JP5778373B2 - 成膜方法 - Google Patents
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「エアロゾルデポジションによる高周波受動素子集積化技術」, 今中 佳彦, 明渡 純, セラミックス, Vol.39, No8, 584-589(2004).
まず、比較のため、金属膜の成膜が困難であった場合について説明する。
本比較例は、高純度ヘリウムガスに代えて、大気を用いて原料粉末4をエアロゾル化して、Cu膜を形成する成膜法に関する。本比較例に従う成膜方法は、表1に示すように、成膜ガス(原料粉末4をエアロゾル化するためのガス)として大気を用いる点を除いて、比較例1に従う成膜方法と同じである。
本実施の形態は、湿式法で形成されたCu粉末をエアロゾル化し、エアロゾル化した粉末を真空中で基板に向けて噴射する成膜方法に関するものである。
本実施の形態は、アトマイズ法で形成されたCu粉末をエアロゾル化し、エアロゾル化した粉末を真空中で基板に向けて噴射する成膜方法に関するものである。
本比較例は、粉砕法で形成した後、微粒子の表面をコーティングする有機脂肪酸を除去したCu粉末をエアロゾル化して、Cu膜を形成する成膜法に関する。
本比較例は、発火防止のため、有機脂肪酸で表面がコーティングされた平均粒径1μm以下の微粒子が集合した金属粉末を原料粉末する、エアロゾルデポジション法に関するものである。
本実施の形態は、平均粒径が1μmであるにも拘わらず、有機脂肪酸で表面がコーティングされていない微粒子が集合してできた金属粉末を原料粉末するエアロゾルデポジション法に関するものである。
本比較例は、粉砕法で形成したAl粉末を原料粉末としてエアロゾル化し、Al膜を形成する成膜法に関する。
本実施の形態は、アトマイズ法で形成されたAl製の粉末(以下、Al粉末と呼ぶ)をエアロゾル化し、エアロゾル化した粉末を真空中で基板に向けて噴射する成膜方法に関するものである。
本実施の形態は、アトマイズ法で形成された、微粒子の粒径が4μmのAl製の粉末をエアロゾル化し、エアロゾル化した粉末を真空中で基板に向けて噴射する成膜方法に関するものである。
本実施の形態は、アトマイズ法で形成された、微粒子の粒径が10μm±5μmのAl製の粉末をエアロゾル化し、エアロゾル化した粉末を真空中でアルミニウム箔に向けて噴射する成膜方法に関するものである。
本実施の形態は、アトマイズ法で形成された平均粒径4μmのAl製の粉末をエアロゾル化し、エアロゾル化した粉末を真空中で基板(アルミ箔)に向けて噴射する成膜方法に関するものである。
本実施の形態は、アトマイズ法で形成された、微粒子の粒径が1μmのCu粉末をエアロゾル化し、エアロゾル化した粉末を真空中で樹脂基板(樹脂プリント基板;味の素 ABF−GX13)に向けて噴射する成膜方法に関するものである。
実施の形態1乃至8に従う成膜方法で使用する原料粉末な、Cu製又はAl製である。しかし、その他の金属、例えば、銅、銀、Al以外の弁金属、及びシリコン等で形成された粉末を原料粉末として使用してもよい。
表面を露出した金属製の微粒子が集合した粉末をエアロゾル化し、
エアロゾル化した前記粉末を真空中で基板に向けて噴射する成膜方法。
表面が有機物でコーティングされていない金属製の微粒子が集合した粉末を、エアロゾル化し、
エアロゾル化した前記粉末を真空中で基板に向けて噴射する成膜方法。
付記1又は2記載の成膜方法において、
前記微粒子が塑性変形可能であることを特徴とする成膜方法。
付記1又は2記載の成膜方法において、
前記粉末が、
前記微粒子が、前記金属に機械的加工を加えずに形成されたものでことを特徴とする成膜方法。
付記1乃至4の何れかに記載の成膜方法において、
前記粉末が、
塩溶液に還元剤を作用させて微粒子を析出させて粉末を形成する、湿式法によって製造されたものであることを特徴とする成膜方法。
付記1乃至4の何れかに記載の成膜方法において、
前記粉末が、
ノズルから流出する溶解金属に、ガス及び液体の何れか一方又は双方を吹き付けて、前記溶解金属を凝固させて粉末を形成するアトマイズ法によって製造されたものであることを特徴とする成膜方法。
付記1乃至6の何れかに記載の成膜方法において、
前記微粒子の平均粒径が、1μm以下で且つ0μmより大きいことを特徴とする成膜方法。
付記1乃至7の何れかに記載の成膜方法において、
前記金属が、銅、銀、弁金属、及びシリコンからなる群の何れかの元素であることを特徴とする成膜方法。
付記1乃至7の何れかに記載の成膜方法において、
前記基板が、ガラス、セラミックス、樹脂、及び金属からなる群の何れかの材料で形成されたものあることを特徴とする成膜方法。
6・・・ガスボンベ 8・・・メカニカルブースターポンプ
10・・・真空ポンプ 12・・・成膜室
14・・・ノズル 16・・・基板 18・・・第1のバルブ
20・・・第2のバルブ 22・・・マスフローメータ
36・・・ステージ 38・・・エアロゾル発生容器
40・・・振動器
Claims (1)
- ノズルから流出する溶解金属に、ガス及び液体の何れか一方又は双方を吹き付けることで、前記溶解金属を凝固させて粉末を形成するアトマイズ法によって製造され、有機物でコーティングされていない平均粒径が1μm以下の金属微粒子からなる粉末をエアロゾル化し、
エアロゾル化した前記粉末を真空中で基板に向けて噴射する成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008089323A JP5778373B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008089323A JP5778373B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009242844A JP2009242844A (ja) | 2009-10-22 |
JP5778373B2 true JP5778373B2 (ja) | 2015-09-16 |
Family
ID=41305077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008089323A Active JP5778373B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5778373B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111889280A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-11-06 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种表面涂覆方法及设备 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5659495B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2015-01-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 電極又は配線パターンの形成方法 |
JP5363371B2 (ja) * | 2010-02-09 | 2013-12-11 | 湖北工業株式会社 | 中空光ファイバ及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11140511A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-25 | Daiken Kagaku Kogyo Kk | 単分散金属微粒子粉末の製造方法 |
JP3613255B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2005-01-26 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 成膜装置 |
JP4044515B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2008-02-06 | 富士通株式会社 | エアロゾルデポジッション成膜装置 |
JP2005281030A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Hitachi Metals Ltd | 微粒子の製造方法 |
JP2005290460A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Fujitsu Ltd | 粉末調整方法及び装置 |
MX2007013600A (es) * | 2005-05-05 | 2008-01-24 | Starck H C Gmbh | Metodo para revestir una superficie de bustrato y producto revestido. |
JP2007211331A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Toshiba Corp | コーティング装置およびコーティング方法 |
JP5004484B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2012-08-22 | 日本碍子株式会社 | 誘電体デバイス |
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2008
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111889280A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-11-06 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种表面涂覆方法及设备 |
CN111889280B (zh) * | 2020-05-26 | 2022-02-01 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种表面涂覆方法及设备 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009242844A (ja) | 2009-10-22 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
A521 | Written amendment |
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