has prevention and electromagnetic wave shielding effect. Therefore, each of the samples S26, S28, S30, S32, S34, and S36 is suitable as a lens for spectacles, and can be said to have a good antistatic effect and electromagnetic shielding effect.

ごみの付着試験においても、図20および図21に示すように、サンプルS26〜S37の評価はすべて○であり、帯電防止効果に優れていることが確認できた。また、図20および図21に示すように、カーバイド層33を形成することにより若干吸収損失が上昇する傾向がみられる。しかしながら、最大でも1.7%程度であり、十分に透光性は高く、反射防止層3の透光性に大きな影響を与えるほど光吸収損失は増加していない。したがって、眼鏡用のレンズとして十分に使用できる。   Also in the dust adhesion test, as shown in FIGS. 20 and 21, the evaluations of the samples S26 to S37 were all “good”, and it was confirmed that the antistatic effect was excellent. Further, as shown in FIGS. 20 and 21, the absorption loss tends to slightly increase by forming the carbide layer 33. However, it is about 1.7% at the maximum, and the translucency is sufficiently high, and the light absorption loss does not increase so as to greatly affect the translucency of the antireflection layer 3. Therefore, it can be sufficiently used as a lens for spectacles.

耐薬品性においては、図20および図21に示すように、サンプルS26〜S37の評価はすべて○であり、日常的に用いられる環境において、優れた耐薬品性を示した。また、むくみの発生(耐湿性)の評価においては、図20および図21に示すように、サンプルS26〜S37についてはむくみの発生は観測されず、すぐれた耐湿性を示した。   In chemical resistance, as shown in FIGS. 20 and 21, the evaluations of samples S26 to S37 were all “good”, and excellent chemical resistance was exhibited in an environment used on a daily basis. In the evaluation of swelling (moisture resistance), as shown in FIGS. 20 and 21, no swelling was observed for samples S26 to S37, indicating excellent moisture resistance.

6.14 考察
以上の各測定結果および評価より、サンプルS26〜S37では、サンプルS1〜S25と同様に、シート抵抗が大幅に低下することが認められ、その一方で、耐薬品性および耐湿性の劣化はないことがわかった。したがって、異なる系の反射防止層3においても、その1つの層32の上に、蒸着源として遷移金属酸化物を用い、第1の気体(炭酸ガス)をイオン化してイオンアシストガスとしてイオンアシスト蒸着する方法(第2の方法)により導電性のカーバイド層33を形成することができることが分かった。そして、従来とほぼ同等の吸収損失で透光性であり(透明であり)、良好な耐久性を有し、しかも、帯電防止性能および電磁波遮蔽性能の優れた光学物品を提供できることがわかった。また、上記2.11で説明したように、炭素、ケイ素、ゲルマニウムを含む他の第1の気体を用いたイオンアシスト法により、カーバイド、シリサイドまたはゲルマニドを形成する遷移金属酸化物層を蒸着させることにより、上記と同様に帯電防止性能および電磁波遮蔽性能の優れた光学物品を提供できると考えられる。
6.14 Consideration From the above measurement results and evaluations, it is recognized that in the samples S26 to S37, the sheet resistance is significantly reduced as in the samples S1 to S25, while the chemical resistance and the moisture resistance are reduced. It was found that there was no deterioration. Therefore, even in the antireflection layer 3 of a different system, the transition metal oxide is used as the deposition source on the one layer 32, and the first gas (carbon dioxide gas) is ionized to form the ion assist gas as the ion assist gas. It was found that the conductive carbide layer 33 can be formed by this method (second method). Then, it was found that an optical article having substantially the same absorption loss as that of the prior art and translucent (transparent), good durability, and excellent antistatic performance and electromagnetic wave shielding performance can be provided. In addition, as described in 2.11 above, a transition metal oxide layer that forms carbide, silicide, or germanide is deposited by an ion assist method using another first gas containing carbon, silicon, and germanium. Thus, it is considered that an optical article excellent in antistatic performance and electromagnetic wave shielding performance can be provided as described above.

