JP5757068B2 - GaN結晶の成長方法 - Google Patents
GaN結晶の成長方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5757068B2 JP5757068B2 JP2010173554A JP2010173554A JP5757068B2 JP 5757068 B2 JP5757068 B2 JP 5757068B2 JP 2010173554 A JP2010173554 A JP 2010173554A JP 2010173554 A JP2010173554 A JP 2010173554A JP 5757068 B2 JP5757068 B2 JP 5757068B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gan
- crystal
- growth
- main surface
- seed crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 626
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 240
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 28
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
図1(A)を参照して、本実施形態のGaN結晶の成長方法は、まず、所定の面方位の主表面1mおよび複数の側表面1sを有するGaN種結晶基板1を複数準備する工程を備える。
図1(A)、図2および図3を参照して、本実施形態のGaN結晶の成長方法は、次いで、複数のGaN種結晶基板1を、それらの主表面1mが互いに平行にかつそれらの側表面1sが互いに隣り合うように配置する工程を備える。かかるGaN種結晶基板の配置工程により、複数のGaN種結晶基板1のそれぞれの主表面1m上に成長するそれぞれの部分結晶10uが互いに接合して一体化した第1のGaN結晶10を成長させることができる。
図1(B)を参照して、本実施形態のGaN結晶の成長方法は、次いで、配置された複数のGaN種結晶基板1の主表面1m上に、HVPE(ハイドライド気相成長)法により、第1のGaN結晶10を成長させる工程を備える。かかる第1のGaN結晶の成長工程において、結晶成長温度を980℃以上1100℃以下とすることにより、複数のGaN種結晶基板1の主表面1m上に成長するそれぞれの部分結晶10uが互いに接合して一体化するように成長させることができる。これにより、主表面となる結晶成長表面10gの面積が大きく大型で結晶性の高い第1のGaN結晶10が得られる。結晶成長温度が980℃より低いと、上記部分結晶10uが互いに接合せず一体化したGaN結晶が得られない。結晶成長温度が1100℃より高いとGaN種結晶基板1の裏表面1nが荒れてしまうためGaN種結晶基板1を繰り返し用いることが困難となる。
反応室110内でGa原料ガス73と窒素原料ガス75とが反応して結晶成長部の結晶ホルダ119上に配置された複数のGa種結晶基板1の主表面1m上に第1のGaN結晶10が成長する。過剰のガスは排ガス79として、ガス排出管115を介して反応室110内から排出される。このとき、Ga原料ガスおよび窒素原料ガスを効率的に輸送したり、各原料ガスの分圧を調節するために、キャリアガスが併用される。キャリアガスとしては、水素ガス(H2ガス)、窒素ガス(N2ガス)などが用いられる。
図1(C)を参照して、本実施形態のGaN結晶の成長方法は、さらに、第1のGaN結晶10を加工することにより、第1のGaN結晶基板12の所定の面方位の主表面12mを構成する第1のGaN結晶10を含む第1のGaN結晶基板12を準備する工程を備えることができる。ここで、第1のGaN結晶基板12の所定の面方位の主表面12mを構成する第1のGaN結晶10を含む第1のGaN結晶基板12とは、第1のGaN結晶基板12の主表面12mと共通の主表面12mを有する第1のGaN結晶10を含むGaN結晶基板12をいう。第1のGaN結晶基板12の第1のGaN結晶10で構成される主表面12m上に、HVPE法により第2のGaN結晶を成長させることにより、大型で結晶性の高い第2のGaN結晶が得られる。
図1(D)を参照して、本実施形態のGaN結晶の成長方法は、さらに、第1のGaN結晶基板12の主表面12m上に、HVPE(ハイドライド気相成長)法により、第2のGaN結晶20を成長させる工程を備えることができる。第1のGaN結晶基板12の第1のGaN結晶10で構成される主表面12m上に、HVPE法により第2のGaN結晶を成長させることにより、主表面となる結晶成長面20gの面積が大きく大型で結晶性の高い第2のGaN結晶が得られる。
1.GaN種結晶基板の準備
図1(A)を参照して、GaN種結晶をその(0001)面に平行な面でワイヤソーにより切り出して複数のウエハを形成し、これらのウエハを<1−100>方向および<11−20>方向の二次元的な方向にワイヤソーにより切り出し、それらの切り出し面をCMS(化学機械的研磨)により研磨することにより、主表面1mの面方位が(0001)面からのずれ角が0.1°以内で、主表面1mが20mm×20mmの正方形であり、複数の側表面の面方位が{1−100}面および{11−20}面のいずれかの面からのずれ角が0.1°以内であり、厚さが300μmであるGaN種結晶基板1を25枚準備した。ここで、それぞれのGaN種結晶基板の主表面および複数の側表面の面方位は、X線回折により測定した。また、それぞれのGaN種結晶基板の主表面および複数の側表面の平均粗さRaは、AFMにより測定したところ、いずれも50nm以下であった。
図1(A)、図2および図3を参照して、25枚のGaN種結晶基板1をそれらの主表面1mが互いに平行にかつそれらの側表面1sが互いにほぼ接触して(具体的には、図1(A)および図2のΔDが10μm未満)隣り合うように<1−100>方向および<11−20>方向の二次元方向にそれぞれ5枚ずつ合計25枚を配置した。ここで、25枚のGaN種結晶基板は、それぞれの<0001>方向、<1−100>方向および<11−20>方向が互いに実質的に同一になるように配置した。ここで、図1(A)および図2においてΔDで表わされる互いに隣り合う側表面1s間の距離は、光学顕微鏡を用いて測定した。配置された25枚のGaN種結晶基板を、酸化アルミニウム製治具により固定した。
図1(B)および図4を参照して、HVPE装置100の反応室110内の結晶ホルダ119上に、酸化アルミニウム製治具により固定して配置された25枚のGaN種結晶基板1を配置して、反応室110に流量200ml/minのHClガス71(このHClガス71はGa原料72である金属Gaと反応して流量200ml/minのGa原料ガス73であるGa塩化物ガスが形成される)および流量1000ml/minのNH3ガス(窒素原料ガス75)をキャリアガスとしてN2ガスを用いて総ガス流量を5000ml/minとして供給し、N/Gaガス比を5、Ga原料ガス73の生成温度を850℃、結晶成長温度を980℃として、25枚のGaN種結晶基板1の主表面1m上に第1のGaN結晶10を結晶成長速度100μm/hrで50時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させた。
