JP5778421B2 - 改質された表面および表面を改質するための方法 - Google Patents
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Description
(a)表面を有する基材、
(b)基材の表面の少なくとも一部分上に配置したナノスケールの無機酸化物粒子の層、該ナノスケールの無機酸化物粒子の層は、第1の極性の電荷を有する部位を含む、および
(c)ナノスケールの無機酸化物粒子の層の少なくとも一部分上に配置されたポリマーの単層、該コポリマーの単層は、第2の極性の電荷を有する部位を含み、ここで、この第2の極性は、この第1の極性と反対である、
を含む、表面改質された基材を対象にする。
a)基材の表面の少なくとも一部分上に多量のナノスケールの無機酸化物粒子を堆積させるために、ナノスケールの無機酸化物粒子のスラリーを用いて、基材の表面の少なくとも一部分を処理する工程、ここで、ナノスケールの無機酸化物粒子は、第1の正味電荷を有する、および
b)第2の電荷を有するユニットを含むポリマーの水溶液または分散体を用いて、第2の正味電荷の極性が第1の正味電荷の極性と反対であるpHにおいて、ナノスケールの無機酸化物粒子で処理された表面を処理する工程、
の各ステップを含む、方法を対象にする。
本発明の改質工程は、基材の表面の化学的および物理的特性に敏感ではなく、そして本発明の基材は、任意の固体材料であることができる。
一態様では、基材は、約10nm未満、さらに典型的には、約2nm未満のRMS表面粗さを有する。
一態様では、ポリマーは、1種または2種以上のホモポリマーを含み、そのそれぞれは、モノマー単位のホモポリマーであり、そのそれぞれは、電荷を帯びた置換基、典型的には、カチオン性置換基またはイオン性置換基であるイオン性置換を有する。一態様では、ポリマーは、1種または2種以上のポリカチオン性ホモポリマーを含み、そのそれぞれは、カチオン性モノマー単位のホモポリマーであり、そのそれぞれはカチオン性置換基を有する。一態様では、ポリマーは、1種または2種以上のポリアニオン性ホモポリマーを含み、そのそれぞれは、アニオン性モノマー単位のホモポリマーであり、そのそれぞれは、アニオン性置換基を有する。
R1は、水素原子またはメチルもしくはエチル基であり;同一であるか又は異なるR2、R3、R4、R5およびR6は、直鎖または分枝鎖のC1〜C6、典型的にはC1〜C4、アルキル、ヒドロキシアルキルまたはアミノアルキル基であり; mは、1〜10の整数、例えば1であり; −nは、1〜6、典型的には2〜4である; Zは、−C(O)O−または−C(O)NH−基または酸素原子を表し; (CH2)P基、1〜6、典型的には2〜4の整数であるpを表し;
を含む。
好適なアニオン性モノマーは、例えば:
ホスフェートまたはホスホネート基を含むα−エチレン性不飽和モノマー、
α−エチレン性不飽和モノカルボン酸、
α−エチレン性不飽和ジカルボン酸のモノアルキルエステル、
α−エチレン性不飽和ジカルボン酸のモノアルキルアミド、
スルホン酸基を含むα−エチレン性不飽和化合物、およびスルホン酸基を含むα−エチレン性不飽和化合物の塩、
を含む。
アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸の塩、メタクリル酸の塩、
ビニルスルホン酸、ビニルスルホン酸の塩、
ビニルベンゼンスルホン酸、ビニルベンゼンスルホン酸の塩、
α−アクリルアミドメチルプロパンスルホン酸、α−アクリルアミドメチルプロパンスルホン酸の塩、
メタクリル酸2−スルホエチル、メタクリル酸2−スルホエチルの塩、
アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸(AMPS)、アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸の塩、および、