7. 第2の方法による有機系の反射防止層を備えたサンプルの製造
7.1 実施例38(サンプルS38)
有機系の反射防止層3Aを備えたサンプルを製造した。以下に詳述するが、有機系の層35の表面にTiO2を遷移金属酸化物の蒸着源とし、炭酸ガスを第1の気体として蒸着の際のイオンアシストガスとして用い、有機系の層35を第1の層として、その表面に透光性薄膜を形成する方法(第2の方法)により、透光性薄膜33を形成している。有機系の反射防止層3Aに、第1の気体(炭酸ガス)をイオン化してイオンアシストガスとして用い、カーバイド層を生成する方法(第2の方法)により透光性薄膜33を導入したサンプルのグループをグループ(2c)と呼ぶ。
7). Production of Sample with Organic Antireflection Layer by Second Method 7.1 Example 38 (Sample S38)
A sample provided with an organic antireflection layer 3A was manufactured. As will be described in detail below, the organic layer 35 is formed on the surface of the organic layer 35 using TiO 2 as a transition metal oxide deposition source and carbon dioxide as a first gas as an ion assist gas during deposition. As a first layer, the translucent thin film 33 is formed by a method of forming a translucent thin film on the surface thereof (second method). A sample in which the light-transmitting thin film 33 is introduced into the organic antireflection layer 3A by ionizing the first gas (carbon dioxide gas) and using it as an ion assist gas and generating a carbide layer (second method). The group is called group (2c).

図22に、本実施形態の典型的なレンズの構成のさらに他の例を、基材を中心とした一方の面の側の断面図により示している。   FIG. 22 shows still another example of the configuration of a typical lens according to the present embodiment by a cross-sectional view on the side of one surface with a base material as a center.

まず、実施例14(5.1参照)と同様にレンズ基材1の上にハードコート層2を成膜し、そのハードコート層2の表面に、有機系の層35を形成した。なお、有機系反射防止層35の層厚は80nmとした。   First, in the same manner as in Example 14 (see 5.1), the hard coat layer 2 was formed on the lens substrate 1, and the organic layer 35 was formed on the surface of the hard coat layer 2. The layer thickness of the organic antireflection layer 35 was 80 nm.

(保護層)
有機系反射防止層35は、中空シリカをバインダー(樹脂)で固めた構造である。このため、イオンビームを直接照射すると、中空シリカおよび/またはバインダーが破壊されるおそれがある。したがって、本例では、有機系反射防止層35の上に、層厚5nmの保護層(SiO2層)39を成膜した。
(Protective layer)
The organic antireflection layer 35 has a structure in which hollow silica is solidified with a binder (resin). For this reason, when an ion beam is directly irradiated, there exists a possibility that a hollow silica and / or a binder may be destroyed. Therefore, in this example, a protective layer (SiO 2 layer) 39 having a layer thickness of 5 nm was formed on the organic antireflection layer 35.

保護層(SiO2層)39は、イオンアシストは行わず、真空蒸着により成膜した。成膜レートは2.0nm/secとし、電子銃の加速電圧は7kV、電流は100mAとした。 The protective layer (SiO 2 layer) 39 was formed by vacuum deposition without performing ion assist. The deposition rate was 2.0 nm / sec, the acceleration voltage of the electron gun was 7 kV, and the current was 100 mA.

(カーバイド層)
保護層39を成膜後、上記蒸着装置100を用いて、カーバイド層33を成膜した。カーバイド層33は、次のようにして成膜した。酸化チタンTiO2の焼結体材料を蒸着源とし、これに熱電子を照射して蒸発させ、蒸発させた酸化チタンを、炭酸ガスイオンビームを用いて、保護層39の上にイオンアシスト蒸着した。蒸着源はTiOx(0<X≦2)であってもよい。炭酸ガスイオンビームは、二酸化炭素(CO2)ガスを30sccmで真空容器110内に導入し、イオン化させ、イオンエネルギーを500eV、イオン電流を200mAとし、炭酸ガスイオンビームを照射した。このようにすることにより、TiOxに含まれるチタン(Ti)原子と、炭酸ガスイオンビームに含まれる炭素(C)原子とにより、保護層39の上にチタンカーバイド(典型的にはTiC)を含む層(カーバイド層)33が形成される。本例では、カーバイド層33は、層厚が2nmとなるように設定した。
(Carbide layer)
After forming the protective layer 39, the carbide layer 33 was formed using the vapor deposition apparatus 100. The carbide layer 33 was formed as follows. A titanium oxide TiO 2 sintered material was used as a deposition source, and this was evaporated by irradiating thermionic electrons. The evaporated titanium oxide was ion-assisted deposited on the protective layer 39 using a carbon dioxide ion beam. . The deposition source may be TiO x (0 <X ≦ 2). The carbon dioxide ion beam was carbon dioxide (CO 2 ) gas introduced into the vacuum vessel 110 at 30 sccm, ionized, ion energy was 500 eV, ion current was 200 mA, and carbon dioxide ion beam was irradiated. By doing so, titanium carbide (typically TiC) is formed on the protective layer 39 by titanium (Ti) atoms contained in TiO x and carbon (C) atoms contained in the carbon dioxide ion beam. A containing layer (carbide layer) 33 is formed. In this example, the carbide layer 33 is set to have a layer thickness of 2 nm.