図1〜図3を参照して、第1のGaN結晶の成長において、反応室110に流量100ml/minのHClガス71(このHClガス71はGa原料72である金属Gaと反応して流量100ml/minのGa原料ガス73が形成される)および流量2000ml/minのNH3ガス(窒素原料ガス75)をキャリアガスとしてN2ガスを用いて総ガス流量を5000ml/minとして供給し、N/Gaガス比を20としたこと以外は、実施例1と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図3を参照して、GaN種結晶基板の準備および配置において、各GaN種結晶基板の側表面の面方位を{10−10}面から[11−20]方向へのずれ角が15°または{11−20}面から[10−10]方向へのずれ角が15°となるようにし、側表面の面方位に垂直な二次元方向にそれぞれ5枚ずつ合計25枚を配置したこと以外は、実施例1と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、GaN種結晶基板の準備および配置において、各GaN種結晶基板の側表面の面方位を{10−10}面から[11−20]方向へのずれ角が15°または{11−20}面から[10−10]方向へのずれ角が15°となるようにし、側表面の面方位に垂直な二次元方向にそれぞれ5枚ずつ合計25枚を配置したこと以外は、実施例2と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1000℃として結晶成長速度90μm/hrで55時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例1と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1000℃として結晶成長速度90μm/hrで55時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例2と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1000℃として結晶成長速度90μm/hrで55時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例3と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1000℃として結晶成長速度90μm/hrで55時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例4と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1050℃として結晶成長速度80μm/hrで60時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例1と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1050℃として結晶成長速度80μm/hrで60時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例2と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1050℃として結晶成長速度80μm/hrで60時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例3と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1050℃として結晶成長速度80μm/hrで60時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例4と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1100℃として結晶成長速度50μm/hrで100時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例1と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1100℃として結晶成長速度50μm/hrで100時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例2と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1100℃として結晶成長速度50μm/hrで100時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例3と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1100℃として結晶成長速度50μm/hrで100時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例4と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を950℃として結晶成長速度120μm/hrで40時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例1と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を950℃として結晶成長速度120μm/hrで40時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例2と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を950℃として結晶成長速度120μm/hrで40時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例3と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を950℃として結晶成長速度120μm/hrで40時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例4と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1150℃として結晶成長速度40μm/hrで120時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例1と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1150℃として結晶成長速度40μm/hrで120時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例2と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1150℃として結晶成長速度40μm/hrで120時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例3と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