スチレンスルホネート(SS)、およびスチレンスルホネート(SS)の塩、
からなる群から選択される1種または2種以上のアニオン性モノマーから誘導されている。
好適な中性のモノマーは、例えば:
エチレンオキサイド、およびプロピレンオキサイド等のアルキルオキサイド、
アクリルアミド、メタクリルアミド、
α−エチレン性不飽和の、典型的にはモノ−α−エチレン性不飽和の、モノカルボン酸のアミド、
α−エチレン性不飽和の、典型的にはモノ−α−エチレン性不飽和の、モノカルボン酸のエステル、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、n−プロピルメタクリレート、n−ブチルメタクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート等のアルキルエステル、または2−ヒドロキシエチルアクリレート等のヒドロキシアルキルエステル、
ポリエチレンおよび/またはポリプロピレンオキサイドメタアクリレート(すなわち、ポリエトキシル化および/またはポリプロポキシル化メタアクリル酸)、
ビニルアルコール、
ビニルピロリドン、
ビニルアセテート、
ビニルバーサテート(versatate)、
典型的には、3〜12炭素原子を含むビニルニトリル、
アクリロニトリル、ビニルアミンアミド、
スチレン等のビニル芳香族化合物、およびそれらの混合物、
を含む。
( Wafer World Incからの、1面研磨、偏光解析法で(100)の)薄いケイ素ウェハーを、約2nmの生の酸化ケイ素(SiO2)層を用いて被覆した。約1.5のpHにおいて、10分間、ナノスケールの酸化セリウム粒子の0.1wt%水性ゾルに基材を浸した。ゾルの酸化セリウム粒子は、動的光散乱測定によって、約10ナノメートルの平均粒径を示した。次に、NH4OHを加えることによって、約10のpHにpHを増加させた。次に全ての非吸着材料を除去するために、基材を純粋な脱イオン水を用いて充分にすすいだ。次に窒素流下で基材を乾燥させ、そして接触角を測定した。
ポリスチレンは、アモルファスの、ガラス状(T9=100℃)かつ疎水性(θa =90°)のポリマーである。ケイ素ウェハー上に、有機溶液(トルエン中で2.5wt% )から滑らかなモデルポリスチレン層(1x1μm2の面積上で約1nmのRMS)を得るために、スピンコーティングを使用した。最終の厚さは、約100nmであった。
ポリプロピレンは、半結晶の、ゴム状(約−20℃に等しいT9)および疎水性の(θa =105°)ポリマーである。有機溶液(熱キシレン中で2.5wt% )からケイ素ウェハー上に、滑らかなモデルポリプロピレン層(1x1μm2の面積で約2nmに等しいRMS)を得るために、スピンコーティングを使用した。最終の厚さは、約100nmであった。
HNO3を加えることによって、純粋なエタノール(約9.8に等しいpH)を、約1.5に等しいpHに酸性化した。水中にナノスケールの酸化セリウム粒子を分散した1wt%のゾル(約1.5に等しいpH)を、0.1wt%の酸化セリウム粒子濃度で、50:50の体積:体積ゾルを得るために、先のエタノール溶液を用いて希釈した。ゾルの酸化セリウム粒子は、動的光散乱測定によって約10ナノメートルの平均粒径を示した。このゾルは、約30ミリニュートン/メートル(mN/m)の表面張力を有した(純粋な水は、約72mN/mである。)。
脱イオン水中に分散したナノスケールの酸化セリウム粒子の0.1wt%ゾルを調製し、そして硝酸を用いて、pH1.5に酸性化した。ゾルの酸化セリウム粒子は、動的光散乱測定によって約10ナノメートルの平均粒径を示した。0.1M硝酸ナトリウムの添加によって、この溶液をさらに改質した。塩の添加はナノ粒子の分散性を変化させなかった。ポリカーボネートサンプル片を、分散体中に1時間、サンプル片を浸すことによって処理した。次にこれらのサンプル片を溶液から出し、そして脱イオン水中ですすいだ。すすいだ後で、基材を空気乾燥させ、そして接触角測定を使用して、小片の処理した表面の親水性をテストした。