さらに、カーバイド層33を形成した後、実施例1と同様に防汚層4を成膜した(2.1.3参照)。このようにして、プラスチック基材1、ハードコート層2、有機系反射防止層35、保護層39、およびカーバイド層33を含む反射防止層3A、防汚層4を有するレンズサンプルS38を得た。   Furthermore, after forming the carbide layer 33, the antifouling layer 4 was formed in the same manner as in Example 1 (see 2.1.3). In this way, a lens sample S38 having the plastic substrate 1, the hard coat layer 2, the organic antireflection layer 35, the protective layer 39, and the antireflection layer 3A including the carbide layer 33 and the antifouling layer 4 was obtained.

7.2 サンプルの評価
サンプルS38について、上記2.10と同様の方法で、シート抵抗、ごみの付着試験、耐薬品性(剥がれの発生の有無)、耐湿性(むくみの発生の有無)を測定、試験、および評価した。図23に、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件とともに、上記測定および結果、上記試験および評価結果を纏めて示している。
7.2 Sample Evaluation For sample S38, measure sheet resistance, dust adhesion test, chemical resistance (existence of peeling), moisture resistance (existence of swelling) in the same manner as 2.10 above. , Tested and evaluated. FIG. 23 summarizes the measurement and results, the test and the evaluation results, together with the layer structure of the antireflection layer and the conditions for forming the carbide layer (translucent thin film).

シート抵抗の測定値は、1×1011[Ω/□]であり、優れた帯電防止性能が得られた。また、耐薬品性は○であり、日常的に用いられる環境において、優れた耐薬品性を示した。むくみの発生は観測されず、すぐれた耐湿性を示した。 The measured value of the sheet resistance was 1 × 10 11 [Ω / □], and an excellent antistatic performance was obtained. In addition, the chemical resistance was ○, and the chemical resistance was excellent in an environment that is used daily. No swelling was observed, indicating excellent moisture resistance.

7.3 考察
以上の各測定結果および評価より、有機系反射防止層35を備える反射防止層3Aにおいても、第1の気体(炭酸ガス)をイオン化してイオンアシストガスとして用い、蒸着源に遷移金属酸化物を用いる方法(第2の方法)により、導電性のカーバイド層33を設けられることがわかった。そして、この方法により、シート抵抗を下げることができ、その一方で、耐薬品性および耐湿性の劣化もないことがわかった。これにより、サンプルS38は、帯電防止などの特性を持ち、さらに、耐久性の良い光学物品であることがわかった。
7.3 Consideration From the above measurement results and evaluations, in the antireflection layer 3A including the organic antireflection layer 35, the first gas (carbon dioxide gas) is ionized and used as an ion assist gas, and transitions to the deposition source. It was found that the conductive carbide layer 33 can be provided by the method using the metal oxide (second method). And it was found that the sheet resistance can be lowered by this method, while there is no deterioration of chemical resistance and moisture resistance. As a result, it was found that Sample S38 was an optical article having characteristics such as antistatic properties and having good durability.

この例からも、無機系の層に限らず、有機系の層においても、カーバイド層33を設けることにより、優れた帯電防止性能および電磁波遮断性能と、耐久性とを備えた光学物品を提供できることがわかる。   Also from this example, it is possible to provide an optical article having excellent antistatic performance and electromagnetic wave shielding performance and durability by providing the carbide layer 33 not only in the inorganic layer but also in the organic layer. I understand.

8. 第3の方法によるSiO2−ZrO2系の反射防止層を備えたサンプルの製造
上記の例とは異なり、Tiを、遷移金属を含むターゲットとし、炭酸ガスを第1の気体としてイオン化して照射し、最上(最外)の高屈折率層32を第1の層として、その表面に透光性薄膜をスパッタリングにより形成する方法(第3の方法)により、低屈折率層31としてSiO2層、高屈折率層32としてZrO2層を採用したタイプA1の反射防止層3を備えたサンプルを製造した。SiO2−ZrO2系の反射防止層3の1つの層32の表面に、遷移金属を含むターゲットとし、第1の気体(炭酸ガス)をイオン化した電子ビームとして用い、スパッタリングによりカーバイド層を生成する方法(第3の方法)により透光性薄膜33を導入したサンプルのグループをグループ(3a)と呼ぶ。
8). Production of sample with SiO 2 —ZrO 2 antireflection layer by the third method Unlike the above example, irradiation is performed by ionizing Ti as a target containing transition metal and carbon dioxide as the first gas. Then, the SiO 2 layer is formed as the low refractive index layer 31 by a method (third method) in which the uppermost (outermost) high refractive index layer 32 is used as the first layer and a translucent thin film is formed on the surface thereof by sputtering. A sample having the antireflection layer 3 of type A1 employing a ZrO 2 layer as the high refractive index layer 32 was manufactured. A carbide layer is generated by sputtering on the surface of one layer 32 of the SiO 2 —ZrO 2 -based antireflection layer 3 by using a target containing a transition metal and using an ionized electron beam of a first gas (carbon dioxide gas). A group of samples into which the translucent thin film 33 is introduced by the method (third method) is referred to as a group (3a).

8.1 実施例39(サンプルS39)
8.1.1 レンズ基材の選択およびハードコート層の成膜
上記の実施例1と同様にレンズ基材1を選択し、上記の実施例1と同様にして、レンズ基材1の上にハードコート層2を成膜した(2.1.1参照)。
8.1 Example 39 (Sample S39)
8.1.1 Selection of Lens Base and Film Formation of Hard Coat Layer Lens Base 1 is selected in the same manner as in Example 1 above, and on Lens Base 1 in the same manner as in Example 1 above. A hard coat layer 2 was formed (see 2.1.1).

8.1.2 反射防止層
ハードコート層2の上に、タイプA1の反射防止層3を成膜した。すなわち、実施例1と同じ条件(2.1.2.2)で、第1層および第3層の低屈折率層31と、第2層および第4層の高屈折率層32を成膜した。
ZrO2層は以下のように成膜した。まず、チャンバー内にArを200sccm、酸素を100sccm導入し、チャンバー内の圧力を5.0×10-1Paとした。RF1.5kwを印加し放電させ、基板と対向に設置されているZrターゲットをスパッタし、スパッタ粒子を基板に堆積させる。このとき、基板表面ではZrと酸素が化学反応し、ZrO2膜とし堆積していく。
同様にSiO2層ではSiターゲットを用いて、Arを200sccm、酸素を100sccm導入し、チャンバー内の圧力を5.0×10-1Paとした。RF1.8kwを印加し放電させ、Siターゲットをスパッタする。基板表面ではSiと酸素が化学反応してSiO2が堆積していく。これらを繰り返し行うことで、ZrO2とSiO2の多層膜とする。
8.1.2 Antireflection Layer Type A1 antireflection layer 3 was formed on hard coat layer 2. That is, the first and third low-refractive index layers 31 and the second and fourth high-refractive index layers 32 are formed under the same conditions as in Example 1 (2.1.2.2). did.
The ZrO 2 layer was formed as follows. First, 200 sccm of Ar and 100 sccm of oxygen were introduced into the chamber, and the pressure in the chamber was 5.0 × 10 −1 Pa. RF 1.5 kw is applied and discharged, a Zr target placed opposite to the substrate is sputtered, and sputtered particles are deposited on the substrate. At this time, Zr and oxygen chemically react with each other on the substrate surface, and are deposited as a ZrO 2 film.
Similarly, in the SiO 2 layer, Si was used, Ar was introduced at 200 sccm, oxygen was introduced at 100 sccm, and the pressure in the chamber was 5.0 × 10 −1 Pa. RF 1.8 kw is applied and discharged, and the Si target is sputtered. On the surface of the substrate, Si 2 and oxygen are chemically reacted to deposit SiO 2 . By repeating these steps, a multilayer film of ZrO 2 and SiO 2 is obtained.

(カーバイドを含む層(透光性薄膜))
さらに、最外の高屈折率層32を第1の層として、その表面(表層)にカーバイドを含む層33を成膜した。
(Layer containing carbide (translucent thin film))
Further, with the outermost high refractive index layer 32 as the first layer, a layer 33 containing carbide on the surface (surface layer) was formed.

図24(A)および(B)は、カーバイドを含む層の形成を模式的に示している。図24(A)は、チタンターゲットに二酸化炭素ガスおよびアルゴンガスをイオン化して照射している様子を示している。図24(B)は、ZrO2層(第6層)の上にチタンカーバイドを含む層(透光性薄膜)がスパッタにより形成された様子を示している。図24(A)および(B)は蒸着装置100においてカーバイドを含む層(透光性薄膜)33を形成する様子を示しており、高屈折率層32と透光性薄膜33との上下関係は図1に示したレンズサンプル10とは逆転して示されている。したがって、レンズサンプル10上に、第1層31、第2層32、第3層31、第4層32をスパッタ成膜した後、同装置にてカーバイドを含む層、本例では、チタンカーバイド(典型的には、TiCであり、その他TiOCなどを含む)を含む層33を第5層(導電層、透光性薄膜)として成膜する様子を示している。 24A and 24B schematically show formation of a layer containing carbide. FIG. 24A shows a state in which carbon dioxide gas and argon gas are ionized and irradiated on a titanium target. FIG. 24B shows a state where a layer (translucent thin film) containing titanium carbide is formed on the ZrO 2 layer (sixth layer) by sputtering. 24A and 24B show a state in which a layer (translucent thin film) 33 containing carbide is formed in the vapor deposition apparatus 100. The vertical relationship between the high refractive index layer 32 and the translucent thin film 33 is as follows. It is shown reversed from the lens sample 10 shown in FIG. Therefore, after the first layer 31, the second layer 32, the third layer 31, and the fourth layer 32 are formed on the lens sample 10 by sputtering, a layer including carbide, in this example, titanium carbide ( A state is shown in which a layer 33 containing typically TiC and other materials including TiOC is formed as a fifth layer (conductive layer, translucent thin film).

カーバイド層33は、以下のようにして成膜した。チャンバー(真空容器)を十分に真空排気し、二酸化炭素(CO2)ガス(第1の気体)とアルゴン(Ar)ガスとの混合ガスを、二酸化炭素(CO2)ガスの流量を100sccm、アルゴン(Ar)ガスの流量を200sccmとしてチャンバー内に導入し、チャンバー内の圧力を5.0×10-1Paとした。そして、二酸化炭素ガスおよびアルゴンガスをイオン化し、チタンターゲット38に照射した(図24(A)参照)。これにより、チタンターゲット38からチタン(Ti)と炭素(C)を含む元素がはじき出され、第6層32の上にチタンカーバイド(典型的にはTiC)として堆積する(図24(B)参照)。この際、スパッタソースのRFパワーは1.5kWとした。このようにすることにより、第4層32の上に層厚5.0nmのカーバイド層33を成膜した。 The carbide layer 33 was formed as follows. The chamber (vacuum vessel) is sufficiently evacuated, a mixed gas of carbon dioxide (CO 2 ) gas (first gas) and argon (Ar) gas, a flow rate of carbon dioxide (CO 2 ) gas of 100 sccm, argon (Ar) The gas flow rate was set to 200 sccm and introduced into the chamber, and the pressure in the chamber was set to 5.0 × 10 −1 Pa. Then, carbon dioxide gas and argon gas were ionized and irradiated onto the titanium target 38 (see FIG. 24A). As a result, elements including titanium (Ti) and carbon (C) are ejected from the titanium target 38, and are deposited as titanium carbide (typically TiC) on the sixth layer 32 (see FIG. 24B). . At this time, the RF power of the sputtering source was 1.5 kW. In this way, a carbide layer 33 having a layer thickness of 5.0 nm was formed on the fourth layer 32.

さらに、カーバイド層33の上に、第6層として、第1層および第3層および第5層と同じ条件でSiO2層(低屈折率層)31を成膜した。 Further, an SiO 2 layer (low refractive index layer) 31 was formed as a sixth layer on the carbide layer 33 under the same conditions as the first layer, the third layer, and the fifth layer.

これらの工程において、タイプA1の反射防止層3を形成するため、光学的性能を主に決める第1〜第4層および第6層の層厚は、それぞれ、150nm、30nm、21nm、55nm、85nmに管理した。第4層32の表層を形成するカーバイド層(第5層)33の厚みは、適当な導電性を得るために変えることができ、このサンプルS39においては厚みを5.0nmに設定した。   In these steps, in order to form the antireflection layer 3 of type A1, the layer thicknesses of the first to fourth layers and the sixth layer that mainly determine the optical performance are 150 nm, 30 nm, 21 nm, 55 nm, and 85 nm, respectively. Managed. The thickness of the carbide layer (fifth layer) 33 that forms the surface layer of the fourth layer 32 can be changed in order to obtain appropriate conductivity. In this sample S39, the thickness was set to 5.0 nm.