図1〜図4を参照して、第1のGaN結晶の成長において、第1のGaN結晶の成長において、結晶成長温度を1150℃として結晶成長速度40μm/hrで120時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させたこと以外は、実施例4と同様にして、25枚のGaN種結晶基板を準備し、準備したGaN種結晶基板を配置し、配置したGaN種結晶基板の主表面上に第1のGaN結晶を成長させた。
1.第1のGaN結晶基板の準備
図1(C)を参照して、実施例11において得られた第1のGaN結晶10を、GaN種結晶基板1の主表面1mから第1のGaN結晶内に入って1mmの距離の面で切り出して、その切り出し面をCMP(化学機械的研磨)により研磨することにより、第1のGaN結晶基板12の(0001)面からのずれ角が0.1°以下の主表面12mを構成する大きさが100mm×100mm×1mmの第1のGaN結晶10を含む第1のGaN結晶基板12を得た。この第1のGaN結晶基板12の主表面12mの平均粗さRaは、AFMにより測定したところ、いずれも50nm以下であった。
図1(D)を参照して、上記第1のGaN結晶基板12の主表面12m上に、HVPE法により、実施例11と同様の結晶成長条件、すなわち、N/Gaガス比を5、結晶成長温度を1050℃として、第2のGaN結晶20を結晶成長速度80μm/hrで60時間(すなわち厚さ約5mmに)成長させた。得られた第2のGaN結晶20の結晶成長表面20gは平坦であり、第1のGaN結晶10の場合のような溝状の凹部は形成されなかった。
Claims (3)
- 所定の面方位の主表面および複数の側表面を有するGaN種結晶基板を複数準備する工程と、
複数の前記GaN種結晶基板を、それらの主表面が互いに平行にかつそれらの側表面が互いに隣り合うように配置する工程と、
配置された複数の前記GaN種結晶基板の主表面上に、ハイドライド気相成長法により、第1のGaN結晶を成長させる工程と、を備え、
前記GaN種結晶基板の前記主表面の面方位は、実質的に(0001)面であり、
前記GaN種結晶基板の複数の前記側表面の面方位は、いずれも{10−10}面以外であり、
前記第1のGaN結晶を成長させる工程において、結晶成長温度を980℃以上1100℃以下とすることにより、前記GaN種結晶基板の主表面上に成長するそれぞれの部分結晶が一体化するように成長させるGaN結晶の成長方法。 - 前記第1のGaN結晶を成長させる工程において、Ga原料ガス流量に対する窒素原料ガス流量の比は、1以上10以下である請求項1に記載のGaN結晶の成長方法。
- 前記第1のGaN結晶を加工することにより、第1のGaN結晶基板の所定の面方位の主表面を構成する第1のGaN結晶を含む第1のGaN結晶基板を準備する工程と、
前記第1のGaN結晶基板の主表面上に、ハイドライド気相成長法により、第2のGaN結晶を成長させる工程と、をさらに備える請求項1に記載のGaN結晶の成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010173554A JP5757068B2 (ja) | 2010-08-02 | 2010-08-02 | GaN結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010173554A JP5757068B2 (ja) | 2010-08-02 | 2010-08-02 | GaN結晶の成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012031028A JP2012031028A (ja) | 2012-02-16 |
JP5757068B2 true JP5757068B2 (ja) | 2015-07-29 |
Family
ID=45844919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010173554A Expired - Fee Related JP5757068B2 (ja) | 2010-08-02 | 2010-08-02 | GaN結晶の成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5757068B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10584031B2 (en) | 2016-03-08 | 2020-03-10 | Sciocs Company Limited | Nitride crystal substrate |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9202872B2 (en) * | 2006-04-07 | 2015-12-01 | Sixpoint Materials, Inc. | Method of growing group III nitride crystals |
US9518340B2 (en) | 2006-04-07 | 2016-12-13 | Sixpoint Materials, Inc. | Method of growing group III nitride crystals |
KR102288547B1 (ko) * | 2012-03-30 | 2021-08-10 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 주기표 제 13 족 금속 질화물 결정 및 주기표 제 13 족 금속 질화물 결정의 제조 방법 |
JP2013256440A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Samsung Corning Precision Materials Co Ltd | 窒化ガリウム基板の製造方法及び該製造方法により製造された窒化ガリウム基板 |
WO2014035481A1 (en) | 2012-08-28 | 2014-03-06 | Sixpoint Materials, Inc. | Group iii nitride wafer and its production method |
JP6140291B2 (ja) | 2012-09-26 | 2017-05-31 | シックスポイント マテリアルズ, インコーポレイテッド | Iii族窒化物ウエハおよび製作方法および試験方法 |
KR102062381B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2020-01-03 | 서울바이오시스 주식회사 | 질화물 반도체층 성장 방법 및 질화물 반도체 소자 제조 방법 |
KR102061696B1 (ko) | 2013-11-05 | 2020-01-03 | 삼성전자주식회사 | 반극성 질화물 반도체 구조체 및 이의 제조 방법 |
JP6264990B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2018-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体基板の製造方法 |
JP6129784B2 (ja) * | 2014-05-26 | 2017-05-17 | 住友化学株式会社 | Iii族窒化物基板の製造方法 |