脱イオン水中に分散したナノスケールの酸化セリウム粒子の0.1wt%ゾルを調製し、そして硝酸を用いてpH1.5に酸性化した。ゾルの酸化セリウム粒子は、動的光散乱測定によって約10ナノメートルの平均粒径を示した。この溶液を、0.1Mの硝酸ナトリウムの添加によりさらに改質した。塩の添加は、ナノ粒子の分散性を変化させなかった。ナイロン6、6のサンプル片を、小片を分散体中に1時間浸すことによって処理した。次に、これらの小片を溶液から除去し、そして脱イオン水中ですすいだ。すすいだ後で、基材を空気乾燥させ、そして接触角測定を使用して、小片の処理した表面の親水性をテストした。
脱イオン水中に分散したナノスケールの酸化セリウム粒子の0.1wt%ゾルを調製し、そして硝酸を用いて、pH1.5に酸性化した。ゾルの酸化セリウム粒子は、動的光散乱測定によって約10ナノメートルの平均粒径を示した。0.1M硝酸ナトリウムの添加によって、溶液をさらに改質した。塩の添加は、ナノ粒子の分散性を変化させなかった。テフロン(商標)サンプル片を、小片を分散体中に1時間浸すことによって処理した。次にこれらの小片を溶液から出し、そして脱イオン水中ですすいだ。基材をすすいだ後で、空気乾燥させ、そして接触角測定を使用して、小片の処理した表面の親水性をテストした。
無機酸化セリウム粒子を用いて、ポリスチレン表面を処理した。脱イオン水中に分散させたナノスケールの酸化セリウム(CeO2)粒子の0.1wt%ゾルを調製し、そして硝酸を用いてpH1.5に酸性化した。ゾルの酸化セリウム粒子は、動的光散乱測定によって約10ナノメートルの平均粒径を示した。0.1M硝酸ナトリウムの添加によって溶液をさらに改質した。塩の添加は、ナノ粒子の分散性を変化させなかった。
(態様)
(態様1)
(a)表面を有する基材と、
(b)該基材の該表面の少なくとも一部分上に配置したナノスケールの無機酸化物粒子の層であって、第1の極性の電荷を有する部位を含む、ナノスケールの無機酸化物粒子の層と、
(c)該ナノスケールの無機酸化物粒子の層の少なくとも一部分上に配置したポリマーの単層であって、ポリマーの該単層は、第2の極性の電荷を有する部位を含み、ここで、該第2の極性は、該第1の極性と反対である、ポリマーの単層と、
を含んで成る、表面改質された基材。
(態様2)
該基材が、有機ポリマー、有機ケイ素ポリマー、セラミック、金属、複合材料、またはセラミックもしくは金属以外の無機材料である、態様1の表面改質された基材。
(態様3)
該ナノスケールの無機酸化物粒子が、酸化セリウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステンおよび酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化インジウム、シリカ、酸化スズ、または酸化鉄を含む、態様1の表面改質された基材。
(態様4)
該ナノスケールの無機酸化物粒子が、該表面上の単層中に分散している、態様1の表面改質された基材。
(態様5)
該ポリマーが、少なくとも2つの部分、AおよびBを含むコポリマーであり、ここで部分Aは、ポリイオン性であり、そして部分Bは、周囲のpH条件下で中性である、態様1の表面改質された基材。
(態様6)
ナノスケールの無機酸化物微粒子の該層の該電荷を帯びた部位が、負の極性を有し、そしてポリマーの該単層の該電荷を帯びた部位が、正の極性を有する、態様1の表面改質された基材。
(態様7)
ナノスケールの無機酸化物微粒子の該層の該電荷を帯びた部位が、正の極性を有し、そしてポリマーの該単層の該電荷を帯びた部位が、負の極性を有する、態様1の表面改質された基材。
(態様8)
該ナノスケールの無機酸化物微粒子が、ナノスケールの酸化セリウム粒子である、態様1の表面改質された基材。
(態様9)
該ポリマーが、ポリ(スチレンスルホネート)−b−ポリアクリルアミド)ブロックコポリマーである、態様1の表面改質された基材。
(態様10)
基材の表面を改質するための方法であって、
a)該基材の該少なくとも一部分上に該粒子を堆積させるために、ナノスケールの無機酸化物粒子のスラリーを用いて、該基材の表面の少なくとも一部分を処理する工程であって、ここで、該ナノスケールの無機酸化物粒子は、第1の正味電荷を有する、工程と、
b)第2の正味電荷を有するポリマーの水溶液または分散体を用いて、該第2の正味電荷の極性が該第1の正味電荷の極性と反対であるpHにおいて、第1の正味電気極性を有する該ナノスケールの無機酸化物粒子で処理された表面を処理する工程と、
の各ステップを含んで成る、方法。
(態様11)
該スラリーが、水性媒体中にナノスケールの無機酸化物粒子を有する最初は安定な分散体であり、そして該表面と該スラリーとを接触させること、および該表面がスラリーと接触している間に、該スラリーからナノスケールの無機酸化物粒子を沈殿させるために、該スラリーのpHを調整することにより、該表面が処理される、態様10の方法。
(態様12)
該スラリーが、水性媒体中にナノスケールの無機酸化物粒子の安定な分散体を含み、該水性媒体が溶解された電解質を含み、そして該表面と該スラリーとを接触させること、そして次に該表面と該スラリーとの該接触を終了させることによって、該表面が処理される、態様10の方法。
(態様13)
ナノスケールの無機酸化物微粒子が、酸化セリウム粒子を含む、態様10の方法。
(態様14)
該水性媒体が、約0.01〜約0.1wt%の該電解質を含む、態様12の方法。
(態様15)
該電解質が、硝酸塩を含む、態様14の方法。
(態様16)
該表面と該安定なスラリーとの接触を終了させた後で、水性のすすぎ溶液を用いて、該ナノスケールの無機酸化物粒子で処理された表面をすすぐ工程をさらに含む、態様10の方法。
(態様17)
該ポリマーが、少なくとも2つの部分AおよびBを有するコポリマーを含み、部分Aがポリイオン性であり、そして部分Bが該溶液または分散体のpH条件下で中性である、態様10の方法。
(態様18)
ナノスケールの無機酸化物微粒子が、酸化セリウム粒子を含み、そして該ポリマーが、ポリ(スチレンスルホネート)−b−ポリアクリルアミド)ブロックコポリマーである、態様17の方法。
Claims (17)
- (a)表面を有する基材と、
(b)該基材の該表面の少なくとも一部分上に直接配置したナノスケールの無機酸化物粒子からなる単層であって、該ナノスケールの無機酸化物粒子の層は、第1の極性の電荷を有する部位を含み、該基材の該表面と接触した第1の表面および該基材の該表面から外に向かって配向した第2の表面を有する、単層と、
(c)該ナノスケールの無機酸化物粒子の単層の少なくとも一部分上に配置され付着したポリマーの単層であって、ポリマーの該単層は、第2の極性の電荷を有する部位を含み、ここで、該第2の極性は、該第1の極性と反対であり、ポリマーの該単層は、該ナノスケールの無機酸化物粒子の該第2の表面と接触した第1の表面および該ナノスケールの無機酸化物粒子の層から外に向かって配向した第2の表面を有する、単層と、
を含む、表面改質された基材であって、該表面改質された基材が(b)の無機酸化物粒子からなる1つのみの単層と(c)のポリマーの1つのみの単層とを含む、表面改質された基材。 - 該基材が、有機ポリマー、有機ケイ素ポリマー、セラミック、金属、複合材料、またはセラミックもしくは金属以外の無機材料である、請求項1の表面改質された基材。
- 該ナノスケールの無機酸化物粒子が、酸化セリウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステンおよび酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化インジウム、シリカ、酸化スズ、または酸化鉄を含む、請求項1の表面改質された基材。
- 該ポリマーが、少なくとも2つの部分、AおよびBを含むコポリマーであり、ここで部分Aは、ポリイオン性であり、そして部分Bは、周囲のpH条件下で中性である、請求項1の表面改質された基材。
- ナノスケールの無機酸化物微粒子の該層の該電荷を帯びた部位が、負の極性を有し、そしてポリマーの該単層の該電荷を帯びた部位が、正の極性を有し、ポリマーの該単層が連続している、請求項1の表面改質された基材。
- ナノスケールの無機酸化物微粒子の該層の該電荷を帯びた部位が、正の極性を有し、そしてポリマーの該単層の該電荷を帯びた部位が、負の極性を有し、ポリマーの該単層が連続している、請求項1の表面改質された基材。
- 該ナノスケールの無機酸化物微粒子が、ナノスケールの酸化セリウム粒子である、請求項1の表面改質された基材。
- 該ポリマーが、ポリ(スチレンスルホネート)−b−ポリ(アクリルアミド)ブロックコポリマーである、請求項1の表面改質された基材。
- 基材の表面を改質するための方法であって、
a)ナノスケールの無機酸化物粒子のスラリーを用いて、該基材の表面の少なくとも一部分を処理して、該表面の少なくとも一部分上に該粒子の単層を直接堆積させる工程であって、ここで、該ナノスケールの無機酸化物粒子は、第1の正味電荷を有し、ナノスケールの無機酸化物粒子の該単層は、該基材の該表面と接触した第1の表面および該基材の該表面から外に向かって配向した第2の表面を有する、工程と、
b)第2の正味電荷を有するポリマーの水溶液または分散体を用いて、該第2の正味電荷の極性が該第1の正味電荷の極性と反対であるpHにおいて、該ナノスケールの無機酸化物粒子で処理された表面を処理して、該ナノスケールの無機酸化物粒子で処理された表面の該単層上に該ポリマーの単層を堆積させ、ポリマーの該単層は、ナノスケールの無機酸化物粒子の該層の該第2の表面と接触した第1の表面およびナノスケールの無機酸化物粒子の該単層から外に向かって配向した第2の表面を有する、工程と、
の各ステップを含み、ここで該基材の該表面がa)の無機酸化物粒子の1つのみの単層とb)のポリマーの1つのみの単層とを含む、方法。 - 該スラリーが、水性媒体中にナノスケールの無機酸化物粒子を有する最初は安定な分散体であり、そして該表面と該スラリーとを接触させること、および該表面がスラリーと接触している間に、該スラリーからナノスケールの無機酸化物粒子を沈殿させるために、該スラリーのpHを調整することにより、該表面が処理される、請求項9の方法。
- 該スラリーが、水性媒体中にナノスケールの無機酸化物粒子の安定な分散体を含み、該水性媒体が溶解された電解質を含み、そして該表面と該スラリーとを接触させること、そして次に該表面と該スラリーとの該接触を終了させることによって、該表面が処理される、請求項9の方法。
- ナノスケールの無機酸化物微粒子が、酸化セリウム粒子を含む、請求項9の方法。
- 該水性媒体が、0.01〜0.1wt%の該電解質を含む、請求項11の方法。
- 該電解質が、硝酸塩を含む、請求項13の方法。
- 該表面と該スラリーとの接触を終了させた後で、水性のすすぎ溶液を用いて、該ナノスケールの無機酸化物粒子で処理された表面をすすぐ工程をさらに含む、請求項9の方法。
- 該ポリマーが、少なくとも2つの部分AおよびBを有するコポリマーを含み、部分Aがポリイオン性であり、そして部分Bが該溶液または分散体のpH条件下で中性であり、該ポリマーの単層が連続である、請求項9の方法。
- ナノスケールの無機酸化物微粒子が、酸化セリウム粒子を含み、そして該ポリマーが、ポリ(スチレンスルホネート)−b−ポリ(アクリルアミド)ブロックコポリマーである、請求項16の方法。
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