8.1.3 防汚層
カーバイド層33を形成した後、実施例1と同様に防汚層4を成膜した(2.1.3参照)。
8.1.3 Antifouling layer After the carbide layer 33 was formed, the antifouling layer 4 was formed in the same manner as in Example 1 (see 2.1.3).

8.2 実施例40(サンプルS40)
実施例40では、光学基材1として平面のガラス(B270)を用い、その表面にタイプA1の反射防止層3を実施例39と同じ条件で形成し、サンプルS40を製造した。防汚層は成膜しなかった。
8.2 Example 40 (Sample S40)
In Example 40, flat glass (B270) was used as the optical substrate 1, and the antireflection layer 3 of type A1 was formed on the surface thereof under the same conditions as in Example 39 to produce Sample S40. No antifouling layer was formed.

8.3 サンプル評価
サンプルS39およびS40について、上記2.10において説明したシート抵抗、ごみの付着試験、吸収損失、耐薬品性(剥がれの発生の有無)、耐湿性(むくみの発生の有無)を測定、試験、および評価した。図25に、反射防止層の層構造、カーバイド層(透光性薄膜)の成膜の条件とともに、上記測定および結果、上記試験および評価結果を纏めて示している。
8.3 Sample Evaluation Regarding samples S39 and S40, the sheet resistance, dust adhesion test, absorption loss, chemical resistance (existence of peeling), moisture resistance (existence of swelling) explained in 2.10 above Measured, tested, and evaluated. FIG. 25 collectively shows the measurement and results, the test and the evaluation results, together with the layer structure of the antireflection layer and the conditions for forming the carbide layer (translucent thin film).

サンプルS39およびS40においては、シート抵抗が1×1010[Ω/□]であった。サンプルS39およびS40においては、シート抵抗が図5に示したサンプルR1〜R3と比較して、2桁〜4桁(102〜104)程度小さくなった。すなわち、サンプルS39およびS40においては、サンプルR1〜R3と比較して、シート抵抗が1/102〜1/104になった。このように、カーバイド層33を形成することによって大幅にシート抵抗を低下できることがわかった。 In samples S39 and S40, the sheet resistance was 1 × 10 10 [Ω / □]. In samples S39 and S40, the sheet resistance was reduced by about 2 to 4 digits (10 2 to 10 4 ) as compared with samples R1 to R3 shown in FIG. That is, in the samples S39 and S40, the sheet resistance was 1/10 2 to 1/10 4 compared to the samples R1 to R3. Thus, it was found that the sheet resistance can be greatly reduced by forming the carbide layer 33.

サンプルS39およびS40は、上記の測定方法で測定されたシート抵抗が1×1011[Ω/□]以下、さらに、1×1010[Ω/□]以下であり、非常に優れた帯電防止性を備えていることがわかる。したがって、サンプルS39は、眼鏡用のレンズとして好適であり、良好な帯電防止効果および電磁遮蔽効果があると言える。 Samples S39 and S40 have a sheet resistance measured by the above measurement method of 1 × 10 11 [Ω / □] or less, and further 1 × 10 10 [Ω / □] or less, and extremely excellent antistatic properties. It can be seen that Therefore, it can be said that sample S39 is suitable as a lens for spectacles and has a good antistatic effect and electromagnetic shielding effect.

ごみの付着試験では、図25に示すように、サンプルS39およびS40の評価はすべて○であり、帯電防止効果に優れていることが確認された。   In the dust adhesion test, as shown in FIG. 25, the evaluations of the samples S39 and S40 were all “good”, and it was confirmed that the antistatic effect was excellent.

また、図25に示すように、カーバイド層33を形成することにより1.0%ほど吸収損失が上昇するが、この程度であれは、十分に透光性は高い。したがって、眼鏡用のレンズとして十分に使用できると考えられる。   Further, as shown in FIG. 25, the absorption loss is increased by about 1.0% by forming the carbide layer 33. However, at this level, the translucency is sufficiently high. Therefore, it is considered that it can be sufficiently used as a lens for spectacles.

耐薬品性においては、図25に示すように、サンプルS39およびS40の評価は○であり、日常的に用いられる環境において、優れた耐薬品性を示した。また、むくみの発生(耐湿性)の評価においては、図25に示すように、サンプルS39およびS40についてはむくみの発生は観測されず、すぐれた耐湿性を示した。   With respect to chemical resistance, as shown in FIG. 25, the evaluations of the samples S39 and S40 were “good”, and the chemical resistance was excellent in an environment used on a daily basis. In the evaluation of swelling (moisture resistance), as shown in FIG. 25, no swelling was observed for samples S39 and S40, indicating excellent moisture resistance.

8.4 考察
以上の各測定結果および評価より、サンプルS39およびS40については、サンプルS1〜S38と同様に、シート抵抗が大幅に低下し、その一方で、耐薬品性および耐湿性の劣化はないことがわかった。すなわち、反射防止層3の1つの層32の表面に、遷移金属を含むターゲットとし、第1の気体(炭酸ガス)をイオン化した電子ビームとして用い、スパッタリングによりカーバイド層を生成する方法(第3の方法)により導電性のカーバイド層33を形成でき、従来とほぼ同等の吸収損失で透光性であり(透明であり)、良好な耐久性を有し、しかも、帯電防止性能および電磁波遮蔽性能の優れた光学物品を提供できる。
8.4 Consideration From the above measurement results and evaluations, as for samples S39 and S40, as in samples S1 to S38, the sheet resistance is significantly reduced, while there is no deterioration in chemical resistance and moisture resistance. I understood it. That is, a method of generating a carbide layer by sputtering using a target including a transition metal on the surface of one layer 32 of the antireflection layer 3 as an electron beam obtained by ionizing a first gas (carbon dioxide gas) (third method) Method), the conductive carbide layer 33 can be formed, and the light-transmitting property is transparent (transparent) with almost the same absorption loss as that of the conventional method, and has good durability, and has antistatic performance and electromagnetic wave shielding performance. An excellent optical article can be provided.

なお、第3の方法を含む反射防止層の製造方法(カーバイド層33の成膜方法)は、第1または第2の方法を含む製造方法と同様に、SiO2−ZrO2系の反射防止層だけでなく、SiO2−TiO2系の反射防止層にも適用できる。また、カーバイド、シリサイドまたはゲルマニドを形成する遷移金属をターゲットとし、炭素、ケイ素、ゲルマニウムを含む他の第1の気体をイオン化した電子ビームを用いてスパッタリングによりカーバイド、シリサイドまたはゲルマニドを形成する遷移金属酸化物層を蒸着させることにより、上記と同様に帯電防止性能および電磁波遮蔽性能の優れた光学物品を提供できる。 In addition, the manufacturing method of the antireflection layer including the third method (the film forming method of the carbide layer 33) is similar to the manufacturing method including the first or second method, and the SiO 2 —ZrO 2 antireflection layer is used. In addition, the present invention can be applied to an SiO 2 —TiO 2 antireflection layer. Further, a transition metal oxide that forms a carbide, silicide, or germanide by sputtering using an electron beam obtained by ionizing another first gas containing carbon, silicon, or germanium with a transition metal that forms carbide, silicide, or germanium as a target. By depositing the physical layer, an optical article having excellent antistatic performance and electromagnetic wave shielding performance can be provided in the same manner as described above.

また、上記の実施例で示した反射防止層の層構造は幾つかの例にすぎず、本発明がそれらの層構造に限定されることはない。遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、遷移金属ゲルマニドの少なくともいずれかを含む層(透光性薄膜)は、例えば、3層以下、あるいは9層以上の反射防止層に適用することも可能であり、また、導入される透光性薄膜は1層に限定されない。また、高屈折率層と低屈折率層の組み合わせは、ZrO2/SiO2、TiO2/SiO2に限定されることはなく、Ta25/SiO2、NdO2/SiO2、HfO2/SiO2、Al23/SiO2などの系であってもよく、これらのいずれかの層の表面に上記透光性薄膜を形成することが可能である。 Moreover, the layer structure of the antireflection layer shown in the above embodiment is only some examples, and the present invention is not limited to these layer structures. The layer (translucent thin film) containing at least one of transition metal carbide, transition metal silicide, and transition metal germanide can be applied to, for example, an antireflection layer having 3 layers or less, or 9 layers or more, and The translucent thin film to be introduced is not limited to one layer. The combination of the high refractive index layer and the low refractive index layer is not limited to ZrO 2 / SiO 2 , TiO 2 / SiO 2 , but Ta 2 O 5 / SiO 2 , NdO 2 / SiO 2 , HfO 2. / SiO 2 , Al 2 O 3 / SiO 2, and the like, and the translucent thin film can be formed on the surface of any one of these layers.

9. 光学物品を含むシステムの例
図26に、上記のカーバイド層を含む眼鏡レンズ10と、眼鏡レンズ10が装着されたフレーム201とを含む眼鏡200を示している。また、図27に、上記のカーバイド層を含むレンズ211と、カーバイド層を含む平面のガラス212と、投射レンズ211および平面のガラス212とを通して投影する光を生成する画像形成装置、例えばLCD213とを備えたプロジェクター210を示している。また、図28に、上記のカーバイド層を含む撮像レンズ221と、カーバイド層を含む平面のガラス222と、撮像レンズ221および平面のガラス222を通して画像を取得するための撮像装置、例えばCCD223とを備えたデジタルカメラ220を示している。また、図29に、上記のカーバイド層として形成された透過層231と、光学的な方法により記録を読み書きできる記録層232とを備えた記録媒体、例えばDVD230を示している。
9. Example of System Including Optical Article FIG. 26 shows spectacles 200 including spectacle lens 10 including the above-described carbide layer and frame 201 on which spectacle lens 10 is mounted. Further, FIG. 27 shows a lens 211 including the above-described carbide layer, a planar glass 212 including the carbide layer, and an image forming apparatus that generates light to be projected through the projection lens 211 and the planar glass 212, for example, an LCD 213. The projector 210 provided is shown. Further, FIG. 28 includes an imaging lens 221 including the carbide layer, a flat glass 222 including the carbide layer, and an imaging device such as a CCD 223 for acquiring an image through the imaging lens 221 and the flat glass 222. A digital camera 220 is shown. FIG. 29 shows a recording medium, for example, a DVD 230, including the transmission layer 231 formed as the above-described carbide layer and a recording layer 232 that can read and write data by an optical method.

本発明の光学物品は、これらのシステムの光学物品、例えば、レンズ、ガラス、プリズム、カバー層などとして多種多様な用途を備えている。なお、上記に示したシステムは例示にすぎず、当業者が本発明を利用しうる光学物品およびシステムは、本発明に含まれるものである。   The optical articles of the present invention have a wide variety of uses as optical articles of these systems, such as lenses, glasses, prisms, cover layers, and the like. The system described above is merely an example, and optical articles and systems that can be used by those skilled in the art are included in the present invention.

1 レンズ基材、 2 ハードコート層、 3、3A 反射防止層、 4 防汚層10、 レンズサンプル。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lens base material, 2 Hard-coat layer, 3, 3A Antireflection layer, 4 Antifouling layer 10, Lens sample.

Claims (4)

光学基材の上に、直にまたは他の層を介して透光性の第1の層を形成すること、
を含み、
前記透光性の第1の層は、遷移金属酸化物層であるか、または表面に遷移金属酸化物層を有し、
前記遷移金属酸化物層表面に二酸化炭素を原料として生成したイオンビームを照射することにより前記遷移金属酸化物層に炭素を添加して前記遷移金属酸化物層に含まれる遷移金属の全部または一部を遷移金属のカーバイドとすること、
を更に含む、光学物品の製造方法。
Forming a translucent first layer on the optical substrate directly or via another layer;
Including
The translucent first layer is a transition metal oxide layer, or has a transition metal oxide layer on the surface,
The transition metal oxide layer surface carbon dioxide of the transition metal contained in the transition metal oxide layer on the transition metal oxide layer Ri by the generated ion beam to be irradiated by the addition of carbon as a raw material in whole or some that the carbide of the transition metal,
A method for producing an optical article, further comprising:
請求項1において、当該光学物品は、無機系または有機系の反射防止層を有するものであり、
前記第1の層は、前記無機系または有機系の反射防止層に含まれる層である、光学物品の製造方法。
In Claim 1, the optical article has an inorganic or organic antireflection layer,
The method for producing an optical article, wherein the first layer is a layer included in the inorganic or organic antireflection layer.
請求項1または2において、当該光学物品は、多層構造の反射防止層を有するものであり、
前記第1の層は、前記多層構造の反射防止層に含まれ、かつ前記光学基材の上に他の層を介して含まれる1つの層である、光学物品の製造方法。
In Claim 1 or 2, the optical article has an antireflection layer having a multilayer structure,
Said first layer, said included in the anti-reflection layer of a multilayer structure, and wherein a single layer is Ru included through another layer on the optical substrate, the manufacturing method of the optical article.
請求項1〜3のいずれか1項において、前記第1の層の上に、直にまたは他の層を介して防汚層を形成することをさらに有する、光学物品の製造方法。
The method for manufacturing an optical article according to claim 1, further comprising forming an antifouling layer directly or via another layer on the first layer.
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