US10364510B2 (en) | 2015-11-25 | 2019-07-30 | Sciocs Company Limited | Substrate for crystal growth having a plurality of group III nitride seed crystals arranged in a disc shape |
JP6735647B2 (ja) | 2016-09-29 | 2020-08-05 | 株式会社サイオクス | 窒化物結晶基板の製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4915128B2 (ja) * | 2005-04-11 | 2012-04-11 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体ウエハ及びその製造方法 |
JP4591415B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2010-12-01 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ガリウム結晶の成長方法 |
JP5332168B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2013-11-06 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
JP2008207974A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
JP4924225B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2012-04-25 | 住友電気工業株式会社 | GaN結晶の成長方法 |
JP5051455B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2012-10-17 | 日立電線株式会社 | エピタキシャル成長用窒化物半導体基板の製造方法 |
JP2009286652A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶、iii族窒化物結晶基板および半導体デバイスの製造方法 |
JP4867981B2 (ja) * | 2008-12-04 | 2012-02-01 | 住友電気工業株式会社 | GaN結晶の成長方法 |
JP5509680B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2014-06-04 | 三菱化学株式会社 | Iii族窒化物結晶及びその製造方法 |
JP5447289B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-03-19 | 三菱化学株式会社 | 窒化物半導体結晶およびその製造方法 |
JP5445105B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2014-03-19 | 三菱化学株式会社 | Iii族窒化物結晶の製造方法及びiii族窒化物結晶 |
-
2010
- 2010-08-02 JP JP2010173554A patent/JP5757068B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10584031B2 (en) | 2016-03-08 | 2020-03-10 | Sciocs Company Limited | Nitride crystal substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012031028A (ja) | 2012-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5757068B2 (ja) | GaN結晶の成長方法 | |
JP5788433B2 (ja) | 半極性窒化ガリウムブールの大規模アモノサーマル製造のためのプロセス | |
JP6031733B2 (ja) | GaN結晶の製造方法 | |
JP4537484B2 (ja) | 高品質化合物半導体材料を製造するためのナノ構造適応層及びhvpeを使用する成長法 | |
JP5248777B2 (ja) | 高品質ホモエピタキシ用微傾斜窒化ガリウム基板 | |
JP5446622B2 (ja) | Iii族窒化物結晶およびその製造方法 | |
JP5789929B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の成長方法 | |
JP5370613B2 (ja) | 窒化物半導体結晶およびその製造方法 | |
WO2009090904A1 (ja) | Iii族窒化物結晶の成長方法 | |
KR101749781B1 (ko) | 단결정 기판, 이를 이용하여 얻어지는 ⅲ족 질화물 결정 및 ⅲ족 질화물 결정의 제조방법 | |
WO2010140564A1 (ja) | 窒化物半導体結晶およびその製造方法 | |
JP6187576B2 (ja) | Iii族窒化物結晶 | |
JP2012006772A (ja) | Iii族窒化物結晶の成長方法およびiii族窒化物結晶基板 | |
CN101440521A (zh) | 半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法 | |
CN113166971A (zh) | 氮化物半导体基板的制造方法和氮化物半导体基板 | |
JP5542570B2 (ja) | 単結晶窒化アルミニウムの製造方法 | |
CN109312491B (zh) | 氮化物半导体模板、氮化物半导体模板的制造方法以及氮化物半导体自支撑基板的制造方法 | |
JP4888377B2 (ja) | 窒化物半導体自立基板 | |
US20220010455A1 (en) | GaN SUBSTRATE WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN SUBSTRATE WAFER | |
JP7194407B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP6457442B2 (ja) | GaN結晶基板 | |
JP6342703B2 (ja) | 自立基板の製造方法及び自立基板 | |
CN115443353A (zh) | 氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底和抑制在氮化铝层中产生裂纹的方法 | |
JP5182396B2 (ja) | 窒化物半導体自立基板及び発光装置 | |
JP2019077602A (ja) | Iii族窒化物半導体基板及びiii族窒化物半導体基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130619 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140306 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5757068 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |